Patrea I STRUCTURA SI DINAMICA RETELEI

.

1. Elemente de structură cristalină
1.1. Clasificarea materialelor după structură Materialele solide pot fi cristaline sau amorfe. O trasatură caracteristică a materialelor cristaline o constituie aranjarea ordonată a particulelor componente pe distanţe foarte mari în raport cu distanţele interatomice. In astfel de situatii spunem ca exista ordine la mare distanţă şi că se parcurge un număr extraordinar de mare de distante interatomice până când să apară o abatere de la aranjarea regulată a particulelor componente ale cristalului (Fig.1.1.a). Există materiale solide în care aranjarea regulată a particulelor componente se întâlneşte pe domenii restrânse, nedepăşind în diametru câţiva Ǻ( 6-7 Ǻ). Spunem că acestea sunt solide necristaline. Ele se caracterizează printr-o ordine la mică distanţă. Structura cristalină conferă materialelor proprietatea de anizotropie iar structura amorfa cea de izotropie. Aranjarea periodică a particulelor constituente după cele trei direcţii spaţiale constituie simetria internă sau simetria cristalină. Forma poliedrică exterioara, determinată de procesele de cristalizare simetria externă, geometrică sau singonia. Din punct de vedere teoretic, un solid amorf presupune lipsa oricărei ordini locale (în apropiere, cât şi la distanţă). Ordinea la mica distanţă este caracteristică atât solidelor amorfe, cât şi lichidelor, motiv pentru care materialele amorfe pot fi considerate ca lichide subrăcite. (Fig.1.1.b) In general, materialele sunt policristaline, adică sunt constituite dintr-o mulţime de cristalite, sau grăunţi, orientaţi aleatoriu. (Fig.1.1.c). Dacă printr-un procedeu oarecare se reduc dimensiunile grăunţilor de la 1 µm spre mai multi nm atunci acest fenomen va avea un impact deosebit asupra comportării materialului. Dimensiunea mică a cristalitelor (de ordinul nm) face ca majoritatea atomilor să fie atomi de graniţă, situati la suprafaţă. Într-un material de constituie

4

acest gen predomină fenomenele de suprafaţă şi interfaţă. Un material nanocristalin este un solid la care dimensiunea cristalitelor este, în general, mai mică de 100 nm .

Pirita – monocristal

a) Monocristal

b) Amorf

Forma policristalina a Piritei

c) Policristal Fig.1.1. Exemple de solide: a) monocriltal; b)amorf; c) policristal Materialele pot fi elaborate atat în stare masivă cât şi sub formă de straturi subţiri sau sub formă de pulbere (nano-pulbere), particule (nanoparticule), cvasicristale, benzi (nanobenzi), fire (nanofire). Trecerea de la materialul masiv la cel cu dimensionalitate redusa este însoţită de modificări importante ale proprietăţilor materialelor. Legile fizicii utilizate pentru înţelegerea proprietăţilor solidului cristalin sunt aceleaşi cu cele utilizate în studiul atomilor şi moleculelor. Astfel alături de ecuaţiile lui Maxwell care se aplică la studiul câmpurilor electromagnetice şi ecuaţia lui Schrödinger care se aplică pentru determinarea funcţiilor de undă ale particulelor se utilizează mecanica statistică şi termodinamica.

5

1.2. Structura cristalină 1.2.1.Periodicitatea cristalină Reţele şi vectori de bază Majoritatea materialelor solide posedă o structură cristalină, adică o periodicitate spatială, sau simetrie de translaţie (Fig.1.2.a. . Un cristal poate fi privit ca un aranjament 3 dimensional, periodic, al atomilor în spatiu. Pentru a descrie structura unui cristal se consideră că atomii se găsesc în poziţiile lor de echilibru şi se alege un model ideal format dintr-o reţea infinită de noduri, care prezintă o simetrie de translaţie şi o bază de atomi care se adaugă în fiecare nod al reţelei infinite (Fig.1.2.b).

Platină

Microscopie de scanare prin tunelare a)

Structura Pt

b)

Fig.1.2. Structura cristalina: a) structura ordonată a platinei; b) retea cristalină + bază

6

Unghiurile pe care le formează aceşti vectori între ei se notează fie cu α. Nu există un mod unic în alegerea vectorilor a. n2. 1. Foarte des vectorii necoplanari sunt notaţi cu a1. a2. 1. c. c sunt vectori de translaţie ai reţelei iar α. toate proprietăţile cristalului neschimbate.1. α3. α2. fie prin repetarea pe trei direcţii diferite a unei unităţi de constucţie. care lasă.1) unde n1. b.2) unde pm sunt vectorii de poziţie ai atomilor în baza asociată nodurilor reţelei Bravais.3) 7 . putem exprima orice nod al retelei R. se numesc vectori primitivi ai reţelei directe Celula primitivă Celula definită de vectorii primitivi se numeşte celulă primitivă (Fig. γ (Fig. Fig. β. β. n3. Celula cristalină primitivă.4. (Fig. Dacă presupunem că există trei vectori ne-coplanari a. în felul următor: R = n1a +n2b +n3c (1. Volumul celulei elementare este definit de produsul mixt V=(a[bc]) (1. la deplasarea cristalului în oricare din cele trei direcţii. numită celula elementara.4) fie cu α1. b.Toate structurile cristaline pot fi obţinute fie prin adaugarea unei baze de atomi in nodurile unor retele tri-dimensionale infinite. sunt numere întregi. a3. şi c. Când aceştia sunt egali cu perioadele cele mai scurte pe trei directii necoplanare. Pozitia atomilor in cristalul ideal poate fi definita de vectorii: rj = n1a + n2b + n3c + pm (1. Vectorii a.1. γ sunt unghiurile pe care le formează între ei.2 a şi b). în funcţie de alt punct considerat origine. b.4).

3.Celula elementară cristalografică este o celulă care prezintă toate elementele de simetrie ale reţelei cristaline şi nu este primitivă. Astfel.6). Grupul punctual Pe lângă operaţia de translaţie. Simetria cristalină Simetria de rotaţie.5). dacă rotindu-l în jurul acestei axe cu un unghi 2π/n el revine la o poziţie identică.2. Un corp poate avea mai multe axe de simetrie. Pentru a demonstra acest lucru presupunem că o reţea rămâne neschimbată sub acţiunea unei rotaţii de unghi α în jurul unui nod al reţelei (Fig. 8 .1.5). 1. Celula elementară cu volumul cel mai mic şi care respectă toate operaţiile de simetrie ale cristalului este celula Wiegner-Seitz (Fig.1.1.1. structura cristalină poate fi descrisă şi cu ajutorul operaţiilor de simetrie ce se efectuează în jurul unui punct al reţelei şi care formează setul de operaţii al grupului punctual. Operaţiile de simetrie ce formează grupul punctual pot fi simple sau complexe. Cn reprezintă rotaţia cu un unghi 2π/n în jurul unei anumite axe. Spunem că un corp posedă o axă de simetrie de ordinul n. Celula Wiegner-Seitz Procedura de alegere a celulei elementare nu este unică şi uneori o celulă arbitrară nu reflectă simetria reţelei. 6).4. operaţia de rotaţie. 4. Modul de construcţie a celulei Wiegner-Seitz Această celulă este una primitivă şi se construieşte ducând plane perpendiculare la mijlocul distanţelor dintre nodul luat în considerare şi nodurile vecine (Fig.5. Fig. Există unele restricţii pentru n (n = 2.

Fig. verticale sau diagonale. 6. Axe şi plane de simetrie. Astfel ordinul axei de rotaţie n = 2π / α (1. 4. 1. 2. 0. C2 şi C6 şi corespund rotaţiilor 2π/4. Determinarea simetriei de rotaţie Astfel. ±π /2. Având în vedere faptul că funcţia cosinus ia valori cuprinse în intervalul [-1.1.1].Fig. Din Fig.7.7).1. ±π /3 şi 0 sau 2π. sub acţiunea operaţiilor de rotaţie cu un unghi α. C3. Pentru celula hexagonală axa paralelă cu parametrul c este o axă de ordinul şase. efectul lor şi simbulul lor fiind prezentat în Fig. s poate lua doar valorile -1. 3. 2π/3. 2π/2 şi 2π/6.5) poate avea doar valorile 1. Atât distanţele AB cât şi A' B' reprezintă distanţe între două noduri ale reţelei. unde s trebuie să fie un multiplu întreg al lui a. 3 iar α poate lua valorile ±π . Este indicata celulă primitivă a celulei hexagonale.1. O rotaţie în jurul unei axe de ordin 1 este echivalentă cu absenţa rotaţiei sau cu o rotaţie cu 360 de grade. respectiv vor avea valorile "a" şi "sa". σd. 9 . Axele de rotaţie de ordin n se notează cu Cn (Fig. unde n = 2. Planele de reflexie sunt notate cu σh. σv. după cum sunt orizontale. 4 şi 6. 2. 3. Axele de simetrie sunt notate cu C4.8. punctul A trece în punctul A' şi punctul B trece în punctul B'.6 se poate constata că sa = a ( 1 + cos α ) . 6. ± 2π/3. 1. 1.

Dacă planele conţin axa de ordin maxim se numesc verticale sau diagonale (Fig. γ pe care le formează. b.Operaţia de inversie.1. urmată de o reflexie într-un plan normal la axa de rotaţie.9). Centru de inversie este un punct in centrul celulei elementare (moleculei) faţă de care (x. Reţele Bravais 1.y. Planele de simetrie se consideră orizontale dacă sunt perpendiculre pe axa de ordin maxim.-y. transformă r → .8. reprezintă reflexia într-un plan de simetrie. Operaţia de inversie mai poate fi privită şi ca o operaţie de rotaţie în jurul unei axe C 2 urmată de reflexia în planul perpendicular pe această axă.-z) (Fig. Tipurile de reţele se deosebesc prin simetria pe care o posedă. 10 . σ.3. Sn şi constă dintr-o rotaţie Cn. Fig.1.1. c şi unghiurile α. punctul fix fiind ales ca origine.z) --> (-x. Efectul rotaţiei în jurul unei axe de ordin n şi simbol axei Operaţia de roto-reflexie este o rotaţie improprie.7). Intr-o anumită structură cristalină. 1D Tipurile de reţele diferă prin relaţiile existente între parametrii celulei elementare: a.r. I.1. Fig. Centru de inversie intr-o moleculă 1. Tetraedrele. Reţele unidimensionale. β. Operaţia de reflexie. triunghiurile.9. pentagoanele nu au centru de inversie.3.1.

φ= 120°. Cele complexe conţin mai mulţi atomi pe celula elementară. reteaua hexagonală: |a1|=|a2| . Fig. φ= 90° Simetria cea mai ridicată o prezintă reţeaua hexagonală pentru că prezintă cel mai mare număr de elemente de simetrie. 1.2. pot fi simple sau complexe. φ= 90° şi reteaua rectangulară centrată: |a1|≠|a2| .1. φ= 90°. Reţelele unidimensionale.3.1.a2)=φ.9. Atomii pot fi identici sau diferiţi (Fig. care se mai numesc şi lanţuri. bidimensionale (2D) şi tridimensionale (3D). Pentru reţaua oblica |a1|≠|a2| . Reţele 1D: simple şi complexe (cu 2 atomi identici respectiv 2 atomi diferiţi pe celula elementară) 1. Cele simple au 1 atom pe celula elementară.1. (a1. 2D Există 5 tipuri de reţele bidimensionale: reţeaua oblică şi patru reţele speciale (Fig.9).10.Reţelele pot fi unidimensionale (1D).10). reteaua rectangulară: |a1|≠|a2| . Fig. Reţele bidimensionale. Reţele 2D Pentru cazurile speciale se remarcă reteaua patratică: |a1|=|a2|. Reţele Bravais 11 .

10.1. toate nodurile au acelaşi număr de vecini cei mai apropiaţi. respectiv acelaşi număr de coordinare. tetragonal. monoclinic. Reţele tridimensionale.1. aceasta fiind o proprietate a reţelei.1. celula elementară este primitivă şi se notează cu P. Număr de coordinare (NC). a) b) Fig. hexagonal.1. 3D Există 14 tipuri de reţele Bravais tridimensionale. grupate în şapte sisteme cristaline sau singonii (cubic.4 se alege un sistem de axe de coordonate în lungul cărora se situează vectorii fundamentali a. orientarea lor fiind determinată de unghiurile α. b) ne.10). Dacă punctele reţelei se găsesc doar în colţurile celulei elementare. Ca în Fig. Celulele care conţin puncte (noduri) ale reţelei în colţuri şi în centrele feţelor superioară şi inferioară se numesc cu baze centrate şi se notează cu C (deoarece axa c este perpendiculară pe aceste feţe). Intr-o retea Bravais nodurile cele mai apropiate de un nod dat reprezinta vecinii cei mai apropiati. 12 . triclinic Fig. romboedric.3.Reţelele în care toate punctele sunt identice şi prezintă un singur tip de atomi se numesc reţele Bravais. Reţelele din acelaşi sistem au acelaşi grup punctual al elementelor de simetrie.3. Reţele: a) Bravais. Deoarece reţeaua Bravais este periodică.Bravais 1.11). iar cele care au puncte ale reţelei atât în colţuri cît şi pe centrele feţelor celulei se numesc cu feţe centrate şi se notează cu F. ortorombic. Celulele care pe lângă punctele reţelei din colţuri mai au un punct în centrul celulei se numesc centrate în volum şi se notează cu I (de la cuvântul german innenzentrierte). respectiv atomi diferiţi nu mai pot fi considerate ca fiind Bravais şi se numesc reţele ne-Bravais (Fig. b şi c. Reţelele care prezintă şi puncte neechivalente.β şi γ.

la două celule elementare. iar pentru reţeaua cubica cu feţe centrate este 12. cele de pe feţe. iar cele din interiorul celulei. Reţelele sistemului cubic pot fi construite folosind celule cubice . C2) şi nouă plane de simetrie (3σh. la patru celule elementare. 6σd. Dacă cubul are muchia a. cele de pe muchii. b = ay. Astfel nodurile aflate în colţurile unei celule paralelipipedice. Clase cristalografice (singonii) Celula primitivă are un nod pe celula elementară deoarece fiecare nod din colţul celulei mai participa la încă alte 8 celule elementare.11. Aceste reţele au cel mai mare număr de elemente de simetrie: trei axe de ordinul patru (tetrade.7).1.1. Ninterior. C3). Ncolt.Pentru cubul simplu numărul de coordinare este 6. N= 1 1 1 N colt + N muchie + N fata + N int erior 8 4 2 (1. Fig. nodurile participă la o celulă în funcţie de poziţia acestora. atunci a = ax. şase axe de ordinul doi (diade. Într-o celulă elementară. Număr de atomi sau noduri pe celula elementară.5) Reţele cubice. Fig. Nfata. Nmuchie. c = az sunt cei trei vectori primitivi ai reţelei. C4). doar la o celulă elementară. patru axe de ordinul trei (triade. pentru reţeaua cubică cu volum centrat este 8. 13 . vor contribui la opt celule elementare.

Celulele primitive ale reţelelor cubice: a) cu volum centrat. 2 b= cubului participă la două celule elementare. Celula cubică cu feţe centrate are patru noduri pe celulă (are patru atomi dacă ne imaginăm că în fiecare nod avem un atom): N = 8 ⋅ 1 1 + 6 ⋅ . 2 2 Aceşti vectori fundamentali sunt prezentaţi în Fig. In general.1.12.x + y+ z) .b) Fig. cvc. N = 8 ⋅ 1 + 1 . precum şi poziţia centrului cubului pot fi exprimate ca o combinaţie liniară a vectorilor fundamentali cu coeficienţi întregi. Celula Wigner .12. a + b = ay şi b + c = az aşa încât poziţiile colţurilor cubului. vectorii fundamentali se aleg cu originea în centrul cubului şi cu vârfurile în centrele a alte trei cuburi vecine în acelaşi colţ (Fig.1.12. pentru această 8 celulă. Nodurile de pe feţele 8 2 a= 1 a( x + y− z) .13.Pentru celula cubică cu volum centrat există două noduri pe celulă: unul în colţurile celulei şi unul în interiorul celulei.1. Vectorii fundamentali se aleg de obicei cu originea în unul din colţurile cubului şi cu vârfurile în trei noduri localizate pe feţele cubului (Fig. este prezentată în Fig.1.12. fiind în lungul muchiilor paralelipipedului generat de ei. b) cubice cu feţe centrate 14 .Seitz a celulei cubice cu volum centrat.a): 1 1 a( . De menţionat este că a + c =ax. c = a ( x − y+ z) .1.a.

Acestea pot fi obţinute prin deformarea reţelei cubice în lungul axei c.1.7. Reţele ortorombice.1. Suprafeţele laterale sunt 15 .11).13.11). Nu are nici o axă de simetrie sau plan de reflexie. Reţele hexagonale şi trigonale Celula elementară a reţelei hexagonale este prezentată în Fig.11). Celula tetragonală încă mai prezintă o axă verticală de ordinul patru (tetradă) patru axe de ordinul doi (diade) şi cinci plane de simetrie: unul orizontal. Există două tipuri de reţele descrise de o celulă primitivă. Poate fi obţinută prin îmbinarea reţelelor 2D oblice (Fig. cu volum centrat şi cu feţe centrate. Celule Wigner-Seitz 3D Celula Wigner -Seitz a reţelei cubice cu feţe centrate. Celula ortorombică prezintă ca elemente de simetrie trei axe de ordinul doi şi trei plane de simetrie perpendiculare pe axele de ordin doi.1. Reţele triclinice Reţeaua triclinică are cea mai joasă simetrie. Există patru reţele în acest sistem: primitivă. feţele rectangulare fiind perpendiculare pe bază.13. Există două tipuri de reţele: cu celula primitivă şi celulă cu baze centrate (Fig. două verticale şi două diagonale.1.11). Aceste reţele pot fi rezultatul deformării cubului în lungul axelor b şi c.Fig. respectiv de o celulă cu volum centrat (Fig.1. Celula triclinică prezintă un centru de simetrie.1. cu baze centrate. Reţele monoclinice Baza celulei monoclinice este un paralelogram oblic. cfc. Reţele tetragonale. Ca elemente de simetrie prezintă doar o axă de ordin doi perpendiculară pe bază şi un plan de simetrie perpendicular pe axă (plan orizontal).1. Toate feţele sunt dreptunghiuri (Fig. Celula primitivă are ca bază un romb cu 2 unghiuri de 60 grade. este pezentată în Fig. care coincide cu centrul de greutate.

11). m.cu Sn se notează 16 . Celula trigonală poate fi rezultatul distorsionării cubului în lungul unei diagonale volumice (Fig. 6 2 Atomii din colţuri participă la încă şase celule elementare. 4/m. 3m.1. 3 . m3m Notatia Shonflies. σ v = σ d = m . Grupuri punctuale.7 şi Fig.1. 4mm. 3m.11 există 14 reţele Bravais care sunt cuprinse în cele 7 sisteme cristalografice distincte. mmm. 1. 42m. 3. 6. m3. 23. 6 . 6/mmm.1. În această notaţie se notează cu Cn grupurile punctuale ce se obţin din acelaşi element (grupuri ciclice). 432. 622. grupul se notează cu Dn. 32. 4. În cazul în care perpendicular pe axa de tip Cn există cel puţin o axă de ordinul doi (numărul axelor de ordinul doi este egal cu ordinul axei Cn). axa x este în plan orientată în jos. i = 1 . Elementele de simetrie cuprind o axă de simetrie de ordin trei (diagonala volumică). Celula hexagonală prezintă o axă verticală de ordin şase (hexadă).11). iar cei din centrul bazelor la două celule.3. Dacă se daugă şi un plan de simetrie se notează cu Dnh sau Dnv sau Dnd în funcţie de natura planului.3. Doi vectori primitivi sunt paraleli cu muchiile rombului iar al treilea este perpendicular pe bază. trei axe de ordin doi (unesc mijlocul unei muchii cu mijlocul muchiei opuse) şi trei plane de simetrie. Există un plan de simetrie orizontal. mm. inversie) Pentru grupurile punctuale s-au stabilit unele convenţii de notare. 2/m. 6mm. perpendicular pe axa de ordin şase. şase axe de ordin doi perpendiculare pe axa de ordin şase: trei perpendiculare pe feţele laterale şi trei paralele cu diagonalele bazei. trei plane de simetrie diagonale şi trei verticale perpendiculare pe cele şase axe de ordin doi. axa de ordin trei fiind interseţia celor trei plane de simetrie. axa y este în plan cu sensul la dreapta. 1 . 4 . Există 32 grupuri punctuale cristalografice descrise de simetria celulei elementare (rotatii. Cs = σ h = m . Astfel grupurile punctuale vor apărea notate: 1.perpendiculare pe bază (Fig. Notaţii După cum se poate vedea din Fig. reflexii. Notaţia Hermann-Maugin. 6/m2. Numărul de noduri din celula hexagonală este egal cu N = 12 ⋅ 1 1 + 2⋅ = 3. Astfel axa z se consideră că iese din planul imaginii.1. 222. În această notaţie a grupurilor punctuale se apelează la notaţiile Cn = n. 43m.Grupuri spaţiale cristalografice. 4/mmm.

coeficienţii uvw sunt mai mici. Oh Grupuri spatiale se obţin ca produsul direct între grupul translaţiilor asociat reţelei şi grupul punctual. D2d. D2h. Poziţii. fără a fi separate prin virgule. Ci. Astfel. Deoarece lungimea egală cu unitatea este asociată cu vectorii fundamentali. Astfel. v şi w sunt numere mai mici sau egale cu 1. cu T se notează grupul operaţiilor de rotaţie ale tetraedrului şi cu O grupul operaţiilor de rotaţie ale octaedrului. Cs. C2v. litera iniţială reprezintă simbolul grupului spaţial care poate fi primitiv (P). Poziţia atomilor în celula elementară Vectorul de poziţie r al unui punct din interiorul celulei elementare. axe elicoidale) sunt combinate cu elementele de simetrie tipice grupului punctual (rotatii. D3d. cel corespunzător simetriei monoclinice cu P2. centrul oricărei celule elementare paralelipipedice are vectorul de poziţie (Fig. C6h. etc. Pm.4. inversie). B sau C). Pmm2. C6h. reflexii. D3. direcţii şi plane în crislale 1. C4v. S3.În această notaţie grupurile punctuale vor fi notate cu: C1.4. D3h. D4. centrat pe o singura faţă (A. S6. C4. 1. C6. Pmmm. Th.1. C2. C2h. O. C3h. Td.14 a). T. elementele de simetrie de translatie (plane de alunecare. relativ la unul din colţurile celulei poate fi notat r = ua + ub + wc (1. Pentru grupurile spaţiale. Punctul este identificat dând aceste numere sub forma uvw. C4h. S4. Aceste notaţii sunt folosite pentru a specifica poziţiile atomilor sau a altor puncte de interes din celula elementară.1. D2. 1 1 1 111 a+ b + c iar indicii punctului sunt 2 2 2 222 17 .centrat pe toate fetele (F). cu volum centrat (I) sau romboedric centrat (R). C3v.grupurile care au ca elemente axele Sn. cel ortorombic cu P222. Cele 14 retele Bravais combinate cu cele 32 grupuri punctuale cristalografice determină 230 grupuri spaţiale cristalografice. grupul spaţial corespunzător simetriei triclinice va fi notat cu P-1.4) unde u. C3. De exemplu. P2/m.

puse între paranteze rotunde (hkl) reprezintă indicii Miller al planului (Fig.1. 1. se aduc la acelaşi numitor. direcţia având sens opus direcţiei [ uvw] (Fig.c).4.4.14.2. se află cel mai mare divizor comun.1.14. [ u v w ] .1. Indici Miller Pentru identificarea planelor din cristal se folosesc indicii Miller. Notaţii în cristale: a) poziţiile atomilor. iar cele trei numere care rămân.Fig. Un set de direcţii care se pot obţine una din alta prin aplicarea operaţiilor de simerie se notează cu uvw . Dacă nodul prin care trece nu are numere întregi se aleg cele mai mici numere intregi cu acelasi raport relativ (Fig. Setul de plane care se pot obţine unele din altele sub acţiunea 18 . [ uvw] (de exemplu [111]).1.14.3. c) plane cristaline 1.b). Planele reţelei care sunt paralele şi egal distantate pot fi considerate ca având aceeaşi indici Miller. b) direcţii în cristal. Direcţii în cristal O direcţie din cristal se notează cu coordonatele nodului celui mai apropiat de nodul ales origine (fiind numere întregi) puse între paranteze drepte.b) Indicii negativi sunt indicaţi cu o bară deasupra.14. Pentru determinarea acestor indici se inversează fracţiile ce reprezintă intersecţiile planului cu axele cristalografice.

19 . De exemplu {100} conţine planele ( 100 ) .operaţiilor de simetrie ale cristalului formează o familie de plane şi se notează { hkl} . (001 ) . ( 001) . Densitatea de noduri a reţelei din fiecare plan din set este aceeaşi şi toate nodurile de reţea sunt conţinute în fiecare set de plane. (01 0 ) . ( 010 ) . (1 00 ) .

20 . În cel mai simplu mod de impachetare (Fig.2. Fiecare atom poate forma legături cu şase atomi vecini. peste primul strat de bile se aşează al doilea strat şi aşa mai departe. F.1) unde N este numărul de atomi per celulă elementară. Structura cubică cu volum centrat este o structură mai eficientă.1. În acest tip de structură doar 52% din spaţiul celulei elementare este ocupat. Rezultatul este acelaşi cu repetarea unui cub unitate format din 8 sfere. Structuri hexagonale În cazul structurii cubice cu volum centrat (Fig. Astfel.2. Structurile stării solide 2. numărul de coordinare fiind. Structuri cristaline 2.1. respectiv inferior. în care fiecare sferă atinge alte 4 sfere din acelaşi plan şi câte o sferă din planul superior. 68% din spaţiu fiind ocupat. reprezintă raportul dintre volumul efectiv ocupat de atomii cristalului consideraţi ca sfere rigide în contact şi volumul total al reţelei. numărul de coordinare fiind 8. Structuri împachetate compact Materialele pot cristaliza adesea în unul din cele patru structuri de bază: cubică simplă (c). Aceasta este impachetarea cubică simplă.1).1. fiecare sferă este în contact cu 4 sfere din planul inferior şi patru din planul superior. Numărul de coordinare reprezintă numărul vecinilor cei mai apropiaţi. coeficientul de compactitate poate fi definit cu ajutorul relaţiei F=N 4π R 3 3 V (2. Coeficient de compactitate Coeficientul de compactitate. R este raza sferei . iar V este volumul celulei elementare. cubică cu volum centrat (cvc). hehagonală compactă (hc) şi cubică cu feţe centrate (cfc). Aceste structuri pot fi imaginate ca fiind rezultatul împachetarii unor sfere rigide.2.1). Structuri Cubice.care este egală cu jumătetea distanţei dintre atomii cei mai apropiaţi. NC= 6.

În cazul structurii cubice cu feţe centrate.. 21 . Ambele încep cu un plan de bile în care fiecare bilă este în contact cu alte şase bile din plan...2.. Împachetare cubica AAAA.. acestea fiind ocupate alternativ :o prismă este ocupată şi următoarea este goală. 74% din spaţiu fiind ocupat. Această structură este numită hexagonal compactă şi este structura cea mai eficientă.. În al doilea plan. care se găsesc în colţurile unui hexagon... bilele se situează peste golurile triunghiulare. NC=8 Împachetare hexagonal compactă NC=12 Împachetare cubică cu feţe centrate NC=12 Fig. trei din planul de dedesupt şi trei din planul de deasupra. Structuri obţinute prin împachetare compactă Modul de calcul al coeficientului de compactitate pentru structurile cubică cu feţe centrate şi hexagonal compactă este prezentat în Fig. Aceasta structură este la fel de compactă ca şi structura hexagonal compactă. Atomii din interior sunt localizaţi la jumătatea înălţimii prismelor. cel de al treilea strat cu bile se aşează peste golurile din primul strat care nu au fost ocupate de cel de al doilea strat: ABCABC.2.1. NC=6 Impachetare cubică cu volum centrat ABABAB. Fiecare bilă este în contact cu şase bile din plan. iar în al treilea situatia poate fi repetată.2.. Celula hexagonală poate fi privită ca fiind formată din şase prisme având baza un triunghi echilateral. etc.Cel mai compact mod de împachetare apare la structurile cubice cu feţe centrate şi hexagonal compacte.

2. coeficientul de împachetare fiind 0.2. deplasate una faţă de cealaltă cu 1/4 din diagonala volumică. În afara atomilor din colturi şi de pe feţe mai sunt patru atomi în interiorul celulei. sau blenda de zinc.a) prezintă celula elementară de tip diamant precum şi reprezentarea 2D a celulei elementare.2. 22 .b) este similară structurii de diamant dar are doi atomi diferiţi. Aceasta este structura tipică semiconductorilor binari de tipul CdS.1. Fig. Reţeaua cubică cu feţe centrate formată de unul din atomi este deplasată faţă de cea formată de celălalt tip de atom cu o pătrime din diagonala volumică. obţinută prin proiectarea în lungul axei c şi notarea poziţiilor atomice cu coordonate exprimate ca fracţiuni ale lui c. Sulfura de zinc. InAs. AlP şi GaAs şi a halogenurilor metalelor nobile CuF. InSb. în urma ataşării bazei în nodurile reţelei formează două reţele cubice cu feţe centrate.3.3. Structura de tip diamant are o reţea cubică cu feţe centrate şi o bază de doi atomi identici.. Determinarea factorului de compactitate pentru celulele cubica cu feţe centrate şi hexagonal compactă cu relaţia (2.2.1) 2.2.34. Siliciul şi germaniul cristalizeză prezintă această structură la temperatura camerei. fiecare deplasat în comparaţie cu atomul din colţ sau cel din mijlocul feţei cu o pătrime din diagonală. Poziţiile atomilor din bază. prezentată în Fig. AgI. Există opt atomi pe celula elementară. CuCl. cristalele covalente sunt mai slab împachetate.Fig. Structuri covalente Deoarece atomii sunt legaţi cu maxim patru vecini.

c). naturale sau crescute în laborator. c) würtzite (hexagonlă) În toate structurile atomii sunt legaţi tetraedric. Rapoartele c/a pentru aceste cristale sunt apropiate de valoarea ideală. Astfel. BeO. De notat este faptul că atomii din interior se găsesc în lungul aceleaşi axe de ordin trei. În structura de tip diamant atomii sunt identici spre deosebire de celelalte în care atomii sunt diferiţi Pe lângă structura blendei de zinc. SiC. ei participă la micşcarea termică efectuând mici oscilaţii. regulată. Fiecare atom este în centrul unui tetraedru cu patru atomi diferiţi în vârfuri. Defecte structurale Cristalele reale. Alte materiale care cristalizează în acest sistem sunt ZnO. Cele două structuri hexagonale sunt deplasate una faţă de cealaltă în lungul axei c cu 5/8c.3. au o structură care se abate într-un grad mai mic sau mai mare de la aranjarea periodică ideală.Fig. în cristalul real ionii nu sunt ficşi în nodurile reţelei cristaline. sulfura de zinc mai prezintă o formă hexagonală numită "würtzite" (Fig. 2. Distrugerea periodicităţii ideale poate avea loc datorită unor cauze diferite.2.2. atomii mai mici umplând unele interstiţii. Structuri cristaline ale cristalelor covalente: a) diamant. Fiecare atom formează o structură hexagonal compactă (hc).3. structurile putând fi considerate reţele împachetate compact ale atomilor mai mari.3. MgTe. b) blenda de zinc. a atomilor. Aceste oscilaţii distrug periodicitatea 23 .

3. Defecte punctiforme 24 . unidimensionale. O altă sursă de distrugere a periodicităţii ideale este legată de prezenţa unor modificări structurale ale reţelei cristaline ideale. Aceste defecte pot fi clasificate pe baza unor criterii geometrice în: punctiforme.poziţiilor instantanee ale ionilor şi pot fi considerate ca un tip de defecte ale reţelei cristaline (defecte dinamice ). Defecte punctiforme Existenţa în structura cristalină ideală a unor abateri de la periodicitate. numite defecte structurale. constituie defecte zerodimensionale sau punctiforme. 2. de suprafaţă şi de volum.1. care nu depăşesc dimensiunile atomice.2. Fig.4.

este deplasat dintr-un nod al reţelei cristaline.3) unde s-a utilizat aproximaţia lui Stirling: pentru x mare. concentraţia de echilibru anulându-se doar la T = 0K. Vacanţele şi interstiţiile pot fi generate termic. 25 .Ca exemple de astfel de defecte putem menţiona (Fig. capătă o energie suficientă pentru a ajunge la suprafaţa metalului. F. care este asociată cu numărul distinct de aranjamente ale atomilor.2) să fie minimă. Să calculăm concentraţia vacanţelor izolate în cristalul cu un atom în baza primitivă. Entropia este dominată de componenta de configuraţie. numite vacanţe. Presupunem că cristalul conţine N atomi şi NV vacanţe.TS (2. Ambele mărimi depind de numărul de defecte. În cazul în care unul dintre atomii care ocupă nodurile dintr-un strat superficial al cristalului. iar entropia de configuraţie este  ( N + NV )!  S = k B ln   = k B [ ( N + NV ) ln( N + NV ) − N ln( N ) − ( NV ) ln( NV ) ] N ! NV !   (2. Concentraţia de echilibru poate fi calculată impunând ca energia liberă. definită de F = E . obţinem un defect Schottky. într-o poziţie corespunzătoare unui interval dintre noduri (interstiţiu). Apariţia defectelor Frankel este asociată cu o cheltuială mai mare de energie şi deci este mai puţin probabilă. aceasta fiind însă suficient de mică şi poate fi ignorată. Vacanţele şi atomii interstiţiali cresc energia cristalului şi cresc entropia. Dacă un atom. E este energia iar S este entropia cristalului. Numărul distinct de configuraţii este dat de (N+NV)!/N!NV!. şi ca rezultat al excitaţiei termice.4): 1) noduri ale reţelei neocupate cu atomi. 2) atomi interstiţiali de aceeaşi natură cu ai reţelei 3) atomi interstiţiali impuritate 4) atomi impuritate substituţionali cu rază mai mică decât a atomilor reţelei 5) atomi impuritate substituţionali cu raza mai mare decât a atomilor reţelei 6) grupări de defecte punctiforme (de vacanţe sau de atomi intertiţiali). apare o pereche formată dintre o vacanţă şi un atom interstiţial. ln( x! ) = x ln( x ) .2. care constituie un defect Frankel. Acestea pot fi aranjate în (N+NV) moduri în cele N+NV poziţii. O altă contribuţie la entropie apare din modificările stărilor electronilor şi fononilor.

atunci NV/N este în jur de 3x10-34 la temperatura camerei şi în jur de 9x10-11 la 1000K. Această situaţie apare în urma tratamentului de călire.2. iar energia liberă va fi F = NV EV − k B T [ ( N + NV ) ln( N + NV ) − N ln( N ) − NV ] ln( NV ) (2. cum ar fi structura tip diamant.4) F este minimă atunci când NV/(N + NV) = e − βE unde β=1/kBT.5) Conform cu ecuaţia (2. Se creazp atât un atom interstiţial cât şi o vacanţă atunci când atomii îşi părăsesc locul şi intră în regiunea dintre atomi.Dacă EV este energia necesară pentru a crea o vacanţă. De exemplu. Pentru marea majoritate a materialelor EV este de ordinul câtorva eV. Dacă se neglijează complecşii de vacanţe multiple. Bombardarea probei cu particule de înaltă energie conduce la obţinerea unei concentraţii în exces de defecte. Această energie este de ordinul a un eV pentru structurile cu factori de împachetare mici.3. dar este peste 10 eV pentru structurile împachetate compact. Atomii nu vor avea energie suficientă pentru a se deplasa şi numărul de defecte a fi mare. după care proba se răceşte rapid. Deoarece NV<<N numărul de vacanţe de echilibru va fi NV = Ne − βE (2. Dislocaţii 26 . Există doar un număr mic de poziţii interstiţiale şi probabilitatea ca una din ele să fie ocupate depinde de energia necesară pentru a aduce atomul de pe suprafaţa probei în poziţia interstiţială. Se crează o mare concentraţie de defecte prin aducerea probei la o temperatură ridicată şi menţinerea ei până ce se obţine o stare de echilibru. Concentraţia interstiţiilor la echilibru se calculează în acelaşi mod. deoarece numărul de atomi nu se modifică la crearea unei vacanţe. Reprezentarea grafică a ln(N V/N) în funcţie de β permite determinarea experimentală a energiei. dacă EV = 2eV. energia cristalului creşte cu NVE atunci când se crează NV vacanţe. Solidele prezintă ades concentraţii de vacanţe şi atomi interstiţiali de neechilibru. 2. Studiul efectului radiaţiei asupra structurii cristaline constituie un domeniu important al ştiinţei moderne a materialelor. EV este energia necesară pentru a deplasa un atom de la interior la suprafaţa probei.5) numărul de vacanţe este zero la T=0K şi creşte cu temperatura. Energia de interes pentru un defect Frenkel este suma energiilor necesare pentru crearea unei vacanţă şi a unui atom interstiţial în mod individual.

c) Dislocaţie elicoidală.a) este prezentat mecanismul răspunzător de mobilitatea dislocaţiei.5. În Fig. se numesc defecte unidimensionale (liniare). d) Microfotografie electronică prin transmisie a buclelor de dislocaţie din Ni. deoarece produc împrăştierea electronilor.2. Fig.5.2.5. Mişcarea unei dislocaţii de margine prin cristal este analoagă trecerii unei cute sau a unei încreţituri de-alungul unui covor.2. Frontiera dintre regiunea lunecată şi cea nelunecată se numeşte dislocaţie. Fig.Defectele structurale ale căror dimensiuni într-o direcţie întrec pe cele atomice. Dislocaţii în cristale: a) Ilustrarea modului de producere a unei dislocaţii marginale prin deformarea cristalului. Poziţia ei este marcată prin terminaţia unui semiplan vertical excedentar de atomi intercalat în regiunea superioară a cristalului. Cele mai importante defecte unidimensionale sunt dislocaţiile. Trecerea cutei este echivalentă cu alunecarea 27 . La formarea unei dislocaţii se cheltuieşte un lucru mecanic care se înmagazinează sub forma energiei de deformare a reţelei cristaline în jurul liniei de dislocaţie. Dislocaţie marginală. b) Dislocaţie marginală. Dislocaţia simplă de margine se întinde indefinit în planul de lunecare într-o direcţie perpendiculară pe direcţia de lunecare.a) şi b) arată un cristal simplu în care lunecarea se produce pe distanţă atomică. Prezenţa dislocaţiilor influenţează atât proprietăţile mecanice cât şi pe cele electrice. deci se extind la un şir de atomi.

5. Se face o secţiune în lungul unei suprafeţe simple legate de linie şi se deplasează materialul de pe o parte a acestei suprafeţe cu un vector b în raport cu cealaltă parte. Frontiera este paralelă cu direcţia de alunecare. atunci atomii din planul de alunecare vor suferi forţe de respingere de la anumiţi vecini şi forţe de atracţie de la alţi vecini în lungul planului de alunecare. Vectorul b se numeşte vector Burgers. 1. Vectorul Burgers al unei dislocaţii este paralel cu linia de dislocaţie în cazul dislocaţiei elicoidale şi este perpendicular pe linia de dislocaţie în cazul dislocaţiei marginale. O dislocaţie elicoidală marchează frontiera dintr partea alunecată şi cea nealunecată a cristalului. Diferitele forme de dislocaţii pot fi construite din segmente de dislocaţii marginale şi elicoidale.întregului covor pe podea.b)). Trecerea unei dislocaţii prin cristal este echivalentă cu o deplasare 28 . cu condiţia ca forţele de legătură din cristal să nu fie direcţionale de lunecare a unei părţi a cristalului. Aceste forţe se anihilează în primă aproximaţie. Tensiunea exterioară necesară pentru a mişca o dislocaţie este foarte mică. Se consideră o curbă închisă oarecare în interiorul cristalului.20. În regiunile unde vectorul b nu este paralel cu suprafaţa de secţiune.2. spre deosebire de cea marginală unde frontiera era perpendiculară pe direcţia de alunecare. Deformaţia rezultantă este cea a dislocaţiei.20. a). Vectorul Burgers trebuie să fie egal cu un vestor al reţelei pentru ca procesul de relipire să menţină cristalinitatea materialului. caracterizaă în ansamblu de curba de frontieră a vectorului Burgers (Fig. Burgers a arătat că forma cea mai generală a unei dislocaţii liniare dintr-un cristal poate fi descrisă ca în Fig.c). Dislocaţia elicoidală transformă planele succesive de atomi în suprafaţa unei elice. sau una deschisă care se termină pe suprafaţă cu ambele extremităţi. Dislocaţia elicoidală O imagine a unei dislocaţii elicoidale este prezentată în Fig. sub 105dyn/cm2. Vectorul Burgers. această deplasare va produce un interstiţiu sau va suprapune două jumătăţi.1. în mod pronunţat. Dacă atomii de o parte a planului de alunecare se mişcă faţă de cei de pe celaltă parte.

care favorizează alunecarea. Dacă însă acţionează o deformaţie de forfecare.20. b) Vectorul Burgers care închide bucla.d)). Multiplicarea dislocaţiilor şi alunecarea. Densitatea variază de la 102 până la 103 dislocaţii/cm2 în cristalele de Si şi Ge cele mai bune şi ajung la 1011 . Densitatea dislocaţiilor este numărul liniilor de dislocaţie care intersectează o unitate de arie din cristal.1012 dislocaţii/cm2 în cristalele metalice deformate puternic.2. Bucla de dislocaţie înconjoară o suprafaţă de alunecare. care cresc o dată cu continuarea precipitării vacanţelor (Fig. Un segment de dislocaţie fixat la ambele capete se numeşte sursă Frank-Read şi poate duce la generarea unui mare număr de bucle de dislocaţie. reflexia de radiaţie X. bucla tinde să se strângă. Deoarece energia de deformare a buclei descreşte proporţional cu circumferinţa ei. prin corodare. cristalul va deveni suprasaturat în vacanţe iar precipitarea lor în plăci de vacanţe de forma unei monede poate fi urmată de ciocnirea plăcilor şi formarea unor inele (bucle) de dislocaţii.Fig. concentrice într-un plan de alunecare. Dacă nu există nici o dislocaţie. Vectorul Burgers: a) Metodă de formare unei bucle de dislocaţii.1. Printre metodele utilizate pentru evaluarea dislocaţiilor amintim: microscopia electronică. Vacanţele care precipită în lungul unei dislocaţii de margine existente vor consuma o parte din semiplanul excedentar de atomi şi vor determina dislocaţia să se caţere. 29 . Ea trebuie să fie în parte dislocaţie marginală şi dislocaţie elicoidală. bucla tinde să se extindă.5. transmisia de radiaţie X. miţcându-se pe direcţii perpendiculre faţă de direcţia de alunecare.

Deoarece materialele amorfe nu prezintă periodicitate la mare distanţă şi de aceea o descriere precisă necesită o listare a tuturor poziţiilor atomice.2. ca urmare a faptului că reţeaua se abate pe mici domenii de la forma ei ideală. 30 .6). Distribuţia medie este dată de ceea ce este cunoscut ca funcţie de distribuţie radială. O reţea alcătuită din sublimite poartă denumirea de substructură. La limita de grăunte apar procese ca difuzia şi transformările de fază (Fig. În Fig. În locul acestei listări se foloseşte o distribuţie medie a atomilor relativ la un atom central. sau atom de referinţă. Limitele dintre grăunţi sunt caracterizate printr-o energie superficială mare. limita de grăunte Fig.2.1.4. Se obţin de regulă în timpul deformării materialului la temperaturi înalte şi ca rezultat al transformărilor de fază.2.3.2.c) este prezentă o imagine de microscopie electronică în înaltă rezoluţie (HRTEM) a zonei limitei de grăunţi. Structuri amorfe 2. Sublimitele sunt defecte bidimensionale care apar în interiorul aceluiaşi grăunte cristalin.6.6. Funcţia de distribuţie radială Structurile materialelor amorfe nu pot fi descrise cu modelul teoretic ales pentru materialele cristaline. Limite de graunţi imagine HRTEM 2. Defecte de suprafaţă Limitele de grăunţi sunt defecte bidimensionale care apar într-un agregat policristalin şi reprezintă regiunea de trecere de la grăunţii (cristalite) cu o anumită orientare cristalină la alţi grăunţi cu o orientare diferită.4.3.

şi se împarte numărul de atomi cu centrele în strat la volumul stratului. deoarece materialul conţine un număr mare de atomi. alegând un atom de referinţă. concentraţia creşte. Există două situaţii limită: cristalul complet ordonat şi distribuţia aleatoare a atomilor.6.Pentru a arăta semnificaţia fizică a funcţiei de distribuţie radială se presupune un solid amorf care constă din atomi de un singur tip şi vom descrie cum poate fi evaluată funcţia dacă se cunosc toate poziţiile atomilor. Dacă ne imaginăm un strat sferic extrem de îngust. la o distanţă a / 2 . Se calculează valoarea medie a lui n(r) pentru sistemul de atomi şi la final se face limita pentru ∆r foarte mic. şase se găsesc la distanţa a. deoarece spre deosebire de cristal.a) funcţia de distribuţie radială constă dintr-o serie de maxime localizate la diferite distanţe interatomice şi este zero înte aceste maxime. atunci în jurul fiecărui atom sunt 12 alţi atomi. cfc. După cum se poate vedea din Fig. rezultatele sunt diferite de la atom la atom. distribuţia atomilor nu este aceeaşi în jurul fiecărui atom. se calculează concentraţia n(r) a centrelor atomilor dintr-un strat sferic. n(r) = 0 pentru r cuprins între 0 şi a / 2 şi devine infinit pentru r = a / 2 . rezultatul va fi zero cu excepţia stratului care se găseşte la o distanţă egală cu distanţele de separare interatomică ale structurii cfc. Mai întâi. Pentru solidele amorfe actuale s-au găsit funcţiile radiale folosind tehnicile cu radiaţie X. S-au construit modele de structuri amorfe ce conţin câteva sute de atomi şi folosind computerul s-a evaluat funcţia de distribuţie radială. În general. etc. De exemplu. Calculând n ( r ) a atomilor situaţi la distanţa r de un atom se poate defini funcţia de distribuţie radială ρ ( r ) = 4πr 2 n ( r ) (1. Pentru aceste distanţe. volumul tinzînd la zero când ∆r descreşte. 24 la distanţa 3 / 2 a . procesul descris nu poate fi efectuat. 31 . Dacă muchia cubului este a. care se extinde de la r până la r + ∆r. măsurat de la centrul atomului de referinţă.2. Un număr finit de atomi se vor găsi în aceste straturi. Procesul se repetă folosind un alt atom de referinţă.9) Bineînşeles că. Să considerăm mai întâi funcţia de distribuţie radială pentru un cristal cu structura cubică cu feţe centrate. centrat pe unul din atomi şi dacă socotim numărul de atomi cu centrele în acest strat.

2. Acest fapt arată că 32 . Pentru o distribuţie aleatorie ρ ( r ) = 4πr 2 n0 (2.La cealaltă etremă.6. indicând că există o distanţă pentru vecinii cei mai apropiaţi. Funcţia devine zero pentru valori mici.6) Funcţia este reprezentată grafic în Fig. Observăm că pentru o distribuţie aleatorie.b). ρ ( r ) este foarte mică la valori mici ale lui r deoarece poziţiile atomice din solidul real sunt excluse din vecinătatea imediată a altor poziţii de către repulsia dintre miezurile ionice ale atomilor şi ρ ( r ) =0 pentru o distantanţele de separare apropite de r=0.2. dacă centrele atomice sunt distribuite aleatoriu în material concentraţia medie n nu depinde de r. Fig.c). nenule ale lui r. b)Solid perfect amorf cu o concentraţie de atomi 2. Indiferent de valoarea lui r. Pe măsură de r creşte. Picul care apare la cele mai mici valori a lui r corespunde distanţei dintre vecinii cei mai apropiaţi.6. Concentraţia medie este aceeaşi cu concentraţia macroscopică n0 de atomi din solidşi este egală cu număril total de atomi împărţit la volumul solidului. Funcţia de distribuţie radială: a) Structură cfc.6.55x1028atomi/m3. prezentând aspecte asemănătoare cu cea corespunzătoare solidului cristalin. Abaterile de la curba amorfului perfect indică ordine la mică distanţă O funcţie de distribuţie corespunzătoare unui solid morf este przentată în Fig. De data aceasta picurile au intensitate finită şi lărgimi nenule. picurle devin tot mai largi şi mai puţin intense. La valori mici ale lui r funcţia diferă semnificativ de cea corespunzătoare distribuţiei aleatorii. La valori mari ale lui r. c) Metal amorf. numărul de perechi de atomi separate printr-o distanţă dată este aceeaşi cu numărul de perechi de atomi separate prin orice altă distanţă. Distanţa de la atomul de referinţă este dată în unităţi ale muchiei cubului. Forma generală a curbei tinde să urmărească funcţia de distribuţie radială corespunzătoare distribuţiei aleatorii. Funcţia constă dintr-o serie de linii infinite pentru separările interatomice. La valori ale lui r mari curbele aproape se suprapun.2. funcţia constă dintr-o serie de picuri analoage celor observate pentru solidul cristalin.

Poziţiile picurilor indică separarea interatomică dominantă. Volumul inchis de sfere va fi N ( 4π / 3) R 3 = n0τ ( 4π / 3) R 3 . structura este ordonată la distanţe mari de atomul de referinţă.9) 33 . Dacă există mai multe picuri rezolvate. Un pic foarte îngust indică faptul că aproape toţi vecinii cei mai apropiaţi se găsesc la aceeaşi distanţă în timp ce un pic larg arată o un domeniu larg de variaţie a distanţelor până la vecinii cei mai apropiaţi. Deoarece n ( r ) = ρ ( r ) / 4πr 2 dτ = 4πr 2 dτ r2 ( ) şi N= r1 ∫ ρ ( r )dr (2. Numărul de picuri este o măsură a domeniului de ordine a structurii. Înlocuind atomii cu sfere de rază R. Dacă însă sunt vizibile puţine picuri structura este ordonată doar la mică distanţă.7) unde dτ este un element de volum infinit mic. ea poate fi utilizată pentru estimarea fracţiunii de împachetare pentru solidul amorf. vor fi N = n0τ atomi în volumul macroscopic τ. iar factorul de împachetare va fi F= 4π n0 R 3 3 (2. unde R este jumătate din valoarea lui r pentru primul pic al funcţiei. Deoarece funcţia de distribuţie raială dă separarea medie a vecinilor cei mai apropiaţi. N reprezentând numărul mediu de vecini cei mai apropiaţi de un atom din solid. Lărgimile picurilor prezintă şi ele interes.8) Integrala se efectuează pe primului pic al funcţiei de distribuţie radială. Funcţia de distribuţie radială poate fi utilizată pentru a găsi numărul mediu de atomi dintr-un anumit strat sferic. Numărul mediu de atomi cu centrele în domeniul cuprins între r1 şi r2 este dat de N = n ( r )dτ r1 r2 ∫ (2. Dacă n0 este concentraţia macroscopică a atomilor din solid.materilele amorfe prezintă ordine la mică distanţă dar nu rezintă ordine la mare distanţă aşa cum au cristalele.

34 .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful