Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
electromagnetic
4.1
Considerente generale
Frecventa foarte
joasa (VLF)
Infrasunete
10Hz
LF
MF
Domeniul
audio
Emisii
radio AM
Sunete
Ultrasunete
100Hz
Ultraviolet
1THz
3cm
0.3cm
Benzi
radar
Microunde
10GHz 100GHz
300 GHz
Raze X
Raze
Gamma
Raze cosmice
Raze Gamma
Raze cosmice
Raze X
Infrarosu
30cm
Spectrul radio
Vizibil Ultraviolet
Vizibil
3m
Emisii
radio FM
Sub-milimetru
HF
3 kHz
Infrarosu
30m
1021Hz 1022Hz
( 4-1 )
H
v
H
O
CCd
vl =
Zl
vs ;
Zl + Zs
v lp =
Zl
v mn
Zl + Zs
Zs
v
S
mn
Zl
v
L
v
mn
( 4-2 )
De cele mai multe ori impedana de ieire a sursei de semnal util este mult mai
mic dect impedanade sarcin (Zs<<Zl). Deci, este practic posibil ca toat
tensiunea perturbativ s se regseasc la bornele impedanei de evaluare.
6
Zs
mc1 =0
Zs
Z1
v
S
Zl
Z2
v
mc
mc2 =0
a) CIRCUIT IDEAL
v
L
mc1
Z1
v
S
Z2
v
mc
Zc1
Zl
v
L
Zc1
i
mc2
b) CIRCUIT REAL
FCCN =
Vlmn ( )
Vmc ( )
( 4-3 )
Vmc ( )
Vlmn ( )
( 4-4 )
sasiu (metalic)
masa de
putere
masa
analogica
masa
digitala
pamntare
PEN
Contor
L3
N
Bar de
echipotenializare
RB
Sistem de conducte
metalice
PE
RA
Echipament
trifazat
carcas
(metalic)
Priz
monofazat
10
L1
Circuit 3
Circuit 2
i2
i2+i3
i3
L2
L3
GND
Circuit 1
Circuit 2
i1
Circuit 1
Circuit 2
i1
Circuit 3
i3
i2
L1
L2
L3
L1
GND
Circuit 3
i2
L2
GND
i3
L3
GND
GND
11
12
nivelul
semnalului
util
margine de
imunitate
(MI)
nivelul
limita de
perturbatii
nivelul de
perturbatii
margine de
compatibilitate
(MC)
10
100
1000
10000 100000
nivele absolute
Fig. 4.11 Nivele definite n sistemele cu perturbaii
nivele relative
Unul din exemplele cele mai sugestive privind rolul celor dou mrimi definite
l constituie circuitul trigger Schmith. Diferena care apare ntre nivelul
perturbaiilor de la intrare i nivelul pragurilor de comutare constituie marginea
de compatibilitate, iar diferena dintre nivelul semnalului util aplicat i nivelul
pragurilor de comutare constituie marginea de imunitate. Se poate constata din
funcionalitatea acestui circuit c de fapt rolul lui fundamental este acela de a
introduce n sistem un element cu toleran ridicat la aciunea perturbaiilor.
Tolerana microsistemelor digitale la aciunea perturbaiilor
n cazul structurilor digitale apar urmtoarele particulariti n definirea marginii
de imunitate, ca principal indicator al toleranei acestora la perturbaii:
Se definete n mod distinct pentru nivelele de tensiuni asociate celor
dou valori logice;
Se manifest diferit n regim static i n regim dinamic.
Aa cum se cunoate, pentru fiecare familie logic sunt impuse prin standarde
specifice valori ale tensiunilor garantate la ieiri pentru fiecare nivel logic i
14
valori acceptate la intrri pentru fiecare nivel logic, vezi Fig. 4.12. n felul
acesta, n regim static, marginea de imunitate pentru cele dou nivele se
definete prin relaiile:
MI L = VIL VOL
MI H = VOH VIH
( 4-5 )
15
Se poate constata n figura anterioar, c dac circuitul driver face parte din
familia 5-V TTL iar circuitul comandat este din familia 5-V CMOS, pentru
nivel H la intervalul garantat la ieire este mai mare dect intervalul acceptat la
intrare.
n contextul acestor aspecte este important de subliniat i rolul perturbativ pe
care l au curenii care se nchid prin structurile digitale.
n exemplul din figura alturat, este
prezentat circulaia curenilor care
se nchid prin conexiunea dintre pori
n ipoteza unei stri L la ieire. Se
poate constata c aceti cureni
determin
ca
pe
impedana
conexiunii (nenul) s apar o cdere
de tensiune cu caracter perturbativ,
Vp. n regim static aceasta se
nsumeaz cu tensiunea VOL, i n
felul acesta marginea de imunitate Fig. 4.15 Aciunea marginii de imunitate
n prezena perturbaiilor
statica se diminueaz.
n consecin circuitul va fi mai sensibil la aciunea altor factori perturbativi.
16
La distana r fa de dipol, la
un unghi fa de orientarea
antenei, unde
se poate
presupune
prezena
unui
susceptor, se pun n evidena
urmtoarele componente ale
cmpului electromagnetic: o
component de cmp electric
radial - Er, o component de
cmp electric tangenial - E
i o component de cmp
magnetic H, perpendicular
pe planul determinat de
primele dou.
Er
Element
perturbator
Element
susceptor
i=I0e
j t
x
Fig. 4.16 Componentele de cmp generate n
jurul unei antene de tip dipol electric
Prin rezolvarea ecuaiilor lui Maxwell se obin pentru cele trei componente de
cmp soluiile din relaiile 4-6. n aceste relaii, expresia 4-6 reprezint defazajul
componentelor de cmp fa de curentul prin anten, iar Z0 este impedana de
und a vidului.
Amplitudinile celor trei componente sunt proporionale cu lungimea antenei L,
cu amplitudinea curentului injectat I0, i scad odat cu creterea distanei r. De
asemenea, amplitudinile sunt dependente de orientare, unghiul . Pentru =0o,
pe direcia axei conductorului, rmne nenul numai componenta Er. ntr-un
plan ecuatorial pe anten, =90o, se anuleaz componenta Er ,iar celelalte dou
componente, E i H, ce formeaz un plan perpendicular pe direcia de
17
I LZ cos( )
2 j (t r )
Er = 0 0 2 3
1 + j
r e
j 4 r
2
2
I 0 LZ 0 sin( )
2
2 j (t r )
E =
1 + j
r + j
r e
j8 2 r 3
H =
I 0 L sin( )
2 j (t r )
1 + j
r e
2
4r
=e
( 4-7 )
j r
c
0
=
0
Z0 =
( 4-6 )
4 10 7
= 120 377 []
1
9
10
36
( 4-8 )
r >>
sau
( 4-9 )
I 0lZ 0 sin( ) 2
I lZ sin( )
r = 0 0
2 3
8 r
2r
I l sin( ) 2 I 0l sin( )
H = 0
r =
4r 2
2r
2
E =
( 4-10 )
18
W=We+Wm=0 E +0 H
2
2
2
2
W e =W m i deci W=0 E =0 H
( 4-11 )
E f
i H f
( 4-12 )
E 1/r i H 1/r
( 4-13 )
( 4-14 )
sau r << 48 /f MHz
r <<
2
n aceast zon, n parantezele drepte predomin termenii la puterile cele mai
mici (puterea 0), deoarece modulul lor este subunitar. Amplitudinile celor trei
componente sunt exprimate acum de relaia:
I 0 LZ 0 cos( )
j 4 2 r 3
I LZ sin( )
E = 0 0 2 3
j8 r
I L sin( )
H = 0
4r 2
Er =
( 4-15 )
19
( 4-16 )
1
0 E 2
2
Pe de alt parte, se poate constata atenuarea mai rapid cu distana a
componentelor de cmp electric fa de componenta de cmp magnetic.
W WE =
Er 1/r 3
E 1/r 3
H 1/r 2
iar
( 4-17 )
E
Z
= Z0E = 0 ;
H
j 2r
Z0E > Z0
( 4-18 )
Z0E 1 / f ;
Z0E =
1
j 2fCech
unde Cech =
Relum
prezentarea
anterioar pentru o anten
de tip dipol magnetic
(anten Fitzgerald). Analiza
efectuat este valabil de
data aceasta n urmtoarele
condiii:
Antena
este
poziionat
n
spaiul liber departe
de orice suprafa
metalic.
n
anten
se
injecteaz
un
curent sinusoidal
de pulsaie .
20
( 4-19 )
r
Z0 c
H
Element
perturbator
Element
susceptor
a
y
i=I0e j t
x
Fig. 4.17 Componentele de cmp generate n jurul
unei antene de tip dipol magnetic
H =
2
2
I 0 (a 2 ) sin( )
2
2 j (t r )
+
j
r
+
j
r
e
1
4r 3
( 4-20 )
jZ 0 I 0 (a 2 ) sin( )
2 j (t r )
1 + j
r e
2
2r
21
I 0 (a 2 ) sin( ) 2
I S sin( )
j
r = 0
3
r2
4r
Z I (a 2 ) sin( ) 2 Z 0 I 0S sin( )
E = 0 0
r =
r2
2r 2
2
H =
( 4-21 )
H r 1/r 3
H 1/r 3
iar
E 1/r 2
( 4-25 )
Z j 2r
E
= Z0H = 0
;
H
Z0H < Z0
( 4-26 )
Z r
Z 0 H = j 2fLech unde Lech = 0
c
Proprietile descrise pentru cele dou zone, cea de cmp apropiat i cea de
cmp ndeprtat pentru cele dou tipuri de anten, interfer n zona de
tranziie:
( 4-28 )
r
sau r 48 /f MHz
2
n aceast zon toi termenii din parantezele drepte au ponderi comparabile,
drept urmare componentele de cmp se modific dup alte legi. Acest fapt este
ilustrat i de variaia graficelor modulelor impedanelor de und.
23
Zg
a<
L<
i=I0 e j t
Zl
l
i=I0 e j t
a
Forme ideale
Forma real
Fig. 4.19 Comparaie ntre formele antenelor analizate i topologia unui circuit real
Dac pentru circuitul concret s-ar considera o form ideal, atunci n zona de
cmp apropiat ar rezulta fa de situaia real un cmp electric exagerat de mare,
dac l considerm dipol electric sau un cmp electric exagerat de mic, dac l
24
25
Dac una din dimensiunile circuitului este mai mare dect /4, se impun iari
corecii dimensionale pentru a nu obine intensiti ale cmpurilor mai mari
dect cele reale.
Procedura pentru analiza perturbaiilor generate de un circuit real
Prima etap este cea n care aplicm principiul antiperturbativ fundamental
ncadrnd punctul de evaluare a perturbaiilor n zona de cmp apropiat sau n
zona de cmp ndeprtat.
Dac una din dimensiunile circuitului este mai mare dect /4, aceasta se
nlocuiete n calculul suprafeei circuitului cu dimensiunea /4:
75
lech [m] = =
4 f MHz
( 4-29 )
7500
lech [cm] =
f MHz
n etapa urmtoare se calculeaz impedana total a circuitului Zt=Zg+Zl. n
funcie de valoarea acestei impedane se consider c circuitul este mai apropiat
ca i comportare de un dipol electric sau de un dipol magnetic:
Circuitul se apropie ca i comportare de un model de tip dipol electric
dac este valabil relaia:
Z t > Z 0 H 7 ,9 rm f MHz
( 4-30 )
EV/m =
E V/m =
Vl S
; S [m 2 ] = a b
4r 3
7,96 Vl S cm2
( 4-32 )
r3
H A/m =
( 4-33 )
r2
26
EV/m =
EV/m =
0,63 I S f MHz
; S [m 2 ] = a b
r2
63 I S cm2 f MHz
r2
27
Pe un traseu cu lungimea de 6 cm ce
6 cm
se afl la o distan medie de 2,5 cm
fa de traseul de mas se transmite
^
V=10V
un semnal cu frecvena de 100 MHz
Zl=75
2,5 cm
i amplitudinea de 10V. Semnalul
este generat pe o sarcin de 75.
f=100 MHz
Ne propunem s evalum nivelul
maxim de cmp electric la o distan
Fig. 4.21 Circuitul perturbator analizat
de 1 m fa de traseu.
1.
La frecvena de 100 MHz, limita ntre zona de cmp apropiat i cea
de cmp ndeprtat este:
300
300
=
= 0,75 m S = 2,5 6 = 15 cm 2
4 f MHz 4 100
3.
2,6 1002
88 dBV/m
EdB = 20lg
1
r = 48/1MHz = 48 m >> 1 m
2. n calculul suprafeei circuitului nu se impun nici acum corecii
deoarece lungimea de und a semnalului este de 100 de ori mai mare:
/4 =
300
300
=
= 75 m S = 2,5 6 = 15 cm 2
4 f MHz 4 1
28
EV/m =
7,96 Vl S cm2
r
7,96 10 15
= 1194 [ V/m]
1
EdB = 20lg
1194
61 dBV/m
1
perturbaiilor
generate
de
un
semnal
29
nivele [dB]
-20dB/decada
Aref [dB]
20lg(2AT1/T)
-40dB/decada
F1=
1
T1
F0=
1
T
spectrale
F2=
1
T2
pentru
frecventa
determinarea
amplitudinilor
A
cazul semnalului triunghiular
aceast frecven introduce o
atenuare de -40dB/decad, iar t r
tf
T
T1 este durata frontului (T1=tr).
Pentru frecvene mai mici dect
F1, se poate considera pentru
A
anvelop valoarea 20lg(2AT1/T)
pstrndu-i
[dB],
T1
semnificaiile anterioare, iar T t r
T
este perioada semnalului.
Fig. 4.23 Parametrii impulsurilor
30
F0 = 1 / 66 ns 15 MHz
31
Armonica
F0
a treia
a cincea
Frecventa
[MHz]
15
45
75
Aref [dBV]
14
14
14
Descrestere
[dB]
-4
-14
-22
Amplitudine
[dBV]
10
-8
Amplitudine
[V]
3,15
0,4
E [dBV]
la 10m
23
32
33
32
Circuit echivalent
Impedan echivalent
33
Rezistor
ZR =
Cp
Rs
Lp
Condensator
Rp
Rp
Bobin
R + jL p
Lp
Cp
1 2 L p C p + jRC p
Z C = Rs + j L p +
ZL =
Rp
1 + jR p C
R p + jL
1 LC p + jR p C p
2
traseu de mas
vp
Bucl de mas
I cm
pmntare (carcas)
vp
+v p
- vp
transmisie diferenial
oc de mod
comun
a)
b)
n figura 4.25 se pot urmri dou metode prin care apariia unei perturbaii pe
bucla de pmntare este diminuat prin aplicarea unor proceduri de simetrizare a
efectelor perturbaiei.
n varianta a) ocul de mod comun determin ca aceei perturbaie s se
cupleze i pe traseul de semnal i astfel n final la intrarea circuitului
comandat tensiunile perturbative se vor compensa.
34
v
G1
i1
ZG1
L1
ZL 1
vs
ZL 2
v
G2
ZG2
L2
n exemplul ilustrat n figura 4.26, dou circuite (modelate prin echivalenele lor
Thevenin) au o poriune comun din traseul de mas, segmentul AB. Aceasta
are o impedan nenul Z, caracterizat printr-o rezisten i o inductan:
( 4-38 )
Z = R + j L
35
vs = R i p + L
di p
dt
( 4-39 )
R=
l
[1 + (T 20 o C) ]
tw
R=
4 l
[1 + (T 20 oC) ]
D 2
( 4-40 )
t
w
( 4-41 )
36
D2
x
t
R=
D1
2x
2 x
o
ln + ln
[1 + (T 20 C) ]
2t D1
D
2
( 4-42 )
R(f) = 2,61 10 7
l
D 2
( 4-44 )
n aceste relaii R(f) este rezistena pentru conductoare realizate din cupru
electrotehnic, acest fapt fiind reflectat n valoarea coeficienior.
Pentru evaluarea inductivitilor conexiunilor trebuie s se pun n eviden
pentru fiecare situaie calea prin care se nchide curentul. n acest sens, de
exemplu pe un cablaj imprimat, trasee de semnal cu aceeai geometrie pot s
prezinte inductiviti diferite n funcie de distana fiecruia fa de traseul de
mas.
O prim situaie prezentat este cea n care un curent se nchide prin dou trasee
cilindrice paralele. Relaia 4-45 permite evaluarea inductanei pentru sistemul
celor dou conductoare. Relaiile 4-46 permit evaluarea inductanelor lineice (pe
unitatea de lungime) considernd o dat unitatea de lungime metrul iar apoi
inch-ul. n aceste relaii s-a presupus poziionarea conductorilor n aer sau n alt
mediu pentru care r1.
37
d
L l r 0 ln ( 2 ) H
Pentru
( 4-45 )
r 1
L
d
0 ,4 ln ( 2 ) H/m
l
D
L
d
0 ,01 ln ( 2 ) H/in
l
D
( 4-46 )
Situaia descris de acest prim caz o putem ntlni n practic frecvent n cazul
cablurilor panglic. n exemplul prezentat n continuare s-a calculat inductana
rezultat pentru conductoarele unui cablu panglic n care conductorul 7 este
legat la mas (GND).
D
d
Pentru cablul panglic s-au
GND
considerat urmtorii parametri:
lungimea l=12 inch, distana
1
2
3
4
5
6
7
dintre fire d=50 mil i diametrul
conductoarelor D=15 mil.
0,44 H
0,42 H
0,39 H
0,36 H
0,31 H
0,23 H
O alt situaie ce poate fi ntlnit n practic este cea a unui traseu cu seciune
circular poziionat deasupra unui plan de mas. n acest caz curentul se nchide
prin conductorul circular i apoi se ntoarce prin planul de mas. Formula de
baz (4-47) pentru evaluarea inductivitii este apoi explicitat sub forma unor
relaii pentru determinarea inductanelor lineice (4-48).
h
L l r 0 ln ( 4 ) H
2
D
Pentru
r 1
L
h
0 ,2 ln ( 4 ) H/m
l
D
L
h
0 ,005 ln ( 4 ) H/in
l
D
Fig. 4.31 Conductor circular deasupra
unui plan de mas
38
( 4-47 )
( 4-48 )
Se poate observa c pentru h=d/2, unde d este distana dintre cele dou
conductoare din cazul anterior, se obine o inductan cu valoare jumtate din
cea calculat n situaia a dou conductoare paralele. n cazul n care h este egal
cu distana dintre conductoarele din cazul anterior se obine o inductan ce
reprezint aproximativ 35% din cea calculat pentru dou conductoare paralele.
Aceste observaii arat c realizarea unui plan de mas este benefic pentru
reducerea valorilor inductanelor parazite.
Situaiile prezentate n continuare pentru conductoare cu seciune
dreptunghiular sunt frecvent ntlnite n cazul traseelor realizate pe cablaje
imprimate. Primul caz corespunde prezenei a dou trasee paralele realizate pe
aceeai fa a cablajului imprimat.
(d w)
L l r 0 ln
+ 1 H ( 4-49 )
w+t
Pentru 1 i w + t << d
r
d
L r 0
ln (
) H/m
l
w+t
( 4-50 )
d
L
0 ,4 ln (
) H/m
l
w+t
Fig. 4.32 Conductoare cu
dreptunghiular pe aceeai fa
seciune
d
L
0 ,01 ln (
) H/in
l
w+t
d/w
0
0
10 12 14 16 18 20
39
d
1,26 r d
Ll r 0
H=l
H
KL w
KL
w
( 4-51 )
pentru r 1
L 1,26 d H/m = 0 ,032 d H/in
l K
KL w
L w
2h/w
0
0
h
1,26 r h
Ll r 0
H=l
H
KL w
KL
w
pentru r 1
L 1,26 h H/m = 0 ,032 h H/in
l K
KL w
L w
10 12 14 16 18 20
( 4-52 )
Trecnd n revist seturile de formule care au fost prezentate se pot defini cteva
reguli ce pot fi urmrite n realizarea practic a conexiunilor pentru a obine
pentru acestea inductiviti cu valori ct mai mici:
reducerea lungimii l a legturii galvanice;
reducerea distanei dintre cele dou trasee pereche din conexiune (d);
majorarea limii traseelor conductoare (D, w);
utilizarea mai multor trasee ntre dou puncte;
realizarea unui plan de mas;
40
RO
VALI
iALI
RL
ZO
ZG
ZI
vG
vO
iL
ZL
iI
Preamplificator
41
42
Prima variant este greit deoarece curenii ce se pot scurge spre potenialul de
referin (n situaia unor defecte) din echipamentele 2 i 3 pot perturba
echipamentul 1. La fel, curentul spre pmntare din echipamentul 3 poate
influena funcionarea celorlalte dou. Varianta a doua de conectare este cea
corect din punct de vedere antiperturbativ.
n cazul circuitelor de for trebuie evitate situaiile n care curenii de sarcin
(de valori mari) parcurg traseele circuitelor electronice de comand. n figur
este analizat cazul unui echipament de for n care microsistemul electronic are
rol de comand, acesta cuprinznd: un traductor, un preamplificator i un
amplificator. Acest microsistem comand elementul de execuie (simbolizat prin
tranzistorul de putere), care nchide i deschide un curent semnificativ prin
sarcin.
43
44
1
15V
bucla 1
56K
VCC
d1=2,5 in
R12
560
R11
vo1
A1
GND
Rp
2
d2=0,06 in
VEE
vi1
1K8
Rl1
560
Lp
il1
il1
l=3 in
w=0,025 in
1
bucla 2
3
-15V
56K
vi2
t=0,0025 in
1K8
Rl2
d1=2,5 in
substrat
izolator
d2=0,06 in
vo2
vip2
VCC
R22
560
R21
A2
VEE
560
il1 =
vo1
1
0,55 mA
Rl1 1 K8
=
L1 = 3 0,01 ln
2,5
170 nH
0,025 + 0,0025
L2 = 3
0,032 1 0,06
70 nH
3,3
0,025
46
vp1 = Rp ip + j
L1
ip
2
2
L1
vp1 = ip Rp 2 + =
2
K = 20 lg
vo2
2,2
= 20 lg
13 dB
vi1
10
Pentru alternana negativ a curentului prin sarcina Rl1 (cnd curentul este
absorbit de la sursa VEE=-15 V) se obine pentru tensiunea perturbativ de la
intrarea canalului 2 urmtoarea amplitudine:
L2
vp2 = Rp ip + j
ip
2
2
L2
vp2 = ip Rp 2 +
=
2
47
48
tensiune
perturbativ
vp
traseu perturbator
Cp
capacitate parazit
traseu perturbat
vs
Z in
circuit susceptor
(perturbat)
vs =
Z in
1
vp ; ZC p =
Zin + Z Cp
j Cp
( 4-54 )
vs
Z in
ZCp
vp = Cp Z in vp
( 4-55 )
tensiune
perturbativ
vp
traseu perturbator
capacitate parazit
Cp
traseu perturbat
vs
Cs
Rin
circuit susceptor
(perturbat)
jR C
in p
v =
v
s 1 + j R ( C + C ) p
in s
p
Pentru Rin(Cs+Cp)>>1 rezult:
( 4-56 )
49
Cp
v
v
s C +C
p
p
s
Cp
Cs
( 4-57 )
C = r 0
A
d
( 4-58 )
50
C
l
2
d
d
ln + - 1
D D
0 (ef)
r
2d
ln
F/m
(ef)
(ef)
0,7
r
r
pF/m =
pF/in
2d
2d
ln
ln
D
D
27,8
Pentru
F/m
D
<< 1
d
Pentru
(ef)
r
C
l
D1 D 2
2 0 (ef)
r
4d 2
ln
D1 D 2
F/m
( 4-59 )
51
n 4-59 este dat relaia general pentru capacitatea lineic (pe unitatea de
lungime) n cazul unui astfel de sistem, iar apoi formula este particularizat
pentru cazul n care distana dintre trasee este mult mai mare dect diametrul lor
i este explicitat pentru a obine rezultatul n pF/m, respectiv n pF/in. Ultima
form prezentat pentru relaia de evaluare a capacitii este aplicabil pentru
situaiile n care conductoarele au diametre diferite. n formule s-a preferat
folosirea diametrului traseului (D) i nu a razei din considerente practice care
sunt legate de faptul c n cazul unui fir mrimea obinut direct prin msurare
este diametrul i de asemenea, productorii specific acest parametru n
cataloage.
Graficul din Fig. 4.48 prezint variaia capacitii lineice n funcie de raportul
d/D. Se observ i de aceast dat c n domeniul asimilat cu poziionarea n
zona de cmp apropiat capacitatea specific se reduce rapid cu distanarea.
Ca exemplificare vom determina
capacitatea parazit dintre dou fire
alturate, din cablul panglic din
figur, caracterizat de urmtoarea
0,7 r
C =l
=
geometrie: D=15 mil, d=50 mil, l=12
2d
ln
15
dac materialul izolator n care sunt
nglobate conductorele este subire.
Fiind n situaia n care d>>D se poate utiliza varianta simplificat pentru
fomula de evaluare din relaiile 4-59. Se poate sesiza ordinul de mrime (pF)
obinut pentru capacitatea parazit.
n continuare se analizeaz situaia unui traseu cilindric poziionat deasupra unui
plan conductor.
Pentru
2h / D >> 1
(ef)
C 2 0 r
F/m
l
4h
ln
D
55,6 r(ef)
=
pF/m
4h
ln
D
=
Fig. 4.49 Traseu cilindric poziionat
deasupra unui plan conductor
52
1,4 r(ef)
pF/in
4h
ln
D
( 4-60 )
r
Fig. 4.50 Trasee cu seciune
dreptunghiular cazul I
C (ef) K w F/m
C
0 r
l
d
w
(ef)
= 8,84 r K C pF/m
d
w
(ef)
= 0,225 r K C pF/in
d
( 4-61 )
53
substrat
r
izolator
C
l
l
w
t
0 r(ef)
F/m
(d w)
ln
+ 1
w+t
27,8 r(ef)
pF/m
(d w)
ln
+ 1
w+t
( 4-62 )
0,71 r(ef)
pF/in
(d w)
ln
+ 1
w+t
w+t
w+t
w+t
n situaiile n care cele dou trasee nvecinate au limidiferite, w1 i w2,
relaiile 4-62 devin:
2 0 r(ef)
C
F/m
l
2 2 1 1
ln d
w1 + t w2 + t
d
Fig. 4.52 Trasee cu seciune
dreptunghiular cazul II
54
55,6 r(ef)
1 1
ln 2 d 2
w1 + t w2 + t
1,41 r(ef)
1 1
ln 2 d 2
w1 + t w2 + t
pF/m
( 4-65 )
pF/in
KL
10
20
r = 4 ,5
18
16
KC
14
12
10
KL
plan de
mas
substrat
h
d
izolator r
Fig. 4.53 Trasee cu seciune dreptunghiular
cazul III
Pentru
0
0
10 12 14 16 18 20
d/w
2h / d < 0,3
C 0 r
l
(ef)
w
K L K C F/m
d
( 4-66 )
w
w
= 2,81 r(ef) K L K C pF/m = 0,07 r(ef) K L K C pF/in
d
d
n situaia n care un traseu de cablaj imprimat se gsete plasat deasupra unui
plan conductor (de mas) ntre acestea se manifest o capacitatea specific
parazit ce poate fi evaluat prin relaiile 4-67. i n acest caz este prezent
factorul de franjurare KC, dar de data aceasta el este reprezentat n funcie de
variabila 2h/w.
KC
10
r = 4 ,5
w
t
substrat
izolator
5
4
3
2
1
plan de mas
Fig.
4.55
Traseu
cu
seciune
dreptunghiular deasupra unui plan
conductor
2h/w
0
0
10 12 14 16 18 20
55
C (ef) K w F/m
0
r
C
l
h
( 4-67 )
w
w
= 8,84 r(ef) K C pF/m = 0,225 r K C pF/in
h
h
Parametrul r(ef) se poate evalua n aceast situaie cu relaia:
0 , 5
2
+ 1 r 1 12h
w
r(ef) = r
+
+ 0,04 1 pentru w < h
1 +
2
2
w
h
r(ef) =
r + 1 r 1
2
12h
1 +
2
w
0,5
pentru
( 4-68 )
w>h
56
trasee, turul i returul, prin care circul semnalele vizate. Modalitile practice
de realizare pot fi foarte diverse:
torsadarea traseelor de semnal cu conductoare legate la potenialul de
referina;
ghidarea traseelor agresive de pe plachete printre trasee, sau chiar plane
(in cazul plachetelor multistrat), conectate la potenialul de referina;
conectarea firelor neutilizate din cabluri, sau din mnunchiuri de fire la
potenialul de referin;
nchiderea circuitelor n incinte de ecranare.
n Fig. 4.58 situaiile prezentate sunt sugerate principiile care trebuiesc
respectate n realizarea incintelor de ecranare avnd scop diminuarea cuplajelor
capacitive. n primul rnd, este important ca feele incintei s fie
echipotenializate. n cazul cmpului electric cvasistaionar, ce apare n zona de
cmp apropiat de mare impedan, este esenial ca ntre pereii ecranului s
existe puncte de contact electric care asigur egalizarea potenialelor acestora.
n lipsa lor pereii iau un potenial corespunztor locului din cmp n care se
gsesc, iar ecranul este practic ineficient.
fee izolate
Cp1
a) ecran ineficient
Cp2
Cp1
Cp3
Cp3
c)
Cp2
d)
fee echipotenializate
Cp1
Cp
Cp2
+
Cp3
e)
Cp
b) ecran eficient
electric
57
58
nivele TTL
nivele RS232
12V
nivele "0"
5V
6V
nivele "1"
2V
0,8V
0V
0V
nivele "0"
-6V
nivele "1"
-12V
semnalelor
cadrul
59
vs = M
d (i p )
( 4-69 )
dt
pentru
r>
A1
r>
A2
( 4-70 )
4), poziionarea lor relativ n spaiu fiind caracterizat prin distanele D13,
D14, D23 i D24. Aceast dispunere spaial se pstreaz pe lungimea l. Pentru
aceast topologie expresia inductivitii mutuale este dat de relaia 4-71.
bucla 1
ip
bucla 2
M
1
D
13
D D
= 0 r ln 14 23 H/m
l
D D
2
13 24
Pentru
3
D
14
M
l
ip
D
23
= 1 rezult :
r
D D
= 0, 2 ln 14 23 H/m
D D
13 24
D D
= 0,005 ln 14 23 H/in
D D
13 24
( 4-71 )
D
24
1
D D
0,5 0,5
13 24
Vom relua determinarea valorii inductanei mutuale pentru situaia n care bucla
perturbatoare este format din traseele 1 i 3, iar bucla susceptoare din traseele 2
i 4. De data aceasta dispunerea geometric este caracterizat de:
D13 = D24 = 0,06 in
D14 = D23 = 0,52 + 0,06 2 = 0,5036 in
i prin urmare inductana mutual este:
D D
0,5036 0,5036 nH 64 nH
M = l 5 ln 14 23 nH = 3 5 ln
D D
2
0,06 0,06
13 24
Se constat c n aceast nou situaie inductana mutual a crescut cu dou
ordine de mrime. Exemplul numeric prezentat dovedete importana dispunerii
relative a celor dou bucle.
n cazul n care cele dou bucle care interacioneaz se formeaz prin plasarea a
dou conductoare deasupra unui plan de mas comun ambelor circuite,
evaluarea inductivitii mutuale se face prin relaia urmtoare.
2
bucla 1
bucla 2
M = 0 r ln 1 + 2h H/m
l
4 d
ip
l
Pentru r = 1 rezult :
M
d
h
ip
plan de mas
2h 2
= 0,1 ln 1 + H/m
l
d
2h 2
= 0,00254 ln 1 + H/in
d
( 4-72 )
62
ln(1 + x) = x
x 2 x3 x 4
+ +L
2 3 4
dac x < 1 :
( 4-73 )
ln(1 + x) x
i observnd c termenii de grad superior pot fi neglijai pentru x subunitar, se
ajunge la urmtoarele relaii simplificate.
bucla 1
bucla 2
ip
plan de
mas
h
ip
(
4-74 )
substrat
izolator
e( i )
e (i +2)
( 4-75 )
Egalnd cele dou relaii, rezult relaia care exprim ntensitatea cmpului
electic E la distana d fa de perturbator:
E=
30 PT
d
5,5
PT
d
( 4-76 )
7,01
PT
d
( 4-77 )
de variaia funciei 1/d, d fiind mare. Aceast analiz arat c dac susceptorul
este plasat n aceast zon este nevoie de adoptarea altor msuri
antiperturbative. Singurele soluii care sunt valabile n aceast situaie se refer
la implementarea unor ecrane pe calea de transmisie a perturbaiei de la
perturbator spre susceptor.
E y1
unde incidente
ECRAN
METALIC
spaiu n spatele
ecranului
spaiu n faa
ecranului
Z1
Z2
Z3
E y2
H x1
E y3
Hx
Ey
unde reflectate
H x2
Hx
E
unde y
reflectate
intern
H x3
unde penetrate
( 4-78 )
( 4-79 )
( 4-80 )
H
a H = 20 log 1 [dB]
H3
Indicii "1" se refer la nivelele incidente la ecran, iar indicii "3" la nivelele ce au
traversat ecranul.
66
E3
= e t unde :
E1
( 4-81 )
= f coeficient de atenuare
Mrimile care intervin au urmtoarele semnificaii: t - grosimea ecranului
(thickness); - conductivitatea electric a materialului din care este construit
ecranul; f - frecvena perturbaiei incidente la ecran. Prin logaritmarea raportului
E1/E3 se obine factorul de atenuare, n dB:
a A [dB] = 20 log
unde : r =
E1
= 0,1314 t r r f
E3
( 4-82 )
Cu
a A [dB] = 20 log(
) log( e )
( 4-83 )
2Z
2 =
1 ;
H
Z
+
Z
1
1
2
( 4-84 )
67
La cea de a doua
reflexie rezultnd
cmp:
E3
2 Z3
=
;
E2 Z 3 + Z 2
H3
2 Z2
=
;
H 2 Z3 + Z 2
E3
2 Z2
2 Z3
=
E1 Z1 + Z 2 Z 3 + Z 2
( 4-85 )
H3
2 Z1
2 Z2
=
H1 Z1 + Z 2 Z3 + Z 2
E3
2 Z2
2 Z1
4 Z1 Z 2 4 Z 2
=
E1 Z1 + Z 2 Z1 + Z 2 (Z1 + Z 2 )2
Z1
( 4-86 )
H3
2 Z1
2 Z2
4 Z1 Z 2 4 Z 2
=
=
H1 Z1 + Z 2 Z3 + Z 2 (Z1 + Z 2 )2
Z1
Prin logaritmarea acestor relaii se expliciteaz atenuarea prin reflexie n funcie
de impedanele de cmp:
E
Z
a RE = 20 log 1 = 20 log 1 [dB]
( 4-87 )
E3
4 Z2
H
Z
a RH = 20 log 1 = 20 log 1 [dB]
H3
4 Z2
n zona de cmp ndeprtat, expresiile impedanelor ce intr n formula
atenurii pentru spaiul liber i pentru ecran sunt explicitate prin relaiile:
Z1 =
Z2 =
r
= 3,68 10 7 f
; pentru ecran
( 4-88 )
377
r ] = 108 10 log r f [MHz]
( 4-89 )
4 3,68 10 -7 r f
r
n ultima expresie notaia f[MHz] semnific faptul c frecvena se exprim n
MHz. Se observ c n zona de cmp ndeprtat atenuarea prin reflexie scade cu
creterea frecvenei. Deci fenomenul de atenuare prin reflexie poate fi important
a R [dB] = 20 log[
68
r r 2 f 3[MHz]
a RH [dB] = 75 10 log
Cu sau Al
( 4-90 )
r r f [MHz]
2
( 4-91 )
Se poate observa c atenuarea prin reflexie este mai accentuat n zona de cmp
electric, de nalt impedan. De asemenea, proprietile materialului din care
este confecionat ecranul are aceei nfluen ca i n cmp ndeprtat.
n aceast zon de cmp reflexia este influenat i de frecvena perturbaiei dar
i de distana fa de perturbator:
scade cu creterea frecvenei i cu creterea distanei pentru cmpul
electric
crete cu frecvena i cu distana pentru cmpul magnetic.
Reflexia multipl poate influena major atenuarea total obinut a ecranului
numai dac atenuarea prin absorbie are valori foarte mici, aA<1015 dB.
Materiale utilizate pentru ecranare
Tabelul urmtor prezint parametrii r i r pentru principalele materiale ce pot
fi ntlnite n construcia ecranelor. Se remarc valoarea mare a parametrului r
n cazul fierului i valoarea foarte mare a aceluiai parametru pentru aliajul
denumit chiar -metal. Aceste valori recomand materialele amintite n
realizarea ecranelor destinate atenurii perturbaiilor prin absorbie.
Material
Domenii de utilizare
69
- metal
Fier
Oel
Argint
Cupru
Aur
Aluminiu
Zinc
Alam
Bronz
Metal Monel
0,03
0,17
0,10
2,05
1,00
0,70
0,61
0,29
0,26
0,18
0,04
80.000
1.000
1
1
1
1
1
1
1
1
1
aR [dB]
250
cupru
cmp de nalt
impedan (E)
200
r = 1
r =1
r=0,1m
r=1m
150
unde plane (E,H)
100
r=1m
50
cmp de joas
impedan (H)
r=0,1m
f[MHz]
0
10
10
10
10
10
10
10
a R [dB]
250
fier
200
r = 1000
r = 17
cmp de nalt
impedan (E)
150
r=0,1m
r=1m
100
cmp de joas
impedan (H)
50
r=1m
f[MHz]
r=0,1m
10
10
10
10
10
10
10
70
Curba
Cmp
Grosime
ecran (mm)
a
b
c
d
e
f
g
E
H
E
H
E
unde plane
H
2
2
0.2
0.2
0.02
0.02
0.02
a [dB]
300
a
250
b
c
200
d
150
f
100
cupru
r=1m
g
50
r = 1
r =1
f[MHz]
0
10
10
10
10
10
10
10
a [dB]
300
a
250
c
b
200
150
e
100
fier
r=1m
f
g
50
r = 1000
r = 0,17
f[MHz]
0
10
10
10
10
10
10
10
Ecrane cu orificii
71
conductor
d
t
Dac orificiile sunt mari, adic d~, atunci undele incidente la ecran care se
gsesc n vecintatea orificiilor vor ptrunde n spatele acestuia i practic
ecranul nu are eficien.
n cazul n care orificiului este mai mic (d</2) atenuarea ecranului poate fi
explicitat n funcie de dimensiunile geometrice ale orificiului. O prim situaie
posibil este cea n care diametrul orificiilor sunt mai mari dect grosimea
ecranului, d>t. Atenuarea a1 corespunde prezenei unei singure guri de
diametru d n peretele ecranului. Atenuarea an corespunde situaiei n care n
peretele ecranului se gsesc n guri cu diametrul d, distanate cu s>d.
a1[dB] = 20 log
2d
an [dB] = a1[dB] 10 log(n )
( 4-92 )
a1[dB] = 20 log
+ 27,3
t
d
( 4-93 )
2d
an [dB] = a1[dB] 10 log(n )
ECRAN
t
tech
Fig. 4.75 Perete ngroat n jurul gurii
73