Tranzistori

Lita Alexandru
Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel pu in trei
terminale (borne sau electrozi), care fac legtura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este
folosit mai ales pentru a amplifica i a comuta semnale electronice i putere electric.
Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicaiei pentru care sunt destinate. n 2013 nc
unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe sunt gsite ncorporate n circuite integrate.
Tranzistorul este componenta fundamental a dispozitivelor electronice moderne, i este
omniprezent n sistemele electronice. Ca urmare a dezvoltrii sale la nceputul anilor 1950,
tranzistorul a revoluionat domeniul electronicii, i a deschis calea pentru echipamente electronice
mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de
buzunar, computere i altele.
Tranzistorii se realizeaz pe un substrat semiconductor (n general siliciu, mai rar germaniu, dar
nu numai). Tehnologia de realizare difer n funcie de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un
tranzistor de tip PNP se realizeaz pe un substrat de tip P, n care se creeaz prin diferite metode
(difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui baza tranzistorului.
Tranzistoarele pot fi folosite n echipamentele electronice cu componente discrete n
amplificatoare de semnal (n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie,
oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau n comuta ie sau
n circuite integrate, tehnologia de astzi permind integrarea ntr-o singur capsul a milioane de
tranzistori.

Clasificare

Tranzistoare de mica putere: Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau metal i nu
sunt destinate montrii pe radiator.

Tranzistoare de putere: Aceste tranzistoare sunt ncapsulate n plastic sau metal i sunt
destinate montrii pe radiator.

Tranzistoare de joasa frecventa: Sunt tranzistoare destinate utilizrii pn la frecvena de

circa 100kHz, n circuite audio i de control al puterii.

Tranzistoare de inalta frecventa: Sunt tranzistoare destinate aplicaiilor la frecvene peste

100kHz, cum este domeniul radio TV, circuite de microunde, circuite de comutaie etc.

Tranzistorul bipolar
n funcionare normal jonciunea emitorbaz este polarizat direct, iar jonc iunea colectorbaz
este polarizat invers.

Jonciunea emitorbaz, fiind polarizat direct, este parcurs de un curent direct(curent

de difuzie) IE, mare n raport cu curentul invers (rezidual) i, ntr-o plaj larg de curen i, UEB
const, cu valori tipice de 0,6 - 0,7 V (Si) sau 0,2 -0,3V (Ge).

Jonciunea colectorbaz, fiind polarizat invers, este caracterizat de un curent propriu,

invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu i de ordinul
microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu.

Caracteristic tranzistorului este cuplarea electric a celor dou jonc iuni. Pentru aceasta trebuie
satisfcute dou condiii:

jonciunea emitorului s fie puternic asimetric, adic impurificarea emitorului s fie mult
mai puternic dect cea a bazei.

baza s fie foarte subire, astfel nct fluxul de purttori majoritari din emitor s ajung
practic n totalitate n regiunea de trecere a colectorului.

Parametrii specifici tranzistorilor

Cei mai importani parametri ai unui tranzistor sunt:
Factorul de amplificare (f)
Temperatura maxim a jonciunilor

Valoarea temperaturii maxime a jonciunilor pn la care tranzistorul func ioneaz normal

depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu func ioneaz

corect pn spre 200 grade C, n timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate n func ionare n
jurul valorii de 100 grade C.
Observaie: La temperaturi mai mari dect cele men ionate, are loc cre terea extraordinar de rapid a concentra iei purttorilor minoritari
i semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierzndu-si propriet ile ini iale.

Puterea maxim disipat

Puterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. O parte din aceast
putere este radiat n mediul ambiant i o parte produce nclzirea tranzistorului.
Puterea disipat de un tranzistor este , n principal, puterea disipat n cele dou jonc iuni ale
acestuia:

PDT = PDE + PDC = UEB.IE + UCB.IC.