Universitatea Tehnica a Moldovei Facultatea Calculatoare, Informatica si Microelectronica Catedra Microelectronica si Dispozitive Semiconductoare

Lucrare grafica
La disciplina Dispozitive micronanoelctronice 1. Tema: Cercetarea si proiectarea unei diode semiconductoare.

st.gr ME-091 A efectuat: Borodin Eugeniu

prof.univ,dr,hab, membru corespondent al AM A vrificat: iianu Tudor

Chisinu 2011
15

Cuprins: 1.Sarcina de lucru_____________________________________________2 2.Datele de catalog.Parametrii__________________________________2 3.Selectarea materialului_______________________________________2 4.Datele experimentale________________________________________ 2 5.Calculul parametrilor diodei___________________________________3 a)Gradientul concentratiei_____________________________________3 b)Potentialul de contact_______________________________________4 c)Latimea jonctiunii___________________________________________4 d)Sarcina de volum___________________________________________5 e)Caderea de potential________________________________________5 f)Intensitatea maximala pe regiuni_______________________________5 g)Concentratiile minore________________________________________6 h)Coeficientul de difuzie_______________________________________6 i)Lungimea de difuzie_________________________________________7 j)Capacitatea de bariera_______________________________________7 k)Nivelurile si cvasinivelurile Fermi______________________________7 6.Calculul elementelor circuitului echivalent________________________8
15

7.Aplicatii____________________________________________________10 8.Concluzie___________________________________________________12 9.Anexa______________________________________________________13 10.Bibliografie_________________________________________________ 18

1.Sarcina de lucru De proiectat si de calculat parametrii unei diode semiconductoare alese.

2.Datele de catalog.Parametrii Pentru aceasta lucrare s-a ales dioda 208 care are urmatoarele caracteristici de catalog: Caracteristicele diodei redresoare 208: Udir,max Uinv,max Udir,med Idir,max V V V mA 1 300 1 100 Iinv,max mA 0.05 fmax kHz 1 Tmin K 213 Tmax K 398

3.Selectarea materialului Cel mai intrebuintat material la constructia elementelor electronice este siliciul-Si. Aceasta se datoreste costului mic si aflarea lui in natura in cantitati mari. In lucrarea grafica data, am ales ca material semiconductor siliciul, deoarece diodele confectionate pe baza lui functioneaza fara mari erori in limitele de lucru date in catalog. Parametrii de catalog ai siliciului-Si: -Grosimea benzii interzise: -Concentratia intrinseca: ; ;

15

-Mobilitatea: -Permitivitatea relative: -Permitivitatea absoluta: ; ;

4.Datele experimentale Constructia caracteristii Volt-Amperice (CVA) si dependentei capacitatii de bariera de tensiunea aplicata pe dioda : directa si inversa ,se face cu ajutorul datelor experimentale. Tabelul cu datele de masurare a CVA la polarizare directa : Udir 0 0.1 ,V Idir, 0 0.00 mA 34 0.2 0. 6 0.03 0.21 0.73 1.75 3. 2 2 2 5 3 0.3 0.4 0.5 0.7 0.8 0.9 1 14. 2

5.37 7.88 10.8 6 8 36

Tabela cu datele de masurare a CVA la polarizare inversa si dependenta capacitatii de bariara de tensiunea inversa :

Uinv, V Iinv, A CB , pF 1/CB 2 , mF 1/CB 3 , 104 F

0 0 21. 66 2.1 0.9

-1 13 12. 34 6.6 5.3

-2 19. 26 9.8 1 10. 8 10. 6

-3 23. 61 8.4 7 13. 9 16. 4

-4 26. 84 7.6 17. 3 22. 8

-5 29. 35 6.9 8 20. 5 29. 4

-6 31. 38 6.5 1 23. 6 36. 2

-7 33. 04 6.1 3 26. 6 43. 5

-8 34. 4 5.8 2 29. 5

-9 35. 55 5.5 6 32. 4

-10 36. 5 3.3 4 89. 3 27 0

50. 58. 8 12

5.Calculul parametrilor diodei I. Calculam gradientul concentratiei:

15

Jonctiunea p-n este elemental cel mai important al diodei semiconductoare.Proprietatea de baza a diodei este ca valoarea conductibilitatii electrice sa depinda de tensiunea aplicata. In cazul polarizarii directe , conductibilitatea are valori mari, in cazul polarizarii inverse conductibilitatea este foarte mica. Intr-o jonctiune p-n abrupta concentratia acceptorilor este egala cu NA pentru x<0 si cu 0 pentru x>0. Concentratia impuritatilor donoare este ND pentru x>0 si 0 pentu x<0. Jonctiunea p-n se va realiza prin metoda difuziei impuritatilor acceptoare intr-un semiconductor de tip n, astfel incit in aceasta regiune concentratia NA sa fie mai mare decit concentratia ND. Prin comparatia graficelor 1/CB2=f(Uinv) si 1/CB3=f(Uinv) se poate de facut concluzia ca dioda data are jonctiunea abrupt.Datorita acestui fapt, pentru calculul tensiunii de strapungerre se foloseste urmatoarea expresie :

Din formula:

se poate de determinat concentratia donora

asind concentratia donora se poate de determinat concentratia acceptoare din presupunearea ca concentratia acceptoare este de o suta de ori mai mare decit concentratia donora,astfel obtinem:
15

II.

Calculam potentialului de contact

III.

Calculam latimea jonctiunii

IV. Calculam latimea regiunii sarcinii spatiale in regiunea n.

V. Calculam latimea regiunii sarcinii spatial in regiunea p.

VI.

Calculam sarcina de volum

15

VII.

Determinarea caderii de potential pe regiunile

si

Daca:
a.

X= )

b.

X= =

c.

X= )

VIII.

Calculam intensitatea maximala in regiunea n si p,

15

Stiind ca in regiunea p si in regiunea n este aproximativ unu si acelasi, rezulta ca vectorul intensitatii cimpului electric trebue sa fie continuu la trecerea dintr-o regiune in alta.

IX.

Calculam concentratia sarcinilor minore

si

X.

Determinam coeficientul de difuzie al electronilor si a golurilor ,

15

XI.

Calculam lungimea de difuzie a purtatorilor de sarcina .

reprezinta timpul mediu de viata a purtatorilor de sarcina de neechilibru cu valorile: 3.2 ns s

XII.

Calculam capacitatea de bariera

Considerind ca aria jonctiunii p-n este Spn=1mm, capacitatea de bariera , la tensiunea de strapungere , va avea valoarea:

XIII. Calculam nivelul si cvasinivelurile Fermi .

Unde Eg reprezinta banda interzisa dintre partea superiara a benzii de valenta si partea inferiara a benzii de conductive.
15

6.Calculul elementelor circuitului echivalent

XIV.

a)Capacitatea de bariera:

b)Capacitatea de difuzie:

c)Rezistenta diodei,rezistenta sursei,rezistenta emitorului si rezistenta diferentiala:RS, Din consideratii tehnologice si din valoarea maximala a densitatii de curent , valoarea suprafetei jonctiunii este : , iar dimensiunile bazei si emitorului sint :
15

; ; ; R= ; ; );

7.Aplicatii Astfel de tip de dioda semiconductore pote fi folosita pentru redresarea curentului alternativ de frecventa joasa (pina la 1 kHz) in curent continuu la o temperature nu mai mare de 125oC. Pentru redresarea curentului se pot folosi mai multe scheme electrice.Dintre cele mai des utilizate putem mentiona: a) Redresorul monofazat monoalternanta:

b) Rezistorul monofazat dublualternanta:

15

c) Puntea de redresare:

In rezultatul folosirii redresoarelor , se obtine doar o polarizare constanta a semnalului la iesire. Pentru a avea o sursa de tensiune intradevar continua trebue sa utilizam si diferite filtre , printre care mentionam:

a)

C-filtru

b) L-filtru

c) LC filtru

15

d) RC-filtru

In rezultatul utilizarii redresoarelor insotite de filtrele de mai sus se obtin surse de tensiune la care valoarea tensiunii la iesire nu variaza in timp.

8.Concluzie: n aceast lucrare m-am familiarizat cu principiul de proiectare a unei diode cu o jonciune p-n abrupt ,tipul jonctiunii determinindul din graficile dependentei capacitatii de bariera de tensiunea inversa. Pentru aceasta am selectat materialul semiconductor din care urmeaza a fi construita dioda ;am calculat parametrii diodei alese si facind o comparatie cu datele din catalog am observat c snt aproximativ egali, diferenta datorindu-se erorilor cauzate la calcule si experiente. Caracteristicile diodei le-am studiat dupa graficile costruite dupa datele experimentale. In final am adus exemple de utilizare a diodei : redresarea curentului alternativ de
15

frecven inalta (pn la 1MHz) n curent continuu la o temperatur nu mai mare de 423 K. Pentru a afla mai detailat despre constructia diodei am studiat mai multe carti, adrese de pe internet legate de domeniul microelectronicii.

9.Anexa: 1)Caracteristica CVA la polarizare directa :

15

2)Caracteristica CVA la polarizare inversa :

3)Caracteristica dependentei capacitatii de bariera de tensiunea directa :

15

4)Graficul dependentei patratului capacitatii de bariera de tensiuna inversa :

15

5)Graficul depentei cubului capacitatii de bariera de tensiunea inversa :

6)Forma distributiei concentratiei impuritatilor NA,D(x) : N=N0*e-x/Lx, N0=NA

15

7)Repartizarea potentialului, energiei si sarcinilor in regiunea jonctiunii p-n :

15

8)Profilul concentratiilor in regiunea jonctiunii :

15

9)Diagrama benzilor energetice :

10.Bibliogasfie:
15

1)P. Gasin , P. Gaugas , Al. Fosca ; Fizica dispozitivelor semiconductoare 1998; 2)S. Sisianu , T. Sisianu , O. Lupan ; Comunicatii prin fibre optice ; 3)Conspectul de curs; 4)www.datasheetcatalog.com;www.onsemi.com;www.google.com ; 5)G.Vasilescu ,S. Lungu : Electronica 1993 ; 6)Catalog : Dispozitive semiconductoare :diode, tiristoare, dispozitive optoelectronice(in limba rusa) 1987. `

15