Patrea I STRUCTURA SI DINAMICA RETELEI

.

1. Elemente de structură cristalină
1.1. Clasificarea materialelor după structură Materialele solide pot fi cristaline sau amorfe. O trasatură caracteristică a materialelor cristaline o constituie aranjarea ordonată a particulelor componente pe distanţe foarte mari în raport cu distanţele interatomice. In astfel de situatii spunem ca exista ordine la mare distanţă şi că se parcurge un număr extraordinar de mare de distante interatomice până când să apară o abatere de la aranjarea regulată a particulelor componente ale cristalului (Fig.1.1.a). Există materiale solide în care aranjarea regulată a particulelor componente se întâlneşte pe domenii restrânse, nedepăşind în diametru câţiva Ǻ( 6-7 Ǻ). Spunem că acestea sunt solide necristaline. Ele se caracterizează printr-o ordine la mică distanţă. Structura cristalină conferă materialelor proprietatea de anizotropie iar structura amorfa cea de izotropie. Aranjarea periodică a particulelor constituente după cele trei direcţii spaţiale constituie simetria internă sau simetria cristalină. Forma poliedrică exterioara, determinată de procesele de cristalizare simetria externă, geometrică sau singonia. Din punct de vedere teoretic, un solid amorf presupune lipsa oricărei ordini locale (în apropiere, cât şi la distanţă). Ordinea la mica distanţă este caracteristică atât solidelor amorfe, cât şi lichidelor, motiv pentru care materialele amorfe pot fi considerate ca lichide subrăcite. (Fig.1.1.b) In general, materialele sunt policristaline, adică sunt constituite dintr-o mulţime de cristalite, sau grăunţi, orientaţi aleatoriu. (Fig.1.1.c). Dacă printr-un procedeu oarecare se reduc dimensiunile grăunţilor de la 1 µm spre mai multi nm atunci acest fenomen va avea un impact deosebit asupra comportării materialului. Dimensiunea mică a cristalitelor (de ordinul nm) face ca majoritatea atomilor să fie atomi de graniţă, situati la suprafaţă. Într-un material de constituie

4

acest gen predomină fenomenele de suprafaţă şi interfaţă. Un material nanocristalin este un solid la care dimensiunea cristalitelor este, în general, mai mică de 100 nm .

Pirita – monocristal

a) Monocristal

b) Amorf

Forma policristalina a Piritei

c) Policristal Fig.1.1. Exemple de solide: a) monocriltal; b)amorf; c) policristal Materialele pot fi elaborate atat în stare masivă cât şi sub formă de straturi subţiri sau sub formă de pulbere (nano-pulbere), particule (nanoparticule), cvasicristale, benzi (nanobenzi), fire (nanofire). Trecerea de la materialul masiv la cel cu dimensionalitate redusa este însoţită de modificări importante ale proprietăţilor materialelor. Legile fizicii utilizate pentru înţelegerea proprietăţilor solidului cristalin sunt aceleaşi cu cele utilizate în studiul atomilor şi moleculelor. Astfel alături de ecuaţiile lui Maxwell care se aplică la studiul câmpurilor electromagnetice şi ecuaţia lui Schrödinger care se aplică pentru determinarea funcţiilor de undă ale particulelor se utilizează mecanica statistică şi termodinamica.

5

1.2. Structura cristalină 1.2.1.Periodicitatea cristalină Reţele şi vectori de bază Majoritatea materialelor solide posedă o structură cristalină, adică o periodicitate spatială, sau simetrie de translaţie (Fig.1.2.a. . Un cristal poate fi privit ca un aranjament 3 dimensional, periodic, al atomilor în spatiu. Pentru a descrie structura unui cristal se consideră că atomii se găsesc în poziţiile lor de echilibru şi se alege un model ideal format dintr-o reţea infinită de noduri, care prezintă o simetrie de translaţie şi o bază de atomi care se adaugă în fiecare nod al reţelei infinite (Fig.1.2.b).

Platină

Microscopie de scanare prin tunelare a)

Structura Pt

b)

Fig.1.2. Structura cristalina: a) structura ordonată a platinei; b) retea cristalină + bază

6

1. Celula cristalină primitivă. numită celula elementara. a3.4.2 a şi b). şi c.4) fie cu α1. Pozitia atomilor in cristalul ideal poate fi definita de vectorii: rj = n1a + n2b + n3c + pm (1. Volumul celulei elementare este definit de produsul mixt V=(a[bc]) (1. Nu există un mod unic în alegerea vectorilor a. în funcţie de alt punct considerat origine. c. se numesc vectori primitivi ai reţelei directe Celula primitivă Celula definită de vectorii primitivi se numeşte celulă primitivă (Fig. care lasă.2) unde pm sunt vectorii de poziţie ai atomilor în baza asociată nodurilor reţelei Bravais. 1. Vectorii a. a2. fie prin repetarea pe trei direcţii diferite a unei unităţi de constucţie. b. γ (Fig. 1. β.1. (Fig. Unghiurile pe care le formează aceşti vectori între ei se notează fie cu α. n3.Toate structurile cristaline pot fi obţinute fie prin adaugarea unei baze de atomi in nodurile unor retele tri-dimensionale infinite. γ sunt unghiurile pe care le formează între ei. β. toate proprietăţile cristalului neschimbate. Foarte des vectorii necoplanari sunt notaţi cu a1. c sunt vectori de translaţie ai reţelei iar α. putem exprima orice nod al retelei R.4). n2. la deplasarea cristalului în oricare din cele trei direcţii.1) unde n1. în felul următor: R = n1a +n2b +n3c (1. α2. b. Dacă presupunem că există trei vectori ne-coplanari a.3) 7 . α3. b. Fig. sunt numere întregi. Când aceştia sunt egali cu perioadele cele mai scurte pe trei directii necoplanare.

Există unele restricţii pentru n (n = 2. operaţia de rotaţie. Pentru a demonstra acest lucru presupunem că o reţea rămâne neschimbată sub acţiunea unei rotaţii de unghi α în jurul unui nod al reţelei (Fig.4.1.2. Operaţiile de simetrie ce formează grupul punctual pot fi simple sau complexe.5).6). Cn reprezintă rotaţia cu un unghi 2π/n în jurul unei anumite axe. dacă rotindu-l în jurul acestei axe cu un unghi 2π/n el revine la o poziţie identică. Astfel.Celula elementară cristalografică este o celulă care prezintă toate elementele de simetrie ale reţelei cristaline şi nu este primitivă.5). Simetria cristalină Simetria de rotaţie. 3. Un corp poate avea mai multe axe de simetrie. 4. Grupul punctual Pe lângă operaţia de translaţie.5. Celula elementară cu volumul cel mai mic şi care respectă toate operaţiile de simetrie ale cristalului este celula Wiegner-Seitz (Fig. 6). Fig.1.1. Modul de construcţie a celulei Wiegner-Seitz Această celulă este una primitivă şi se construieşte ducând plane perpendiculare la mijlocul distanţelor dintre nodul luat în considerare şi nodurile vecine (Fig. 1. structura cristalină poate fi descrisă şi cu ajutorul operaţiilor de simetrie ce se efectuează în jurul unui punct al reţelei şi care formează setul de operaţii al grupului punctual. Celula Wiegner-Seitz Procedura de alegere a celulei elementare nu este unică şi uneori o celulă arbitrară nu reflectă simetria reţelei. 8 . Spunem că un corp posedă o axă de simetrie de ordinul n.1.

1. 6. punctul A trece în punctul A' şi punctul B trece în punctul B'. ±π /3 şi 0 sau 2π. 1.7). 3. 3. 4 şi 6. σv. C3.7.5) poate avea doar valorile 1. 4. după cum sunt orizontale. Axe şi plane de simetrie.1.1. 3 iar α poate lua valorile ±π . respectiv vor avea valorile "a" şi "sa". Este indicata celulă primitivă a celulei hexagonale. 2π/2 şi 2π/6. sub acţiunea operaţiilor de rotaţie cu un unghi α. Din Fig.1]. Axele de rotaţie de ordin n se notează cu Cn (Fig.8. unde n = 2. C2 şi C6 şi corespund rotaţiilor 2π/4. 2. Având în vedere faptul că funcţia cosinus ia valori cuprinse în intervalul [-1. verticale sau diagonale. unde s trebuie să fie un multiplu întreg al lui a. Atât distanţele AB cât şi A' B' reprezintă distanţe între două noduri ale reţelei. 0. 6. 2.6 se poate constata că sa = a ( 1 + cos α ) . ± 2π/3. σd. s poate lua doar valorile -1.1. ±π /2. Fig. Astfel ordinul axei de rotaţie n = 2π / α (1. 2π/3. 9 . efectul lor şi simbulul lor fiind prezentat în Fig. 1.Fig. Planele de reflexie sunt notate cu σh. Determinarea simetriei de rotaţie Astfel. O rotaţie în jurul unei axe de ordin 1 este echivalentă cu absenţa rotaţiei sau cu o rotaţie cu 360 de grade. Pentru celula hexagonală axa paralelă cu parametrul c este o axă de ordinul şase. Axele de simetrie sunt notate cu C4.

Fig. pentagoanele nu au centru de inversie. γ pe care le formează. Operaţia de reflexie. c şi unghiurile α.y. Reţele Bravais 1. triunghiurile.-z) (Fig. Sn şi constă dintr-o rotaţie Cn. Operaţia de inversie mai poate fi privită şi ca o operaţie de rotaţie în jurul unei axe C 2 urmată de reflexia în planul perpendicular pe această axă. urmată de o reflexie într-un plan normal la axa de rotaţie. punctul fix fiind ales ca origine. b.r. Tetraedrele.9. β.7). 1D Tipurile de reţele diferă prin relaţiile existente între parametrii celulei elementare: a. Tipurile de reţele se deosebesc prin simetria pe care o posedă. reprezintă reflexia într-un plan de simetrie. Centru de inversie este un punct in centrul celulei elementare (moleculei) faţă de care (x. Efectul rotaţiei în jurul unei axe de ordin n şi simbol axei Operaţia de roto-reflexie este o rotaţie improprie.3.1. Reţele unidimensionale. Planele de simetrie se consideră orizontale dacă sunt perpendiculre pe axa de ordin maxim. Intr-o anumită structură cristalină.z) --> (-x.8. Centru de inversie intr-o moleculă 1.-y. Dacă planele conţin axa de ordin maxim se numesc verticale sau diagonale (Fig.1. Fig. I. transformă r → . σ.1.9).1.1.3.Operaţia de inversie. 10 .

1. φ= 90°. Pentru reţaua oblica |a1|≠|a2| . φ= 120°. Reţele Bravais 11 .9. Reţelele unidimensionale. 1.9).a2)=φ. Atomii pot fi identici sau diferiţi (Fig. reteaua hexagonală: |a1|=|a2| . Reţele 1D: simple şi complexe (cu 2 atomi identici respectiv 2 atomi diferiţi pe celula elementară) 1. Cele complexe conţin mai mulţi atomi pe celula elementară. Fig.10. reteaua rectangulară: |a1|≠|a2| . Fig.2. care se mai numesc şi lanţuri. φ= 90° şi reteaua rectangulară centrată: |a1|≠|a2| . pot fi simple sau complexe.1. Cele simple au 1 atom pe celula elementară. φ= 90° Simetria cea mai ridicată o prezintă reţeaua hexagonală pentru că prezintă cel mai mare număr de elemente de simetrie.3.Reţelele pot fi unidimensionale (1D).10). 2D Există 5 tipuri de reţele bidimensionale: reţeaua oblică şi patru reţele speciale (Fig. (a1. Reţele 2D Pentru cazurile speciale se remarcă reteaua patratică: |a1|=|a2|. Reţele bidimensionale. bidimensionale (2D) şi tridimensionale (3D).1.

1. grupate în şapte sisteme cristaline sau singonii (cubic.β şi γ. Ca în Fig. a) b) Fig. 12 . tetragonal. Număr de coordinare (NC). monoclinic.11).3.10. romboedric. 3D Există 14 tipuri de reţele Bravais tridimensionale. iar cele care au puncte ale reţelei atât în colţuri cît şi pe centrele feţelor celulei se numesc cu feţe centrate şi se notează cu F. Celulele care conţin puncte (noduri) ale reţelei în colţuri şi în centrele feţelor superioară şi inferioară se numesc cu baze centrate şi se notează cu C (deoarece axa c este perpendiculară pe aceste feţe).4 se alege un sistem de axe de coordonate în lungul cărora se situează vectorii fundamentali a. orientarea lor fiind determinată de unghiurile α. Reţele: a) Bravais. toate nodurile au acelaşi număr de vecini cei mai apropiaţi. b şi c. Reţelele care prezintă şi puncte neechivalente.3. Dacă punctele reţelei se găsesc doar în colţurile celulei elementare.1.10).1. Reţelele din acelaşi sistem au acelaşi grup punctual al elementelor de simetrie.Reţelele în care toate punctele sunt identice şi prezintă un singur tip de atomi se numesc reţele Bravais. Intr-o retea Bravais nodurile cele mai apropiate de un nod dat reprezinta vecinii cei mai apropiati. hexagonal. aceasta fiind o proprietate a reţelei. respectiv acelaşi număr de coordinare. celula elementară este primitivă şi se notează cu P. b) ne.1.Bravais 1. Reţele tridimensionale. ortorombic. Deoarece reţeaua Bravais este periodică. respectiv atomi diferiţi nu mai pot fi considerate ca fiind Bravais şi se numesc reţele ne-Bravais (Fig. Celulele care pe lângă punctele reţelei din colţuri mai au un punct în centrul celulei se numesc centrate în volum şi se notează cu I (de la cuvântul german innenzentrierte). triclinic Fig.

13 . 6σd. vor contribui la opt celule elementare. la două celule elementare. cele de pe muchii. nodurile participă la o celulă în funcţie de poziţia acestora. Ninterior. iar cele din interiorul celulei. Clase cristalografice (singonii) Celula primitivă are un nod pe celula elementară deoarece fiecare nod din colţul celulei mai participa la încă alte 8 celule elementare. Nmuchie. la patru celule elementare. Ncolt. Fig. Nfata. Dacă cubul are muchia a.11. Astfel nodurile aflate în colţurile unei celule paralelipipedice.1. N= 1 1 1 N colt + N muchie + N fata + N int erior 8 4 2 (1. c = az sunt cei trei vectori primitivi ai reţelei.7).5) Reţele cubice. C3).Pentru cubul simplu numărul de coordinare este 6. C2) şi nouă plane de simetrie (3σh.1. atunci a = ax. şase axe de ordinul doi (diade. Într-o celulă elementară. cele de pe feţe. C4). Aceste reţele au cel mai mare număr de elemente de simetrie: trei axe de ordinul patru (tetrade. Fig. pentru reţeaua cubică cu volum centrat este 8. iar pentru reţeaua cubica cu feţe centrate este 12. doar la o celulă elementară. Număr de atomi sau noduri pe celula elementară. Reţelele sistemului cubic pot fi construite folosind celule cubice . patru axe de ordinul trei (triade. b = ay.

2 b= cubului participă la două celule elementare.1.Seitz a celulei cubice cu volum centrat.1. precum şi poziţia centrului cubului pot fi exprimate ca o combinaţie liniară a vectorilor fundamentali cu coeficienţi întregi. c = a ( x − y+ z) . a + b = ay şi b + c = az aşa încât poziţiile colţurilor cubului.1. 2 2 Aceşti vectori fundamentali sunt prezentaţi în Fig. b) cubice cu feţe centrate 14 . fiind în lungul muchiilor paralelipipedului generat de ei.12.12.x + y+ z) .12. De menţionat este că a + c =ax.b) Fig. este prezentată în Fig.1.a): 1 1 a( . Nodurile de pe feţele 8 2 a= 1 a( x + y− z) .12. N = 8 ⋅ 1 + 1 . Vectorii fundamentali se aleg de obicei cu originea în unul din colţurile cubului şi cu vârfurile în trei noduri localizate pe feţele cubului (Fig. Celula Wigner . Celula cubică cu feţe centrate are patru noduri pe celulă (are patru atomi dacă ne imaginăm că în fiecare nod avem un atom): N = 8 ⋅ 1 1 + 6 ⋅ .13.a. cvc. Celulele primitive ale reţelelor cubice: a) cu volum centrat. pentru această 8 celulă. vectorii fundamentali se aleg cu originea în centrul cubului şi cu vârfurile în centrele a alte trei cuburi vecine în acelaşi colţ (Fig. In general.Pentru celula cubică cu volum centrat există două noduri pe celulă: unul în colţurile celulei şi unul în interiorul celulei.1.

Nu are nici o axă de simetrie sau plan de reflexie. Celula triclinică prezintă un centru de simetrie.1.11).1. Acestea pot fi obţinute prin deformarea reţelei cubice în lungul axei c.Fig.1. Există două tipuri de reţele descrise de o celulă primitivă. Celula tetragonală încă mai prezintă o axă verticală de ordinul patru (tetradă) patru axe de ordinul doi (diade) şi cinci plane de simetrie: unul orizontal.1. Celule Wigner-Seitz 3D Celula Wigner -Seitz a reţelei cubice cu feţe centrate.13. două verticale şi două diagonale.1. respectiv de o celulă cu volum centrat (Fig.11). cfc.13. Celula ortorombică prezintă ca elemente de simetrie trei axe de ordinul doi şi trei plane de simetrie perpendiculare pe axele de ordin doi.1. Ca elemente de simetrie prezintă doar o axă de ordin doi perpendiculară pe bază şi un plan de simetrie perpendicular pe axă (plan orizontal). Reţele hexagonale şi trigonale Celula elementară a reţelei hexagonale este prezentată în Fig. feţele rectangulare fiind perpendiculare pe bază. Există două tipuri de reţele: cu celula primitivă şi celulă cu baze centrate (Fig. cu baze centrate.1.11). cu volum centrat şi cu feţe centrate.7. Aceste reţele pot fi rezultatul deformării cubului în lungul axelor b şi c. Reţele monoclinice Baza celulei monoclinice este un paralelogram oblic. Reţele tetragonale. Poate fi obţinută prin îmbinarea reţelelor 2D oblice (Fig. Suprafeţele laterale sunt 15 . Celula primitivă are ca bază un romb cu 2 unghiuri de 60 grade. este pezentată în Fig.11). Toate feţele sunt dreptunghiuri (Fig. Reţele triclinice Reţeaua triclinică are cea mai joasă simetrie. Există patru reţele în acest sistem: primitivă. Reţele ortorombice. care coincide cu centrul de greutate.

În cazul în care perpendicular pe axa de tip Cn există cel puţin o axă de ordinul doi (numărul axelor de ordinul doi este egal cu ordinul axei Cn).1. Astfel grupurile punctuale vor apărea notate: 1. şase axe de ordin doi perpendiculare pe axa de ordin şase: trei perpendiculare pe feţele laterale şi trei paralele cu diagonalele bazei. iar cei din centrul bazelor la două celule. inversie) Pentru grupurile punctuale s-au stabilit unele convenţii de notare. 43m. 1. Grupuri punctuale. Există un plan de simetrie orizontal. Celula hexagonală prezintă o axă verticală de ordin şase (hexadă).11 există 14 reţele Bravais care sunt cuprinse în cele 7 sisteme cristalografice distincte. grupul se notează cu Dn. 6. 6 . Cs = σ h = m . mmm. Numărul de noduri din celula hexagonală este egal cu N = 12 ⋅ 1 1 + 2⋅ = 3.3. i = 1 . 3m.perpendiculare pe bază (Fig.11). 3. Dacă se daugă şi un plan de simetrie se notează cu Dnh sau Dnv sau Dnd în funcţie de natura planului. Există 32 grupuri punctuale cristalografice descrise de simetria celulei elementare (rotatii. În această notaţie a grupurilor punctuale se apelează la notaţiile Cn = n.1. 6/mmm. 6 2 Atomii din colţuri participă la încă şase celule elementare. Doi vectori primitivi sunt paraleli cu muchiile rombului iar al treilea este perpendicular pe bază. axa x este în plan orientată în jos. axa de ordin trei fiind interseţia celor trei plane de simetrie.3. 432. 6/m2. 4mm. 222. perpendicular pe axa de ordin şase. 32. trei axe de ordin doi (unesc mijlocul unei muchii cu mijlocul muchiei opuse) şi trei plane de simetrie. 2/m. reflexii. m3m Notatia Shonflies. 3 . m3. 1 . Celula trigonală poate fi rezultatul distorsionării cubului în lungul unei diagonale volumice (Fig. σ v = σ d = m . Elementele de simetrie cuprind o axă de simetrie de ordin trei (diagonala volumică). 4 .Grupuri spaţiale cristalografice. 622. 4. 4/mmm. m. axa y este în plan cu sensul la dreapta. 42m.1. Notaţia Hermann-Maugin.11).7 şi Fig.cu Sn se notează 16 . Notaţii După cum se poate vedea din Fig. 6mm. Astfel axa z se consideră că iese din planul imaginii. mm. 23. 4/m. trei plane de simetrie diagonale şi trei verticale perpendiculare pe cele şase axe de ordin doi.1. 3m. În această notaţie se notează cu Cn grupurile punctuale ce se obţin din acelaşi element (grupuri ciclice).

C4v. Poziţia atomilor în celula elementară Vectorul de poziţie r al unui punct din interiorul celulei elementare. cu T se notează grupul operaţiilor de rotaţie ale tetraedrului şi cu O grupul operaţiilor de rotaţie ale octaedrului. inversie). 1 1 1 111 a+ b + c iar indicii punctului sunt 2 2 2 222 17 . v şi w sunt numere mai mici sau egale cu 1. Ci. elementele de simetrie de translatie (plane de alunecare. cel ortorombic cu P222. C2h. De exemplu. D3h. Astfel. Td.4. D3d. O. Aceste notaţii sunt folosite pentru a specifica poziţiile atomilor sau a altor puncte de interes din celula elementară. Cele 14 retele Bravais combinate cu cele 32 grupuri punctuale cristalografice determină 230 grupuri spaţiale cristalografice. C6h. cu volum centrat (I) sau romboedric centrat (R). D3. Oh Grupuri spatiale se obţin ca produsul direct între grupul translaţiilor asociat reţelei şi grupul punctual. C6h. coeficienţii uvw sunt mai mici. S6. S3. Th. etc. direcţii şi plane în crislale 1. Pm. Pentru grupurile spaţiale. C3h. relativ la unul din colţurile celulei poate fi notat r = ua + ub + wc (1.4. B sau C). C4h.14 a). D2d.4) unde u. D4. P2/m. D2. centrul oricărei celule elementare paralelipipedice are vectorul de poziţie (Fig. grupul spaţial corespunzător simetriei triclinice va fi notat cu P-1. fără a fi separate prin virgule. 1. centrat pe o singura faţă (A. C6. C3. axe elicoidale) sunt combinate cu elementele de simetrie tipice grupului punctual (rotatii. S4. litera iniţială reprezintă simbolul grupului spaţial care poate fi primitiv (P). Cs. Punctul este identificat dând aceste numere sub forma uvw. Poziţii.centrat pe toate fetele (F).1. C4.În această notaţie grupurile punctuale vor fi notate cu: C1. Pmmm. Astfel. C2v. Deoarece lungimea egală cu unitatea este asociată cu vectorii fundamentali. cel corespunzător simetriei monoclinice cu P2. C3v. Pmm2. D2h. reflexii. C2.1. T.grupurile care au ca elemente axele Sn.

4. Pentru determinarea acestor indici se inversează fracţiile ce reprezintă intersecţiile planului cu axele cristalografice.1. se aduc la acelaşi numitor. Direcţii în cristal O direcţie din cristal se notează cu coordonatele nodului celui mai apropiat de nodul ales origine (fiind numere întregi) puse între paranteze drepte.14.1.14. direcţia având sens opus direcţiei [ uvw] (Fig.b).c). Dacă nodul prin care trece nu are numere întregi se aleg cele mai mici numere intregi cu acelasi raport relativ (Fig.Fig.1.3. se află cel mai mare divizor comun. Indici Miller Pentru identificarea planelor din cristal se folosesc indicii Miller. Un set de direcţii care se pot obţine una din alta prin aplicarea operaţiilor de simerie se notează cu uvw .14. puse între paranteze rotunde (hkl) reprezintă indicii Miller al planului (Fig. Notaţii în cristale: a) poziţiile atomilor.1.14. [ u v w ] .4.b) Indicii negativi sunt indicaţi cu o bară deasupra. b) direcţii în cristal. iar cele trei numere care rămân. Setul de plane care se pot obţine unele din altele sub acţiunea 18 .2. Planele reţelei care sunt paralele şi egal distantate pot fi considerate ca având aceeaşi indici Miller. 1. c) plane cristaline 1. [ uvw] (de exemplu [111]).

De exemplu {100} conţine planele ( 100 ) . (1 00 ) . 19 . ( 010 ) . (01 0 ) . ( 001) . (001 ) . Densitatea de noduri a reţelei din fiecare plan din set este aceeaşi şi toate nodurile de reţea sunt conţinute în fiecare set de plane.operaţiilor de simetrie ale cristalului formează o familie de plane şi se notează { hkl} .

Structuri hexagonale În cazul structurii cubice cu volum centrat (Fig. Astfel. În acest tip de structură doar 52% din spaţiul celulei elementare este ocupat. coeficientul de compactitate poate fi definit cu ajutorul relaţiei F=N 4π R 3 3 V (2. peste primul strat de bile se aşează al doilea strat şi aşa mai departe. fiecare sferă este în contact cu 4 sfere din planul inferior şi patru din planul superior. Structuri cristaline 2. Numărul de coordinare reprezintă numărul vecinilor cei mai apropiaţi. Fiecare atom poate forma legături cu şase atomi vecini.1. numărul de coordinare fiind 8.1). Aceste structuri pot fi imaginate ca fiind rezultatul împachetarii unor sfere rigide. Structura cubică cu volum centrat este o structură mai eficientă. Aceasta este impachetarea cubică simplă. cubică cu volum centrat (cvc). F. în care fiecare sferă atinge alte 4 sfere din acelaşi plan şi câte o sferă din planul superior.1. NC= 6. hehagonală compactă (hc) şi cubică cu feţe centrate (cfc). respectiv inferior.2.1) unde N este numărul de atomi per celulă elementară. Rezultatul este acelaşi cu repetarea unui cub unitate format din 8 sfere. În cel mai simplu mod de impachetare (Fig. reprezintă raportul dintre volumul efectiv ocupat de atomii cristalului consideraţi ca sfere rigide în contact şi volumul total al reţelei. Coeficient de compactitate Coeficientul de compactitate. Structuri Cubice.1.2. Structurile stării solide 2.care este egală cu jumătetea distanţei dintre atomii cei mai apropiaţi. 68% din spaţiu fiind ocupat. R este raza sferei . numărul de coordinare fiind.2. iar V este volumul celulei elementare.1). 20 . Structuri împachetate compact Materialele pot cristaliza adesea în unul din cele patru structuri de bază: cubică simplă (c).

Această structură este numită hexagonal compactă şi este structura cea mai eficientă.2. care se găsesc în colţurile unui hexagon. Ambele încep cu un plan de bile în care fiecare bilă este în contact cu alte şase bile din plan. În cazul structurii cubice cu feţe centrate.Cel mai compact mod de împachetare apare la structurile cubice cu feţe centrate şi hexagonal compacte. NC=8 Împachetare hexagonal compactă NC=12 Împachetare cubică cu feţe centrate NC=12 Fig. Fiecare bilă este în contact cu şase bile din plan. trei din planul de dedesupt şi trei din planul de deasupra. Atomii din interior sunt localizaţi la jumătatea înălţimii prismelor. Celula hexagonală poate fi privită ca fiind formată din şase prisme având baza un triunghi echilateral.. În al doilea plan...1. 74% din spaţiu fiind ocupat. Aceasta structură este la fel de compactă ca şi structura hexagonal compactă. acestea fiind ocupate alternativ :o prismă este ocupată şi următoarea este goală. cel de al treilea strat cu bile se aşează peste golurile din primul strat care nu au fost ocupate de cel de al doilea strat: ABCABC. Structuri obţinute prin împachetare compactă Modul de calcul al coeficientului de compactitate pentru structurile cubică cu feţe centrate şi hexagonal compactă este prezentat în Fig. 21 . etc. Împachetare cubica AAAA..... iar în al treilea situatia poate fi repetată. bilele se situează peste golurile triunghiulare..2. NC=6 Impachetare cubică cu volum centrat ABABAB..2.

CuCl. cristalele covalente sunt mai slab împachetate. prezentată în Fig.1.2. fiecare deplasat în comparaţie cu atomul din colţ sau cel din mijlocul feţei cu o pătrime din diagonală.2. sau blenda de zinc. InSb. AgI..2. coeficientul de împachetare fiind 0.1) 2. Siliciul şi germaniul cristalizeză prezintă această structură la temperatura camerei. Sulfura de zinc. obţinută prin proiectarea în lungul axei c şi notarea poziţiilor atomice cu coordonate exprimate ca fracţiuni ale lui c. Determinarea factorului de compactitate pentru celulele cubica cu feţe centrate şi hexagonal compactă cu relaţia (2. În afara atomilor din colturi şi de pe feţe mai sunt patru atomi în interiorul celulei.2. în urma ataşării bazei în nodurile reţelei formează două reţele cubice cu feţe centrate. AlP şi GaAs şi a halogenurilor metalelor nobile CuF. Poziţiile atomilor din bază. deplasate una faţă de cealaltă cu 1/4 din diagonala volumică.b) este similară structurii de diamant dar are doi atomi diferiţi.3.a) prezintă celula elementară de tip diamant precum şi reprezentarea 2D a celulei elementare. Fig. Structuri covalente Deoarece atomii sunt legaţi cu maxim patru vecini. Aceasta este structura tipică semiconductorilor binari de tipul CdS. 22 .2.Fig. Există opt atomi pe celula elementară.3.34. Reţeaua cubică cu feţe centrate formată de unul din atomi este deplasată faţă de cea formată de celălalt tip de atom cu o pătrime din diagonala volumică. InAs. Structura de tip diamant are o reţea cubică cu feţe centrate şi o bază de doi atomi identici.

structurile putând fi considerate reţele împachetate compact ale atomilor mai mari. MgTe. Structuri cristaline ale cristalelor covalente: a) diamant. ei participă la micşcarea termică efectuând mici oscilaţii. De notat este faptul că atomii din interior se găsesc în lungul aceleaşi axe de ordin trei.c). regulată. Distrugerea periodicităţii ideale poate avea loc datorită unor cauze diferite.2. Alte materiale care cristalizează în acest sistem sunt ZnO. Astfel. SiC. 2. au o structură care se abate într-un grad mai mic sau mai mare de la aranjarea periodică ideală. Fiecare atom formează o structură hexagonal compactă (hc).2. a atomilor. În structura de tip diamant atomii sunt identici spre deosebire de celelalte în care atomii sunt diferiţi Pe lângă structura blendei de zinc. atomii mai mici umplând unele interstiţii. sulfura de zinc mai prezintă o formă hexagonală numită "würtzite" (Fig.Fig. Defecte structurale Cristalele reale. Fiecare atom este în centrul unui tetraedru cu patru atomi diferiţi în vârfuri. b) blenda de zinc.3.3. Cele două structuri hexagonale sunt deplasate una faţă de cealaltă în lungul axei c cu 5/8c. Aceste oscilaţii distrug periodicitatea 23 . în cristalul real ionii nu sunt ficşi în nodurile reţelei cristaline. c) würtzite (hexagonlă) În toate structurile atomii sunt legaţi tetraedric. Rapoartele c/a pentru aceste cristale sunt apropiate de valoarea ideală.3. BeO. naturale sau crescute în laborator.

Defecte punctiforme Existenţa în structura cristalină ideală a unor abateri de la periodicitate.2.poziţiilor instantanee ale ionilor şi pot fi considerate ca un tip de defecte ale reţelei cristaline (defecte dinamice ). O altă sursă de distrugere a periodicităţii ideale este legată de prezenţa unor modificări structurale ale reţelei cristaline ideale. 2. constituie defecte zerodimensionale sau punctiforme. Defecte punctiforme 24 . de suprafaţă şi de volum.1. unidimensionale. care nu depăşesc dimensiunile atomice. Fig. numite defecte structurale.3. Aceste defecte pot fi clasificate pe baza unor criterii geometrice în: punctiforme.4.

În cazul în care unul dintre atomii care ocupă nodurile dintr-un strat superficial al cristalului. 25 . E este energia iar S este entropia cristalului.TS (2. iar entropia de configuraţie este  ( N + NV )!  S = k B ln   = k B [ ( N + NV ) ln( N + NV ) − N ln( N ) − ( NV ) ln( NV ) ] N ! NV !   (2. Entropia este dominată de componenta de configuraţie. într-o poziţie corespunzătoare unui interval dintre noduri (interstiţiu). şi ca rezultat al excitaţiei termice. Dacă un atom. ln( x! ) = x ln( x ) . concentraţia de echilibru anulându-se doar la T = 0K. 2) atomi interstiţiali de aceeaşi natură cu ai reţelei 3) atomi interstiţiali impuritate 4) atomi impuritate substituţionali cu rază mai mică decât a atomilor reţelei 5) atomi impuritate substituţionali cu raza mai mare decât a atomilor reţelei 6) grupări de defecte punctiforme (de vacanţe sau de atomi intertiţiali). O altă contribuţie la entropie apare din modificările stărilor electronilor şi fononilor. care este asociată cu numărul distinct de aranjamente ale atomilor. definită de F = E . obţinem un defect Schottky.2. Vacanţele şi interstiţiile pot fi generate termic. Ambele mărimi depind de numărul de defecte. Acestea pot fi aranjate în (N+NV) moduri în cele N+NV poziţii.4): 1) noduri ale reţelei neocupate cu atomi. Vacanţele şi atomii interstiţiali cresc energia cristalului şi cresc entropia. este deplasat dintr-un nod al reţelei cristaline. Concentraţia de echilibru poate fi calculată impunând ca energia liberă. Să calculăm concentraţia vacanţelor izolate în cristalul cu un atom în baza primitivă. Numărul distinct de configuraţii este dat de (N+NV)!/N!NV!. F.Ca exemple de astfel de defecte putem menţiona (Fig.3) unde s-a utilizat aproximaţia lui Stirling: pentru x mare.2) să fie minimă. care constituie un defect Frankel. Apariţia defectelor Frankel este asociată cu o cheltuială mai mare de energie şi deci este mai puţin probabilă. aceasta fiind însă suficient de mică şi poate fi ignorată. capătă o energie suficientă pentru a ajunge la suprafaţa metalului. Presupunem că cristalul conţine N atomi şi NV vacanţe. apare o pereche formată dintre o vacanţă şi un atom interstiţial. numite vacanţe.

Energia de interes pentru un defect Frenkel este suma energiilor necesare pentru crearea unei vacanţă şi a unui atom interstiţial în mod individual.5) Conform cu ecuaţia (2. Solidele prezintă ades concentraţii de vacanţe şi atomi interstiţiali de neechilibru. Reprezentarea grafică a ln(N V/N) în funcţie de β permite determinarea experimentală a energiei. De exemplu. energia cristalului creşte cu NVE atunci când se crează NV vacanţe. Pentru marea majoritate a materialelor EV este de ordinul câtorva eV. Bombardarea probei cu particule de înaltă energie conduce la obţinerea unei concentraţii în exces de defecte. Dislocaţii 26 .Dacă EV este energia necesară pentru a crea o vacanţă. Studiul efectului radiaţiei asupra structurii cristaline constituie un domeniu important al ştiinţei moderne a materialelor. după care proba se răceşte rapid.5) numărul de vacanţe este zero la T=0K şi creşte cu temperatura. Atomii nu vor avea energie suficientă pentru a se deplasa şi numărul de defecte a fi mare. Această situaţie apare în urma tratamentului de călire. Se creazp atât un atom interstiţial cât şi o vacanţă atunci când atomii îşi părăsesc locul şi intră în regiunea dintre atomi. cum ar fi structura tip diamant. atunci NV/N este în jur de 3x10-34 la temperatura camerei şi în jur de 9x10-11 la 1000K.3.2. Dacă se neglijează complecşii de vacanţe multiple.4) F este minimă atunci când NV/(N + NV) = e − βE unde β=1/kBT. dacă EV = 2eV. Această energie este de ordinul a un eV pentru structurile cu factori de împachetare mici. deoarece numărul de atomi nu se modifică la crearea unei vacanţe. iar energia liberă va fi F = NV EV − k B T [ ( N + NV ) ln( N + NV ) − N ln( N ) − NV ] ln( NV ) (2. 2. Deoarece NV<<N numărul de vacanţe de echilibru va fi NV = Ne − βE (2. EV este energia necesară pentru a deplasa un atom de la interior la suprafaţa probei. Concentraţia interstiţiilor la echilibru se calculează în acelaşi mod. Se crează o mare concentraţie de defecte prin aducerea probei la o temperatură ridicată şi menţinerea ei până ce se obţine o stare de echilibru. Există doar un număr mic de poziţii interstiţiale şi probabilitatea ca una din ele să fie ocupate depinde de energia necesară pentru a aduce atomul de pe suprafaţa probei în poziţia interstiţială. dar este peste 10 eV pentru structurile împachetate compact.

5. deoarece produc împrăştierea electronilor.2. Fig. Prezenţa dislocaţiilor influenţează atât proprietăţile mecanice cât şi pe cele electrice. Poziţia ei este marcată prin terminaţia unui semiplan vertical excedentar de atomi intercalat în regiunea superioară a cristalului.a) şi b) arată un cristal simplu în care lunecarea se produce pe distanţă atomică.5. se numesc defecte unidimensionale (liniare). Cele mai importante defecte unidimensionale sunt dislocaţiile. Dislocaţie marginală. Dislocaţia simplă de margine se întinde indefinit în planul de lunecare într-o direcţie perpendiculară pe direcţia de lunecare.a) este prezentat mecanismul răspunzător de mobilitatea dislocaţiei. d) Microfotografie electronică prin transmisie a buclelor de dislocaţie din Ni. Dislocaţii în cristale: a) Ilustrarea modului de producere a unei dislocaţii marginale prin deformarea cristalului.2.2. Trecerea cutei este echivalentă cu alunecarea 27 . b) Dislocaţie marginală. Frontiera dintre regiunea lunecată şi cea nelunecată se numeşte dislocaţie.5.Defectele structurale ale căror dimensiuni într-o direcţie întrec pe cele atomice. deci se extind la un şir de atomi. Fig. La formarea unei dislocaţii se cheltuieşte un lucru mecanic care se înmagazinează sub forma energiei de deformare a reţelei cristaline în jurul liniei de dislocaţie. În Fig. c) Dislocaţie elicoidală. Mişcarea unei dislocaţii de margine prin cristal este analoagă trecerii unei cute sau a unei încreţituri de-alungul unui covor.

Aceste forţe se anihilează în primă aproximaţie. în mod pronunţat. Vectorul Burgers trebuie să fie egal cu un vestor al reţelei pentru ca procesul de relipire să menţină cristalinitatea materialului. Burgers a arătat că forma cea mai generală a unei dislocaţii liniare dintr-un cristal poate fi descrisă ca în Fig.c).întregului covor pe podea. Trecerea unei dislocaţii prin cristal este echivalentă cu o deplasare 28 . 1. Deformaţia rezultantă este cea a dislocaţiei.5. cu condiţia ca forţele de legătură din cristal să nu fie direcţionale de lunecare a unei părţi a cristalului. sau una deschisă care se termină pe suprafaţă cu ambele extremităţi. Frontiera este paralelă cu direcţia de alunecare.20. Dacă atomii de o parte a planului de alunecare se mişcă faţă de cei de pe celaltă parte. Se face o secţiune în lungul unei suprafeţe simple legate de linie şi se deplasează materialul de pe o parte a acestei suprafeţe cu un vector b în raport cu cealaltă parte. O dislocaţie elicoidală marchează frontiera dintr partea alunecată şi cea nealunecată a cristalului.2. sub 105dyn/cm2.1. Se consideră o curbă închisă oarecare în interiorul cristalului. Vectorul Burgers al unei dislocaţii este paralel cu linia de dislocaţie în cazul dislocaţiei elicoidale şi este perpendicular pe linia de dislocaţie în cazul dislocaţiei marginale.b)). a). Diferitele forme de dislocaţii pot fi construite din segmente de dislocaţii marginale şi elicoidale. Vectorul b se numeşte vector Burgers. caracterizaă în ansamblu de curba de frontieră a vectorului Burgers (Fig. spre deosebire de cea marginală unde frontiera era perpendiculară pe direcţia de alunecare. această deplasare va produce un interstiţiu sau va suprapune două jumătăţi. În regiunile unde vectorul b nu este paralel cu suprafaţa de secţiune. Vectorul Burgers. atunci atomii din planul de alunecare vor suferi forţe de respingere de la anumiţi vecini şi forţe de atracţie de la alţi vecini în lungul planului de alunecare. Dislocaţia elicoidală transformă planele succesive de atomi în suprafaţa unei elice.20. Dislocaţia elicoidală O imagine a unei dislocaţii elicoidale este prezentată în Fig. Tensiunea exterioară necesară pentru a mişca o dislocaţie este foarte mică.

Dacă nu există nici o dislocaţie. b) Vectorul Burgers care închide bucla. Vacanţele care precipită în lungul unei dislocaţii de margine existente vor consuma o parte din semiplanul excedentar de atomi şi vor determina dislocaţia să se caţere. Densitatea dislocaţiilor este numărul liniilor de dislocaţie care intersectează o unitate de arie din cristal. bucla tinde să se extindă. miţcându-se pe direcţii perpendiculre faţă de direcţia de alunecare. Densitatea variază de la 102 până la 103 dislocaţii/cm2 în cristalele de Si şi Ge cele mai bune şi ajung la 1011 . 29 . Vectorul Burgers: a) Metodă de formare unei bucle de dislocaţii.2. Ea trebuie să fie în parte dislocaţie marginală şi dislocaţie elicoidală.1.Fig. care cresc o dată cu continuarea precipitării vacanţelor (Fig. Dacă însă acţionează o deformaţie de forfecare. reflexia de radiaţie X.d)). bucla tinde să se strângă. transmisia de radiaţie X. Bucla de dislocaţie înconjoară o suprafaţă de alunecare. Un segment de dislocaţie fixat la ambele capete se numeşte sursă Frank-Read şi poate duce la generarea unui mare număr de bucle de dislocaţie. Multiplicarea dislocaţiilor şi alunecarea. care favorizează alunecarea. Deoarece energia de deformare a buclei descreşte proporţional cu circumferinţa ei. concentrice într-un plan de alunecare. prin corodare.5. Printre metodele utilizate pentru evaluarea dislocaţiilor amintim: microscopia electronică.20. cristalul va deveni suprasaturat în vacanţe iar precipitarea lor în plăci de vacanţe de forma unei monede poate fi urmată de ciocnirea plăcilor şi formarea unor inele (bucle) de dislocaţii.1012 dislocaţii/cm2 în cristalele metalice deformate puternic.

sau atom de referinţă. Structuri amorfe 2. Se obţin de regulă în timpul deformării materialului la temperaturi înalte şi ca rezultat al transformărilor de fază.1.6). Distribuţia medie este dată de ceea ce este cunoscut ca funcţie de distribuţie radială.2. Limitele dintre grăunţi sunt caracterizate printr-o energie superficială mare. În Fig. Defecte de suprafaţă Limitele de grăunţi sunt defecte bidimensionale care apar într-un agregat policristalin şi reprezintă regiunea de trecere de la grăunţii (cristalite) cu o anumită orientare cristalină la alţi grăunţi cu o orientare diferită. La limita de grăunte apar procese ca difuzia şi transformările de fază (Fig.4. limita de grăunte Fig.6.2.3. 30 .2.4. În locul acestei listări se foloseşte o distribuţie medie a atomilor relativ la un atom central.2. ca urmare a faptului că reţeaua se abate pe mici domenii de la forma ei ideală. Funcţia de distribuţie radială Structurile materialelor amorfe nu pot fi descrise cu modelul teoretic ales pentru materialele cristaline. Sublimitele sunt defecte bidimensionale care apar în interiorul aceluiaşi grăunte cristalin.3. Limite de graunţi imagine HRTEM 2. O reţea alcătuită din sublimite poartă denumirea de substructură.c) este prezentă o imagine de microscopie electronică în înaltă rezoluţie (HRTEM) a zonei limitei de grăunţi. Deoarece materialele amorfe nu prezintă periodicitate la mare distanţă şi de aceea o descriere precisă necesită o listare a tuturor poziţiilor atomice.6.

31 .2.9) Bineînşeles că. În general. deoarece spre deosebire de cristal. Dacă muchia cubului este a. care se extinde de la r până la r + ∆r. alegând un atom de referinţă. Pentru aceste distanţe. Se calculează valoarea medie a lui n(r) pentru sistemul de atomi şi la final se face limita pentru ∆r foarte mic. Procesul se repetă folosind un alt atom de referinţă.Pentru a arăta semnificaţia fizică a funcţiei de distribuţie radială se presupune un solid amorf care constă din atomi de un singur tip şi vom descrie cum poate fi evaluată funcţia dacă se cunosc toate poziţiile atomilor. volumul tinzînd la zero când ∆r descreşte. se calculează concentraţia n(r) a centrelor atomilor dintr-un strat sferic. Pentru solidele amorfe actuale s-au găsit funcţiile radiale folosind tehnicile cu radiaţie X. rezultatul va fi zero cu excepţia stratului care se găseşte la o distanţă egală cu distanţele de separare interatomică ale structurii cfc. la o distanţă a / 2 .6. centrat pe unul din atomi şi dacă socotim numărul de atomi cu centrele în acest strat. S-au construit modele de structuri amorfe ce conţin câteva sute de atomi şi folosind computerul s-a evaluat funcţia de distribuţie radială. n(r) = 0 pentru r cuprins între 0 şi a / 2 şi devine infinit pentru r = a / 2 . Există două situaţii limită: cristalul complet ordonat şi distribuţia aleatoare a atomilor. şi se împarte numărul de atomi cu centrele în strat la volumul stratului. Să considerăm mai întâi funcţia de distribuţie radială pentru un cristal cu structura cubică cu feţe centrate. Un număr finit de atomi se vor găsi în aceste straturi. procesul descris nu poate fi efectuat. Calculând n ( r ) a atomilor situaţi la distanţa r de un atom se poate defini funcţia de distribuţie radială ρ ( r ) = 4πr 2 n ( r ) (1.a) funcţia de distribuţie radială constă dintr-o serie de maxime localizate la diferite distanţe interatomice şi este zero înte aceste maxime. rezultatele sunt diferite de la atom la atom. Mai întâi. măsurat de la centrul atomului de referinţă. deoarece materialul conţine un număr mare de atomi. atunci în jurul fiecărui atom sunt 12 alţi atomi. etc. După cum se poate vedea din Fig. distribuţia atomilor nu este aceeaşi în jurul fiecărui atom. 24 la distanţa 3 / 2 a . şase se găsesc la distanţa a. concentraţia creşte. cfc. De exemplu. Dacă ne imaginăm un strat sferic extrem de îngust.

2.c). indicând că există o distanţă pentru vecinii cei mai apropiaţi.6) Funcţia este reprezentată grafic în Fig. Funcţia devine zero pentru valori mici. b)Solid perfect amorf cu o concentraţie de atomi 2. Observăm că pentru o distribuţie aleatorie. Pe măsură de r creşte.La cealaltă etremă. Picul care apare la cele mai mici valori a lui r corespunde distanţei dintre vecinii cei mai apropiaţi. La valori mici ale lui r funcţia diferă semnificativ de cea corespunzătoare distribuţiei aleatorii. Abaterile de la curba amorfului perfect indică ordine la mică distanţă O funcţie de distribuţie corespunzătoare unui solid morf este przentată în Fig. Funcţia de distribuţie radială: a) Structură cfc.b). Acest fapt arată că 32 .2. La valori mari ale lui r. prezentând aspecte asemănătoare cu cea corespunzătoare solidului cristalin. Indiferent de valoarea lui r.6.6. funcţia constă dintr-o serie de picuri analoage celor observate pentru solidul cristalin. De data aceasta picurile au intensitate finită şi lărgimi nenule. Forma generală a curbei tinde să urmărească funcţia de distribuţie radială corespunzătoare distribuţiei aleatorii. ρ ( r ) este foarte mică la valori mici ale lui r deoarece poziţiile atomice din solidul real sunt excluse din vecinătatea imediată a altor poziţii de către repulsia dintre miezurile ionice ale atomilor şi ρ ( r ) =0 pentru o distantanţele de separare apropite de r=0.55x1028atomi/m3. La valori ale lui r mari curbele aproape se suprapun. Pentru o distribuţie aleatorie ρ ( r ) = 4πr 2 n0 (2. Funcţia constă dintr-o serie de linii infinite pentru separările interatomice. Fig. c) Metal amorf.2. picurle devin tot mai largi şi mai puţin intense. Concentraţia medie este aceeaşi cu concentraţia macroscopică n0 de atomi din solidşi este egală cu număril total de atomi împărţit la volumul solidului. Distanţa de la atomul de referinţă este dată în unităţi ale muchiei cubului. numărul de perechi de atomi separate printr-o distanţă dată este aceeaşi cu numărul de perechi de atomi separate prin orice altă distanţă. dacă centrele atomice sunt distribuite aleatoriu în material concentraţia medie n nu depinde de r.6. nenule ale lui r.

Numărul mediu de atomi cu centrele în domeniul cuprins între r1 şi r2 este dat de N = n ( r )dτ r1 r2 ∫ (2. N reprezentând numărul mediu de vecini cei mai apropiaţi de un atom din solid. Dacă n0 este concentraţia macroscopică a atomilor din solid. vor fi N = n0τ atomi în volumul macroscopic τ. Dacă există mai multe picuri rezolvate. Înlocuind atomii cu sfere de rază R. Deoarece n ( r ) = ρ ( r ) / 4πr 2 dτ = 4πr 2 dτ r2 ( ) şi N= r1 ∫ ρ ( r )dr (2.9) 33 . ea poate fi utilizată pentru estimarea fracţiunii de împachetare pentru solidul amorf. Lărgimile picurilor prezintă şi ele interes. iar factorul de împachetare va fi F= 4π n0 R 3 3 (2.materilele amorfe prezintă ordine la mică distanţă dar nu rezintă ordine la mare distanţă aşa cum au cristalele. Deoarece funcţia de distribuţie raială dă separarea medie a vecinilor cei mai apropiaţi. structura este ordonată la distanţe mari de atomul de referinţă. Dacă însă sunt vizibile puţine picuri structura este ordonată doar la mică distanţă.8) Integrala se efectuează pe primului pic al funcţiei de distribuţie radială. unde R este jumătate din valoarea lui r pentru primul pic al funcţiei. Un pic foarte îngust indică faptul că aproape toţi vecinii cei mai apropiaţi se găsesc la aceeaşi distanţă în timp ce un pic larg arată o un domeniu larg de variaţie a distanţelor până la vecinii cei mai apropiaţi. Funcţia de distribuţie radială poate fi utilizată pentru a găsi numărul mediu de atomi dintr-un anumit strat sferic. Numărul de picuri este o măsură a domeniului de ordine a structurii. Poziţiile picurilor indică separarea interatomică dominantă. Volumul inchis de sfere va fi N ( 4π / 3) R 3 = n0τ ( 4π / 3) R 3 .7) unde dτ este un element de volum infinit mic.

34 .