Patrea I STRUCTURA SI DINAMICA RETELEI

.

1. Elemente de structură cristalină
1.1. Clasificarea materialelor după structură Materialele solide pot fi cristaline sau amorfe. O trasatură caracteristică a materialelor cristaline o constituie aranjarea ordonată a particulelor componente pe distanţe foarte mari în raport cu distanţele interatomice. In astfel de situatii spunem ca exista ordine la mare distanţă şi că se parcurge un număr extraordinar de mare de distante interatomice până când să apară o abatere de la aranjarea regulată a particulelor componente ale cristalului (Fig.1.1.a). Există materiale solide în care aranjarea regulată a particulelor componente se întâlneşte pe domenii restrânse, nedepăşind în diametru câţiva Ǻ( 6-7 Ǻ). Spunem că acestea sunt solide necristaline. Ele se caracterizează printr-o ordine la mică distanţă. Structura cristalină conferă materialelor proprietatea de anizotropie iar structura amorfa cea de izotropie. Aranjarea periodică a particulelor constituente după cele trei direcţii spaţiale constituie simetria internă sau simetria cristalină. Forma poliedrică exterioara, determinată de procesele de cristalizare simetria externă, geometrică sau singonia. Din punct de vedere teoretic, un solid amorf presupune lipsa oricărei ordini locale (în apropiere, cât şi la distanţă). Ordinea la mica distanţă este caracteristică atât solidelor amorfe, cât şi lichidelor, motiv pentru care materialele amorfe pot fi considerate ca lichide subrăcite. (Fig.1.1.b) In general, materialele sunt policristaline, adică sunt constituite dintr-o mulţime de cristalite, sau grăunţi, orientaţi aleatoriu. (Fig.1.1.c). Dacă printr-un procedeu oarecare se reduc dimensiunile grăunţilor de la 1 µm spre mai multi nm atunci acest fenomen va avea un impact deosebit asupra comportării materialului. Dimensiunea mică a cristalitelor (de ordinul nm) face ca majoritatea atomilor să fie atomi de graniţă, situati la suprafaţă. Într-un material de constituie

4

acest gen predomină fenomenele de suprafaţă şi interfaţă. Un material nanocristalin este un solid la care dimensiunea cristalitelor este, în general, mai mică de 100 nm .

Pirita – monocristal

a) Monocristal

b) Amorf

Forma policristalina a Piritei

c) Policristal Fig.1.1. Exemple de solide: a) monocriltal; b)amorf; c) policristal Materialele pot fi elaborate atat în stare masivă cât şi sub formă de straturi subţiri sau sub formă de pulbere (nano-pulbere), particule (nanoparticule), cvasicristale, benzi (nanobenzi), fire (nanofire). Trecerea de la materialul masiv la cel cu dimensionalitate redusa este însoţită de modificări importante ale proprietăţilor materialelor. Legile fizicii utilizate pentru înţelegerea proprietăţilor solidului cristalin sunt aceleaşi cu cele utilizate în studiul atomilor şi moleculelor. Astfel alături de ecuaţiile lui Maxwell care se aplică la studiul câmpurilor electromagnetice şi ecuaţia lui Schrödinger care se aplică pentru determinarea funcţiilor de undă ale particulelor se utilizează mecanica statistică şi termodinamica.

5

1.2. Structura cristalină 1.2.1.Periodicitatea cristalină Reţele şi vectori de bază Majoritatea materialelor solide posedă o structură cristalină, adică o periodicitate spatială, sau simetrie de translaţie (Fig.1.2.a. . Un cristal poate fi privit ca un aranjament 3 dimensional, periodic, al atomilor în spatiu. Pentru a descrie structura unui cristal se consideră că atomii se găsesc în poziţiile lor de echilibru şi se alege un model ideal format dintr-o reţea infinită de noduri, care prezintă o simetrie de translaţie şi o bază de atomi care se adaugă în fiecare nod al reţelei infinite (Fig.1.2.b).

Platină

Microscopie de scanare prin tunelare a)

Structura Pt

b)

Fig.1.2. Structura cristalina: a) structura ordonată a platinei; b) retea cristalină + bază

6

Foarte des vectorii necoplanari sunt notaţi cu a1. b. sunt numere întregi. care lasă. a3. a2. (Fig. n3. 1. şi c. Nu există un mod unic în alegerea vectorilor a. Volumul celulei elementare este definit de produsul mixt V=(a[bc]) (1. Dacă presupunem că există trei vectori ne-coplanari a. se numesc vectori primitivi ai reţelei directe Celula primitivă Celula definită de vectorii primitivi se numeşte celulă primitivă (Fig. 1. γ sunt unghiurile pe care le formează între ei. γ (Fig. putem exprima orice nod al retelei R. c sunt vectori de translaţie ai reţelei iar α. n2. toate proprietăţile cristalului neschimbate.4) fie cu α1. Pozitia atomilor in cristalul ideal poate fi definita de vectorii: rj = n1a + n2b + n3c + pm (1. β.Toate structurile cristaline pot fi obţinute fie prin adaugarea unei baze de atomi in nodurile unor retele tri-dimensionale infinite.1. β.4).1. în funcţie de alt punct considerat origine. la deplasarea cristalului în oricare din cele trei direcţii.4. Când aceştia sunt egali cu perioadele cele mai scurte pe trei directii necoplanare. b. numită celula elementara.3) 7 . Unghiurile pe care le formează aceşti vectori între ei se notează fie cu α.2) unde pm sunt vectorii de poziţie ai atomilor în baza asociată nodurilor reţelei Bravais. fie prin repetarea pe trei direcţii diferite a unei unităţi de constucţie. c.1) unde n1. Fig. b. α3.2 a şi b). Celula cristalină primitivă. în felul următor: R = n1a +n2b +n3c (1. Vectorii a. α2.

5). operaţia de rotaţie. Un corp poate avea mai multe axe de simetrie. Modul de construcţie a celulei Wiegner-Seitz Această celulă este una primitivă şi se construieşte ducând plane perpendiculare la mijlocul distanţelor dintre nodul luat în considerare şi nodurile vecine (Fig.Celula elementară cristalografică este o celulă care prezintă toate elementele de simetrie ale reţelei cristaline şi nu este primitivă. Cn reprezintă rotaţia cu un unghi 2π/n în jurul unei anumite axe. dacă rotindu-l în jurul acestei axe cu un unghi 2π/n el revine la o poziţie identică. 4.4. Fig. Spunem că un corp posedă o axă de simetrie de ordinul n. 6).1. Grupul punctual Pe lângă operaţia de translaţie. 3. 1.1. Simetria cristalină Simetria de rotaţie. Celula elementară cu volumul cel mai mic şi care respectă toate operaţiile de simetrie ale cristalului este celula Wiegner-Seitz (Fig.5. Celula Wiegner-Seitz Procedura de alegere a celulei elementare nu este unică şi uneori o celulă arbitrară nu reflectă simetria reţelei. Astfel.6).1.1. structura cristalină poate fi descrisă şi cu ajutorul operaţiilor de simetrie ce se efectuează în jurul unui punct al reţelei şi care formează setul de operaţii al grupului punctual.2. Operaţiile de simetrie ce formează grupul punctual pot fi simple sau complexe. Există unele restricţii pentru n (n = 2. 8 . Pentru a demonstra acest lucru presupunem că o reţea rămâne neschimbată sub acţiunea unei rotaţii de unghi α în jurul unui nod al reţelei (Fig.5).

C3.5) poate avea doar valorile 1.7. 3 iar α poate lua valorile ±π . 1. ± 2π/3. 2. 3. 2π/3. σv. O rotaţie în jurul unei axe de ordin 1 este echivalentă cu absenţa rotaţiei sau cu o rotaţie cu 360 de grade. 1. unde n = 2. Este indicata celulă primitivă a celulei hexagonale. s poate lua doar valorile -1. verticale sau diagonale.8. 0.1. efectul lor şi simbulul lor fiind prezentat în Fig. Planele de reflexie sunt notate cu σh. Axele de rotaţie de ordin n se notează cu Cn (Fig.7). 2. după cum sunt orizontale. Axele de simetrie sunt notate cu C4. sub acţiunea operaţiilor de rotaţie cu un unghi α. Din Fig. C2 şi C6 şi corespund rotaţiilor 2π/4. respectiv vor avea valorile "a" şi "sa".1. 4 şi 6. punctul A trece în punctul A' şi punctul B trece în punctul B'. 9 . Astfel ordinul axei de rotaţie n = 2π / α (1. 3.1. σd. Determinarea simetriei de rotaţie Astfel. 2π/2 şi 2π/6. 6. unde s trebuie să fie un multiplu întreg al lui a.Fig. Atât distanţele AB cât şi A' B' reprezintă distanţe între două noduri ale reţelei. Având în vedere faptul că funcţia cosinus ia valori cuprinse în intervalul [-1. 6. ±π /3 şi 0 sau 2π. Fig. Axe şi plane de simetrie.6 se poate constata că sa = a ( 1 + cos α ) . Pentru celula hexagonală axa paralelă cu parametrul c este o axă de ordinul şase. 1. 4. ±π /2.1].

10 . I.1.1. punctul fix fiind ales ca origine. triunghiurile. pentagoanele nu au centru de inversie.1.9).1.-y. Tetraedrele.r. Centru de inversie intr-o moleculă 1. Fig.-z) (Fig. Fig. c şi unghiurile α.z) --> (-x. Intr-o anumită structură cristalină. Reţele unidimensionale.9.8. reprezintă reflexia într-un plan de simetrie.y.3.1. b. Tipurile de reţele se deosebesc prin simetria pe care o posedă. 1D Tipurile de reţele diferă prin relaţiile existente între parametrii celulei elementare: a. Planele de simetrie se consideră orizontale dacă sunt perpendiculre pe axa de ordin maxim. Reţele Bravais 1. Centru de inversie este un punct in centrul celulei elementare (moleculei) faţă de care (x. γ pe care le formează.7).3. β. Efectul rotaţiei în jurul unei axe de ordin n şi simbol axei Operaţia de roto-reflexie este o rotaţie improprie. Sn şi constă dintr-o rotaţie Cn. σ. transformă r → .Operaţia de inversie. Dacă planele conţin axa de ordin maxim se numesc verticale sau diagonale (Fig. Operaţia de reflexie. urmată de o reflexie într-un plan normal la axa de rotaţie. Operaţia de inversie mai poate fi privită şi ca o operaţie de rotaţie în jurul unei axe C 2 urmată de reflexia în planul perpendicular pe această axă.

10. Fig. Reţelele unidimensionale. φ= 120°. 1. reteaua rectangulară: |a1|≠|a2| . reteaua hexagonală: |a1|=|a2| . (a1. Fig. 2D Există 5 tipuri de reţele bidimensionale: reţeaua oblică şi patru reţele speciale (Fig. Reţele 1D: simple şi complexe (cu 2 atomi identici respectiv 2 atomi diferiţi pe celula elementară) 1. Reţele bidimensionale. care se mai numesc şi lanţuri.1.3. pot fi simple sau complexe.10).9). Reţele Bravais 11 . Atomii pot fi identici sau diferiţi (Fig. Reţele 2D Pentru cazurile speciale se remarcă reteaua patratică: |a1|=|a2|. Cele simple au 1 atom pe celula elementară. bidimensionale (2D) şi tridimensionale (3D). Pentru reţaua oblica |a1|≠|a2| .a2)=φ.1.9. φ= 90°. φ= 90° Simetria cea mai ridicată o prezintă reţeaua hexagonală pentru că prezintă cel mai mare număr de elemente de simetrie.Reţelele pot fi unidimensionale (1D). φ= 90° şi reteaua rectangulară centrată: |a1|≠|a2| . Cele complexe conţin mai mulţi atomi pe celula elementară.2.1.

Ca în Fig. orientarea lor fiind determinată de unghiurile α. Celulele care pe lângă punctele reţelei din colţuri mai au un punct în centrul celulei se numesc centrate în volum şi se notează cu I (de la cuvântul german innenzentrierte). Deoarece reţeaua Bravais este periodică. romboedric.1.11).1. b) ne. grupate în şapte sisteme cristaline sau singonii (cubic. celula elementară este primitivă şi se notează cu P. a) b) Fig. triclinic Fig. respectiv acelaşi număr de coordinare. Celulele care conţin puncte (noduri) ale reţelei în colţuri şi în centrele feţelor superioară şi inferioară se numesc cu baze centrate şi se notează cu C (deoarece axa c este perpendiculară pe aceste feţe). Intr-o retea Bravais nodurile cele mai apropiate de un nod dat reprezinta vecinii cei mai apropiati. tetragonal.10. 3D Există 14 tipuri de reţele Bravais tridimensionale. Reţele tridimensionale. 12 . Dacă punctele reţelei se găsesc doar în colţurile celulei elementare. hexagonal. Număr de coordinare (NC).1.β şi γ.10).1. aceasta fiind o proprietate a reţelei. b şi c.4 se alege un sistem de axe de coordonate în lungul cărora se situează vectorii fundamentali a. Reţelele din acelaşi sistem au acelaşi grup punctual al elementelor de simetrie.Bravais 1. Reţele: a) Bravais.3. Reţelele care prezintă şi puncte neechivalente. iar cele care au puncte ale reţelei atât în colţuri cît şi pe centrele feţelor celulei se numesc cu feţe centrate şi se notează cu F. respectiv atomi diferiţi nu mai pot fi considerate ca fiind Bravais şi se numesc reţele ne-Bravais (Fig.3.Reţelele în care toate punctele sunt identice şi prezintă un singur tip de atomi se numesc reţele Bravais. ortorombic. monoclinic. toate nodurile au acelaşi număr de vecini cei mai apropiaţi.

1. C3). Aceste reţele au cel mai mare număr de elemente de simetrie: trei axe de ordinul patru (tetrade. Reţelele sistemului cubic pot fi construite folosind celule cubice .Pentru cubul simplu numărul de coordinare este 6. cele de pe feţe. N= 1 1 1 N colt + N muchie + N fata + N int erior 8 4 2 (1. Ncolt. nodurile participă la o celulă în funcţie de poziţia acestora.1.7). 6σd. atunci a = ax.11. b = ay. Număr de atomi sau noduri pe celula elementară. patru axe de ordinul trei (triade. doar la o celulă elementară. şase axe de ordinul doi (diade. vor contribui la opt celule elementare. Ninterior. Astfel nodurile aflate în colţurile unei celule paralelipipedice. Nfata. Fig. Dacă cubul are muchia a. Într-o celulă elementară. pentru reţeaua cubică cu volum centrat este 8. iar pentru reţeaua cubica cu feţe centrate este 12. C4). iar cele din interiorul celulei. 13 . C2) şi nouă plane de simetrie (3σh. cele de pe muchii. la două celule elementare. c = az sunt cei trei vectori primitivi ai reţelei.5) Reţele cubice. la patru celule elementare. Nmuchie. Clase cristalografice (singonii) Celula primitivă are un nod pe celula elementară deoarece fiecare nod din colţul celulei mai participa la încă alte 8 celule elementare. Fig.

12.1.x + y+ z) .b) Fig. Celula Wigner . 2 b= cubului participă la două celule elementare.13. Celula cubică cu feţe centrate are patru noduri pe celulă (are patru atomi dacă ne imaginăm că în fiecare nod avem un atom): N = 8 ⋅ 1 1 + 6 ⋅ .Pentru celula cubică cu volum centrat există două noduri pe celulă: unul în colţurile celulei şi unul în interiorul celulei.Seitz a celulei cubice cu volum centrat. In general.a): 1 1 a( . cvc. Celulele primitive ale reţelelor cubice: a) cu volum centrat.12. este prezentată în Fig. pentru această 8 celulă. b) cubice cu feţe centrate 14 . c = a ( x − y+ z) .1.a.1. precum şi poziţia centrului cubului pot fi exprimate ca o combinaţie liniară a vectorilor fundamentali cu coeficienţi întregi.12.1. fiind în lungul muchiilor paralelipipedului generat de ei. vectorii fundamentali se aleg cu originea în centrul cubului şi cu vârfurile în centrele a alte trei cuburi vecine în acelaşi colţ (Fig. Nodurile de pe feţele 8 2 a= 1 a( x + y− z) . De menţionat este că a + c =ax. Vectorii fundamentali se aleg de obicei cu originea în unul din colţurile cubului şi cu vârfurile în trei noduri localizate pe feţele cubului (Fig.12.1. a + b = ay şi b + c = az aşa încât poziţiile colţurilor cubului. N = 8 ⋅ 1 + 1 . 2 2 Aceşti vectori fundamentali sunt prezentaţi în Fig.

Nu are nici o axă de simetrie sau plan de reflexie. două verticale şi două diagonale. Reţele triclinice Reţeaua triclinică are cea mai joasă simetrie. Există două tipuri de reţele: cu celula primitivă şi celulă cu baze centrate (Fig. care coincide cu centrul de greutate. Reţele tetragonale. Există patru reţele în acest sistem: primitivă.1.1.13.1.1. Celula ortorombică prezintă ca elemente de simetrie trei axe de ordinul doi şi trei plane de simetrie perpendiculare pe axele de ordin doi.Fig. Suprafeţele laterale sunt 15 . Reţele hexagonale şi trigonale Celula elementară a reţelei hexagonale este prezentată în Fig.11).11). Aceste reţele pot fi rezultatul deformării cubului în lungul axelor b şi c. Ca elemente de simetrie prezintă doar o axă de ordin doi perpendiculară pe bază şi un plan de simetrie perpendicular pe axă (plan orizontal).11). Există două tipuri de reţele descrise de o celulă primitivă. feţele rectangulare fiind perpendiculare pe bază. cu volum centrat şi cu feţe centrate. Celula primitivă are ca bază un romb cu 2 unghiuri de 60 grade.1.1.1. Reţele monoclinice Baza celulei monoclinice este un paralelogram oblic. Reţele ortorombice. respectiv de o celulă cu volum centrat (Fig. cfc.11). Celula tetragonală încă mai prezintă o axă verticală de ordinul patru (tetradă) patru axe de ordinul doi (diade) şi cinci plane de simetrie: unul orizontal. Celula triclinică prezintă un centru de simetrie. este pezentată în Fig. cu baze centrate. Toate feţele sunt dreptunghiuri (Fig. Poate fi obţinută prin îmbinarea reţelelor 2D oblice (Fig.13. Acestea pot fi obţinute prin deformarea reţelei cubice în lungul axei c.7. Celule Wigner-Seitz 3D Celula Wigner -Seitz a reţelei cubice cu feţe centrate.

Există 32 grupuri punctuale cristalografice descrise de simetria celulei elementare (rotatii. Numărul de noduri din celula hexagonală este egal cu N = 12 ⋅ 1 1 + 2⋅ = 3. 6 . axa de ordin trei fiind interseţia celor trei plane de simetrie. Dacă se daugă şi un plan de simetrie se notează cu Dnh sau Dnv sau Dnd în funcţie de natura planului. mmm. Astfel axa z se consideră că iese din planul imaginii. trei axe de ordin doi (unesc mijlocul unei muchii cu mijlocul muchiei opuse) şi trei plane de simetrie. 4/mmm. axa y este în plan cu sensul la dreapta.11 există 14 reţele Bravais care sunt cuprinse în cele 7 sisteme cristalografice distincte. i = 1 . 3m.cu Sn se notează 16 . Există un plan de simetrie orizontal. m3.perpendiculare pe bază (Fig. 6mm. iar cei din centrul bazelor la două celule. 23.11).1. 3m. În această notaţie a grupurilor punctuale se apelează la notaţiile Cn = n. 6/m2. Doi vectori primitivi sunt paraleli cu muchiile rombului iar al treilea este perpendicular pe bază.11).1. Elementele de simetrie cuprind o axă de simetrie de ordin trei (diagonala volumică). Grupuri punctuale. 43m. 432. 3 . mm. 2/m. 42m. axa x este în plan orientată în jos. grupul se notează cu Dn. 4/m. În această notaţie se notează cu Cn grupurile punctuale ce se obţin din acelaşi element (grupuri ciclice). reflexii. perpendicular pe axa de ordin şase. În cazul în care perpendicular pe axa de tip Cn există cel puţin o axă de ordinul doi (numărul axelor de ordinul doi este egal cu ordinul axei Cn).3. Astfel grupurile punctuale vor apărea notate: 1. σ v = σ d = m . 1.3. 6. Notaţia Hermann-Maugin. Notaţii După cum se poate vedea din Fig.7 şi Fig. 4. inversie) Pentru grupurile punctuale s-au stabilit unele convenţii de notare. 32. 4mm. 622. 1 . trei plane de simetrie diagonale şi trei verticale perpendiculare pe cele şase axe de ordin doi. 4 .1.Grupuri spaţiale cristalografice. Celula hexagonală prezintă o axă verticală de ordin şase (hexadă). m3m Notatia Shonflies. 222. şase axe de ordin doi perpendiculare pe axa de ordin şase: trei perpendiculare pe feţele laterale şi trei paralele cu diagonalele bazei. 6/mmm.1. 3. m. Celula trigonală poate fi rezultatul distorsionării cubului în lungul unei diagonale volumice (Fig. Cs = σ h = m . 6 2 Atomii din colţuri participă la încă şase celule elementare.

centrat pe o singura faţă (A. Deoarece lungimea egală cu unitatea este asociată cu vectorii fundamentali. C6h. cu T se notează grupul operaţiilor de rotaţie ale tetraedrului şi cu O grupul operaţiilor de rotaţie ale octaedrului.4) unde u. Punctul este identificat dând aceste numere sub forma uvw. D4. C2v. De exemplu. S3. grupul spaţial corespunzător simetriei triclinice va fi notat cu P-1. C6h. C4v. elementele de simetrie de translatie (plane de alunecare. reflexii. D2d. C2.4. Pmm2. P2/m.14 a). C3v. cu volum centrat (I) sau romboedric centrat (R). 1. relativ la unul din colţurile celulei poate fi notat r = ua + ub + wc (1. S4. axe elicoidale) sunt combinate cu elementele de simetrie tipice grupului punctual (rotatii. coeficienţii uvw sunt mai mici.1. D2h.În această notaţie grupurile punctuale vor fi notate cu: C1.centrat pe toate fetele (F). centrul oricărei celule elementare paralelipipedice are vectorul de poziţie (Fig. direcţii şi plane în crislale 1. inversie). O. C3h. Astfel. D2. cel corespunzător simetriei monoclinice cu P2. Astfel. C3. B sau C). v şi w sunt numere mai mici sau egale cu 1. Ci. Pm. Td. Cele 14 retele Bravais combinate cu cele 32 grupuri punctuale cristalografice determină 230 grupuri spaţiale cristalografice. C6. T. C4.4. Th. Poziţia atomilor în celula elementară Vectorul de poziţie r al unui punct din interiorul celulei elementare.grupurile care au ca elemente axele Sn. Pmmm. Poziţii. 1 1 1 111 a+ b + c iar indicii punctului sunt 2 2 2 222 17 . cel ortorombic cu P222. litera iniţială reprezintă simbolul grupului spaţial care poate fi primitiv (P). Cs. C2h. D3h. C4h. etc. D3. Aceste notaţii sunt folosite pentru a specifica poziţiile atomilor sau a altor puncte de interes din celula elementară. D3d.1. fără a fi separate prin virgule. Oh Grupuri spatiale se obţin ca produsul direct între grupul translaţiilor asociat reţelei şi grupul punctual. Pentru grupurile spaţiale. S6.

[ u v w ] . se aduc la acelaşi numitor. 1.14.1. Indici Miller Pentru identificarea planelor din cristal se folosesc indicii Miller.14. [ uvw] (de exemplu [111]). Un set de direcţii care se pot obţine una din alta prin aplicarea operaţiilor de simerie se notează cu uvw .b) Indicii negativi sunt indicaţi cu o bară deasupra.b).4.14.3. Notaţii în cristale: a) poziţiile atomilor. se află cel mai mare divizor comun.1.1.1. Setul de plane care se pot obţine unele din altele sub acţiunea 18 .2.c). b) direcţii în cristal.4. c) plane cristaline 1. Dacă nodul prin care trece nu are numere întregi se aleg cele mai mici numere intregi cu acelasi raport relativ (Fig. puse între paranteze rotunde (hkl) reprezintă indicii Miller al planului (Fig. iar cele trei numere care rămân. Planele reţelei care sunt paralele şi egal distantate pot fi considerate ca având aceeaşi indici Miller. Direcţii în cristal O direcţie din cristal se notează cu coordonatele nodului celui mai apropiat de nodul ales origine (fiind numere întregi) puse între paranteze drepte.14. Pentru determinarea acestor indici se inversează fracţiile ce reprezintă intersecţiile planului cu axele cristalografice.Fig. direcţia având sens opus direcţiei [ uvw] (Fig.

De exemplu {100} conţine planele ( 100 ) . ( 010 ) . ( 001) . (1 00 ) . (001 ) . Densitatea de noduri a reţelei din fiecare plan din set este aceeaşi şi toate nodurile de reţea sunt conţinute în fiecare set de plane. (01 0 ) .operaţiilor de simetrie ale cristalului formează o familie de plane şi se notează { hkl} . 19 .

Structuri Cubice.1) unde N este numărul de atomi per celulă elementară.2. Coeficient de compactitate Coeficientul de compactitate.1. 68% din spaţiu fiind ocupat. F. numărul de coordinare fiind 8. Astfel. Structuri împachetate compact Materialele pot cristaliza adesea în unul din cele patru structuri de bază: cubică simplă (c). Rezultatul este acelaşi cu repetarea unui cub unitate format din 8 sfere. coeficientul de compactitate poate fi definit cu ajutorul relaţiei F=N 4π R 3 3 V (2. numărul de coordinare fiind. iar V este volumul celulei elementare.1). hehagonală compactă (hc) şi cubică cu feţe centrate (cfc). Aceasta este impachetarea cubică simplă. R este raza sferei . NC= 6. Structurile stării solide 2.care este egală cu jumătetea distanţei dintre atomii cei mai apropiaţi.2. peste primul strat de bile se aşează al doilea strat şi aşa mai departe. Structura cubică cu volum centrat este o structură mai eficientă. Numărul de coordinare reprezintă numărul vecinilor cei mai apropiaţi. Aceste structuri pot fi imaginate ca fiind rezultatul împachetarii unor sfere rigide. reprezintă raportul dintre volumul efectiv ocupat de atomii cristalului consideraţi ca sfere rigide în contact şi volumul total al reţelei. Structuri cristaline 2. Structuri hexagonale În cazul structurii cubice cu volum centrat (Fig. În acest tip de structură doar 52% din spaţiul celulei elementare este ocupat. 20 . În cel mai simplu mod de impachetare (Fig.2. în care fiecare sferă atinge alte 4 sfere din acelaşi plan şi câte o sferă din planul superior.1. respectiv inferior.1).1. Fiecare atom poate forma legături cu şase atomi vecini. cubică cu volum centrat (cvc). fiecare sferă este în contact cu 4 sfere din planul inferior şi patru din planul superior.

Atomii din interior sunt localizaţi la jumătatea înălţimii prismelor. care se găsesc în colţurile unui hexagon. acestea fiind ocupate alternativ :o prismă este ocupată şi următoarea este goală. cel de al treilea strat cu bile se aşează peste golurile din primul strat care nu au fost ocupate de cel de al doilea strat: ABCABC...Cel mai compact mod de împachetare apare la structurile cubice cu feţe centrate şi hexagonal compacte. Împachetare cubica AAAA..1. În cazul structurii cubice cu feţe centrate. Celula hexagonală poate fi privită ca fiind formată din şase prisme având baza un triunghi echilateral.2. trei din planul de dedesupt şi trei din planul de deasupra. În al doilea plan. Fiecare bilă este în contact cu şase bile din plan. Aceasta structură este la fel de compactă ca şi structura hexagonal compactă.. Structuri obţinute prin împachetare compactă Modul de calcul al coeficientului de compactitate pentru structurile cubică cu feţe centrate şi hexagonal compactă este prezentat în Fig. 74% din spaţiu fiind ocupat. NC=8 Împachetare hexagonal compactă NC=12 Împachetare cubică cu feţe centrate NC=12 Fig. NC=6 Impachetare cubică cu volum centrat ABABAB. bilele se situează peste golurile triunghiulare......2. Această structură este numită hexagonal compactă şi este structura cea mai eficientă. iar în al treilea situatia poate fi repetată. Ambele încep cu un plan de bile în care fiecare bilă este în contact cu alte şase bile din plan. 21 . etc.2.

InAs. Poziţiile atomilor din bază. În afara atomilor din colturi şi de pe feţe mai sunt patru atomi în interiorul celulei. AgI.2. Structura de tip diamant are o reţea cubică cu feţe centrate şi o bază de doi atomi identici.b) este similară structurii de diamant dar are doi atomi diferiţi. fiecare deplasat în comparaţie cu atomul din colţ sau cel din mijlocul feţei cu o pătrime din diagonală.Fig.2. cristalele covalente sunt mai slab împachetate.. Determinarea factorului de compactitate pentru celulele cubica cu feţe centrate şi hexagonal compactă cu relaţia (2. Siliciul şi germaniul cristalizeză prezintă această structură la temperatura camerei. obţinută prin proiectarea în lungul axei c şi notarea poziţiilor atomice cu coordonate exprimate ca fracţiuni ale lui c.3. Structuri covalente Deoarece atomii sunt legaţi cu maxim patru vecini. 22 .a) prezintă celula elementară de tip diamant precum şi reprezentarea 2D a celulei elementare. Aceasta este structura tipică semiconductorilor binari de tipul CdS. Există opt atomi pe celula elementară. InSb. sau blenda de zinc. coeficientul de împachetare fiind 0.2.3. în urma ataşării bazei în nodurile reţelei formează două reţele cubice cu feţe centrate. AlP şi GaAs şi a halogenurilor metalelor nobile CuF.34.1. CuCl. Fig.2. Reţeaua cubică cu feţe centrate formată de unul din atomi este deplasată faţă de cea formată de celălalt tip de atom cu o pătrime din diagonala volumică. deplasate una faţă de cealaltă cu 1/4 din diagonala volumică. Sulfura de zinc. prezentată în Fig.2.1) 2.

sulfura de zinc mai prezintă o formă hexagonală numită "würtzite" (Fig.2. ei participă la micşcarea termică efectuând mici oscilaţii. MgTe. atomii mai mici umplând unele interstiţii.2. 2. regulată. Aceste oscilaţii distrug periodicitatea 23 . structurile putând fi considerate reţele împachetate compact ale atomilor mai mari.c).3. De notat este faptul că atomii din interior se găsesc în lungul aceleaşi axe de ordin trei. c) würtzite (hexagonlă) În toate structurile atomii sunt legaţi tetraedric. Rapoartele c/a pentru aceste cristale sunt apropiate de valoarea ideală. Astfel. b) blenda de zinc. au o structură care se abate într-un grad mai mic sau mai mare de la aranjarea periodică ideală. Distrugerea periodicităţii ideale poate avea loc datorită unor cauze diferite. BeO. Alte materiale care cristalizează în acest sistem sunt ZnO.Fig. Cele două structuri hexagonale sunt deplasate una faţă de cealaltă în lungul axei c cu 5/8c. Fiecare atom este în centrul unui tetraedru cu patru atomi diferiţi în vârfuri. Fiecare atom formează o structură hexagonal compactă (hc). a atomilor. în cristalul real ionii nu sunt ficşi în nodurile reţelei cristaline. În structura de tip diamant atomii sunt identici spre deosebire de celelalte în care atomii sunt diferiţi Pe lângă structura blendei de zinc. SiC. Structuri cristaline ale cristalelor covalente: a) diamant.3.3. Defecte structurale Cristalele reale. naturale sau crescute în laborator.

O altă sursă de distrugere a periodicităţii ideale este legată de prezenţa unor modificări structurale ale reţelei cristaline ideale. Aceste defecte pot fi clasificate pe baza unor criterii geometrice în: punctiforme. unidimensionale. 2.poziţiilor instantanee ale ionilor şi pot fi considerate ca un tip de defecte ale reţelei cristaline (defecte dinamice ). Fig. care nu depăşesc dimensiunile atomice.1. constituie defecte zerodimensionale sau punctiforme.2.3. Defecte punctiforme 24 . Defecte punctiforme Existenţa în structura cristalină ideală a unor abateri de la periodicitate.4. de suprafaţă şi de volum. numite defecte structurale.

este deplasat dintr-un nod al reţelei cristaline. Ambele mărimi depind de numărul de defecte. Apariţia defectelor Frankel este asociată cu o cheltuială mai mare de energie şi deci este mai puţin probabilă. O altă contribuţie la entropie apare din modificările stărilor electronilor şi fononilor.TS (2. 2) atomi interstiţiali de aceeaşi natură cu ai reţelei 3) atomi interstiţiali impuritate 4) atomi impuritate substituţionali cu rază mai mică decât a atomilor reţelei 5) atomi impuritate substituţionali cu raza mai mare decât a atomilor reţelei 6) grupări de defecte punctiforme (de vacanţe sau de atomi intertiţiali). şi ca rezultat al excitaţiei termice. 25 . Dacă un atom. Numărul distinct de configuraţii este dat de (N+NV)!/N!NV!.2) să fie minimă. Entropia este dominată de componenta de configuraţie.3) unde s-a utilizat aproximaţia lui Stirling: pentru x mare. care este asociată cu numărul distinct de aranjamente ale atomilor. definită de F = E . iar entropia de configuraţie este  ( N + NV )!  S = k B ln   = k B [ ( N + NV ) ln( N + NV ) − N ln( N ) − ( NV ) ln( NV ) ] N ! NV !   (2. Vacanţele şi atomii interstiţiali cresc energia cristalului şi cresc entropia. Concentraţia de echilibru poate fi calculată impunând ca energia liberă. În cazul în care unul dintre atomii care ocupă nodurile dintr-un strat superficial al cristalului. numite vacanţe. aceasta fiind însă suficient de mică şi poate fi ignorată. capătă o energie suficientă pentru a ajunge la suprafaţa metalului. Să calculăm concentraţia vacanţelor izolate în cristalul cu un atom în baza primitivă. într-o poziţie corespunzătoare unui interval dintre noduri (interstiţiu). F. Vacanţele şi interstiţiile pot fi generate termic. concentraţia de echilibru anulându-se doar la T = 0K.Ca exemple de astfel de defecte putem menţiona (Fig. E este energia iar S este entropia cristalului. Presupunem că cristalul conţine N atomi şi NV vacanţe. apare o pereche formată dintre o vacanţă şi un atom interstiţial.2. care constituie un defect Frankel. Acestea pot fi aranjate în (N+NV) moduri în cele N+NV poziţii. obţinem un defect Schottky. ln( x! ) = x ln( x ) .4): 1) noduri ale reţelei neocupate cu atomi.

Dacă EV este energia necesară pentru a crea o vacanţă. Pentru marea majoritate a materialelor EV este de ordinul câtorva eV.4) F este minimă atunci când NV/(N + NV) = e − βE unde β=1/kBT. Bombardarea probei cu particule de înaltă energie conduce la obţinerea unei concentraţii în exces de defecte. energia cristalului creşte cu NVE atunci când se crează NV vacanţe. Această situaţie apare în urma tratamentului de călire. Dacă se neglijează complecşii de vacanţe multiple.5) Conform cu ecuaţia (2. EV este energia necesară pentru a deplasa un atom de la interior la suprafaţa probei. Se crează o mare concentraţie de defecte prin aducerea probei la o temperatură ridicată şi menţinerea ei până ce se obţine o stare de echilibru. Atomii nu vor avea energie suficientă pentru a se deplasa şi numărul de defecte a fi mare. De exemplu. Deoarece NV<<N numărul de vacanţe de echilibru va fi NV = Ne − βE (2. Dislocaţii 26 . Există doar un număr mic de poziţii interstiţiale şi probabilitatea ca una din ele să fie ocupate depinde de energia necesară pentru a aduce atomul de pe suprafaţa probei în poziţia interstiţială. Solidele prezintă ades concentraţii de vacanţe şi atomi interstiţiali de neechilibru. dacă EV = 2eV. Se creazp atât un atom interstiţial cât şi o vacanţă atunci când atomii îşi părăsesc locul şi intră în regiunea dintre atomi. cum ar fi structura tip diamant. iar energia liberă va fi F = NV EV − k B T [ ( N + NV ) ln( N + NV ) − N ln( N ) − NV ] ln( NV ) (2.3. Energia de interes pentru un defect Frenkel este suma energiilor necesare pentru crearea unei vacanţă şi a unui atom interstiţial în mod individual.2. 2. deoarece numărul de atomi nu se modifică la crearea unei vacanţe. Reprezentarea grafică a ln(N V/N) în funcţie de β permite determinarea experimentală a energiei. atunci NV/N este în jur de 3x10-34 la temperatura camerei şi în jur de 9x10-11 la 1000K. Concentraţia interstiţiilor la echilibru se calculează în acelaşi mod. după care proba se răceşte rapid. Această energie este de ordinul a un eV pentru structurile cu factori de împachetare mici. dar este peste 10 eV pentru structurile împachetate compact. Studiul efectului radiaţiei asupra structurii cristaline constituie un domeniu important al ştiinţei moderne a materialelor.5) numărul de vacanţe este zero la T=0K şi creşte cu temperatura.

Dislocaţii în cristale: a) Ilustrarea modului de producere a unei dislocaţii marginale prin deformarea cristalului. Mişcarea unei dislocaţii de margine prin cristal este analoagă trecerii unei cute sau a unei încreţituri de-alungul unui covor. Fig. Trecerea cutei este echivalentă cu alunecarea 27 .Defectele structurale ale căror dimensiuni într-o direcţie întrec pe cele atomice. b) Dislocaţie marginală.2. La formarea unei dislocaţii se cheltuieşte un lucru mecanic care se înmagazinează sub forma energiei de deformare a reţelei cristaline în jurul liniei de dislocaţie. Cele mai importante defecte unidimensionale sunt dislocaţiile.5. Dislocaţie marginală. Frontiera dintre regiunea lunecată şi cea nelunecată se numeşte dislocaţie.2. deci se extind la un şir de atomi.a) este prezentat mecanismul răspunzător de mobilitatea dislocaţiei. Prezenţa dislocaţiilor influenţează atât proprietăţile mecanice cât şi pe cele electrice.2.5. Dislocaţia simplă de margine se întinde indefinit în planul de lunecare într-o direcţie perpendiculară pe direcţia de lunecare. În Fig. c) Dislocaţie elicoidală. d) Microfotografie electronică prin transmisie a buclelor de dislocaţie din Ni. se numesc defecte unidimensionale (liniare).a) şi b) arată un cristal simplu în care lunecarea se produce pe distanţă atomică. deoarece produc împrăştierea electronilor. Poziţia ei este marcată prin terminaţia unui semiplan vertical excedentar de atomi intercalat în regiunea superioară a cristalului.5. Fig.

spre deosebire de cea marginală unde frontiera era perpendiculară pe direcţia de alunecare. sub 105dyn/cm2. Aceste forţe se anihilează în primă aproximaţie. Vectorul Burgers. Vectorul Burgers trebuie să fie egal cu un vestor al reţelei pentru ca procesul de relipire să menţină cristalinitatea materialului.b)). O dislocaţie elicoidală marchează frontiera dintr partea alunecată şi cea nealunecată a cristalului. Frontiera este paralelă cu direcţia de alunecare. Deformaţia rezultantă este cea a dislocaţiei. Vectorul Burgers al unei dislocaţii este paralel cu linia de dislocaţie în cazul dislocaţiei elicoidale şi este perpendicular pe linia de dislocaţie în cazul dislocaţiei marginale. Dislocaţia elicoidală transformă planele succesive de atomi în suprafaţa unei elice. în mod pronunţat.2.întregului covor pe podea. Diferitele forme de dislocaţii pot fi construite din segmente de dislocaţii marginale şi elicoidale. a). În regiunile unde vectorul b nu este paralel cu suprafaţa de secţiune. Dislocaţia elicoidală O imagine a unei dislocaţii elicoidale este prezentată în Fig. caracterizaă în ansamblu de curba de frontieră a vectorului Burgers (Fig. sau una deschisă care se termină pe suprafaţă cu ambele extremităţi.20. Vectorul b se numeşte vector Burgers. Burgers a arătat că forma cea mai generală a unei dislocaţii liniare dintr-un cristal poate fi descrisă ca în Fig. Se consideră o curbă închisă oarecare în interiorul cristalului. Trecerea unei dislocaţii prin cristal este echivalentă cu o deplasare 28 . această deplasare va produce un interstiţiu sau va suprapune două jumătăţi.1.5. atunci atomii din planul de alunecare vor suferi forţe de respingere de la anumiţi vecini şi forţe de atracţie de la alţi vecini în lungul planului de alunecare. Tensiunea exterioară necesară pentru a mişca o dislocaţie este foarte mică. 1.c). Dacă atomii de o parte a planului de alunecare se mişcă faţă de cei de pe celaltă parte. Se face o secţiune în lungul unei suprafeţe simple legate de linie şi se deplasează materialul de pe o parte a acestei suprafeţe cu un vector b în raport cu cealaltă parte.20. cu condiţia ca forţele de legătură din cristal să nu fie direcţionale de lunecare a unei părţi a cristalului.

prin corodare. bucla tinde să se strângă. Printre metodele utilizate pentru evaluarea dislocaţiilor amintim: microscopia electronică.1. Bucla de dislocaţie înconjoară o suprafaţă de alunecare. miţcându-se pe direcţii perpendiculre faţă de direcţia de alunecare. 29 .1012 dislocaţii/cm2 în cristalele metalice deformate puternic. concentrice într-un plan de alunecare. Densitatea variază de la 102 până la 103 dislocaţii/cm2 în cristalele de Si şi Ge cele mai bune şi ajung la 1011 . transmisia de radiaţie X. b) Vectorul Burgers care închide bucla. Vectorul Burgers: a) Metodă de formare unei bucle de dislocaţii. Un segment de dislocaţie fixat la ambele capete se numeşte sursă Frank-Read şi poate duce la generarea unui mare număr de bucle de dislocaţie.5.20. Multiplicarea dislocaţiilor şi alunecarea. care cresc o dată cu continuarea precipitării vacanţelor (Fig. Deoarece energia de deformare a buclei descreşte proporţional cu circumferinţa ei.d)).Fig. care favorizează alunecarea.2. Vacanţele care precipită în lungul unei dislocaţii de margine existente vor consuma o parte din semiplanul excedentar de atomi şi vor determina dislocaţia să se caţere. reflexia de radiaţie X. cristalul va deveni suprasaturat în vacanţe iar precipitarea lor în plăci de vacanţe de forma unei monede poate fi urmată de ciocnirea plăcilor şi formarea unor inele (bucle) de dislocaţii. Densitatea dislocaţiilor este numărul liniilor de dislocaţie care intersectează o unitate de arie din cristal. bucla tinde să se extindă. Dacă însă acţionează o deformaţie de forfecare. Ea trebuie să fie în parte dislocaţie marginală şi dislocaţie elicoidală. Dacă nu există nici o dislocaţie.

În Fig.6. Structuri amorfe 2. O reţea alcătuită din sublimite poartă denumirea de substructură. La limita de grăunte apar procese ca difuzia şi transformările de fază (Fig. limita de grăunte Fig. sau atom de referinţă.2. Limite de graunţi imagine HRTEM 2. ca urmare a faptului că reţeaua se abate pe mici domenii de la forma ei ideală. Deoarece materialele amorfe nu prezintă periodicitate la mare distanţă şi de aceea o descriere precisă necesită o listare a tuturor poziţiilor atomice.1.3. Funcţia de distribuţie radială Structurile materialelor amorfe nu pot fi descrise cu modelul teoretic ales pentru materialele cristaline.2.2.3. Distribuţia medie este dată de ceea ce este cunoscut ca funcţie de distribuţie radială. Se obţin de regulă în timpul deformării materialului la temperaturi înalte şi ca rezultat al transformărilor de fază.6).4.6. Limitele dintre grăunţi sunt caracterizate printr-o energie superficială mare. 30 .2.c) este prezentă o imagine de microscopie electronică în înaltă rezoluţie (HRTEM) a zonei limitei de grăunţi. Sublimitele sunt defecte bidimensionale care apar în interiorul aceluiaşi grăunte cristalin. În locul acestei listări se foloseşte o distribuţie medie a atomilor relativ la un atom central.4. Defecte de suprafaţă Limitele de grăunţi sunt defecte bidimensionale care apar într-un agregat policristalin şi reprezintă regiunea de trecere de la grăunţii (cristalite) cu o anumită orientare cristalină la alţi grăunţi cu o orientare diferită.

atunci în jurul fiecărui atom sunt 12 alţi atomi.Pentru a arăta semnificaţia fizică a funcţiei de distribuţie radială se presupune un solid amorf care constă din atomi de un singur tip şi vom descrie cum poate fi evaluată funcţia dacă se cunosc toate poziţiile atomilor. distribuţia atomilor nu este aceeaşi în jurul fiecărui atom. S-au construit modele de structuri amorfe ce conţin câteva sute de atomi şi folosind computerul s-a evaluat funcţia de distribuţie radială. Există două situaţii limită: cristalul complet ordonat şi distribuţia aleatoare a atomilor. Pentru solidele amorfe actuale s-au găsit funcţiile radiale folosind tehnicile cu radiaţie X. Un număr finit de atomi se vor găsi în aceste straturi. 31 . Pentru aceste distanţe. n(r) = 0 pentru r cuprins între 0 şi a / 2 şi devine infinit pentru r = a / 2 . cfc. În general. Să considerăm mai întâi funcţia de distribuţie radială pentru un cristal cu structura cubică cu feţe centrate. deoarece spre deosebire de cristal. rezultatul va fi zero cu excepţia stratului care se găseşte la o distanţă egală cu distanţele de separare interatomică ale structurii cfc. concentraţia creşte. procesul descris nu poate fi efectuat. Mai întâi. centrat pe unul din atomi şi dacă socotim numărul de atomi cu centrele în acest strat. Calculând n ( r ) a atomilor situaţi la distanţa r de un atom se poate defini funcţia de distribuţie radială ρ ( r ) = 4πr 2 n ( r ) (1. rezultatele sunt diferite de la atom la atom. Se calculează valoarea medie a lui n(r) pentru sistemul de atomi şi la final se face limita pentru ∆r foarte mic. şase se găsesc la distanţa a. etc. la o distanţă a / 2 . se calculează concentraţia n(r) a centrelor atomilor dintr-un strat sferic. care se extinde de la r până la r + ∆r.a) funcţia de distribuţie radială constă dintr-o serie de maxime localizate la diferite distanţe interatomice şi este zero înte aceste maxime. Dacă ne imaginăm un strat sferic extrem de îngust. De exemplu. După cum se poate vedea din Fig.9) Bineînşeles că.6. alegând un atom de referinţă.2. Procesul se repetă folosind un alt atom de referinţă. şi se împarte numărul de atomi cu centrele în strat la volumul stratului. măsurat de la centrul atomului de referinţă. 24 la distanţa 3 / 2 a . deoarece materialul conţine un număr mare de atomi. volumul tinzînd la zero când ∆r descreşte. Dacă muchia cubului este a.

Funcţia de distribuţie radială: a) Structură cfc.b). Fig. Concentraţia medie este aceeaşi cu concentraţia macroscopică n0 de atomi din solidşi este egală cu număril total de atomi împărţit la volumul solidului. prezentând aspecte asemănătoare cu cea corespunzătoare solidului cristalin. Pentru o distribuţie aleatorie ρ ( r ) = 4πr 2 n0 (2. nenule ale lui r. De data aceasta picurile au intensitate finită şi lărgimi nenule.La cealaltă etremă. Observăm că pentru o distribuţie aleatorie.c).6. numărul de perechi de atomi separate printr-o distanţă dată este aceeaşi cu numărul de perechi de atomi separate prin orice altă distanţă.6. La valori ale lui r mari curbele aproape se suprapun. La valori mici ale lui r funcţia diferă semnificativ de cea corespunzătoare distribuţiei aleatorii. b)Solid perfect amorf cu o concentraţie de atomi 2.55x1028atomi/m3. Distanţa de la atomul de referinţă este dată în unităţi ale muchiei cubului. indicând că există o distanţă pentru vecinii cei mai apropiaţi. Abaterile de la curba amorfului perfect indică ordine la mică distanţă O funcţie de distribuţie corespunzătoare unui solid morf este przentată în Fig.2.6) Funcţia este reprezentată grafic în Fig. La valori mari ale lui r. picurle devin tot mai largi şi mai puţin intense. Acest fapt arată că 32 . Indiferent de valoarea lui r. ρ ( r ) este foarte mică la valori mici ale lui r deoarece poziţiile atomice din solidul real sunt excluse din vecinătatea imediată a altor poziţii de către repulsia dintre miezurile ionice ale atomilor şi ρ ( r ) =0 pentru o distantanţele de separare apropite de r=0. Funcţia constă dintr-o serie de linii infinite pentru separările interatomice. Funcţia devine zero pentru valori mici. Picul care apare la cele mai mici valori a lui r corespunde distanţei dintre vecinii cei mai apropiaţi.2.6. Pe măsură de r creşte. Forma generală a curbei tinde să urmărească funcţia de distribuţie radială corespunzătoare distribuţiei aleatorii. dacă centrele atomice sunt distribuite aleatoriu în material concentraţia medie n nu depinde de r. funcţia constă dintr-o serie de picuri analoage celor observate pentru solidul cristalin.2. c) Metal amorf.

N reprezentând numărul mediu de vecini cei mai apropiaţi de un atom din solid.materilele amorfe prezintă ordine la mică distanţă dar nu rezintă ordine la mare distanţă aşa cum au cristalele. Dacă n0 este concentraţia macroscopică a atomilor din solid. Numărul mediu de atomi cu centrele în domeniul cuprins între r1 şi r2 este dat de N = n ( r )dτ r1 r2 ∫ (2. vor fi N = n0τ atomi în volumul macroscopic τ. structura este ordonată la distanţe mari de atomul de referinţă. Deoarece funcţia de distribuţie raială dă separarea medie a vecinilor cei mai apropiaţi.7) unde dτ este un element de volum infinit mic. iar factorul de împachetare va fi F= 4π n0 R 3 3 (2. Lărgimile picurilor prezintă şi ele interes. unde R este jumătate din valoarea lui r pentru primul pic al funcţiei. Înlocuind atomii cu sfere de rază R. Dacă există mai multe picuri rezolvate. ea poate fi utilizată pentru estimarea fracţiunii de împachetare pentru solidul amorf. Dacă însă sunt vizibile puţine picuri structura este ordonată doar la mică distanţă.9) 33 . Un pic foarte îngust indică faptul că aproape toţi vecinii cei mai apropiaţi se găsesc la aceeaşi distanţă în timp ce un pic larg arată o un domeniu larg de variaţie a distanţelor până la vecinii cei mai apropiaţi. Deoarece n ( r ) = ρ ( r ) / 4πr 2 dτ = 4πr 2 dτ r2 ( ) şi N= r1 ∫ ρ ( r )dr (2.8) Integrala se efectuează pe primului pic al funcţiei de distribuţie radială. Volumul inchis de sfere va fi N ( 4π / 3) R 3 = n0τ ( 4π / 3) R 3 . Funcţia de distribuţie radială poate fi utilizată pentru a găsi numărul mediu de atomi dintr-un anumit strat sferic. Numărul de picuri este o măsură a domeniului de ordine a structurii. Poziţiile picurilor indică separarea interatomică dominantă.

34 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful