87

REGIMUL DE COMUTARE
AL DISPOZITIVELOR ELECTRONICE

Circuitele electronice n comutaie sunt circuite a cror stare se
modific rapid de la o stare extrem la alt stare extrem (spre
exemplu din conducie n blocare sau invers) .
Circuitele electrice digitale primesc la intrare semnale care au dou
valori distincte numite zero logic i unu logic, semnale care
condiioneaz starea ieirii circuitului.
Nu se aleg valori de tensiune fixe pentru valorile logice (zero logic i
unu logic) ci se aloc domenii de tensiune V pentru fiecare semnal
logic, domenii separate ntre ele, printr-un interval de tensiune numit
zon de incertitudine .










Spre exemplu, n figura 3.1 toate tensiunile sub limita inferioar
1
V
sunt interpretate drept zero logic, iar toate valorile de tensiune care
depesc limita superioar
2
V , sunt interpretate drept unu logic.
Circuitele electrice i modific starea n funcie de semnalele de la
intrare i n funcie de alte elemente (spre exemplu n funcie de starea
anterioar a ieirii).
3
3

V 1 V
2
0 V
1
t
Fig. 3.1.

88
Circuitele electrice n comutaie primesc la intrare un continuu de
valori i i modific starea pentru anumite nivele (specifice
circuitului ) aplicate la intrare.
Procesul de comutaie a dispozitivelor semiconductoare const
n tranziia din starea de transfer a curentului electric de conducie (de
la intrarea la ieirea dispozitivului) , numit stare "de conducie" la
starea "de blocare" a curentului electric i invers.
Deoarece toate dispozitivele au o caracteristic static, ca n figura 3.2
, coninnd o zon liniar OA i o zon de saturaie AB a curentului,
starea de conducie poate fi:
- la saturaie, cnd PSF este pe AB;
- la saturaie incipient, cnd PSF este n A;
- n zona liniar, cnd PSF este pe OA.
Starea de blocare situeaz PSF n zona OC, aproape de punctul O.
Dac PSF se ndeprteaz de O ctre valori negative, starea de blocare
este "profund".












Principalele dispozitive semiconductoare utilizate n procesul de
comutare a curenilor se bazeaz fie pe proprietile dinamice ale unei
jonciuni semiconductoare fie pe efectele cmpului electric (i uneori
magnetic) asupra purttorilor de sarcin.


3.1. Comutarea diodei semiconductoare

n figura 3.3 este schematizat o jonciune P-N i profilul
concentraiei de goluri. [2,3,4]
Polarizarea direct a jonciunii conduce la injectarea de purttori
minoritari (goluri n zona N i electroni n zona P). se noteaz +q
sarcina n exces fa de concentraia la echilibru ( p
p0
n zona P i
respectiv p
n0
) a purttorilor de sarcin.
I
I
s
A B




O V
s
V
Fig. 3.2.

89






















Variaia sarcinii acumulate are loc prin intermediul curentului i ,
care este format din trei componente:
- componenta datorat golurilor i electronilor care traverseaz
jonciunea component exprimat prin viteza de variaie a
sarcinii
dt
dq
;
- componenta datorat recombinrii purttorilor n exces
(golurilor) din zona N cu purttorii majoritari din respectiva
zon semiconductoare (electronii) o component invers
proporional cu timpul de via
p
:
- componenta datorat ncrcrii /descrcrii capacitii
jonciunii C
j
cu purttorii majoritari

dt
dv
c
q
dt
dq
i
ak
j
F
+ + =

.

Curentul datorat purttorilor majoritari s-a exprimat n funcie de
capacitatea jonciunii

P j N
P
p0

P
n0

q
Fig. 3.3.

90
dt
dv
c
dt
dv
v
q
dt
dv
dv
dq
dt
dq
ak
j
ak
ak
j
j
=

= = .

Comutarea diodei semiconductoare din blocare n conducie
poate fi exemplificat pe baza montajului din figura 3.4.





















Componenta curentului de ncrcare a capacitii este mic
( 0
dt
dv
C
ak
j
) astfel nct ecuaia transferului de purttori
dt
dv
C q
dt
dq
i
ak
j
F
+ + =

1
,
devine

F
q
dt
dq
i

+ =
Condiiile iniiale ale circuitului sunt

=
F
I
pentru
i
0
0
0
>

t
t
,

P N
i

V
F
V
i
R
L
V
L





V
i

V
F

t


i

I
F
,
F

t

Fig. 3.4.

91
unde I
F
este curentul ce se stabilete n circuit n condiii de regim
permanent ( cnd dioda este n conducie, rezistena acesteia este r
on
,
de valoare mic), care se determin n funcie de sarcin

L
F
on L
F
F
R
V
r R
V
I
+
= .

Expresia curentului, dup nchiderea comutatorului, se obine din
ecuaia transferului de purttori ( n condiiile iniiale specificate mai
sus)

= +
F
F
I q
dt
dq

1

= +
F F F
I q
dt
dq


) 1 (
) (
F
t
F F t
e I q

= .

Timpul t
r
la care se obine 90 % din valoarea final I
F
a curentului, se
determin exprimnd innd seama de definiia curentului electric de
conducie (viteza de variaie n timp a sarcinii printr-o suprafa dat
a jonciunii)

= =
= =
) exp( 9 , 0 ) (
) exp( ) (
F
r
F F r
F
F
t
I I t i
t
I
dt
dq
t i

F F r
t 3 , 2 ) 10 ln( = = .

Se constat c timpul de cretere t
r
este de 2,3 ori mai mare ca timpul
de via al purttorilor minoritari injectai
F
, n condiiile cnd
jonciunea nu a fost mai nti blocat.

Dac comutarea are loc din blocare n conducie, n sensul c
la aplicarea sursei de comutare V
F
jonciunea era blocat de o tensiune
invers, timpul de conectare este mai lung.
Timpul t
r
se msoar dup ce s-a descrcat capacitatea de barier C
B

de sarcina pe care o avea cnd dispozitivul era n stare
de blocare. Descrcarea capacitii se face exponenial prin rezistena
de sarcin ntr-un timp

B L r
C R t 3 , 2 = ,

92

aa nct timpul de comutare a jonciunii din blocare n conducie este

F B L r
C R t 3 , 2 3 , 2 + = .

Comutarea diodei semiconductoare din conducie n blocare
poate fi exemplificat pe baza montajului din figura 3.5.
La momentul iniial de timp dioda este n conducie, ceea ce nseamn
c prezint o rezisten mic i curentul prin dispozitiv are expresia

L
F
on L
F
F
R
V
r R
V
I
+
= .

n funcie de sarcina stocat la jonciune

( ) f F
I q =
0
,

poate fi exprimat, n regim staionar, curentul direct

F
q
i

=
( )
F
F
q
I

0
= .

La comutarea sursei de blocare V
R
(t=0) dispozitivul este nc n
conducie, deci este caracterizat prin rezistena r
on
, de valoare mic,
ceea ce conduce la expresia curentului invers din momentul conectrii

L
R
on L
R
R
R
V
r R
V
I
+
= .

Valoarea final a sarcinii injectate este funcie de valoarea curentului
care circul

f R f
I q = .
Variaia sarcinii se exprim prin intermediul unei ecuaii difereniale
de ordinul I, i anume ecuaia de transfer a purttorilor, a crei soluie
este n funcie de valorile iniial i final a sarcinii n exces

), exp( ) ( ) (

t
q q q t q
i f f
=

unde q
i
este sarcina la t=0, iar este constanta de timp
F
.

93





























Cu aceste notaii avem
( )
( )
f
t
f F f R f R t
e I I I q



= .

La t
S
se elimina toat sarcina n exces

( )
0 =
s
t
q

( )
|
|

\
|
+
+
+
=
R
F
f
f R
f F R
f s
I
I
I s q
I I
t 1 ln
/
ln

.

I
R

P N


i
I
R

V
F
V
R
V
L
R
L





i
I
F


t


-I
R





q
I
F

F
t

-I
R

F


Fig. 3.5.

94
Dup anularea sarcinii n exces se continu procesul de ncrcare a
capacitii de barier ntr-un timp

B L d
C R t 3 , 2 = .

Timpul total de comutare din conducie n blocare este suma celor doi
timpi

|
|

\
|
+ + =
R
E
f B L inv
I
I
C R t 1 ln 3 , 2 .

Pentru a scdea timpul de comutare se adopt dispozitive cu capacitate
de blocare C
B
mic i se adopt cureni de blocare I
R
de valori suficient
de mari fa de curentul I
F
care circula prin dispozitiv n condiiile
iniiale de polarizare n conducie a dispozitivului.

3.2. Comutarea tranzistorului bipolar

Pentru a preciza noiunile, toate referirile se vor face la tranzistorul
bipolar de tipul PNP, a crei schem funcional i simbol sunt
prezentate n figura 3.6.

















Tranzistorul este n conducie dac jonciunile sunt polarizate
corespunztor i anume jonciunea emitor baz n conducie i
jonciunea colector baz este polarizat invers, ca n figura 3.6.

C

P N P i
C


E C i
B
B


V
EB
>0 V
CB
<0 i
E


B
E
Fig. 3.6.

95















Considernd o ax OX cu originea n zona bazei la limita jonciunii
emitor baz n figura 3.7 este prezentat profilul concentraiei
purttorilor minoritari (goluri).
Concentraia golurilor injectate din emitor n baz p
n(0)
scade pn la
valoarea concentraiei p
n0
stabilit de echilibrul termodinamic (pentru
zona bazei).
Golurile injectate determin acumularea n baz a unei sarcini n
exces(fa de cea de la echilibru termodinamic) care se noteaz cu

dx p p A q q
n n
w
i e B
) (
0
0
=

.

Variaia sarcini
B
q determin un curent
dt
dq
i
B
=
1

Purttori (golurile) injectai prin suprafaa bazei se deplaseaz pn la
ciocnirea cu un atom din reeaua cristalin a bazei , pierznd energie
astfel nct energia acestuia nu se mai gsete n BC. Procesul este
numit recombinare.
Prin recombinare, un electron care nu mai are suficient energie va fi
prins ntr-o legtur covalent nesatisfcut (remintim c s-a definit
golul ca fiind o legtur covalent nesatisfcut). Prin recombinare att
electronul ct i golul nu vor mai putea participa la procesul de
conducie a curentului electric.
p
n


p
n(0)



p
n0

O w x

Fig. 3.7.

96
n aceste condiii avem un curent datorat recombinrii (
p
B
q
i

=
2
) care
este proporional cu numrul de purttori i invers proporional cu
p

numit timp de via al purttorilor n exces n zona bazei.
Jonciunea colector baz este polarizat invers , ceea ce nseamn
c exist o zon de golire (nu conine purttori de sarcin, rezult o
conductivitate mic la fel ca a unui dielectric) care determin o
capacitate de barier notat cu
BC
C Modificarea sarcini pe una din
armturi (n zona bazei, spre exemplu ) determin, prin modificarea
cmpului intern o modificare a sarcini i pe cealalt armtur. Apare
astfel un curent datorat variaiei sarcinii de pe capacitatea respectiv

dt
dV
C
dt
dV
dV
dq
dt
dq
i
CB
BC
CB
CB
= = =
3
,

unde
V
q
C
BC

= , este capacitatea jonciunii colector baz.

Curentul n baz este datorat celor trei fenomene care modific sarcina
se exprim prin ecuaia

dt
dV
C
q
dt
dq
i
CB
BC
P
B B
B
+ + =

.

Curentul n colector este determinat de recombinarea purttorilor care
au traversat jonciunea BC
F
B
C
q
i

= ,

unde
F
este timpul de via al purttorilor n zona colectorului.
Ecuaiile curenilor, mai sus definite, mpreun cu relaia dintre
curenii la bornele tranzistorului definesc ecuaiile metodei sarcinii

dt
dV
C
q
dt
dq
i
CB
BC
P
B B
B
+ + =

F
B
C
q
i

=
B C E
i i i + =


97
unde timpii de via sunt
P
- n zona bazei, iar
F
- n zona
colectorului.
n regim staionar , cnd nu exist variaii n timp ale tensiunilor de pe
tranzistor nu vor exista variaii ale sarcini n exces din baz i
ecuaiile sarcinii pentru regim staionar sunt:
P
B
B
q
I

= ,
F
B
C
q
I

= ,
B C E
I I I + = .

Dac se utilizeaz relaia mediat de factorul static amplificator
F

dintre cureni
P
B
F
F
B
B F CBO B F C
q q
I I I I

=
+ =
,

se stabilete o relaie ntre cei doi timpi de via a purttorilor

F F P
= .

Timpul de via n zona bazei este mult mai mare ca cel din zona
colectorului.

Comutarea n conducie a tranzistorului bipolar

Tranzistorul din figura 3.8, fiind de tipul PNP, pentru a determina
intrarea acestuia n conducie se impune ca semnalul aplicat la intrarea
acestuia (ntre baz i emitor) s aib o cdere din zero voli ctre
tensiuni negative V
BB
.
Tensiunea negativ a bazei determin n regim staionar un curent de
baz

= +
BE BB B B EB
V V I R V
B
BB
B
EB bb
B
R
V
R
V V
I

=
1
.

Curentul injectat n baz determin un curent de colector


1 1 B F C
I I = .

98

Conform metodei sarcinii avem expresiile curenilor

dt
dV
C
q
dt
dq
i
CB
BC
P
B B
B
+ + =

,
F
P
C F C B
F
B
C
i i q
q
i

= = = .

Relaiile dintre tensiunile tranzistorului permit aproximarea

EB CB
CB EB CB CE
V V
V V V V

=
.






















Din teorema a doua a lui Kirchoff obinem

CC CB C C
CC CE C C
V V i R
V V i R
=
=
,

i
C
R
C
-V
CC

V
CB


R
B

V
CE

0
V
EB
i
E

V
BB



i
B

I
B1

t
i
C

I
C
t

Fig. 3.8.

99
care prin difereniere determin o relaie ntre tensiunea de pe
capacitatea jonciunii i curentul de colector

dt
di
R
dt
dV
dt
dV
dt
dV
dt
di
R
C
C
CB
CC CB C
C
=
= = 0
.

Dac se nlocuiete n prima ecuaie a metodei sarcinii obinem
dt
di
C R i
dt
di
i
C
BC C C
F
C
F
P
B
+ + =

1
.
Prin aplicarea impulsului la intrarea tranzistorului, se obine curentul
de baz
1 B B
I i = i ecuaia de mai sus devine

B C
F
BC C
F
P C
i i C R
dt
di
= + +

1
) ( ,
sau
( )
1 B F C
C
BC C F P
I i
dt
di
C R = + + .

Ecuaia diferenial fiind de ordinul I are soluia

( ) ( ) ) exp(

t
I I I t i
CI CF CF C
+ = ,
unde

! 1 B F C CF
I I I = =
0 =
i C
I
BC C F P
C R + = .

Curentul de colector are o variaie exponenial

( )
|
|

\
|
=

t
B F C
e I t i 1
1
.

Timpul n care curentul de colector ajunge la 90% din valoarea de
regim permanent (valoarea final) este


100
( )
BC C F P on
C R t + = = 3 , 2 3 , 2 .
Timpul n care curentul de colector ajunge valoarea de regim
permanent la comutarea n conducie a tranzistorului este mai mare
dect t
C1
fiind format din trei timpi (prezentai n figura 3.9) i anume:
- timpul n care
B
i creste de la zero la
1 B
I , datorit ncrcri
capaciti
BE
C , avnd expresia
BE B BE
C R t 3 , 2 = ;

- timpul n care ncepe s creasc
C
i , timp n care are loc
stabilirea profilului de concentraie a purttorilor

T
P
f
t
3
1
= ,
depinznd de
T
f frecvena de tiere a tranzistorului;
- timpul t
C1
pn ce curentul ajunge la valoarea final.


















n concluzie timpul de comutare din blocare n conducie a
tranzistorului bipolar se determin cu relaia

( )
T
BE B BC C F P on
f
C R C R t
3
1
3 , 2 3 , 2 + + + = ,
care poate fi aproximat cu

i
B



I
B1


t


i
C

I
C1


t


t
BE
t
P
t
C1
Fig. 3.9.

101
BC C F on
C R t 3 , 2 = .

Pentru scderea timpului de comutare n conducie se iau msuri n
vederea scderii capacitii i a rezistenei din colectorul tranzistorului.

Comutarea n blocare a tranzistorului bipolar (din regiunea
activ n regiune de blocare)

Folosim montajul din figura 3.8, n condiiile n care la momentul
de timp iniial n baza tranzistorului se afl sursa negativ de tensiune.
Pentru comutare se aplic pe baz sursa pozitiv.
Cele dou surse determin curentul direct I
B1
i respectiv curentul
invers I
B2
, ca n figura 3.10, precum i curenii de colector
1 1 B F C
I I = ,

2 B F CF
I I = .

Ecuaiile metodei sarcinii, pentru condiiile date, conduc la ecuaia
diferenial

( )
2 B F C
C
BC C F P
I i
dt
di
C R = + + ,

a crei soluie este
( )
( )


t
B B F B F t C
e I I I i

+ + =
2 1 2
,

unde constanta de timp are expresia

( )
C BC F P
R C + = .

Timpul de comutaie se obine din condiia ca valoarea curentului de
colector al tranzistorului s scad la 10% din valoarea iniial

( )
=
1
1 , 0
B F t C
I i
Off


( )
C BC F P
B B
B B
C BC F P off
R C
I I
I I
R C t +
+
+
+ = 3 , 2 )
1 , 0
ln( ) (
2 1
2 1
.



102






























n condiiile cnd I
B2
este mic se folosete forma aproximativ a
timpului de comutare a tranzistorului din conducie n blocare

( )
C BC F P off
R C t + 3 , 2 .


Comutarea din saturaie i n saturaie a tranzistorului
bipolar

Zona activ de funcionare a tranzistorului, n care curentul de
colector crete cu creterea curentului de baz i este valabil relaia
i
C
-V
CC

V
CB
R
C

R
B

I
B2
V
CE


I
B1
V
EB
i
E




i
B

I
B1



t


-I
B2

i
C

I
C1
=
F
I
B1




t


Fig. 3.10.

103
B F C
i i = , este limitat de curentul de saturaie al bazei i
B
< I
BS
, ca n
figura 3.11.











Zona de saturaie se obine pentru cureni de baz mai mari i
B
> I
BS
,
unde curentul de colector este constant I
C
=I
CS
.
Tranzistorul funcioneaz la saturaie incipient dac curentul de
colector este constant I
C
= I
CS
i curentul de baz este

F
CS
BS
I
I

= .

Sarcina n exces din baz, n condiiile saturaiei incipiente, se noteaz
Binc
q i permite redefinirea curenilor

= = =
= = =
CS
F
Binc
C
BS
P
Binc
B
I const
q
I
I const
q
I

.

Dac sursa din baza tranzistorului determin un curent n baz
BS B
I I
1

ca n figura 3.12, spunem c tranzistorul se gsete n saturaie
profund .
n condiiile saturaiei profunde se injecteaz o sarcin suplimentar
S
q (sarcin suplimentar fa de sarcina n exces injectat la saturaia
incipient) al crui timp de recombinare l notm cu
S
.

Comutarea tranzistorului din zona de saturaie incipient n
zona de saturaie profund

Aplicm metoda sarcinii, neglijnd curentul de ncrcare al capacitii.
Sarcina injectat este( )
S Binc
q q + i ecuaiile corespunztoare sunt
I
C

I
CS



I
BS
I
B
Fig. 3.11.

104

= = =
+ + = + + =
const I
q
i
dt
dq q
I
dt
dq q q
i
CS
F
Binc
C
S
S
S
BS
S
S
S
S
Binc
B

.


















Timpul t
S
necesar pentru ca tranzistorul s comute de la saturaie
incipient la saturaie profund se determin din ecuaia

( )
BS B S S
S
S
I I q
dt
dq
= +
1
,

unde sarcina suplimentar q
S
crete de la zero la valoarea final (se
scade din sarcina total injectat la saturaie profund
1 B S
I sarcina care
a fost injectat pn ce s-a obinut saturaia incipient
BS S
I )

( )
0
0
=
S
q ,
( )
BS B S SF
I I q =
1
,
care conduc la relaia de modificare a sarcinii suplimentare
( )
( )
S
t
BS B S t S
e I I q

=
1
.

La
S
t avem
( ) S S SF t S
t q q
S
3 , 2 9 , 0 = = .
i
B


I
B1

I
BS
t


i
C

I
CS

t

Fig. 3.12.

105

S S
t 3 , 2 =

La comutarea tranzistorului din zona de blocare n zona de
saturaie profund, se vor aduna timpii corespunztori transferului
din zona de blocare n zona activ t
on
pn la saturaie incipient i a
timpului de transfer t
S
de la saturaie incipient la saturaie profund

| ( ) |
S BE B BC C F P S on C
f
C R C R t t t 3 , 2
3
1
3 , 2 3 . 2 + + + + = + = .

La comutarea tranzistorului din zona de saturaie profund n
zona de blocare se utilizeaz o surs care s comute curentul din baza
tranzistorului de la I
B1
la -I
B2
, ca n figura 3.13.


















Comutarea curentului din baza tranzistorului nu determin modificarea
curentului de colector (acesta rmne la valoarea de saturaie I
CS
)
dect dup evacuarea sarcinii suplimentare q
S
(sarcin stocat n
intervalul dintre saturaia incipient i saturaia profund) evacuare
care are loc n timpul t
S
.
n continuare punctul de funcionare traverseaz zona activ pn la
blocarea tranzistorului. Curentul de colector scade, ca n figura 3.13,
pn la zero, n intervalul de timp t
off
.
i
B


I
B1

I
BS
t

-I
B2
i
C
I
CS

t

t
S
t
off

Fig. 3.13.

106
Timpul de comutare din saturaie incipient n blocare t
off
este cu o
bun aproximaie egal cu timpul de comutare direct din blocare n
saturaie incipient t
on
.
Timpul total de comutare din zona de saturaie profund n zona de
blocare este suma celor doi timpi

on S off S C
t t t t t + + = .

nlocuind expresiile celor doi timpi, anterior deduse, avem

S
B B
B B
C BC F P C
t
I I
I I
R C t 3 , 2 )
1 , 0
ln( ) (
2 1
2 1
+
+
+
+ =
sau relaia aproximativ

( )
S BC C F P C
t C R t 3 , 2 3 , 2 + + .


De reinut
- Timpul de comutare din regiune de blocare n regiunea activ
prin aplicarea curentului I
B1
are expresia
( ) ( )
BC C F P
T
BE B BC C F P on
C R
f
C R C R t + + + + = 3 , 2
3
1
3 , 2 3 , 2 ;

- Timpul de comutare din regiunea activ n regiune de blocare
prin comutarea curentului bazei de la I
B1
la I
B2
este

( )
BC C F P
B B
B B
C BC F P off
C R
I I
I I
R C t +
+
+
+ = 3 , 2 )
1 , 0
ln( ) (
2 1
2 1
;

- Timpul de comutare din zona activ (din zona de saturaie
incipient) n zona de saturaie profund este

S S
t 3 , 2 = .








107
3.3. Comutarea tranzistorului cu efect de cmp

Comutarea tranzistorului cu efect de cmp este un proces care
depinde de sarcina acestuia.
Cum, n cazul circuitelor digitale un tranzistor cu efect de cmp
comand un alt tranzistor cu efect de cmp (n cele mai multe cazuri)
rezult c sarcina etajului care comut este format din impedana de
intrare a unui tranzistor cu efect de cmp.
Tranzistorul cu efect de cmp prezint o impedan de intrare
foarte mare, motiv pentru care ceea ce conteaz din punctul de vedere
al comutaiei, este capacitatea de la intrarea acestuia i mai puin
rezistena de intrare.





















Tranzistorul T
2
din schema 3.14 se afl n una din strile saturat
sau blocat, iar tranzistorul T
1
are rolul de rezisten de sarcin a
tranzistorului T
2
(notat R
S
).
Dac tensiunea de intrare V
i
blocheaz tranzistorul T
2

condensatorul C
i
se ncarc prin R
S
, cu o constant de timp

S i
R C = ,

+V
DD
V
i
V
o
T
1
T
2
C
i
V
i
V
DD
V
r
t

t

V
o
t
C
t
r
a) b)
Fig. 3.14.

108
ctre valoarea sursei de alimentare V
DD
, ntr-un timp t
r
.
Descrcarea condensatorului are loc cnd T
2
se blocheaz, de ctre
semnalul de intrare V
i
.
Condensatorul C
i
se descarc prin R
T
(rezistena dren surs a
tranzistorului n conducie)

, cu o constant de timp

T i
R C =

ctre zero , ntr-un timp t
C
.