Jonctiunea p-n

Jonctiunea p-n sta la baza multor dispozitive

conductoare.
Fazorul de tensiunea

Jonctiunea p-n reprezinta un material semiconductor

heterogen in care o regiune este dopata cu impuritati
de tip p iar cealalta cu impuritati de tip n. Materialele
semiconductoare care stau la baza acestor diode sunt
siliciu si germaniul.

Dioda semiconductoare
Diodele semiconductoare:
-de mica putere
-de putere
Diodele cu germaniu avand caderi de tensiune in
conductie directa.
Caracteristica statica a diodei cu jonciune p-n
Repreentarea lui I in functie de u in regim de curent
continuu

p-concentratia
poitiva
Regiunea de tip p este impurificata cu atomi de tip
acceptori iar regiunea n este impurificata cu atomi
pentavalenti.
Datorita diferentei de concentratie dintre regiuniile p
si n in materialul semiconductor apare un curent de
difuie generat de purtatorii de tip goluri in regiunea p
si respectiv de tip n in regiunea n.
Curentul furnizat difueaa la granita dintre cele 2 zone
numita zona de trecere.
Acest lucru produce la nivelul zonei de trecere un
camp electric care favorizeaa purtatori minoritari
dintr-o regiune in alta, formand un curent de drift.
a) Jocntiunea p-n nepolarizata

Is-curent de saturatie
Pr-putere
La polariarea inversa a diodei si atingerea zonei de
strapungere are loc un proces de ionizare puternica,
purtatorii de sarcina se multiplica in avalansa,
curentul prin dispozitiv incepe sa creasca brusc.
Daca punctul de functionare atinge hiperbola Pr
dispozitivul se poate distruge
Ecuatia diodei:
M-coeficient de multiplicare in avalanse
Is-curent de saturatie

Liniarizarea caracteristici volt-amperica

Ri-rezistenta interna staica a diodei

Ppo-concentatia de tip majoritar in regiunea p

Ia-curentul generat de purtatori mobili
IM-componenta difuzie
Im-componenta de drift.
b) Jonctiunea p-n polarizata indirect

Prin punct static de functionare intelegem un punct M

In jurul caruia se desfasoara intreaga functionare a
diodei
Puterea disipata pe dioda:
Puterea pe dioda are urmatoarele componente:

Faptul ca bariera de potential

ajunge de la
conduce la miscarea componentei minoritare a
curentului anodic.
Jonctiunea p-n polarizata invers
Creste componenta de drift