LUCRAREA NR. 9.

CIRCUITE LOGICE CU DIODE I TRANZISTOARE.

POARTA I-NU CU DEPLASARE DE NIVEL PRIN REZISTENE

1. SCOPUL LUCRRII
Se va realiza un circuit I-NU cu componente discrete cu deplasare de nivel prin
rezistene. Pe circuitul realizat se vor msura parametrii statici i dinamici ai acestuia.
2. CONSIDERAII TEORETICE
2.1. Funcionarea porii
A
0
0
0
0
1
1
1
1

VCC
RC
1K

RA
5.1K
A

Vo

T
B

R
5.1K

RB
10k

Fig. 1.

B
0
0
1
1
0
0
1
1

C
0
1
0
1
0
1
0
1

VBE
0
0
0
0
0
0
0
0,75

F
1
1
1
1
1
1
1
0

n fig. 1. se reprezint o poart I-NU cu deplasare de nivel cu rezistene.

Funcionarea circuitului este descris sistematic n tabelul de adevr 1.
Diodele D1, D2 i D3 mpreun cu rezistena RA formeaz un circuit I cu diode,
deci funcia logica care se obine n punctul M este A B C . Tranzistorul introduce o
inversare, realiznd din punct de vedere logic o funcie NU, astfel c la ieire se obine:
F= A B C .
Pentru ca poarta s funcioneze conform tabelului de adevr trebuie dimensionate
corespunztor rezistenele RC, RA, R i RB.
Dimensionarea circuitului se face pe etape.
2.2. Calculul rezistenei RC
Se alege curentul ICS [7, 8], i se repartizeaz pentru I R C i IS, unde:

I R C = I CS I S
I S N I IL

(32)
(33)

2.3. Calculul rezistenelor R, RB i RA

Relaia (2) se ntroduce n (1) i se obine:
RC =

VCC
IRC

(34)

I CS I R C + N I IL =

VCC
V 0,95
+ N CC
RC
RA

(35)

unde:
VCC (VIL + VD ) VCC (0,2 0,75) VCC 0,95
=
=
RA
RA
RA
Din relaia (4) se obine RA:
V 0,95
R A CC
N
VCC
I CS
RC
Din condiia de blocare a tranzistorului T se obine RB:
0,95 VBEbl VBE bl
IB = IR IRB =

R
RB
unde:
R +R
0,95
IB
)=
VBE bl ( B
R
RB R
I IL =

(36)

(37)

(38)

(39)

i dac se impune ca IB=0 se obine:

RB =

VBE bl
0,95 VBE bl

deci RB=f(R).
Din condiia de saturare a tranzistorului T se obine R:
VCC VBES VBES
I

CS
IB =
min
R A +R
RB

RA + R

VCC VBES
ICS VBES
+
min R B

(40)

(41)

(42)

deci R=f(RB).
Relaiile (9) i (11) se pot ridica grafic ntr-un sistem de coordonate RB i R. n
zona de intersecie a curbelor RB=f(R) i
RB
R=f(RB) (fig. 2.) se obin valorile rezistenelor
RB i R.
R=f(RB)

RB=f(R)

R
Fig.2.

2.4. Dimensionarea capacitii de accelerare

n urma dimensionrii celor patru
rezistene se pot determina curenii de baz i de
colector.
Din caracteristicile dinamice ale
tranzistoarelor se pot determina valorile
curenilor de baz direct i invers pentru a
obine timpii de comutare dorii.

Capacitatea CA se alege cu relaia CA=max(CA1;CA2) unde:

I t
I t
C A1 = BD db ; C A 2 = BI bl
(43)
UC
UC
tdb timpul de deblocare (tr)
tbl timpul de blocare (ts+tc)
UC tensiunea maxim la borna capacitii (VCC 0,75)
IBD i IBI curenii necesari pentru a obine timpii tdb tbl obinui pe baza caracteristicilor
dinamice.
3. MERSUL LUCRRII
3.1. Se va consulta catalogul de tranzistoare i diode.
3.2. Se verific funcionarea circuitului din punct de vedere logic.
3.3. Se vor msura parametrii statici de comutare ai circuitului i anume: curentul de
intrare maxim, curentul de ieire minim, tensiunile n punctul M, n baza tranzistorului i
n colectorul tranzistorului.
UIN
T=10s
U=VCC

0,9U
0,5U

Ti=5s

0,5U

0,5U

0,1U

UC
U

0,9U

U=VCC

0,1U

tdb
tdb=300ns
tbl=500ns

tbl

Fig.3.

3.4. Se aplic la intrarea circuitului un semnal rectangular cu parametrii specificai mai

sus.
3.5. Se va vizualiza cu un osciloscop semnalul de la intrarea i ieirea porii I-NU.
3.6. Se cere ca circuitul s prezinte timpii de comutare specificai n fig. 3.
3.7. n cazul obinerii unor timpi de comutare mai mari dect cei specificai n fig. 3. se
vor reajusta rezistenele R, RA, RB i RC.

3.8. Se vor plasa n circuit capaciti de 100pF, 500pF, 1000pF observndu-se influena
acestora asupra timpilor de comutare.
Se face observaia c obinerea unor timpi de comutare prea mari duce la
necomutarea porii la frecvena specificat. n acest sens se recomand s se micoreze
frecvena de lucru pn la limita de funcionare a circuitului. n momentul obinerii
parametrilor dinamici cerui se poate comanda circuitul cu un semnal de intrare cu
frecvena de repetiie specificat (F=0,5MHz).