Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Sistemul de memorie
Interfatarea cu circuitele de memorie
Ierarhizarea memoriei
Sistemul de memorie
n cadrul unui sistem de calcul memoria ocup un loc important
reprezentnd depozitul de informaii (date i program) al acestuia.
Exist dou arhitecturi consacrate n ceea ce privete organizarea
sistemului de memorie: von Neumann i Harvard. n cazul arhitecturii von
Neumann memoria este vzut ca un tot unitar n care se afl att
programele ct i datele; n cazul arhitecturii Harvard memoria este
mprit n dou pri distincte, memorie program i memorie de date
Tipuri de circuite de
memorie
RAM
ROM
Tipuri de circuite de
memorie
Configuratia pinilor
Conectare Adrese
Scriere
ROM
Citire
Selectie
EPROM
VPP programarea
circuitului prin aplicarea 25V
si utilizarea PGM cu
mentinerea CS\ high
EPROM
Memoria RAM
Memoria RAM
SRAM sunt limitate ca dimensiune ( pana la 128K X 8). DRAM sunt disponibile in
capacitati mai mari, (ex. 64M X 1)
Circuitele DRAM (Dynamic RAM) sunt circuite de memorie RAM volatile care
utilizeaz un condensator pentru a pstra sarcina electric de 1 logic. Din cauz
c timpul de stocare a sarcinii n elementul capacitiv este de ordinul milisecundelor
aceste circuite necesit, spre deosebire de SRAM, un ciclu periodic de ntreinere
(refresh) a sarcinilor electrice la nivel de celul la fiecare 2 pana la 4 ms.
Densitatea elementelor electronice pentru implementarea unei celule pe pastila de
siliciu a circuitului este de patru ori mai mic dect n cazul SRAM (memoria SRAM
necesit patru tranzistoare per celul, memoria DRAM unul singur) i de aceea
costul per unitate de stocare este mai mic. Pinii de adresa sunt multiplexati.
Exemple de tehnologii actuale DRAM: FPM DRAM (Fast Page DRAM), EDO DRAM
(Extended Data Out DRAM), SDRAM (Synchronous DRAM), DDR SDRAM (Double
data-rate SDRAM), RDRAM (rambus DRAM), VRAM (Video RAM) etc.
Circuitele NVRAM (Non-volatile RAM) sunt circuite de memorie SRAM realizate n
tehnologie CMOS, cu consum redus, alimentate cu o baterie care s permit
reinerea informaiilor din circuit la ntreruperea alimentrii cu energie electric a
sistemului
Liliana Dobrica, Sisteme cu Microprocesoare
2013-2014
Memoria RAM
DRAM
10
Memoria RAM
DRAM - normal
DRAM refresh
Necesita hardware extern
11
Memoria RAM
Controller DRAM
Exemplu: 82C08 controleaza 1MB DRAM pentru un sistem pe 16 biti de date si 24
linii de adrese.
12
Standarde JEDEC
Standardele JEDEC (Joint Electronic Device
Engineering Committe www.jedec.org) definesc
modul de funcionare a circuitelor de memorie actuale
(tipuri de circuite, organizarea pinilor, parametri de
funcionare etc.).
Prin intermediul acestora se asigur o compatibilitate
a utilizrii circuitelor de memorie n practic.
13
14
15
16
17
Calculeaza suma
18
CRC se afla:
Unde G(X) este numit generator polinomial. Cel mai folosit este:
19
20
10
21
22
11
Interfatarea cu circuitele de
memorie
23
Magistrala sistem
Orice sistem de calcul este format din UCP, sistem de memorie i porturi
de intrare / ieire (sistem I/O), acestea fiind prile componente de baz.
Mulimea conexiunilor (liniilor electrice) care interconecteaz UCP cu
sistemul de memorie i cu sistemul I/O se numete magistral sistem.
Aceasta are rolul de a permite schimbul de informaii (date) ntre UCP i
restul sistemului precum i de a transmite comenzile UCP ctre celelalte
componente ale sistemului.
Exist trei componente ale magistralei sistem: magistrala de adrese,
magistrala de date i magistrala de comenzi.
24
12
Magistrala sistem
25
26
13
Decodificarea adreselor
27
28
14
29
30
15
31
32
16
Harta memoriei
Zon de Adres n
memorie hexa zecima l
0000H
Nealocat ...
0FFFH
1000H
Circuit 1 ...
2FFFH
3000H
Circuit 2 ...
4FFFH
5000H
Nealocat ...
FFFFH
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
1
1
0
0
33
34
17
Stabilirea functiilor CS
Cu alte cuvinte putem conecta liniile magistralei de adrese sistem A0 A12 direct la intrrile de adrese ale
circuitelor (cu A12 -> /A12) i liniile A12, A13 i A14 le putem folosi ca semnale de selecie. Dac n
sistem nu se mai afl nici un alt dispozitiv mapat n acest spaiu de adrese este suficient utilizarea liniilor
A12-A14, dac mai exist i alte dispozitive trebuie s utilizm i linia A15 pentru a identifica n mod unic
cele dou circuite de memorie. Dac nu facem acest lucru este posibil ca n momentul emiterii adresei
9000H, de exemplu, (aflat n alt dispozitiv) circuitul 1 s ne returneze coninutul adresei 1000H (cele
dou adrese difer exact prin linia de adres A15).
n cazul nostru funciile de chip select sunt:
CS1 = A12*A13\*A14\*A15\+A12\*A13*A14\*A15\
CS2 = A12*A13*A14\*A15\+A12\*A13\*A14*A15\
n cazul n care funciile logice de selecie sunt prea complicate ele pot fi minimizate prin metode specifice
(teorema DeMorgan).
Dac modalitatea de variaie a valorilor liniilor de adres nu poate fi observat direct se pot utiliza metode
de tipul Karnaugh, Quine-McCluskey sau Espresso pentru extragerea (i minimizarea) funciei logice de
selecie.
n funcie de natura circuitului de memorie n logica de selecie poate fi implicat i un semnal de comand
de tip /RD, /WR sau /PSEN. n cazul nostru fiind vorba de circuite de memorie de tip SRAM vom folosi
doar semnalele /RD i /WR
35
Posibila implementare
/WR
A12 A13
A14 A15
1
2
4
3 /WE
5
1
2
3 CS1
1
2
1
1
2
5
1
3 /OE
/RD
36
18
Ierarhizarea memoriei
n majoritatea cazurilor sistemele de calcul nu dispun de un singur nivel de memorie;
sistemul de memorie nu este omogen din punct de vedere al tipurilor de circuite i
dispozitive care l alctuiesc. Un prim exemplu de ierarhizare a memoriei l constituie
mprirea memoriei pe dou niveluri: memorie primar (memorie cu care UCP
lucreaz n mod direct) i memorie secundar (memorie accesibil prin intermediul
unui dispozitiv de control suplimentar).
Apariia celui de al doilea nivel de memorie a fost argumentat de raiuni economice i
practice. Memoria primar este format din circuite electrice care nu permit stocarea
unor mari cantiti de informaii i care nu permit ntotdeauna stocarea informaiilor n
absena alimentrii cu energie electric. n schimb, memoria principal ofer un timp
de acces foarte mic. Spre deosebire de aceasta, memoria secundar este format din
dispozitive de stocare magnetice sau magneto-optice, cu un timp de acces mai ridicat,
dar cu posibiliti de stocare de mari dimensiuni i cu faciliti de pstrare a datelor i
n absena alimentrii cu energie electric.
37
Memorie principala/
Memorie secundara
38
19
Niveluri de memorie
Microproces or
UCP
On-chip
cache
Regis trii
Timp (ns): 1s
10s
Cap(byte): 100s
Ks
On-board
Cache
(SRAM)
100s
Memorie
principala
(DRAM)
10000000s
10s ms
Ms
Memorie
de masa
(B anda
magnetica)
Memorie
secundara
(Hard-dis k)
Gs
10000000000s
10 sec
Ts
39
Principiul localitatii
S-a evideniat existena unui principiu, numit principiul localitii
programelor (program locality), extensibil si la date.
Dac la momentul t se face acces la adresa de memorie x, exist o
probabilitate ridicat ca, la momentul t + t, s se efectueze accesul
la adresa de memorie x + x, unde t si x sunt valori mici ale lui t
si x.
Principle of locality:
Programele executa secvene de instructiuni
Programele au bucle
Matricele sunt memorate n blocuri contigue
Datele nenrudite sunt plasate n acelai segment
40
20