Capitolul 1

INTRODUCERE

1.1. PROBLEMATICA MODELRII DISPOZITIVELOR

SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
1.2. PROBLEMATICA SIMULRII CIRCUITELOR I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE
1.3. TEHNICI, METODE I PACHETE DE PROGRAME DESTINATE
MODELRII I SIMULRII CIRCUITELOR I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE
Breviar
Probleme

Analiza asistat de calculator a circuitelor electronice de putere

(AACCEP) se bazeaz pe un set de modele ale dispozitivelor
semiconductoare de putere, ale componentelor pasive i active de
circuit, ale circuitelor integrate de comand i control a convertoarelor
electronice de putere, ale mainilor electrice etc.
Pentru obinerea unor rezultate de simulare ct mai apropiate de
cazul real este necesar elaborarea i dezvoltarea unor modele ct mai
eficiente precum i folosirea lor corect.
1.1. PROBLEMATICA MODELRII DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE DE PUTERE
Din punct de vedere al posibilitilor de modelare, dispozitivele
semiconductoare de putere se pot mpri n:
dispozitive pentru care exist variante analogice de mic putere
(dioda de putere, tranzistorul bipolar de putere, tranzistorul TECMOS de putere);
dispozitive de putere specifice electronicii de putere, pentru care nu
exist variante analogice, anume:
- structuri tiristoare: dioda tiristoare bidirecional numit i diac,
trioda tiristoare bidirecional numit i triac, trioda tiristoare
unidirecional cu poart anodic, trioda tiristoare unidirecional cu
poart catodic i blocare invers numit tiristor convenional,
1-1

CAPITOLUL 1

tetroda tiristoare unidirecional, tiristorul cu blocare pe poart

GTO;
- dispozitive de putere integrate Bi-MOS performante hibride:
tranzistorul bipolar cu poart izolat IGBT i clasa MCT de
tiristoare controlate cu poart MOS, ambele obinute prin
mbinarea selectiv a caracteristicilor de putere ale dispozitivelor
realizate n tehnologie bipolar cu caracteristicile de comand ale
dispozitivelor realizate n tehnologie unipolar MOS.
Principalele diferene ntre dispozitivele semiconductoare de
putere i analoagele lor de mic putere, care determin o abordare
diferit n modelare, sunt urmtoarele:
1) pentru a asigura o nalt capabilitate de blocare a tensiunilor,
dispozitivele semiconductoare de putere conin n plus n structura
lor intern regiunea de drift, care este o regiune slab dopat.
Prezena ei modific att caracteristicile statice ct i cele dinamice
ale dispozitivelor de putere i, n consecin, n modelare se ine
seama c rezistena regiunii de drift domin n expresia rezistenei
totale a dispozitivului n stare de conducie, care devine astfel mult
mai mare dect n cazul dispozitivelor analoage de mic putere;
2) pentru a asigura o nalt capabilitate n curent, dispozitivele
semiconductoare de putere au jonciunile de arii mult mai mari, fapt
ce determin apariia unor fenomene de suprafa specifice, cum ar
fi, de exemplu, aglomerarea curentului. Prezena jonciunilor de arii
mari crete curenii de saturaie i capacitile de barier ale
dispozitivelor de putere comparativ cu dispozitivele analoage de
mic putere.
3) fenomenele de strpungere sunt mult mai complexe la dispozitivele
de putere dect la cele de mic putere. De exemplu, fenomenul de
strpungere secundar ce poate distruge prin efect termic
dipozitivul de putere la o putere mai mic dect puterea maxim
admisibil dat n catalog nu se regsete n modelrile
dispozitivelor de mic putere i este prezent doar n unele modelri
ale dispozitivelor de putere;
4) lucrul la tensiuni, cureni, deci puteri mari ale dispozitivelor
semiconductoare de putere face ca fenomenele electro-termice s
joace
un
rol
important
n
funcionarea
dispozitivelor
semiconductoare de putere. Corecta modelare a variaiei cu
temperatura a parametrilor de model este determinant pentru
obinerea unor rezultate de simulare apropiate de realitate.
n plus fa de cazul dipozitivelor semiconductoare de mic putere,
modelarea dispozitivelor semiconductoare de putere prezint
urmtoarele particulariti:
1-2

INTRODUCERE

1) cea mai simpl modelare idealizat ce poate descrie numai

fenomenele principale din circuitele de putere este cea de
comutator, dispozitivului blocat corespunzndu-i starea deschis
(OFF) a comutatorului, iar dispozitivului n conducie starea nchis
(ON), deoarece aceste dispozitive funcioneaz n regim de
comutaie;
2) modelri mai precise dar tot incomplete vin s completeze modelul
de comutator cu dispozitive auxiliare i in cont de fenomenele
secundare din dispozitiv: caracteristicile electrice statice, timpii de
comutaie, strpungerea invers, curenii de scurgere, efectele du/dt
i di/dt etc;
3) multe dintre dispozitivele de putere moderne (VMOS, IGBT, MCT)
sunt realizate prin conectarea n paralel a unui numr mare de
structuri integrate de mic putere, avnd dimensiuni mici. n aceste
dispozitive apar fenomene specifice de repartizare inegal a
curentului ntre celulele conectate n paralel, ce nu apar la
dispozitivele de mic putere i care uneori nu pot fi simulate nici de
pachetele de simulare a dispozitivelor de putere.
n finalul acestui subcapitol, trebuie subliniat faptul c nu exist
cea mai bun metod de modelare i nici un model absolut pentru un
anumit dispozitiv. Fiecare dintre tipurile de modele ce vor fi descrise n
capitolul urmtor prezint att avantaje ct i dezavantaje pentru un
anumit tip de simulare. Astfel, pentru un acelai dispozitiv, simulatoarele
de circuite i sisteme de putere dezvolt mai multe tipuri de modele,
utilizatorul fiind cel care trebuie s aleag modelul cel mai potrivit pentru
aplicaia dat, care s ofere compromisul optim ntre timpul de analiz i
precizia de simulare obinut.
1.2. PROBLEMATICA SIMULRII CIRCUITELOR I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE
Analiza asistat de calculator a circuitelor i sistemelor electronice
de putere pune o serie de probleme specifice care nu se regsesc n
cazul electronicii de mic putere:
modificarea strii unui dispozitiv de putere (din starea ON n starea
OFF sau invers) modific topologia circuitului / sistemului de putere
analizat astfel nct pe durata unei perioade de comutaie pot avea
loc mai multe astfel de schimbri n structura de analizat ce poate
influena curenii de pe diverse ramuri ale circuitului;
la modificarea topologiei de circuit se modific setul de ecuaii
integro-difereniale ce descriu respectiva stare;
cum circuitele / sistemele electronice de putere sunt n general
complexe, ordinul ecuaiilor difereniale este mare, deci dificil de
1-3

CAPITOLUL 1

rezolvat. De aceea, n vederea reducerii timpului de simulare i

pentru evitarea problemelor de convergen trebuie folosite artificii de
modelare.
circuitul / sistemul este neliniar datorit:
- schimbrii topologiei pe durata unei perioade de comutaie;
- caracteristicilor electrice puternic neliniare ale dispozitivelor
electronice (diode, tranzistoare, tiristoare) ce lucreaz n regim de
comutaie;
- caracterului profund neliniar al unor sarcini, de exemplu n cazul
acionrilor electrice;
sistemele electronice de putere conin blocuri cu constante de timp
foarte diferite, ceea ce conduce adesea la timpi de analiz ridicai;
datorit lucrului la tensiuni, cureni i puteri mari, apar interferenele
electromagnetice (EMI) pe care numai unele programe de simulare
le pot lua n considera i proiecta filtre EMI pentru eliminarea lor;
echipamentele de putere conin pe lng dispozitivele electronice de
putere i alte tipuri de dispozitive:
- componente pasive de circuit (rezistene, condensatoare, bobine)
- componente active de circuit de mic putere (tranzistoare etc);
- dispozitive electro-mecanice (motoare electrice, transformatoare
de c.a., transformatoare de impulsuri);
- comutatoare electro-mecanice;
- dispozitive
optoelectronice
(fotodiode,
fototranzistoare,
fototiristoare, optocuploare);
- dispozitive de protecie (sigurane fuzibile);
- traductoare (de turaie, curent, temperatur, presiune) etc, pentru
care trebuie s existe sau s se realizeze modele;
circuitele de comand ale dispozitivelor de putere conin de regul
blocuri analogice, digitale i mixte analog-digitale (comparatoare,
circuite integrate specializate, pori logice, numrtoare, procesoare
digitale de semnal, microcontrolere etc). Aceasta impune ca
simulatoarele utilizate s funcioneze multimod, adic s permit
analiza tuturor acestor blocuri separat sau grupate la nivel de sistem,
pornind de la schema bloc principial. De aceea, simulatoarele
trebuie s fie i multinivel;
simularea circuitelor / sistemelor electronice de putere presupune, n
condiiile precizate mai sus, efectuarea mai multor tipuri de analiz:
- determinarea punctelelor statice de funcionare ale dispozitivelor
semiconductoare utilizate;
- analiza de curent continuu, care const intr-o succesiune de
analize de punct static de funcionare pentru diferite valori ale
surselor de alimentare de tensiune sau curent;
1-4

INTRODUCERE

- analiza de regim tranzitoriu n urma creia se determin variaia n

timp a tuturor tensiunilor i curenilor din circuit;
- analiza de curent alternativ, care este de fapt o analiz n
frecven n care modelele dispozitivelor semiconductoare sunt
liniarizate n jurul punctelor lor de funcionare;
- analiza spectral i a distorsiunilor, ce presupune descompunerea
mrimilor electice periodice specifice aplicaiei n serie Fourier,
respectiv utilizarea pentru mrimile electrice neperiodice a
transformatei Fourier etc.
Efectuarea tuturor analizelor de mai sus precum i a altora
presupune existena unui simulator capabil de a le efectua.
n finalul acestui subcapitol, trebuie subliniat faptul c, dac n
cazul circuitelor microelectronice simulatoarele existente n prezent sunt
att de precise nct rezultatele obinute prin simulare aproape coincid
cu cele experimentale, n cazul circuitelor electronice de putere
simularea nu poate nlocui experimentul practic din motivele enumerate
mai sus, ci vine doar s uureze i s scurteze procesul de proiectare ce
const n etape succesive de simulare i realizare practic.
1.3. TEHNICI, METODE I PACHETE DE PROGRAME DESTINATE
MODELRII I SIMULRII CIRCUITELOR I SISTEMELOR
ELECTRONICE DE PUTERE
Tehnicile de analiz asistat de calculator a circuitelor i
sistemelor electronice de putere au ca scop final determinarea tuturor
mrimilor semnificative din circuit, precum i a interdependenei dintre
acestea.
Trebuie subliniat faptul c oricare dintre dintre tehnicile de analiz
s-ar alege, toate se bazeaz pe simplificri sau pe soluii aproximative
obinute din reprezentarea liniar sau neliniar a circuitului / sistemului
dat i, de aceea, nu pot rspunde tuturor cerinelor impuse. Rezult de
aici necesitatea adoptrii metodei cele mai adecvate scopului propus.
Metodele de analiz a circuitelor i sitemelor electronice de putere
sunt diverse, opernd n domeniul timp sau n domeniul frecven:
1. metoda de analiz direct prin rezolvare a ecuaiilor difereniale
(metoda nodal, metoda hibrid, metoda ecuaiilor de stare);
2. metoda de analiz indirect folosind transformata Laplace;
3. metoda de analiz indirect folosind seria Fourier aproximativ
(prin neglijarea armonicelor);
4. metoda de analiz direct n spaiul variabilelor de stare;
5. metoda de analiz prin tehnici de mediere;
6. metode de analiz topologic:
- cu topologie variabil (metoda topologic propriu-zis);
1-5

CAPITOLUL 1

- cu topologie constant (metoda rezistenelor binare);

7. metoda variabilelor de forare;
8. metoda de analiz prin modelare cu reele Petri;
9. metoda de modelare pe baza eantioanelor discrete;
10. metoda de analiz n frecven utiliznd funcii de comutaie;
11. metoda de analiz cu variabile complexe;
12. metoda de analiz folosind vectori Park etc.
Pachetele de programe destinate analizei pe calculator a
circuitelor i sistemelor electronice de putere se pot clasifica dup mai
multe criterii:
dup evoluia lor n timp, exist:
- programele elaborate n diverse limbaje de programare, mai vechi,
n care trecerea de la un interval de comutaie (numit mod de
operare) la urmtorul se face n mod independent, condiiile finale
ale modului de operare anterior fiind condiiile iniiale pentru modul
de operare urmtor;
- programele specializate noi, care sunt capabile s analizeze orice
circuit / sistem electronic de putere alctuit din componente pasive,
dispozitive semiconductoare de mic putere i de putere, structuri
de convertoare, maini electrice, sisteme electronice de control. La
acestea, trecerea de la un mod de operare la altul se face automat
de ctre calculator care modific sistemul de ecuaii caracteristic
fiecrui mod de operare, stabilit i inclus nc de la nceput n
program.
dup metoda de analiz nglobat n program, exist:
- programe bazate pe metoda analizei directe prin rezolvarea
ecuaiilor difereniale corespunztoare circuitului / sistemului
analizat aceste programe fac parte din categoria anterioar a
programelor mai vechi;
- programe bazate pe metoda de analiz n spaiul variabilelor de
stare marea majoritate a programelor ce fac parte din
programele specializate noi fac parte din aceast categorie;
- programe bazate pe metoda de modelare folosind reele Petri,
adecvate explicitrii condiiilor de comutare a convertoarelor
statice de frecven. Acest tip de analiz presupune existena a
dou etape: etapa de elaborare, evaluare i validare a modelului
(de exemplu, programul OVIDE creat de Laboratorul de
Automatic i Analiza Sistemelor din Toulouse, Frana) i etapa de
simulare propriu-zis n domeniul timp (de exemplu, programul
SEDRI al aceluiai laborator, programul ARCANTIEL al
Laboratorului de Automatic din Grenoble, Frana, programul
LORIC al INRIA, Rocquencourt, Frana). n prezent, exist
programul PETRI PARTNER al Laboratorului de Ingineria
1-6

INTRODUCERE

Sistemelor Automate din Angers, Frana ce este capabil s

efectueze ambele etape;
- programe de analiz a sistemelor dinamice, bazate pe metode de
analiz topologic, care nu sunt specifice analizei circuitelor
electronice de putere deci au dezavantajul necesitii de a dezvolta
modele specifice structurilor de convertoare, dar care prezint
marele avantaj de a putea analiza uor sisteme, prin
interconectarea facil a modelelor de motoare i a altor sisteme
electromecanice. Un astfel de pachet este SIMULINK ce apeleaz
programul MATLAB pentru efectuarea calculelor matematice.
dup domeniul de utilizare al programului, exist:
- programe de uz general, care nu sunt dedicate strict studiului
electronicii de putere. Ca exemplu, programul SPICE a fost creat
n 1970 la Universitatea din Berkley, California, fiind dedicat
analizei i proiectrii pe calculator a circuitelor electrice i
electronice. Ulterior, prin dezvoltarea de modele i subcircuite
specifice dispozitivelor semiconductoare de putere, el a devenit
posibil de utilizat i n domeniul electronicii de putere. Alte
programe din aceast categorie sunt: ECAP, SCEPTRE etc;
- programe dedicate simulrii circuitelor i sistemelor electronice de
putere, dezvoltate de regul de fiecare colectiv de cercetare
puternic din lume (ATOSECS al Universitaii Trois Rivieres din
Quebec, Canada ce efectueaz analiza de circuit prin rezolvarea
ecuaiilor de stare, EMTP al Universitii Minesota din SUA ce
efectueaz analiza de sistem cu simularea inclusiv a
componentelor electromagnetice, PECAN al Instutului Tehnic din
Trondheim, Norvegia ce efectueaz analiza de circuit pe baza
metodei nodale etc);
dup puterea la care lucreaz circuitele de putere:
- programe pentru analiza circuitelor de mic putere ce nu in cont
de
fenomenele
EMI
introduse
de
componentele
electromagnmetice este cazul majoritii programelor;
- programe pentru analiza la puteri mari, ce in cont de fenomenele
EMI (de exemplu, programele EMTP al Universitii Minesota, SUA
i SABER).
Menionm c n aceast enumerare a metodelor i pachetelor de
programe destinate AACCEP nu au fost incluse programele de
proiectare i de optimizare a proiectrii deoarece ele nu pot avea un
caracter general, fiind specifice unui anumit produs electronic de putere
dezvoltat i utilizat exclusiv n proiectarea industrial.
Trebuie menionat c firmele mari (de exemplu, On
Semiconductor) pun la dispoziia ulilizatorilor programe simple i
prietenoase accesibile pe diverse pagini de web pentru ca acetia,
asistai de programele interactive afiate, s i proiecteze circuite de
1-7

CAPITOLUL 1

putere de care au nevoie folosind componentele electrice i electronice

ale respectivei firme. Un astfel de program comercial este dedicat
exclusiv s deserveasc o anumit aplicaie sau o categorie de aplicaii.
Aplicaia A1.1
Se va proiecta o surs de tensiune cu funcionare n comutaie ce
utilizeaz un convertor Buck, folosind programul sms6.3 al firmei On
Semiconductor (www.onsemi.com).
Soluie:
Intrnd pe respectiva pagin de web i descrcnd programul sms6.3,
firma pune la dispoziie un prim ecran prin care solicit utilizatorului datele de
intrare ale sursei dorite, pe care acesta le completeaz n csuele de mai jos:

Fig.A1.1. Ecranul pentru introducerea pareametrilor sursei n comutaie

n continuare, apsnd butonul Show Power ManagementICs din fig.A1.1
i apoi butonul Schematic din fig.A1.2, programul afieaz schema electric a
sursei proiectate folosind circuitul integrat LM2852Y al firmei, specializat n
realizarea surselor n comutaie avnd tensiunea de ieire Vout=1,8V (fig.A1.2).

Fig.A1.2. Ecranul de afiare a schemei electrice a sursei n comutaie

1-8

INTRODUCERE

Prin aparea butonului DataSheet din fig.A1.2, programul intr pe pagina

de internet a firmei, la produsul LM2852Y oferind date de catalog i informaii
(fig.A1.3):
- descriere general: circuitul integrat LM2852Y este dedicat proiectrii
surselor de tensiune cu funcionare n comutaie folosind convertorul Buck,
curentul maxim acceptat pe sarcin fiind de 2A, iar frecvena de comutaie a
convertorului fiind n gama 500kHz-1200kHz:
- schema bloc intern echivalent a circuitului;
- date de catalog suplimentare:- gama tensiunilor de intrare: 2,85V...5,5V;
gama tensiunilor de ieire standard: 0,8V, 1V, 1,5V, 1,8V, 2,5V, 3,3V; existena
a trei tipuri interne de compensare; comutatoarele sunt realizate cu tranzistoare
MOS; eficien maxim: 95%.
Este prezentat graficul dependenei randamentului (eficienei) sursei n
funcie de curentul prin sarcin pentru dou tensiuni de intrare: 3,3V i 5V.
- domeniile de aplicaii ale circuitului;
- schema electric a unei aplicaii tipice;
- trimitere la note de aplicaii suplimentare;
- trimitere la alte circuite integrate specializate similare.

Fig.A1.3. Ecranul de afiare a datelor de catalog ale circuitului integrat

specializat LM2852Z
1-9

CAPITOLUL 1

Apsnd butonul Operating Values n Fig.A1.2, programul arat

performanele sursei proiectate, prin numeroii parametri afiai (fig.A1.4).

Fig.A1.4. Ecranul de afiare parametrilor sursei

Prin apsarea butonului Bill of Materials pe ecranul din fig.A1.2,
programul pune la dispoziie datele necesare privind achiziionarea pieselor
schemei electrice din fig.A1.2, de la diverse firme (fig.A1.5)

Fig.A1.5. Ecranul de afiare a listei de componente

1-10

INTRODUCERE

Dac se apas butoanele View Alternatives n fig.A1.4, programul ofer

componente echivalente alternative pentru cumprarea componentelor. De
exemplu, fig.A1.6 a fost obinut prin apsarea butonului View Alternatives n
fig.A1.4 pentru componenta L1.

Fig.A1.6. Ecranul de afiare a listei echivalente pentru L1 din fig.A1.4

n final, se remarc faptul c n prezent exist pe pia o larg
varietate de simulatoare electronice, fiecare dintre ele avnd avantajele
specifice n cadrul aplicaiei date. Totui, din gama larg de simulatoare
dezvoltate fie de laboratoare de cercetare universitare, fie de firme
comerciale private, s-au impus doar cteva accesibile, avnd un
caracter general deoarece nu sunt limitate la un numr redus de circuite
/ sisteme electronice de putere posibil de analizat i ofer faciliti
multiple pentru analiza circuitelor electronice (de exemplu, SPICE,
SABER).
Breviar
n cadrul acestui capitol s-a definit obiectul de studiu al disciplinei
Analiza asistat de calculator a circuitelor i sistemelor electronice de
putere.
Primul subcapitol este axat pe problematica modelrii dispozitivelor
semiconductoare de putere, att prin comparaie cu dispozitivele
semiconductoare de mic putere analoage ct i prin prisma
fenomenelor specifice dispozitivelor semiconductoare de putere. Se
remarc concluzia final a inexistenei unui model perfect de dispozitiv
datorit faptului c fiecare model creat prezint att avantaje ct
i
dezavantaje pentru un anumit tip de simulare, utilizatorul fiind cel care
1-11

CAPITOLUL 1

trebuie s aleag modelul cel mai potrivit pentru aplicaia dat, care
s ofere compromisul optim ntre timpul de analiz i precizia de
simulare obinut;
Al doilea subcapitol se ocup de problematica simulrii circuitelor i
sistemelor electronice de putere, concluzia final fiind aceea c
datorit particularitilor acestora simularea nu poate nlocui
experimentul practic, ci vine doar s uureze i s scurteze procesul
de proiectare ce const n etape succesive de simulare i realizare
practic;
Ultimul capitol enumer unele metode de analiz i exemplific
pachete de programe pentru modelarea i simularea circuitelor
electronice de putere. Concluzia final este c, dei n prezent exist
o gama larg de simulatoare dezvoltate de laboratoare de cercetare
universitare i de firme comerciale private, s-au impus doar cteva
pachete de uz general care au faciliti multiple pentru analiza
circuitelor/sistemelor electronice de putere.

1-12