6.

FORMAREA LIANTILOR PE BAZA DE IPSOS

Deshidratarea ghipsului CaSO4-2H2O
Procesul de deshidrataxe a ghipsului conduce la formarea ipsosului, ncepe la temp
eratura de aproxiniatrv 70C si decurge cu viteza importanta la temperaturi mai ma
ri de 107C. Procesul are loc m doua etape:
formarea semihidratului
CaSO4-2H2O <r> CaSO4-0,5H2O + 1,5H2O
formarea anhidritului
CaSO4-0,5H2O <- CaSO4 + 0,5H2O
Nu se poate face o delimitare riguroasa ntre cele doua etape; de cele mai multe o
ri ca produse ale deshidratrii la temperaturi de pna la 200 - 210C se obtin mase ce
contin pe lnga semihidrat si cautitati variabile de anhidrit.
Produsii de deshidratare rezultati n "diferite conditii de tratament termic vor p
rezenta o reactivitate diferita fata de apa, consecinta a compactitatii progresi
ve si a unor modificari structurale determinate de cresterea temperaturii.
Reteaua cristalina a ghipsului consta din strat"uri de anioni SO\2~ (sulful aflnd
u-se n centru si este nconjurat tetraedric de cei patru atomi de oxigen) si cation
i Ca2+ (al caror numar de coordinare este egal cu opt) care fonneaza pachete leg
ate ntre ele prin molecule de apa (figura 4).
Prin ncalzirea ghipsului care loc desprinderea unora din moleculele de apa5 sunt
cre|ate goluri in diferite zone ale retelei cristaline si are loc o ariumita der
anjare a echilibrului structural. Pentru restabilirea echilibrului, elementele d
in retea se vor regrupa constituindu-se ntr-o noua structura, cea a semikidratulu
i CaSO4- 0,5H2G.
Prin cresterea temperaturii, moleculele de H2O prezente m semihidrat, situate la
distante man fata de ionii Ca2+ si SO42"5 se elimina usor fara a deranja reteau
a cristalma. Se fonneaza astfel anhidritul III asemanator ca structura si reacti
vitate cu semibidratul} fiind denumit si semiliidxat deshidratat.
La temperaturi mai mari (300 - 700DC) anhidritul III se transforma ntr-o noua var
ietate - anhidritul II caracterizat printr-o structura mai ordonata, cu o stabil
itate mai mare in raport cu apa. Aceasta varietate sta la baza obtinerii cimentu
lui de anhidrit.
Cresterea temperaturii de calcinare conduce la descompunerea partiala a CaSO4 cu
fonnarea unui produs care contine CaO, CaSO4 si un sulfat bazic de calciu -mCaO
-CaSO... Acesta reactie sta la baza obtinerii ipsosului de pardoseala.
Depasirea temperaturii de 1200C conduce la obtinerea unei varietati de anhidrit,
total inert in raport cu apa (ca urmare a compactitatii reteei cristaiine) numita
anhidrit I.