AR Curs Electronic A

Partea I-a
1. Noiuni introductive

Semnale electrice
n general se numete semnal, orice variabil n timp purttoare de informaie.
Semnalul electric este orice semnal de natur electric.
- se ntlnesc dou tipuri de semnale electrice i anume tensiunea electric i intensitatea curentului electric (pe
scurt curentul electric).
Tensiunea electric - diferena de potenial dintre dou puncte.
Pentru tensiunea electric se vor folosi notaiile U i u.

Se definete ca sens convenional al tensiunii electrice dintre dou puncte, sensul orientat de la punctul cu potenial
electric mai ridicat spre punctul cu potenial electric mai sczut ( ambele poteniale fiind raportate unui punct de referin
oarecare comun).
Curentul electric const n micarea ordonat a purttorilor mobili de sarcini electrice pozitive sau negative n
raport cu corpul care-i conine.
Se definete ca sens convenional al curentului electric, sensul micrii ordonate a unor purttori mobili de sarcini
electrice pozitive ce ar produce acelai efect cu micarea purttorilor mobili care formeaz de fapt curentul electric
considerat.
Cnd valoarea numeric a intensitii curentului este negativ, sensul lui convenional este opus sensului pozitiv
ales.
Intensitatea curentului electric (I) este egal cu sarcina total (Q) a purttorilor mobili ce strbat o suprafa n
unitatea de timp.
n funcionarea circuitelor, mrimile electrice (tensiuni, cureni, etc.) nu rmn constani, ci variaz. Se prezint n
continuare semnalele cele mai ntlnite n practic.
a) Semnale sinusoidale
Semnalele sinusoidale sunt frecvent utilizate att n descrierile teoretice, ct i n verificrile experimentale privind
circuitele electrice.
- expresia general: s(t) = A sin ( t + ) cu = 2 = 2/T
unde A amplitudinea semnalului, pulsaia semnalului, faza iniial, frecvena semnalului, T perioada
semnalului.
De obicei semnalele urmrite n practic sunt tensiuni, caz n care amplitudinea se msoar n voli (V).
Frecvena semnalului se msoar n Hz, pulsaia () n rad/s.
Pentru exprimarea amplitudinii unui semnal periodic se utilizeaz uneori valoarea efectiv U
ef
.
Aceasta este egal cu valoarea tensiunii continue (sau a curentului continuu), care ar dezvolta ntr-o rezisten dat
aceeai putere ca i tensiune periodic (curentul periodic) considerat.

n cazul semnalului sinusoidal de forma: u = U
m
sin( t + ) ,
relaia dintre tensiune efectiv U
ef
i amplitudinea U
m
a unei tensiuni este: U
ef
=
2
U
m
m
U 707 , 0
Analog pentru cureni: I
ef
=
2
I
m
m
I 707 , 0 rezult putere efectiv : P = U
ef
I
ef
=
2
I U
m m

b) Semnale rectangulare
n fig. urmtoare s-au reprezentat semnale de tip rectangular numite i impulsuri. Aceste impulsuri sunt definite
prin durata (limea impulsului) i amplitudine.
n fig. a i b sunt reprezentate impulsuri pozitive iar n fig. c i d impulsuri negative, reprezentate deasupra
respectiv sub nivelul de referin.
Dup sensul de variaie pe durata primului front se disting impulsuri cresctoare( u
1
i u
4
) i impulsuri cztoare
( u
2
i

u
3
).

(a) (b)

(c) (d)

c) Alte tipuri de semnale
semnale treapt unitate pentru care se folosete notaia (t), simuleaz comutarea la momentul t
o
a unui
ntreruptor.

semnale dinte de fierstru

semnale triunghiulare

1.2 Legi privind circuitele electrice
Legile lui Kirchoff
Prima lege a lui Kirchoff sau legea pentru cureni afirm c suma algebric a curenilor care intr ntr-un nod
oarecare de circuit este totdeauna nul.
0 I
k
=

n aceast sum, curenii care au sensurile orientate spre nod apar cu semnul plus, iar cei care au sensurile orientate
dinspre nod, cu semnul minus.Aceast lege exprim faptul c nu poate avea loc o acumulare sau o dispariie de curent
ntr-un nod al unui circuit.
t
u
(t)
u
u
t
t
Legea doua a lui Kirchoff sau legea pentru tensiuni afirm c suma algebric a tensiunilor sau a tensiunilor
electromotoare de-a lungul unui contur nchis, ntr-un sens dat, este nul.

k
U = 0
sau aceast lege se poate scrie exprimnd separat tensiunile electromotoare i tensiunile la borne, innd cont de
conveniile de semn:

= RI E
Legile lui Kirchoff permit calculare curenilor i tensiunilor ntr-un circuit oarecare, totui analiza unui circuit poate
fi adesea simplificat prin utilizarea urmtoarelor teoreme.

2. Componente pasive de circuit

Se numesc pasive acele elemente de circuit care nu pot realiza funcia de amplificare. n continuare se vor trata
urmtoarele componente: rezistoare, condensatoare, bobine.

2.1 Rezistoare
2.1.1 Clasificare. Parametrii. Simboluri
Sunt componente pasive de baz n aparatura electronic reprezentnd 30-40% din numrul pieselor unui aparat
electronic. Ele au dimensiuni i forme variate fiind de tipuri diferite. Rezistoarele se pot clasifica dup mai multe criterii:
n funcie de intensitatea curenilor care le strbat pot fi:
- rezistoare pentru cureni tari;
- rezistoare pentru cureni slabi.
dup tipul constructiv pot fi:
- rezistoare fixe;
- rezistoare variabile (poteniometre, semireglabile)
dup destinaie pot fi:
- rezistoare profesionale:
- rezistoare de uz general.
Elementul conductor care realizeaz funcia de rezistor propriu zis este un alt criteriu de clasificare n funcie de
domeniul de curent pentru care este construit rezistorul. Astfel pentru cureni slabi rezistoarele pot fi: de volum, peliculare
i bobinate.
O categorie aparte o constituie rezistoarele neliniare care folosesc proprietile semiconductoare n realizarea unor
caracteristici tehnice. Acestea sunt: termistoarele, varistoarele, i fotorezistenele.
Rezistoarele sunt reprezentate convenional printr-o serie de simboluri, iar semnificaia lor este dat n continuare.
- rezistor (semn general) :

- rezistor (semn tolerat) :

- rezistor cu rezisten variabil:

- rezistor cu contact mobil:

- termistor
(rezistor cu rezisten neliniar, dependent de temperatur)

- varistor
(rezistor cu rezisten neliniar, dependent de tensiune)
Rezistorul este marcat clar sau codificat( prin inele, benzi, puncte) sau prin simboluri alfanumerice codificate
internaional; indiferent de modalitatea adoptat, n mod obligatoriu se nscrie pe orice tip de rezistor:
- rezistena sa nominal, R
n
cu unitatea ei de msur n clar, n cod sau codul culorilor;
- tolerana valorii nominale n clar (%), n cod literal sau n codul culorilor.
Se tie c pentru un conductor de seciune S i de lungime l realizat dintr-un material caracterizat prin rezistivitatea
, rezistena lui electric este dat de relaia urmtoare: R =
S
l

Unitatea de msur n S.I pentru rezistena electric este (ohm).

2.1.2 Conectarea rezistoarelor
n circuitele electronice, uneori este nevoie de o anumit valoare nominal n seriile de valori; prin conectarea n
serie, paralel sau mixt a mai multor rezistoare, se poate ajunge la valoarea dorit.
Pentru n rezistoare legate n serie, rezistena echivalent este dat de suma rezistenelor componente:
R
e
= R
1
+ R
2
+ ..+ R
n
=
=
n
1 i
i
R
Pentru n rezistoare legate n paralel rezistena echivalent este dat de relaia:

n 2 1 e
R
1
...
R
1
R
1
R
1
+ + + = =
=
n
1 i
i
R
1

2.1.3 Comportarea rezistorului n curent alternativ
Se consider circuitul din fig.2.1, unde un generator de tens. alternativ va debita pe rezistorul R un curent i(t).

(a) (b)

Fig.2.1
Relaia dintre tensiunea u
R
care apare la bornele rezistorului R i curentul i(t) care l strbate este, conform legii
lui Ohm: u
R
= R i(t)
Dac i(t) = I sint,
unde I = amplitudinea (valoarea maxim) a curentului, = =
2
T
2
= pulsaia, T - perioada, - frecv. semnalului
sinusoidal, i, u valoarea instantanee a curentului i respectiv a tens., atunci expresia tensiunii la bornele rezistorului
devine:
u
R
(t) = RI sin t = U
R
sin t , U
R
= RI
Rezult, deci, la bornele rezistorului o tensiune sinusoidal n faz cu curentul. Pentru rezistorul R parcurs de
curentul i(t) = I sint, diagrama fazorial este ilustrat n fig.1.7b.
Puterea absorbit de rezistor este o funcie de timp i se poate pune sub forma:
P=ui= U
R
sin t sin I t = U
R
I ( ) t cos 1
2
I U
t sin
2 R 2
=
Valoarea medie a puterii este:
ef ef
R
I U
2
I U
P = =
unde U
ef
i I
ef
sunt valori eficace ale mrimilor sinusoidale i sunt date de relaiile: U
ef
=
2
U
R
; I
ef
=
2
I
R

Valoarea eficace I
ef
a curentului i(t) = I sint, este numeric egal cu intensitatea unui curent continuu care
strbtnd aceeai rezisten ca i curentul alternativ timp de o perioad, dezvolt aceeai cantitate de cldur.
Expresia instantanee a curentului devine: i(t) = I sint = I
ef t sin 2

Dac o mrime sinusoidal are i faz iniial, expresia instantanee devine: a(t) = A ( ) + t sin 2 .

n calculele circuitelor electronice a pstra acest mod de scriere este dificil, mai ale s cnd apar relaii ample i complicate.
S-a trecut la o scriere simplificat care folosete proprietile numerelor complexe.
Folosind scrierea simplificat n complex, mrimea a(t) va fi caracterizat numai de valoarea eficace A i de faza iniial:
a(t) A
i
e , j = 1
Introducerea operatorului j uureaz operaiile de derivare i integrare;
astfel reactana inductiv i defazajul de
2
introduse de bobin n circuit vor putea fi scrise : j X

L
= j L iar pentru
condensatoare:
C j
1
jX
j
X
C
C
= = .
Din analiza proceselor tehnologice ale diferitelor tipuri de rezistoare rezult c rezistorul real reprezint o serie de
elemente parazite care modific funcionarea lui, mai ales la frecvene nalte.
Schema echivalent a rezistorului real se prezint n fig.2.2.

Fig.2.2

Dac se noteaz cu C
12
capacitatea parazit echivalenta intre extremitile rezistorului, cu C
1
si C
2
capacitile
parazite ale elementelor fa de mas, si cu L inductivitatea parazita datorata cmpului magnetic ce apare prin fenomen de
inducie magnetic n elementul rezistiv strbtut de curent, se poate calcula o impedan, respectiv o admitan
echivalent astfel: C =C
12
+
2 1
2 1
C C
C C
+
Y = C j
L j R
1
X
1
j
jX R
1
Z
1
C L
+
+
= +
+
=
Dac notm
r
=
LC
1
, expresia admitanei se poate scrie:
C
L
1
j
C
L
j R
1
Y
r
r
+
=
Rezult:- pentru
C
L
R
1
< 1, admitana are caracter capacitiv la orice frecven;
- pentru
C
L
R
1
> 1 admitana are caracter inductiv la joas frecven i capacitiv pentru frecvene nalte,
existnd o frecven
o
pentru care circuitul se comport aproximativ ca o rezisten pur;
- pentru
C
L
R
1
1 circuitul se comport aproximativ ca o rezisten pur n domeniul pentru care < 0,3
r
.

2.1. 4 Aplicaii ale rezistoarelor fixe
Divizorul de tensiune
Pentru un circuit ca cel din fig.2.3, cu dou rezistoare legate n serie R
1
i R
2
, cu R
2
legat cu un terminal la mas,
relaia corespunztoare dintre tensiuni este: U
2
= U
1
2 1
2
R R
R
+

Fig.2.3 Fig.2.4

n cazul n care nici unul din rezistorii divizorului nu este legat la mas (fig.2.4, tensiunea U poate fi scris pe baza
principiului suprapunerii efectelor. Considerm pe rnd cte un terminal legat la mas li se va scrie n sensul relaiei de
mai sus "efectul" celeilalte "cauze". n final se adun "efectele".
U = U
1
2 1
2
R R
R
+
+U
2
2 1
1
R R
R
+

Divizorul de curent
I
1
= I
2 1
1
R R
R
+
, I
2
= I
2 1
2
R R
R
+

Fig.2.5
2.2 Condensatoare
2.2.1 Capacitatea unui condensator
Condensatorul este o component pasiv care este frecvent utilizat n circuitele electronice cu proprietatea dea
acumula sarcini electrice.
Dac se aplic unui condensator o tensiune continu U, acesta se va ncrca cu o sarcin Q, raportul dintre ele fiind
o mrime constant i caracteristic pentru condensatorul considerat; acest raport se numete capacitatea condensatorului.
C=
U
Q

n regim armonic, condensatorul este componenta pentru care, dac i se aplic o tensiune variabil n timp u
c
, ntre
tensiunea aplicat i curentul i care strbate condensatorul, exist relaia:
u
c
=
idt
C
1

Condensatorul de capacitate C introduce n circuit o reactan capacitiv msurat n , X
C
=
C
1
, iar defazajul
dintre tensiune i curent este de 90
o
, tensiunea fiind defazat n urma curentului (fig. 2.6).
Unitatea de msur pentru capacitate este faradul, simbol F; frecvent utilizai sunt submultiplii si:
1 F 10 F
6
= ; 1nF=10
-9
F; 1pF= 10
-12
F
Constructiv, condensatorul este alctuit din dou suprafee metalice numite armturi, ntre care se afl un mediu
dielectric de permitivitate (constanta dielectric de material).
Pentru un condensator plan, capacitatea C este dat de relaia: C=
d
S
d
S
r o

=

unde:
o
= permitivitatea dielectric absolut a vidului; = permitivitatea absolut a dielectricului condensatorului;

o
r
= = permitivitatea relativ a dielectricului; S = suprafaa armturilor plane; d = distana dintre armturi.

Fig.2.6 Relaia curent-tensiune pentru un condensator

Din relaiile date se observ importana permitivitii dielectricului n obinerea unui condensator de
capacitate dorit. Un condensator cu capacitatea C
o
=
d
S
o
, deci cu armturi plane plasate n vid, va avea o

capacitate de
r
ori mai mare dect C
o
dac ntre armturi se va plasa un dielectric caracterizat prin
permitivitate absolut ( sau prin cea relativ
o
r
= ).
C=
d
S
=
r
C
o
n cmpuri electrice puternice, dielectricul i pierde proprietile izolante (datorit unor fenomene interne
specifice crete curentul de conducie n dielectric); fenomenul se numete strpungerea dielectricului.

2.2.2 Clasificarea i simbolizarea condensatoarelor
A. Din punct de vedere constructiv, exist:
- condensatoare fixe (care-i menin constant valoarea capacitii
nominale tot timpul funcionrii);
- condensatoare reglabile;
- condensatoare variabile.
B. Dup natura dielectricului, exist:
- condensatoare cu dielectric gazos (aer, vid, gaze electronegative);
- condensatoare cu dielectric lichid (ulei);
- condensatoare cu dielectric solid organic i anorganic;
- condensatoare cu dielectric pelicul de oxizi metalici.
Condensatoarele sunt reprezentate convenional printr-o serie de simboluri,
- condensator:
- condensator (simbol tolerat):
- condensator electrolitic:
- condensator electrolitic (simbol tolerat):
- condensator variabil:
- condensator semireglabil:

Condensatoarele sunt marcate n clar sau codificat, prin culori ( inele , benzi sau puncte), prin simboluri
alfanumerice, sau cod literal, normalizate internaional. Marcarea n codul culorilor este aplicat mai ales
condensatoarelor ceramice.

2.2.3 Capacitatea echivalent a condensatoarelor
Condensatoarele pot fi conectate n serie, paralel, sau mixt, n funcie de necesiti i disponibiliti.
Conectarea n serie a condenstoarelor
Un grup de n condensatori conectai n serie, alimentai la borne cu tensiunea U
AB
, poate fi nlocuit cu
un condensator, a crui capacitate echivalent este C
e
, acumuleaz sarcinile q, atunci cnd este alimentat cu
tensiunea U
AB
.

Schema electric de legare n serie a condensatoarelor.

Prin aplicarea pe conturul a legii conservrii sarcinii, (contur format din armtura negativ a
condensatorului C
1
i armtura pozitiv a condensatorului C
2
), cele dou cantiti de sarcini acumulate vor fi
egale: q q q = + =
2 1
,
iar tensiunea aplicat la bornele de intrare se va distribui pe fiecare condensator n parte:
n 2 1 AB
U ,..., U U U + + + = ,
care cu ajutorul relaiei (1.17), va deveni:
n 2 1 e
C
q
,...,
C
q
C
q
C
q
+ + + = ,
iar dup simplificare:
n 2 1 e
C
1
,...,
C
1
C
1
C
1
+ + + = ,

=
=
n
1 k
k e
C
1
C
1
.

Conectarea n paralel a condenstoarelor
Un grup de n condensatori conectai n paralel, alimentai la borne cu tensiunea U
AB
, poate fi nlocuit cu
un condensator, a crui capacitate echivalent este C
e
, acumuleaz sarcinile q, atunci cnd este alimentat cu
tensiunea U
AB
.
Schema electric de legare n paralel a condensatoarelor.

La conectarea n paralel, (n conformitate cu legea conservrii sarcinii), suma sarcinilor acumulate pe armturile
pozitive ale condensatoarelor va fi egal cu sarcina acumulat pe armtura pozitiv a condensatorului
echivalent:
n
q q q q + + + = ,...,
2 1
, care cu ajutorul relaiei va deveni:

AB n AB 2 AB 1 AB e
U C ,..., U C U C U C + + + = ,
iar dup simplificare:
n e
C C C C + + + = ,...,
2 1
,
=
=
n
1 k
k e
C C .

2.3 Bobina
2.3.1 Inductana bobinei

Bobina este o component pasiv de circuit pentru care n mod ideal - ntre tensiunea la bornele sale, u(t) i
curentul ce o strbate i(t), exist relaia:
u = L
dt
di
unde L [ ] H = inductana bobinei
Exist dou interpretri ale noiunii de inductan:
a) ca proprietate a unui circuit electric de a se opune oricrei variaii a curentului electric ce-l parcurge.

ntr-uct fluxul magnetic i curentul electric variaz direct proporional, inductana reprezint coeficientul de
proporionalitate respectiv, conform relaiei
( ) t [ ] [ ] H L Wb = i(t) [ ] A
b) ca proprietate a bobinei de a acumula energie n cmp magnetic. W
m
=
2
LI
2

inductana depinde de temperatur conform relaiei: L=L
o ( ) [ ]
o L
T T 1 +
unde: L
0
inductana bobinei la temperatura T
0
,
L
- coeficientul termic al inductanei.
Inductana unei bobine fr miez, de lungime l [ ] cm , (sau seciune S[ ]
2
cm ) i avnd N spire se poate calcula cu relaia:
L[ ] H =
l
S N 4
2
dac l >>D
n cazul unei bobine cu miez magnetic ( de permeabilitate magnetic ) se utilizeaz relaia general: L=
l
S N
2

2.3.2.Comportarea bobinelor n curent alternativ

In regim sinusoidal bobina strbtut de curentul sinusoidal : ) t sin( 2 I i + =
are tensiunea la borne: )
2
t sin( 2 LI ) t cos( 2 LI
dt
di
L u
L
+ + = + = =
Prin urmare, valoarea efectiv are tensiunii
L
u este: LI U
L
=
i faza iniial are valoarea :
2
+ =
Mrimea
L
X L = se numete reactana inductiva cu simbolul X. Reactana se msoar n ohmi (ohm).
Concluzii privitoare la bobin :
- curentul este defazat n urma tensiunii la borne cu
2
radiani,
- valoarea efectiv a curentului este egal cu valoarea efectiv a tensiunii la borne mprit la reactana bobinei
(
L
L
X
U
I = ).
Observaii:
1) n curent continuu tensiunea la bornele unei bobine este nul, deoarece derivata unei mrimi invariabile in
timp este nul (viteza ei de variaie este nula). Se spune c pentru curentul continuu bobina reprezint un
scurtcircuit.
2) n curentul alternativ la o tensiune la borne dat , curentul este limitat de reactana bobinei, care este
proporional cu frecventa. De aceea o bobin blocheaz trecerea curentului la frecvene nalte si reprezint un
scurtcircuit la frecvente suficient de joase.
3) Reactana bobinei nu are sens dect in curent alternativ (in regimul in care este definita ).
Vectori asociai tensiunii si curentului
)
2
t sin( 2 U u
L L
+ + = ; 2 / / U : U
L L
+
r

) t sin( 2 I i + = / I : I
r

Vectorul U este rotit cu unghiul / rad n sens trigonometric fa de vectorul I
r
. La bobina curentul este defazat
cu / 2rad n urma tensiunii (respectiv tensiunea este defazat cu /2 naintea curentului)
Puterea instantanee la bornele bobinei are expresia :
) t ( 2 sin LI ) t cos( ) t sin( 2 LI 2 ui p
2 2
+ = + + = =
i este variabil sinusoidal in timp, de frecven dubl .
Puterea activ
Pe durata unei perioade, ntr-o semiperioada puterea instantanee este primit de bobina, iar n semiperioada imediat
urmtoare puterea instantanee este cedat de bobin spre exterior (de exemplu sursei la care este conectat ). n medie, pe
o perioad energia primit pe la borne este nul. Puterea activ este deci de asemenea nul. n bobin nu au loc
transformri inversabile ale energiei n cldur.
Bobina nu este numai un consumator de putere activ ; ea schimba energia cu exteriorul . Putem caracteriza acest
schimb de energie prin amplitudine puterii instantanee (care este oscilat ). Numim aceasta mrime puterea reactiva
inductiv ;

2
L
2
L
I X LI Q = =
Puterea reactiv are simbolul Q , se msoar n VAR( volt-amper-reactiv).

Variaia in timp a energiei magnetice

2
m
LI
2
1
) t ( W =
i
L
L
U
i
0 t
2
I
r
I U
L
r r

2

L
U
Atunci cnd puterea instantanee este negativ, de exemplu n intervalul (T/4; T/2), energia magnetic acumulat
n bobin scade la zero de la valoarea maxim
2
LI , egal cu aria haurat de sub graficul puterii instantanee.
Atunci cnd puterea instantanee este pozitiv, n intervalul (T/4; T/2), energia magnetic acumulat crete de la
zero la valoarea maxim. n acest interval bobina primete energie.
Bobina schimb energia pe la borne fr a o consuma; cea ce primete ntr-un interval cu durata T/4 se cedeaz
n intervalul imediat urmtor. Valoarea medie n timp, pe o perioad, a energiei magnetice este ns:

2 2
m
LI
2
1
i
~
L
2
1
W = =
r

ca i cnd bobina ar fi parcurs de un curent continuu cu intensitatea egal cu valoarea efectiv a curentului
alternativ.
Comparnd expresia puterii reactive cu cea a energiei magnetice medii, constatm c W
~
2 Q =
ceea ce arat c puterea reactiv inductiv este proporional cu valoarea medie pe o perioad a energiei
magnetice acumulate in cmpul magnetic al bobinei.

2.3.3. Caracteristici principale i circuite echivalente
Elementele componente ale unei bobine sunt (n caz general): carcasa, nfurarea, miezul i ecranul.
Carcasa - suportul pe care se nfoar conductorul bobinei. Ea are n general form tubular i este
realizat din materiale uor de prelucrat, dar cu proprieti izolatoare deosebite i rezisten mecanic
bun(carton electroizolant, textolit, bachelit, polistiren, teflon, etc).
nfurarea (bobinajul) elementul principal i indispensabil al oricrei bobine. Se caracterizeaz prin:
diametru/seciunea conductorului, numr de spire, pas, numr de straturi, numr de seciuni. Cel mai frecvent se
utilizeaz conductoare de cupru.
Miezul intr n componena majoritii bobinelor deoarece permit obinerea unor inductiviti de valori
mai mari i reglabile. Se utilizeaz miezuri magnetice (din materiale magnetodielectrice sau ferite) i materiale
nemagnetice ( alam sau cupru).
Ecranul este facultativ i se utilizeaz pentru a nltura potenialele cuplaje parazitare - electrice sau
magnetice cu generatoare/receptoare exterioare.
Cei mai importani parametrii caracteristici ai unei bobine reale, cu pierderi sunt:
Inductivitatea (inductana) L[ ] H definit ca raportul dintre fluxul magnetic propriu i curentul I
care parcurge bobina: L =
I

Acest parametru depinde de forma, dimensiunile, numrul de spire al bobinei, de permeabilitatea relativ a
mediului (miezului) i de temperatura de lucru. El caracterizeaz o bobin ideal i are valori uzuale de
ordinul nHH.
Rezistena total la pierderi R [ ] - determinat de pierderile prin conductor ( prin efect Joule n
cc/ca. i efect pelicular n c.a.) ct i de pierderile n materialul magnetic i de rezistena de izolaie.
Factorul de calitate Q [ ] - definit la o anumit frecven de lucru ca raportul dintre energia maxim
existent n cmpul magnetic al bobinei i energia disipat sub form de cldur ntr-o perioad. (
Q=0300).
Capacitatea (parazit) proprie, C
p
[ ] pF - determinat de suma capacitilor distribuite ntre spirele
bobinei precum i dintre acestea i mas.
Stabilitatea (parametrilor bobinei) definit prin variaia parametrilor de mai sus n funcie de timp.
Puterea, tensiune, i curentul maxim admise pentru a nu produce transformri ireversibile n bobin.

Orice bobin real (fig.2.9) poate admite dou tipuri de circuite echivalente:
Circuit echivalent - serie (L
S
, R
S
) - (fig.2.9b);
Circuit echivalent paralel (L
D,
R
D
) - (fig.2.9c);
Se demonstreaz c : L
D
=
S
2
2
S
2 2
S
L
L R
+
; R
D
=
S
2
S
2 2
S
R
L R +
; Q =
D
D
S
S
L
R
R
L

Prin conectarea n serie a dou nfurri- avnd inductivitile L
1
i L
2
- se obine o bobin cu inductana
echivalent L = L
1
+ L
2
(dac cele dou nfurri nu sunt cuplate prin cmp magnetic).
n cazul existenei unui cuplaj magnetic ntre bobinele conectate n serie, inductana echivalent L = L
1
+
L
2
+ 2M dac bobinele au acelai sens (fig.2.10a) i L
= L
1
+ L
2
- 2M - dac bobinele au sensuri opuse
(fig.2.10b).

(a) (b) (c)
Fig.2.9 Circuite echivalente ale bobinei
Sensul unei bobine se refer la curentul electric ce o parcurge, deci la fluxul magnetic obinut.

Fig.2.10 Circuitul echivalent al unei bobine cu dou nfurri conectate n serie i cuplate magnetic

2.3.4 Aplicaii ale bobinelor
A. Transformatorul
Const din dou sau mai multe bobine cuplate amplasate pe acelai miez magnetic. Funcionarea
transformatorului se bazeaz pe fenomenul de inducie: cmpul magnetic variabil al curentului din nfurarea primar
determin apariia unei tensiuni electromotoare n nfurarea secundar.

n varianta cea mai simpl (fig.2.11) transformatorul conine dou bobine L
1
, L
2
independente cuplate exclusiv prin
cmp magnetic.

Fig.2.11Circuitul echivalent n T al unui transformator

Aplicnd la bornele de intrare 1-1
a nfurrii primare L
1
, o putere electric P
1
( sub tensiunea U
1
i curentul I
1
), rezult
la bornele de la ieire 2-2
ale nfurrii secundare L

2
, puterea electric P
2
(sub tensiunea U
2
i curentul I
2
), astfel nct,
dac
U
2
> U
1
I
2
< I
1
i dac U
2
< U
1
I
2
> I
1
.

Considernd n mod ideal, c P
1
= P
2
( n realitate P
1
> P
2
datorit pierderilor n miezul magnetic i n nfurri), rezult
raportul de transformare: n =
2
1
1
2
I
I
U
U
=
Dac se cunoate inductana mutual M se poate determina schema echivalent a unui transformator ( fig.2.11).
n funcie de destinaia lor, transformatoarele se pot clasifica astfel:
transformatoare de alimentare;
transformatoare de semnal (de audiofrecven sau de radiofrecven).

Cele dou funcii importante ale transformatorului, n blocurile de alimentare, sunt:
transform tensiunea reelei ntr-o tensiune de valoare adecvat
asigur " separarea galvanic " a circuitelor alimentate fa de reeaua de alimentare.

B. Circuitul RLC serie
Conectnd n serie o bobin real L (cu rezistena la pierderi r
L
) i un condensator real C (cu rezistena la pierderi r
C
) la
bornele unui generator de tensiune E
g
(de frecven f i rezisten R
g
), rezult un circuit echivalent RLC serie (fig.2.12).

Fig.2.12 Circuite LC i RLC serie
S-au notat: r= r
L
+ r
C
+ R
g
= rezistena total la pierderi;
f
o
=
LC 2
1
= frecvena de rezonan;
Q
o
=
Cr
1
r
L
o
o
= factorul de calitate.
Cu X
L
= L i X
C
= -
C
1
rezult reactana circuitului echivalent serie X

T
= L -
C
1

Impedana echivalent a unui circuit RLC serie este ( n complex):
Z=Z( ) j = R+ j
|
\
|

C
1
L =
+
j 2 2
e X R =|Z|
Notnd : Q
o
=
CR
1
R
L
o
o
; =
o
o
o
f
f 2
f
f
f
f
(la f mic); x =
o
Q , rezult: Z = R( ) jx 1+
Comportarea remarcabil a circuitului RLC serie n jurul frecvenei de rezonan f
o
face ca acesta s lucreze numai la
frecvene f f
o
. Circuitele rezonante RLC serie pot fi utilizate pentru generarea unor oscilaii neamortizate, pierderile
fiind compensate prin conectarea periodic a circuitului rezonant la o surs de t.e.m. capabil s introduc n circuit
energia echivalent pierderilor. Totodat circuitele RLC serie se pot utiliza i pentru adaptarea de impedan/rezisten.

C. Circuitul RLC paralel
Conectnd n paralel o bobin real L (cu rezistena la pierderi r
L
) i un condensator real C (cu rezistena la pierderi
r
C
) la bornele unui generator de curent I
g
, rezult circuitul RLC paralel din fig.2.14. n schema echivalent, pierderile sunt
concentrate n rezistena r, iar elementele reactive sunt considerate ideale. S-au notat:
r =
C L
C L
r r
r r
+
= rezistena total de pierderi; Z( ) =
jx 1
r
L j
1
C j
r
1
1
+
=
+ +
= impedana circuitului;
f
o
=
LC 2
1
= frecvena de rezonan; Q = Cr
L
r
o
o
=
= factor de calitate
x = Q = variabil normat.
Impedana echivalent a circuitului RLC paralel rezult astfel (presupunnd impedanele ramurilor reactive de
forma R
i
+jX
i
):
Z( ) j =
( )( )
( ) jx 1
R
jx 1
1
R
X X
jX R
X X
X X j R R
jX R jX R
s
2 1
s s
2 1
2 1 2 1
2 2 1 1
+
=
+
=
+
+ + +
+ +

deoarece, n general R
1
X
1
i R
2
X
2
cu notaiile R
s
=R
1
+R
2
; X
s
=X=0
1
+X
2,
x= Q
R
X
s
s
= ; |Z( )
o
j | =R (impedana la
rezonan).

Fig.2.14 Circuitul RLC paralel

La rezonan (f=f
o
,

=0):
- impedana echivalent are un caracter pur rezistiv (x=0, |Z| =R) i este maxim, n aceste condiii curentul este minim;
- faza echivalent este nul, astfel nct tensiunea la bornele circuitului i curentul prin circuit sunt n faz.
Comportarea bun a circuitului RLC paralel n jurul frecvenei de rezonan face ca n aplicaii acesta s lucreze
numai la frecvene f=f
o
. ndeprtndu-ne de frecvena de rezonan, circuitul RLC paralel are un comportament inductiv
(la frecvene mai joase) sau capacitiv (la frecvene mai nalte), deci invers circuitului RLC serie.
n cazul circuitului RLC paralel la rezonan aceast condiie implic satisfacerea relaiei:
Z
g
=Z(j )
o
unde Z(j )
o
= R
CR
L
Q
C
1
LQ
s
o
o
= =
=
S-a notat: R
s
=R
1
+R
2
=r
L
+r
C,
iar R = impedana pur rezistiv a circuitului RLC paralel la rezonan.
3.2 Dioda semiconductoare
Diodele semiconductoare sunt dispozitivele electronice a cror funcionare este bazat pe o jonciune
pn. Proprietatea comun tuturor diodelor este redresarea.
Structura tipic de diod (realizat prin difuzie planar) este prezentat n fig:

A K
contacte
metalice

SiO
2

regiune
n de
trecere

Cel mai rspndit procedeu tehnologic este difuzia. ntr-un substrat dopat p sau n se execut o difuzie de tip
opus. Conectarea electric cu exteriorul se face prin contacte metalice (). Difuzia planar (contacte alturate,
pe suprafaa semiconductorului) poate fi n cazul diodelor de mare putere modificat, prin plasarea unuia dintre
contacte pe partea opus a substratului.

3. 2.1. Structur i funcionarea diodelor redresoare
Diodele redresoare se aplic la redresarea curenilor electrici, n conversia ca-cc (curent alternativ-curent
continuu).
n unul dintre sensuri de la semiconductorul de tip p ctre semiconductorul de tip n, pe care-l denumim
sens direct, dioda conduce bine curentul, prezentnd o rezisten electric mic. n sensul opus, de la
semiconductorul de tip n la cel de ti p (sens invers), dioda conduce ru curentul, prezentnd in consecin o
rezisten electric mare. Aceast proprietate a diodei semiconductoare se ilustreaz pe caracteristic static
unde s-a folosit scri grafice diferit. Sensul curentului prin diod este opus sensului iniial i de valoare mult
mai mic.

Dioda are simbolul unei sgei semnificnd circulaia uoar a curentului de la anod spre catod (fig.3.4).
p
mA
+
A C
A
l
-
p
A
U
I
n C
p
A
l
+
n
-
A
U
A
I
A
d
E
l
E
d A
E u + =
I i
A
=
l A
E u =
I i
A
=

(a) (b)
Fig.3.4. Structura intern - (a) i simbolul diodei semiconductoare - (b)

Se consider curentul prin diod ca fiind pozitiv i
D
>0, dac acesta intr n anod, iar tensiunea la borne
este pozitiv u
D
>0, dac potenialul anodului este mai mare dect cel al catodului.

Dac tensiunea u
D
are plusul la anod i minusul la catod prin dispozitiv trece un curent i
D
care crete o
dat cu tensiunea aplicat, caz n care se spune c dioda este direct polarizat.
Dependena curentului direct i
D
de tensiunea u
D
este puternic neliniar, aa cum se vede n figura 3.5. O
diod de putere mic cu siliciu ncepe s conduc semnificativ (se deschide) abia pentru valori ale tensiunii
directe u
D
>0,5V. n continuare, curentul crete exponenial cu tensiunea aplicat. Diodele cu germaniu se
deschid la tensiuni directe mai mici, u
D
0,2V.
Dimpotriv, o tensiune aplicat din exterior cu plusul la catod i minusul la anod determin creterea
barierei de potenial de la nivelul jonciunii. Se spune c dioda este invers polarizat.
La tensiuni inverse de zeci i chiar sute de voli, curentul invers prin dispozitiv rmne infim. Valoarea
tipic pentru o diod redresoare cu siliciu este de 1nA. Acest curent este neglijabil pentru majoritatea
aplicaiilor.

Fig.3.5 Caracteristica curent- Fig.3.6 Montajul pentru
tensiune a diodei cu Si ridicarea caracteristicii statice tensiune-curent

Datorit modului de realizare, o diod cu siliciu realizeaz densitate de curent de 60-80 A/mm
2
, i
constituie un nlocuitor eficace a diodei cu vid. Alegerea dispozitivelor se face pe baza cataloagelor de firm n
funcie de parametrii necesari diodei pentru cazurile concrete de utilizare.
Parametrii de baz ai diodelor redresoare sunt:
-valoarea medie a curentului maxim admis pentru o perioad, care este determinat de nclzirea
admis a dispozitivului la aplicarea tensiunii directe;
-valoarea tensiunii inverse sub forma impulsurilor repetabile, care este egal cu aproximaii 0,7 din
valoarea tensiunii de strpungere i care limiteaz valorile admise de tensiune invers pe diod;
-valoarea impulsului de tensiune direct, care caracterizeaz diferenierea fa de situaia real a
curbei directe a caracteristicii volt-amper i se determin pentru cazul valorii maxime admise a curentului
mediu direct;
-curentul maxim invers, care caracterizeaz situaia de neliniaritate a curbei inverse a caracteristicii
volt- amper;
Diodele redresoare sunt de dou tipuri: cu germaniu (Ge) i cu siliciu (Si), ultima a cptat o larg
rspndire datorit faptului c temperatura lor admis de lucru este de 120
o
C (fa de 55
o
C la germaniu), c au
cureni inveri mai mici i admit tensiuni inverse mai mari. De remarcat faptul c diodele cu siliciu au cdere de
tensiune direct mai mare de circa 1V (fa de 0,3V la germaniu) pentru c parametrii diodelor cu siliciu sunt
determinai de limea mai mare a zonei interzise, n comparaie cu diodele cu germaniu.
Din punct de vedere a puterii, diodele redresoare se mpart n:
- diode de mic putere, (la care curentul este pn la 0,3A);
-diode de putere medie, cnd curentul este mai mare de 10A putnd lua valori de peste1000A.
Valoarea maxim a tensiunii inverse poate atinge cteva mii de voli n cazul diodelor de siliciu.
Diodele de avalan de mare putere au cptat utilizri frecvente datorit faptului c prin execuie
tehnologic deosebit se obine o jonciune omogen p-n n care sunt eliminate scurgerile de curent pe marginile
structurii semiconductorului n condiiile meninerii constante a densitii de curent pe toat suprafaa jonciunii.
Se obine astfel micorarea nclziri dispozitivului i reducerea probabilitii de strpungere.

3.2.2 Descrierea analitic a caracteristicii diodei
Att teoretic ct i experimental se constat c, o mare parte din caracteristica static tensiune-curent a diodei
redresoare poate fi modelat prin relaia:
I
D
= I
S
|
|
\
|
1
kU
U
exp
T
D
,

n care s-a notat cu: I
S
curentul de saturaie(rezidual) al diodei polarizat invers; U
T
tensiunea termic avnd valoarea
tipic de 25mV la 25
o
C; k coeficient dependent de tehnologie, cu valori cuprinse ntre 1 i 2.
Pe poriuni, relaia poate fi aproximat prin expresii mai simple.
Considernd pentru simplitate, k= 1 se constat c pentru U
D
> 0,1V, exp (U
D
/U
T
) >>1 i deci se poate scrie
relaia: I
D
I
S
exp(U
D
/U
T
) , pentru U
D
> 0,1V
sau I
D
I
S
exp(
D
U
mV 25
V 1
) = I
S
exp(40 U
D
), unde U
D
intervine aici ca numr adimensional
de voli.
Dimpotriv, n domeniul U
D
< - 0,1V, exp (U
D
/U
T
) <<1 i, ca urmare, expresia(1.3.1) poate fi aproximat prin:
I
D
- I
S
, pentru U
D
<-0,1V.
Expresia caracteristicii statice a diodei conine implicit influena temperaturii prin parametrii I
S
i U
T
. Ca o bun
aproximare pentru practic, se consider c la fiecare cretere a temperaturii cu 10
o
C, curentul rezidual se dubleaz. De
asemenea, se constat c dac temperatura crete, acelai curent direct prin diod corespunde unei tensiuni U
D
mai mic.
Aceast comportare se reflect printr-un coeficient de temperatur negativ: C / mV 5 , 2
T
U
o
. const I
D
D
=
=
.
3.2.3 Dreapta de sarcin i punctul static de funcionare

Metoda dreptei de sarcin este un procedeu grafic util n analiza circuitelor care conin elemente neliniare. n
cazul de fa considerm montajul din fig. 3.6. Comportarea diodei este descris prin caracteristica static curent-tensiune.
Pe de alt parte, se poate scrie relaia impus de circuit ntre aceleai mrimi:
E = RI
D
+ U
D

Geometric ecuaia reprezint dreapta de sarcin i aceasta poate fi trasat grafic prin tieturi la axe. Astfel,
pentru I
D
= 0 rezult U
D
= E, iar pentru U
D
= 0 se obine I
D
=E/R.
Deoarece curentul prin diod i tensiunea la bornele acesteia
trebuie s satisfac simultan relaiile (3.8) i (3.12), urmeaz c
tensiunea i curentul prin dispozitiv corespund interseciei dintre
caracteristica diodei i dreapta de sarcin. Punctul P(U
o
D
, I
o
D
) se numete
punct static de funcionare (PSF) al diodei. Similar, deoarece mrimile
electrice din circuit nu variaz, dreapta de sarcin se numete static.
n figur sunt reprezentate i dreptele de sarcin pentru R
1
<R,
respectiv pentru E
1
<E. Se poate remarca deplasarea dreptei de sarcin i
modificarea PSF la schimbarea tensiunii E sau a rezistenei de sarcin R.
n aceast interpretare, ridicarea experimental a caracteristicii statice a
diodei revine la determinarea mrimilor U
o
D
i I
o
D
pentru PSF obinute la
diferite valori ale tensiunii E.

3.2.4 Dioda n regim variabil de semnal mare

Regimul de semnal mare este acela n care punctul static de funcionare se plimb pe zone ntinse ale
caracteristicii, cu liniariti diferite.
Utilizarea specific a diodelor semiconductoare este n domeniul redresrii tensiunilor alternative
sinusoidale.
Redresarea se bazeaz pe faptul c dioda conduce ntr-un sens i este blocat n cellalt.

Redresor monofazat monoalternan
Cea mai simpl instalaie de redresare este cea reprezentat n fig.3.9.
Dac se consider un transformator fr pierderi de flux, alimentat n primar cu tensiunea :
( ) t sin E e
1
=
n secundar se obine : ( ) t sin E e
2 2
= (3.13)
Rezistena de pierderi a transformatorului poate fi calculat cu formula :

1
2
1
2
2 T
r
n
n
r R
|
|
\
|
+ = (3.14)

Fig.3.9.Schema electric a redresorului monofazat monoalternan

ntr-un redresor, dispozitivul semiconductor lucreaz la semnal mare, neliniaritile producnd efectul de
redresare.
Pentru redresorul prezentat n fig. 3.9, n alternana (+) a tensiunii electromotoare alternativ sinusoidale din
secundarul transformatorului, dioda D este polarizat direct permind trecerea curentului prin sarcin, iar n
alternana (-) dioda D este blocat.
- formele de und care corespund funcionrii unui redresor monoalternan fr filtru.

Curentul prin rezistorul de sarcin R
S
se deduce analitic:
i
S
= I
S
sin (t) , pt. 0 < t <
i
S
= 0 , pt. < t < 2 (3.15)
unde I
S
- valoarea maxim a curentului prin sarcin si are valoarea:
S i
2
S D T
2
S
R R
E
R R R
E
I
+
=
+ +
= (3.16)
R
D
- rezistena diferenial a diodei care rezult din liniarizarea caracteristicii acesteia i R
i
reprezint rezistena
intern a redresorului.
Tensiunea pe sarcina rezistiv R
S
are expresia :
u
S
= R
S
i
S
= R
S
I
S
sin (t) , pt. 0 < t <
u
S
= 0 , pt. < t < 2 (3.17)
Tensiunea medie (redresat) n sarcin :
=

=
2
0
S
S 0
U
) t ( d ) t sin( U
2
1
U (3.18)
iar tensiunea efectiv : U
ef
=
2
U U
) t ( d ) t sin( U
2
1
S
2
1
2
0
S
S
=
|
|
\
|
=

(3.19)

Redresor monofazat bialternan
Schema electric a unui redresor dublu alternan cu priz
median este prezentat n fig.3.11. n alternana pozitiv a
tensiunii e
2
, conduce dioda D
1
(dioda D
2
este blocat), iar n
alternanta negativ conduce D
2
(dioda D
1
este blocat). Curentul
prin sarcin are acelai sens n ambele alternane. Dezavantajul
acestei configuraii l reprezint faptul c tensiunea invers
maxim pe dioda blocat este dublul tensiunii maxime din
secundarul transformatorului.
Fig.3.11 Schema electric a redresorului monofazat bialternan
Acest dezavantaj este eliminat de redresorul bialternan n punte.

Fig.3.12 Redresorul bialternan n punte
n alternana (+) a tensiunii e
2
conduc diodele D
1
i D
4
(D
2
i D
3
sunt blocate), iar n alternana (-) conduc
diodele D
2
si D
3
(D
1
si D
4
sunt blocate).
Formele de und ale tensiunilor din secundarul transformatorului si din sarcin:

Tensiunea medie (redresat) la ieirea redresorului bialternan este :
U
0
=
S
U 2
(3.20)
iar tensiunea efectiv : U
ef
=
2
U
S
(3.21)
cu U
S
reprezint valoarea maxim a tensiunii din sarcin i are valoarea:
U
S
=
S 1
2 S
R R
E R
+
(3.22)

3.2.5 Dioda n regim de curent alternativ, semnal mic (Regimul dinamic al diodei)

Se consider circuitul :

Fig.3.14 Circuit cu diod n regim dinamic
semnalul aplicat fiind de forma: ( ) ( ) t u E t u
g G
+ = (3.23)
unde E reprezint partea constant (continu) a semnalului, iar ( ) t u
g
reprezint partea variabil, care poate fi de
tip sinusoidal: ( ) t sin U E t u
g G
+ = (3.24)
Rspunsul diodei la acest semnal depinde de valorile amplitudinii i frecvenei.
n funcie de acestea se pot defini mai multe regimuri de funcionare :
regim de semnal mic, joas frecven ( cvasistaionar),
regim de semnal mic, nalt frecven,
regim de semnal mare joas frecven,
regim de comutaie.
Un regim cvasistaionar poate fi considerat ca o succesiune de regimuri statice. Nu se manifest efecte de
acumulare de sarcin electric i energie ( capacitive i inductive).
Funcionarea diodei n regim de semnal mic cvasistaionar este ilustrat n fig.:

Fig.3.15 Regimul dinamic al diodei

Dac poriune de caracteristic M
1
M
2
fi aproximat printr-un segment de dreapt, atunci :
D i D D D
i R u i ~ u =
unde R
i
este rezistena intern sau rezistena diferenial a diodei.
Pentru a deduce care este condiia de semnal mic se consider c fiecare n moment :
( )
( )
\
|
= 1
mkT
t qu
exp I t i
D
0 D
(3.25)
unde tensiunea este dat de : u
D
(t) = U
A
+u
a
(t) deci ea conine o parte constant (regim static) i o parte
variabil (regim dinamic). Se poate scrie :
( )
( )
\
|
|
\
|
= 1
mkT
t qu
exp
mkT
qU
exp I t i
D D
0 D
(3.26)
Dac se utilizeaz dezvoltarea n serie: e
x
=1+
! 1
x
+ ...
! 2
x
2
+ , pentru x<<1 se obine o bun aproximare a
exponenialei printr-o relaie liniar: e
x
=1+x. astfel pentru : u
D
(t)<<
q
mkT
sau U
D
<<
q
mkT
(3.27)
se poate face aproximarea:
( )
( ) ( )
( )
( ) ( ) t i I t u
mkT
q I I
I
mkT
t qu
mkT
qU
exp I 1
mkT
t qu
exp I t i
D D D
o D
D
D D
o
D
o D
+ =
+
+ =
= |
\
|
+
\
|
=
(3.28)
Comparnd relaiile: ( )
( )
( ) t u
mkT
q I I
t i
D
o D
D

+
= i i
D
= R
i
i
D
se obine R
i
=
( )
o D
I I q
mkT
+
(3.29)
Un circuit electronic se studiaz mai nti n regim static ( sau permanent), calculndu-se pentru fiecare
dispozitiv punctul static de funcionare (de repaus).
De ex. pentru diod se determin punctul static de funcionare P
o
(I
D,
U
D
), apoi se trece la studiul regimului
dinamic, studiu ce comport alegerea modelelor dinamice, calculul parametrilor dispozitivelor i construcia
modelului dinamic al circuitului.
Pentru o diod, R
i
este un parametru de model dinamic care poate fi calculat dac se cunoate poziia punctului
static de funcionare. Pentru circuitul din fig. 3.14a, circuitul echivalent dinamic este dat n fig.3.14b unde sursa
de tensiune este nlocuit n regim dinamic cu un scurtcircuit.
Se obine astfel: u
D
(t) = ( ) t u
R R
R
g
i
i
+
i i
D
(t) =
( )
i
g
R R
t u
+
(3.30)

3.2.1.6 Dioda n regim de comutaie
Comutaia reprezint trecerea ct mai rapid a unei diode din starea de conducie n starea blocat
(comutaie invers) sau din starea blocat n cea de conducie (comutaie direct). Acest regim de funcionare
este specific circuitelor de impulsuri din aparatura numeric.
A. Comutaia invers
Pentru analiza fenomenelor care au loc ntr-un astfel de regim se
consider circuitul din fig.3.16.
Iniial tensiunea U
i
polarizeaz direct dioda D. La momentul t
o
,
tensiunea U
i
sufer o variaie brusc trecnd ntr-un interval extrem de scurt de
la valoarea +U
i1
la valoarea U
i2
.

Fig.3.16

n figura 3.17a se prezint formele de variaie n timp ale curentului ale tensiunii pe diod, iar n
fig.3.12b,c,d se prezint evolutiv fenomenele care au loc n interiorul semiconductorului.
Fig.3.17 Comutaia invers

n fig.3.17b este descris starea iniial a jonciunii pn. n zona neutr p se va afla stocat o sarcin n
s

datorat electronilor injectai masiv din zona n i recombinai aici cu golurile majoritare. La fel n zona n se va
gsi o sarcin stocat p
s
. Din momentul mutrii polarizrii va trebui s treac un interval de timp t
s
numit timp
de stocare, pn cnd sarcinile stocate vor fi evacuate din zonele neutre. Existena acestui interval de timp se
explic prin aceea c evacuarea sarcinilor reprezint un curent electric invers prin diod a crui valoare este I
D

=
R
Ui
2
, fiind limitat de valoarea rezistenei R. Rezult c timpul de stocare este cu att mai mare cu ct dioda
este mai puternic saturat, deci cu ct curentul prin dioda n conducie este mai mare. Dup evacuarea sarcinii se
ajunge la situaia din fig.3.17c, dup care ncepe derularea unui interval de timp t
r
numit timp de revenire, n
care zona de trecere a jonciunii se lrgete pn se ajunge la situaia din fig.3.17d care corespunde regimului
permanent. Timpul de comutaie invers va fi:
t
ci
= t
s
+ t
r

Pentru obinerea unor timpi de comutaie invers ct mai mici, se poate aciona numai asupra intervalului
t
s
. Pentru aceasta, dioda va trebui polarizat direct la tensiuni ct mai mici.

B. Comutaia direct
i n acest caz, cnd dioda trece din starea blocat n cea de conducie, fenomenele se stabilizeaz dup un
interval de timp numit timp de cretere. Pentru obinerea unor comutaii rapide se recomand folosirea diodelor
cu contact punctiform numite diode de comutaie. Acestea au o suprafa a jonciunii foarte mic ceea ce
determin timpi de revenire i timpi de cretere de valori mai mici.

3.2.2 Dioda stabilizatoare (Zener)
Este o diod realizat pe baza unei jonciuni pn obinuite i care se utilizeaz n circuite de strpungere
a caracteristicii, la polarizare invers.
S-a artat c la tensiuni inverse mari, ntr-o diod obinuit au loc ruperi ale legturii covalente i
generarea de perechi electron-gol. Dac sunt accelerate, aceste perechi produc fenomenul de multiplicare n
avalan care determin o cretere rapid a curentului invers, curent care devine periculos pentru jonciune.
Acest efect poart denumirea de efect Zener.
Exist o categorie de diode care sunt astfel constituite nct s poat lucra normal n zona caracteristicii
unde se produce efectul Zener, adic pentru tensiuni mai mari dect U
Z
, n zona de strpungere. Pentru a realiza
acest lucru cei doi semiconductori p, n se dopeaz mult mai puternic i aceasta d natere la o lime a jonciunii
mult mai mic. Datorit acestui fapt, dioda intr n zona de strpungere la tensiuni inverse reduse i produce o
cretere pronunat a curentului invers (dar nepericulos pentru diod) atunci cnd tensiunea invers variaz
relativ puin, (fig.3.18), fapt caracterizat prin rezistena dinamic r
Z
=
Z
Z
I
U
( cu valori tipice de 120).

La polarizare direct dioda Zener se comport ca o diod redresoare. Caracteristica static la polarizare
n sens direct este identic cu a unei diode obinuite.
La polarizarea jonciunii n sens invers, caracteristica prezint o poriune abrupt situat la tensiunea
z
U u = , unde o variaie mic a tensiunii provoac o variaie mare a curentului fr ca dioda s se strpung.
Datorit acestei proprietii, dioda Zener se utilizeaz n redresoarele stabilizatoare de tensiune (surse de c.c
stabilizate ). Calitatea stabilizrii este cu att mai bun cu ct rezistena diferenial r
Z
msurat n jurul unui
punct de funcionare PF, este mai mic i caracteristica de strpungere mai vertical.
O diod Zener funcioneaz n zona de strpungere avnd simbolul din figura 3.18a, fiind polarizat
invers (+ la catod C i la anod A). n cazul n care dioda Zener se conecteaz direct aceasta funcioneaz ca
una normal. Deoarece dioda Zener funcioneaz polarizat invers i deoarece curentul prin ea va circula da la
catod la anod, se alege ca sens pozitiv al tensiunii i curentului cel de la catod la anod.
Funcionarea diodei este limitat n domeniul I
min
(13mA) i I
max
(20mA, 2A) i la tensiuni inverse n
domeniul (1,5150V).

(a) (b)
Fig.3.18 Simbolul diodei Zener - (a), caracteristica tensiune-curent - (b)

Datorit faptului c dioda Zener are tensiunea la borne constant i egal cu U
Z
, pentru variaii ale
curentului I
min
I
max
, se folosete ca stabilizator de tensiune, conectnd-o n paralel cu sarcina. Deoarece
intereseaz numai fenomenul de stabilizare, se reprezint numai partea util a caracteristicii denumit,
caracteristica de ieire a diodei Zener Montajul pentru ridicarea caracteristicii de ieire i forma caracteristicii
de ieire a diodei Zener sunt prezentate in fig.(fig.3.19).

(a) (b)
Fenomenul de stabilizare se explic prin prezena rezistenei R n amonte de diod i pe care cade
surplusul de tensiune aprut ca urmare a variaiei tensiunii U
nestab
. De precizat c pentru stabilizare U
stab
< U
nestab
.
Aplicnd teorema a II-a a lui Kirchoff se obine:
U
nestab
= U
stab
+ U = U
stab
+ R(I + I
1
), cu I
1
=
S
stab
R
U
(3.31)
nlocuind i explicitnd se obine: U
stab
= U
nestab I
R R
R R
R R
R
S
S
S
S
+

(3.32)
Aceasta este ecuaia dreptei de sarcin a diodei Zener i care se translateaz cu variaia tensiunii U
nestab.
.
Punnd condiia ca aceast curb s treac prin punctele limit se obin ecuaiile:
U
stab
= U
min
nestab I
R R
R R
R R
R
S
S
S
S
+
max
(3.33)
U
stab
= U
max
nestab I
R R
R R
R R
R
S
S
S
S
+
min
(3.34)
Cunoscnd U
stab
i U
min
nestab
, U
max
nestab
, R
S
i se adopt I
min
, se calculeaz R i I
max
, pe baza cruia se
alege dioda Zener.Puterea disipat P = U
Z
I
Z
este principalul factor restrictiv n utilizarea diodelor Zener.
Cunoscnd P
max
i U
Z
, curentul maxim admisibil este I
Z max
= P
max
/U
Z
. Pentru aprecierea influenei asupra
U
z
se introduce coeficientul de temperatur:
dT
dU
V
1
K
z
z
TUz
=
Efectul Zener i multiplicarea prin avalan coexist, iar temperatura are o influen diferit asupra lor.
La tensiuni mai mici de 6V predomin influena efectului Zener, iar coeficientul K
TUz
este negativ. La tensiuni
mai mari de 8V predomin multiplicarea prin avalan iar K
TUz
este pozitiv. Cele mai bune diode Zener se obin
prin urmare pentru tensiuni de 6 ...8 V, la care K
TVz
se compenseaz singur. Principalii parametrii de catalog ai
diodelor Zener sunt cei deja menionai: U
Z
, I
Z

max
, P
dmax
, r
Z
i K
TUz
.Aplicaiile diodelor Zener de obicei au ca
scop obinerea unor tensiuni de referin stabilizate. Se poate obine o stabilizare suplimentar a tensiunii,
polariznd dioda printr-un curent constant I
PF
. Se elimin astfel n mare parte erorile provocate de rezistena
dinamic nenul (de obicei de ordinul ohmilor).

4. Tranzistorul bipolar

Cel mai important dispozitiv electronic este, la ora actual, tranzistorul bipolar (TB) cu jonciuni. Acest
dispozitiv a fost inventat de Shockley n 1949.
Denumirea de tranzistor provine din limba englez: TRANSFER RESISTOR, cuvinte ce desemneaz
funcia de baz a dispozitivului.
Tranzistoarele se mpart n dou categorii: bipolare i unipolare.
Funcionarea TB se bazeaz pe ambele categorii de purttori: majoritari i minoritari, n timp ce
tranzistoarele unipolare (sau cu efect de cmp) funcioneaz numai pe baza purttorilor majoritari. Istoric
primul TB a fost cel cu contacte punctiforme, realizat de Bardeen i Brattain n 1948, dar nu s-a impus din
cauza puterii foarte mici. n continuare prin TB vom nelege de fapt TB cu jonciuni.
Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare capabile de a amplifica semnale electrice. Prin semnal
electric nelegem o mrime electric (tensiune sau curent) care prezint o variaie n timp, purttoare de infor-
maie.
Amplificarea fiind o operaie esenial pentru prelucrarea i transmiterea la distan a semnalelor electrice,
tranzistoarele sunt dispozitive de maxim importan, prezente practic n toate circuitele electronice. La aceast
or se produce o gam larg de tranzistoare, pornind de la tranzistoarele din componena circuitelor integrate pe
scar foarte mare, avnd suprafaa de civa microni ptrai, pn la tranzistoare de mare putere, pentru cureni
de sute de amperi i tensiuni de mii de voli sau tranzistoare de frecvene foarte mari, capabile s funcioneze la
sute de MHz sau chiar GHz.
La realizarea tranzistoarelor se pot identifica dou tehnologii de baz:
- tehnologia bipolar, prima din punct de vedere cronologic;
- tehnologia bazat pe efectul de cmp, mai modern i mai eficient, care pare s fie tehnologia viitorului.
Descoperirea tranzistorului a marcat nceputul unei etape importante n dezvoltarea electronicii cu
implicaii importante n aproape toate sferele activitii umane. Primul tranzistor a fost realizat n anul 1948 de
americanii J. Bardeen i W. Brattain. n anul urmtor W. Shockley anun realizarea tranzistorului bipolar cu
jonciuni punnd i bazele teoretice ale funcionrii acestuia.

4.1 Structura i funcionarea tranzistorului bipolar
Tranzistorul bipolar const dintr-o structur monocristalin cu trei straturi pnp sau npn i dou jonciuni
p-n una polarizat n sens direct i cealalt polarizat invers.
Stratul din mijloc este slab impurificat i foarte subire (aprox.5m), mai subire dect lungimea de difuziune a
purttorilor care difuzeaz prin jonciuni.
Cele dou jonciuni npn i pnp sunt astfel denumite dup poziia relativ a semiconductoarelor de tip n i p:
tranzistorul npn prezint dou regiuni de tip n separate printr-o regiune de tip p, n timp ce n tranzistorul pnp
regiunea de tip n este ncadrat de dou regiuni de tip p.
Deoarece purttori de sarcin majoritari i minoritari sunt diferii n cele dou tipuri de materiale
semiconductoare, mecanismul intern al conduciei curentului n cele dou tipuri de tranzistoare este diferit .
Tranzistorul se numete bipolar deoarece conducia electric este asigurat att de purttorii majoritari
ct i de cei minoritari. Cele trei zone pnp sau npn sunt conectate la 3 electrozi care se numesc:
Emitor (E), - corespunde zonei puternic dopate, deoarece are proprietatea de a emite o mare cantitate de
purttori de sarcin.
Baza (B), zona din mijloc, deoarece primele tranzistoare se realizau prin alierea unui semiconductor de
baz cu impuriti donoare de o parte i de alta.
Colector (C), - corespunde zonei externe de suprafa mai mare, avnd proprietatea de a colecta
sarcinile emise de emitor.
n aceast tripl structur exist dou jonciuni de electroni i de goluri i anume: jonciunea de emitor
(EB) dintre emitor i baz i jonciunea de colector (CB) dintre colector i baz.
n figura 4.1 a i b se arat modul de realizare a celor dou jonciuni i schema tranzistoarelor de tipul p-n-p i
n-p-n.

(a) (b)
Fig.4.1 Structura i reprezentarea n schem a tranzistorului de tip p-n-p - (a) i n-p-n - (b)

Simbolul tranzistorului pune n eviden prin sensul sgeii existena unei circulaii uoare de curent ntr-o
jonciune p-n. Materialul de baz pentru realizarea tranzistoarelor este germaniul sau siliciul.
Structura TB este echivalent cu dou diode conectate n serie dar n sens opus, astfel nct pentru
oricare dintre cele dou variante, pnp sau npn i pentru orice polarizare, una dintre diode va fi blocat,
mpiedicnd stabilirea unor cureni ntre E i C.Structura cu dou jonciuni care formeaz tranzistorul bipolar
este diferit n funcionare fa de structura a dou diode legate n serie datorit grosimii foarte mici a bazei.
Efectul de tranzistor const din trecerea unui curent important printr-o jonciune polarizat invers,
datorit vecintii unei jonciuni polarizate direct.
Se creeaz astfel posibilitatea controlrii curentului din circuitul de colector prin curentul injectat n
baz cu ajutorul circuitului de polarizare a jonciunii EB.
Aceast polarizare se asigur cu circuite de polarizare exterioare structurii tranzistorului (fig.4.2).
Aa cum se constat din figur, modul de polarizare a tranzistorului pnp este invers fa de cel npn.

(a)
(b)
Fig.4.2 Modul de polarizare a tranzistorului pnp - (a) i npn - (b)
Pentru obinerea efectului de tranzistor trebuiesc luate dou msuri constructive eseniale prin care se
creeaz condiii ca influena jonciunii de emitor s se extind peste regiunea bazei, asupra colectorului:
a) baza trebuie s fie foarte ngust n comparaie cu lungimea de difuzie a purttorilor minoritari n ea;
b) jonciunea EB trebuie asimetrizat prin doparea mult mai puternic a emitorului.
Influena tensiunii de polarizare a jonciunii CB asupra curentului este foarte mic, deoarece golurile
circul oricum n direcia cmpului E
C
.
Tensiunea de polarizare invers a jonciunii CB poate fi crescut pn aproape de strpungere, adic la
zeci sau sute de voli, n timp ce tensiunea de polarizare direct a jonciunii EB este doar de 0,6...0,7V. innd
cont de faptul c cele dou jonciuni sunt parcurse practic de acelai curent, rezult c puterea disipat n
circuitul de colector, sau ntr-o sarcin extern din circuitul de colector, este mult mai mare dect puterea
dezvoltat n circuitul de emitor. Cu alte cuvinte, cu ajutorul unui semnal de mic putere aplicat jonciunii BE,
poate fi obinut un semnal mai puternic, n circuitul de colector.
Se obine astfel amplificarea semnalelor electrice. Din cele de pn acum se releveaz numai posibilitatea
amplificrii n putere sau tensiune (curentul fiind practic identic n jonciuni). Se va vedea n continuare, n
seciunea referitoare la conexiunile TB, c este posibil i amplificarea curentului.
Pentru tranzistoarele npn funcionarea este identic, inversndu-se doar polaritile tensiunilor i tipul
purttorilor. Exist o mare diversitate de tehnologii de realizare a tranzistoarelor, n continuare prezentndu-
se pentru exemplificare doar tranzistorul obinut prin dubl difuzie planar, tipic mai ales pentru circuitele
integrate bipolare.
n fig. 4.3 este prezentat o seciune transversal printr-un astfel de tranzistor. Formele difuziilor i metalizrilor
vzute de sus nu sunt relevante i depind de destinaia tranzistorului i de proiectant.
C B E C B E

Si O
2

difuzia p de difuzia n de baz difuzia n de emitor difuzia p de baz
emitor substrat p - colector
substrat n - colector
Fig. 4.3. Tranzistoare dublu difuzate pnp i npn
Cele mai mari grosimi de baz sunt de ordinul zecilor de microni n cazul tranzistoarelor de putere,
bazele tranzistoarelor obinuite avnd doar civa microni. Ariile de Si ocupate sunt de asemenea foarte
diferite, de la mm
2
pn la zeci de m
2
.
Tehnologia prezentat permite acoperirea unui cip cu mii de tranzistoare interconectate conform unor
scheme impuse. Totodat se produc i tranzistoare individuale, protejate de capsule metalice sau de plastic.
Pentru tranzistoarele de putere capsulele sunt metalice, sau au aripioare sau flane metalice pentru a putea fi
montate pe radiatoare, n vederea rcirii. Unele tranzistoare de nalt frecven au capsul metalic pentru
ecranare, conectat la un terminal suplimentar, pentru conectarea la masa circuitului.

4.3. Regimuri de funcionare ale tranzistoarelor bipolare
n cele de mai sus s-a considerat jonciunea CB polarizat invers i jonciunea EB polarizat direct,
regim n care tranzistorul este capabil de amplificare. Aceast polarizare nu este ns unica. n tabelul urmtor
vor fi prezentate toate posibilitile de polarizare, fiecare dintre ele corespunznd cte unui regim diferit de
funcionare.
Regim de funcionare Polarizarea jonc. EB Polarizarea jonc. CB
activ normal direct invers
blocat invers invers
saturat direct direct
activ invers invers direct
Regimul activ normal este utilizat pentru amplificarea linear a semnalelor; jonciunea CB este
blocat iar jonciunea EB este deschis.
Regimul blocat se caracterizeaz prin cureni foarte mici, ambele jonciuni fiind blocate; tensiunile
dintre terminale sunt determinate de circuitele externe.
Regimul saturat se caracterizeaz prin tensiuni mici ntre terminale, ambele jonciuni fiind deschise;
curenii sunt determinai de circuitele externe.
Regimul activ invers este asemntor cu cel activ normal, dar eficiena tranzistorului este mult mai
slab (E i schimb rolul cu C).
Dup cum se va vedea n seciunea referitoare la polarizarea tranzistoarelor, blocarea se obine prin
anularea curentului de baz, iar saturarea apare atunci cnd curentul de colector iese de sub controlul bazei.
n foarte multe aplicaii actuale, att din domeniul conversiei energiei ct i n calculatoarele numerice,
tranzistoarele opereaz n regim de comutaie ntre regimurile blocat i saturat, trecnd prin regimul activ numai
pe durata scurt a comutaiilor.

4.3.1.Conexiunile tranzistorului bipolar
Tranzistorul este caracterizat de 6 parametrii, 3 cureni i 3 tensiuni, dar nu sunt independeni, cci sunt
legai de relaiile de mai sus. Pentru aceasta dac se cunosc 4 parametrii se pot determina i ceilali doi.
Deoarece tranzistorul are 3 terminale, este convenabil s se aleag unul dintre acestea ca electrod de
referin i s se conecteze la potenial zero (mas), fa de acest electrod se vor msura toate tensiunile n
schem. n raport cu electrodul de conectat la mas(comun) se disting 3 scheme: baz comun (BC), emitor
comun (EC), colector comun (CC) (fig.4.7).
I
C
I
C

I
B
C I
E
I
C
I
B
E

B E C B

U
BE
U
CE
U
EB
U
CB
U
BC
U
EC

E B C
Emitor comun Baz comun Colector comun
Fig. 4.7. Conexiunile tranzistorului bipolar: (a) - emitor comun(EC), (b) - baz comun (BC), (c) - colector
comun(CC)
Tranzistorul este caracterizat prin dou relaii ntre cele patru variabile. Fiecare relaie exprim o
variabil n funcie de alte dou, i poate fi reprezentat printr-o reea de curbe, numit reea (familie ) de
caracteristici. Alegnd o variabil ca parametru, se pot trasa curbele reprezentnd dependene ntre celelalte
dou variabile, pentru fiecare valoare a parametrului. Exist mai multe posibiliti de a trasa caracteristicile, dar
numai cteva prezint interes practic.
Cele dou tensiuni i doi cureni alei pentru a descrie starea electric a unui tranzistor, corespund
tensiunilor i curenilor de intrare i de ieire corespunztoare unui montaj particular. Cel mai utilizat montaj
este montajul (conexiune) emitor comun (EC) pentru care tensiunea de intrare este U
be
, curentul de intrare este
I
B
, tensiunea de ieire este U
CE
i curentul de ieire I
C
.
n tabelul urmtor se compar cele trei conexiuni, cu meniunea c parametrii implicai sunt definii n capitolul
urmtor, la seciunea referitoare la amplificatoare.
Tabel 4.2
Mrime Conexiune EC Conexiune BC Conexiune CC
Amplificare de curent mare subunitar mare
Amplificare de tensiune mare (defazaj ) mare (defazaj 0) subunitar
Impedan de intrare relativ mare mic mare
Impedan de ieire relativ mare mare mic
Se remarc avantajele conexiunii EC care este singura capabil de a amplifica simultan semnalele de
tensiune i de curent.
Mrimile de intrare n aceast conexiune sunt curentul de baz i
B
i tensiunea baz-emitor u
BE
iar cele de
ieire sunt curentul de colector i
C
i tensiunea colector-emitor u
CE
.
n conexiune EC, TB este abordat ca un amplificator de curent comandat prin i
B
, amplificarea de tensiune fiind
obinut prin circuitul extern. n continuare vom considera aceast conexiune implicit.

4.3.2.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Starea electric a unui tranzistor bipolar este definit de patru mrimi electrice doi cureni ( al treilea se
deduce din relaia I
E
= I
C
+I
B
) i dou tensiuni (a treia se deduce din relaia U
CE
=U
CB
+U
BE
).
Cele patru variabile nu sunt independente; dac valorile a dou dintre ele sunt fixate de ctre un circuit pentru
un tranzistor dat, celelalte capt valori perfect determinate. De exemplu, dac circuitul fixeaz valorile
tensiunilor pe jonciuni (U
BE
i U
CB
), curenii tranzistorului sunt perfeci determinai.n figura 4.8 sunt
prezentate toate cele 6 mrimi caracteristice pentru TB. Sensurile curenilor i tensiunilor prezentate sunt cele
reale i corespund regimului activ normal, pentru ambele tipuri de tranzistoare, npn respectiv pnp.

C I
C
I
C
C

I
B
U
CB
I
B
U
BC

B B
U
CE
U
EC

U
BE
U
EB

I
E
I
E

E E
ntre aceste mrimi exist din start dou relaii de interdependen, impuse de legea conservrii sarcinii electrice
i de Legea a II-a a lui Kirchoff:
i
E
= i
C
+ i
B

U
CE
= U
CB
+ U
BE
pentru npn, respectiv U
EC
= U
BC
+ U
EB
pentru pnp (4.8)
Mai practice sunt caracteristicile grafice comunicate de productori n cataloage, pentru fiecare tip de
tranzistor n parte. Caracteristicile sunt statice, adic sunt ridicate punct cu punct, n puncte de funcionare
stabile ale tranzistorului, aspect subliniat de literele mari cu care sunt notate mrimile.
Cele 4 mrimi independente pot fi alese n orice mod. Pentru conexiunea EC se prefer excluderea U
CB

care nu influeneaz funcional tranzistorul (deoarece este o tensiune de polarizare invers a jonciunii CB) i a
lui I
E
care poate fi de regul aproximat cu I
C
. Oricum I
E
se obine uor din suma celorlali doi cureni, ntre care
exist relaia esenial (4.7). Rmn caracteristicile din fig. 4.9, tipice pentru un tranzistor npn n conexiune
EC:
- familia de caracteristici statice de ieire sau de colector Ic = f(U
CE
), cnd I
B
= const.. variind n trepte, n
cadranul I;
- caracteristica static de intrare I
B
= f(U
BE
), cu parametrul U
CE
= const.n cadranul III;
- caracteristica static de transfer n curent I
C
=f(I
B
), n cadranul II;
- caracteristica static de transfer n tensiune U
CE
= f(u
BE
) cu parametrul U
CE
=constant (cadran IV), o
dependen mai puin interesant, deoarece interdependena celor dou tensiuni este neglijabil.
I
C

I
B2
= 2 I
B1

U
CE
constant
II I
B1
0 I

I
B
I
B
= 0 U
CE

U
CE
constant I
B
constant
III IV
U
BE

Fig. 4.9 Caracteristicile unui tranzistor npn n conexiune EC

Familia de caracteristici I
C
(U
CE
) are o importan primordial, deoarece determin interaciunea
tranzistor-sarcin. De regul proiectarea unui circuit electronic se face n sensul ieireintrare, tocmai pentru a
garanta deservirea optim a sarcinii.
Pentru I
B
=0, tranzistorul este blocat. Singurul curent existent este I
CE0
, iar tensiunea U
CE
este dictat de
circuitele exterioare.
Pentru I
B
0, caracteristicile I
C
se prezint sub forma unor drepte cvasiparalele cu axa U
CE
, indicnd faptul c
U
CE
influeneaz ntr-o msur foarte mic curentul de colector, care este dependent n principal de curentul de
baz (I
C
I
B
).
0,6V
n cazul creterii U
CE
peste valoarea limit indicat n catalog, tranzistorul se va distruge prin
strpungerea jonciunii CB.
Tranzistoarele bipolare sunt comandate n curent i deci consum putere din circuitul de intrare, motiv
pentru care nu pot fi utilizate pentru amplificarea semnalelor de putere mic.

4.4 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar
Pentru fiecare din mrimile electrice asociate unui tranzistor se poate separa partea care descrie regimul
continuu (static) de partea care descrie regimul variabil (dinamic). Astfel valorile totale se pot scrie ca sume
ntre valorile de regim static i de cele de regim dinamic:
u
BE
(t)= U
BE
+u
bc
(t) (4.9)
i
C
(t)= I
C
+i
c
(t)
i
B
(t)= I
B
+i
b
(t)
u
CE
(t)= U
CE
+u
be
(t)
Caracteristica de intrare i
B
=f(u
BE
) este asemntoare caracteristicii diodei, deci comportarea dinamic
(semnal mic de joas frecven U
be
<< )
q
kT
a tranzistorului ntre baz i emitor poate fi modelat printr-o
rezisten notat r
be
.
ntre valorile totale ale curenilor de colector i de baz exist o relaie de proporionalitate, care se
regsete i pentru prile variabile ale acestora: i
c
=
b o
i (4.10)
Caracteristica de transfer: i
C
=I
CS |
\
|
kT
qu
exp
BE

permite exprimare raportului dintre

variaiile curentului de
colector i variaiile tensiunii bazemitor, raport ce poart denumirea de transconductan, g
m
:
g
m
=
C
I
BE
C
BE
c
du
di
u
i
= =
kT
qI
kT
qU
exp
kT
qI
C BE CS
=
|
\
|
(4.11)
Pentru temperaturi ambiante uzuale (25
o
C), kT/q=0,025V, deci se poate face aproximaia:
g
m
40 I
C

|
\
|
V
mA

Variaiile curentului de colector se pot exprima n dou moduri:
I
C
=
be m
be
be
o b o
u g
r
u
i = = (4.12)
Rezult c ntre parametrii de regim dinamic ai tranzistorului exist relaia: R
be
=
m
o
g
(4.13)
Variaiile curentului de colector datorate variailor tensiunii colector emitor (nclinaia caracteristicilor
de ieire) sunt modelate cu ajutorul rezistenei r
ce
.
innd seama de cele de mai sus se poate construi circuitul echivalent dinamic al tranzistorului n
regim de semnal mic, joas frecven. Acest circuit este prezentat n fig.4.13. Se remarc prezena unui
generator de curent care s poat fi controlat fie de ctre curentul de baz fie de ctre tensiunea baz-emitor.

Fig.4.13 Circuitul echivalent dinamic al tranzistorului

n regim de nalt frecven, trebuie s se in cont de defazajele (ntrzierile) care apar ntre tensiuni i
cureni. Aceste fenomene reactive sunt datorate comportrilor capacitive ale jonciunilor i sunt modelate cu
ajutorul capacitilor C
be,
C
bc
i C
ce
. De asemenea trebuie s se in cont de existena unei rezistene ntre
contactul bazei tranzistorului i baza intern a acestuia. Aceast rezisten se noteaz r
bb
. Modelul astfel obinut
(numit modelul Giacolleto) este prezentat n fig.4.14.

Fig.4.14 Modelul Giacolletto
Parametrii hibrizi
Dac amplitudinile semnalelor sunt mici, legturile ntre variaiile tensiunilor i curenilor sunt liniare.
Ele pot fi scrise sub forma:
u
be
= h
ie
i
b
+ h
re
u
ce

i
c
= h
fe
i
b
+ h
oe
u
ce
(4.14)
Ecuaia u
be
= h
ie
i
b
+ h
re
u
ce
reprezint teorema a II-a a lui Kirchoff n poarta de intrare. Cea de-a doua
ecuaie, i
c
= h
fe
i
b
+ h
oe
u
ce
reprezint prima teorem a lui Kirchoff n poarta de ieire.Coeficienii h
ie
, h
re
, h
fe
, i
h
oe
, denumii parametrii hibrizi, se definesc astfel:
h
ie
=
0 u
b
be
ce
i
u
=
=
. const u
B
BE
0 u
B
BE
CE CE
i
u
i
u
= =

h
re
=
0 i
ce
be
b
u
u
=
=
. const i
CE
BE
0 i
CE
BE
B B
u
u
u
u
= =

h
fe
=
0 u
b
c
ce
i
i
=
=
. const u
B
C
0 u
B
C
CE CE
i
i
i
i
= =
(4.15)
h
oe
=
0 i
ce
c
b
u
i
=
=
. const i
CE
C
0 i
CE
C
B B
u
i
u
i
= =

Semnificaia acestor parametrii rezult din schema echivalent sub form de diport a tranzistorului,
indicat ca n fig.4.15:
h
ie
= impedana de intrare (input) cu bornele de ieire c, e n scurtcircuit;
h
re
= factorul de transfer invers (reverse) n tensiune;
h
fe
= factorul de transfer direct (forward) n curent;
h
oe
= admitana de ieire (output) cu intrare n gol.
n aceste notaii primul indice este iniiala cuvntului n limba englez indicat ntre paranteze, iar al doilea se
refer la modul de conexiune al tranzistorului (emitor comun).

Fig.4.15

4.5 Regimul de comutaie al tranzistorului
O utilizare larg au cptat etajele cu emitor comun. n figura 4.16 se arat caracteristica de ieire a
tranzistorului, pe care este trasat linia de sarcin, care ntretaie axele coordonatelor n punctele (u
C
=E
C
, i
C
=0) i
(u
C
=0, i
C
=
C
C
R
E
). n acest regim tranzistorul se poate gsi n dou situaii de baz:
1. Starea (regimul) nchis

(a) (b)
Fig. 4.16 Comutator cu tranzistor : (a) - schema; (b) traiectoria punctului de lucru

Prin tranzistor curge curent minim. Aceast stare corespunde punctului A de pe diagrama din fig. 4.12, i
C
= I
CBi

= 0, tensiunea pe tranzistor u
C
E
C
. n acest regim, schema de
substituie a tranzistorului se arat n figura 4.17a, care constituie
numai o surs de curent I
CBi
, cuplat ntre baz i colector.

Fig. 4.17 Schema de substituie a tranzistorului:n regim nchis -
(a) i de saturaie - (b)

(a) (b)

Pentru ca tranzistorul s se gseasc n stare nchis(comutator deschis), este necesar ndeplinirea
condiiei: s se deplaseze n sens opus jonciunea de emitor a tranzistorului sau pentru tranzistoarele n-p-n s se
ndeplineasc condiia: u
B
<0 (4.16)
Puterea care se pierde pe tranzistor n regimul comutatorului deschis, P
C
= u
C
i
C
este mic, pentru c
curentul este mic.

2. Starea(regimul) de saturaie(comutatorul este nchis)
Tensiunea minim pe tranzistor u
C
=U
CE,S
0 corespunde punctului B pe diagrama din figura 4.17b.
Curentul prin tranzistor este limitat de rezistorul R
C
i se determin:
I
CS
=
C
C
C
CES C
R
E
R
U E
(4.17)
n regim de saturaie ambele jonciuni ale tranzistorului sunt deplasate n sens direct, din care cauz
tensiunile dintre electrozii tranzistorului sunt mici. Tranzistorul n regim de saturaie este arat n schema de
substituie fig.4.17b, care corespunde scurt-circuitului dintre toi electrozii tranzistorului (se spune c
tranzistorul este restrns intr-un punct). Regimul de saturaie se obine chiar atunci cnd: i
B
= I
BS
=
E 21
CS
h
I

Creterea n continuare a curentului bazei i
B
>I
BS
nu modific curentul din circuitul de colector, astfel,
condiia de saturare a tranzistorului se scrie sub forma:
E 21
CS
BS B
h
I
I i = unde I
CS
S
C
R
E
(4.18)
Pentru saturarea ferm a tranzistorului este necesar ca condiia (4.18) s se ndeplineasc pentru h
21E
= h
21Emin
.
Mrimea S
S
= 1
I
i
S , B
B
se numete coeficient de saturaie a tranzistorului. n regim de saturaie, puterea care se
pierde pe comutatorul cu tranzistor, P
C
= U
C
i
C
este mic, pentru c tensiunea este mic. Tensiunea U
CES
este
dat n cataloage. Pentru realizarea comutatoarelor electronice se recomand alegerea tranzistorilor cu
U
CES
<<E
C
. Trecerea comutatorului dintr-o poziie n alta se face n salt iar pierderile de putere n acest caz sunt
neglijabile. n mod frecvent se folosete schema comutatorului cu tranzistor din figura 4.18a. La aplicarea
tensiunii pozitive u
int
tranzistorul intr n regim de saturaie. Cnd u
int
= 0, sursa de tensiune -E
d
, legat in baza
tranzistorului prin rezistorul R
2
, asigur regimul de comutator deschis.

(a) (b) (c)
Fig.4.18 Comutator cu tranzistor cu alimentare bipolar - (a) i schema de substituire n regimul
comutatorului deschis - (b) i de saturaie - (c)
4.5. Aplicaii Etaje de amplificare cu tranzistor

Etaj de amplificare cu tranzistor n conexiune emitor comun
Schema electric a unui amplificator cu TB n conexiune emitor comun este prezentat n figura 4.19.

Dac condensatoarele de decuplare C
1
i C
2
au o valoare suficient de mare se obine pentru semnal mic circuitul
din fig.4.20.

Fig.4.20
Parametrii acestui tip de amplificator se calculeaz pornind de la circuitul echivalent din fig.4.20.
Amplificarea n tensiune : A
U
=
i
o
dU
dU
= -S( )
CE C
r R = -
C
CE C
CE C
R S
r R
r R S

+

Amplificarea n curent : A
I
=
+
=
CE C
CE
B
C
r R
r
dI
dI

Rezistena de intrare : R
I
=
BE BE 2 B 1 B
I
BE
I
I
r r R R
dI
dU
dI
dU
= =
Rezistena de ieire : R
O
=
C CE C 0 dU
O
O
R r R
dI
dU
i
=
=

Circuitul din fig.4.21 are dezavantajul unei dependene de temperatur a punctului static de funcionare,
respectiv a parametrilor dinamici ai tranzistorului.

Fig. 4.21
U
o
R
B2
R
C
R
B1

T
E
C

U
i
C
2
C
1

di
B
r
BE
dU
i
SdU
BE

R
B1
r
CE
R
B2
di
C
R
C
dU
o
U
i
R
C
R
E

T
C
2

E
C
R
B1
R
B2
U
o C
1

Dezavantajul se nltur prin introducerea rezistenei R
E
n emitorul tranzistorului (fig.4.21).n acest caz
parametrii se modific astfel :
U
=
i
o
dU
dU
=
E
C
E
C
R
R
R S 1
R S

+

I
=
I
= R
B1
2 B
R ( ) [ ]
E BE
R 1 r + +
O
= ( ) ( ) [ ]
E BE CE
R r S 1 r +
C
R

Etaj de amplificare cu tranzistor n conexiune colector comun
Schema electric a unui amplificator n conexiune colector comun este prezentat n fig.4.23. Circuitul de
polarizare al tranzistorului este identic ca i n conexiune emitor comun. Parametrii dinamici ai amplificatorului
sunt : Amplificarea n tensiune : A
U
= 1
R S 1
R S
E
E

I
= +1
I
= R
B1
( ) [ ]
E BE 2 B
R 1 r R + +
o
=R
E
S
1
1
r
1
r
BE BE
+

Fig.4.23
Etaj de amplificare cu tranzistor n conexiune baz comun
Schema electric a unui amplificator n conexiune baz comun este prezentat n fig.4.24.

Fig.4.24
Dac se consider cele trei condensatoare n scurtcircuit la frecvena de lucru, se obine:
R
E
U
o
E
C
R
B2

U
i
C
2
R
B1
T
C
1
U
i
C
3
R
E
R
B2
C
1
R
B1
T
R
C
C
2
U
o
E
C

U SR
C

I
=
1 +
1
I
= R
E
1
r
1
r
BE BE
+
+

O
C
R

5. Tranzistoare cu efect de cmp (TEC)

5.1 Structur i funcionare
Tranzistoarele cu efect de cmp FET (engl. Field Effect Transistor) sau TEC n unele lucrri romneti,
asigur circulaia purttorilor majoritari de sarcin printr-un canal, a crui conductivitate este modulat prin
intermediul unui cmp electric.
n funcie de tipul purttorilor exist FET-uri cu canal n, respectiv cu canal p. Tranzistoarele cu efect de
cmp au ca principiu de funcionare efectul de cmp , i anume curentul care circul ntre extremitile ( surs
i dren) unui canal conductor stabilit n sau la suprafaa unui semiconductor este controlat de cmpul electric
creat de o tensiune aplicat pe electrodul de control ( poarta).
n principiu un tranzistor cu efect de cmp, pe scurt TEC sau FET (field effect transistor) este constituit
din dou jonciuni p-n, semiconductorul comun celor dou jonciuni constituind calea de circulaie a curentului,
iar prin semiconductorii laterali se controleaz curentul de circulaie (fig.5.1.)

Fig.5.1 Structura tranzistorului cu efect de cmp

Dou terminale, drena D (engl. drain) i sursa S (engl. source) sunt conectate la canal, ntre ele circulnd
curentul util I
D
(curentul de dren). Cmpul electric modulator este obinut prin aplicarea unei tensiuni de
comand ntre al treilea terminal, poarta G (engl. gate) i S. n funcie de tipul purttorilor exist FET-uri cu
canal n, respectiv cu canal p. Din cauza mobilitii sporite a electronilor fa de goluri, FET-urile cu canal n
sunt mai rapide dect cele cu canal p.
Dup modul de aranjare a jonciunilor canalul poate fi de tip p sau n. Curentul prin canal I
DS
este
controlat de tensiunea aplicat pe gril, adic de cmpul electric care se stabilete n semiconductorul ce
constituie canalul, cmp perpendicular pe canal. Acest lucru justific denumirea de TEC i care sunt dispozitive
semiconductoare comandate n tensiune asemntoare cu tuburile electronice.
Purttorii minoritari nu particip la conducia tranzistoarelor FET, numite de aceea i monopolare, spre
deosebire de TB la care i purttorii minoritarii particip ntr-o oarecare msur la conducie. Tipic pentru
tranzistoarele FET este proprietatea de a fi comandate n tensiune, spre deosebire de TB care sunt comandate n
curent. Acest gen de comand ridic unele probleme (sensibilitate la perturbaii i la acumularea de sarcini
electrostatice), dar avantajul de a nu consuma practic curent pentru comand, este fundamental. Un prim avantaj
este simplificarea circuitelor de comand pe poart, mai ales n cazul dispozitivelor de mare putere.
Tranzistoarele cu efect de cmp au cteva proprieti importante, i anume:
- impedan de intrare foarte mare;
- timp scurt de tranzit al purttorilor;
- zgomot redus;
- tensiuni admisibile mai mari;
- construcie mai simpl.
Dup modul de construcie TEC se mpart n 3 grupe:
a) Tranzistoare cu efect de cmp i gril jonciune (TECJ sau JFET) pentru care sunt controlate dimensiunile
geometrice ale canalului.
b) Tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (TECMOS sau MOSFET) pentru care sunt controlate
concentraiile de purttori mobili de sarcin din canal.
c) Tranzistoare cu efect de cmp cu straturi subiri (TFET)

5.2. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciuni (TECJ)
Structura acestui tip de tranzistor este urmtoarea: pe o bar de semiconductor de tip p se realizeaz prin
dopare cu impuriti dou pelicule de tip n la care se fixeaz contactele grilei G, iar la capetele barei p se
fixeaz contactele sursei S i a drenei D. Acest tranzistor are structura prezentat schematic n figura 5.2.a, iar
simbolurile n figura 5.2 b i c. Prin S se injecteaz purttori majoritari n bar, prin D se culeg acetia iar prin G
se controleaz cmpul din interiorul canalului.
Principiul de funcionare la tipurile n i p este acelai, deosebirea const n aceea c direcia curenilor i
polaritatea tensiunilor aplicate sunt opuse. n fig.5.2.d se prezint familia caracteristicilor de dren (de ieire) a
dispozitivului I
D
= f(U
DS
) n condiia cnd U
GS
= constant.
Funcionarea tranzistorului cu efect de cmp este determinat de procesele care au loc la jonciunile dintre
canal i straturile vecine. Astfel cnd tensiunea de comand U
GS
= 0 i se cupleaz sursa de tensiune ntre dren
i surs U
DS
, prin canal curge curentul a crui valoare este determinat de rezistena canalului. Tensiunea U
DS

uniform aplicat pe lungimea canalului provoac deplasarea invers a jonciunii p-n ntre canalul de tip p i
stratul de tip n, astfel nct tensiunea invers mai mare la jonciunea p-n se gsete n zona apropiat de dren,
iar n apropierea sursei jonciunea p-n se aplic n stare de echilibru.

Fig.5.2 Structura - (a), reprezentarea n schem (b)- cu canal tip p, (c)- cu canal tip n i caracteristica
de dren - (d) ale tranzistorului cu efect de cmp cu jonciune p-n
Cea mai folosit schem este cu sursa comun SC, prezentat n fig.5.3.

Fig.5.3 Schema cu JFET cu surs comun

Prin creterea tensiunii U
DS
domeniul stratului electric dublu din jonciunea p-n, srcit de purttori mobili
de sarcin se va lii (fig.5.4 a). n mod deosebit limea jonciunii apare n apropierea drenei, nule exist
tensiune invers mai mare pe jonciune. Limea jonciunii p-n determin ngustarea canalului conductor de
curent a tranzistorului i astfel rezistena canalului crete, datorit creterii rezistenei canalului, cnd crete
U
DS
, caracteristica de dren a tranzistorului cu efect de cmp este neliniar (fig.1.6.2d), pentru o valoare anume
a lui U
DS
graniele jonciunii p-n se suprapun iar creterea curentului I
D
nceteaz prin mrirea valorii lui U
DS
(fig.5.4).

(a) (b)
Fig.5.4 ngustarea canalului tranzistorului cu efect de cmp la aplicarea tensiunii

Cnd se aplic tensiune pozitiv pe gril (U
GS
> 0) jonciunea p-n se deplaseaz i mai mult n zona
tensiunii inverse iar limea jonciunii crete, cum se observ din fig.5.4.b. Ca rezultat se ngusteaz canalul
conductor de curent i curentul de dren I
D
se micoreaz (fig.5.2d).
Pentru o anumit valoare a lui U
GS
care se numete tensiune de blocare, curentul de dren dispare
practic. Raportul dintre variaia curentului de dren I
D
i variaia tensiunii dintre gril i surs U
GS
care o
provoac se numete pant, n condiia cnd U
DS
= constant.

const U
D
DS
GS
U
I
S
=
= (5.1)
Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, cele cu efect de cmp sunt comandate n tensiune iar prin
circuitul de gril exist numai curentul nul de origine termic I
G
a jonciunii p-n care se gsete sub influena
tensiunii inverse caracteristice de dren cu dou sectoare distincte ca i caracteristicile de colector de la
tranzistoarele bipolare, adic unul de cretere rapid i altul de cretere lent. Sectorul de cretere rapid a
caracteristicii se folosete n schemele de comutare, iar sectorul al doilea pentru amplificarea semnalelor.
Curentul de dren a tranzistorului cu efect de cmp este puternic influenat de temperatura de
funcionare pentru c pe msura creterii temperaturii, conductivitatea electric a semiconductoarelor cu
impuriti n spectrul temperaturilor de lucru se micoreaz. De asemeni prin nclzire, limea jonciunii p-n se
micoreaz, iar canalul se lrgete. Ca rezultat al aciunii combinate a acestor doi factori prin nclzirea
tranzistorului pentru U
GS
= constant, curentul de dren se poate modifica n ambele sensuri, adic poate crete
sau s se micoreze. Frecvenele de lucru sunt mari (de ordinul MHz) valoarea acestora fiind limitat de
capacitatea jonciunii pn, a crei suprafa este relativ mare.

5.3 Tranzistoarele cu efect de cmp de tipul MOS (metal-dielectric-semiconductor)
Aceste tipuri de tranzistoare au grila izolat. La suprafaa cristalului semiconductor care reprezint
suportul cu conductivitate de tip p sunt formate dou zone cu conductivitate de tip n, legate ntre ele printr-o
punte subire care reprezint canalul. Zonele de tipul n sunt prevzute cu borne pentru cuplarea n circuitul
exterior (drena i sursa). Cristalul semiconductor este acoperit cu o pelicul de oxid dielectric pe care se
dispune grila metalic G legat n circuitul exterior. n acest fel grila este izolat din punct de vedere electric de
circuitul dren surs.
Suportul se leag cu sursa, legtura se face n interiorul acestuia sau n exteriorul acestuia.
Caracteristicile de dren (de ieire) I
D
= f(U
DS
) pentru U
GS
=constant sunt prezentate n fig.5.5.b. n lipsa
tensiunii de comand cnd U
GS
=0, prin canal ntre zonele de tipul n trece curentul I
D
. Prin creterea tensiunii
sursei U
DS
, jonciunea p-n dintre substrat i canal se deplaseaz n sens invers, astfel nct tensiunea invers mai
mare pe jonciune se realizeaz n apropierea drenei. Prin deplasarea invers a jonciunii p-n se produc lrgirea
stratului electric dublu, srcit de purttorii mobili de sarcin i se ngusteaz canalul care conduce curentul. Pe
msura creterii U
DS
rezistena canalului se mrete, creterea curentului de dren se ncetinete i atunci cnd
jonciunea acoper seciunea canalului prin creterea lui U
DS
, curentul I
D
practic se stabilizeaz. n acest regim
de funcionare procesele care au loc n tranzistorul MOS sunt similare proceselor care au loc n tranzistorul cu
efect de cmp cu jonciunea p-n.
Cnd se aplic tensiunea pozitiv pe gril se produce atragerea electronilor din suport, electronii care se
acumuleaz n zona canalului, rezistena acestuia se micoreaz iar curentul de dren crete (regimul de
mbogire pe caracteristica din fig.1.6.5b pentru U
DS
>0). n cazul cnd pe gril se aplic tensiune negativ,
cmpul electric respinge electronii din canal n suport, rezistena canalului crete iar curentul I
D
scade (regim de
srcire). n acest fel prin modificarea tensiunii de comand U
GS
se modific curentul de ieire a tranzistorului
I
D
, astfel nct raportul dintre creterile mrimilor de ieire i intrare sunt determinate de panta
. const
U
I
S
DS
GS
U
D
=
=
Datorit faptului c grila este izolat de restul circuitului, curentul acesteia este foarte mic I
G
i este
determinat numai de rezistena izolrii, motiv pentru care puterea necesar pentru comanda tranzistoarelor MOS
este practic nul.
n mod analog funcioneaz i tranzistoarele MOS cu canal de tip p, la care suportul este de tip n, sensul
curenilor i polaritatea tensiunilor fiind invers fa de cazul analizat anterior (MOS de tip p).
Canalul unui tranzistor cu poart izolat poate exista chiar n absena unei tensiuni aplicate pe poart
(U
GS
=0). Acest tip de tranzistor poart numele de tranzistor cu canal iniial.
Se disting deci patru tipuri de tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat:
tranzistoare cu canal n indus;
tranzistoare cu canal n iniial;
tranzistoare cu canal p indus;
tranzistoare cu canal p iniial;

Fig. 5.5 Structura - (a) i caracteristica de dren (b) - cu canal ncorporat, (c)- cu canal indus la
tranzistoarele MOS

Marcarea tranzistoarelor MOS de tipul n i p se arat n fig. 5.6a i respectiv b. Ambele tipuri de
tranzistoare au canalul ncorporat.

(a) (b) (c) (d)
Fig.5.6 Reprezentarea n schem a tranzistoarelor MOS

O variant constructiv a tranzistoarelor MOS se refer la acelea prezentate n fig.5.6 c i d care au
canalul insus de tipul n respectiv p. n construcia acestor dispozitive nu exist un canal ntre zonele legate de
dren i surs, astfel c pentru U
GS
=0 curentul de ieire este nul I
D
=0 . Acest tip de dispozitiv poate funciona
numai n regim de mbogire, cnd cmpul grilei atrage purttorii de sarcin corespunztoare, care realizeaz
canalul conductiv dintre zonele sursei i drenei.
Familia caracteristicilor de dren a tranzistoarelor MOS cu canal indus de tipul n este prezentat n
fig.5.6 c. n cazul cnd tensiunea pe gril este mai mic dect tensiunea de bariere, curentul I
D
este practic nul.
Fa de tranzistoarele bipolare, MOSFET-urile au o serie de avantaje, dintre care cele mai importante
sunt: impedan de intrare extrem de mare, dimensiuni reduse i tehnologie avantajoas.
n schimb ele prezint ntre D i S o rezisten relativ mare, care mpiedic obinerea unor amplificri
mari de tensiune i a unor impedane mici de ieire. Dependena neliniar dintre I
D
i U
GS
produce distorsiuni de
neliniaritate. Puterea maxim disipat este redus, avnd n vedere volumul redus de semiconductor care
particip la conducie. Din aceste motive, tranzistoarele MOS convenionale reprezint nu att o alternativ ct
un produs complementar tranzistoarelor bipolare. n amplificatoare este foarte avantajoas combinarea celor
dou tranzistoare, MOS-FET-ul fiind recomandabil pentru etajele preamplificatoare de tensiune pentru semnale
extrem de slabe. n acest caz impedana mare de intrare este hotrtoare, iar nivelul mic al semnalelor reduce
nivelul distorsiunilor.
Prin diferite dezvoltri tehnologice tranzistoarele MOS au fost mult mbuntite n ultimele dou
decenii, majoritatea dezavantajelor lor fiind depite. Exist dou linii de dezvoltare, una viznd creterea
frecvenelor iar cealalt creterea puterii. Au aprut i componente hibride (tranzistoarele IGBT, tiristoarele cu
poart MOS, etc.) care cumuleaz avantajele celor dou tehnologii.

5.4 Regimul dinamic al TEC
Modelul dinamic de semnal mic i joas frecven, cel mai simplu care poate fi utilizat att pentru TEC
ct i pentru TECMOS este reprezentat n fig.5.7.

Fig.5.7 Modelul pentru TEC n regim dinamic, semnal mic, joas frecven

Dac se compar acest circuit echivalent cu modelele utilizate pentru tranzistoarele bipolare, se constat
o diferen important. Pentru TEC, electrodul de comand (poarta) este reprezentat printr-un punct izolat
fiindc nu exist cureni prin aceasta, spre deosebire de baza tranzistoarelor bipolare care necesit un curent.
Puterea necesar comenzii unui TEC este deci neglijabil, amplificarea de putere fiind foarte mare (practic
infinit).
Controlul variaiilor curentului de dren de ctre semnalul aplicat pe poart se face prin intermediul
parametrului g
m
numit transconductan (conductan de transfer). Transconductana depinde de punctul static
de funcionare i se obine prin derivarea expresiei curentului de dren.
n regim de saturaie, pentru TECJ, acest parametru este dat de:
g
m
=
D
I
GS
D
u
i
=
D
I
T
GS
DSS
GS
U
u
1 I
u

|
|
\
|
=
T
GS
T
DSS
V
V
1
V
I 2

g
m
=
D
T
DSS
I
V
I 2
(5.2)
Pentru TECMOS expresia transconductanei este:

g
m
=
D
I
GS
D
u
i
=
( ) [ ]
D
I
2
T GS
GS
U u
u

=
2 ( )
T GS
U u (5.3)
g
m
=2
D
I

Parametrul r
d
exprim legtura ntra variaiile tensiunii dren surs i variaiile curentului de dren.
n regim de semnal mic, frecven forte nalt trebuie s se in cont de efectele capacitive care apar ntre
bornele tranzistorului i care sunt modelate prin C
gs
, C
gd
i C
ds
(fig.5.8). Aceste efecte capacitive au un rol
important n procesele de comutaie al TEC, rapiditatea rspunsului tranzistorului, respectiv frecvebele de lucru
ale circuitelor care le folosesc, fiind invers proporionale cu mrimea acestor capaciti.

Fig.5.8 Modelul pentru REC n regim dinamic,semnal mic, frecven nalt

6. Tranzistorul unijonciune (TUJ)

6.1.Structur i funcionare
n prezent, n locul tuburilor electronice cu vid i ionice, care pot prezenta caracteristic cu regiune de
rezisten negativ, sunt utilizate dispozitive semiconductoare speciale. Se vor prezenta dou tipuri de astfel de
dispozitive, realizate tehnologic pe structuri de siliciu: tranzistor unijonciune prescurtat TUJ i tranzistor
unijonciune programabil - TUJP. Ambele tipuri de dispozitive prezint regiune de rezisten negativ,
proprietate ce le face utilizabile n schemele de oscilatoare de relaxare, circuite de comand a tiristoarelor i a
triacurilor, circuite de temporizare.
Structura tranzistorului unijonciune (TUJ) este urmtoarea: o bar de siliciu de tip n avnd rezistivitatea
=100cm, cu lungimea mult mai mare dect celelalte dou dimensiuni este dopat ntr-un punct pe lungime
cu atomi acceptori formnd o regiune de tip p i n acea zon o jonciune p-n.
Dispozitivului astfel construit i se ataeaz 3 terminale corespunztor capetelor barei i regiunii p,
denumite respectiv baza B
1
, baza B
2
i emitorul E, avnd reprezentarea n fig.6.1.
Tensiunea aplicat ntre B
1
i B
2
este n jur de 10V. Se consider c poziia jonciunii p-n n bara de
siliciu n este poziionat la distanele l
1
, l
2
fa de capete. Se noteaz cu r
1
, r
2
rezistenele ohmice ale barei pe
lungimile l
1
i l
2
, cu ajutorul crora se definete raportul
intrinsec de divizare al barei =
2 1
1
r r
r
+
.
Deoarece baza este omogen, raportul teoretic
(0,1) i d poziia jonciunii pe lungimea barei de siliciu
i care practic ia valori n domeniul (0,40,9).
Dispozitivul astfel construit este o diod cu dou baze
deoarece are o singur jonciune i se numete diod cu
dou baze sau tranzistor unijonciune.

Fig.6.1 Structura - (a) i simbolul -(b) tranzistorului unijonciune

6.2 Caracteristica static a tranzistorului unijonciune
Se consider schema din fig. 6.2 n care cele dou baze au fost polarizate cu tensiunea U
B1B2
iar ntre
emitorul E i B
1
este tensiunea pozitiv U
EB1
. Prin tranzistor circul curentul I
B2B1
dat de relaia:

2 1
B B
B B
r r
U
I
1 2
1 2
+
= (6.1)
iar cderea de tensiune pe bar ntre jonciune i B
1
este dat de relaia:
1 2 1 2 1 2
B B B B
2 1
1
1 B B
U U
r r
r
r I U =
+
= = (6.2)
Se constat c tensiunea U
EB1
i
1 2
B B
U U = sunt n opoziie ceea ce nseamn c atta ct U >U
EB1

ntre emitorul E i B
1
nu circul dect un curent foarte mic, tranzistorul fiind blocat deoarece jonciunea este
polarizat invers adic I
E
0. dac U
EB1
crete devenind mai mare ca U atunci jonciunea este polarizat direct
i rezistena sa devine neglijabil ceea ce nseamn c r
1
0 i U0, curentul I
E
prin circuitul EB
1
crete
brusc la valoarea maxim, tranzistorul comportndu-se ca o diod polarizat direct.

Fig.6.2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii TUJ-ului

n cazul n care bazele B
1
B
2
se leag ntre ele, ceea ce nseamn c U
B2B1
=0 tranzistorul unijonciune se
comport ca o diod (caracteristica 1, fig. 6.3).
Caracteristica static a TUJ-ului este I
E
= f(U
EB1
) pentru diferite valori U
B2B1
i este prezentat n fig.6.3.
Tensiunile U
EB1
,U
EB2
sunt tensiuni de deschidere sau basculare a TUJ-ului i ele cresc o dat cu creterea
tensiunilor U
B2B1
.

Fig.6.3 Caracteristica static a tranzistorului unijonciune

Poriunile ab, ab din caracteristici se numesc poriuni cu rezisten negativ. Aceste poriuni dau o
caracteristic deosebit TUJ-ului fiind utilizat ca generator de oscilaii comandat.
Din analiza funcionrii TUJ-ului rezult c acesta funcioneaz ca o diod a crei rezisten r
1
este
controlat prin tensiunea U
EB1
. Acest lucru permite s se construiasc o schem echivalent pentru TUJ n care
variaia rezistenei r
2
se face printr-un montaj cu 2 tranzistoare complementare T
1
, T
2
. Raportul de divizare se
stabilete din rezistenele R
1
,R
2
(fig.6.4a).

(a) (b)
Fig.6.4 Schema echivalent a tranzistorului unijonciune - (a),
simbolul pentru TUJ complementar cu bara de Si i jonciune n - (b)

Exist i TUJ complementar cu bara de siliciu p i
zona jonciunii de tip n, cu simbolul dat n fig.6.4b.
Un caz special de TUJ este aa zisul TUJ
programabil care conine 4 straturi de semiconductor
alternant n succesiunea p
1
- n
1
- p
2
- n
2
i o singur jonciune
p
1
- n
1
. Se realizeaz apoi 3 terminale la p
1
,n
1
i n
2
denumite
anod A, catod C i gril G. ntre G i C se monteaz un
divizor R
1
, R
2
exterior dispozitivului care constituie factorul
de divizare i care factor poate fi programat din alegerea
acestor rezistene. Va rezulta un TUJ programabil avnd
schema i simbolul de conexiune n fig.6.5.

Fig.6.5 Schema - (a) i simbolul - (b) a TUJ-ului programabil

6.3 Aplicaii ale TUJ
Generator de impulsuri
n fig.6.6 se prezint o aplicaie a TUJ-ului n circuitul de realizare a unui oscilator, generator de
impulsuri n dini de ferstru, sincrone cu tensiunea alternativ u
2
.

Fig.6.6 Generator de impulsuri
Tensiunea alternativ U
2
este redresat prin puntea de diode D apoi stabilizat la o valoare maxim U
z

prin dioda Zener DZ i aplicat prin circuitul PC pe emitorul TUJ-ului. Condensatorul C se ncarc cu constanta
de timp PC i cnd tensiunea pe condensator devine egal cu tensiunea de basculare U
o
a TUJ-ului acesta intr
n conducie i C se descarc peste R
1
producnd un impuls. Fenomenul se repet, frecvena impulsurilor se
modific prin poteniometrul P.

Oscilator de relaxare cu TUJ
Analiznd caracteristica tranzistorului unijonciune se observ c acesta nu se poate afla n regim stabil
dect n una din cele dou stri: fie conduce fie este blocat. Forma caracteristicii n prezena zonei de rezisten
negativ permite realizarea unui oscilator de relaxare ca n fig.6.7.

Fig.6.7 Oscilator de relaxare cu TUJ

Dup conectarea tensiunii E, la un moment dat t
o
se va stabili un potenial U
p
prin divizorul rezistiv
format din R
2
, R
B2
, R
B1
i R
1
, unde R
B1
i R
B2
sunt rezistenele corespunztoare divizrii rezistenei totale a
poriunii B
1
B
2
a tranzistorului.
Tensiunea pe condensatorul C va crete mai lent dect tensiunea U
p
, astfel nct imediat dup momentul
t
o
=0, TUJ-ul este blocat deoarece potenialul anodului diodei va fi mai mic dect al catodului iar schema
echivalent a circuitului va fi cea din fig.6.8.
U
p
= E E
R R R R
R R
1
1 B 2 B 2
1 1 B
=
+ + +
+
(6.3)
u
C
(t)=E
|
|
\
|

RC
t
e 1 (6.4)
Cnd tensiunea pe condensator este u
C
(t)= U
p
+0,6V, dioda D va intra n conducie iar TUJ ajunge
foarte repede n stare de conducie. Dup intrarea n starea de conducie, schema echivalent a circuitului este
cea din fig.6.8b. Se observ c n acest interval de timp, condensatorul C, ncrcat iniial la valoarea u
C
(t)=
U
p
+0,6V, se va descrca prin intermediul jonciunii pn pe rezistena R
1
. Datorit faptului c R
1
are valoare
mic, descrcarea are loc rapid. Descrcarea continu pn cnd tensiunea pe condensator ajunge la valoarea
0,6V, moment n care jonciunea se va bloca i va ncepe un proces de ncrcare a condensatorului prin R de la
sursa E conform relaiei (6.4).

Fig.6.8 Scheme echivalente pentru oscilatorul cu TUJ

Frecvena de oscilaie se poate calcula din relaiile (6.3) i (6.4), dac se consider momentul iniial t
o
=0
iar t
1
intervalul de timp n care se ncarc condensatorul i punnd condiia t=t
1
.
E
|
|
|
\
|

RC
t
1
e 1 = 6 , 0 E + (6.5)
t
1
=RC
( )

1
1
ln RC
6 , 0 1 E
E
ln (6.6)

Se observ din relaia (6.6) c intervalul de pauz dintre impulsurile de ieire poate fi dimensionat prin
alegerea adecvat a rezistenei R i a capacitii C. Dac se urmrete obinerea de timpi mai mari nu este bine
s se aleag valoarea lui C mare deoarece la descrcare s-ar obine impulsuri de curent de valoare mare care
poate distruge TUJ-ul. Similar se poate calcula i intervalul t
1
-t
2
care este de obicei mult mai mic. De aceea,
perioada impulsurilor generate de acest oscilator poate fi aproximat ca fiind egal cu t
1
dat de relaia (6.6).

Partea a -II-a

1.Circuite de redresare

1.1. Noiuni generale

Procesul de redresare const n transformarea energiei electromagnetice de curent alternativ n energie
electromagnetic de curent continuu.
Redresoarele sunt utilizate pentru alimentarea de la reeaua de curent alternativ a diferitelor instalaii
industriale care funcioneaz cu curent continuu cum ar fi :reelele de traciune electric n curent continuu,
bile de electroliz, acionrile electrice ale mainilor de curent continuu etc. Puterile consumate de aceste
instalaii pot s ajung uneori la sute i mii de kilo-wai. De asemenea, redresoarele intr n componena
aparatelor electronice de msurare, reglare i control sau a echipamentelor de telecomunicaii.
Schema bloc a unui redresor monofazat este prezentat n figura 1.1.

Fig.1.1 Schema bloc a unui redresor monofazat

Redresorul propriu-zis, R, este separat de reeaua de alimentare prin intermediul unui transformator, care
ofer totodat posibilitatea obinerii unei game largi de tensiuni redresate (prin modificarea raportului de
transformare). Transformatorul T are rolul de a separa consumatorul de reea i de a modifica tensiunea reelei
la valoarea necesar pentru a obine o anumit tensiune continu. n anumite cazuri, transformatorul T poate s
lipseasc.
Dispozitivul redresor R este constituit din elemente electronice (neliniare) care permit trecerea curentului
numai pentru o anumit polaritate a tensiunii alternative aplicate. Datorit acestei proprieti, de conductibilitate
ntr-un singur sens, curentul din circuitul redresorului va fi un curent pulsatoriu. Filtrul F servete la netezirea
pulsaiilor tensiunii (curentului) redresate, n vederea obinerii unei tensiuni (sau unui curent) ct mai aproape de
forma continu. n unele redresoare (n special, n cele polifazate), filtrul poate s lipseasc.
Se deosebesc dou categorii de redresoare monofazate :
-redresoare care redreseaz o singur alternan, numite i redresoare monoalternan;
-redresoare care redreseaz ambele alternane, numite i redresoare dubl alternan.
n funcie de natura sarcinii, redresoarele monofazate pot fi de mai multe tipuri:
-redresoare cu sarcin rezistiv (R);
-redresoare cu sarcin inductiv (RL);
-redresoare cu sarcin capacitiv (RC);
-redresoare cu sarcin R, sau RL, sau RC, coninind ns i o tensiune contraelectromotoare E

1.2. Redresoare monofazate

1.2.1 Redresorul monofazat monoalternan cu sarcin rezistiv
Schema electric a unui redresor monoalternan cu sarcin rezistiv fr filtru este prezentat n figura
1.2. Dac presupunem c redresorul este alimentat printr-un transformator fr pierderi (impedan de
scurtcircuit nul), alimentat n primar cu tensiunea : ( ) t sin U u
1 1
=
n secundar se obine: ( ) t sin U u
2 2
=
Rezistena de pierderi a transformatorului poate fi calculat cu formula :
1
2
1
2
2 T
r
n
n
r R
|
|
\
|
+ =

Fig.1.2 Schema electric a redresorului cu sarcin rezistiv fr filtru

ntr-un redresor, dispozitivul semiconductor lucreaz la semnal mare, neliniaritile producnd efectul
de redresare. Pentru redresorul prezentat n figura 1.2, n alternana pozitiv a tensiunii din secundarul
transformatorului, dioda D este polarizat direct permind trecerea curentului prin sarcin, iar n alternana
negativ dioda D este blocat. n figura 1.3 sunt prezentate formele de und care corespund funcionrii unui
redresor monoalternan fr filtru. Curentul prin sarcin se deduce analitic din figura 1.3 :
i
S
= I
S
sin (t) , pentru 0 < t <
i
S
= 0 , pentru < t < 2
unde I
S
reprezint valoarea maxim a curentului prin sarcin i are valoarea:

S i
2
S D T
2
S
R R
U
R R R
U
I
+
=
+ +
=
unde R
D
reprezint rezistena diferenial a diodei care rezult din liniarizarea caracteristicii acesteia i R
i

reprezint rezistena intern a redresorului.
Tensiunea pe sarcina rezistiv R
S
are expresia :
u
S
= R
S
I
S
= U
S
sin (t) , pentru 0< t <
u
S
= 0 , pentru < t < 2
Tensiunea medie (redresat) n sarcin este:

=

=
2
0
S
S 0
U
) t ( d ) t sin( U
2
1
U
iar tensiunea efectiv :
U
ef
=
2
U U
) t ( d ) t sin( U
2
1
S
2
1
2
0
S
S
=
|
|
\
|
=

Fig.1.3 Formele de und pentru un redresor monoalternan
cu sarcin rezistiv fr filtru

La proiectarea unui redresor snt cunoscute, de obicei, tensiunea i curentul redresat
d
U i
d
I i
valoarea efectiv a tensiunii alternative de alimentare U. Cu aceste date se pot determina parametrii electricii ai
redresorului, cu ajutorul crora se alege elementul redresor i se dimensioneaz transformatorul de reea.
n cazul unei tensiuni de alimentare sinusoidale t sin U u
m
= , curentul mediu redresat are valoarea:
=
0
dm
s
m
d
I
R
U
) t ( td sin
2
1
I

n care:
s
m
dm
R
U
I =

Tensiunea invers maxim pe diod apare n timpul alternanei negative, cnd elementul redresor nu
conduce, i este egal cu valoarea maxim (de vrf) a tensiunii secundarului transformatorului :

d 2 m max i
U U 2 U U = = =
cu
=
m
d
U
U

Valoarea efectiv a curentului din nfurarea secundar este :

2
I
I
2 R
U
2
1
) t ( i
2
1
I
dm
d
s
2
0
2
d 2
=
= =

Dac inem seama c fluxul rezultant din circuitul magnetic al transformatorului este compus dintr-o
component alternativ i o component continu, putem scrie expresia curentului din primar sub forma:

+ = + = i ) I i ( n i ) I i ( n i
d 2 d d 1

n care n este raportul de transformare, iar
i
-curentul de mers n gol. Neglijnd curentul de mers n gol
i
,
obtinem valoarea efectiv a curentului primar:
d
2
0
2 d d
2
0
2
1 1
I
n
21 . 1
) t ( d )
n
I i
(
2
1
) t ( d i
2
1
I =
=

Puterea de curent continuu sau puterea util este :
d d
s
2 2
s
2
2
m 2
d s d
I U
R
U 2 U 2
R
U
I R P =
= =

Puterea aparent n secundar este:
d d d d d 2 2 2
P 49 , 3 U I 49 . 3 U I
2
2
I U P = =
= =

Puterea aparent n primar, dac neglijm curentul de mers n gol, are valoarea
d d d 1 2 1 1 1
P 69 , 2 I U
n
21 . 1
2
n
nI U I U P =
= = =

Media aritmetic a acestor puteri d puterea de gabarit a transformatorului:
d d
1 2
T
P 09 , 3 P
2
69 , 2 49 , 3
2
P P
P =
+
=
+
=

n cazul unor valori mari ale curentului de mers n gol, puterea de gabarit poate ajunge la valoarea
d T
P 4 P =
n funcie de aceast valoare a puterii se calculeaz seciunea miezului transformatorului.
Dezvoltnd expresia curentului redresat n serie Fourier se obine:
= ... t 4 cos
15
2
t 2 cos
3
2
t sin
2
1 1
I i
dm d
Primul termen al seriei este componenta continu sau medie a curentului redresat, adic:
=
dm
d
I
I

Raportul dintre valoarea efectiv a componentelor alternative ale curentului redresat (sau ale tensiunii
redresate) i valoarea medie a acestuia (acesteia) se numete factor de ondulaie .
Observnd c valoarea efectiv a unei unde compuse din mai multe armonici este rdcina ptrat a
sumei ptratelor valorilor efective ale diferitelor componente inclusiv componenta continu (care este o
component armonic de frecven nul), putem scrie expresia factorului de ondulaie sub forma:
21 , 1 1
2
1
I
I
I
I I
2
2
d
2
d
2
d
2
2
=
|
\
|
=
|
|
\
|
=
=

Randamentul redresrii n cazul unui element redresor ideal se calculeaz facnd raportul dintre puterea util
de curent continuu:
d d
s
2
2
m
d
I U
R
U
P =
=

i puterea medie primit de circuitul redresor:

( )
( )
( )
s
2
m
0 s
2
m
0
d m
R 4
U
t d
R
t sin U
2
1
t d ui
2
1
P =
=

, adic:
0
0
2
m
d
i
6 , 40
4
P
P
r =
= =
Diferena dintre
m
P i
d
P se datoreaz armonicelor care circul n rezistena
s
R . Pentru redresoare
reale randamentul este i mai mic.
n circuitul redresorului monoalternant, curentul de sarcin
2 d
i i = traverseaz bobinajul secundar al
transformatorului i produce o tensiune magnetomotoare continu n miezul de fier. Deoarece curentul primar
1
i nu conine o component continu, dac
2
i are component continu din ecuaia tensiunilor
magnetomotoare :
1 2 2 1 1
W i W i W i

+ =
n care
2 1
W , W reprezint numrul de spire al celor dou nfaurri, rezult c curentul de magnetizare
i
trebuie s conin deasemenea o component continu
I . Practic ns apariia componentei continue
I
conduce, de obicei, la deplasarea oscilaiilor fluxului magnetic n poriunea de saturaie a curbei de
magnetizare. n acest caz apar pulsuri mari de curent n curba curentului de magnetizare i n curba curentului
primar. Aceasta conduce la nrutirea condiiilor de funcionare a transformatorului, deoarece saturaia
miezului contribuie la creterea puternic a pierderilor n fier i la nclzirea sa exagerat. Pentru a evita aceste
inconveniente este necesar s se mreasc seciunea miezului, ceea ce este echivalent cu creterea puterii
transformatorului.
Greutatea relativ mare a transformatorului, folosirea neraional a fierului i cuprului i pulsaiile mari
de curent snt dezavantajele principale ale redresorului monoalternan.
El poate fi utilizat numai atunci cnd curenii redresai au valori reduse i cnd randamentul sczut al
transformatorului este compensat de economia obinut prin utilizarea unui singur element redresor.

1.2.2 Redresorul monofazat dubl alternan cu sarcin rezistiv
O mbunatire esenial a formei de und a curentului redresat se poate obine prin folosirea schemelor
de redresare dubl alternan. Aceste scheme sunt de dou categorii:
-scheme de redresare cu priz median, n secundarul transformatorului de reea;
-scheme de redresare n punte .
Schema electric a unui redresor dublu alternan cu priz median este prezentat n figura 1.4 n
care se utilizeaz un transformator monofazat cu priz median n secundar, aceast priz avnd rolul de punct
neutru. Admind ca sens pozitiv sensul de la punctul median spre capetele exterioare se observ c tensiunile
celor dou seciuni ale nfurrii secundare sunt n opoziie de faz. Ca urmare, curentul electric va circula ntr-
o semiperioad prin dioda
1
D (dioda D
2
este blocat), iar n
cealalt semiperioad, prin dioda
2
D (dioda D
1
este blocat).

Fig.1.4 Schema de redresare cu priz median n
secundarul transformatorului de reea

Curentul prin sarcin are acelai sens n ambele alternane. Curentul prin rezistena de sarcin R
reprezint suma curenilor prin diodele
1
D i
2
D Dezavantajul acestei configuraii l reprezint faptul c
tensiunea invers maxim pe dioda blocat este dublul tensiunii maxime din secundarul transformatorului.
Se observ c atunci cnd una dintre diode conduce, potenialul catodului su devine practic egal cu al
anodului, astfel c cealalt diod (n stare de blocare), al crui catod este legat direct cu catodul primei diode,
este supus unei tensiuni aproximativ egale cu dublul tensiunii de faz n valoare instantanee. Rezult deci c
valoarea maxim a tensiunii inverse aplicate unei diode este:

d 2 max i
U U 2 2 U = =
Deoarece suprafaa cuprins de curba curentului redresat este de dou ori mai mare dect n cazul
redresorului monoalternan, valoarea medie se dubleaz, iar valoarea efectiv se inmulete cu 2 , astlel c
factorul de ondulaie devine:
48 . 0 1
2 2
1
I
I
2
2
d
2
= |
\
|
=
|
|
\
|
=
n circuitele de redresare dubl alternana, curentul de sarcin traverseaz bobinajul secundar n sensuri
opuse de la priza median spre extremiti. Dac cele dou elemente redresoare i cele dou seciuni ale
nfurrii secundare sunt identice; tensiunile magnetomotoare continue sunt egale i de semne contrare,
anulndu-se reciproc. Astfel nu apare saturaie n miezul de fier, fiind posibil o utilizare mai bun a acestuia.
Acest dezavantaj este eliminat de redresorul dubl alternan n punte. n schema din figura 1.5 se
utilizeaz un transformator fr priz median i un numr dublu de elemente redresoare.
Elementele sunt montate n punte, astfel nct curentul s treac prin rezistena de sarcin (conectat n
una din diagonalele punii) totdeauna n acelai sens, indiferent de polaritatea tensiunii de alimentare. Valorile
medii ale tensiunii i curentului redresat, precum i valorile curentului anodic prin fiecare element sunt aceleai
ca i n cazul schemei precedente. Tensiunea invers maxim, ns, este de dou ori mai mic, deoarece n
fiecare semiperioad a tensiunii de alimentare, curentul trece prin dou elemente redresoare legate n serie.
Rezult deci :
d 2 max i
U
2
U 2 U

= =
Cu alte cuvinte, la aceeai tensiune redresat, schema de redresare n punte este mai avantajoas dect
schema cu priz median, ntr-uct tensiunea invers maxim a unui element poate fi de dou ori mai mic.

Fig.1.5 Redresorul monofazat dubl alternan n punte
n alternana pozitiv a tensiunii u
2
conduc diodele D
1
i D
4
(D
2
i D
3
sunt blocate), iar n alternana
negativ conduc diodele D
2
si D
3
(D
1
si D
4
sunt blocate). Formele de und ale tensiunilor din secundarul
transformatorului i din sarcin sunt prezentate n figura1.6.
Tensiunea medie (redresat) la iesirea redresorului dubl alternan este : U
0
=
S
U 2

iar tensiunea efectiv: U
ef
=
2
U
S
unde U
S
reprezint valoarea maxim a tensiunii din sarcin i are valoarea:
U
S
=
S 1
2 S
R R
U R
+

Fig.1.6 Formele de und pentru un redresor dubl alternan fr filtru

Performanele redresorului dubl alternan fr filtru :
a) Caracteristica extern: U
0
=
o i
2
I R
U 2

b) Randamentul redresrii : % 80
8
P
P
2
ca
cc
=
= =
c) Factorul de ondulaie : 11 , 1
2 2
U 2
2
U
U
U
S
S
o
ef
=
= =
d) Tensiunea invers maxim pe diod este tensiunea maxim din secundarul transformatorului

1.2.3 Redresorul monofazat monoalternan cu sarcin RC
Schema unui redresor monoalternan cu sarcin RC este prezentat n figura1.7.

Fig. 1.7
Formele de und ale semnalelor din figura 1.7 sunt prezentate n figura1.8.

Fig.1.8

Din figura 1.8 se observ c dioda D conduce doar o parte din alternana pozitiv, cnd tensiunea din
secundarul transformatorului este mai mare dect tensiunea de pe condensator. Condensatorul se ncarc spre
vrful tensiunii e
2
, cnd dioda conduce, interval n care u
R
= u
2
. Cnd dioda este blocat condensatorul se
descarc prin sarcin. Timpului de conducie al diodei i corespunde unghiul de conducie, definit cu formula :

C C
t =
Notnd cu U
2
amplitudinea tensiunii din secundarul transformatorului i cu U
o
tensiunea medie de pe
rezistena de sarcin, variaia tensiunii din sarcin se poate scrie astfel :
( )
0 2 0
U U 2 U =
Tensiunea la bornele diodei redresoare este egal cu:
c 2 a
u u u = i de aceea dioda nu este strbtut
de curent n tot timpul alternanei pozitive, ci numai n timpul n care
c 2
u u > . n perioada de timp n care
c 2
u u < , condensatorul se descarc pe rezistena de sarcin, tensiunea la bornele sale variind dup legea:

RC
t
c c
e U u
=
n timpul de conducie a diodei curentul are valoarea :
c R
i i i + =
n care: t sin
R
U
I
m
R
=
iar t cos CU
dt
du
C i
m c
= =
( ) ( ) + + = t sin C
R
1
U i
2
2
m

unde CR arctg =
n momentul ncetarii procesului de ncrcare a condensatorului ncepe descrcarea condensatorului pe
rezistea de sarcin. Dac circuitul are o constant de timp RC suficient de mare, descrcarea are loc destul de
lent i curentul prin sarcin i pstreaz o valoare diferit de zero pn la nceperea unei noi perioade de
conducie a elementului redresor.
Datorit efectului de netezire a undei curentului i tensiunii redresate condensatoarele sunt utilizate
frecvent ca elemente de filtraj n redresoarele monofazate cu sarcina rezistiv.
Performanele redresorului monoalternan cu sarcin RC:
a) Caracteristica extern se determin punnd condiia de regim staionar, adic sarcina acumulat de
condensator la ncrcare s fie egal cu sarcina pierdut la descrcare.
-pentru ncrcare :
0
U C q =
-pentru descrcare :

= = =
0
0 C 0
I 2
T I t I q
Din aceste relaii se obine caracteristica extern a redresorului monoalternan cu filtru
capacitiv :
0 2 0
I
C
U U

=
b) factorul de ondulaie :
R C
2
U
U
0
0

=

c) raportul dintre curentul maxim prin diod i curentul mediu prin sarcin se determin presupunnd
curentul maxim prin condensator constant n intervalul de conducie al diodei.
-pentru ncrcare:
= =
C
max D C max D
I t I q
-pentru descrcare:

=
0
I 2
q
deci :
C 0
max D
2
I
I

=
d) tensiunea maxim pe diod este dublul tensiunii maxime din secundarul transformatorului.
Observaii :
a) diminuarea factorului de ondulaie are ca efect creterea curentului maxim prin diod ;
b) pentru redresorul dubl alternan cu filtru capacitiv, se deduce
- caracteristica extern :
0 2 0
I
C 2
U U

= ;
- factorul de ondulaie :
S 0
0
R C U
U

.

1.2.4. Redresorul monofazat monoalternan cu sarcin RL

Schema redresorului monofazat monoalternan cu sarcin RL este artat n figura 1.9. Inductana L
poate aparine consumatorului (motoare de curent continuu, electrornagnei, relee etc.) sau poate fi introdus ca
element separat n serie cu rezistena de sarcin, pentru "netezirea" undei curentului redresat. Funcionarea
schemei este ilustrat de formele de und din figura 1.9 . Curba curentului este diferit de curba tensiunii de
alimentare, curentul circulnd i n cursul unei fraciuni din alternana negativ. Aceasta se explic prin faptul
c inductana L absoarbe o anumit cantitate de energie n timpul alternanei pozitive, pe care o cedeaz atunci
cnd tensiunea tinde s-i schimbe sensul. Deci, pe lng tensiunea exterioar, n circuit mai acioneaz
tensiunea electromotoare de autoinducie:
t
i
L
d
d
L e =
n timpul conduciei elementului redresor, este valabil ecuaia : t sin U iR
d
d
L e
m
t
i
= + =
a crei soluie este de forma :
( )
( )
+
+
=
t
L
R
2 2
m
e sin t sin
L R
U
i
n care:
R
L
arctg
=

Fig.1.9 Redresorul monoalternan cu sarcin RL

Fig.1.10 Formele de und pentru schema din figura 1.9

n cazul redresorului monoalternan, inductana mrete durata impulsurilor de curent, prin elementul
redresor, dar nu poate asigura n permanen o tensiune la bornele rezistenei de sarcin.
Efectul de netezire exercitat de inductan este mai puternic dac se folosete o redresare dubl-
alternan(fig. 1.11a). Din formele de und prezentate n figura 1.11b se observ c acest curent redresat nu
scade la zero la sfritul unei alternane.

(a)

Fig.1.11 Redresorul dubl alternan cu sarcin RL:
a) schema de principiu; b) forme de und

Din analiza lor se constat c odat cu creterea inductanei, pulsaiile curentului redresat scad foarte
mult. Aceasta se explic, prin impedana mare opus de inductan la trecerea armonicilor curentului redresat,
care are ca efect reducerea amplitudinilor acestora fa de componenta medie. Din aceste motive, inductana
este folosit ca filtru de netezire curentului redresat.
O netezire mai bun a curentului redresat se poate obine i cu un redresor monoalternan cu sarcin
RL untat de o a doua diod, montat ca n figura 1.12a. Aceast schem permite ca prin folosirea unei
inductane mari s se obin un curent cu un factor de ondulaie mic (pe seama energiei nmagazinate n cmpul
magnetic al bobinei L) i s se elimine astfel necesitatea unor filtre complicate. Forma curentului redresat de
aceast schem se prezint n figura 1.12b. Avantajul principal al acestei scheme const n puterea de calcul
mai redus a transformatorului de reea. Ea este utilizat pentru alimentarea bobinelor de curent continuu ale
releelor, contactoarelor sau ale altor dispozitive din schemele de automatizare.

(a) (b)

Fig. 1.12 Redresorul monofazatcu sarcin RL untat de o diod de decrcare (diod de nul): a) schema de
principiu; b) forme de und

1.3 Redresoare trifazate

n aplicaii industriale sunt necesare tensiuni i cureni continue mari, care alimenteaz instalaii
industriale, acionri cu motoare de curent continuu, baterii de acumulatoare i altele i atunci se utilizeaz
redresoare trifazate care conin un transformator trifazat i n secundar un numr de trei sau ase diode de
putere.
La aceste scheme, sunt necesare pentru fiecare faz cte o diod (schema monoalternan) sau dou
diode (schema bialternan). Aceasta permite micorarea curentului prin fiecare diod (adic utilizarea diodelor
de putere mai mic) i mrirea frecvenei pulsaiilor (simplificarea filtrelor).
n figura 1.13 se prezint schema trifazat n stea care implic trei diode redresoare. Prin fiecare diod
curge o treime din curentul total de ieire, i frecvena pulsaiilor este de trei ori mai mare dect a redresorului
corespunztor monoalternan, i prin urmare este de trei ori mai mare dect frecvena reelei.

Fig. 1.13 Schema redresorului trifazat monoalternan

Valoarea medie a tensiunii redresate are expresia:
( )
=
3
3
2
2 d
3
3
sin U 2
t td cos U 2
3
2
1
U =1,17U
2

Valoarea medie a curentului printr-un element redresor se calculeaz cu relaia:
3
I
I
d
A
= , iar valoarea
maxim a curentului prin element I
am
=I
dm
este legat de valoarea medie I
d
prin relaia:
I
am
=
3
sin
I
3
d
=1,21I
d
= 3,63 I
A

Valoarea maxim a tensiunii inverse este: U
imax
=
2
U 2 3 = 2,09 U
d

La schema trifazat bialternan (punte trifazat) din figura 1.14 se folosesc ase diode redresoare.
Aceast schem realizeaz tensiune dubl de ieire n aceleai condiii de funcionare a transformatorului.

Fig.1.14 Schema redresorului trifazat bialternan

Prin fiecare redresor curge o treime din curentul total de ieire i frecvena pulsaiilor este de trei ori mai
mare dect la schema corespunztoare bialternan (sau de ase ori mai mare dect frecvena reelei).
Schema stea de ase faze care conine de asemeni ase redresoare se prezint n figura 1.15. Numai a
asea parte din curentul total de ieire curge prin fiecare redresor.

Fig. 1.15 Schema redresorului n stea cu ase faze

Schema trifazat dubl n stea cu transformator interfaz conine ase redresoare monalternan legate n
paralel. Aceasta realizeaz dublarea curentului de ieire n comparaie cu schema monoalternan (fig.1.16), iar
frecvena pulsaiilor este de ase ori mai mare dect frecvena reelei.

Fig.1.16 Schema redresorului trifazat n stea
cu transformator interfaz

2. Circuite de stabilizare

2.1 Noiuni generale

Tensiunea nominal care poate fi asigurat de sursa de alimentare, este determinat de tensiunea iniial
existent (de reea sau de transformator) i de cderea de tensiune pe redresoare i pe filtru.
Stabilizatoarele sunt circuite electronice intercalate ntre sursa de alimentare i consumator, cu rolul de
a stabiliza tensiunea, curentul sau puterea furnizate con sumatorului, fa de variaiile tensiunii sursei, ale
rezistenei sarcinii, ale temperaturii i ale altor factori perturbatori.
Indiferent de structura lui, in stabilizator poate fi reprezentat ca un biport, la care mrimea de ieire
(tensiune, curent, etc.) depinde de tensiunea de intrare E, de rezistena sarcinii R
S
, de temperatura i de ali
factori perturbatori mai puin nsemnai. De exemplu, la stabilizatoarele de tensiune U = U(E, R
S
, ) = U (E, I,
), deci: dU =

d
U
dI
I
U
dE
E
U

Coeficienii din aceast relaie sunt adesea indicai ca performane ale stabilizatorului:
- Rezistena intern: r = -
te tan cons , E
I
U
=
|
\
|
definit cu semnul (-) pentru a rezulta pozitiv, deoarece la

orice generator cnd I crete, U scade;
- Coeficientul de variaie cu temperatura K

=
te tan cons I , E
U
=
|
\
|

;
- Coeficientul de stabilizare (absolut) S
o
=
te tan cons , I
U
E
=
|
\
|

definit astfel pentru a rezulta supraunitar, cci este mai intuitiv s se exprime c un stabilizator bun are
stabilizare mare, i n orice caz supraunitar.
Pentru majoritatea consumatorilor conteaz variaia relativ a tensiunii, aa c cel mai adesea se indic
la stabilizatoare factorul de stabilizare (relativ) F
o
:
F
o
=
te tan cons , I
U
U
E
E
=
|
|
|
|
\
|

Elementele filtrului asigur ntr-un anumit grad stabilizarea sursei de alimentare. Dac tensiunea de
ieire ncepe s scad, atunci condensatoarele descrcndu-se vor menine aceast tensiune constant. n mod
similar scderea tensiunii produce micorarea cmpului magnetic, existent n jurul filtrului.
Schimbarea cmpului magnetic induce curent n bobin, a crui sens este invers curentului care a
provocat modificarea cmpului. Prin urmare, droselul filtrului se mpotrivete oricrei modificri a amplitudinii
tensiunii. Aceast stabilizare provocat de circuitul de filtrare n unele cazuri poate fi suprimat. n alte cazuri
ns regimul de ieire a sursei de alimentare trebuie meninut n limitele valorilor cerute ale tensiunii i
curentului. Pentru asigurarea stabilizrii tensiunii i curentului exist diferite scheme cu semiconductoare.

2.2 Stabilizatoare de tensiune continu cu diode Zener
Funcionarea stabilizatoarelor parametrice de tensiune se bazeaz pe caracteristica n regim de avalan
a diodei Zener. n anumite limite dioda Zener menine la terminalele sale tensiunea constant, indiferent de
mrimea curentului.
n forma cea mai simpl aceast schem dioda Zener se compune din rezistena serie R
S
i dioda D
1

cuplat n paralel (fig.2.1). Valoarea rezistenei R
S
se alege din condiia referitoare la capacitatea de sarcin.
Dac valoarea rezistenei R
S
este mai mare, atunci dioda Zener nu asigur stabilizarea la cureni de sarcin
mare.

Fig.2.1 Stabilizator cu diod Zener

Tensiunea de ieire = tensiunea diodei Zener;
puterea de disipaie a diodei Zener = tensiunea curentul diodei Zener;
tensiunea de intrare minim > 1,4 x tensiunea diodei Zener;
tensiunea diodei Zener 7 , 0 tensiunea minim de intrare;
puterea de lucru a diodei Zener 3 puterea sarcinii;
R
S
() ( tensiunea de intrare a diodei Zener - tensiunea diodei Zener )
2
/ puterea de lucru de
disipaie;
abaterea tensiunii de intrare < 30% din tensiunea maxim de intrare;
curentul de sarcin = tensiunea diodei Zener / rezistena de sarcin;
puterea sarcinii = tensiunea diodei Zener curentul de sarcin;
curentul de lucru al diodei Zener 3 curentul de sarcin.
Dac R
S
este mic, atunci puterea permis de disipaie a diodei Zener poate fi depit pentru valori mici
a curentului de sarcin. Uneori este necesar o astfel de stabilizare a tensiunii, care se deosebete de tensiunile de
stabilizare ale diodei Zener. Aceast problem poate fi rezolvat cu ajutorul diferitelor scheme de cuplare a
diodelor Zener. De exemplu, diodele Zener pot fi cuplate n serie aa cum se arat n figura 2.2, tensiunea
generat de stabilizator este egal cu suma tensiunilor pe diodele Zener componente. Pentru valorile nominale
indicate n figura 2.2 (5, 10 i 15V) tensiunea total de stabilizare este de 30V. Parametrii de putere ns a
fiecrei diode trebuie s fie aceeai. n mod similar trebuie s fie identic i diapazonul curenilor de lucru sau s
se aleag sarcinile astfel nct s se evite posibilitatea ieirii din
funciune a vreunei diode.

Fig.2.2.

Dioda Zener poate fi cuplat de asemenea i n serie aa cum se arat n figura 2.3.

Fig.2.3. Schema serie de stabilizare a cderilor mici de tensiune

Aceast schem se folosete numai n acele cazuri cnd este necesar asigurarea cderilor relativ mici de
tensiune. Schema din figura 2.2 paralel se folosete la cderi mari de tensiune. La schema serie (fig.2.3)
cderea de tensiune pe dioda Zener este de 5,6V, ceea ce permite scderea tensiunii de intrare de la 28 pn la
22,4V. De menionat c ntregul curent de sarcin plus curentul prin rezistena R
S
curge prin dioda Zener serie.
n acest fel pe baza acestui curent total se calculeaz indicatorii de putere ai diodei.
Diodele separate se pot cupla n serie i astfel s se realizeze divizorul cu ajutorul cruia se pot obine
tensiuni stabilizate. Schema unui asemenea divizor se prezint n fig.2.4.

Fig.2.4. Schema divizorului
de tensiune cu diode Zener

Se poate astfel realiza cuplarea diodelor, nct tensiunile de ieire stabilizate s fie mai mici. O asemenea
schem compus din dou diode Zener se prezint n figura 2.5. Tensiunea de ieire a acesteia reprezint
tensiunea stabilizat de diferen (8,2-6,8=1,4). O asemenea structur asigur compensarea bun de
temperatur a tensiunii de ieire, pentru c tensiunile ambelor diode Zener n diapazonul temperaturilor se
modific n acelai fel i prin urmare, diferena de tensiune se menine aceeai.

Fig.2.5. Schema de stabilizare a tensiunii, la valori mai mici dect tensiunile diodei Zener

Diodele Zener se pot utiliza de asemeni i pentru realizarea tensiunilor stabilizate reglabile. O asemenea
schem se prezint n fig.2.6.

Fig.2.6. Schema cu diode Zener pentru tensiune reglabil stabilizat

Pentru obinerea diapazonului necesar de reglare a tensiunii de ieire se admite orice fel de cuplare cu diode
Zener .

2.3 Posibiliti de stabilizare a tensiunii pe baza diodei Zener
Aceast posibilitate exist, dac se folosete dioda Zener pentru reglarea punctului de lucru al
tranzistorului sau a grupului de tranzistoare.
Exist dou tipuri de baz de stabilizatore cu tranzistoare: paralel i serie. Stabilizatorul paralel se
cupleaz n paralel cu ieirea sursei de alimentare, iar dioda n serie cu acestea.

2.3.1 Stabilizatoare n paralel de tensiune
n figura 2.7 se prezint structura simpl a stabilizatorului paralel cu tranzistor.
Tranzistorul T
1
se monteaz la ieirea sursei de alimentare n mod similar cu rezistorul variabil auxiliar
de sarcin, a crui curent curge pe traseul emitor colector. Curentul bazei trece prin D
1
, ambii cureni,
precum i curentul de sarcin trece prin rezistorul serie R
1
. Dac sarcina pe sursa de alimentare crete, atunci
prin rezistorul R
1
ncepe s treac un curent mare i tensiunea de ieire se micoreaz. n acest caz curentul
micorat se aplic la dida D
1
, se micoreaz deplasarea direct prin tranzistorului T
1
i se culege curent mai mic
de la sursa de alimentare de ctre circuitul emitor-colector al tranzistorului. Aceasta duce la micorarea cderii
de tensiune pe rezistorul R
1
i provoac creterea
tensiunii de ieire a sursei de alimentare. n acest caz se
obine micorarea iniial a tensiunii.
Cnd curentul preluat din sursa de alimentare se
modific n limite mari, diodele paralel se cupleaz de
obicei n cascade pentru sporirea eficienei.
Fig.2.7.Schema paralel de stabilizare

Schema tipic a stabilizatorului paralel n cascad se prezint n figura 2.8.
Tranzistoarele T
1
i T
2
sunt montate la ieirea sursei de alimentare i acioneaz ca rezistoare variabile.
Curentul bazei tranzistorului T
1
trece prin stabilizatorul D1, iar curentul bazei tranzistorului T
2
depinde de
curentul care trece prin rezistorul R
2.
Tensiunea pe rezistorul R
2
se determin este determinat de curentul care
curge prin aceasta. Toi aceti cureni precum i curentul de sarcin, trec prin rezistorul serie R
1
.

Fig.2.8.Schema paralel de stabilizare n cascad

La micorarea sarcinii pe sursa de alimentare prin rezistorul R
1
trece un curent mai mic i prin urmare,
tensiunea de ieire crete, ceea ce va determina un curent mai mare i prin stabilizatorul D
1
i jonciunea baz-
emitor a tranzistorului T
1
. Aceasta provoac mrimea polarizrii directe pe tranzistorul T
1
, ceea ce va face s
creasc curentul din circuitul emitor-colector, care se culege de la sursa de alimentare. n continuare, curentul
mai mare trece prin rezistorul din emitor R
2
, ceea ce provoac creterea cderii de tensiune pe acesta.
Polarizarea direct a tranzistorului T
2
crete i curentul mai mare se scurge n circuitul emitor-colector din sursa
de alimentare. Acest curent care se mrete prin tranzistoarele T
1
i T
2
produce creterea cderii de tensiune pe
rezistorul R
1
, ceea ce face s scad tensiunea de ieire a sursei de alimentare. n acest fel are loc compensarea
abaterii iniiale a tensiunii de ieire. Astfel de stabilizator paralel cu tranzistoare se poate utiliza pentru tensiuni
mai mari sau mai mici dect tensiunea diodei stabilizatoare.

Schema sursei paralele a stabilizatorului pentru formarea tensiunilor de ieire care depesc
tensiunile diodei Zener se arat n figura 2.9.
Dac se neglijeaz influena rezistenei R
S
sau dac se consider c tensiunea iniial este tensiunea n
punctul de legtur a rezistenelor R
S
i R
1
, atunci tensiunea de ieire este determinat de raportul rezistenelor
R
1
/ R
2
sau (R
1
+R
2
) / R
2
. Spre exemplu, dac rezistenele R
1
i R
2
au aceeai valoare, atunci tensiunea de ieire
depete de dou ori tensiunea diodei Zener.

Fig. 2.9. Stabilizator paralel de tensiune

Rezistorul R
3
este destinat pentru compensarea abaterii alimentrii schemei de stabilizare. Valoarea
mare a rezistenei R
3
conduce la supracompensare, iar valoarea prea mic a acesteia poate s nu compenseze
complet. Valoarea rezistenei R
3
se determin de obicei experimental cu ajutorul poteniometrului.

Schema stabilizatorului paralel care asigur tensiuni de ieire mai mici dect tensiunea diodei
Zener se arat n figura 2.10.
Poteniometrul R
2
se folosete ca divizare variabil de tensiune i stabilete valoarea tensiunii stabilizate de
ieire.

Fig.2.10. Stabilizator paralel de tensiune mai mic dect tensiunea stabilitronului

Polarizarea direct a tranzistorului T
1
este determinat de cderea de tensiune pe rezistorul R
1
(sau de
curentul prin aceasta). Dac ns tensiunea sursei are tendine de cretere, atunci prin D
1
i rezistorul R
1
curge
curent mare care face s creasc polarizarea direct a tranzistorului T
1
. Acesta cretere de curent n circuitul
colector-emitor al tranzistorului T
1
, care curge de asemenea i prin rezistorul R
S
, produce cdere mare de
tensiune pe rezistorul R
S
, face s creasc cderea de tensiune fie rezistena tensiunii sursei se compenseaz.

2.3.2 Stabilizatoare serie de tensiune
Aceasta schem se folosete de obicei n cazurile cnd este necesar asigurarea stabilizrii tensiunii la
variaii mari de curent. Schema acestui stabilizator se prezint n figura 2.11.Tranzistorul T
1
este cuplat n serie
cu ieirea sursei de alimentare i cu rezistorul serie R
1
. El acioneaz ca rezistor variabil serie, a crui curent
curge prin circuitul colector emitor. Acest curent trece i prin rezistorul R
2
i dioda D
1
, care i determin
tensiunea pe baza tranzistorului T
1
. Tensiunea n baza tranzistorului T
1
este determinat de curentul care curge
prin rezistorul R
2
. Aceast tensiune de baz rmne fixat n raport cu borna pozitiv a sursei de alimentare,
ns se modific n raport cu borna negativ a acesteia.

Fig.2.11. Schema serie de stabilizare

La creterea deplasrii directe n circuitul baz emitor a tranzistorului T
1
se micoreaz rezistena
emitor colector, care este cuplat n serie cu ieirea sursei de alimentare. Aceasta la rndul ei provoac
creterea cderii de tensiune pe rezistena emitor colector i mrete tensiunea de ieire a sursei de alimentare.
Spre exemplu, dac se mrete sarcina pe sursa de alimentare, atunci curentul mai mare ncepe s curg prin
rezistorul serie, precum i prin rezistena de emitor colector a tranzistorului T
1
, care ar duce la micorarea
tensiunii de ieire a sursei de alimentare. n aceste condiii curentul mai mic curge prin dioda D
1
i rezistorul R
2

mrind n acest fel polarizarea direct a tranzistorului T
1
. La rndul ei mrirea rezistenei emitor colector a
tranzistorului T
1
mrete tensiunea sursei de alimentare.
Cu toate c funcionarea elementelor cu semiconductoare nu este legat de tensiuni mari, exist totui
posibilitatea utilizrii acestor scheme pentru stabilizarea surselor de alimentare, care au la ieire
tensiuni mari. O asemenea schem se prezint n figura 2.12.

Fig.2.12. Schem de stabilizare a tensiunilor nalte

Tranzistorul T
1
este cuplat n serie cu ieirea sursei de alimentare i acioneaz ca rezistor variabil serie.
Curentul trece prin rezistorul R
1
care determin tensiunea n baza tranzistorului T
1
. Aceast tensiune este
determinat de curentul care curge prin rezistorul R
1
i prin circuitul emitor -colector a tranzistorului T
2
. La
micorarea polarizrii directe pe tranzistorul T
1
rezistena sa de emitor-colector cuplat n serie cu sursa de
alimentare crete. Aceasta duce la apariia cderii mari de tensiune pe rezistena emitor -colector i micoreaz
tensiunea de ieire a sursei de alimentare. Curentul circuitului emitor colector a tranzistorului T
2
se determin
de tensiunea existent pe rezistorul R
2
care l polarizeaz direct. Aceast tensiune este dat de curentul
circuitului emitor colector al tranzistorului T
3
. Tensiunea pe emitorul tranzistorului T
2
se menine fix, pentru
c este determinat de dioda D
1
. Tranzistoarele T
3
i T
4
se folosesc pentru stabilirea tensiunii de comand a
circuitului de stabilizare. Tensiunea pe baza tranzistorului T
4
se menine fix cu ajutorul diodei D
2
. Curentul
circuitului emitor-colector al tranzistorului T
4
rmne constant, iar tensiunea de emitor fix. Pentru c emitorul
tranzistorului T
3
este legat direct cu emitorul tranzistorului T
4
, atunci acesta de asemenea lucreaz cu tensiune
fix. Tensiunea pe baza tranzistorului T
3
se modific n funcie de tensiunea de ieire a sursei de alimentare.
Dac ns se modific tensiunea de ieire a sursei de alimentare atunci se modific i polarizarea direct a
tranzistorului T
2
, care conduce la modificarea cderii de tensiune pe rezistorul R
2
. Aceast oscilaie a deplasrii
directe pe baza tranzistorului T
2
provoac oscilaii n circuitul emitor-colector. Pentru c, curentul circuitului
emitor-colector a tranzistorului T
2
trece i prin rezistorul R
1
cderea de tensiune pe acesta se schimb, fcnd ca
tensiunea pe baza tranzistorului T
1
s fie mai mult sau mai puin negativ. Aceasta schimb polarizarea direct a
tranzistorului T
1
i rezistena circuitului emitor-colector cuplat n serie cu ieirea sursei de alimentare. La
rndul ei aceasta conduce la apariia cderii de tensiune mai mari sau mai mici pe rezistena circuitului emitor-
colector i schimb tensiunea de ieire a sursei de alimentare astfel c, creterea sau scderea tensiunii iniiale
este compensat. Tensiunea de ieire a sursei de alimentare se stabilete cu ajutorul poteniometrului R
3
care
formeaz tensiunea de polarizare pe baza tranzistorului T
3
. n condiii reale tensiunea la ieirea sursei de
alimentare se controleaz cu voltmetru, cuplat la contactele sale de ieire (de obicei cu sarcina cuplat) i se
stabilete la valoarea necesar cu ajutorul poteniometrului R
3
.

2.3.3 Stabilizatoare de tensiune cu curent mare de sarcin
Dac este necesar meninerea stabilizrii n cazul curentului foarte mare i ntreg acest curent trece
printr-un singur tranzistor serie, atunci acest tranzistor poate s nu asigure disipaia corespunztoare a cldurii
degajate, chiar i n cazul montrii acesteia pe radiator. n aceast situaie tranzistorul se poate defecta. Pentru
rezolvarea acestei probleme este necesar s se cupleze cteva tranzistoare n paralel. Acest ansamblu de
tranzistoare se cupleaz apoi n serie cu sursa de alimentare aa cum se arat n figura 2.13.
Tranzistoarele T
3
-T
6
cuplate n serie cu tensiune sursei de alimentare i n paralel ntre ele acioneaz ca
rezistoare variabile serie. Curentul se mparte n mod egal ntre aceste patru tranzistoare astfel c fiecare
dintre acestea degaj un sfert din puterea total.

Fig.2.13. Schem de stabilizare a tensiunii la curent mare de sarcin

La baza tranzistorului T
1
se aplic tensiunea fixat (n raport cu emitorul) care este determinat de dioda
D
1
. ns tensiunea circuitului emitor-colector a tranzistorului T
1
se schimb simultan cu schimbarea tensiunii
sursei de alimentare. Dac ns dintr-o anumit cauz sa modificat tensiunea sursei de alimentare, atunci acesta
provoac modificarea tensiunii pe rezistorul R
2
i a polarizrii directe a tranzistorului T
2
. La rndul su se
modific curentul care curge prin rezistorul R
3
. Datorit faptului c tensiunea pe rezistorul R
3
determin
deplasarea direct pe toate cele patru tranzistoare T
3
-T
6
, atunci acesta determin mrirea rezistenei realizate de
tranzistoarele T
3
-T
6
. Modificarea cderii pe tranzistoarele T
3
-T
6
provoc o asemenea deplasarea tensiunii de
ieire a sursei de alimentare care compenseaz modificarea iniial a tensiunii. Tensiunea de ieire a sursei de
alimentare se stabilete prin reglarea poteniometrului R
2
, care determin polarizarea direct a bazei
tranzistorului T
2
.

2.4 Scheme de stabilizare a curentului

Aceste scheme servesc la meninerea unui curent constant la ieire, n prezena variaiilor sarcinii,
tensiunii de la reea i a temperaturii ambiante.
Pentru stabilizarea sursei de alimentare se pot utiliza dispozitive semiconductoare astfel c, aceasta s
furnizeze un curent de valoare constant. Schema acestui stabilizator de curent se prezint n figura 2.14.

Fig.2.14. Schema de stabilizare a curentului

Tranzistorul T
1
ndeplinete rolul de element de reglaj serie sau rezistor serie variabil n circuitul de
ieire al sursei de alimentare. Exist dou ramuri paralele de parcurgere a curentului. O ramur este format din
dioda stabilizatoare D
1
cuplat n serie cu rezistorul de polarizare R
3
. O alt ramur este format din rezistorul R
1

i tranzistorul T
1
. Dac apare modificarea curentului de ieire a sursei de alimentare, atunci se modific i
curentul prin rezistorul R
3
i polarizarea direct pe tranzistorul T
1
. La rndul ei se modific rezistena circuitului
emitor-colector a tranzistorului T
1
, care i asigur corectarea mrimii curentului care trece prin acesta. Efectul
util al acestui mod de cuplare const n aceea c oricrei schimbri a curentului prin rezistorului R
3
i
corespunde modificarea egal ca valoare dar contrar ca sens a curentului prin tranzistorul T
1
. Curentul de ieire
la aceast schem este determinat de poteniometrul R
1
. Curentul ns rmne constant (n anumite limite),
indiferent de modificrile oarecare ale rezistenei de sarcin. De menionat ns c tensiunea de ieire a sursei se
schimb mpreun cu modificarea sarcinii.

2.5 Scheme de protecie la suprasarcin

Majoritatea stabilizatoarelor de tensiune funcioneaz cu limitare de curent. Aceasta nseamn c atunci
cnd curentul de sarcin depete o anumit valoare (fix sau reglabil) tensiunea de ieire ncepe s scad
tinznd rapid spre zero, pe msur ce curentul crete.
Suprasarcinile la stabilizatorul serie pot conduce la scoaterea acestuia din funciune. Acesta se produce
ca urmare fie a aplicrii tensiunii nalte de intrare fie sarcinii prea mare la ieire. n orice caz tranzistorul serie
iese din funciune. Orice aplicare de lung durat a tensiunii nalte de intrare duce la strpungerea primului
element al sursei iniiale de alimentare (dac stabilizatorul serie a fost elaborat la condiiile limit de
funcionare). Pe de alt parte, sarcina prea mare la ieire (rezisten mic a sarcinii i curent mare de ieire)
reprezint totui situaii banale (deranjamente de acest tip pot s apar la scurtcircuitarea ntmpltoare a
contactelor de ieire ale stabilizatorului). Stabilizatorul serie poate fi dotat cu o oarecare protecie la suprasarcini
datorate curentului de sarcin prea mare.
n figura 2.15 se prezint schema de protecie la suprasarcini utilizate la stabilizatoarele serie.

Fig.2.15. Protecia la suprasarcin a stabilizatorului serie

Funcionarea schemei de protecie la suprasarcini este determinat de tensiunea pe rezistorul R
3
. ntreg
curentul de sarcin curge prin rezistorul R
3
i creeaz pe acesta cderea corespunztoare de tensiune.
Cnd curentul de sarcin este mai mic de o anumit valoare (la nivelul nepericulos sau puterea este mai
mic dect puterea maxim calculat a stabilizatorului serie) cderea de tensiune pe rezistorul R
3
este
insuficient pentru aplicarea polarizrii directe pe tranzistorul T
2
. Prin urmare, tranzistorul T
2
rmne n regim
de blocare atta timp ct curentul de sarcin se gsete la nivelul nepericulos.
Pentru tranzistoarele cu siliciu T
2
i dioda D
1
cderea de tensiune pe rezistena R
3
V 1 , 1 pentru curentul
maxim de sarcin, tensiunea de ieire tensiunea de ieire a stabilitronului-1V, curentul i puterea de ieire sunt
aceleai ca ale stabilizatorului:

S 2
R 10 R pentru curentul maxim de sarcin;

i
i
S
I
U
R ;
Mi
3
I
V 1 , 1
R ; ( )
3
2
Mi R
R I P
3

unde: R
S
= rezistena de sarcin pentru curentul maxim; U
i
= tensiunea de ieire; I
i
= curentul de sarcin;
I
Mi
= curentul maxim de sarcin (n A); P
R3
= puterea rezistenei R
3
.
n cazul utilizrii diodei de siliciu D
2
, cderea de tensiune ntre contactul de ieire i emitorul
tranzistorului T
2
este de circa 0,5V. Similar pentru cuplarea tranzistorului de siliciu T
2
este necesar cderea de
tensiune de 0,5V. n acest fel, cderea de tensiune pe rezistorul R
3
trebuie s fie de aproximativ 1V sau mai
mult (n caz tipic 1,1V) nainte ca tranzistorul T
2
s se cupleze nominalul rezistorului R
3
se alege din
considerentul, c aceast cdere de tensiune s fie de 1,1V la nivelul maxim admis al curentului de sarcin.
La cuplarea tranzistorului T
2
, o parte din curentul prin rezistorul R
1
trece i prin tranzistorul T
2
i prin
urmare, se culege o parte din curentul bazei tranzistorului T
1
. Tranzistorul T
1
se gsete n regim de blocare (sau
parial de blocare) i n acest fel se prentmpin (sau se limiteaz), curentul care trece prin sarcin. Atunci cnd
parametrii sarcinii se stabilizeaz, cderea de tensiune pe rezistorul R
3
devine mai mic dect 1,1V i
tranzistorul T
2
se decupleaz. Tranzistorul T
2
funcioneaz la tensiunea total de ieire, ns condiiile n ceea ce
privete curentul (sau puterea) nu depesc condiiile corecte pentru tranzistorul T
1
. n afara regimului de
suprasarcin, tranzistorul T
2
se gsete n stare decuplat. La suprasarcini curentul prin tranzistorul T
2
este
limitat de rezistena R
2
din circuitul de emitor.

2.6 Scheme de transformare a tensiunii continue
Dispozitivele semiconductoare pot fi utilizate destul de eficient n schemele de transformare a tensiunii
continue pentru nlocuirea dispozitivelor vibratoare din convertoarele mecanice i la invertoare. De obicei
termenul de invertor se refer la schema, care se folosete pentru transformarea puterii de curent continuu n
putere de curent alternativ. Dac ns n continuare acest semnal de ieire alternativ se redreseaz i se filtreaz,
adic la ieire se formeaz din nou semnalul de curent continuu, atunci aceast schem se numete convertor
(transformator de tensiune continu).
Invertorul comutabil n doi timpi reprezint cea mai rspndit schem de transformare a puterii. n
acest caz semnalul acesteia de ieire are forma dreptunghiular. Cnd invertorul este destinat transformrii
curentului continuu n curent continuu, tensiunea dreptunghiular se aplic de obicei la redresorul n punte i la
filtru.

2.6.1 Convertor cu reacie invers pe un transformator

n fig.2.16. se arat schema convertorului reacie invers pe transformator care asigur puterea de ieire
n diapazonul de la 15 la 55 W.
Orice dezechilibru de tensiune n aceast schem face ca unul din tranzistoare (spre exemplu tranzistorul
T
1
) s nceap s conduc un curent oarecare. n continuarea procesului comut tranzistorul T
2
n stare
decuplat iar tranzistorul T
1
n stare de saturaie. Curentul de colector al tranzistorului T
1
se mrete. Pe timpul
ct se produce saturaia, miezului transformatorului TR
1
, curentul colectorului tranzistorului T
1
crete rapid i se
limiteaz numai de rezistena din circuitul de colector i de parametrii proprii ai tranzistorului Tensiunea indus
n bobina transformatorului TR
1
cnd miezul este saturat este egal cu zero. Datorit acestui fapt dispare
excitaia din baza tranzistorului T
1
, acesta se decupleaz i curentul su de colector scade la zero.
Cnd ns miezul ajunge la saturaia sa negativ, tranzistorul T
2
se decupleaz i curentul su devine nul,
caz n care se cupleaz tranzistorul T
1
. Ciclul nou ncepe de fiecare dat atunci cnd se atinge nivelul de
saturaie la unul din cele dou tranzistoare. n schem sunt introduse rezistoarele R
B
i R
S
, care stabilesc
polarizarea pe bazele ambelor tranzistoare T
1
i T
2
.

Fig.2.16. Convertor pe un singur transformator

Parametrii convertorului sunt: - tensiunea de intrare 12V;- tensiunea de ieire 100V, - puterea 55W, - N
1
=29
spire;N
2
=275 spire; N
B
=6 spire.

Aceast polarizare asigur curentul iniial i reduce influena oscilaiilor tensiunii n circuitul baz
emitor. Frecvena de comutare este determinat de construcia transformatorului TR
1
. Tensiunea de ieire pe
nfurarea secundar se redreseaz cu ajutorul punii redresoare i se filtreaz cu condensatorul C
1
.

2.5.2 Convertor cu dou transformatoare
n figura 2.17. se prezint o schem ce conine dou transformatoare, care asigur puterea de ieire n
diapazonul de la 100 la 250 W. Cu toate c se folosesc dou transformatoare, numai transformatorul TR
1

lucreaz n saturaie. Prin urmare, curentul suplimentar necesar pentru saturare este mult mai mic dect curentul
de sarcin. Aceasta permite utilizare transformatorului prealabil relativ de dimensiuni mici (cu miez care se
satureaz) pentru stabilizarea regimului transformatorului de putere de dimensiuni mari, relativ necostisitor TR
2

(cu miez nesaturabil), care mrete tensiunea de ieire pn la valoarea necesar.

Fig.2.17. Convertor cu dou transformatoare

Parametrii convertorului sunt: tensiunea de intrare = 12 V, tensiunea de ieire = 500 V, puterea = 250 W; TR
1
:
N
1
=35 spire, N
2
=140 spire; TR
2
: miez magnetic E1-125; nfurarea primar 28 de spire, nfurarea secundar
623 de spire. Spirele n straturi: nfurarea primar 7/4, nfurarea secundar 63/10. Dimensiunile
conductoarelor: nfurarea primar-2 paralele nr. 13, bobinare bifilar; nfurarea secundar nr. 24;
Dimensiunile miezului A = 30 mm, B = 95 mm, C = 80 mm, D
1
= 16 mm, D
2
= 16 mm, D
3
= 48 mm.
Cnd unul dintre tranzistoare (spre exemplu tranzistorul T
1
) conduce curent, tensiunea sa de colector
variaz de la tensiunea sursei de alimentare pn la valoarea nul (de saturaie). Aceast tensiune se dezvolt n
nfurarea primar a transformatorului TR
2
i se aplic pe nfurarea primar a transformatorului TR
1
prin
rezistorul de reacie invers R
F
. n acest fel de la tranzistorul T
2
polarizarea se elimin, iar tranzistorul T
1
ncepe
s conduc curent. n momentul cnd miezul transformatorului T
1
atinge saturarea, acest curent care crete
provoac cderea suplimentar de tensiune pe rezistorul R
F
i provoac saturaia tranzistorul T
1
i blocarea
tranzistorului T
2
. Tranzistorul T
2
continu s rmn n aceast stare pn cnd se atinge saturarea invers a
transformatorului. n continuare schema se comut n starea iniial i ciclul se repet.
Curentul de colector al tranzistorului n conducie se compune din curentul sarcinii, curentul de
magnetizare al transformatorului TR
2
i curentul de reacie invers, necesar pentru excitarea corespunztoare a
schemei. Curentul de magnetizare a transformatorului TR
2
nu depete niciodat curentul nominal de sarcin,
pentru c nu se admite regimul de saturaie al transformatorului TR
2
. Rezistoarele R
B
i R
S
sunt destinate pentru
stabilirea polarizrii n bazele tranzistoarelor T
1
i T
2
. Aceast polarizare asigur curentul iniial i micoreaz
influena oscilaiilor tensiunii n circuitul baz-emitor. Frecvena de comutare este determinat de construcia
transformatorului TR
1
i de valoarea rezistorului de reacie invers R
T
.
3. Amplificatoare

3.1. Noiuni generale

Circuitul n care semnalul de la intrare, de mic putere comand transmiterea unei puteri mult mai mari
din sursa de alimentare n sarcin, se numete amplificator.
Amplificatoarele se pot realiza cu elemente amplificatoare semiconductoare sau cu tranzistori bipolari i
cu efect de cmp. n acelai scop se folosesc i circuitele integrate amplificatoare care ncorporeaz totalitatea
componentelor de baz ale schemei electronice. Celula de baza cea mai simpl care realizeaz amplificarea se
numete etaj amplificator.
Semnalele electrice emise la intrarea amplificatoarelor pot fi de mrime variabil n mod continuu, n
mod particular sub forma oscilaiilor armonice, precum i sub forma impulsurilor de polaritate diferit. Se poate
considera ca n regimuri stabilizate, majoritatea mrimilor fizice sunt constante sau sunt variabile, cum sunt spre
exemplu tensiunea si frecvena reelei, viteza de rotire a motorului, presiunea apei la hidrocentrale. n regimuri
tranzitorii, i ndeosebi n caz de avarie, aceleai mrimi fizice se pot modifica rapid.
Un amplificator poate fi considerat ca un cuadripol i reprezentat ca n figura 3.1.

Fig.3.1. Reprezentarea unui amplificator schema cuadripolar

Cele mai des utilizate n practic sunt amplificatoarele care pot funciona att cu semnale variabile ct i
cu semnale continue sau lent variabile. Aceste amplificatoare se numesc de curent continuu, cu toate c ele
amplific i componenta alternativ i n marea lor majoritate ele sunt amplificatoare de tensiune i nu de
curent. Amplificatoarele de curent continuu nu pot lega sursa de alimentare cu receptorul de semnal prin
transformatoare i capaciti care nu permit trecerea componentei continue a semnalului. Aceast dificultate la
prima vedere este rezolvat prin soluii tehnice astfel nct microelectronica realizeaz n cadrul circuitelor
integrate semiconductoare totalitatea componentelor necesare amplificatoarelor de curent continuu.

3.1.1.Clasificarea amplificatoarelor

Dup banda de frecven se mpart n:
Amplificatoare de curent continuu, care amplific semnale cu variaie n timp orict de lent;
Amplificatoare de joas frecven, cu banda de funcionare cuprins ntre 20Hz-20kHz;
Amplificatoare de videofrecven sau band larg funcionnd de la frecvene de ordinul hertzilor pn
la ordinul MHz;
Amplificatoare de radiofrecven, care amplific semnale de frecvene foarte nalte.

Dup lrgimea benzii de frecven exist:
Amplificatoare aperiodice sau neacordate, care permit amplificarea unor semnale cuprine ntr-o band
larg de frecvene;
Amplificatoare selective sau acordate, care amplific semnale ntr-o band ngust de frecvene;

Dup mrimea semnalului amplificat se disting:
Amplificatoare de semnal mic (amplificatoare de curent sau de tensiune) ;
Amplificatoare de semnal mare (amplificatoare de putere).

Clasificarea amplificatoarelor se poate face du regimul de funcionare al dispozitivului electronic
amplifictor i anume: amplificatoare clas A, clas B sau clas C. Deosebirea dintre ele se face dup durata
de conducie a dispozitivului electronic amplificator ntr-o perioad(2) a semnalului amplificat.

3.1.2. Amplificarea

Amplificarea sau ctigul se definete ca raportul dintre mrimea semnalului de ieire a amplificatorului
i mriea semnalului de intrare, i poate fi de tensiune, curent sau putere. Amplificarea este o mrime care
depinde de frecvena semnalului de intrare, datorit dispozitivelor electronice care prezint reactane n
circuitele lor echivalente, precum i a folosirii n schemele amplificatoarelor de elemente reactive, astfel se
poate scrie expresia: A= Ae
j
unde A reprezint modului amplificrii, iar defazajul ntre mrimile de intrare i ieire. Valoarea amplificrii
se poate exprima adimensional sau n uniti logaritmice: decibeli sau neperi.

3.1.3. Distorsiunile amplificatoarelor

Distorsiunile de amplitudine
Datorit dependenei de frecven a modulului amplificrii, componentele de diferite frecvee ale
semnalului vor fi neuniform amplificate, aprnd distorsiuni de amplitudine. Aprecierea distorsiunilor de
amplitudine se face cu ajutorul valorii normate M a amplificrii: M=
o
A
A
, unde A
o
se numete amplificarea la
frecvene medii sau centrale.
Distorsiunile de faz
ntre rspunsul amplificatorului i semnalul de intrare exist un defazaj, datorat att elementelor reactive
din circuit ct i datorit dispozitivului electronic. Distorsiunile de amplitudine i de faz se numesc distorsiuni
liniare, deoarece sunt produse de elemente reactive din scheme i care au un comportament liniar.
Distorsiuni neliniare
Aceste distorsiuni apar datorit prezenei elementelor neliniare n circuitul amplificatorului ca:
dispozitive electronice, transformatoarele i bobinele realizate pe miezuri feromagnetica. Din aceast cauz,
dac la intrarea amplificatorului se aplic un semnal sinusoida, forma rspunsului se abate de la sinusoid, fiind
un semnal periodic, cu aceeai perioad ca a semnaluluide la intrare. De aceea poate fi descompus ntr-o serie
Fourier, de unde rezult c este format dintr-o component fundamental i o infinitate de armonici. Astfel, apar
la ieirea amplificatoarelor componente de frecvee care nu existau la intrare.

3.2. Amplificatoare cu tranzistoare bipolare

Un circuit amplificator primete la intare semnalul de amplificat, furnizat de un generator de semnal i
furnizeaz la ieire pe o sarcin un semnal amplificat. Funcionarea tranzistorului ca amplificator depinde de
modul su de conectare, de impedana intern a generatorului de semnal i de impedana de sarcin. Pentru
simplifiare se consider n continuare un generator de semnal cu impedana intern nul.

3.2.1. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar n conexiune emitor comun
3.2.1.1. Caracteristica de transfer a etajului cu tranzistor n emitor comun

n figura 3.2. se prezint schema amplificatorului cu emitor comun cu tranzistorul de tipul n-p-n.
Semnalul de intrare se amplific n baza tranzistorului sub forma tensiunii u
BE
i curentului i
B
.

Fig 3.2. Schema simpl de cuplare a tranzistorului nconexiune emitor comun

Relaia u
CE
= f(u
BE
) se numete caracteristica de transfer a etajului. Prin creterea tensiunii u
BE
crete
curentul i
B
precum i curentul i
C
conform relaiei:
i
C
= (+1)Ic
B
i + i
B
(3.1)
Ca rezultat se mrete cderea de tensiune pe rezistorul Rc i se micoreaz tensiunea:
u
CE
= Ec - R ic (3.2)
Cnd tensiunea u
CE
ajunge la valoarea U
CES
creterea n continuare a lui u
BE
nu mai provoac
modificarea tensiunii u
CE
si a curentului i
C
, care curge prin rezistena de sarcin Rc.
n acest regim, pe rezistena de sarcin R
C
se aplic tensiunea E
C
- U
CES
i din acest motiv curentul de
colector este egal cu: i
C
= I
CS
=
C
CES C
R
U E
(3.3)
Caracteristica de transfer a etajului arat c, prin variaia tensiunii u
BE
sau a curentului i
B
n circuitul de
mic putere a sursei de semnal se pot varia valorile curentului i
C
si a tensiunii u
CE
din circuitul sursei E
c
de mai
mare putere.

Fig. 3.3. Caracteristica de transfer a etajului cu tranzistor
n emitor comun

Tensiunea de colector se poate schimba numai in limitele:U
CES
= u
CE
= E
C
(3.4)
iar curentul in limitele: I
CBi
= i
C
=
C
CES C
R
U E
(3.5)
care corespunde seciunii a II-a pe caracteristica de transfer din figura alturat. Pentru valori negative ale lui
u
BE
si pe seciunea I a caracteristicii de transfer, prin tranzistor trece numai curentul mic recomandat al
jonciunii de colector, iar pe seciunea a III a, u
CE
= U
CES
iar tranzistorul i pierde calitatea de amplificator. De
asemeni, se constat din seciunea a II-a c prin creterea lui u
BE
se micoreaz u
CE
.
Regimurile de funcionare ale etajului de amplificare se numesc clase de amplificare i pot fi analizate
pe baza caracteristicii de transfer.
n figura de mai sus, la intrarea etajului se aplica semnalul de intrare u
int
(t) de forma oarecare cu ambele
polariti i forma tensiunii pe colector u
CE
(t) n diferite clase de amplificare.
Clasa de amplificare B este caracterizat de u
BE
= u
int
. Datorit neliniaritii caracteristicii de transfer a
etajului n clasa B, la ieirea acestuia se transmite semnalul numai de o singura polaritate pentru u
int
>0. Aceasta
clas de amplificare se folosete atunci cnd este necesar amplificarea impulsurilor de o singur polaritate.
n cazul transmiterii semnalului cu ambele polariti la intrare, forma acestuia la ieire este distorsionat, iar o
parte din informaia coninut n semnal este pierdut definitiv.
n cazul funcionrii etajului n clasa de amplificare A, la intrarea acestuia se aplic pe lng semnalul
u
int
(t) i o tensiune constant care deplaseaz punctul de lucru pe caracteristica de transfer, astfel nct:
u
BE
= u
int
+ U
d
(3.6)
Datorit tensiunii de deplasare, semnalul de intrare se poate reproduce n totalitate, fr distorsiuni de
form, pentru c valoarea lui u
BE
corespunde n mod continuu seciunii a II-a pe caracteristica de transfer.
Regimul de repaus corespunde regimului de funcionare al amplificatorului, cnd la acesta se aplic tensiunea
sursei de alimentare i tensiunea de deplasare, dar n lipsa tensiunii de semnal.
n acest regim, u
BE
= U
BEr
i i
B
= I
Br
iar u
CE
= U
CEr
. Cnd se aplic tensiunea u
int
negativ sau pozitiv, se
micoreaz sau respectiv se mresc curenii i
B
si i
C
precum i cderea de tensiune pe R
c
in mod corespunztor,
astfel nct u
CE
se mrete sau respectiv se micoreaz: u
CE
= U
CEr
+U
CE
, (3.7)

unde: U
CE
= u
iesire
reprezint efectul de amplificare.
n regimul de funcionare cu semnal mare la intrare, modificarea tensiunii de intrare cuprinde toate
seciunile caracteristicii de transfer (I-III), iar forma semnalului transmis este distorsionat i limitat n
amplitudine. Asemenea situaii sunt specifice n tehnica impulsurilor, unde limitarea amplitudinii impulsurilor
dreptunghiulare nu are urmri semnificative. Alegerea clasei de amplificare i a regimului de repaus determin
nu numai forma semnalului transmis, dar i pierderile de putere care produc nclzirea tranzistorului, astfel:
P
C
= dt i u
T
1
C
T
0
CE

(3.8)
Pe diagrama din figura 3.3. cu linie punctat se arat variaia puterii P n regim de repaus, n funcie de
tensiunea de deplasare U
BEr
. Se constat c prin alegerea valorii lui U
BEr
, n mijlocul seciunii a II-a, pe
caracteristica de transfer, corespunde pierderilor maxime de putere in tranzistor.

3.2.1.2. Regimul de repaus n etajul cu emitor comun

Pentru analiz se consider c etajul cu emitor comun funcioneaz n clasa A de amplificare.
Schema din figura 3.4 conine suplimentar rezistena sarcinii de colector R
CS
pe care se aplic tensiunea
de ieire u
ie
iar circuitul de intrare este reprezentat n mod convenional sub forma cuplrii n serie a dou surse
de tensiune u
int
i U
d
.
n figura 3.5 se prezint diagramele de timp ale tensiunilor i curenilor pentru etajul de amplificare cu
emitor comun. Cnd u
int
= 0, n regimul de repaus prin tranzistori exist curenii continui, I
Br
, I
Cr
, I
Er
, iar pe baza
i pe colectorul tranzistorului se aplic tensiunile continue U
BEr
, i U
CEr
0. Pentru ca U
ies
= 0, n regim de
repaus, n circuitul sarcinii R
S
este necesar introducerea sursei de tensiune continu, pentru compensare U
comp
= U
CEr
.
La aplicarea tensiunii de intrare, curenii i tensiunile n tranzistori se modific cu valorile U
BE
= u
int
,
I
B
, I
C
, I
E
, U
CE
= U
ies
, care sunt artate n figura 3.5 pentru cazul cnd semnalul la intrare are o form
oarecare. Valorile instantanee ale curenilor i tensiunilor n tranzistor se pot determina cu ajutorul metodei
grafice, care reprezint una dintre metodele eficiente de analiz a circuitelor neliniare.

Fig. 3.4. Etaj cu emitor comun Fig. 3.5. Diagramele de
timp ale curenilor i tensiunilor la etajul cu emitor comun

Caracteristica de ieire a schemei din figura 3.2. care conine un singur element neliniar - tranzistorul, se
determin astfel:
i
C
= f (u
CE
) pentru I
B
= constant (3.9)
Dac se consider c n circuitul de sarcin se cupleaz sursa tensiunii de compensare U
comp
= U
CEr
,
atunci n regim de repaus, curentul, n circuitul de sarcina (R
S
, U
comp
) nu se divide, iar ecuaia prii lineare a
schemei de serie este de forma:
i
C
=
C
CEr C
R
u E
(3.10)
Pentru realizarea sistemului de ecuaii compus din (3.9) i (3.10) se folosete metoda grafic n care scop
pe familia caracteristicilor de ieire ale tranzistorului (fig. 3.6) se traseaz linia de sarcin n curent continuu,
descris de ecuaia (3.10). Astfel, se obine c, pentru i
C
= 0, u
CE
= E
C
, iar pentru u
CE
= 0, i
C
=
C
C
R
E
. Prin aceste
dou puncte stabilite, se traseaz linia dreapt.
Dac curentul bazei n regim de repaus este I
Br
, atunci intersecia dreptei de sarcin pe curent continuu
cu caracteristica de ieire a tranzistorului pentru i
B
= I
Br
va corespunde soluiei de rezolvare a sistemului de
ecuaii, respectiv punctului de repaus O (U
CEr
, I
Cr
).

Fig. 3.6. Calculul grafic al etajului cu emiter comun - caracteristica de ieire cnd I
B
= I
Br
i este nclzire

n mod general condiia U
comp
= U
CEr
nu se ndeplinete i curentul de colector se mparte i prin
circuitul R
S
. n acest caz, partea linear a schemei compus din E
C
, R
C
, U
comp
, R
S
se nlocuiete cu valorile
rezistenelor i tensiunilor echivalente R
echiv
i E
echiv
, care se determin pe baza teoremei generatorului
echivalent astfel:
( )
S C
S C
echiv
R R
R R
R
+
=
|
|
\
|
+
+
=
C
C
S
echiv
S C
S C
echiv
R
E
R
U
R R
R R
E
Valorile lui R
echiv
i E
echiv
se introduc n locul lui R
C
i respectiv E
C
n ecuaia (3.10) i pe aceast baz
se construiete linia de sarcin n curent continuu.
Analiza grafic a etajului n prezena semnalului la intrare se face n mod analog. n acest scop se
urmrete circuitul de trecere al curentului I
C
prin partea linear a schemei. Acest curent poate trece prin R
C
i
E
C
, precum i prin U
comp
i R
S
. Avnd n vedere ca rezistena surselor de tensiune continu pentru modificarea
curentului I, adic rezistena acestora la aciunea componentei alternative a curentului este egal cu zero, iar
ecuaia prii lineare a schemei are forma:
I
C
=
( )
S C
S C CE
R R
R R U +
=
S C
CE
R R
U
) (3.11)
unde, R
C
R
S
reprezint valoarea rezistoarelor respective legate n paralel.
n continuare, se rezolv n comun ecuaiile (3.9) i (3.11) n care scop pe familia caracteristicilor de
ieire ale tranzistorului (fig.3.6.) se traseaz dreapta de sarcin pe curent alternativ AOB prin punctul de repaus
n concordan cu expresia (3.11). Pentru c R
C
>(R
C
R
S
), linia dreapta AOB este mai nclinat dect dreapta
de sarcina pe curent continuu.
Prin creterea curentului i
B
, punctul de lucru al etajului determinat de valorile lui u
CE
i i
C
, se deplaseaz
n sus pe dreapta OA, curentul i
C
crete iar tensiunea u
CE
scade. Prin micorarea curentului din baz, punctul de
lucru se deplaseaz pe dreapta OB, curentul i
C
scade iar tensiunea u
CE
crete. Dreapta AOB reprezint traiectoria
punctului de lucru al etajului.
Metoda grafic de analiz permite studierea neliniaritii caracteristicilor tranzistorului i permite
analiza aciunii semnalelor oarecare n orice clas de amplificare. Metoda grafic este totui greoaie i nu
permite alegerea parametrilor elementelor constitutive ale etajului pe baza condiiilor date apriori. Calitatea
esenial a metodei grafice de analiz const ns n aceea c ofer o reprezentare concludent asupra
funcionrii etajului ca schem cu elemente neliniare.
Trebuie de remarcat c prin creterea temperaturii, crete valoarea lui Icr iar caracteristica de ieire se
deplaseaz n sus prin meninerea egalitii I
B
= I
Br
, aa cum se vede n figura 3.6., cu linie ntrerupt. Punctul de
repaus se deplaseaz n sus pe linia de sarcin pe curent continuu din punctul O in O', ceea ce face ca
modificrile de semnal s ias din seciunea a II-a a caracteristicii de transfer (fig. 3.5.) iar forma curbei
semnalului s fie distorsionat (curba u
ies
n cazul nclzirii pe fig. 3.6.).
Datorit acestui fapt, la amplificatoarele cu tranzistoare este necesar stabilizarea punctului de repaus; n
mod practic nu se folosesc etaje cu tranzistoare fr msuri corespunztoare de stabilizare a punctului de repaus.
Aceast stabilizare este de asemeni necesar i pentru prevenirea situaiilor n care prin nlocuirea
tranzistoarelor se modific de regul regimurile de lucru, datorit faptului c marja de variaie a caracteristicilor
tranzistoarelor este mare in jurul datelor de catalog.

3.2.1.3. Reacii inverse i stabilizarea regimului de repaus

Pentru stabilizarea regimului de repaus se introduce legtura de reacie invers care se refer la
transmiterea informaiei sau energiei de la ieirea etajului sau sistemului la intrarea acestuia. Cu ajutorul
legturii inverse se pot obine scheme noi, cu caliti deosebite. Teoria legturilor inverse constituie baza teoriei
reglrii automate. Semnalul de legtura invers depinde de unul din parametrii de ieire ai instalaiei de
tensiune, de curent, de frecvena de rotire a motorului, de temperatur, i altele. La intrarea schemei are loc
nsumarea semnalului de intrare i a semnalului de legtur invers. Dac aceste semnale se nsumeaz astfel
nct tensiunile lor se nsumeaz algebric, atunci legtura invers se numete n serie. Dac se nsumeaz
curenii algebric, atunci legtura invers este paralel. Dac la intrare se adun semnale de semne diferite,
legtura invers este negativ, iar semnalul rezultat este mai mic dect semnalul de la intrare. n acest caz,
semnalul la ieire se micoreaz ns sporete stabilitatea mrimii de ieire.
n cazul legturii inverse pozitive la intrare, se aplic suma semnalului de intrare i semnalul invers.
Semnalul la ieire se mrete, dar stabilitatea parametrilor de ieire scade. Reacia invers pozitiv se folosete
pentru accelerarea proceselor tranzitorii precum i n schemele generatoarelor si ale instalaiilor cu funcionare
n impulsuri.
Pentru stabilizarea punctului de repaus al etajului cu emitor comun, se introduce in schema acestuia
rezistorul R
E
pe care cade tensiunea u
E
= i
E
R
E
i
C
R
E
i care se aplic la intrarea tranzistorului astfel:
U
BE
= u
in t
+ U
d
- u
E
(3.12)
Tensiunea u
E
reprezint semnalul de reacie invers care este proporional cu curentul de ieire a
tranzistorului i
E
i
C
, adic n cazul dat, reacia invers este pe curent. La intrare se produce scderea tensiunilor,
din care motiv reacia invers este de tip serie i negativ.
S-a artat c prin nclzirea tranzistorului se mrete i I
Cr
, datorit crui fapt crete componenta
continu a tensiunii de reacie invers : U
Er
= I
Er
R
E
I
Cr
R
E

n conformitate cu (3.12), -U
BEr
= U
d
U
Er
se micoreaz, se reduce tensiunea direct pe jonciunea de
emitor i, ca rezultat, se micoreaz curenii tranzistorului I
Br
, I
Cr
i I
Er
.
Astfel, reacia invers stabilizeaz curenii tranzistorului n regim de repaus, cu att mai mult cu ct este
mai mare R
E,
pentru c n acest fel crete semnalul de reacie invers. Stabilizarea punctului de repaus se face
ns cu pierderi. Astfel, cnd la intrarea etajului se aplic semnal de intrare pozitiv, sau negativ u
int
, se mresc
sau respectiv se micoreaz curenii i
E
si i
C
, precum i cderea de tensiune pe R
E
care reprezint semnalul de
reacie invers.
Din expresia (3.12) se determin modificarea de tensiune dintre baz i emitor:
U
BE
= u
int
- U
E
Tranzistorul se comand cu tensiunea | U
BE
| < |u
int
|, din care cauz I
B
, I
C
i U
CE
devin mai mici,
se micoreaz astfel i u
ies
i coeficientul de amplificare al etajului
Pentru limitarea aciunii negative a reaciei inverse asupra amplificrii etajului, se limiteaz n practic
tensiunea U
Er
la nivelul de maximum 0,1 E
C
, chiar dac i n acest caz aciunea reaciei inverse este suficient de
mare. Contradicia dintre cerinele de stabilitate ale punctului de repaus i de obinere a unei amplificri ct mai
mari, se rezolv n etajul diferenial.
La alegerea punctului de repaus n clasa A este necesar eliminarea distorsiunilor semnalului n care
scop traiectoria punctului de lucru trebuie limitat la sectorul AOB din figura 3.6.
n acest caz, puterea dirijat pe tranzistor trebuie sa fie minim. Pentru ndeplinirea acestor condiii este
suficient alegerea urmtoare:U
CEr
= U
CES
+U
C r
+ U
iemax
(3.13)
I
Cr
= (+1)I
Cbi
+ U
iesmax
/(R
C
R
S
) (3.14)
unde, U
CES
este valoarea tensiunii care corespunde interseciei sectorului de cretere rapid a caracteristicilor de
ieire ale tranzistorului; U
Cr
este rezerva la deplasarea punctului de repaus O, datorit nclzirii; U
iesmax
este
amplitudinea maxim a semnalului de ieire.
Prin respectarea relaiilor (3.13) i (3.14), traiectoria punctului de lucru a etajului nu depete domeniul
u
C
>U
CES
, i
C
>i
CBi
(+1) care corespunde sectorului II pe caracteristica de transfer din fig 3.5. att pentru
temperaturi minimale ct si maximale.
Cnd: U
comp
= U
CEr

atunci I
Cr
=
C
Er CEr C
R
U U E

Rezistena din circuitul colectorului se determin din rezolvarea acestei ecuaii mpreun cu (3.14.) astfel:

( )
S
max ie
CBi
max ie CEr C
C
R
U
1 I
U U E
R
+ +

=

3.2.1.4. Schema echivalent i parametrii principali ai etajului cu emitor comun
Pentru calculul parametrilor de amplificare a etajelor se folosete metoda bazat pe liniarizarea
caracteristicilor volt-amper a tranzistorului. Prin metoda liniarizrii caracteristicilor neliniare, se pierd
informaii despre elementul real i despre limitrile determinate de neliniaritate. Analiza amplificatoarelor se
poate face numai pentru componentele alternative de curent si tensiune, n clasa de amplificare A.
Pentru calculul componentelor alternative, elementul de amplificare se nlocuiete cu schema linear
echivalent. n zona n care caracteristicile de ieire sunt paralele cu abscisa, tranzistorul funcioneaz ca surs
de curent i
C
, a crei variaie se poate scrie sub forma: I
C
= I
B
+
*
C
CE
r
U

(3.15)
unde: r
C*
=
C
CRE
I
U
(3.16)
este rezistena dinamic de ieire a tranzistorului cu emitor comun cnd I
B
= constant, cauzat de nclinarea
seciunii caracteristicilor de ieire. Rezistena r
C*
este de ordinul10
4
.
n acest fel, circuitul de ieire, de colector a tranzistorului reprezint o surs comandata de curent cu
rezistena intern egala cu r
C*.
Circuitul de intrare n baza tranzistorului este descris de ecuaia urmtoare:
I
B
=
E int
BE
r
U
, (3.17)
unde, r
intE
este rezistena dinamic de intrare a tranzistorului cu emitor comun. Pentru tranzistoarele de putere
mic, aceast rezisten are valoarea de ordinul 10k, iar pentru tranzistoarele de putere, ea este mai mic.
Schema echivalent a tranzistorului pentru componentele alternative se prezint n figura 3.7:

Fig. 3.7. Schema de substituie a tranzistorului cu
emitor comun pe component alternativ

Schema are o serie de avantaje fa de alte scheme de substituie, prin aceea c parametrii ei se
determina relativ uor din caracteristicile volt-amper a tranzistorului, reprezentarea elementelor din schem
corespunde unitilor de msur a mrimilor respective, iar formele de calcul sunt simple i corespund
interpretrii fizice.
(a)
(b)
Fig. 3.8. Schema de substituie a tranzistorului cu emiter comun pe component alternativ: cu parametrii h -
(a); cu parametrii fizici- (b)
Etapele de calcul pentru componentele variabile ale curenilor i tensiunilor etajului este urmtoarea:
Se nlocuiete tranzistorul cu schema de substituie din figura 3.7.
Se nlocuiete partea linear a schemei etajului cu rezistenele
echivalente pentru curentul alternativ, avnd n vedere c sursele de tensiune constant (E
C
, U
d
, U
comp
) pentru
componenta variabil a curentului au rezistena nul i deci se pot pune n scurt-circuit.
Se calculeaz pe baza schemei de substituie obinut a etajului, parametrii electrici ai circuitului linear
prin metode cunoscute.
n figura 3.9a, se prezint schema de substituie a etajului cu emitor comun pe baza figura 3.4.

(a) (b)
(b)
La colectorul tranzistorului se cupleaz n paralel rezistoarele R
C
(sursa E
C
prin scurtcircuitarea
punctelor 1 i 2 din figura 3.4) i R
S
(prin scurtcircuitarea U
comp
) la emitor se cupleaz rezistorul R
E
, iar ntre
baz i punctele 1,2 se cupleaz sursa semnalului de intrare. Pe baza schemei de substituie a etajului din fig.3.9
a, se determin parametrii care caracterizeaz calitile lui de amplificator, fr a lua n considerare influena lui
r
C*
datorit faptului c valoarea acesteia este mare.

Determinarea rezistenei de intrare

Se definete rezistena de intrare prin relaia:
R
int
=
int
int
i
u
(3.18)
u
int
=I
B
r
intE
+ I
E
R
E
= I
B
[r
intE
+(+1)R
E
], (3.19)
pentru c I
E
= I
B
+I
C
= (+1) I
B.
(3.20)

Astfel: R
int
= r
intE
+ (+1)R
E
(3.21)

Cnd R
E
=0, adic atunci cnd etajul nu are stabilizare a punctului de repaus, R
int
= r
intE
Valoarea lui R
int
la etajele cu emitor comun de putere mic, este de ordinul a 10k.

Determinarea coeficientului de amplificare pe tensiune n regim de mers n gol K
U0

K
U0
=
int
ies
u
u
pentru R
S
= se face prin exprimarea tensiunii prin cureni astfel:
K
U0
=
( )
E E int
C
int B
C C
R 1 r
R
R I
R I
+ +
=

(3.22)

Cnd R
E
= 0, atunci K
U0
= R
C
/ r
intE.

Valoarea lui K
U0
este de ordinul 10k la etajele la care R
C
>>R
E.
Relaia (3.22) arat c prin mrirea lui
R
E
, adic prin creterea stabilitii punctului de repaus, coeficientul de amplificare pe tensiune scade mult.

Determinarea rezistenei de ieire R
ies

Rezistena de ieire se determin pe baza teoremei generatorului echivalent. Aceast rezisten se
gsete ntre bornele de ieire ale amplificatorului cnd sunt decuplate toate sursele de semnal, adic sunt
ntrerupte sursele de tensiune i sursele de curent sunt scurtcircuitate.
Se consider c: u
int
= 0, atunci I
B
= 0

Rezult : R
ies
= R
C
(3.23)
Coeficientul de amplificare pe tensiunea etajului, cnd R
S
este diferit de 0 se determin astfel:
ie
int Uo
ie S
S
g S
int
Uo
g
ies
U
K
R R
R
R R
R
K
E
u
K =
+ +
= = (3.24)
unde:
int
si
ies
sunt coeficienii care iau n considerare pierderea de semnal n circuitul de intrare pe rezistena
R
g
i respectiv n circuitul de ieire pe rezistena R
ies
.
ntotdeauna coeficientul K
U
<K
Uo
, deci:
Coeficientul de amplificare a etajului pe curent se determin din:
K
I
=
int
ies
i
i

=
ies S
int uo
R R
R K
+
(3.25)
Dac se are n vedere c la etajul de amplificare cu emitor comun K
Uo
>1, atunci K
I
>1. Coeficientul de
amplificare in putere:
K
p
=
int
ies
P
P

= K
U
K
I
>>1 (3.26)
Pentru obinerea amplificrii maxime n tensiune este necesar ca R
int
>> R
g
i R
ies
<<R
g
.

3.2.1.5. Etajul diferenial

Dup cum s-a artat, utilizarea etajelor cu emitor comun este dificil pentru c, stabilizarea regimului de
repaus cu ajutorul rezistenei R
E
este nsoit de reducerea substanial a coeficientului de amplificare al
etajului.
De asemenea, cuplarea etajelor de amplificare este nsoit de micorarea amplificrii datorit pierderilor
pe elementele rezistive pentru eliminarea micorrii lui K
U
, fiind necesar utilizarea schemei cu sursa de
alimentare complex i costisitoare n condiiile totui de existen a dreifului nulului. Dificultile artate pot fi
substanial reduse n etajul diferenial, a crei schem n forma cea mai simpl se prezint n figura 3.10.
Tranzistoarele T
1
, T
2
, i rezistoarele R
C1
si R
C
, formeaz
puntea n una din diagonalele crora se cupleaz sursa de
alimentare +E
C1
i E
C2
iar n cealalt diagonal se cupleaz
sarcina. Etajul diferenial se mai numete i etaj paralel balansat.
Parametrii superiori se pot ns obine n condiiile asigurrii nalte
a simetriei punii.

Fig.3.10. Etaj simetric diferenial

n etajul simetric trebuie ca R
C1
= R
C2
= R
C
iar tranzistorii
trebuie s fie identici, condiie care se poate respecta prin realizarea
tranzistoarelor pe un singur cristal i cu aceeai tehnologie, motiv
pentru care etajele difereniale se utilizeaz n prezent numai sub
forma sau n componena circuitelor integrate. Regimul de repaus
corespunde situaiei cnd U
int1
= U
int2
= 0.
Tensiunea de deplasare la ambele tranzistoare este aceeai:
U
BEr1
= U
BEr2
= -U
E
(3.27)

U
Er
= -E
C2
+ (I
Er1
+ I
Er2
)R
E
<0 (3.28)
Datorit faptului c tensiunile pozitive de deplasare pe bazele tranzistoarelor sunt egale, curenii vor fi
egali: I
Br1
= I
Br2,
I
Cr1
= I
cr2
i I
E1
= I
Er2
.
Curenii de conector dau natere la cderi de tensiune pe rezistoarele R
C1
si R
C2
motiv pentru care:
U
CEr1
= U
CEr2
= E
C1
-I
cr1
R
c1
- U
Er
= E
C1
- I
CRr2
R
C2
- U
Er
(3.29)

La ieirea etajului: u
ies
= U
CE2
U
CE1
= 0
n acest etaj se realizeaz stabilizarea regimului de repaus. Dac prin nclzire I
Cr1
si I
Cr2
cresc, atunci
cree si curentul care curge prin rezistena R
E
, iar tensiunea U
Er
crete. Tensiunea U
BEr1
= U
BEr2
= U
Er
se
micoreaz, funciunile de emitor ale tranzistoarelor vor permite trecerea unui curent mai mic i ca rezultat
curenii de colector I
cr1
si I
cr2
se vor stabiliza.
Tensiunea U
Er
reprezint semnalul care stabilizeaz curentul total (I
Er1
+ I
Er2
).
La etajul diferenial, R
E
este mare, datorit crui fapt stabilizarea punctului de repaus se face cu mare
precizie, astfel nct se poate considera c I
Er1
+ I
Er2
= const. adic prin rezistorul R
E
se transmite n schema
etajului un curent stabilizat. Funcionarea etajului nu se modific dac se nlocuiete R
E
cu o surs
corespunztoare de curent (I
Er1
+ I
Er2
).
Pentru analiza derivei nulului se consider c sursa de alimentare E
C1
este instabil i c ea se modific
prin cretere astfel nct se mrete tensiunea pe colectoare cu valoarea U
CE1
= U
CE2
. n acest caz, deriva
nulului este zero, pentru c U
ies
este zero.
Dac prin nclzire se mrete curentul de colector I
C1
=I
C2,
pentru c tranzistorii sunt identici. n
acest caz, U
CE1
= U
CE2
, U
ie
= 0 i deriva nulului este de asemeni 0. n acest fel orice modificare simetric
care apare n schem nu produce deriva nulului. Este de remarcat faptul ca n realitate simetria elementelor
componente ale schemei este totui relativ astfel nct deriva nulului nu se anuleaz complet, ns ea devine
att de mic nct semnalul pe care l produce este mult mai mic dect semnalul de amplificat care se aplic la
intrarea etajului diferenial.

Prin aprecierea cantitativ a parametrilor de amplificare a etajului diferenial, se utilizeaz schema de
substituire a etajului pentru componente alternative. n acest scop, tranzistorii sunt nlocuii cu schemele de
substituire din figura 3.7.,neglijnd r
C*
=, se scurtcircuiteaz sursa de curent continuu E
C1
si E
C2
i se desface
circuitul de curent continuu I
E1
+I
E2
, se nlocuiete R
E
prin desfacerea circuitului respectiv, pentru c prin R
E

trece curentul n care lipsesc modificrile variabile pentru care rezistena acesteia este infinit.
Schema de substituire a etajului diferenial este artat n figura 3.11:

Fig.3.11. Schema de substituire a etajului diferenial simetric pe componenta alternativ

Pentru c i
E1
+ i
E2
=const.,
atunci i
B1
+ i
B2
=
1
i i
2 E 1 E
+
+
= const, (3.30)
astfel nct: I
B2
= - I
B1
.
Modificrile curentului de intrare al sursei u
int1
trece prin tranzistorul T
1
, prin circuitul de emitor a lui T
2

i se nchid prin sursa de semnal u
int2
, care are punct comun cu sursa u
int1
. Pe circuitul de substituie acest traseu
al curentului este marcat prin linie punctat. Aplicnd legea lui Ohm la acest circuit, se obine relaia:
I
B1
=
E int
2 int 1 int
r 2
u u

= - I
B2
(3.31)
I
C1
= I
B1
=
E int
2 int 1 int
r 2
u u
= - I
C2
(3.32)
Cnd R
S
=, atunci U
CE1
= - R
C1
I
C1
i U
CE2
= - R
C2
I
C2
= - U
CE1

astfel, K
U0
=
E int
C
2 int 1 int
1 CE 2 CE
2 int 1 int
ies
r
R
u u
U U
u u
u
=
(3.33)
Se confirm astfel din nou c circuitul de emitor care servete pentru stabilizarea regimului de repaus nu
influeneaz asupra coeficientului de amplificare n etajele difereniale. Reacia invers pe componenta
alternativ n aceste etaje nu exist. Prin compararea formulelor (3.7.7) cu (3.5.8) se constat c ele coincid dac
se consider c R
E
= 0.
Rezult deci c: R
int
=
int
2 int 1 int
I
u u
= 2r
intE
(3.34)
unde I
int
= I
B1
.
Comparnd expresia (3.34) cu (3.21) se constat creterea de dou ori a R
int
, determinat de trecerea
curentului surselor de semnal prin ambele tranzistoare. Prin egalarea lui U
int1
= 0 i a U
int2
= 0, se determin R
ies
.
n cazul semnalelor nule de intrare, rezistena etajului din partea de ieire este:
R
ies
= 2R
C
(3.35)
n situaia aceasta rezistena de ieire a crescut de dou ori n comparaie cu valoarea determinat cu
ajutorul expresiei (3.23).
Valorile obinute pentru K
U0
fr semnal la intrare, pentru R
int
si R
ies
se utilizeaz pentru realizarea
schemei generalizate de substituie a etajului diferenial, la intrarea cruia se aplic diferena semnalelor u
int1
-
u
int2
. Calculul parametrilor de amplificare ai etajului se face n continuare pe baza expresiilor (3.24) (3.26).
Etajul diferenial amplific diferena semnalelor, din care motiv

u
ies
= K
U
(u
int1
-u
int2
) = 0 (3.36)

atunci cnd la ambele intrri ale etajului diferenial se aplic semnale egale u
int1
= u
int2
.
n aceeai situaie amplificatorul funcioneaz n regimul semnalelor n faz. Datorit faptului c etajul
nu poate fi n principiu complet simetric n condiii reale, la ieirea acestuia n regimul semnalelor defazate se
obine semnal diferit de zero:
U
ies
= k
S
u
int

unde k
s
este coeficientul de transfer pentru semnalul difazic.
Capacitatea de reducere a semnalului sinfazic este caracterizat de coeficientul:
K
red,sf
= 20 log (
U
S
K
k
) (3.37)
Datorit simetriei nalte a etajelor realizate sub forma circuitelor integrate, K
red,sf
= 80100dB, ceea ce nseamn
c
S
U
k
K
= 10
4
10
5
.
n figura 3.12a se prezint schema etajului diferenial realizat sub forma circuitului integrat
semiconductor:
Rezistena de valoare mare R
E,
care este dificil de realizat n compunerea circuitului integrat, este
nlocuit cu sursa de curent (i
E1
+ i
E2
) realizat cu tranzistorul T
3
n circuitul su de emitor se introduce rezistena
de valoare mica R'
E
care asigur amplificarea pe jonciunea de emitor a semnalului de reacie invers negativ.
La nclzire se mrete tensiunea u'
E
= i'
E
R'
E
sub influena creia, curentul prin jonciunea de emitor a
tranzistorului T
3
se micoreaz. Dioda D
0
servete de asemeni pentru stabilizarea curentului. Prin creterea
temperaturii, tensiunea pe aceast diod, i ca urmare i pe baza lui T
3
se reduce, micorndu-se astfel curentul
prin jonciunea de emitor T
3
.

Fig.3.12 Scheme practice pentru etajele difereniale:
simetrice - (a)i nesimetrice - (b).

Deficiena etajului diferenial const n lipsa punctului comun dintre sursele de semnal i sarcin.
Aceast deficien este eliminat n etajul diferenial nesimetric din figura 3.12b, la care semnalul se culege de
pe colectorul tranzistorului T
2
.
Schema aceasta are de asemeni stabilizarea punctului de repaus, pentru c i
E1
+ i
E2
= const., n condiiile
cnd la aceasta nu exist reacia invers pe componenta alternativ, pentru c nici circuitul de emitor nu
influeneaz asupra coeficientului de amplificare. n amplificatoarele cu mai multe etaje, primul etaj se
realizeaz sub forma etajului diferenial simetric, care asigur amplificarea iniiala a semnalului n mod practic
fr deriv. Amplificarea ulterioar se poate obine n etajul diferenial nesimetric.

3.2.2. Etaj de amplificare cu tranzistor bipolar n conexiune colector comun (CC)

Amplificatorul n conexiune CC se mai numete i repetor pe emitor deoarece tensiunea de intrare este
reprodus la ieire.
Etajul cu emitor comun, aa cum s-a artat, nu permite obinerea amplificrii superioare pe tensiune,
pentru care ar trebui ca R
int
i R
ies
. Datorit valorii mici a lui R
int
, aceste amplificatoare consum
putere semnificativ din sursa de alimentare. Valoarea mare a lui R
ies
nu permite funcionarea etajului pe sarcin
cu rezistena mic datorit pierderii semnalului pe R
ies
.
n etajul cu colector comun se obin valori mari a lui R
int
pentru valori mici a lui R
ies
. Acest avantaj ns
se obine prin sacrificarea parametrului de amplificare, care la aceste scheme este K
U
<1. Etajul cu colector
comun nu permite amplificarea pe tensiune a semnalului.
Etajul se folosete numai ca etaj auxiliar ajuttor, de legtur a schemei cu emitor comun cu sursa
semnalului de mic putere sau cu rezistena de sarcin de mic valoare. Dei rolul acestui etaj este auxiliar,
utilizarea sa este totui frecvent. Schema etajului cu colector comun este prezentat n figura 3.13.a.
Colectorul tranzistorului este cuplat la sursa E
c
de alimentare. n circuitul de emitor se introduce
rezistorul R
E
care formeaz reacia invers negativ care stabilizeaz punctul de repaus.
Sarcina R
3
se cupleaz spre circuitul de emitor. n clasa A de amplificare, la intrare se aplic tensiunea
u
int
i tensiunea de deplasare U
d
. Sursa de semnal u
int
se leag ntre baza i conductorul comun iar sarcina ntre
emitor i conductorul comun.
Acesta, prin sursa de alimentare E
c
, care are rezistena nul pentru componentele alternative, este legat cu
colectorul. Schema cu colector comun se mai numete i repetor pe emitor.

Fig.3.13(a) Etaj cu colector comun

n regim de repaus u
int
=0. Tensiunea U
d
provoac
curentul din baz I
Br
, n circuitul emitorului apare curentul I
Er
,
care provoac cderea de tensiune pe R
E
. Este necesar ca n
regim de repaus u
ies
= 0, n circuitul de sarcin s se introduc
sursa tensiunii de compensare U
comp
= U
Er
. n regim de repaus
la jonciunea de emitor se aplic tensiunea U
BEr
= U
d
- U
Er
.
n cazul cnd semnalul de intrare u
int
este pozitiv, sau
negativ, curenii n baz i emitor se mresc sau respectiv se
micoreaz, i n mod corespunztor i cderea de tensiune pe R
E.
Polaritatea semnalelor de intrare i ieire n
schema cu colector comun coincid, etajul fiind amplificator neinvertor. La jonciunea de emitor a tranzistorului
se aplic tensiunea de comand U
BE
= u
int
- u
ies
. Semnalul u
ies
se
aplic la intrare ca semnal de reacie invers negativ: U
ri
= u
ies
.
Dac u
BE
este pozitiv, atunci: u
ies
<u
int
, adic K
u
=
int
ie
u
u
<1.
Schema de substituire a etajului cu colector comun este prezentat
n figura 3.13.b.

Parametrii de amplificare a etajului cu colector comun se determin astfel:
1) Rezistena de intrare
R
int
= u
int
/ I
int

R
int
= r
intE
+ (+1)(R
E
R
g
) (3.38)

2) Coeficientul de amplificare pe tensiune n regim de mers n gol:

( )
( )
( ) [ ]
( )
( )
E E int
E
E
E int B
B E
0 int B
E E
0 U
R 1 r
R 1
R 1 r I
I R 1
R I
R I
K
+ +
+
=
+ +
+
=
= (3.39)

ns datorit faptului c r
intE
<<(+1) R
E
, valoarea lui K
U0
1.
3) Rezistena de ieire
Se determin pe baza teoremei generatorului echivalent, n care scop se consider ca Eg = 0. Astfel, pe
baza schemei de substituie:
U
ies
= I
B
(r
intE
+ R
g
) = ( )
g E int
E
R r
1
I
+

1
R r
|| R R
g E int
E ies
+
+
= (3.40)
Ceilali parametrii de amplificare pot fi determinai pe baza expresiilor (3.24) - (3.26)
Datorit faptului c semnalul de comand n schema cu colector comun este mic, forma semnalului
transmis nu este distorsionat dect pentru tensiuni de intrare foarte mari, cnd amplitudinea semnalului este de
(0,2-0,4)Ec.

3.4. Amplificatoare operaionale

Dezvoltrile n domeniul microtehnologiei au modificat metodele de proiectare i realizare a
dispozitivelor amplificatoare. La proiectarea acestora se caut utilizarea circuitelor integrate care, din punct de
vedere al eficienei economice, a soluiilor tehnice utilizate, sunt mai elaborate n comparaie cu soluiile
discrete de realizare a amplificatoarelor. nainte se urmrea n proiectare reducerea numrului componentelor i
asigurarea fiabilitii n funcionare. Astzi se realizeaz n producie de mas circuite integrate pentru utilizri
universale, ceea ce face ca preul acestora s scad substanial. De aceea, n prezent criteriul de producie i
valorificare const n obinerea calitii i universalitii superioare i mai puin n realizarea soluiilor celor mai
simple. Utilizarea circuitelor integrate este recomandabil i n situaiile cnd n soluii concrete nu este utilizat
n totalitate capacitatea acestora.
Printre cele mai frecvent utilizate sunt, circuitele integrate de tipul amplificatoarelor operaionale, n
care sunt concentrate calitile funcionale ale schemelor de amplificare.
Amplificatorul operaional ideal are coeficientul de amplificare pe tensiune foarte mare K
U
=
int
ies
u
u

, rezistena de intrare foarte mare R
int
, rezistenta de la ieire foarte mic R
ies
0.
Amplificatorul operaional este i de curent continuu dac este amplificator cu spectru foarte larg, n
condiiile n care deriva nulului este foarte mic. Amplificatorul operaional are intrare diferenial, astfel se
scrie u
int
= K
U
(u
int1
- u
int2
), iar cnd semnalul se aplic la intrarea direct, tensiunea la ieire este u
ies
= -K
U
u
int1
,
cnd semnalul se aplic la intrarea inversoare, la ieire tensiunea este u
ies
= - K
U
u
int2
.
n figura 3.16 se arat modul de reprezentare a amplificatorului operaional (AO)n schem:

(a) (b)
Fig.3.16.Reprezentarea n schem - (a) i simplificat a AO - (b)

n figura 3.16b se prezint schema structurala a AO. Primul etaj se realizeaz pe baza schemei simetrice
difereniale n care se face compensarea maximal a derivei nulului. n al doilea etaj se folosete frecvent
amplificatorul diferenial cu ieire nesimetric. Ultimul etaj se realizeaz pe schema repetorului pe emitor (cu
colector comun) ceea ce asigur rezistena mic la ieire. AO utilizeaz scheme mult mai complexe n raport cu
cele analizate, elementele suplimentare avnd rolul de cretere a valorii rezistenei de intrare, de stabilizare
suplimentar a regimului static, de cretere a coeficientului de amplificare. Aceste amplificatoare se pot construi
chiar din cteva zeci de tranzistoare.

3.4.2. Amplificator operaional neinvertor cu reacie invers

Amplificatoarele operaionale nu pot fi folosite ns singure n schemele de amplificare datorit faptului
c seciunea linear AOB pe caracteristica de transfer este limitat de valori relativ mici a tensiunilor
Ur
max ies
K
U
.
Prin creterea tensiunii de intrare n afara acestor limite, tensiunea de ieire nu se modific, cu alte cuvinte se
constat distorsionarea neliniar a semnalului. De asemeni, coeficientul de amplificare a amplificatorului
operaional K
U
variaz n limite mari de la un exemplar la altul, i acesta depinde de regimul de funcionare, n
special de temperatura de lucru, determinat de dependena puternic a lui de temperatura rezistoarelor, care
compun AO. Pentru mbuntirea parametrilor dispozitivelor de amplificare cu AO se folosete reacia invers.
n figura 3.19a se arat schema amplificatorului neinvertor cu AO:

(a) (b)

Fig. 3.19.Amplificator operaional neinversor cu reacie invers negativ - (a) i caracteristica sa de
transfer - (b)

De la ieirea AO se culege tensiunea pentru reacia invers u
ri
care se aplic la intrarea inversoare a AO.
n acest fel la intrarea AO acioneaz tensiunea de intrare u
int
i tensiunea u
ri
, adic reacia invers se obine prin
nsumarea tensiunilor care se refer la reacia invers. Tensiunea la ieirea AO se determin din diferena (u
int
-
u
ri
), iar aceast reacie invers este negativ.
Coeficientul de amplificare se determin pe baza schemei din fig. 3.19a. n acest scop se consider c
R
g
>>R
ies
, R
int
>>R
1
i c R
2
>>R
ies
, condiii care sunt ndeplinite n AO.
Tensiunea de reacie invers este egal cu:
=
+
=
ie
2 1
1
ie ri
u
R R
R
u u (3.44)
Tensiunea de ieire se determin din diferena tensiunilor la intrarea AO astfel:
u
ies
= K
u
(u
int
- u
ri
) = K
u
(u
int
- u
ies
),
unde =
2 1
1
R R
R
+

n acest fel, coeficientul de amplificare a AO cu reacie invers negativ se determin:

U
U
U
int
ie
u
K
K 1
K
u
u
K
ri
+
= = (3.45)
Datorit faptului ca la AO K
U
este foarte mare, atunci din expresia (3.45) pentru K
U
se obine:

1
2 1
U
R
R R 1
K
ri
+
=
= (3.46)
adic K
Uri
se determin numai din raportul rezistenelor i nu depinde de valoarea lui K
U
. n acest fel
introducerea reaciei negative inverse permite stabilizarea coeficientului de amplificare a circuitului integrat.
Astfel, dac K
U
se micoreaz, se micoreaz i u
ies
i u
ri
, crete diferena acestor valori, ceea ce face ca u
ies
s
creasc, compensnd micorarea iniial a tensiunii de ieire.
Tensiunea la ieirea AO este u
ies
<< U
iesmax
, coeficientul de amplificare a circuitului integrat K
U
,
rezult c u
int
- u
ri
=
U
ies
K
U
= 0 adic u
int
u
ri
. Astfel, lund n considerare expresia 3.44, se obine expresia 3.46. n
regim de amplificare linear, tensiunea ntre intrrile AO este foarte mic iar aceast calitate apare n toate
schemele de utilizare a AO.
Dei coeficientul de amplificare al schemei depinde numai de raportul rezistenelor R
1
i R
2
, rezistena
minim a acestora este limitat de capacitatea de sarcin a circuitului integrat. De asemeni valoarea maxim a
rezistorului este limitat pentru c curenii mici care curg prin rezistene de mare valoare, vor fi comparabili cu
curenii de intrare a AO i aceasta situaie amplific influena faptului ca AO nu este ideal asupra funcionarii
schemei. Practic, valoarea rezistenei se gsete n limitele 10
3
-10
6
.
Stabilizarea coeficientului de amplificare a AO datorit introducerii reaciei inverse face ca rezistena de
ieire a schemei din fig. 3.19a s fie mai mic dect rezistena de ieire a AO nsui: R
iesri
<< R
ies
, ceea ce
reprezint de asemeni o calitate obinut datorit reaciei inverse.
Rezistena de intrare a schemei din figura 3.10.3a se determin din: R
intri
=
int
int
i
u

unde i
int
este curentul dintre intrrile AO:
i
int
=
int
ri int
R
u u
,
unde R
int
este rezistena de intrare a AO.
Dat fiind c (u
int
-u
ri
) 0, atunci i i
int
0, iar rezistena de intrare se mrete substanial: R
int ri
>>R
int
, ceea
ce de asemeni reprezint o calitate cauzat de reacia invers. Tensiunea de ieire a AO este limitat de valorile
U
ies max
.
n schema din figura 3.19a, regimul de amplificare linear corespunde tensiunilor de intrare limitate de
valorile U
iesmax
/ K
Uri
. Dat fiind c K
Uri
<< K
U
, caracteristica de transfer a AO cu reacie invers are un
domeniu mare de amplificare linear (fig.3.19b). nclinarea caracteristicii de transfer n sectorul linear AOB
este determinat de coeficientul de amplificare K
Uri
, linia 1 este trasat pentru K
Uri
= 4, linia 2 pentru K
Uri
=10. n
acest fel introducerea reaciei inverse permite lrgirea domeniului linear a caracteristicii de transfer i
micorarea distorsiunilor neliniare.
3.4.3. Amplificatorul operaional inversor cu reacie invers

n cazul transmiterii tensiunii sinusoidale se realizeaz deplasarea fazei semnalului amplificat la 180 de
grade. Este larg utilizat schema AO inversor cu reacie invers negativ prezentat n fig. 3.20.
Semnalul de intrare i semnalul reaciei inverse negative se aplic la intrarea inversoare a AO i are loc
nsumarea curenilor i
int
si i
ri
, adic are loc reacia invers negativ cu nsumarea curenilor, care se numete
reacie invers paralel. Pentru nsumarea curenilor este necesar eliminarea posibilitii de cuplare nemijlocit
la intrarea AO a surselor de alimentare, adic este necesar s se asigure c R
1
si R
2
diferit de zero. Pentru
determinarea parametrilor de amplificare, se consider R
S
>>R
ies
, R
int
>>R
1
, R
ies
<<R
2
, condiii care sunt realizate
n AO. Pentru c la circuitele integrate R
int
, atunci i
int
= -i
ri
= i.
Tensiunea dintre intrrile AO este nul pe sectorul linear al caracteristicii sale de transfer, atunci se scrie:
u
int
= i
int
R
1
= iR
1
(3.47)

u
ies
= i
ri
R
2
= -iR
2
(3.48)

(b)

Fig.3.20. (a) - Amplificator
operaional inversor cu reacie
negativ i (b) -caracteristica sa
de transfer

Coeficientul de amplificare al schemei din figura 3.21 se determin astfel: K
Uri
=
1
2
int
ie
R
R
u
u
= (3.49)
Semnul minus arat c polaritatea semnalelor la intrare si ieire este diferit. Coeficientul de amplificare
K
Uri
<<K
U
, dar K
Uri
depinde numai de raportul rezistenelor R
2
/R
1
, datorit crui fapt stabilitatea sa este
foarte mare.
Rezistena de intrare a AO cu reacie invers negativ se determin astfel:
int
int
ri int
i
u
R = (3.50)
Deoarece: i
int
= i R
intri
= R
1
.
Deosebirea, dintre AO analizat i schema din figura 3.19a const n faptul c valoarea rezistenei de
intrare este finit prin stabilizarea coeficientului de amplificare, rezistena de ieire se micoreaz astfel nct
R
ies ri
<<R
ies
, ceea ce reprezint o calitate obinut datorit reaciei inverse negative:
U
ie
iesri
K 1
R
R
+
= (3.51)
unde =
2 1
1
R R
R
+

Cnd K
U ,
atunci R
ieri
=0.

3.4.4. Scheme operaionale

Cu ajutorul AO se pot constitui scheme care s realizeze operaii matematice asupra semnalelor de
intrare: nsumarea, scderea, integrarea, extragerea modulului funciei, .a.
Aceste scheme sunt frecvent utilizate n instalaiile de conducere automat i constituie baza
matematic a calculatoarelor analogice. Dintre aceste scheme, prezint interes deosebit schemele cu AO pentru
nsumare i integrare, precum i schemele n care AO se folosete n regim neliniar.
A). Sumatorul inversor
n figura 3.22a se arat schema sumatorului inversor realizat pe baza AO cu intrare inversoare i circuit
paralel de reacie invers negativ.

(a) (b)

Pentru c R
int
a AO este mare: i
1
+i
2
+i
3
= - i
ri
(3.52)
- se exprim curentul i
ri
=
ri
ies
R
u
.
Curenii de intrare se determin avnd n vedere c ntre intrrile circuitului integrat AO tensiunea este nul:
i
1
=
R
u
1 int
; i
2
=
R
u
2 int
; i
3
=
R
u
3 int
.
Din expresia aceasta rezult:
inv
ies 3 int 2 int 1 int
R
u
R
u u u
=
+ +

de unde:
( )
R
R u u u
u
inv 3 int 2 int 1 int
ies
+ +
= (3.53)
Semnul minus indic c pe lng sumarea semnalelor se produce i inversarea polaritii.

B). Sumatorul neinversor
n figura 3.23a se arata schema sumatorului neinversor cu amplificator operaional. La baza realizrii
acestei scheme st AO neinversor cu reacie invers din figura 3.19a. Prin nlocuirea acestuia cu schema de
substituire care conine R
int

ri
= i sursa de tensiune K
Uri
u
sum
(rezistena de ieire este nul) se obine schema
din figura 3.23b.Pentru R
int

ri
= , atunci i
1
+i
2
+i
3
=0 i pe baza legii lui Ohm rezult c:

0
R
u u
R
u u
R
u u
sum 3 int sum 2 int sum 1 int
=

de unde
sum
3 int 2 int 1 int
u
n
u u u
=
+ +
, unde n = numrul de intrri ale sumatorului.
Tensiunea la ieirea AO se determin avnd n vedere expresia 3.46 astfel:

1
2 1
sum Uri ies
R
R R
u K u
+
= =
n
u u u
3 int 2 int 1 int
+ +
(3.54)

(c)
Fig 3.23. Sumator neinversor cu AO -(a);schema de substituie - (b); schema scztorului - (c);

Rezult c tensiunea de ieire este proporional cu suma semnalelor de intrare. Coeficientul de transfer pe
tensiune a schemei din fig. 3.22a depinde ns de numrul intrrilor n. Tensiunea de ieire u
ies
este determinat
de valoarea medie a semnalelor de la intrare.

C). Schema de scdere a semnalelor
n figura 3.23c se prezint schema de scdere a semnalelor realizat cu AO. Pentru analizarea acestei
scheme se folosete metoda superpoziiei. Pentru nceput se consider ca u
int2
=0, adic se scurtcircuiteaz sursa
u
int2
, n care caz schema devine neinversoare, (fig.3.19a), la intrarea creia se cupleaz divizorul de tensiune cu
coeficientul de transfer egal cu:
4 3
4
R R
R
+
=
Avnd n vedere (3.46) se poate scrie:U
ies
=
|
|
\
| +
|
|
\
|
+
1
2 1
4 3
4
1 int
R
R R
R R
R
u (3.55)
n continuare se consider c u
int
=0, schema transformndu-se astfel n AO inversor, pentru c cuplarea
la intrarea direct a rezistoarelor R
3
i R
4
nu modific potenialul la intrarea direct a AO ideal, la care curentul
de intrare este foarte mic. n acest caz : u"
ies
=
1
2 int
R
R u

Ca rezultat al acionrii ambelor semnale, tensiunea de ieire a AO este egal cu:
= + =
ies ies ies
' ' u ' u u
|
|
\
| +
|
|
\
|
+
1
2 1
4 3
4
1 int
R
R R
R R
R
u -
1
2
2 int
R
R
u
Atunci cnd R
1
=R
3
i R
2
=R
4
, se obine: u
ies
= ( )
2 int 1 int
1
2
u u
R
R

Sursa de tensiune comandat n curent se obine din schema din figura 3.21a pentru R
1
=0. n acest caz
R
int
= 0 i sursa de semnal u
int
funcioneaz n regim de surs a curentului i
int
. Tensiunea de ieire se determin
avnd n vedere c u*=0, astfel: u
ies
= i
ri
R
2
= -i
int
R
2

Sursa de curent comandat n tensiune, se obine de asemeni din schema 3.21a, dac se cupleaz sarcina
n calitate de R
2
, atunci:
1
int
int iri ies
R
u
i i i = = = (3.56)
D). Integratorul
Integratorul cu AO se realizeaz de asemeni pe baza AO inversor din fig 3.24a. n circuitul de reacie
invers se cupleaz condensatorul C, astfel nct tensiunea pe acesta este egal cu:
u
C
= ( )
dt t i
C
1
C
(3.57)
pentru c R
int
= 8, atunci i
C
= - i
int
= -
R
u
int
(3.58)
Tensiunea ntre intrrile circuitului integrat cu AO este egal cu zero, din care motiv u
ies
= u
C
. Avnd n
vedere expresiile (3.57) i (3.58) , se obine:
u
ies
=
( )
( )

= dt t u
RC
1
dt
R
t u
C
1
int
int
(3.59)
n acest fel schema realizeaz operaia matematic de integrare, care n forma determinat se poate scrie:
u
ies
= u
ies
(0) - ( )
t
0
int
dt t u
RC
1
(3.60)
Tensiunea de ieire depinde de condiiile iniiale adic de tensiunea iniial pe condensator n momentul t =0,
u
ies
(0).

Fig 3.24. Integrator cu AO - (a);diagramele de timp ale semnalelor la intrarea i ieirea acestuia - (b);

n figura 3.24b se prezint diagramele de timp care ilustreaz funcionarea integratorului. Cnd la
intrarea acestuia se aplic tensiune constant, la ieire se obine tensiune liniar variabil.

3.4.6. Scheme neliniare pe amplificatoare operaionale

3.4.6.1.Comparatoare

Comparatorul este acea schem electric care compar dou tensiuni de intrare i elaboreaz
semnalul de ieire, care depinde de starea intrrilor. Schema principial de baz a comparatorului se
prezint n figura 3.25a.
Amplificatorul operaional funcioneaz cu circuitul de legtur invers deschis. La una din intrrile sale se
aplic tensiunea de referin, iar la cealalt se aplic tensiunea necunoscut de comparat. Semnalul de ieire
al comparatorului arat dac nivelul semnalului necunoscut este mai mare sau mai mic dect nivelul
semnalului de referin.Tensiunea de referin
r
V se aplic la intrarea neinversoare iar la intrarea inversoare
se aplic semnalul de comparat
i
V .
Cnd
r i
V V > la ieirea comparatorului se stabilizeaz tensiunea
s 0
V V = (tensiunea negativ de
saturaie). n caz contrar,
r i
V V < ,se obine
s 0
V V + = . Dac se schimb, intre tensiunile de la intrare, se
produce inversia semnalului de ieire.

(a) (b)
Fig.3.25. Comparator simplu: schema de principiu - (a); caracteristica de transfer - (b)
n figura 3.25b se prezint caracteristica de transfer a comparatorului. Comparatorul trebuie s se cupleze
dintr-o stare n alta cu o vitez maxim posibil. Pentru c comparatorul dat lucreaz cu legtura invers
ntrerupt, nu mai este necesar stabilizarea buclei de legtur invers i corecia de frecven a acestuia.
Corecia de frecven reduce viteza de aciune i de cretere a tensiunii la ieire i mrete timpul de
comutare. Timpul de comutare este timpul necesar pentru comutarea ieirii comparatorului dintr-o stare
iniial msurat din momentul sosirii semnalului de pornire de la intrare. Viteza maxim de cretere a
tensiunii la ieire arat, ct de repede se poate schimba semnalul la ieirea amplificatorului pe timpul unei
astfel de comutri.

3.4.6.2 Comparatoare cu histerezis

Dac tensiunea
i
V care se aplic la intrarea comparatorului (fig.3.26) conine componente de zgomot,
atunci tensiunea de ieire
0
V va fluctua foarte repede ntre nivele
s
V + i
s
V . Eliminarea acestor fluctuaii
este posibil prin realizarea n comparator a circuitului de legtur invers pozitiv, datorit creia o parte din
tensiunea de ieire se aplic la intrarea neinversoare. Schema de principiu a comparatorului cu histerezis se
arat n figura 3.26.
Prin introducerea n schem a rezistorului R
2
, la rezistorul R
1
apare tensiunea de legtur invers
pozitiv. Dac nivelul tensiunii de ieire este mare, rezistorul R
2
transmite de la ieire la intrare tensiunea care
se nsumeaz cu cea de referin. n acest caz tensiunea de referin crete cu mrimea:
2 1
1 r s
r
R R
R ) V V (
V
+
=
n acest fel se obine o nou valoare mai mare a tensiunii de referin:
r r r
V V V + =
+

Din aceasta cauz comparatorul se comut (din starea cu nivel nalt a tensiunii de ieire) pentru o nou
valoare a lui
i
V , mai mare dect
r
V cu mrimea tensiunii pozitive a legturii inverse, care vine de la ieirea
comparatorului.
Imediat ce tensiunea de intrare
i
V depete noua valoare a tensiunii de referin
r r
V V + , tensiunea
de ieire a comparatorului ncepe sa scad. Aceast micorare se transmite prin rezistorul
2
R la intrarea
neinversoare i tensiunea pe aceasta se micoreaz de asemeni stimulnd astfel scderea n continuare a
tensiunii de ieire. Datorit legturii inverse pozitive, acest proces are loc n avalan i comparatorul comut
rapid n starea invers. Pentru ca la ieirea comparatorului acioneaz acum tensiunea
s 0
V V = , atunci la
intrarea acestuia prin circuitul de legtur invers se transmite tensiunea:
2 1
1 r s
r
R R
R ) V V (
V
+

=
n acest caz se stabilete o nou valoare a tensiunii de referin pentru starea cu nivel sczut de ieire:
r r r
V V V =

3.4.6.3 Redresoare de precizie

Redresoarele simple cu diode i rezistoare funcioneaz necorespunztor pentru redresarea tensiunilor mai
mici de 0.7V, pentru c nu se toate elimina influena cderii de tensiune pe diod. Cuplarea diodei n bucla
de legtur invers care cuprinde amplificatorul operaional, permite rezolvarea problemei redresrii
tensiunilor mici, pentru c datorit amplificrii mari a amplificatorului operaional se reduc limitrile
referitoare la mrimea tensiunii.
A) Redresoare de precizie monosemiperiodice
n figura 3.27 se arat schema de principiu a redresorului monoalternan care elaboreaz copia inversat a
semiperioadei negative a semnalului de intrare
i
V .

Cnd V
i
este negativ, dioda D
1
este deplasat n sens direct iar dioda D
2
n sens invers i schema
funcioneaz ca amplificator inversor obinuit cu coeficientul unitar de amplificare. Pentru tensiuni pozitive V
i

dioda D
1
este nchis iar dioda D
2
se gsete n starea de conducie, datorit crui fapt apare legtura invers
negativ care stabilete la ieirea amplificatorului operaional tensiunea de blocare pentru dioda D
1
. Aceast
tensiune mic de blocare este egal cu cderea direct de tensiune pe dioda D
2
. Evident c la ieirea redresorului
nsui n acest caz 0 V
0
= . Dac dioda D
2
nu ar fi existat, atunci la ieirea amplificatorului operaional s-ar fi
stabilit tensiunea de saturaie -V
S
, ns tensiunea de ieire a redresorului ar fi fost ca nainte, egal cu 0V.

B) Redresoare de precizie bialternan
n figura 3.28 se prezint schema de principiu a acestui tip de redresor de precizie. Semnalul pozitiv de la
intrare se transmite nemijlocit la intrarea redresorului prin circuitul de legtura invers. Cnd tensiunea de
intrare este mai mare dect 0V, la ieirea amplificatorului inversor acioneaz tensiunea negativ. Din aceast
cauz, dioda D
1
este blocat i amplificatorul operaional nu particip la transferul semnalului de intrare.
Cnd la intrare acioneaz semiperioada negativ, schema funcioneaz ca amplificator obinuit inversor cu
coeficientul de amplificare egal cu
1
2
R
R
. Se poate obine simetria semnalului la ieirea redresorului cu
ajutorul poteniometrului
3
R .

3.4.6.4. Limitatoare de amplitudine

Limitarea nivelului semnalului de ieire este bine s se fac naintea amplificrii semnalului, pentru a evita
trecerea amplificatorului n regim de saturaie i apoi revenirea acestuia n regim liniar de funcionare, care
se face pe timpul de refacere relativ mare.
Schemele numerice logice funcioneaz cu impulsuri pozitive sau negative, care au nivele mici (5V) n
comparaie cu amplitudinile semnalelor de la ieirea amplificatorului operaional (-13V...+13V). Aceast
problem se rezolv cu ajutorul limitatorului.
n figura 3.29 se prezint schema de principiu a limitatorului de amplitudine cu legtura invers, care const
din amplificatorul inversor, n circuitul de legtur invers al cruia se cupleaz dioda stabilizatoare.
Fig. 3.29.Limitator de amplitudine

Tensiunea de stabilizare i tensiunea direct a diodei determin limitele de modificare a tensiunii de ieire. Dac
la intrare acioneaz tensiunea negativ V
i
, atunci tensiunea de ieire a amplificatorului operaional este pozitiv
i pe diod se aplic tensiune invers. El trece n regim de strpungere i fixeaz tensiunea de ieire a
limitatorului la nivelul tensiunii de stabilizare
z
V .Dac tensiunea de intrare este pozitiv, atunci la ieirea
amplificatorului operaional acioneaz tensiune negativ. Stabilitronul se deplaseaz n sens direct i la ieire se
stabilete nivelul de limitare, egal cu cderea direct de tensiune pe diod (valoarea tipic este de 0,60,7V).
Tensiunea de ieire se determin de tensiunea de stabilizare a stabilitronului utilizat i poate fi inversat prin
schimbarea polaritii de cuplare a diodei stabilizatoare.

3.4.7. Amplificatoare selective i generatoare de oscilaii sinusoidale

Sistemul care are coeficientul de transfer maxim n band ngust de frecven n apropierea frecvenei
f
o
, se numete amplificator selectiv.
n afara limitelor acestei benzi spectrale nguste, coeficientul de amplificare se micoreaz rapid. Au
cptat o larg utilizare amplificatoarele selective realizate pe baza AO. Dup cum s-a artat n paragrafele
precedente, coeficientul de amplificare al AO cu reacie invers negativ este determinat numai de parametrii
circuitului de reacie invers. Dac n circuitul reaciei inverse se folosesc celule RC al cror coeficient de
amplificare i unghi de deplasare depind de frecven, atunci se poate asigura dependena necesar a
coeficientului de transfer de frecven.
n figura 3.30a se prezint schema amplificatorului selectiv cu punte, care e evideniat cu linie punctat.
Cnd se aplic tensiune nesinusoidal u
int
(t) de frecven f
0
la intrarea amplificatorului, la ieirea acestuia se
obine semnal sinusoidal (fig.3.30b).

(a) (b)
Fig. 3.30 Amplificator selectiv - (a) i diagramele de timpa semnalelor la intrarea i ieirea circuitului - (b)

Puntea se compune din celule serie (C'R') i paralel (C"R"). La trecerea prin punte, semnalul de joas
frecven se pierde pe condensatorul C', iar semnalul de nalt frecven se atenueaz pe divizorul de tensiune
compus din celule serie i paralel, pentru c prin creterea frecvenei, rezistena condensatorului C" scade. n
acest fel, coeficientul maxim de transfer al punii este corespunztor unei anumite frecvene f
0
.
Deplasarea fazei, introdus de punte la frecvena f
0
este nul. n cazul raporturilor optime C'=C"=C,
R'=R"=R, frecvena f
0
=1/(2RC); la f=f
0
, coeficientul de transfer al punii este
p
=1/3.
Schema are coeficientul de amplificare determinat de expresia (3.46), K' = -
1
2
R
R
. La frecvena f
0
,
coeficientul de transfer al punii este maxim. Prin puntea de intrare a AO se transmite semnalul de reacie
invers pozitiv, care mrete puternic coeficientul de amplificare al schemei K
m
n raport cu K'. Caracteristica
de frecven a amplificatorului selectiv se arat n figura 3.31b. Cu ct este mai mare coeficientul de amplificare
K' = -
1
2
R
R
, cu att este mai ngust banda de frecven a amplificrii i este mai mare
'
m
'
K
K
.

(a) (b)

Fig. 3.31 Caracteristicile de frecven ale punii Wien - (a) i a amplificatorului selectiv - (b)

Atunci cnd
1
2
R
R
= 2 se ndeplinesc condiiile de autoexcitaie iar coeficientul de amplificare al schemei K
m
la
frecvena f
0
devine infinit, ceea ce nseamn c la ieirea schemei vor exista semnale sinusoidale de frecven f
0

i atunci cnd la intrare semnalul este nul. n aceast situaie, schema din figura 3.30a se transform n generator
de tensiune sinusoidal iar circuitul sursei tensiunii de intrare poate fi decuplat. Exist o multitudine de variante
de realizare a amplificatoarelor selective i generatoarelor sinusoidale pe baza altor celule RC care depind de
frecven.

3.4.8. Amplificatoare conectate prin capacitate

Calitatea esenial a amplificatoarelor legate prin capacitate const n lipsa derivei nulului, pentru c
condensatoarele nu permit trecerea componentei continue i implicit a derivei nulului.
n figura 3.32 se prezint pentru exemplificare amplificatorul realizat pe baza AO, cu legtura prin
sarcin. Conectarea prin capacitate se utilizeaz ns rar pentru c aceste capaciti relativ mari sunt dificil de
realizat n structura circuitelor integrate.
Cnd la intrare se aplic semnal fr component continu, aa cum se arat n fig.3.33a, semnalul la
ieire reprezint ca form, copia semnalului de la intrare.

(a) (b)

Fig. 3.32 Amplificator cu cuplaj capacitiv - (a) i schema sa de substituie - (b)

n cazul aplicrii semnalului de intrare care conine componenta continu (fig.3.32b), aceasta prin
condensatoarele C
1
i C
2
nu se transmite la ieire, iar forma semnalului la ieire nu mai corespunde celui de la
intrare.
Limitarea spectral, specific amplificatoarelor cuplate prin condensator, reprezint principala deficien
a acestora, pentru care utilizarea lor a devenit tot mai rar.

(a) (b)
Fig.3.33 Diagramele de timp ale semnalelor la intrarea i ieirea amplificatorului cu cuplaj capacitiv - (a, b)

Domeniul de frecven la amplificatoarele cuplate prin capacitate se poate mpri n trei zone astfel:
zona frecvenelor medii corespunztoare benzii de trecere, se caracterizeaz prin aceea c rezistena
condensatoarelor,
1
C
1
i
2
C
1
este mic, ceea ce face ca semnalul s se transmit la ieire fr

pierderi. Amplificarea n aceasta zon spectral este constant.
zona frecvenelor nalte, cnd apare influena ineriei tranzistorului, coeficientul de amplificare scade i
apare ntrzierea fazei ntre semnalele de intrare i ieire ale amplificatorului.
zona frecvenelor joase, o parte din semnalul de intrare se consum pe condensatoare, iar coeficientul
de amplificare scade.

Analiza amplificatorului din schema 3.32 se face prin nlocuirea acestuia n schema generalizat de substituire,
compus din rezistena de intrare R
int
, sursa de tensiune K
U0
u
int
i rezistena de ieire R
ies
. Expresia care descrie
funcionarea acestei scheme este urmtoarea:
K
U
=
ies
0 U
int
int
ies
K
E
U
= (3.61)

unde
int
este coeficientul de transfer al circuitului de intrare,
ies
este coeficientul de transfer al circuitului de
ieire

int
=
int
1
g
int
int
int
R
C j
1
R
R
E
U
+
+
= (3.62)
S
2
ies
S
int 0 U
ies
ies
R
C j
1
R
R
U K
U
+
+
= = (3.63)
Analiza coeficienilor de transfer se face prin transformarea expresiilor diviznd numitorul i
numrtorul cu (R
int
+ Rg).

( )
1
0 int
g int 1
g int
int
int
j
1
1
R R C j
1
1
R R
R
=
+
+
+
= (3.64)
unde
g int
int
o int
R R
R
+
= reprezint coeficientul de transfer al circuitului de intrare cnd
1
C j
1
= 0, ceea ce
corespunde zonei frecvenelor medii i nalte; ( )
int 1 1 1
R R C + = -reprezint constanta de timp a circuitului de
ncrcare al condensatorului C
1

Modulul coeficientului de transfer
int
este indiciul care arat de cte ori se micoreaz coeficientul de
transfer la frecvena . Din (3.63) se obine:

o
j
1
1 M
1
+ = (3.65)
Cnd frecvena se micoreaz, crete M
j1
iar
int
scade, pentru c se mrete rezistena condensatorului
C
1
pe care se pierde o parte din semnalul sursei E
int
. n acest caz prin circuitul R
1
C
1
R
int
trece curentul capacitiv
care provoac pe rezistena R
int
cderea de tensiune U
int
care devanseaz E
int
. Din expresia (3.13.4) se obine:
= arctg
1
j
j
1
(3.66)
Aceeai analiz se poate face i pentru circuitul R
ies
C
2
R
2
. n acest scop n expresiile (3.65)(3.66) n
locul lui
1
se introduce
2
= C
2
(R
ies
+R
S
), unde
2
reprezint constanta de timp de ncrcare a condensatorului
C
2
. n acest fel se obine expresia pentru M
j2
i
2
care sunt similare ca structur cu expresiile (3.65) i (3.66)
Coeficientul de amplificare al schemei conectate capacitiv, este urmtorul:

j
ieso Uo o int
j
ieso
Uo
j
o int
U
M
K
M
K
M
K
2 1

=

= (3.67)
unde M
j
= M
j1
M
j2
reprezint parametrul care arat de cte ori se micoreaz coeficientul de amplificare n
raport cu valoarea maxim K
o
, pentru frecvena f 2 = . Distorsiunile de faz introduse de condensator se
nsumeaz astfel: =
1
+
2

3.5. Etaje de amplificare n putere

Puterea pe care o disip circuitul integrat pe sarcin este relativ mic. Astfel, spre exemplu, circuitul
integrat de tipul amplificatorului operaional 140UD7 are la ieire tensiune de maximum 11,5V, rezistena
minim de sarcin de valoare 2k, iar puterea maxim n sarcin este de P
S
=
S
max ies
2
R
U
= 0,0024W. La acest
nivel mic de putere, randamentul amplificatorului nu prezint o importan esenial, fiind numai transmiterea
informaiei n condiiile amplificrii corespunztoare a semnalului pe tensiune, a stabilitii amplificrii,
absenei distorsionrii formei semnalului; deci a transmiterii ct mai complete a benzii sale spectrale.
n cazul cnd amplificatorul este folosit pentru acionri, problema randamentului i asigurrii puterii
necesare devine de prima importan. n proiectarea acestor amplificatoare, parametrii energetici la ieire se
consider eseniali, pentru c numai n condiiile randamentelor superioare pot fi reduse pierderile de energie
din sursa de alimentare, poate fi micorat nclzirea tranzistoarelor i redus puterea acestora. Etajele de
putere se deosebesc de cele analizate anterior nu numai prin componena lor, dar i prin metodele de calcul.
Etajele de putere se clasific pe baza acestor regimuri de funcionare.
3.5.1 Etajul de amplificare n putere clasa A

n figura 3.35a se prezint, etajul de amplificare n putere clasa A, caracteristic pentru acesta fiind
cuplarea sarcinii prin transformator.

(a) (b) (c)
Fig. 3.35 Amplificator ntr-un singur timp de putere clasa A:schema-(a); construcia liniei de sarcin-(b);
diagramele de timp ale curenilor i tensiunilor-(c)
Transformatorul nu transmite componenta continu a semnalului, motiv pentru care caracteristica de
frecven a etajului este similar caracteristicii respective a etajelor legate capacitiv.
n regim static (u
int
= 0),datorit tensiunii de deplasare U
d
, care se aplic n baz, apar curenii I
Br
i I
Cr
= ( )
0 CB Br
I 1 I + + .
Se consider c transformatorul este ideal, n sensul c pierderile sunt neglijabile, inductivitatea de
magnetizare foarte mare i inductivitatea de disipare foarte mic. n acest caz rezistena nfurrii primare a
transformatorului la curent continuu este nul i n regim static U
Cr
= E
C
. Pe caracteristicile de ieire ale
tranzistorului se traseaz linia de sarcin pe curent continuu, care reprezint o dreapta dispus vertical
(fig.3.35b). Punctul static (de repaus) O are coordonatele U
Cr
, I
Cr
. Cnd se aplic semnalul de intrare u
int
se
produce modificarea curenilor bazei
B
I i a colectorului
B C
I I = .
Sarcina tranzistorului const din rezistena
2
2
2
1 S
S
'
R
R
= , unde
1
i
2
reprezint numrul de spire din
nfurarea primara i respectiv secundar a transformatorului.
Trasarea liniei de sarcin pe curent alternativ se face prin punctul O de repaus, la unghiul de nclinare
determinat de
'
S
R . Cnd semnalul la intrare este pozitiv, curentul prin colector crete, astfel nct crete i
cderea de tensiune pe nfurarea primar a transformatorului, iar tensiunea pe colector scade (seciunea OA
din fig.3. 14.1b).
Prin micorarea tensiunii u
int
, se micoreaz curentul i
C
, tensiunea pe colector crete (seciunea OB) iar
pe tranzistor se aplic nu numai tensiunea sursei Ec, dar i tensiunea invers a transformatorului. Pentru valori
mari ale lui u
int
, valoarea lui u
C
la limit atinge 2E
C
, valoare ce trebuie avut n vedere la alegerea tranzistorului.
n figura 3.35c se prezint curbele tensiunilor u
int
, u
C
, u
ies
i a curentului de colector i
C
n cazul
transmiterii semnalului dreptunghiular.
Determinarea coeficientului de randament =
0
S
P
P
, unde P
S
este puterea pe sarcin iar P
0
este puterea
consumat din sursa de alimentare Ec, se face considernd transformatorul ideal i pentru semnalul u
int
, din
figura 3.35c:

( )
S
'
2
C
S
'
C
2
S
iesm
2
S
R
E
R
U
R
U
P

=
= = (3.68)
unde
C
C
E
U
= ; U
iesm
este amplitudinea lui u
ies
care n cazul de fa este egal cu valoarea efectiv. n clasa de
amplificare A, ntotdeauna se scrie:
P
0
= E
C
I
Cr
(3.69)
Pentru obinerea amplitudinii maxime U
iesm
( 0 ), este necesar alegerea
S
C
Cr
' R
E
I = , astfel nct :

S
C
2
0
' R
E
P = (3.70)
Din expresiile (3.68) i (3.70) se obine:
2
=
Concluzii:
1) Coeficientul maxim de randament se obine pentru valori mari ale lui =
C
C
E
U
, adic n cazul
amplificrii semnalelor mari.
2) Puterea consumat din sursa P
0
nu depinde de semnalul transmis.
3) Pierderile maxime de putere P
C
=P
0
-Ps au loc n regim static, de repaus, cnd u
int
=0. Puterea pierdut
reprezint puterea care se consum pentru nclzirea tranzistorului, cu alte cuvinte, pentru tranzistor, regimul cel
mai greu l reprezint regimul de repaus i pentru acest regim trebuie alei tranzistorii:
P
Cmax
P
0
= I
Cr
E
C
n cazul transmiterii semnalelor de form oarecare, valoarea coeficientului de randament este
determinat de valoarea medie a coeficientului care este mult mai mic n comparaie cu cele obinute cnd
1. Astfel, spre exemplu, n cazul semnalului sinusoidal u
int
, forma tensiunilor U
C
i u
ies
sunt sinusoidale,
pe durata unei semiperioade se modific de dou ori n limite de la 0 la 1.

3.5.2 Etajul de amplificare ntr-un singur timp de putere clasa B

Etajul cu funcionare ntr-un singur timp din clasa B, se prezint n figura 3.36 a. Sarcina se cupleaz
direct n circuitul de conductor al tranzistorului. n regim de repaus, cnd u
int
= 0, pe baz nu este tensiune de
deplasare i I
Cr
= I
CE0
0, P
C
= 0, ceea ce nseamn c n regim de repaus nu apare nclzirea tranzistorului.

(a) (b)
Fig. 3.36 Amplificator ntr-un singur timp de putere clasa B:
schema - (a); diagramele de timp ale curenilor i tensiunilor - (b)

La aplicarea semnalului de intrare pozitiv n baza tranzistorului, curentul de colector se mrete, apare
cderea de tensiune pe sarcina u
ies
= i
C
R
S
. La aplicarea tensiunii negative la intrare, tranzistorul se blocheaz
u
ies
= 0. Un asemenea amplificator din clasa B poate amplifica numai semnale de o singura polaritate, ceea ce
elimin necesitatea utilizrii transformatorului la ieire pentru conectarea sarcinii. n fig.3.36b se prezint
curbele tensiunilor de intrare i ieire ale etajului n cazul semnalelor de polaritate unic.
Puterea transmis n sarcin se determin avnd n vedere c n cazul de fa valoarea efectiv a
tensiunii de ieire este U
ies
= U
iesm
:
( )
S
2
C
S
iesm
2
S
R
E
R
U
P

= = (3.71)
Puterea consumat din sursa de alimentare depinde de curentul mediu care curge prin sarcin:
P
0
= E
C
I
C
= E
C
S
2
S
iesm
R
E
R
U
= (3.72)
Astfel, se obine: = (3.73)
Se pot face urmtoarele aprecieri:
1. Randamentul etajului n clasa B este mai mare n comparaie cu schema din figura 3.35a, n mod
special pentru valorile mici i medii ale semnalelor de intrare u
int
.
2. Puterea consumat de la sursa Ec este minim n regim de repaus, ise mrete odat cu creterea
u
int
.
3. Pierderile de putere sunt maxime la valori medii ale lui , dar mult maimici n comparaie cu
pierderile maxime n schema 3.35a. Pentru valori mici ale lui , P
C
este mic, pentru c sunt mici curenii prin
tranzistor, pentru valori mari a lui , puterea P
C
este tot mic pentru cderea de tensiune pe sarcin este mare, iar
cderea de tensiune pe tranzistor u
C
= E
C
- u
ies
este mic.
Se poate concluziona asupra avantajului utilizrii etajelor de amplificare n putere, clasa B n comparaie
cu etajele din clasa A. Necesitatea amplificrii semnalelor bipolare este eliminat la amplificatoarele de putere
n doi timpi.

3.5.3 Etajul de amplificare n doi timpi de putere clasa B

Etajul n doi timpi de amplificare a puterii clasa B la care sarcina este nemijlocit cuplat se prezint n
figura 3.37a. n regim de repaus ambii tranzistori sunt nchii. Cnd se aplic u
int
pozitiv se mrete curentul i
C1

al tranzistorului n-p-n T
1
, polaritatea tensiunii pe sarcin se arat n figura 3.37.
Schema funcioneaz cu tranzistorul T
2
este nchis.
Cnd tensiunea la intrare u
int
<0, T
1
este nchis, curentul i
C2
al tranzistorului p-n-p T
2
, care curge prin
sarcin, se mrete (polaritatea tensiunii pe sarcin este invers celei din fig.3.37a). Astfel, tranzistoarele intr n
funciune pe rnd, n funcie de polaritatea semnalului amplificat. La tranzistorul nchis se aplic tensiunea u
C
=
Ec + u
ies
, care la limit pentru mari tinde la 2Ec, ceea ce trebuie avut n vedere la alegerea tranzistorului.
Pentru schema n doi timpi este valabil relaia (3.73).
Amplificatoarele n doi timpi, clasa B se pot realiza i cu tranzistoare cu acelai tip de conducie. n
figura 3.37b se arat schema cu cuplarea sarcinii fr transformator.

(a) (b)
Fig. 3.37 Etaje de amplificare de putere n doi timpi clasa B:cu sarcina nemijlocit cuplat (a) i cu cuplarea
sarcinii fr transformator (b)

Cnd u
int
>0, se deschide tranzistorul T
1
. Tranzistorul T
2
este nchis de tensiunea invers de la intrare -
kU
int
. Curentul de colector T
1
i
C1
curge prin sarcina Rs i se nchide prin sursa de alimentare Ec
1
. Schema
funcioneaz la fel ca i n cazul etajului din figura 3.14.3a.
Cnd u
int
<0, tranzistorul T
1
se nchide, tensiunea pozitiva -kU
int
pe baza T
2
l deschide pe acesta.
Curentul de emitor i
E2
curge prin sarcina Rs i se nchide prin sursa de alimentare E
C2
. Tranzistorul T
2

funcioneaz pe schema cu colector comun i deci este valabil relaia (3.73) i graficele din figura 3.36.
Pentru ca coeficienii de transmisie ai semnalului pozitiv i negativ u
int
n sarcin s fie egali, este
necesar ndeplinirea condiiei K
UEC
= kK
UCC
, unde K
UEC
este coeficientul de amplificare pe tensiunea bazei, cu
emitor comun pe tranzistorul T
1
, iar K
UCC
este coeficientul de amplificare pe tensiune a schemei cu colector
comun pe tranzistorul T
2
. Pentru ndeplinirea acestei condiii, semnalul de la intrare se aplic la T
2
prin
amplificatorul inversor cu coeficientul de amplificare k. Schemele din figura 3.37a i b, atunci cnd este
necesar decuplarea galvanic cu sarcina i modificarea nivelului tensiunii de ieire n raport cu Ec, pot fi
prevzute cu transformator n circuitul de sarcin. Schema din figura 3.37c are o surs de alimentare, ns
existena transformatorului n aceasta este necesar.

Fig. 3.37 (c) Amplificator de putere n doi timpi clasa B cu transformator n circuitul de sarcin

AR Curs Electronic A

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

AR Curs Electronic A

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Partea I-a

introduse de bobin n circuit vor putea fi scrise : j X

= = permitivitatea relativ a dielectricului; S = suprafaa armturilor plane; d = distana dintre armturi.

, deci cu armturi plane plasate n vid, va avea o

ale nfurrii secundare L

rezult reactana circuitului echivalent serie X

( cu valori tipice de 120).

I . Practic ns apariia componentei continue

definit cu semnul (-) pentru a rezulta pozitiv, deoarece la

este mic, ceea ce face ca semnalul s se transmit la ieire fr

S-ar putea să vă placă și