Jonciunea p-n reprezint o regiune foarte ngust dintr-un solid semiconductor n care se face

trecerea de la un tip de conducie la altul ( de la n-p sau p-n ).

Realizarea acestei jonciuni se face impurificnd o parte a solidului cu atomi de grupa V iar
cealalt parte cu atomi de grupa II. Dac cele dou zone au lungimi egale vom avea jonciune
simetric dac nu astimetric.
Dup impurificare n zode de trecere se produce un fenomen de recombinare dintre electroni i
goluri. Electroni din zona n ocupnd goluri din zona p astfel ntre cele dou zone apare un cmp
electric care nu va permite recombinarea tuturor impuritilor.
ntre concentraiile impuritilor din cele dou zone i lungimea zonei impurificare exist o
releaie de proporionalitate :

ln
lp

NA
ND

Aceast[ jonciune are importan atunci cnd este polarizat ( este supus unei tensiuni
electrice ). n funcie de modul de polarizare ea poate deveni un bun conductor electric sau un izolator
electric.
a) Polarizarea Direct se realizeaz conectnd borna + a unei baterii la zona p, iar borna la
zona n. Aceast tensiune
va determina apariia unui cmp electric n sens opus celui intern astfel cmpul rezultat este
mic ca intensitate deci dioda devine conductor.
b) Polarizare Invers se obine atunci cnd + bateriei se conecteaz n iar la zona p, n aceast
situaie cmpul extern se suprapune n acelai sens cu cel intern obinnd astfel un cmp cu
intensitate mare care va bloca trecerea curentului electric.