Partea Ii

Valentin GUU
431

PARTEA II

BAZELE ELECTRONI CI I

CAPITOLUL 11. ELEMENTE I CIRCUITE ELECTRONICE
CAPITOLUL 12. UTILIZRI SPECIFICE ALE DISPOZITIVE-
LOR I CIRCUITELOR ELECTRONICE
CAPITOLUL 13. CIRCUITE INTEGRATE

PARTEA II. BAZELE ELECTRONICII
432

Valentin GUU
433

CAPITOLUL 11
ELEMENTE I CIRCUITE ELECTRONICE
11.1. ELEMENTE NELINIARE DE CIRCUIT. PREZENTARE
GENERAL
Merit de subliniat faptul c circuitele, dispozitivele i aparatele
electrice prezentate n capitolele precedente, puteau fi descrise prin
relaii i caracteristici liniare (sau liniarizate) curent-tensiune; deci,
au fost utilizate funcii i metode de studiu specifice circuitelor
electrice liniare (sau cvasiliniare). n realitate, majoritatea elemente-
lor i dispozitivelor utilizate n circuitele electrice i electronice
(ndeosbi) posed caracteristici neliniare.
Aadar, proprietatea elementelor de circuit de a prezenta caracteri-
stici liniare nu este dect o idealizare a comportrii reale a acestor
elemente.
11.1.1. Element liniar.
Un element de circuit electric (electronic) se consider liniar, dac

Fig. 11.1. Graficul i = f (u) al
unui rezistor (element pasiv).

Fig. 11.2. Graficul i = f (u) al
diode cu vid.
dependena curentului de tensiune la bornele lui este liniar, adic:
1
i = u , (11.1)
R
434
oricare ar fi valoarea i sensul curentului n element. Rezistena R a
unui rezistor liniar este o mrime scalar i pozitiv, independent de
curentul prin rezistor. Cu alte cuvinte, o cretere a intensitii curen-
tului prin rezistor de n ori va avea ca efect o cretere a tensiunii la
borne tot de n ori, prin urmare raportul dintre tensiune i curent
este o constant, egal cu rezistena acestui element pasiv. Graficul
funciei i = f (u) reprezentat n figura 11.1 poart denumirea de
caracteristic curent-tensiune a rezistorului (v. Capitolul I).
11.1.2. Element neliniar
Caracteristica curent-tensiune i = f (u) a unei diode cu vid [6], pre-
zentat n figura 11.2 denot c la creteri egale u
A
ale tensiunii
anodice nu au loc creteri egale ale curentului anodic n general, ci
doar n segmentul liniar al caracteristicii i
A
= f (u
A
), figura 11.2.
Elementele rezistive de curent, care nu prezint o dependen liniar
a curentului de tensiunea la borne sunt caracterizate prin doi para-
metri:
Rezistena static R
st
definit ca raport ntre tensiune i
curent ntr-un punct P de pe caracteristic, numit punct static de
funcionare, prescurtat PSF, expresia analitic a creia este:

U
A

R
st
= = k tg o . (11.2)
I
A

Rezistena static este deci proporional tangentei unghiului o,
format de dreapta OP cu axa curentului; constanta de proporiona-
litate k este determinat de raportul scrilor grafice utilizate pentru
tensiune i, respectiv, curent. R
st
este o mrime pozitiv, determi-
nat de tensiunea anodic.
Rezistena dinamic n punctul static r
d
, proporional cu
tangenta trigonometric a unghiului de nclinare | fa de axa
curentului, a tangentei geometrice la graficul caracteristicii n
punctul grafic de funcionare (figura 11.3):
d u
A

r
d
= lim ( u
A
/ i
A
) = = k tg | , (11.3)

i 0
P
d i
A P

Valentin GUU
435
unde k este raportul scrilor de tensiune i curent din graficul carac-

a b
Fig. 11.3. Determinarea rezistenei dinamice r
d
.
teristicii statice. Rezistena dinamic este pozitiv n poriunile
ascendente ale caracteristicii i
A
= f (u
A
), deoarece unei variaii
pozitive u
A
a tensiunii la borne i corespunde o variaie pozitiv a
curentului i
A
(figura 11.3, a). n poriunile descendente ale carac-
teristicii statice, unei variaii pozitive u
A
a tensiunii la borne i
corespunde o variaie negativ a curentului i
A
prin element i
raportul u
A
/ i
A
este negatic (figura 11.3, b).
11.2. TIPURI DE ELEMENTE ELECTRONICE (NELINIARE)
Forma caracteristicii statice i = f (u) permite clasificarea elemente-
lor neliniare n: elemente nonliniare (ENL) simetrice i asimetrice
(sau nesimetrice).
ENL este s i m e t r i c dac are caracteristica static simetric fa
de originea axelor de coordonate (drept exemplu becul cu incan-
descen). Dioda cu vid considerat mai sus este un ENL a s i m e t-
r i c , capabil s conduc curentul doar ntr-un singur sens; pentru
tensiuni anodice negative dioda se comport ca un ntreruptor
deschis, pentru c curentul anodic este nul (v. figura 11.2). Aceast
436
particularitate a diodei cu vid este utilizat n tehnica redresrii cu-
rentului alternatic.
Exist un ir de ENL utilizate frecvent n tehnica circuitelor de c.c.
i c.a., aa ca: termistorul, tubul baretor, dioda semiconductoare, dioda
tunel, dioda Zener, etc. Toate acestea sunt elemente de circuit cu
dou borne de acces, anumite particulariti extrem de utile ale
crora n aplicaiile tehnice vor fi prezentate n continuare.
11.2.1. Termistorul este un rezistor neliniar obinut prin
sintetizarea unor oxizi metalici ca NiO, Mn O i CoO care prezint
un coeficient negativ de temperatur al rezistivitii. Variaia rezi-
stivitii cu temperatura [8] este foarte mare i pronunat neliniar
(figura 11.4). Termistoarele sunt pe larg folosite n releele termice,
n dispozitivele de acionare (v. Capitolul 12), in termometrie etc.
11.2.2. Tubul baretor este asemntor lmpii cu incandes-
cen i alctuit dintr-un filament confecionat din fier (spre
deosebire de lmpi care au filamentul din wolfram sau crbune),
dispus ntr-un balon n atmosfer de hidrogen. Pe caracteristica
static a baretoru-

Fig. 11.4. Caracteristica R = f ()
termistora.

Fig. 11.5. Caracteristica i = f (u) a
tubului baretor.
lui se remarc (figura 11.5) existena unei poriuni n care curentul
este cvasiindependent de tensiunea la borne. Aceast proprietate i
gsete utilizare n instalaiile tehnice de c.c., acolo unde este nece-
sar funcionarea la valori constante ale curentului, la tensiuni vari-
abile.
Valentin GUU
437
11.2.3. Dioda semiconductoare element important, fo-
losit n diferite instalaii tehnice i diverse aplicaii funcionale. n
continuare va fi prezentat ntr-un mod foarte succint c a r a c t e -
r i s t i c a s t a t i c , la fel ca i mecanismul microscopic de
funcionare al unei diode semiconductoare. Informaii mai ample
pot fi gsite ntr-un ir enorm de publicaii, din care fac parte i [8,
9, 10 ] pe care le recomandm.
Dioda semiconductoare (sau junciunea p n, jonciunea electron-

Fig.11.6. Prile componente (a)
i simbolul grafic (b) al diodei.
-gol) este un dispozitiv electronic cu
dou borne de acces. n figura altu-
rat sunt prezentate prile compon-
ente i simbolul grafic al diodei
semiconductoare (s /c). n sensul de-
numit direct de la semiconduc-
torul p ctre s/c n dioda conduce
bine curentul, prezentnd o rezis-
ten electric mic. n sens opus, de
la s/c de tip n la cel de tip p (sens
invers), dioda conduce ru curentul,

a

b

c

Fig.11.7. Caracteristica static a diodei s/c (a) i schema electric
a polarizrii directe (b) i inverse (c) a jonciunii pn.
438
prezentnd n consecin o rezisten electric mare.
Pe caracteristica static din figura 11.7, a este ilustrat aceast pro-
prietate a diodei semiconductoare, unde, pentru poriunile situate n
cadranele 1 i 3 s-au folosit scri grafice diferite (mA mV i
A V ). Segmentul caracteristicii din cadranul 1 corespunde pola-
rizrii directe (schema 11.7, b) a jonciunii pn. Segmentul caracte-
risticii ce se afl n cadranul 3 corespunde polarizrii inverse
(schema 11.7, c) a jonciunii pn; sensul curentului prin dioda s/c
este opus celui precedent, iar valorile lui sunt mult mai mici (de
ordinul fraciunilor de A).
Principiul de funcionare al diodei semiconductoare (D-SC).
Materialele semiconductoare sunt materiale cristaline (figura 11.8)

Fig.11.8. Structura cristalin
de tip diamant.

Fig. 11.9. Reprezentarea bidimen-
sional a unui s/c intrinsec (Ge).
care n s t a r e p u r (intrinsec) prezinc o c o n d u c t i v i
t a t e e l e c t r i c foarte mic. Aa, de exemplu, cei mai utilizai
n tehnic semiconductori germaniul (Ge) i siliciul (Si), la tempe-
ratura ambiant (300 K) au rezistiviti mult mai mari dect meta-
lele:
Ge
= 0,45 Om,
Si
= 2,30 Om, fa de
Al
= 2,65 10
8
Om
i
Cu
= 1,7 10
8
Om.
Spre deosebire de hidrogen, Ge i Si sunt elemente tetravalente, cei
4 electroni de valen ai unui atom intr n legturi covalente (ca i
n cazul moleculei de hidrogen) cu atomii vecini (figura 11.9 i
11.12). Stratul de valen al fiecrui atom va avea astfel opt electro-
Valentin GUU
439
ni i, practic, nu vor exista electroni liberi care ar fi disponibili
pentru conducia curentului (Fig. 11.12).

Fig.11.10. Legtura covalent pentru
molecula de hidrogen (H
2
).

Fig.11.11. Reprezentri bidimensio-
nale ale legturii covalente pentru H
2
.

Dac semiconductorul este impurificat cu atomi ai altui element
chimic, rezistivitatea lui poate scdea semnificativ. Impurificarea
Ge sau Si cu atomii unui element pentavalent (figura 11.13), cum ar
fi P, As sau Sb, are ca efect plasarea atomilor acestor elemente n
reeaua cristalin a materialului pur (figura 11.13, a), n locul unora
dintre atomii lor proprii, n anumite pozii fixe. Patru electroni de
valen dintre cei cinci ai atomului de impuritate (As) intr n
legturi covalente cu atomii vecini de Ge; al cincilea electron (mai
slab legat de atomul de impuritate) poate deveni liber (figura11.14),
fiind astfel disponibil pentru conducia curentului.

Fig.11.12. Reprezentarea bidimensi-
onal a legturii covalente pentru
Ge i Si (s/c intrinsec).

Fig. 11.13. Impurificarea Ge cu atomi
pentavaleni de arsen (As).
440
Pentru a deplasa acest electron liber din banda de valen (BV) a
atomului n banda de conducie (BC) este necesar energia W care
pentru Si alctuiete 0,05 eV iar pentru Ge 0,01 eV.

Fig. 11.14. Reprezentarea bidimensi-
onal a unui s/c extrinsec de tip n.

Fig. 11.15. Reprezentarea bidimensi-
onal a unui s/c extrinsec de tip p.
Elementele pentavalente sunt considerate elemente donoare de
electroni, pentru s/c pur; semiconductorul aliat cu elemente donoare
este un s/c de tip n (figura 11.13, b i 11.14).
n cazul impurificrii germaniului sau siliciului cu atomii unui ele-

Fig. 11.15. Impurificarea Ge cu atomi
trivaleni de indiu (In).
ment trivalent (B, Ga, In), cei
trei electrini de valen ai atomu-
lui de impuritate formeaz leg-
turi covalente numai cu trei din-
tre cei patru atomi vecini din
reeaua cristalin (figura 11.15,
a). n schema prezentat se obs-
erv absena unui electron, adic
a unei sarcini negative n cea de-
a patra legtur covalent, ceea
ce echivaleaz cu un gol pozitiv. Aadar, o legtur covalent in-
complet se manifest ca o sarcin pozitiv (figura 11.15, a).
Pentru semiconductorul pur elementele trivalente joac rolul de ele-
mente acceptoare de electroni, deoarece pentru realizarea legturii
covalente incomplete atomul de impuritate trivalent accept un
electron de valen din legturile covalente vecine. Dac un electron
Valentin GUU
441
prsete o legtur covalent pentru a umple golul vecin, las n
urma sa un loc vacant, pentru un alt electron de valen, ceea ce
nseamn...un alt gol. Astfel, golul se deplaseaz prin reeaua crista-
lin a semiconductorului impurificat, avnd sens invers deplasrii
electronului. Cnd semiconductorul impurificat cu elemente accep-
toare, denumit s/c de tip p (pozitiv, figura 11.15, b) este supus unui
cmp electric, ncepe o deplasare ordonat a golurilor n sensul
cmpului electric; deci, prin semiconductorul de tip p circul un cu-
rent electric de conducie, care se datoreaz golurilor.
Prin urmare, impurificarea semiconductorului intrinsec aduce un
rezultat important, caracterizat prin dou efecte majore:
reducerea (semnificativ) a rezistivitii;
modificarea concentraiei purttorilor de sarcin.
n concluzie se pot meniona urmtoarele momente eseniale:
1. ntr-un semiconductor intrinsec, la temperatura ambiant exist
perechi electroni-goluri, care se formeaz n urma micrii haotice
de agitaie termic; concentraiile celor dou tipuri de purttori de
sarcin sunt egale [8, 10 ], deci:
n = p = n
i
, (11.3)
unde n
i
este concentraia intrinsec, (1 / cm
3
).
2. ntr-un semiconductor de tip n electronii sunt purttorii de
sarcin majoritari i au concentraia mult mai nalt, dect cea a
golurilor care sunt purttori minoritari.
3. ntr-un semiconductor de tip p purttorii majoritari sunt golu-
rile, iar purttori minoritari electronii .
Jonciunea pn diod semiconductoare.
Dispozitivele semiconductoare moderne conin regiuni de tip n i
regiuni de tip p. Aceste regiuni de conductibilitate electric diferit
se caracterizeaz printr-o variaie a distribuiei impuritilor; dac
aceast variaie se face pe o distan mare, atunci nu apar efecte sau
proprieti deosebite i importante i cele dou zone de semicon-
ductor se comport ca semiconductoare gradate. Dac domeniul, n
care are loc variaia concentraiei impuritilor cu schimbarea
tipului de conductibilitate este de cel mult 10

6
m, se obine o zon
442
special care poart denumirea de jonciune pn i care are o
importan deosebit n ce privete funcionarea i caracteristicile
unei clase imense de dispozitive electronice moderne [8, 9, 10].
Aceste jonciuni stau la baza construciei i funcionrii celor mai
diverse categorii de dispozitive cu semicinductori diode, tranzis-
toare, tiristoare, fotodiode i celule solare, circuite integrate, etc.

a

b

d

c
Fig.11.16. Jonciunea pn: schema de principiu (a), polarizarea invers (b) i
direct (c), caracteristica static a diodei semiconductoare
i simbolul ei grafic (d).
Se poate constata c la ora actual, din punct de vedere tiinific
teoria jonciunii pn este definitivat i logic finalizat. Cu o precizie
suficient de nalt, teoriile existente descriu caracteristicile curent-
tensiune ale jonciunilor semiconductoare reale. Temeliile acestor
teorii au fost elaborate nc n 1949 de V. Schockley, dar lucrrile
consacrate crerii i cercetrii proprietilor jonciunilor pn continue
Valentin GUU
443
i actualmente, lucru de altfel firesc n istoria i dinamica prog-
resului. Un ir de lucrri n ultimii ani sunt consacrate jonciunilor
pn pe baza siliciului amorf care, din punct de vedere al costului este
mai convenabil dect monocristalul. Alte lucrri sunt legate de cre-
area junciunilor pn pe baza unor semiconductori noi, cu proprieti
practice interesante, cum ar fi diapazonul larg de temperaturi de
funcionare i altele.
Dioda semiconductoare prezint un cristal semiconductor format
din dou regiuni (o variant constructiv posibil), ca n figura
11.16, a : una de tip n i cealalt de tip p. Din cauza concentraiei
nalte de electroni n regiunea n, acetea vor difuza n regiunea
vecin, unde concentraia lor este mult mai mic i ei sunt purttori
minoritari. n mod analog, ncepe difuzia golurilor din regiunea p
unde sunt purttori majoritari n regiunea n . Ca urmare a procesu-
lui de difuzie a purttorilor de sarcin prin planul jonciunii, n locul
acestora vor rmne necompensate sarcinile ionilor imobili din nod-
urile reelei cristaline. Astfel, n regiunea de tip n, n imediata
vecintate a planului jonciunii, prin plecarea electronilor majori-
tari, sarcina electric pozitiv a ionilor donatori fici n reeaua cris-
talin a materialului semiconductor nu mai este neutralizat i se
formeaz aici o poriune cu sarcin spaial pozitiv. Similar, n
regiunea de tip p din apropierea planului jonciunii, prin plecarea
golurilor majoritare, sarcina electric negativ a ionilor acceptori
fici n reeaua cristalin a materialului semiconductor nu mai este
compensat i se formeaz aici o poriune de sarcin spaial
negativ. Aadar, prin difuzia purttorilor de sarcin majoritari, se
formeaz regiunea de sarcin spaial, constituit din dou straturi
vecine cu sarcini electrice de semn contrar (figura11.16, a). Aceast
regiune, srcit de purttori mobili de sarcin i poart denumirea
de j o n c i u n e p n. Deci, putem privi jonciunea p n ca fiind
format dintr-un strat dipolar de sarcin spaial, cuprins ntre
regiuni neutre (de tip n i p) cu sarcin spaial neglijabil. n con-
diii de echilibru (lipsa factorilor externi: cmp electric, temperatu-
r sau lumin), n regiunea de sarcin spaial se creeaz un cmp
electric (de intensitate E ) intern de o asemenea valoare, nct num-
444
rul de purttori majoritari care reuesc s difuzeze prin planul
jonciunii este echilibrat de numrul de purttori minoritari care
traverseaz planul jonciunii n sens invers. Deci, la echilibru, nu-
mrul de purttori majoritari care reuesc s difuzeze prin planul
jonciunii este egal cu numrul de purttori minoritari antrenai de
cmpul electric (E ) intern n sens invers, astfel nct curentul
rezultant ce strbate jomciunea pn este nul:
i
A
= (i
nM
+ i
pM
) + ( i
nm
i
pm
) = 0. (11.4)

Aici: i
nM
curentul de electroni majoritari
curenti de difuzie;
i
pM
curentul de goluri majoritare

i
nm
curentul de electroni minoritari
cureni de cmp.
i
pm
curentul de goluri majoritare
Un cmp electric exterior (E
ex
), aplicat ca n figura 11.16, b polari-
zeaz invers jonciunea pn (cmpul electric E
ex
amplific cmpul
intern E ), ceea ce mpiedic i mai mult trecerea purttorilor majo-
ritari prin jonciunea pn i prin diod va trece un curent foarte mic
i
A inv
(figura 11.16, b i d), determinat de purttorii minoritari. Acest
curent n mare msur depinde de temperatur, crescnd o dat cu
ea. Dac polaritatea sursei exterioare de alimentare se schimb,
atunci E
ex
micoreaz intensitatea cmpului intern E, scade poteni-
alul de barier i rezistena regiunii de sarcin spaial (regiunea se
ngusteaz), electronii i golurile merg n sensuri opuse i numrul
lor prin jonciune crete, substanial. Astfel, n circuit se stabilete
curentul i
A
care va fi suficient de mare, chiar i la valori relativ
mici ale tensiunii u
A
(figura 11.16, d ). Caracteristica static demon-
streaz cu prisosin c dioda semiconductoare conduce curentul
unidirecional.
Diodele semiconductoare sunt fabricate n diferite variante constru-
ctive, n dependen de funcia pe care urmeaz s-o ndeplineasc.
Din punct de vedere funcional se disting urmtoarele tipuri de
Valentin GUU
445
diode: redresoare; stabilizatoare de tensiune; de comutare;
detectoare; cu barier Schottkly; tunel etc [8, 10].
Diode redresoare .
n figura 11.17 este dat, ca exemplu, dioda redresoare din Ge, n
dou variante constructive: cu contact punctiform (poziia a) i con-
tact pe suprafa (poziia b).

a b
Fig. 11.17. Construcia unei diode redresoare din Ge:
a cu contact punctiform; b cu contact pe suprafa.
n cazul diodei cu contact punctiform pe suprafaa cristalului 5 de
Ge de tip n se produce un contact semiconductor-metal (volfram
sau molibden); ntr-o etap tehnologic, n jurul vrfului metalic
ascuit se creeaz o regiune de tip p. Apare astfel o microjonciune,
cu o suprafa foarte mic, ~ 10
- 4
mm
2
i grosime de asemenea
redus, ~ 10
- 5
mm. n dioda cu contact pe suprafa (figura 11.17,
b) pe plcua de Ge 5 se instaleaz o bobi (pastil) de In care n
procesul tehnologic se nfierbnt pn la 500 C i se topete, ast-
fel nct atomii de indiu ptrund (difuzeaz) n cristalul de Ge; se
creeaz o regiune de tip p i apare jonciunea pn . n ambele tipuri
de diode plcua 5 de Ge se fixeaz pe suportul 6 cu ajutorul aliaju-
lui de lipit 4; suportul 6 lagat cu borna 7 (de jos) prezint catodul
446
diodei. Contactul 3 lipit de asemenea cu aliajul 4 este legat cu borna
7 (de sus) i prezint anodul diodei. Borna anodului este izolat de
carcasa 2 cu sticl 1.
Diodele din Si difer de cele din Ge nu numai prin materialul
semiconductor, dar i prin caracteristicile lor, aa ca: o temperatur-
limit mai nalt; curent invers mult mai mic; tensiune de
strpungere mai nalt. Dar au i un dezavantaj: n comparaie cu
diodele din Ge, diodele cu Si posed o rezisten direct mult mai
mare, ceea ce conduce la pierderi suplimantare (nejustificate une-
ori). Diodele punctiforme au o capacitate foarte mic (de ordinul
0,1 pF), ceea ce permite utilizarea lor la frecvene nalte, pentru
detectarea semnalelor, comutare etc.
Dioda Zener.
Prezint o jonciune pn, caracteristica static i simbolul creia sunt
prezentate n figura 11.18. Caracteristica static la polarizare n se-

a

b
Fig. 11.18. Dioda Zener: caracteristica static (a) i simbolul grafic (b).
ns direct este identic cu cea a unei diode obinuite. La polarizarea
jonciunii n sens invers, caracteristica prezint o poriune abrupt
situat la tensiunea u
A
= U
Z
(n figura 11.18, a U
Z
= 10 V); o
variaie mic a tensiunii u
Z
provoac o variaie semnificativ a
Valentin GUU
447
curentului i
Z
, fr ca dioda s se strpung. Datorit acestei
proprieti, dioda Zener este folosit n redresoare stabilizate de
tensiune (ca surse stabilizate de c.c.).
Dioda tunel .
Prezint un element electronic multifuncional pe larg utilizat pentru
amplificarea semnalelor, n tehnica generrii de oscilaii sinusoidale
etc. Este utilizat cu precdere la frecvene nalte, dei poate s
funcioneze i la frecvene relativ joase, dar eficacitatea lui n aceste
cazuri nu impresioneaz. Caracteristica static amper-volt i
simbolul grafic al diodei sunt date n figura 11.19.

a

b

Fig. 11.19. Dioda tunel: caracteristica static (a) i simbolul grafic (b).
n procesul tehnologic de fabricare a acestor diode ambele regiuni
p i n se dopeaz foarte puternic cu impuriti, concentraia lor fiind
cu 2 3 ordine mai nalt dect la diodele obinuite. Ca rezultat,
grosimea jonciunii pn este foarte mic, iar cmpul electric interior
(al regiunii de sarcin spaial) este de o intensitate E nalt. Para-
metrii de baz ai caracteristicii amper-volt a diodei tunel (figura
11.19, a) sunt: curentul de vrf I
, curentul n depresiune (minim)

I
2
, tensiunea vrfului U
1
, tensiunea n depresiune U
2
, tensiunea
deschiderii U
3
tensiunea direct pe al doilea segment ascendent
(de cretere) al caracteristicii la valoarea curentului de vrf I

, capa-
citatea diodei C valoare sumar a capacitii jonciunii i a car-
casei diodei la tensiunea n depresiune U
2
. La valori inverse ale ten-
siunii, curentul invers al diodei tunel crete extrem de repede cu
majorarea tensiunii, adic dioda tunel are o rezisten invers mic.
448
La valori pozitive ale tensiunii curentul direct iniial crete pn la
valoarea de vrf I
ce corespunde tensiunii U
1
de cteva zeci de mV
apoi discrete (segmentul AB al caracteristicii) pn la valoarea

Fig. 11.20. Componentele
curentului diodei tunel.
minim I
2
, la tensiunea U
2
de
cteva sute de mV (figura 11.19,
a). n continuare, curentul din
nou crete o dat cu creterea
tensiunii. Curentul diodei tunel
poate fi prezentat ca suma a doi
cureni (figura 11.20) I = I
T
+ I
,
unde I
T
= I
r
+ I
p
, iar I
= I
dif
+
+ I
cmp
, unde: I
T
curentul de
tunel; I
r
curentul determinat de
trecerea prin tunel a electronilor din banda de conducie a regiunii
n n banda de valen a regiunii p; I
p
curentul determinat de
trecerea prin tunel a electronilor din banda de valen a regiunii p
n banda de conducie a regiunii n; I
curentul diodei obinuite;

I
dif
curentul de difuzie a purttorilor majoritari ai celor dou
regiuni prin jonciunea pn; I
cmp
curentul de cmp a purttorilor
minoritari ai celor dou regiuni prin jonciunea pn. Apariia seg-
mentului n cdere a caracteristicii amper-volt (AB) a diodei tunel
poate fi explicat n felul urmtor. Creterea tensiunii provoac
majorarea curentului, dar concomitent i micorarea intensitii
cmpului electric E n regiunea de sarcin spaial (adic, n jonc-
iunea pn). La o anumit valoare a tensiunii (figura 11.19, a) in-
tensitatea cmpului electric n jomciune scade brusc, curentul de
tunel nceteaz i jonciunea pn recapt proprietile unei diode
obinuite. Este evident c nu aceast parte a caracteristicii I = f (U )
prezint interes n cazul diodei tunel, ci segmentul AB, cu rezisten
dinamic negativ proprietate pe larg folosit n tehnica generrii
oscilaiilor sinusoidale.
n continuare vom analiza principiul de funcionare al altor dispo-
zitive electronice cu semiconductori i, n primul rnd al tranzisto-
rului bipolar care, n opinia autorilor a svrit o veritabil revoluie
Valentin GUU
449
n tiina, tehnica i tehnologia contemporan. Din acest motiv
tranzistorul bipolar este studiat ntr-un paragraf aparte.
11.3. TRANZISTORUL BIPOLAR (CA ELEMENT NELINIAR)
Tranzistorul bipolar prezint una din cele mai importante aplicaii
cu consecine practice largi ale jonciunilor pn. Funcionarea tranzi-
storului bipolar (TB) implic transportul ambelor tipuri de purttori
mobili de sarcin, minoritari i majoritari (figura 11.21).

Fig. 11.21. Structura unui tranzistor bipolar cu jonciuni (tip pnp).
Analiza funcionrii tranzistorului bipolar se va face n baza struc-
turii de tip pnp (figura 11.22), comportamentul structurii comple-
mentare de tip npn fiind similar, schimbndu-se numai rolurile
electronilor i golurilor, curenii i tensiunile avnd semne contrare
precedentelor (figura 11.23).
Tranzistorul bipolar este constituit din dou jonciuni pn care
delimiteaz o singur regiune subire, numit baz (B) ; celelalte
dou regiuni se numesc emitor (E) i colector (C), avnd acelai tip
de conductivitate, dar cu proprieti fizice i electrice diferite. Jonc-
iunea cuprins ntre E i B se numete jonciunea emitorului,
cealalt jonciunea colectorului.
TB pnp poate fi fabricat prin diferite metode; dominant ns este
tehnologia difuziei planare, cu ajutorul creia se pot obine jonci-
uni pn (j-pn) cu arii cuprinse ntre civa i cteva zeci de microni
ptrai i la o adncime de fraciuni sau uniti de m (tehnologia
450
modern nanometric permite obinerea unor dimensiuni fizice ale
componentelor electronice i mai impresionante).Grosimea bazei
tranzistorului poate atinge fraciuni de m.
Funcionarea normal a TB prevede polarizarea direct a jonciunii
E i polarizarea invers a jonciunii C. Aceste condiii asigur fun-
cionarea TB n regiunea activ.
nlimea barierei de potenial (v. 11.2.3) a jonciunii emitorului
(j-E) polarizat direct se micoreaz, numrul golurilor majoritare
care trec dinspre E spre B i numrul electronilor majoritari care
trec dinspre B spre E crete. Deci, prin regiunea de sarcin spaial

Fig. 11.22. Principiul de funcionare i notrile convenionale
ale tranzistorul bipolar de tip pnp.
a j-E sunt injectai purttori de sarcin (goluri ntr-o direcie,
electroni n cealalt) foti majoritari, care devin minoritari, aceas-
ta duce la creterea concentraiei de purttori minoritari n exces la
marginile regiunii de sarcin spaial. Aceti purttori minoritari n
exces (cum sunt golurile injectate din regiunea p a emitorului n
baza de tip n , figura 11.22) difuzeaz prin baza tranzistorului pn
la o distan de ordinul lungimii de difuzie a lor (L
p
), pn la recom-
Valentin GUU
451
binarea cu purttorii majoritari (electronii majoritari din baz).
Jonciunea emitor-baz este astfel fabricat, nct doparea E este
mult mai puternic dect doparea B ( N
A
>> N
D
, unde N este
concentraia respectivilor atomi de impuritate, acceptoare sau dona-
toare), deci concentraia purttorilor majoritari din baz este mult
mai mic dect concentraia purttorilor majoritari din emitor
(n
n
<< p
p
). Datorit doprii asimetrice a j-E, curgerea prin regiunea
de sarcin spaial a emitorului este dominat de goluri (figura
11.22, cazul TB tip pnp), injecia electronilor dinspre baz nspre
emitor devenind neglijabil (n cazul TB tip npn procesul este
invers, figura 11.23). Deci, golurile (sau electronii) ingectai de E

Fig. 11.23. Principiul de funcionare i notrile convenionale
ale tranzistorul bipolar de tip npn.
difuzeaz prin baz (B). Una dintre condiiile importante n funcio-
narea TB este ca grosimea B s fie mai mic dect lungimea de
difuzie a purttorilor minoritari n exces. Astfel, golurile injectate de
E strbat baza de tip n i ajung n dreptul regiunii de sarcin spaial
a jonciunii colectorului (C), fr a suferi recombinri semnificative
cu electronii majoritari din B. n regiunea de sarcin spaial a j-C
452
exist un cmp electric intern, cu direcia regiunea de tip n spre re-
giunea de tip p, adic dinspre B spre C. Jonciunea colectorului (j-
C) este polarizat invers, aceasta nseamn c se aplic un cmp
electric extern, ndreptat n acelai sens cu cmpul electric intern;
deci, n regiunea de sarcin spaial a j-C exist un cmp electric
puternic, cu direcia dinspre baz nspre colector. Acest cmp
electric al jonciunii baza-colector favorizeaz trecerea spre C a
golurilor provenite de la emitor. Polarizarea invers a j-C, determi-
nnd creterea barierei de potenial electrostatic, va bloca difuzie
purttorilor majoritari i n aa fel curentul de colector (I
C
) este
determinat de golurile minoritare colectate n baz. n conclizie:
funcionarea tranzistorului se bazeaz pe scurgerea purttorilor
minoritari prin regiunea subire a bazei, de la emitor spre colector;
curentul ntr-un tranzistor pnp este, n principal, un curent de
goluri, iar ntr-un tranzistor npn curentul principal este un curent
de electroni.

Fig. 11.24. Compoziia curenilor pentru un tranzistor pnp.
n regiunea bazei tranzistorului recombinarea este foarte sczut,
astfel nct curentul de purttori minoritari produs prin ingecie este
Valentin GUU
453
practic constant aproximativ acelai la colector i la emitor i
distribuiile de purttori n exces sunt aproximativ liniare. Pentru a
alimenta recombinarea ce apare n baz i injecia de purttori
majoritari (electrini, n cazul TB pnp) din baz n emitor, este sufi-
cient un curent de baz mic n comparaie cu ceilali doi cureni (I
C

i I
E
). Acest curent poate fi mic, fiindc: baza este subire (grosimea
ei w zecimi de micron) i este caracterizat de un timp de via a
purttorilor minoritari, mare i pentru c emitorul este mai
puternic dopat dect baza (N
A
>> N
D
), minimiznd astfel injecia
invers n emitor.
ntre emitor i colector circul curentul, controlat direct de tensiu-
nea pe jonciunea emitor-baza (figura 11.24), fiind puternic depen-
dent de aceasta i este, n esen independent de tensiunea pe jonc-
iunea colector-baz.
Prin urmare, efectul de tranzistor const n faptul c golurile (pentru
TB pnp) injectate de emitor n baz, ajung n majoritatea lor la
colector. Acesta este curentul principal care strbate tranzistorul; o
proiectare corect i o tehnologie avansat permit micorarea
maxim a celorlali cureni.

Fig. 11.25. Prezentarea grafic a tranzistorului bipolar pnp (a) i npn (b).
Datorit faptului c acelai curent parcurge att j-E (curentul de
emitor) care este polarizat direct, deci cu rezisten mic, ct i j-C
(curentul de colector), care fiind polarizat invers prezint o
rezisten mare, ceea ce permite inclu-derea unei rezistene de
sarcin destul de mare n circuitul colec-torului (I
C
~ I
E
), rezult
posibilitatea efectului de amplificare.
454
Astfel, curentul colectorului I
C
= I
E
I
B
este foarte puin diferit de
curentul de emitor I
E
. Raportul = I
C
/ I
E
la U
CB
= const poart
denumirea de c o e f i c i n t de a m p l i f i c a r e i n c u r e n t
i este egal, de obicei cu = 0,9 0,995.
Dac ntre emitor i baz se aplic un mic semnal electric, atunci n
circuitul colectorului, de pe o rezisten de sarcin mare, se culege
un semnal electric considerabil amplificat. nsi denumirea de
tranzistor provine de la cuvintele TRANsfer-reZISTOR, adic dispozi-
tivul care realizeaz transformarea de la o rezisten mic a j-E di-
rect polarizate, la o rezisten foarte mare a j-C polarizate invers.
Simbolurile de circuit pentru tranzistoarele bipolare i sensurile de
referin ale curenilor i tensiunilor sunt date n figura 11.25.
Dac circuitul emitor-baza este deschis i curentul I
E
= 0, iar ntre
colector i baz este aplicat tensiunea U
CB
, n circuitul colecto-
rului va curge un curent (termic) invers mic I
C 0
, care este deter-
minat de purttorii minoritari de sarcin. Acest curent n mare
msur depinde de temperatur i prezint unul dintre parametrii
importani ai tranzistorului (cu ct mai mic este acest curent, cu att
mai nalte sunt calitile lui). Deoarece jonciunea emitor (j-E) este
polarizat direct, rezistena acesteia este mic; jonciunea colecto-
rului (j-C) ns este polarizat invers, de aceea rezistena ei este
mare. Prin urmare, tensiunea aplicat pe emitor este mic (zecimi
de volt) iar cea aplicat pe colector poate fi destul de mare (pn la
cteva zeci de voli). Modificarea curentului n circuitul E, provo-
cat de tensiunea mic U
E
creeaz o modificare aproximativ egal a
curentului n circuitul C, unde acioneaz o tensiune U
C
considera-
bil mai nalt; prin urmare, tranzistorul posed capacitatea de a
amplifica puterea. n cazul utilizrii tranzistorului ca amplificator
de oscilaii electrice, tensiunea variabil de intrare U
in
(semnalul
care se pretinde a fi amplificat) se aplic n serie cu sursa de
tensiune de polarizare U
pol
dintre E i B, iar tensiunea de ieire U
ie

(semnalul amplificat) se obine pe rezistorul de sarcin R
S
.
Deoarece TB este un dispozitiv activ cu trei electrozi (sau borne)
E, C i B, acesta poate fi conectat n circuit n trei moduri funda-
mentale (figura 11.26). n funcie de electrodul comun intrrii i
Valentin GUU
455
ieirii tranzistorului, cele trei moduri sunt: cu baz comun (BC); cu
emitor comun (EC); cu colector comun (CC).
Dei schemele de conectare a tranzistorului au proprieti diferite,
principiul de amplificare a oscilaiilor rmne unul i acelai n toa-
te cele trei moduri menionate.

a

b
Fig. 11.26. Trei moduri fundamentale de conectare a trenzistorului bipolar
de tip pnp (a) i npn (b).
n schema BC de conectare, o cretere pozitiv a tensiunii de intrare
U
in
duce la creterea curentului de emitor I
E
, ceea ce face s
creasc corentul de cloector I
C
i tensiunea de ieire U
ie
, aceasta
din urm fiind ntr-o cretere mult mai apreciabil, U
ie
>> U
in
.
n schema BC sursa de semnal U
in
este conectat n circuitul emitor-
baz, iar sarcina i sursa de alimentare n circuitul colector-baza.
456
mpedana (rezistena) de intrare a schemei BC este mic (civa O
sau zeci de O), deoarece jonciunea emitor este polarizat direct.
Rezistena de ieire din contra, este mare (sute de kO), fiindc j-C
este polarizat invers. Impedana de intrare joas a schemei BC este
un dezavantaj serios care mpiedic utilizarea ei n amplificatoare.
Prin sursa semnalului de intrare curge curentul de emitor al acestei
scheme i amplificarea n curent nu poate avea loc (coeficientul de
amplificare n curent < 1). Dar se poate obine amplificarea n ten-
siune i putere, care n aceast schem poate atinge la cteva sute.
n schema EC sursa tensiunei de intrare U
in
este aplicat n circuitul
emitor-baza, iar sarcina R
S
i sursa de alimentare U
C
n circuitul
emitor-colector.Astfel, emitorul este electrodul comun pentru circu-
itele de intrare i ieire. Impedana de intrare n acest caz este mai
mare dect n schema BC, deoarece curentul de intrare este al
schemei EC este curentul I
B
mult mai mic dect curentul I
E
i I
C
.
Aceast rezisten este de sute de O. Rezistena de ieire EC este
relativ mare pn la o sut de kO . Coeficientul de amplificare n
curent n aceast schem se determin ca raportul creterii cure-
ntului de colector I
C
la creterea curentului bazei I
B
, la o ten-
siune a colectorului constant, adic: = I
C
/ I
B
la U
C
= const;
poate atinge valori = 10 200, funcie de tipul tranzistorului.
innd cont de identitile I
E
= I
C
+ I
B
i = I
C
/ I
E
, obinem:
I
C

I
C
I
E

= = = .
I
E
I
C
I
C
1
1
I
E

Coeficientul de amplificare n tensiune K
u
n schema EC este de
acelai ordin ca i n cazul schemei BC; dar coeficientul de ampli-
ficare n putere, egal cu K
p
= K
u
este mult mai mare. n schema
EC o dat cu amplificarea tensiunii de intrare U
in
are loc un defazaj
al tensiunii de ieire U
ie
cu jumtate de period, adic cu 180:
Valentin GUU
457
creterea pozitiv a tensiunii de intrare duce la o cretere negativ
a tensiunii de ieire, i invers.
n schema cu colector comun CC, sursa de semnal (de intrare)
este conectat n circuitul bazei, iar sursa de alimentare U
C
i rezisto-
rul de sarcin R
S
n circuitul emitorului. Coeficientul de amplifi-
care n curent al schemei CC este egal:
I
E
I
E
1
K
i
= = = .
I
B
I
E
I
C
1
Impedana de intrare a schemei CC este mare (zeci de kO), iar cea
de ieire ceva mai mic (la 1 2 kO). Coeficientul de amplificare
n tensiune al schemei CC este egal K
u
= 0,9 0,95 aproape de
1 (unitate); aceast particularitate a schemei CC este utilizat pentru
adaptarea diferitor etaje de amplificare, a sursei de semnal sau a
sarcinii la amplificator. Din acest motiv (de adaptare), schema CC
foarte frecvent este denumit r e p e t o r p e e m i t o r .
Principalele trsturi specifice ale conexiunilor descrise mai sus
sunt date n tabelul 11.1.
Tabelul 11.1

Caracteristici ale tranzistorului se numesc dependenele dintre
cureni i tensiuni n circuitele de intrare i ieire. Aceste circuite
(de intrare i ieire) sunt diferite n fiecare caz BC , EC sau CC;
prin urmare, caracteristicile vor prezenta dependene ale diferitor
parametri ai schemei de conectare. Aa, n schema EC circuitul de
458
intrare este circuitul bazei i caracteristica de intrare prezint
dependena curentului bazei de tensiunea emitor-baz la o tensiune
emitor-colector constant, adic I
B
= f (U
EB
) la U
EC
= const.
Circuitul de ieire n aceast schem este circuitul colectorului i
caracteristica de ieire va fi dependena curentului de colector de
tensiunea emitor-colector la un curent al bazei constant, adic I
C
=
f (U
EC
) la I
B
= const.

Fig.11.27. Craracteristicile statice, de intrare (a) i ieire (b)
ale trenzistorului pnp n schema de conectare EC .

n figura 11.27 este dat nfiarea aproximativ a caracteristicilor
de intrare i ieire ale tranzistorului tip pnp. La valori mici ale
tensiunii U
EB
curentul bazei crete ncet, din cauza rezistenei mari a
regiunii de sarcin spaial care, cu creterea curentului se mico-
reaz. Cu majorarea tensiunii colectorului (U
EC
), caracteristicile de
intrare se deplaseaz spre dreapta, adic la o tensiune U
EC
n cre-
tere este necesar majorarea tensiunii U
EB
, pentru a menine constant
curentul bazei (I
B
). Caracteristicile de ieire demonstreaz c n re-
giunea de lucru (activ normal, vezi n continuare) tensiunea U
EC

nesemnificativ influeneaz curentul de colector I
C
, deoarece acesta
depinde mai mult de numrul de goluri injectate n baz.
Dup natura polarizrii jonciunilor emitor-baz i colector-baz,
exist 4 regimuri (regiuni) de funcionare a tranzistorului bipolar:
a) regiunea activ normal (direct) care corespunde polarizrii
directe a jonciunii emitorului (j-E) i invers a jonciunii colecto-
rului (j-C);
Valentin GUU
459
b) regiunea activ inversl (inversat) corespunde la polari-
zarea direct a j-C i polarizarea invers a j-E. Este regiunea n care
tranzistorul se comport ca un dispozitiv controlat n tensiune, dar
rolurile emitorului i colectorului sunt inversate;
c) regiunea de blocare corespunde la polarizarea invers a
ambelor jonciuni (schema echivalent a tranzistorului este dat n
figura 11.29);

Fig. 11.28. Circuitul echivalent apro-
ximativ pentru regiunea de saturaie.

Fig. 11.29. Circuitul echivalent apro-
ximativ pentru regiunea de blocare.

d) regiunea de saturaie corespunde la polarizarea direct a
ambelor jonciuni (schema echivalent n figura 11.28).
Tranzistoarele bipolare, cum a fost menionat anterior sunt fabricate
din germaniu (Ge) i siliciu (Si). n continuare se consider constr-
ucia unui tranzistor cu Ge tip pnp (figura 11.30, a i b). Plcua 3

a

Fig. 11.30. Schema (a) i o variant constructiv (b)
a unui tranzistor cu Ge, de tip pnp.
este baza tranzistorului cu Ge cristalin de tip n. Pe ambele pri ale
plcuei se instaleaz prin aliere electrozi de indiu, care servesc ca
emitor 6 i colector 8. n procesul de aliere, ntre electrozii din In i
460
placa de Ge baza tranzistorului se formeaz regiuni de tip p i
jonciunile emitorului 7 i colectorului 2. Colectorul 8 se fixeaz pe
supurtul cristalului 1, de la care n afar se scoate borna colectorului
9. Bornele emitorului 5 i a bazei 4 sunt izolate cu izolator din
sticl, de carcas metalic (dar nu neaprat) n care se instaleaz n
mod ermetic tranzistorul.
Tranzistoarele, ca dispozitive active ale circuitelor electronice,
posed cteva avantaje, de altfel importante:
tensiune de alimentare mic i foarte mic, consum
propriu de putere infim;
randament nalt, o tehnologie nalt foarte bine pus la
punct;
dimensiuni nanometrice care permit un nivel de integrare
extrem de nalt (ULSI Ultra Large Scale Integration), mln / chip;
durabilitate i longevitate remarcabile;
funcionalitate instantanee.
Din pcate, au i neajunsuri care nu pot fi ignorate:
dependena puternic a regimului de funcionare de tempe-
ratura mediului ambiant;
putere de ieire relativ mic, sensibilitate la suprasarcin;
dispersie puternic a parametrilor tranzistoarelor de acel-
ai tip, diferen foarte mare ntre rezistenele de intrare i de ieire.
11.4. TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP (TEC)
Spre deosebire de tranzistorul bipolar, n tranzistoarele cu efect de
cmp TEC (FET Field Effect Transistor) curentul este creeat
doar de purttorii de sarcin majoritari, influenai de un cmp
electric longitudinal, modificarea curentului fiind supus unui cmp
electric transversal, creeat de tensiunea aplicat pe un electrod de
comand. Dar...puin istorie.
n 1952 W. Shockley a descris un dispozitiv nou, pe care la numit
tranzistor unipolar cu efect de cmp. Controlul curentului n
dispozitiv se nfptuea prin variaia conduciei unui strat de material
Valentin GUU
461
semiconductor (s/c) numit canal, sub aciunea tensiunii aplicate pe
o jonciune pn (j-pn) polarizat invers, alctuit din canalul conduc-
tiv i o regiune puternic dopat, numit poart. Dispozitivele au
fost denumite tranzistoare cu efect de cmp cu jonci-une,
prescurtat TEC J.
Opt ani mai trziu, n 1960 M. Attalla i D. Kahng propun un nou
tip de tranzistor, n care conductana canalului la suprafaa s/c
variaz sub aciunea tensiunii aplicate pe un electrod metalic, izolat
de suprafaa s/c printr-un strat subire de oxid. Acest tranzistor se
numete TEC cu poart izolat, sau TEC metal-oxid (izolator)-
semiconductor, prescurtat TEC MOS (MIS).
n 1966 C.A.Mead a propus un TEC de tipul metal semiconduc-
tor (sau MS) tranzistor, principiul de funcionare al cruia este
identic cu TEC J; deosbirea const n aceea c n calitate de
poart n acest caz este utilizat contactul metal semiconductor.
Curentul prin TEC se datoreaz deplasrii unui singur tip de
purttori de sarcin, goluri sau electroni (depinde de tipul canalului,
p sau n), de aceea poart denumirea de tranzistor unipolar, spre
deosebire de tranzistorul bipolar (TB).
Interesul deosebit fa de acest tip de tranzistoare const n
performanele lor competitive fa de TB: impedan de intrare
mare i foarte mare (poate atinge valori de ordinul M-ilor); nivel
de zgomot considerabil mai mic; dependena ptratic a curentului
de ieire de tensiune; separarea aproape total a circuitelor (i deci
semnalelor) de ieire i intrare i a.[8].
Principalele direcii de dezvoltare i elaborare: ca dispozitive
discrete amplificatoare i generatoare de frecven ultranalt pe
baza Si i a arsenurii de galiu (Ga As); ca dispozitive de putere, cu
pant mare a caracteristicii i un diapazon dinamic larg; ca dispo-
zitive de frecven infrajoas cu nivel sczut de zgomot; ca
dispozitive pentru circuite de comutare baza tehnicii moderne de
calcul (circuite logice, memorie operativ etc.); ca dispozitiv de
baz al circuitelor integrate cu grad uria de integrare (VLSI) i n
care ndeplinete funcia de element universal al circuitelor electro-

462
nice (nu este efectiv doar numai n rolul de inductivitate).
Aadar, deplasarea purttorilor mobili de sarcin n canal are loc
sub influena tensiunii aplicate ntre doi electrozi, numii dren i
surs care sunt plasai la cele dou extremiti ale canalului; sursa
determin electrodul prin care purttorii mobili de sarcin ptrund
n canal, iar drena electrodul prin care acetea sunt evacuai din
canal. Deci, conform celor spuse mai sus, sensul deplasrii purt-
torilor de sarcin este de la surs la dren. n anumite condiii acest
sens se poate inversa, fr ca funcionarea tranzistorului s fie
perturbat.
Tipul p sau n al materialului semiconductor din care este fcut
canalul determin tipul purttorilor mobili de sarcin, goluri sau,
respectiv electroni i clasificarea tranzistoarelor cu efect de cmp n
TEC cu canal p i TEC cu canal n.
Modificarea conductanei canalului se realizeaz cu ajutorul
cmpului creat de o tensiune de comand, aplicat unui al treilea
electrod denumit gril (sau poart). nsi conductana canalului
depinde de seciunea canalului i de numrul purttorilor mobili
de sarcin din canal.
11.4.1. Clasificarea i modul de funcionare al TEC
n figura ce urmeaz (figura 11.31) ntr-o form schematic sunt
prezentate specificarea i simbolurile utilizate pentru TEC. Acestea
pot fi mprite n dou grupe [8], n funcie de modul de realizare a
grilei:
tranzistoare cu gril jonciune, TEC J;
tranzistoare cu gril izolat, TEC MOS (sau MIS).
Tranzistoarele TEC prezint anumite avantaje descrise mai sus n
raport cu cele bipolare, la care s-ar mai putea aduga: tehnologia
mai simpl de fabricaie; n structurile integrate ocup o arie de
siliciu mai mic (de aici gradul nalt de integrare).
Aceste trantistoare prezint ns inconvenientul unei dependene
mai mari de temperatur, n regim de conducie.
Valentin GUU
463
Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciuni (TEC- J)
Funcionarea acestor tranzistoare se bazeaz pe modificarea seciu-
nii efective a canalului conductor, delimitat n volumul semicon-
ductorului cu ajutorul a dou jonciuni pn polarizate invers (figura
11.32). TEC realizate n acest fel poart denumirea de tranzistoare
cu efect de cmp cu jonciuni TEC-J (sau nc o denumire
ntlnit TEC-MS).

Fig. 11.31. Clasificarea i simbolurile TEC.
Modul de realizare a unui TEC-J este prezentat n figura 11.32, a;
ntr-un cristal se produc dou jonciuni pn (j-pn) astfel, nct ntre
ele s existe un canal ngust, lungimea cruia este de 10 100 ori
mai mare dect grosimea lui. Cele dou capete ale sale sunt conec-
tate prin contacte ohmice la cele dou terminale, pomenite mai sus
dren (D) i surs (S).
Astfel, structura unui tranzistor TEC-J prezint un strat semicon-
ductor foarte subire i slab dopat, interpus ntre dou straturi
puternic dopate, de conductibilitate invers. Una dintre jonciuni
este format ntre domeniul conectat la gril (G) i canal, iar cea de
a doua jonciune este format ntre restul masei semiconductorului,
464
numit substrat (SS) i canal. De regul, terminalul grilei este legat
cu cel al substratului n interiorul capsulei.
n figura 11.32, a este prezentat de asemenea i structura unui
TEC-J realizat n tehnologia planar-epitaxial; canalul este constitu-
it din regiunea n crescut pe un substrat puternic impurificat.

b c
a
Fig. 11.32. Tranzistorul TEC-J: a structura schematic i planar-epitaxial cu
canal n ; b simboluri; c caracteristici statice.
Jonciunile gril-canal (G-C) i substrat-canal (SS-C) delimiteaz
limea canalului. Cele dou capete ale canalului se contacteaz i
constituie D i S; pentru a se realiza contacte ohmice la S i D,
nainte de depunerea metalului se realizeaz dou regiuni n
+
, prin
difuzie. Substratul propriu-zis poate fi utilizat ca un al patrulea
electrod, avnd proprieti de comand asemntoare grilei. n
general, cum a fost deja menionat mai sus G i SS sunt legate
mpreun, constituind electrodul de comand; n caz de necesitate
de nc un electrod de comand exist posibilitatea utilizrii
tranzistoarelor cu dou grile identice de comand.
Jonciunea ce separ G de canalul dren-surs trebuie polarizat
invers pentru ca dioda pe care o constitue s fie blocat; curenii
de gril n cazul unei polarizri inverse sunt cuprini ntre 1 pA i
10 mA, iar rezistena de intrare alctuiete (10
10
10
13
) .
Polarizarea direct a acestei jonciuni trebuie evitat, fiindc ar
produce o micorare nensemnat a regiunilor de trecere simultan
cu o cretere semnificativ a curentului de gril i a puterii necesare
comenzii.
Valentin GUU
465
n figura 11.32, b sunt date simbolurile grafice ale celor dou
variante posibile de tranzistoare TEC-J: cu canal de tip n i cu canal
de tip p, a cror funcionare difer doar prin tipul purttorilor mobili
de sarcin care asigur conducia electric n canal. Sgeata din
simbolul grafic indic tipul conductibilitii canalului, de care
depinde polaritatea tensiunii de comand aplicat grilei, care este
pozitiv la canalul de tip p i negativ la canalul tip n. Pentru a
asigura blocarea celor dou jonciuni, polaritatea tensiunii aplicate
drenei este pozitiv n cazul canalului de tip n i negativ, n cazul
canalului de tip p. Mai rspndit este tranzistorul TEC-J cu canal n.
Tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (TEC-MOS)
Tranzistoarele TEC cu gril izolat fac parte din a doua grup de
tranzistoare cu efect de cmp. Cmpul electric produce i n acest
tip de tranzistoare o modificare a conductanei canalului dren-
surs, ns aceast modificare are loc ca rezultat al fenomenului de
inducie electrostatic; fenomenul produce o modifi-
care a distribuiei purttorilor mobili de sarcin la suprafaa semi-
conductorului.
Constructiv TEC cu gril izolat [8] prezint o structur metal-
izolator-semiconductor (MIS), schematic reprezentat n figura
11.33. Aceast structur determin i denumirea de TEC-MIS:

Fig. 11.33. Tranzistoare
TEC-MOS:
a structura; b - simboluri

n funcie de natura izolatorului bioxid de siliciu SiO
2
sau nitrur
de siliciu Si
3
N
4
tranzistoarele se mpart n TEC-MOS i TEC-
MNS.
466
TEC-MIS pot fi realizate cu canal iniial (figura 11.34) sau
cu canal indus (figura 11.35), prin tensiunea de gril.
n TEC-MIS cu canal iniial, canalul propriu-zis este realizat tehno-
logic, iar tensiunea de comand modific conductana, srcind str-
atul n purttori mobili de sarcin.

Fig. 11.34. TEC-MIS cu canal Fig. 11.35. TEC-MIS cu canal
iniial tip n. indus tip p.
Pentru acest tip de tranzistor este caracteristic c n lipsa tensiunii
de comand, o tensiune dren-surs creeaz i asigur trecerea unui
curent relativ mare (i nedorit!).
Dei modul de comand al conductanei difer considerabil, TEC-
MIS i TEC cu regiune de trecere (adic cu j-pn) sunt asemn-
toare; dar prezena stratului izolator de cam 0,1 m determin ns
un curent de G mult mai mic (1 10
-
2
pA) i o rezisten de intrare
mult mai mare, cuprins ntre 10
13
i 10
15
.
Spre deosebire de tranzistoarele TEC cu j-pn TEC-MIS cu canal
iniial, avnd grila izolat de canal admit o tensiune de comand
att pozitiv, ct i negativ. n plus, la TEC cu j-pn este necesar ca
substratul s fie polarizat n aa fel, nct jonciunea pe care o
formeaz cu canalul s fie polarizat invers; astfel, la tranzistoarele
cu canal n substratul de tip p trebuie legat la cel mai sczut
potenial.
n figura 11.35 este prezentat structura tranzistorului TEC-MIS cu
canal indus; canalul dren-surs ia natere doar dup aplicarea unei
tensiuni pe G. Tranzistorul este blocat n lipsa tensiunii de G, deoa-
rece pentru orice tensiune dren-surs una din cele dou jonciuni
Valentin GUU
467
p
+
n sau pn
+
este blocat.
Creterea tensiunii dren-surs produce o ngustare neuniform a
seciunii efective a canalului, la toate tranzistoarele cu efect de
cmp; ca rezultat, curentul de dren I
D
crete din ce n ce mai ncet.
Tensiunea dren-surs pentru care canalul se nchide se numete
tensiune de saturaie, U
DSs
i este egal cu
U
DSs
= U
GS
U
p
.
Tensiunea U
p
este tensiunea gril-surs la care curentul de dren se
anuleaz complet. n majoritatea cataloagelor este dat tensiunea la
care curentul de dren I
D
scade la o valoare foarte mic, de obicei
10 A. Or, nchiderea canalului echivaleaz cu apariia n canal,
ntre D i S a unei regiuni nu srcite, ci golite de purttori de
sarcin mobili. La tranzistoarele bipolare o regiune asemntoare
apare la jonciunea colector-baz, polarizat nvers. Curentul conti-
nu s circule, fiindc purttorii mobili de sarcin, accelerai de
cmp strbat regiunea de sarcin spaial.

Fig. 11.36. Seciune longitudinal prin canal.
Creterea tensiunii dren-surs peste valoarea de saturaie produce
o majorare a curentului, datorit pe de o parte apariiei unui cmp
longitudinal intens, care accelereaz purttorii de sarcin, pe de alta
468
scderii rezistenei poriunii deschise a canalului (figura 11.36).
De menionat c tensiunile gril-surs i gril-dren nu pot depi
valori cuprinse ntre 20 i 100 V (la ora actual aceste valori sunt
depite, ndeosbi n cazul unor tranzistoare TEC de mare putere,
ca de exemplu MTP1N100, MTP5N100 i a.[14]); depirea tensi-
unii, ndeosbi la tranzistoarele TEC-MIS duce la strpungerea izo-
laiei gril-canal i la distrugerea tranzistorului .
Din cauza rezistenelor mari i a capacitilor mici caracteristice
structurii gril-canal a tranzistoarelor cu efect de cmp, tensiuni de
strpungere (datorit ncrcrii electrostatice) pot aprea chiar n
procesul manipulrii cu tranzistoarele (studierea aspectului exterior,
msurarea-testarea parametrilor, etc.).
n scopul protejrii tranzistoarelor n procesul de fabricaie, ntre
grila i sursa TEC de putere mic sunt introduse diode Zener; aceste
diode protejeaz tranzistoarele, dar micoreaz rezistena de intrare
un parametru practic foarte important. n general, la manipularea
i utilizarea TEC sunt absolut necesare anumite msuri de protecie,
ca:
vrful letconului (ciocanul electric) cu care se lucreaz i
asiul dispozitivului n care se monteaz tranzistorul trebuie s fie n
permanen legate la mas;
att timp ct tranzistorul este depozitat sau manipulat, termi-
nalele lui trebuie s fie scurtcircuitate;
este indicat, ca n montaje tranzistorul s fie protejat mpo-
triva ncrcrilor electrostatice, de un ecran special.
Dac G i S sunt conectate mpreun, se obine o diod numit cu
efect de cmp (DEC). Caracteristica static I
D
= f (U
DS
) a unei
astfel de diode are un segment orizontal cnd cu creterea tensiunii
(pn la valoarea U
str
) curentul rmne constant. Aceste diode sunt
folosite ca limitatoare de curent n diverse circuite electronice.
11.4.2. Caracteristici statice ale TEC
Variaia curentului de dren I
D
funcie de tensiunile gril-surs U
GS

i dren-surs U
DS
este prezentat sub forma de caracteristici staice
Valentin GUU
469
ale tranzistoarelor cu efect de cmp. Cele mai utilizate dintre
caracteristicile statice sunt caracteristicile de ieire
(figururile 11.32 c , 11.37 a, b i 11.38) i caracteristicile
de transfer (figura 11.39).
Caracteristicile de ieire
Aadar, caracteristicile de ieire (figura 11.37, a i b) reflect
dependena curentului de dren I
D
de tensiunea dren-surs U
DS
,
pentru diferite valori constante ale tensiunii gril-surs U
GS
.

a

Fig.11.38. Caracteristicile de
ieire pentru valori mici ale
tensiunii dren-surs.

u
DS

b
Fig.11.37. Caracteristicile de ieire ale unui
TEC-MIS cu canal iniial tip n

u
GS

Fig.11.39. Caracteristicile de
transfer.
Caracteristicile de ieire sunt asemntoare pentru toate tipurile de
tranzistoare TEC, ceea ce permite o analiz general, viznd trei
470
regiuni distincte ale acestor caracteristici: liniar; de satu-
raie; de strpungere .
Re gi une a l i ni a r , U
DS
< U
GS
U
p
. Curentul de dren I
D
crete
proporional cu tensiunnea de dren U
DS
, atta timp ct aceast ten-
siune este mic (v.i regiunea I,figura 11.32, c). n apropierea nemi-
jlocit a originii, caracteristicile de ieire sunt cvasiliniare; n acea-
st regiune tranzistorul poate ndeplini rolul de rezisten variabil
sau de comutator. n figura 11.37, b sunt prezentate mai detaliat
caracteristicile de ieire pentru valori mici ale U
DS
. Este uor de
observat c sensul de trecere a curentului de dren se poate inversa,
id est rolurile D i S se pot schimba uor.
Din analiza caracteristicilor prezentate n figura 11.38 se poate trage
concluzia c pentru valori mici ale tensiunii U
DS
caracteristicile sunt
aproximativ liniare i cu att mai mult, cu ct aceast tensiune este
mai mic motiv din care n practic se lucreaz cu valori de
ordinul sutelor de mV.
Re gi une a de s a t ur a i e , U
DS
> U
GS
U
p
. La creteri relativ
mari ale tensiunii U
DS
curentul de dren I
D
rmne aproape constant
(figura 11.32, c i 11.37, a).
Regiunile de saturaie i cea liniar pot fi separate prin aproximarea
curentului de dren cu ajutorul relaiei:
I
DS
I
D
= U
2
DS
. (11.5)
U
2
P

n aceast relaie curentul I
DS
este curentul dren-surs pentru U
GS
=
0 sau U
GS
= 2U
p
. Tensiunea U
GS
se ia egal cu 0 la tranzistoarele
care conduc n lipsa tensiunii de gril, id est la TEC cu regiune de
trecere i la TEC-MIS cu canal iniial. n cazul TEC-MIS cu canal
indus se ia U
GS
= 2U
p
. n planul caracteristicilor de ieire relaia
(11.5) este prezentat printr-o linie punctat (v. figura 11.37).
Re gi une a de s t r punge r e , U
DS
U
(BR)DS
. La TEC cu subs-
tratul conectat la S creterea tensiunii dren-surs peste o anumit
valoare care se numete tensiune de strpungere U
(BR)DS
, pro-
Valentin GUU
471
duce o multiplicare n avalan a purttorilor mobili de sarcin.
Acest fenomen este reversibil, dac creterea curentului de dren I
D

este limitat n mod corespunztor cu ajutorul unor elemente
exterioare de circuit.
Caracteristicile de ieire pot servi pentru determinarea rezistenei
dren-surs (r
DS
) sau a conductanei de ieire (g
DS
):

1 I
D
I
D

= g
DS
= (11.6)
r
DS
U
DS
U
GS = const
U
DS
U
GS = const

n cazul exemplului din figura 11.37, b valoarea conductanei de
ieire este:
I
D
0,15 mA
g
DS
= = = 150 S .

U
DS
1 V
O prioritate important a TEC este faptul c sortimentul materia-
lelor semiconductoare din care se pot construi este evident mai larg
ca n cazul tranzistoarelor bipolare. n cazul TEC se lucreaz numai
cu purttorii majoritari de carcin, deci este posibil fabricarea
dispozitivelor cu o stabilitate mai nalt la temperaturi ridicate i la
radiaie. i nc un moment foarte important: spre deosebire de TB,
n TEC este exclus zgomotul de recombinare un factor decisiv n
procesul de elaborare a dispozitivelor i circuitelor cu nivel ct mai
sczut de zgomot propriu [11].
TEC posed o impedan de intrare extrem de mare, care la TEC-J
atinge valori 10
6
10
9

O, iar n TEC-MIS i mai grozav: 10
13

10
15

O . Aceste impendane sunt determinate, n cazul TEC-J de
regiunea jonciunii dintre gril i surs polarizat invers, iar n ca-
zul TEC-MIS (cu grila izolat) de rezistena enorm de scurgere a
dielectricului. Se consider de baz urmtorii parametri TEC:
panta caracteristicii (de transfer), care se determin (figura
11.38) S = I
D
/ I
GS
la U
DS
= const. Acest parametru caracteri-
zeaz eficacitatea funciei de comand a grilei i se mai numete
472
transconductan, g
m
care n cazul din figur este egal cu
S = g
m
= 1,75 mS ;
tensiunea de prag u
p
, inversproporional tensiunii de gril,
la care curentul de dren I
D
= 0;
rezistena de intrare, R
in
= U
GS
/ I
D
se determin la val-
oarea maxim permis dintre aceti electrozi;
rezistena de ieire, dintre dren i surs , R
ie
= U
D
/ I
D

la U
GS
= const se determin n regim de saturaie. Aceast rezisten
este caracterizat de tangenta unghiului dintre caracteristicile de
ieire i axa curentului i, dat fiind acest unghi ~ 90 rezistena R
ie

este suficient de mare (sute de k O).
Dependana I
D
de temperatur este legat de mobilitatea purttorilor
majoritari n materialul canalului. Panta S a tranzistoarelor TEC dis-
crete la majorarea temperaturii. n afar de aceasta, cu creterea
temperaturii se micoreaz impedana de intrare R
ie
i crete cure-
ntul de gril I
G
, dublndu-se la fiecare 10 C.
O particularitate a tranzistoarelor TEC este prezena unui punct ter-

Fig. 11.40. Dependena caracteristi-
cilor statice de temperatur.
mostabil (numit punctul Z),
n care curentul de dren I
D
nu
depinde de temperatur. La maj-
orarea temperaturii conductibi-
litatea specific a canalului se
micoreaz din cauza diminurii
mobilitii purttorilor de sarcin
Simultan, se micoreaz limea
jonciunii pn, se lrgete seciu-
nea de conducie a canalului i
crete curentul I
D
. Aceste dou procese contrare se pot reciproc co-
mpensa, la o anumit (i reuit) alegere a punctului static de func-
ionare.
11.5. STRUCTURI SEMICONDUCTOARE pnpn
Sub aceast denumire vor fi cuprinse dispozitivele semiconductoare
care conin mai mult de dou jonciuni. Astfel de structuri permit
Valentin GUU
473
crearea unor dispozitive cu nsuiri deosebite, ca de exemplu:
tensiuni mari n cazul structurii blocate; cureni mari n conducia
direct; caracteristici specifice dispozitivelor cu dou stri stabile
(dispozitive bistabile).
Aceste structuri semiconductoare pnpn difer ntre ele att prin
dimensiunile, numrul domeniilor interne ct i prin numrul de
terminale exterioare cu care sunt prevzute. Gsesc o vast rspn-
dire n circuitele electronice de putere (invertoare, redresoare com-
andate etc.) i, n general, n energetic i electrotehnica modern .
11.5.1. Dinistorul i tiristorul
Dioda cu siliciu n patru straturi i doi electrozi anod i catod,
poart denumirea de d i n i s t o r (dioda Shockley). Dac pe lng
cei doi electrozi apare un al treilea de comand, atunci dioda devi-
ne comandat i se numete t i r i s t o r. Aceste dispozitive se con-
struiesc n patru straturi, alctuind o structur p-n-p-n (figura 11.41)
Regiunea de mijloc de tip p a tiristorului are o born electrodul de
comand (EC); cu acest electrod deconectat, tiristorul devine dini-
stor.
Dac ntre anodul A i catodul C se aplic o tensiune constant nu
prea mare n sens direct, jonciunile pn1 i pn3 vor fi deschise i
rezistena lor va fi mic. Jonciunea pn2 va fi polarizat invers,
rezistena acestei regiuni mare, curentul mic i toat tensiunea va
fi aplicat practic pe aceast regiune. La o cretere a tensiunii U (fi-
gura 11.41) pe tiristor, curentul n circuit va crete nesemnificativ,
fiind limitat de rezistena mare a jonciunii pn2; caracteristica
amper-volt va fi similar caracteristicii inverse a diodei (figura
11.42, segmentul Oa al curbei).
Dac tensiunea crete i atinge o anumit valoare numit t e n s i u-
n e d e c o m u t a r e U
j
, n regiunea de sarcin spaial
(jonciunea) pn2 intensitatea cmpului electric devine suficient
pentru ionizare i crearea de noi purttori de sarcin (electroni i
goluri), rezistena cade brusc i tiristorul se deschide. Tensiunea pe
tiristorul deschis (segmentul bc al caracteristicii) este mic (1 2
474
V) i aproape neschimbat, deoarece curentul n circuit este limitat
doar de rezistena sarcinii exterioare (R
S
, figura 11.41).

Fig. 11.41. Schema construciei
tiristorului.

Fig. 11.43. Construcia
unui tiristor de putere.
Fig. 11.42. Simbolul grafic i caracteristica
amper-volt a tiristorului.
Curentul maxim al tiristorului este limitat de puterea maxim
admis, disipat de acesta. Dac curentul prin tiristorul deschis este
micorat, acesta va continua deschis atta timp ct curentul va
stimula crearea purttorilor de sarcin n jonciunea pn2. La un
curent mai mic de o anumit valoare I
C d
care este numit d e m e-
n i n e r e , tiristorul se nchide, adic revine la starea de non-
conducie.
Dac pe electrodul de comand EC se aplic un potenial pozitiv de
la o surs exterioar, n jonciunea pn2 va aprea un curent de
comand i purttori suplimentari de sarcin, ceea ce va micora
Valentin GUU
475
tensiunea de comutare a jonciunii i tiristorul se va deschide la o
tensiune mai mic (U
j1
). Cu ct mai mare este curentul de comand
I
C
, cu att mai muli purttori de sarcin n jonciunea pn2 i mai
mic este tensiunea de comutaie a tiristorului. La o anumit valoare
a curentului de comand I
C s
tiristorul va funciona ca o diod neco-
ntrolat, adic va fi deschis la orice tensiune pozitiv pa anodul lui.
Prin urmare, tiristorul se deschide n urma aplicrii pe anod a
tensiunii de comutare, sau la o valoare suficient a curentului de co-
mand I
C s
. Deoarece electrodul de comand EC nu mai influenea-
z funcionarea tiristorului dup deschiderea lui, prin circuitul EC
trece doar un impuls de curent de form dreptunghiular, cu o dura-
t de aproximativ 10 s.
Aplicarea unei tensiuni inverse U
inv
pe bornele tiristorului conduce
la nchiderea acestuia, prin polarizarea invers a jonciunilor pn1 i
pn3, independent de curentul de comand i aceast caracteristic
amper-volt a tiristorului nu difer cu nimic de caracteristica unei
diode necontrolate.
Tiristoarele au dou stri de echilibru stabil: n c h i s i n
acest caz rezistena lui este enorm (R ~ ); d e s c h i s, fiind re-
zistena foarte mic (R ~ 0). Aceasta permite utilizarea termistoa-
relor ca comutatoare fr contact n invertoare, n redresoare cont-
rolate, n diverse scheme de protecie etc.
Construcia unui tiristor de putere este prezentat n figura 11.43. O
structur cristalin cu patru straturi 4, fixat pe suportul 3 este
plasat n carcasa 2, partea inferioar a creia conine borna cu filet
a catodului 1. Pe stratul superior p cu rein termorigid se fixeaz
borna (mpletit) a anodului 7. n regiunea de mijloc a stratului p se
introduce borna electrodului de comand 8. Capetele anodului i EC
se scot din carcas prin izolaie de trecere 6 (de obicei, sticl).
11.6. DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE
Sub aceast denumire vor fi cuprinse dispozitivele care transform
energia electric n radiaie luminos sau invers; n dependen de
aceasta, dispozitivele se mpart n dou mari categorii: fototraduc-
476
toare care transform energia luminoas n energie electric i
diode luminiscente ce transform energia electric n energie
luminoas.
11.6.1. Fototraductoarele
Principiul de funcionare ale acestor dispozitive const n produ-
cerea perechilor electron-gol ntr-un material semiconductor supus
influenei luminii.
Este clar c sensibilitatea materialului semiconductor depinde de
lungimea de und a radiaiei incidente, dar realizarea unor semicon-
ductoare sensibile la diverse poriuni ale spectrului vizibil sau
infrarou presupune un control riguros al dotrii cu impuriti
activatoare, cum ar fi argintul, galiul, cuprul i a. Aceste impuriti
influeneaz n egal msur i timpul de rspuns al fototraduc-
torului, n unele aplicaii fiind un parametru esenial. n continuare
ntr-o form ct mai laconic vor fi descrise cele mai frecvent ntl-
nite i utilizate fototraductoare.
Fotorezistena.
Acest element este, n esen o rezisten (figura 11.44) electric
care, n lipsa luminii, are o valoare de civa megaohmi, mico-
rndu-se cu cteva ordine de mrime n urma iluminrii. Se fabric,
de regul din sulfur de cadmiu CdS sau seleniur de cadmiu CdSe,
avnd o sensibilitate spectral sub forma unui top(vrf) care se
plaseaz ntre 5300 7000 . Timpul de revenire al rezistenei la
valoarea de ntuneric este de ordinul zecilor de secunde.
Traductoarele sensibile la infraroi se fac din germaniu dopat cu aur
(sensibilitate pn la 9 m), mercur (pm la 15 m), cupru (pn la
29 m). Gsesc folosire i alte aliaje, ca Ge Si activate cu aur
(pn la 14 m), sau zinc (pn la 16 m). Dar aceste fotorezistene
au un dezavantaj serios: ele trebuie puternic rcite, altfel la tempe-
ratura camerei energia termic este suficient pentru ca electronii s
treac pe nivelele substanelor activatoare. Rcirea lor are loc de
obicei n vase Dewar duble, avnd azotul lichid n stratul exterior i
heliu n cel interior, iar ferestrele prin care sunt iradiate fotorezis-
Valentin GUU
477
tenele sunt, de asemenea rcite. Timpii de rspuns la excitaie
radiaia infraroie de ordinul microsecundei.
Fotodioda.
Reprezint o jonciune pn de o construcie special, astfel nct s
existe posibilitatea incidenei razelor de lumin n domeniul zonei
de difuzie a acesteia. De regul, aceasta se ilumineaz pe partea n
care exist stratul (p sau n) cu grosimea cea mai mic. n figura
11.45, a se prezint o seciune a variantei planare, jonciunea se
realizeaz ntr-o plachet de Si n slab dopat, la suprafa ei se
difuzeaz o regiune subire tip p, acoperit apoi cu un strat de SiO
2
,
transparent.

Fig.11.44. Fotorezistor. Structur,
simbol i caracteristici.

Fig. 11.46. Seciunea i modul de
conectare n circuit a fotodiodei.

Fig. 11.45. Fotodiode. Structura (a) i
simboluri (b).
Fig. 11.47. Caracteristici statice FD.
Figura 11.46 prezint modul n care fotodioda se conecteaz n
circuit n unul din cele dou regimuri posibile de funcionare:
regimul de fotodiod propriu-zis i regimul de fotoge-
478
nerator, adic de transformator al luminii n energie electric (se
ntlnete i denumirea mai veche fotoelement, v. n continuare).
n regimul de fotodiod jonciunea pn este polarizat invers prin
sursa extern E
d
(figura 11.47). Fotonii care cad pe material (n
cazul din figur stratul mai subire p), n funcie de energia pe
care o au, ptrund pe diferite adncimi i genereaz perechi
electron-gol. Acestea strbat regiunea de sarcin spaial fiind diri-
jai spe capete asemenea purttorilor generai termic. Incidena
razelor de lumin n zona de difuzie determin deci o cretere a
curentului invers I
inv
; curentul de saturaie I
inv
care corespunde unui
flux luminos incident nul, se numete curent de ntuneric [8].
El are valori de ordinul 1 A la fotodiodele cu Ge i 1 nA la cele cu
Si, fiind determinat de temperatu. n aa fel are loc creterea
curentului rezidual (sau fotocurentului), proporional cu intensitatea
fluxului luminos.
Sensibilitatea fotodiodei se definete ca raportul ntre fotocurentul
invers i iluminare: S = I
inv
/E [A / lx]; ea depinde de lugimea de
und a radiaiilor vizibile sau invizibile i este cuprins ntre (0,01
0,1) [A / lx]. n general, sensibilitatea fotodiodei este mai mic
dect cea a fotorezistenei din cauza ariei limitate a jonciunii pn.
Spre deosebire deci de fotorezisten, unde curentul care o strbate
depinde att de iluminare ct i de tensiunea aplicat la borne,
fotodioda are un curent practic constant n raport cu tensiunea.
Aceasta se vede clar pe caracteristicile i = f (u) date n figura 11.47
(cadranul III).
Timpii de rspuns ai fotodiodei la excitaia luminoas sunt de
asemenea mai buni dect ai fotorezistenei, fiindc practic toat
tensiunea aplicat cade pe regiunea de trecere, perechile electron-
gol generate aici sunt imediat dirijate spre capete de ctre cmpul
electric intens. Totui, timpul de cretere msurat ntre momentul
cnd curentul variaz ntre 0,1 i 0,9 din valoarea final, la aplicarea
unui salt de iluminare, este de ordinul a 1s. Dar n general,
fotodiodele de construcie special pot fi folosite pn la frecvene
de 10 kHz.
Valentin GUU
479
Fotodiodele sunt utilizate n diverse sfere tehnice, cum ar fi apara-
tele de msurarat intensitatea luminii (tehnica foto), poziionarea
mainilor-unelte, telecomanda cu fascicol de infraroii, instalaiile
de securitate bazate pe bariere optice, comunicaiile telefonice care
au ca purttoare un fascicol de infraroii i multe altele.
Fotoelementul.
De menionat c din punct de vedere principial fotoelementul este
aceiai fotodiod, dar care funcioneaz n al doilea regim
caracteristic acesteea de fotogenerator (v. mai sus).
Se mai numete i fotocelul i este n esen o jonciune pn supus
iluminrii; dar, spre deosebire de fotodiod nu este supus polari-
zrii cu nici o tensiune exterioar. n urma ciocnirii fotonilor cu
reeaua cristalin sunt generate perechi electron-goluri care ajung

Fig. 11.48. Seciunea unui
fotoelement.

Fig. 11.49. Fototranzistorul. Principiu
de funcionare.
la jonciunea pn, unde sunt dirijai spre capete de cmpul electric
intern al regiunii de sarcin spaial, dat n forma haurat n figura
11.48. Aceasta conduce la apariia ntre electrozi a unei diferene de
potenial n gol (E
FG
, pe cadranul IV din figura 11.47 al caracteris-
ticilor i = f (u)), datorit creia n circuitul exterior poate curge un
curent de valoare maxim I
F
, la scurtcircuit. n acest fel se transfor-
meaz energia luminoase n energie electric. Fenomenul apariiei
unei t.e.m. ntre cele dou domenii ale jonciunii, supuse incidenei
razelor de lumin se numete fenomen fotovoltaic, iar foto-
diodele (fotoelementele) destinate s funcioneze special n acest re-
480
gim celule fotovoltaice sau baterii solare.
Materialele de baz n construirea fotoelementelor sunt seleniul sau
siliciul acesta d un randament mai mare dect primul, dar sensi-
bilitatea sa este maxim nu n spectrul vizibil, ci n infrarou. Din
aceste dou considerente Si este folosit pentru construirea bateriilor
solare, att sub forma strat n peste p, ct i strat p peste n; totui,
pentru funcionare n spaiul cosmic, unde aceste straturi sunt
supuse i unui bombardament intens cu particule nucleare de mare
energie, forma n peste p este preferabil din motivul rezistenei
sale sporite la acest flux inevitabil. Randamentele obinute n
decursul ultimilor ani n aceste aplicaii sunt de cca 11 13% (din
surse mai puin oficiale acest parametru ajunge i peste 15 % !).
Fototranzistorul.
Acest dispozitiv este un tranzistor care se comport ca o fotodiod
cu amplificare de curent. n figura 11.50 este prezentat o structur
simplificat a fototranzistorului; se poate vedea c rolul fotodiodei
l ndeplinete jonciunea colector-baza care este invers polarizat.

a

b
Fig.11.50. Structura (a), simbolul i
caracteristicile fototranzistorului (b).
n schema de mai sus (figura 11.49) baza este n gol, deci curentul
I
CB0
este amplificat de ( +1) ori, obinndu-se curentul rezidual.
Cnd se ilumineaz jonciunea colector-baza, curentul I
CB0
va crete
odat cu fluxul luminos (figura 11.50, b) i va fi amplificat prin
Valentin GUU
481
efectul de tranzistor de ( +1) ori. Aceasta nseamn c spre deose-
bire de fotodiod, sensibilitatea fototranzistorului este de cca 500 de
ori mai nalt i alctuiete (1 10 ) A / lx.
Fototranzistorul este util n aparatele de control i reglaj a
iluminrii, n releele optice, pe larg era folosit pentru citirea carte-
lelor i benzelor perforate i n alte aplicaii. Ca materiale semicon-
ductoare, pentru fabricarea fototranzistoarelor se folosete n egal
msur att germaniul, ct i siliciul i totul depinde de parametrii
necesari i condiiile concrete de funcionare.
11.6.2. Diode luminiscente
Aceste dispozitice (se mai numesc i fotodiode emisive)
emit radiaii vizibile i deci transform energia electric n energie
luminoas. n acest caz (spre deosebire de electroluminiscen
fenomen bazat pe efectul Destriau) are loc eliberarea unei energii n
spectrul vizibil, ca rezultat al recombinrii electronilor cu golurile
(efectul Lossey).

Fig.11.51.Diod luminiscent.

Fig.11.52. Fotodiode emisive: simbol ,
structur (a) i aplicaie (b).
Cnd purttorii de sarcin recombin, totdeauna se elibereaz o can-
titate de energie, cel mai frecvent sub form de cldur. Exist,
totui anumite semiconductoare care cedeaz aceast energie sub
forma unui proton; cum se vede din tabelul 11.2, acestea sunt de
obicei combinaii dintre elementele grupelor III i V ale tabelului
periodic.
482
Schematic o diod luminiscent (uneori denumit LED Light
Emitting Diod) este prezentat n figura 11.51.
Tabel 11.2

Este compus dintr-o jonciune
pn realizat pe un cristal semi-
conductor. La aplicarea unei
polarizri directe electronii i
golurile sunt dirijai spre regiu-
nea de trecere (zona haurat n
figura 11.51), la capetele aces-
teia au loc recombinri n urma
crora se elibereaz fotoni, adi-
c are loc emisie de energie n
exterior; cuantele de energie co-
respund unor radiaii vizibile,
dac semiconductorul de baz al
diodei este arseniura de galiu, GaAs.
Structura unei diode emisive se formeaz prin creterea unui strat
epitaxial de GaAs tip n deasupra unui strat monocristalin de GaAs
tip n
+
, care mijlocete contactul cu terminalul de catod. Jonciunea
pn se formeaz ntre acest domeniu n i un strat subire de GaAs tip
p. Contactul ohmic pe regiunea p, lagat la terminalul de anod A,
este realizat numai la periferia cristalului, cea mai mare parte a re-
giunii p fiind nemetalizat. Regiunea n este mai puternic dopat ca
regiunea p, de aceea este mai intensiv injecia electronilor n stra-
tul subire de tip p, unde au loc recombinrile nsoite de cuante de
lumin, care sunt radiate n exterior prin acest strat subire de tip p.
Suprafaa activ a unei astfel de diode este, de obicei de (0,1 10 )
mm i intensitatea radiaiilor emise este proporional cu curenii
direci prin jonciune, acetea variind ntre (1 100) mA. Lumina
emis are culoarea galben, roie, verde sau alta, funcie de
procentul de P care nlocuiete As din semiconductorul GaAs.
Este remarcabil faptul c radiaiile emise pot fi monocromatice i
modulate la frecvene foarte mari, fenomen utilizat n telecomu-
nicaii.
Valentin GUU
483
Aceste dispozitive nlocuiesc tuburile indicatoare numerice (Nixie);
deci una dintre cele mai importante aplicaii a acestor diode este la
realizarea indicatoarelor cifrice cu 7 segmente (v.figura 11.52, b).
Diodele care formeaz segmentele de afiare au catodul comun, iar
dimensiunile cifrelor variaz ntre (3 60) mm. Eficiena acestor
diode este destul de mare; astfel, o diod din GaAs polarizat cu o
tensiune de 1V i prin care circul un curent de 100 mA, emite o
lumin cu o putere de 50 W.
Dar randamentul acestor dispozitive este mic (15) %, din mai
multe pricini:
nu toi fotonii eliberai ajung n exterior, o bun parte dintre ei
fiind absorbii n drumul lor de reeaua cristalin;
pierderi din cauza lentilelor optice i a altor componente, folosite
la ncapsularea dispozitivului ca atare;
pierderi sub form de cldur (n materialului semiconductor).
Totui, prezint avantaje eseniale:
timpi de rspuns foarte mici, de ordinul nanosecundelor;
o robustee mecanic de invidiat (foarte mare);
teoretic, au o durat de via infinit cel puin de 100 de ori
mai lung dect a unui bec cu filament incandescent;
pot fi realizate n cele mai diferite forme geometrice.
Sfera de utilizare a dispozitivului este pe msur de vast: n afiaje
alfanumerice sub forma de cifr sau liter; ca indicator de semnal
(toat tehnica de calcul este mbibat cu asemenea indicatoare, la
fel ca i optoelectronica etc.); ca surs de lumin pentru barierele
optice i multe altele.
Merit de subliniat faptul c n ultimul timp se folosesc pentru
afiare dispozitive bazate pe proprietile cristalelor lichide LCD
(Liquid-Crystal Display); acestea prezint avantajul, n raport cu
LED-urile c au un consum foarte redus, ntruct pentru afiare se
folosete numai cmpul electric prin care se determin orientarea
cristalelor.
O clas deosebit de aplicaii a diodei luminiscente o constituie
cuploarele optoelectronice. n principiu, acestea se compun dintr-o
484
surs de fotoni cuplat optic cu un fototraductor, ansamblul fiind
introdus ntr-o incint de izolare (figura 11.53, a). Fotocuplorul
acioneaz ca un releu i anume la apariia unui curent la bornele de
intrare se comand nchiderea unui curent prin circuitul de ieire.

a b
Fig. 11.53. Cuplor fotoelectronic:
a schema general; b cuplor realizat cu LED i fotodiod.
Ca surs de lumin se poate folosi un bec cu incandescen, cu neon
sau o diod luminiscent; fototraductorul poate fi o fotorezisten,
poate fi o fotodiod sau un fototranzistor. n figura 11.53, b este
prezentat un cuplor cu o inerie extrem de mic, ceea ce se
datoreaz timpului de rspuns foarte bun al LED-ului.
n comparaie cu releele mecanice, aceste cuploare prezint avan-
tajele urmtoare:
asigur o izolare perfect ntre cele dou circuite pe care le
comand;
ineria acestor dispozitive este mult mai redus;
practic nu au uzur mecanic.
11.7. TERMISTORUL I VARISTORUL
Termistorul este o rezisten neliniar care prezint o variaie
important a valorii sale n raport cu temperatura. Exist termistoare
care au coeficientul de variaie al rezistenei cu temperatura negativ
i altele la care acest coeficient este pozitiv. n cele ce urmeaz
atenia se va ndrepta spre prima categorie, cealalt fiind folosit n
circuitele electronice extrem de rar. Rezistivitatea unei bare de tip
intrinsec este dat de relaia :
Valentin GUU
485

= 1 / e (
n
+
p
) n
i
.
Aceasta admite un coeficient de temperatur negativ, deoarece
concentraia intrinsec n
i
crete exponenial cu temperatura, deci
mult mai repede dect scad mobilitile purttorilor de sarcin
mobili
n
i
p
.
Termistoarele a cror rezisten scade cu temperatura se fabric prin
sintetizarea la temperaturi nalte a unor amestecuri de oxizi metalici
semiconductori, cum ar fi oxizii de Mn, Ni, Co, Cu, Zn, Ti, etc.
Termistoarele prezint variaii aproximativ exponeniale ale
rezistenelor funcie de temperatur, coeficientul de variaie este
cuprins ntre (3 6) %/C la temperatura camerei. n figura 11.54

Fig.11.54. Curbe de variaie (tipice) a
rezistenei termistoarelor cu temperatura
.

Fig. 11.55. Termistorul (a) i
varistorul (b).
sunt date cteva curbe tipice, pentru termistoarele de 1, 10 i 100
KO. Caracteristica I = f (U), prezentat n figura 11.55, a numai
pentru tensiuni U > 0, dei termistorul conduce i pentru U < 0 evi-
deniaz dependena de temperatur a rezistene n c.c. a dispozi-
tivului R
cc
= U/I.
Aceast caracteristic se ridic punct cu punct, ateptnd stabilirea
echilibrului termic pentru fiecare valoare a curentului, fiindc
termistorul prezint inerie termic.
Se produc dou categorii de termistoare: cu nclzire direct i
nclzire indirect.
486
11.7.1. Termistorul cu nclzire direct
n acest caz curentul este controlat de rezistena termistorului i po-
ate nclzi aceast rezisten prin efect Joule. Simbolul acestuia se
d n figura 11.56, a ; dac puterea care se disip n el este nen-
semnat, termistorul are temperatura mediului ambiant i poate fi
folosit n circuitele de stabilizare a variaiei punctului static al
tranzistoarelor n raport cu temperatura.
Dac puterea disipat n termistor este important, el se autoncl-
zete , ceea ce face ca rezistena s se micoreze, iar curentul prin

a b
Fig. 11.56. Termistor cu nclzire
direct: a simbol; b curbe tipice a
variaiei curentului

a b
Fig.11.57. Circuite de temporizare a
aciunii releelor.
el s ajung cu oarecare ntrziere la valoarea final (conform curb-
elor din figura 11.56, b); cum se vede, tensiunea poate fi ajustat
prin modificarea tensiunii la borne. Totui, rar se pot obine ntr-
zieri mari, de cteva secunde, pe aceast cale.
La prima aplicaie termistorul este folosit la suprimarea regimurilor
tranzitorii n clipa punerii sub tensiune a circuitelor filamentelor
tuburilor electronice sau becurilor cu incandescen (curentul n
circuit ar putea atinge n primul moment o valoare periculos de
mare, ntruct rezistena filamentului la rece este mult mai mic
dect la cald). Protecia se face nseriind un termistor n circuitul de
alimentare, astfel anihilnd efectul nedorit i permind curentului
doar creteri line.
O alt aplicaie const n obinerea unor temporizri la acionarea
releelor; astfel, n circuitul din figura 11.57, a la punerea sub
Valentin GUU
487
tensiune, rezistena termistorului este mare, curentul prin circuit
nefiind suficient pentru a atrage miezul releului. Dup un timp,
termistorul i micoreaz rezistena prin autonclzire i releul
acioneaz. Circuitul din figura 11.57, b funcioneaz astfel: la
punerea sub tensiune, armtura mobil a releului (miezul) se atrage.
Termistorul ncepe s se nclzeasc, rezistena sa se reduce;
tensiunea la bornele grupului paralel scade i n momentul cnd
atinge valoarea minim necesar pentru meninerea miezului,
armtura se elibereaz.
11.7.2. Termistorul cu nclzire indirect
Termistorul propriu-zis se plaseaz ntr-o incint izolatoare,
mpreun cu o nfurare separat de nclzire. El este aadar analog
unui fotocuplor cu fotorezisten, rolul radiaiei luminoase fiind luat
de radiaia termic. Dar spre deosebire de fotocuplor, ineria
termistorului este mult mai mare i din punct de vedere electric se
ofer o izolare foarte bun ntre circuitul de comand i cel de
ieire. Timpul de rspuns al termistorului cu nclzire indirect este
cu un ordin de mrime mai mare dect al termistorului cu nclzire
direct, de aceea se folosete n aplicaiile n care aceast tempori-
zare mare nu deranjeaz sau chiar dorit este.
Termistoarele se folosesc de asemenea la msurarea i reglarea
automat a temperaturii, compensarea veriaiei cu temperatura a
parametrilor circuitelor, funcionnd ntr-un domeniu larg de tempe-
raturi, la msurarea puterii i a frecvenelor nalte, ca relee de timp
sau ca stabilizatoare de tensiune n sistemele de reglaj termic.
Varistorul. Rezistena a dou jonciuni conectate antiparalel, sau
cea a unei bare realizate din carbur de Si sintetizat i tratat
termic, are o dependen neliniar fa de tensiunea aplicat ntre
bornele ei. Pentru carbura de siliciu aceast dependen se exprim
prin relaia analitic
I = k
1
U + k
2
U
n
,
488
unde k
1
i k
2
sunt constante constructive, iar exponentul n are
valoarea 3,5 6, n funcie de tehnologia aplicat. Acest tip de
rezistene care se numesc varistore, sunt utilizate la protecia
contra supratensiunilor, la stabilizatoarele electronice i a.

Valentin GUU
489

CAPITOLUL 12
UTILIZRI SPECIFICE ALE DISPOZITIVELOR
I CIRCUITELOR ELECTRONICE
12.1. REDRESAREA TENSIUNILOR ALTERNATIVE
SINUSOIDALE. NETEZIREA I STABILIZAREA
Aproape orice circuit electronic, de la cele mai elementare cu tran-
zistoare i amplificatoare operaionale i pn la cele mai complexe
sisteme digitale i cu microprocesoare, pentru o funcionare corect
i stabil, necesit unul sau cteva izvoare (surse) de alimentare n
curent continuu. n majoritatea cazurilor, principala sursa de alime-
ntare cu energie electric este reeaua alternativ trifazat de dis-
tribuie. Transformarea energiei electrice de curent alternativ din
reeaua de distribuie n energie electric de curent continuu se face
cu ajutorul unor circuite speciale redresoare, respectivul proces
purtnd denumirea de redresare a curentului alter-
nativ [8].
n figura 12.1 este prezentat schema bloc (de principiu) a unui
circuit de alimentare cu curent continuu obinut pe calea redresrii
curentului alternativ, din reeaua general de distribuie. Transfor-
matorul T (denumit i transformator de reea) are rolul de a
modifica tensiunea reelei conform valorii tensiunii continue nece-
sare consumatorului, separnd totodat reeaua de circuitul electro-
nic alimentat. Pentru a micora cuplajele parazite dintre primar i
secundar transformatorul, n general, este prevzut cu o nfurare
de ecranare legat la mas.
Pentru transformarea tensiunii alternative ntr-o tensiune pulsatoare
servete circuitul denumit redresor (R , bloc redresor). Tensiunea
pulsatoare conine componenta continu i, n afar de aceasta
490
componente alternative. ntruct aparatura electronic necesit o
tensiune continu cu componente alternative ct mai mici, la ieirea
redresorului se conecteaz un circuit F, rolul cruia const n filtra-
rea (netezirea) componentelor alternative; acest dispozitiv mico-
reaz componentele alternative, acumulnd energie n intervalul de
timp cnd tensiunea crete, cednd-o consumatorului cnd tensiu-
nea scade.

Fig. 12.1. Schema-bloc general de alimentare n curent continuu:
T transformator de putere; R redresor; F filtru; S stabilizator; R
S
sarcina.
Stabilizatorul S este partea care realizeaz stabilizarea tensiunii
redresate i filtrate (blocul stabilizator) i care furnizeaz la bornele
de ieire tensiunea constant independent de curentul de sarcin.
n funcie de natura sarcinii, redresoarele se clasific n:
redresoare cu sarcin rezistiv (R);
redresoare cu sarcin inductiv (RL);
redresoare cu sarcin capacitiv (RC).
Aceste sarcini necesit alimentarea cu o tensiune continu de
valoare fix sau reglabil. n funcie de posibilitatea de a
furniza sau nu o tensiune reglabil, redresoarele se mpart n:
redresoare necomandabile care furnizeaz la ieire o
tensiune fix;
redresoare comandabile care furnizeaz la ieire o
tensiune reglabil.
n funcie de numrul de faze al transformatorului de alimentare
redresoarele se pot clasifica n:
redresoare monofazate, folosite pn la puteri de 1 KW;
Valentin GUU
491
redresoare polifazate care se folosesc la puteri mai mari
de 1 KW.
n acest capitol vor fi studiate, pe rnd, toate componentele schemei
bloc din figura 12.1, cu excepia transformatorului, care a fost obi-
ectul de studiu al Capitolului 6.
1. Blocul redresor
n unele cazuri practice prezena filtrului F (figura 12.1) nu este
strict necesar, la alimentri nepretenioase cum ar fi ncrcarea
bateriilor de acumulatoare. Cea mai simpl instalaie de redresare n
astfel de cazuri este reprezentat n figura 12.2, a compus din ge-

a

b
Fig.12.2. Redresor monofazat monoalternan:
a schem real; b circuit echivalent pe durata deconducie a diodei (o semiperioad).

Fig. 12.3. Diagramele de va-
riaie n timp a tensiunilor e
2

i u(t) la un redresor mono-
fazat monoalternan.
neratorul de c.a. (e
2
), dioda semiconductoare D i rezistena de sar-
cin R. n prima semiperioad a tensiunii electromotoare sinusoida-
492
le e
2
= E
2 m
sin et dioda este polarizat n sens direct i curentul n
circuit este:
e
2
E
2m

i (t) = = sin et = I
m
sin et .
R R
Tensiunea la bornele rezistenei de sarcin, egal cu u
R
= e - u
R
i
va
fi egal cu u
R
= e dac dioda este ideal (R

i
= 0, curba punctat n
figura 12.3). n semiperioada urmtoare t.e.m. este negativ, dioda
este blocat (polarizat invers); curentul n circuit i tensiunea la
bornele rezistenei de sarcin sunt egale cu zero. n figura 12.3 sunt
date formele de und ale t.e.m. i tensiunii u
R
doar pe durata unei
perioade T fiindc fenomenul este periodic.
Valoarea medie a tensiunii redresate (este pulsatorie) sau compo-
nenta de curent continuu se determin:
E
m

R
= U
0
= = 0,318 E
m
.
t

a b
Fig. 12.4. Redresor monofazat dubl alternan:
a circulaia curentului cnd conduce dioda D
1
; b cnd conduce dioda D
2
.
Redresoarele monofazate dubl alternan se utilizeaz sub forma a
dou montaje fundamentale [8]:
montajul transformator cu priz median;
montajul n punte.
Deci, utilizarea unui transformator cu priz median i a dou diode
semiconductoare permite redresarea ambelor alternane ale tensiu-
Valentin GUU
493
nii alternative (figura 12.4).Cele dou tensiuni la bornele nfur-
rii secundare sunt n opoziie de faz, aa nct cele dou diode
conduc pe rnd, pe durata a cte o semiperioad. Tensiunea la
bornele rezistenei de sarcin rezult tot pulsatorie (figura 12.5), dar
componenta de curent continuu este dubl fa de cazul precedent:
2 E
m

R
= U
0
= = 0,636 E
m
.
t

Fig. 12.5. Variaia n timp a tensiunilor e
2
i u (t) pentru un redresor
monofazat dubl alternan.
Mai frecvent ns n practic este utilizat montajul n punte (figura.
12.6), din cauza tehnologiei mai complicate de fabricare a transfor-
matoarelor cu priz median (i cost mai mare). Principiul de func-

a

b
Fig. 12.6. Redresor monofazat n punte:
a circulaia curentului la semialternana pozitiv; b circulaia curentului n
semialternana negativ.

494
ionare i n acest caz nu necesit explicaii suplimentare.
Netezirea tensiunilor pulsatoare se realizeaz cu ajutorul filtrelor de
netezire (F, n schema din figura 12.1), care cel mai frecvent
prezint simple condensatoare, conectate n paralel cu rezistena de
sarcin (figura 12.7).

a

b

Fig.12.7. Redresor monofazat monoalternan cu filtru capacitiv:
a schema electric; b circuitul echivalent pe durata conduciei diodei.

Fig. 12.8. Diagramele de
variaie n timp a tensiunilor
i curentului.
2. Blocul stabilizator
Generaliti
Se atrage atenia cititorului c n aceast lucrare (n acest capitol)
vor fi prezentate i analizate doar stabilizatoarele electronice de
tensiune sau de curent continuu; motivul principal, pe lng spaiul
care totdeauna-i limitat este, c majoritatea dispozitivelor i apara-
telor electronice necesit pentru funcionare surse de alimentare cu
energie de curent continuu. Aceast energie, n mod obinuit, se
Valentin GUU
495
obine de la reeaua electric, prin redresarea i filtrarea tensiunii
alternative, sau de la baterii i acumulatoare.
Dar independent de tipul sursei, aceasta trebuie s alimenteze
solicitantul cu o tensiune i un curent de anumit valoare care
foarte frecvent se cere meninut n anumite limite, determinate de
funcionarea calitativ a circuitului sau aparatului n cauz.
Pentru meninerea constant a tensiunilor sau curenilor de
alimentare, n practic se utilizeaz deci stabilizatoare de
tensiune sau curent (n schema din figuta 12.1 S ).
La ora actual se cunoate un numr mare de dispozitive destinate
stabilizrii tensiunii sau curentului, continuu sau alternativ. Aceste
dispozitive pot fi clasificate dup:
puterea pe care o controleaz;
tipul schemei;
tipul elementelor utilizate pentru stabilizare;
gradul de stabilizare sau natura sarcinii.
n paragraful precedent au fost prezentate redresarea curentului
alternativ i redresoarele cu care se pot obine tensiuni sau cureni
continui; aceste mrimi depind ns att de tensiunea alternativ de
alimentare care poate varia, ct i de sarcin care, de asemenea, se
poate modifica. De aceea redresoarele nu pot constitui surse
directe de alimentare cu energie de curent continuu, pentru nume-
roasele echipamente i dispozitive electronice
Stabilizarea unei tensiuni continue, n principiu poate fi fcut
nainte de redresor (se menine constant tensiunea
alternativ de alimentare a acestuia), sau dup redresor (ntre
acesta i sarcin se intercaleaz un element capabil s preia
variaiile de tensiune). Dac prima variant preia numai variaiile
tensiunii alternative de reea, cea de-a doua are avantajul meninerii
constant a tensiunii de sarcin, oricare ar fi cauzele ce tind s o
modifice. Din acest motiv dispozitivele din a doua categorie sunt
preferate n practic i au cptat o rspndire mai larg.
Stabilizatorul de tensiune este un aparat conectat
ntre surs i consumatorul de energie electric, care servete la
496
micorarea variaiilor tensiunii de alimentare pn la limitele impu-
se de performanele pretinse.
Stabilizatorul de curent se definete n mod analog cu
stabilizatorul de tensiune, fiind variaiile curentului acelea care
trebuie micorate pn la limitele impuse.
Aciunea de stabilizare se bazeaz, n general pe neliniari-
tatea caracteristicilor termorezistenelor, diodelor semiconduc-
toare, tranzistoarelor sau a curbei de magnetizare a oelului (histe-
rezis).
Exist urmtoarele tipuri principale de stabilizatoare:
regulatoare electromagnetice sunt utilizate de obicei
pentru reglarea tensiunii alternative i continue, n instalaii de
mare putere. n acest caz sunt folosite, n general transforma-
toare cu prize;
stabilizatoare electromagnetice aciunea de stabilizare se
bazeaz pe proprietile miezurilor magnetice saturate;
stabilizatoare parametrice acestea folosesc o impedan
neliniar, n serie sau n paralel cu sarcina, capabil s
compenseze variaiile parametrului de ieire;
stabilizatoare electronice prin compensaie elementul
neliniar preia variaiile de tensiune sau curent ale sarcinii, n
urma unei comenzi prin intermediul buclei de reacie. La
temelia acestor scheme se afl principiile reglrii automate.

Fig. 12.9. Schema-bloc de conectare
a unui stabilizator de tensiune.
Aceste stabilizatoare sunt denumite adesea stabiliza-
toare electronice; de altfel, ca i stabilizatoarele
parametrice care sunt de asemenea stabilizatoare electronice.
Valentin GUU
497
Din schema-bloc de conectare a unui stabilizator de tensiune
prezentat n figura 12.9 se vede c stabilizatorul de tensiune (2)
propriu-zis se intercaleaz ntre sursa de tensiune nestabilizat (1)
i consumatorul de energie (3).
Reprezentnd grafic teorema (sau legea) 2 Kirchhoff, scris pentru
circuitul din figura 12.10, a se poate analiza modul n care o surs
cu o for electromotoare E i o rezisten intern r alimenteaz un
consumator, reprezentat prin rezistena de sarcin R
S

:
E = r i
S
+ u
S
. (12.1)
n figura 12.11, a i respectiv 12.11, b este reprezentat deplasarea
punctului static de funcionare, provocat de variaia forei electro-
motoare. Variaiile de tensiune la bornele sarcinii i a curentului
prin sarcin sunt determinate de rezistena intern a sursei r i de
fora electromotoare E, id est (adic) :
Au
S
= A E r Ai
S
. (12.2)

a

b
Fig. 12.10. Circuit de alimantare nestabilizat (a). Determinarea
punctului de funcionare (b).
Aa surse de alimentare ca bateriile au o rezisten intern mic i o
for electromotoare relativ constant; acestea asigur variaii de
tensiune i de curent comparativ mici. Dar, din cauza energiei
reduse de care dispun, aparatura portabil este sfera limitat a
utilizrii bateriilor.
498
n majoritatea cazurilor alimentarea cu energie electric de curent
continuu se face prin redresarea i filtrarea tensiunii alternative din
reea. Variaiile relativ mari ( 15 %) ale tensiunii reelei apar i n
tensiunea continu, obinut la ieirea circuitului de filtrare.
Rezistena intern a sursei, format din redresor i filtru este, de
fapt mai mare dect a bateriilor; valoarea rezistenei interne depin-
de de tipul redresoaului, a filtrului. De exemplu, la redresoarele du-
bl alternan, cu condensator de filtrare la ieire rezistena intern
este, totui relativ mic, n comparaie cu redresoarele cu multi-
plicarea tensiunii, la care aceasta poate atinge valori semnificative.

a

b
Fig. 12.11. Deplasarea punctului de funcionare la:
a variaia rezistenei de sarcin; b variaia forei electromotoare.
Deci asigurarea variaiilor mici ale tensiunii de alimentare, impuse
de aparatura electronic de precizie, poate fi realizat pe calea
intercalrii ntre surs i consumator un element stabilizator
(figura 12.9). Rolul acestuia este de a micora variaiile tensiunii
sau a curentului sursei de alimentare, pn la limitele pe care consu-
matorul de energie le impune.
Precum a fost menionat mai sus, funcie de mrimea care se cere
stabilizat, stabilizatoarele se clasific n stabilizatoare de tensiune
i stabilizatoare de curent.
n mod uzual, stabilizatoarele trebuie s fac fa urmtoarelor
cerine:
la variaiile tensiunii de reea n limitele prescrise (s 15%)
tensiunea sau curentul trebuie s se menin constante;
Valentin GUU
499
variaiile mrimii de ieire nu trebuie s depeasc 12% n tot
diapazonul de temperaturi i sarcini, prescris (sunt cazuri de cerine
i mai aspre, fiind necesar o precizie mult mai nalt);
componenta alternativ a tensiunii de ieire < 20 mV;
rezistena intern a stabilizatoarelor mai mic de 20 O;
prin funcionarea sa, stabilizatorul nu trebuie s produc per-
turbaii n reea;
randamentul stabilizatorului ct mai nalt posibil.
n funcie de aparatura electronic alimentat, suplimentar mai apar
cteva condiii:
la cuplarea i decuplarea stabilizatorului nu trebuie s apar
supracureni sau supratensiuni care ar pune n deficultate circuitele
alimentate;
stabilizatorul trebuie protejat la scurtcircuit sau suprasarcini;
ntreruperea tensiunii n cazul alimentrii unor instalaii de
calcul trebuie s fie semnalizat, iar stabilizatorul s nu funcioneze
dect dup intervenia specialistului care decide dac programul
trebuie corectat sau nu.
Caracteristicile stabilizatorului
Stabilizatorul, indiferent de modul n care este realizat poate fi
reprezentat sub forma unui cuadripol (figura 12.12).
Caracteristicile (performanele) stabilizatorului (ST) pot fi evaluate
cu ajutorul unor relaii ntre variaia mrimii stabilizate i variaiile
mrimilor sau perturbaiile care o produc.

Fig. 12.12. Reprezentarea stabilizato-
rului printr-un cuadripol.

a b
Fig.12.13.Caracteristicile stabiliza-
toarelor: a stabilizator de tensiune; b
stabilizator de curent.
500
Dac se cunoate expresia analitic a mrimii de ieire, se utilizeaz
derivatele pariale. Dar n majoritatea cazurilor expresia analitic a
tensiunii de ieire este dificil de stabilit, de aceea performanele
unui stabilizator se determin pe cale experimental, considernd
variaii mici.
Tensiunea va fi cu att mai bine stabilizat, cu ct rezistena intern
a ST, care se definete ca derivata parial a tensiunii de ieire u
s
n
funcie de curentul i
s
(de ieire)

u
S
Au
S
R
i
= ~ (12.3)
i
S
u
i
= const Ai
S
u
i
= const
= const = const
va fi mai mic. Stabilizatoarele de curent ns invers tebuie s
aib rezistena intern ct mai mare.
Caracteristicile curent-tensiune (care poart denumirea i de
caracteristici externe) ale stabilizatoarelor de tensiune i
curent sunt date n figura 12.13, a i b. n relaia (12.3) prin u
i
a
fost notat tensiunea de intrare, iar prin temperatura.
Mrimile cele mai importante, care definesc i influeneaz deci
mrimea de ieire sunt tensiunea de intrare, temperatura i
rezistena de sarcin.
Factorii de stabilizare se determina prin raportul dintre variaia rela-
tiv a mrimii perturbatorii i variaia relativ a mrimii stabilizate.
Cu ct mai mari sunt factorii de stabilizare, cu att mai bune sunt
performanele unui stabilizator; deoarece variaia mrimii de ieire
se afl n numitor, factorii de stabilizare ai unui stabilizator ideal
sunt infinii [8].
Raportul dintre variaia absolut a mrimii stabilizate i variaia
absolut a mrimii care provoac aceste variaii caracterizeaz, de
asemenea eficiena unui stabilizator.
Rapoartele se numesc coeficieni, cei mai utilizai fiind
coeficienii de temperatur ai stabilizatorului, definii
cu relaiile urmtoare:

Valentin GUU
501
pentru tensiune

u
S
A u
S

K
U
= ~ (12.4)
u
i
= const A u
i
= const
R
S
= const R
S
= const

i pentru curent
i
S
A i
S

K
I
= = (12.5)
U
i
= const A
R
S
= const

Coeficienii K
U
i K
I
, evident, trebuie s fie ct mai mici posibil.
n cazul ST se mai utilizeaz un coeficient de stabili-
zare care este definit astfel:
1 A u
i

S = ~ (12.6)
u
S
A u
S
I
S
= const
= const
u
i
I
S
= const
= const

Coeficientul de stabilizare S a unui stabilizator calitativ i eficient
trebuie s fie mare.
Stabilizatoare cu reacie
Acest tip de stabilizatoare prezint sisteme de control i reglaj
automat; mrimea de ieire care trebuie stabilizat, id est meninut
constant este comparat ntr-un detector de eroare (n sistemele
automate sumator) cu o mrime constant, furnizat de elementul
de referin. Schema bloc a unui stabilizator cu reacie este dat n
fig. 12.14.
Variaia mrimii de ieire provoac apariia la ieirea detectorului a
unui semnal de eroare; amplificatorul de eroare l amplific i
comand elementul de reglaj care readuce mrimea de ieire la
valoarea iniial stabilit.
502
Circuitul de protecie asigur funcionarea stabilizatorului
intervenind n momentul n care mrimea de ieire depete o
anumit valoare.

Fig. 12.14. Schema-bloc a stabilizatoarelor cu reacie la ieire.

Modul de acionare a elementului de reglaj determin categoria
stabilizatoarelor care pot fi:
stabilizatoare cu reacie cu aciune discontinu;
stabilizatoare cu reacie cu aciune continu.

Fig. 12.15. Schema-bloc a stabilizatoarelor cu reacie la intrare.
ntruct sursa de tensiune nestabilizat furnizeaz un curent i o
tensiune care depind att de fora electromotoare ct i de sarcin,
stabilizatoarele ar putea aciona i conform schemei bloc din figura
Valentin GUU
503
12.15. Dar, deoarece mrimea de ieire nu este supravegheat
direct, exist pericolul real al unei suprareglri la variaii simultane
a mrimilor perturbatoare. De aceea n practic, pentru a mbunti
performanele stabilizatoarelor se combin cele dou scheme-bloc.
Stabilizatoare cu aciune discontinu
Principiul de funcionare a stabilizatoarelor cu aciune discontinu
const n reglarea valorii medii a tensiunii de ieire, prin conectarea
i deconectarea consumatorului de la sursa de alimentare nestabili-
zat (figura 12.16).

a

b
Fig. 12.16. Stabilizatoare cu aciune discontinu:
a schem de principiu; b cariaia tensiunii.
Tensiunea este furnizat consumatorului prin intermediul circuitului
de acumulare (n figura 12.15 punctat), constituit din dioda D,
condensatorul C i inductana L (figura 12.156 a). Prezena induc-
tanei face ca tensiunea la bornele consumatorului s varieze ntr-un
timp finit, ca n figura 12.16, b; dioda D permite trecerea curentului
prin consumator cnd ntreruptorul este deschis. Detectorul de
eroare, prin intermediul amplificatorului de eroare comand nchi-
derea i deschiderea ntreruptorului n momentul cnd tensiunea de
ieire atinge valoarea minim i, respectiv maxim. Valoarea medie
a tensiunii de ieire poate fi calculat astfel:

T
1
T
1
U
med
= E = E . (12.7)
T
1
+ T
2
T
504
Valoarea medie poate fi meninut constant, folosind unul din
urmtoarele 3 procedee:
cu T
1
variabil, iar T
2
constant;
cu T
1
constant, iar T
2
variabil;
cu T
1
i T
2
variabile.
Stabilizatoarele cu aciune discontinu au un randament nalt, dar
performanele dinamice sunt ... mai puin performante. De aici i
utilizarea lor practic, ceva mai moderat.
Stabilizatoare cu reacie cu aciune continu
Stabilizatoarele cu reacie, n funcie de modul de conectare a ele-
mentului de reglaj (ER) pot fi clasificate n:

a

b
Fig. 12.17. Stabilizatoare de tensiune (ST) cu aciune continu:
a cu element de reglaj serie; b cu element de reglaj paralel.
stabilizatoare serie; stabilizatoare paralel.

a

b
Fig. 12.18. Stabilizatoare de curent cu element de reglaj serie (a), paralel (b).
Valentin GUU
505
Schemele-bloc ale ST (stabilizatorului de tensiune) sunt date n
figura 12.17, a i 12.17, b unde sursa nestabilizat este reprezentat
prin fora electromotoare E, rezistena intern r i tensiunea de
ieire u
i
, iar consumatorul prin rezistena de sarcin R
S
, tensiunea
u
S
i curentul i
S
(ca n figura 12.12).
Schemele-bloc ale SC (stabilizatorului de curent) sunt prezentate n
figura 12.18, a i 12.18, b; n general, elementele de referin
furnizeaz o tensiune constant, de aceea detectorul de eroare com-
par, la SC cderea de tensiune produs de curent care este mrimea
de ieire, pe rezistena R
T
.

a

c
Fig.12.19. Schema echivalent pentru
stabilizatoarele cu element de reglaj
serie (a) i deplasarea punctului de
funcionare la variaia tensiunii (b)
i a rezistenei de sarcin (c).

b

Principiul de funcionare a stabilizatoarelor serie poate fi uor
neles, analiznd circuitul din figura 12.19, a i caracteristicile
curent tensiune din figura 12. 19, b i 12.19, c unde s-au pre-
zentat grafic egalitile:
u
S
= E i
S
(R + r) = i
S
R
S
. (12.8)
506
n figura 12.19, b s-a presupus c f.e.m. E a crescut la valoarea E
1
,
iar rezistena de sarcin a rmas constant; n figura 12.19, c
invers, s-a presupus c constant a rmas E, iar rezistena de sarcin
s-a micorat la valoarea R
S 1
.
n urma modificrilor de mai sus au loc variaii ale tensiunilor i
curenilor, punctul de funcionare deplasndu-se din A n B; dac se
ine seama c u
S
= i
S
R
S
, n cazul unei rezistene de sarcin
constante, meninerea constant a tensiunii asigur i meninerea
constant a curentului. n mod analog, un stabilizator de curent va fi
concomitent i un stabilizator de tensiune.

a b
Fig. 12.20. Circuitul echivalent pentru stabilizatorul
cu element de reglaj paralel.

a

b
Fig. 12.21. Deplasarea punctului de funcionare
la variaia tensiunii (a) i variaia sarcinii (b).
Ca tensiunea consumatorului s fie constant la creterea f.e.m. de
la valoarea E la E
1
, este necesar s fie mrit rezistena R a
elementului de reglaj la valoarea R
1
, astfel nct punctul de
funcionare s revin n A. Majorarea rezistenei R
1
produce o rotire
a dreptei n jurul punctului M
1
corespunztor noii f.e.m. E
1
.
n cazul scurtcircuitrii rezistenei de sarcin, are loc creterea cure-
Valentin GUU
507
ntului prin elementul de reglaj la valoarea E
1
/(R + r), id est depla-
sarea punctului de funcionare pn n N
1
.
n mod asemntor se poate analiza funcionarea stabilizatorului,
cnd se menine constant E i la micorarea rezistenei de sarcin
de la valoarea R
S
la valoarea R
S 1
.
Meninerea tensiunii constant se poate realiza prin deplasarea pun-
ctului de funcionare n poziia C, id est prin micorarea rezistenei
elementului de reglaj; pentru a menine curentul constant este nece-
sar deplasarea punctului de funcionare n D, adic prin majorarea
rezistenei elementului de reglaj.
Principiul de funcionare a stabilizatorului paralel poate fi analizat
n mod analog, considernd circuitul din figura 12.21, a care poate
fi transformat n circuitul din figura 12.21, b folosind teorema lui
Thevenin (teorema generatorului echivalent).
Aplicnd iari teorema 2 Kirchhoff circuitului din 12.21, b se
obine:
u
S
= E
0
i
S
R
0
= i
S
R
S
, (12.9)
unde
ER
E
R
E
(R + r)
E
0
= i R
0
=
R
E
+ R + r R
E
+ R + r
Egalitile (12.9) pot fi prezentate grafic, ca i n cazul stabiliza-
torului serie, n planl curent tensiune (figura 12.21). Dat fiind c
E
0
E
= , (12.10)
R
0
R + r
punctul de intersecie cu ordonata are aceleai coordonate ca i n
cazul stabilizatorului serie. O cretere a tensiunii E, la meninerea
constant a rezistenei de sarcin, produce o deplasare a punctului
de funcionare n poziia B (figura 12.21, a). Curentul i tensiunea
se vor menine constante, pentru ce este necesar de rotit dreapta de
sarcin n jurul punctului N
1
, ceea ce nseamn micorarea rezisten-
ei elementului de reglaj.
Dac se menine constant tensiunea E, la o scdere a rezistenei de
508
sarcin, pentru a menine constant curentul este necesar deplasarea
punctului B n D, id est rotirea dreptei de funcionare n jurul
punctului N; aceasta este echivalent cu o micorare a rezistenei
elementului de reglaj. Meninerea tensiunii constante este posibil
mrind rezistena elementului de reglaj, adic deplasnd punctul de
funcionare n poziia C.
Prin elementul de reglaj curentul este egal cu zero, dac are loc un
scurtcircuit la ieire. O rezisten de sarcin R
S
= (funcionarea n
gol) deplaseaz punctul de lucru n poziia N, ER revenindu-i nt-
reaga tensiune; atunci cnd E = E
1
apare cel mai defavorabil caz.
Acest paragraf este finalizat cu un exemplu concret, n care, pentru
simplificare este utilizat dioda Zener ca element de reglaj (ER).
Exemplu. Circuitul de stabilizare a tensiunii la bornele rezistenei de
sarcin, indicat n figura 12.22, a cuprinde sursa ideal de tensiune continu cu
t.e.m. E
A
= 20 V, n serie cu o diod Zener polarizat n sens invers i cu o
rezisten R = 0,4 kO pentru fixarea punctului static pe caracteristica diodei.

Fig. 12.22. Exemplu de stabilizator (elementar).
Caracteristica static a diodei Zener prezint n conducie invers o poriune n
care tensiunea de polarizare este u
A
= U
A
= 12 V independent de curent,
pentru un curent mal mic de 2 mA. Funcionarea circuitului poate fi urmrit
n presupunerea, pentru nceput c ntreruptorul este deschis, deci regim
static. Punctul static de funcionare este plasat la intersecia dreptei de sarcin,
ecuaia creia este
E
A
= R i
A
u
A

cu caracteristica static a diodei
i
A
= f (u
A
).
Valentin GUU
509
Dreapta de sarcin intersecteaz axa tensiunii la valoarea u
A0
= 20 V. Deoa-
rece intersecia cu axa curentului iese din cadrul figurii (i
A0
= 20 / 0,4 = 50
mA), al doilea punct al dreptei de sarcin se determin dnd curentului o
valoare convenabil. De exemplu, curentului i
A0
= 10 mA i corespunde (car-
acteristicile fiind liniare pe segmentul considerat) u
A0
= 20 + 0, 4 10 =
16 V. Coordonatele punctului static de funcionare P
1
rezult direct din
grafic, adic: U
A1
= U
Z
= 12 V; I
A1
= 20 mA.
La nchiderea ntreruptorului K se conecteaz rezistena de sarcin care pre-
zint un reostat, utilizat ca rezisten ajustabil (0 2 kO). Presupunnd c
R
S
= 1,2 kO, poate fi calculat curentul de sarcin la tensiunea de 12 V, sensul
de referin fiind cel indicat n figura 12.23:

U
A1
U
Z
12 V
I
r
= = = = 10 mA.
R
S
R
S
1,2 kO
Astfel, curentul prin dioda Zener crete de la valoarea I
A1
= 20 mA la I
A2
=
10 mA, ca curentul prin surs i prin rezistena de sarcin R
S
s nu se
schimbe. Pe segmentul considerat al caracteristicii, pentru un curent invers i
A
s

Fig. 12.23.
s 2 mA dioda Zener se comport ca o surs
ideal de tensiune cu t.e.m. U
Z
= 12 V cu po-
laritatea indicat n figura alturat. Fa de ter-
minalele diodei, generatorul echivalent are t.e.m
R
S
1,2
E
'
A
= E
A
= 20 = 15 V
R
S
+ R 1,2 + 0,4
i rezistena intern

R
S
R 1,2 0,4
R
'

= = = 0,3 kO.
R
S
+ R 1,2 + 0,4
Deci, noua dreapt de sarcin are ecuaia
E
'
A
= R
'
i
A
u
A
,
aceasta intersectnd caracteristica static a diodei i
A
= f (u
A
) n punctul static
de funcionare P
2
, coordonatele cruia sunt (v. figura 12.22, b):
I
A2
= 10 mA i U
A2
= U
Z
= 12 V.
n c o n c l u z i e : modificarea rezistenei de sarcin n limitele (1,2 2) kO
provoac o modificare a curentului de sarcin n limitele ( 10 6) mA i a
curentului prin dioda Zener n limitele ( 10 14) mA, astfel nct s rmne
510
fr modificare tensiunea la bornele rezistenei de sarcin. Deci, este vorba
despre un stabilizator elementar de tensiune (ST, v. schema-structur figura
12.17, b ).
12.2. GENERAREA OSCILAIILOR ARMONICE
Generarea oscilaiilor armonice este legat de noiunea generator
de oscilaii armonice (sau simplu generator armonic) un circu-
it electronic care este capabil s transforme energia surselor de c.c.
n energie de c.a. de frecven diferit de cea industrial (50 sau 60
Hz). Pentru o mai bun i profund nelegere a ideilor de baz este
util o paralel ntre un amplificator de semnale arminice i
un oscilator armonic, care schematic pot fi reprezentai ca n figura
12.24, unde sensul transferului de energie este indicat prin sgei.

Fig. 12.24.
Un amplificator (v. 12.3) este un circuit cu dou perechi de borne
de acces la exterior: de intrare i de ieire. La bornele de intrare se
conecteaz o surs de tensiune (curent) cu t.e.m. alternativ sinu-
soidal i frecven dat, cu o amplitudine mic (de regul, mV). La
bornele de ieire se conecteaz un receptor de energie (poate fi un
difuzor electromagnetic). Tensiunea la bornele receptorului este de
asemenea alternativ sinusoidal, cu aceeai frecven dar cu ampli-
tudinea mult mai mare dect cea a tenslunii de intrare: se spune c
amplificatorul realizeaz o amplificare n tensiune. Realmente,
amplificatorul realizeaz nu numai o amplificare n tensiune sau cu-
rent, ci i n putere, n sensul c puterea transmis receptorului n
c.a. este mult mai mare dect puterea primit de amplificator, de la
sursa de semnal conectat la intrare. Aceast amplificare n putere
are loc pe contul energiei furnizate de sursele de c.c. care au i rolul
de fixare a punctelor statice de funcionare ale componentelor elect-
Valentin GUU
511
ronice n regimurile liniare ale caracteristicilor statice.
Oscilatorul, spre deosebire de amplificator (figura 12.24, b) nu
primete din exterior energia de c.a. La ieire oscilatorul furnizeaz
energie de c.a., de frecven, n general mai mare dect frecvena
reelei de energie electric. Oscilatorul primete energie de la surse-
le de c.c. care, ca i n cazul amplificatorului, servesc i pentru
fixarea punctelor statice de funcionare ale dispozitivelor electro-
nice pe baza crora este construit.
1. Principiul reaciei pozitive
Exist numeroase principii de funcionare ale oscilatoarelor, ca
sisteme electronice autonome de generare ale oscilaiilor armonice.
n continuare va fi analizat unul dintre aceste principii, mai simplu
de neles i mai frecvent utilizat n practic. ntr-o form simplifi-
cat, un oscilator denumit al reaciei pozitive este reprezentat n
figura 12.25. Aici amplificatorul de tensiune are semnalul de intrare
u
1
i semnalul de ieire u
2
defa-
zat cu t radiani n urm (ampli-
ficatorul este inversor). Amplifi-
carea n tensiune A
u
, definit ca
raport al imaginilor n complex
ale celor dou tensiuni
U
2
U
2
e
jt
U
2

A
u
= = = e
jt
=
U
1
U
1
e
j
0
U
1

U
2

= = A
u
,
U
1

Fig. 12.25. Principiul reaciei
pozitive de generare a oscilaiilor.
adic este un numr real i negativ. Tensiunea la ieire este condii-
onat de o tensiune prezent la intrare. Presupunem c se adaug un
circuit pasiv de reacie, ca n figura 12.25. Acest circuit produce
asupra semnalului de intrare o anumit atenuare, defazndu-l n
urm cu t radiani, astfel nct la ieirea lui rezult semnalul u
3
care
este n faz cu cel de la intrarea amplificatorului; strict vorbind,
512
semnalele u
3
i u
1
sunt n faz, fiindc defazajul total este de 2t
radiani. Semnalul de la ieirea circuitului de reacie u
3
poate fi fcut
identic semnalului u
1
de la intrarea amplificatorului, n acest caz u
3

poate fi suprimat iar bornele, de ieire a circuitului de reacie i de
intrare a amplificatorului conectate mpreun (figura 12.26). Siste-

Fig. 12.26.
mul va continua s genereze un
semnal de ieire alternativ i sin-
usoidal; amplificatorul continu
s aib un semnal de intrare, dar
acesta provine chiar din semna-
lul de la ieire, prefcut i trans-
mis de circuitul de reacie. Exact
n aceasta const esena i rolul reaciei pozitive: meninerea
oscilaiilor sinusoidale, bazat pe instabilitatea unui sisten cu bucl
pozitiv.
2. Condiia de meninere a oscilaiilor
Circuitul din figura 12.24 produce o amplificare, definit ca raport
ntre U
3
i U
1
, adic A
u
= U
3
/ U
1
care este egal cu unitate, din
cauza c i pe calea de reacie se realizeaz o modificare a fazei cu
t radiani. Aceasta este amplificarea cii formate din circuitul de
reacie i amplificator. Notnd prin | funcia de transfer
a circuitului de reacie, dat ca
U
3

|

= ,
U
2

se poate observa c produsul A
u
| este amplificarea cii i c este
egal cu unitatea:
| A
u
= 1 Z 0.
Circuitul de reacie, realizat cu componente pasive R C, produce
asupra semnalului o atenuare |, din acest motiv oscilatorul armonic
va funciona numai dac amplificatorul va asigura o amplificare
egal cu 1/ |. Oscilatorul armonic ncepe s funcioneze fr un
semnal de start, oscilaiile se amorseaz de ndat ce se conectea-
Valentin GUU
513
z sursele de c.c. Trebuie de menionat de asemenea c relaia |A
u
=
= 1 care este condiia de amorsare a oscilaiilor, nu este satisfcut
n general, ci doar pentru o anumit frecven f
0
impus de valorile
elementelor schemei concrete. Prin urmare, un oscilator armonic, n
general, trebuie s conin:
un circuit electronic care ar asigura o amplificare n tensiune,
adic un amplificator;
un circuit pasiv cu comportare selectiv n frecven;
un element neliniar pasiv care ar limita amplitudinea oscilaiilor;
surse de alimentare de curent comtinuu.

Exemplu. Se consider o schem practic de oscilator dat n figura
12.27, a unde circuitul de reacie este realizat sub forma unui circuit de scar,
RC . Dac amplificatorul este inversor (amplificare negativ), circuitul gene-
reaz oscilaii de frecven, la care defazajul introdus de circuitul RC (de
reacie) este de t radiani.

Fig. 12.27. Exemplu de realizare a unui oscilator armonic.
Celulele RC pot fi alese identice (R
1
= R
2
= R
3
i C
1
= C
2
= C
3
) sau cu
valori care asigur fiecrei celule o ncrcare neglijabil de ctre cea care i
urmeaz (R
3
= 10R
2
= 100 R
1
i C
3
= 0,1C
2
= 0,01C
1
). Analiza n acest caz se
simplific, deoarece se poate considera fiecare celul ca funcionnd (figura
12.27, a) n gol i realiznd un defazaj egal cu t / 3 rad, aa cum rezult din
diagrama fazorial prezentat n figura 12.27, b.
514
Funcia de transfer a unei celule CR (figura 12.27, a) este:

U
e
R jeCR
= =
U
i
1 1 + jeCR
R +
jeC

Deoarece C
3
R
3
= C
2
R
2
= C
1
R
1
= C R , cu notaiile din figura 12.26, a se obine:
U
3
jeCR
3
= .
U
2
1 + jeCR

Defazajul ntre U
i
i U
e
pentru o singur celul este:
t
= arc tg (e
o
CR)
2
trebuie s fie egal cu t / 3, de unde obinem
t t
= arc tg (e
o
CR)
3 2
i
t
arc tg (e
o
CR) = rad,
6
fiind e
o
frecvena unghiular a oscilaiilor. Prin urmare,
3
e
o
CR = = 0,577.
2

Frecvena oscilaiilor este egal:
0,577 1
f
o
= = .
2t CR 10,88 CR
Atenuarea unei celule (singure) este:
U
e
e
o
C R 0,577 1
= = ~ ;
U
i
1 + (e
o
C R)
2
1 + (0,577)
2
2

Valentin GUU
515
atenuarea celulei de reacie deci, este egal
U
e

3
1
| = | = = .
U
i
8
Aadar, oscilatorul funcioneaz dac amplificatorul realizeaz o amplificare
de cel puin A
u
= A
u
= 8.
Cele expuse mai sus, precum evident este, se refer la oscilatoare
armonice care utilizeaz n circuitul de reacie celule pasive RC.
Aceast cale ns nu este unic, fiind utilizate i alte tipuri de
circuite de reacie. Astfel, dup tipul reelei de reacie, oscilatoarele
RC se mpart n oscilatoare cu reea defazoare (analizat mai sus),
cu punte Wien (cu anularea fazei) i cu punte dublu T(cu anularea
amplitudinii). Din motive explicabile, aceste oscilatoare armonice
nu sunt prezentate, dar pot fi gsite i studiate n [8].
Oscilatoarele sinosoidale tip RC sunt utilizate predominant la frec-
vene joase, acolo, unde n principiu ar fi necesare inductane i
capaciti forte mari, care prezint pierderi importante i deci din
punct de vedere economic nu este justificat folosirea lor.
n comparaie cu oscilatoarele (OSC) de tip LC (v. n continuare),
acestea (RC) au avantajul unei acoperiri mai bune a benzii [8]; aa,
n cazul folosirii unui condensator variabil a crui capacitate este
cuprins ntre C
m
i C
M
, raportul dintre pulsaia maxim i minim
este:

e
M
1 / LC
m
C
M
= =
e
m
1 / LC
M
C
m

pentru un OSC tip LC i
e
M
k / LC
m
C
M
= =
e
m
k / LC
M
C
m
pentru un oscilator RC; n ultima relaie s-a presupus c exist o
frecven e = k/RC, unde k este o constant care depinde de tipul
oscilatorului.
516
De regul, raportul C
M
/C
m
= 10, de aceea relaiile de mai sus
confirm c acoperirea benzii este de cca 3 ori mai mare la OSC tip
RC dect le cele LC.
OSC LC ns sunt superioare celor de tip RC din punct de
vedere al stabilitii frecvenei. Fr dovezi i argumente suplimen-
tare, n continuare vor fi prezentate cteva tipuri de oscolatoare LC,
care au cptat o rspndire mai larg n practic, schemele crora
sunt n mare msur simplificate prin renunarea la circuitele de
alimentare ale tranzistorului (ca amplificator) n curent continuu,
urmrindu-se esena proceselor fizice, parametrii i caracteristicile
care le determin.
innd cont de cele spuse, n figura 12.28, a este dat schema
oscilatorului Hartley; n figura 12.28, b el este prezentat
sub forma de amplificator (A), urmat de cuadripolul de reacie.
Cum bine se observ, se poate modifica cuplajul mutual M dintre

a

b

c
Fig. 12.28. Oscilatorul Hartley:
a schema de principiu; b i c punerea n eviden a amplificatorului urmat de FTS.
cele dou bobine, dac corespunztor se schimb i valorile induc-
tanelor. Din configuraia urmtoare (figura 12.28, c) se vede c
cuadripolul de reacie este, de fapt, un filtru trece-sus (FTS), de tip
k-constant (v. [8]).
n figura 12.29 este prezentat schema clasic (a) i cea modificat
(b) a unui oscilator Colpitts; din ultima se vede c cua-
dripolul de reacie este un filtru trece-jos (FTJ), de tip k-constant.
Parametrul de baz al unui OSC este frecvena oscila-
iilor; pentru a lua cunotin cu modul n care se stabilete
aceast frecven, este util studierea diagramelor de variaie a
atenurii i defazajului ale acestor tipuri de filtre, funcie de pul-
Valentin GUU
517
saia primar q = e /e
0
, unde e
0
prezint frecvena unghiular de
tiere a filtrului.

a b
Fig. 12.29. Oscilatorul Colpitts: a schema
de principiu; b schema modificat, cu FTJ.

a b
Fig. 12.30. Caracteristicile de
atenuare (a) i de faz (b) pen-
tru filtre h-constant ideale.
n figura 12.30 sunt date caracteristicile unor filtre idiale, id est fr
pierderi, care funcioneaz avnd la capete impedane-imagine; se
vede c filtrul introduce un defazaj de t la limita benzii de
trecere, ceea ce nseamn c n acest caz frecvena de oscilaie (f.o.)
corespunde valorii q = 1.
Filtrele reale ns au pierderi, deci atenuarea n banda de trecere nu
este nul, iar caracteristica de faz se modific ca n figura 12.31; n
acest caz, la q = 1 defazajul tinde asimptotic la t, n mod real el

Fig. 12.31. Modificarea caracteristicilor de faz ale filtrelor h-constant,
din cauza pierderilor.
nu poate fi atins n banda de trecere. Dar, graie faptului c n
realitate filtrele nu funcioneaz terminate pe impedane-imagine ci
pe impedanele de intrare, respectiv ieire din amplificatoarele
respective, la ambele capete apar neadaptri. Ca urmare, exist
reflexii ale semnalului la intrarea i ieirea filtrelor, efectul crora
este i introducerea unui defazaj suplimentar. Acesta se adun cu
cel al filtrului i face ca s se ating valoarea t undeva n
vecintatea lui q = 1, n banda de trecere regiunea haurat pe ax
518
din figura 12.31, dar nu la q = 1 exact. Astfel, f.o. este n mare
msur determinat de reeaua de reacie, prin stabilirea poziiei
zonei haurate pe ax, dar n interiorul acesteia depinde de reflexii-
le de la capete, id est de impedanele de intrare i de ieire din amp-
lificator.

a b
Fig.12.32. Oscilatorul Clapp:
a schema de principiu; b schema modificat a oscilatorului cu FTB.

a b
Fig. 12.33. Oscilator cu circuit acordat n baz i colector:
a schema de principiu; b schema modificat cu circuit acordat n B i C.
n figura 12.32, a este dat un tip de OSC, cunoscut sub denumirea
de oscilator Clapp; reeaua de reacie aici este constituit dintr-un
filtru trece-band, FTB iar schema modificat este prezentat n
figura 12.32, b.
Din aceast clas face parte i filtrul corespunztor OSC cu circuit
Valentin GUU
519
acordat n baz i colector, care este prezentat n figura 12.33, b cu
schema de principiu dat n figura 12.33, a. n unele cazuri, cnd se
utilizeaz, de exemplu un TEC-J, la condensatorul C
3
se poate
renuna, n locul lui fiind folosit capacitatea ce exist inerent ntre
terminalale respective ale dispozitivului activ; oscilatorul se nume-
te atunci oscilator cu cuplaj electronic.
Foarte frecvent utilizat este o clas de oscilatoare de nalt precizie
oscilatoare cu cuar; n figurile 12.34 i 12.35 sunt
prezentate dou tipuri de astfel de OSC.

a b
Fig. 12.34. Oscilator cu cuar (variant I).

a b
Fig. 12.35. Oscilator cu cuar (variant II).
Dac cuarul X se nlocuiete cu schema lui echivalent simpli-
ficat, este uor de constatat c reelele de reacie sunt, n esen
filtre trece-band modificate.
520
Dac reeaua de reacie are o configuraie ce poate fi identificat cu
un anumit filtru, criteriile de clasificare ale filtrelor pot fi folosite i
la clasificarea OSC care, n aa fel apar sub o form unificat.
Exist i o categorie de OSC care nu se ncadreaz n clasificaia
menionat; acestea sunt oscilatoarele care utilizeaz drept reele de
reacie circuite de tip punte (sau de tip nul).
n figura 12.36, a, b i c se pot vedea cteva forme uzuale, primele
dou fiind, de fapt puni Wheatstone care funcioneaz la
frecvena de rezonan a circuitului acordat, iar a treia o confi-
guraie de tip T podit.
Punile, evident nu sunt echilibrate (altfel reacia nu ar exista), iar
tensiunea de ieire poate fi n faz sau n antifaz cu cea de la
intrare (depinde de dezechilibru, ntr-un sens sau cellalt); de aici
rezult necesitatea utilizrii amplificatoarelor neinversoare sau
inversoare de faz.

a

c

b

d
Fig. 12.36. Reele de nul pentru OSC (a, b i c). Oscilatorul Meacham (d) .
Un exemplu de aplicaie de acest tip este dat n figura 12.36, d
oscilatorul Meacham, n care este folosit un amplificator
neinversor.
Valentin GUU
521
Elaborarea schemei reale a unui oscilator este o problem ce merit
un studiu aparte, care se face n cteva etape:
a). conform cerinelor declarate se deseneaz ampli-
ficatorul;
b). se deseneaz alturat reeaua de reacie,
dac este cazul sub forma filtrului corespunztor tipului de OSC
specificat;
c). se interconecteaz ieirea amplificator cu intrarea reea
i ieirea reea cu ntrarea amplificator;
d). se urmrete, dac n etapa precedent nu au aprut, even-
tual ci de curent continuu neprevzute, prin care s-ar putea modi-
fica polarizarea dispozitivelor active (dac astfel de ci au aprut,
ele se taie prin condensatoare de valori foarte mari);
e). se caut o schem cu un numr mai mic de elemente dac
este posibil, pornind de la configuraia elaborat n etapa anterioar.
Dac acest lucru (de optimizare) nu este posibil, rmne schema
deja elaborat.

Exemplu. S se deseneze schema real a unui oscilator Hartley cu un
tranzistor n conexiunea EC, alimentat dintr-o singur surs de
curent continuu.
n figura 12.37 sunt oglindite etapele de elaborare a OSC descrise anterior; n
etapa c se observ c apare o cale nedorit de curent continuu: + E
C
i mas,
prin R
3
i rezistena ohnic a bobinei L
1
. Din acest motiv se introduce con-
densatorul C
3
.
n scopul optimizrii, rezistena R
3
se ncearc a fi nlocuit cu un circuit acor-
dat, constituit din L
1
i L
2
, mpreun cu C; conectarea elementelor filtrului din
punct de vedere alternativ, trebuie s fie ca n soluia iniial ntocmai la
aceleai poteniale.
Circuitul care se obine (etapa e), n comparaie cu cel din etapa anterioar (c i
d) are mai puin un condensator de valoare mare, C
3
i o rezisten, R
3
.
Chiar dac n cazul unui singur circuit avantajul nu pare impresionant, el
ncepe s fie substanial i important n producie de serie a acestui circuit.

522

a)

b)

c) i d)

e)
Fig.12.37. Exemplu: desenarea schemei reale a unui OSC Hartley.
12.3. TRANZISTORUL CA AMPLIFICATOR
n capitolul precedent (Capitolul 11, 11.3 i 11.4) suficient de
amnunit a fost descris principiul de funcionare, construcia, sche-
mele de conectare, tipuri, simboluri, caracteristici etc. ale tranzis-
toarelor bipolar (TB) i cu efect de cmp (TEC).
Una dintre sferele importante de aplicaie a tranzistoarelor semicon-
ductoare sunt circuitele de amplificare a semnalelor, unde aces-
tea sunt utilizate n rolul de amplificator calitate, despre care ante-
rior s-a vorbit doar n treact.
n cele ce urmeaz vom prezenta un tablou mai amplu al tranzisto-
rului ca amplificator; ct despre amplificatoarele electronice n
general, aceasta-i o sfer aparte a electronicii moderne, pe ct de
important pe att i de complex, despre care nu se poate vorbi n-
tr-un subparagraf, materie creia i sunt consacrate cri, i nu una!

Valentin GUU
523
12.3.1. Tipuri de conexiuni. Conexiunea de baz
n regim de amplificare
Totui, pentru a nelege mai uor i a ptrunde mai profund n
esena proceselor ce au loc, ne vom permite o recapitulare a celor
cunoscute deja i vom ncerca o trecere coerent la informaii noi
despre tranzistor ca element activ al circuitelor electronice, capabil
s funcioneze ca amplificator de semnale.
Aadar, cele trei regiuni semiconductoare ale TB se numesc emitor
(E), baz (B) i colector (C). Jonciunea polarizat direct este jonc-
iunea emitor-baz (j-EB), jonciunea polarizat invers jonciunea
baz-colector (j-BC). Regiunea emitor este denumit astfel datorit

Fig. 12.38.

Fig.12.39
funciei pe care o ndeplinete: ea emite purttori majoritari prin
jonciunea polarizat direct, j-EB. Aceti purttori sunt n marea lor
majoritate colectai de regiunea tranzistorului numit colector.
Regiunea dintre emitor i colector poart denumirea de baz, n
sensul c este un suport (o baz) pentru cele dou materiale de
acelai tip care o ncadreaz.
Sensurile de deplasare a electronilor prin conductoarele exteri-
oare racordate la emitorul, baza i colectorul unui tranzistor sunt
indicate n figura 12.38.
Pentru tranzistorul npn unde purttorii majoritari sunt electronii,
deplasarea lor prin conductoarele exterioare este o continuare a
deplasrii interne; n tranzistorul pnp conducia intern este
conducie de goluri, fiind conducia curentului n conductoarele
exterioare o conducie electronic. De aceea sensul deplasrii
electronilor n aceste conductoare este opus sensului deplasrii n
interior a golurilor.
524
Sensul curentului, opus sensului deplasrii electronilor este indicat
n figura 12.39; sensul curentului prin conductoare coincide cu sen-
sul de deplasare n interior a golurilor.
Modul de conectare a surselor de c.c. necesare polarizrii jonc-
iunilor i sensul curentului prin aceste surse se prezint n figura
12.40. Curenii prin conductoarele exterioare corespund relaiei
I
E
= I
B
+ I
C
,
fiind aceasta o consecin a legii conservrii sarcinii n regim stai-
onar. Curentul de emitor se mparte n curentul de colector i cel

Fig. 12.40.

Fig. 12.41.
de baz. Curentul de colector este, la rndul su, dependent de
curentul de baz: cu ct debitul purttorilor majoritari injectai n
baz este mai mare, adic I
E
este mai mare cu att mai mare este
curentul de baz I
B
i, n consecin, este mai mare i curentul de
colector I
C
. Deci, cei doi cureni de baz i colector sunt legai
prin relaia
I
C
= | I
B
,
unde | este ctigul n curent sau coeficientul de
amplificare al curentului de baz.
Posibilitatea de a contro-la curentul de colector prin curentul de
baz este fundamental pentru funcionarea tranzistorului bipolar
n regim de amplificator.
Dac TB este folosit ca amplificator, semnalul de intrare se aplic
pe dou dintre cele trei terminale (borne); semnalul de ieire este
cules i el ntre dou dintre cele trei terminale, cu condiia c unul
dintre acestea s fie comun intrrii i ieirii.
Valentin GUU
525
n figura 12.41 sunt prezentate circuite cu emitor comun (EC), dei,
n funcie de scopul urmrit pot fi utilizate i alte scheme de
conectare: cu baz comuni (BC) sau cu colector comun (CC), aa cu
s-a vzut n 11.3. Dar pentru funcionarea tranzistorului ca
amplificator cea mai indicat este schema cu emitor comun EC.
Pentru a trece la scheme concrete ale unui circuit de amplificare i
la funciile elementelor ce le constitue, se cere o prezentare sumar
a relaiilor tensiune-curent pentru tranzistorul cu jonciuni (bipolar,
TB), acesta aflndu-se n conexiunea EC.
12.3.2. Regimul static de amplificare
Starea static a tranzistorului care este un element de circuit cu trei
borne de acces, este determinat de curenii prin borne i
E
, i
C
, i
B
i
de tensiunile ntre borne u
CE
, u
CB
, u
BE
(figura 12.38). Cei trei
cureni satisfac prima teorem Kirchhoff, deci numai doi dintre ace-
ti cureni sunt independeni. Tensiunile dintre borne se coreleaz
dup teorema doi Kirchhoff
u
CB
+ u
BE
u
CE
= 0,
fiind numai dou dintre acestea independente.
Curenii i
C
, i
B
i tensiunile u
BE
, u
CE
sunt mrimile care se aleg pen-
tru caracterizarea strii de conducie a tranzistorului n configuraia
cu EC. Dintre aceste patru mrimi, dou pot fi considerate ca fiind
variabile independente, celelalte dou variabile dependente.
Alegnd ca variabile independente i
B
i u
CB
se pot scrie relaiile:
i
C
= f
1
(i
B
, u
CE
)
u
BE
= f
2
(i
B
, u
CE
),

acestea definind familiile de caracteristici statice de ieire i,
respectiv de intrare ale tranzistorului bipolar.
Caracteristicile de ieire se obin pe cale experimental, utiliznd
circuitul din figura 12.42, n care sunt conectate instrumente
(aparate) pentru msurarea i
B
(A), i
C
(mA) i u
B
(mV), u
C
(V).
526

Fig. 12.42. Circuit pentru determinarea experimental a familiei
de caracteristici staticeale TB.
n figurile 12.43 i 12.44 sunt reprezentate caracteristicile de ieire
i respectiv de intrare ale tranzistorului bipolar de tip npn.

Fig.12.43. Familie caracteristici
de ieire TB tip npn.

Fig. 12.44. Familie caracteristici
de intrare TB tip npn.
12.3.3. Regimul dinamic de amplificare
Din cauza neliniaritii sale, tranzistorul este un element la care
relaiile dintre componentele variabile n timp ale tensiunilor i
curenilor vor fi n general neliniare; numai n anumite condiii
aceste relaii se pot liniariza, prin urmare numai n anumite condiii
semnalul de ieire va depinde liniar de semnalul de intrare. i
aceast particularitate a tranzistorului prezint o deosebit impor-
tan practic n realizarea amplificatoarelor electronice.
Circuitul echivalent al TB la semnal mic
n figura 12.45 se poate vedea schema celui mai simplu etaj de
amplificare, schem cu dou surse de alimentare n c.c., pentru po-
Valentin GUU
527

Fig. 12.45. Etaj de ampli-
ficare elementar
larizarea direct i invers a jonci-
unilor i fixarea, n acest fel, a punc-
tului static de funcionare. Sursa de
semnal e = E 2 sin et este introdus
n circuitul de polarizare a bazei. n
lipsa acestui semnal tranzistorul se afl
ntr-o stare static, determinat de
t.e.m. E
B
, E
C
i de rezistenele R
B
, R
C
.
Punctul static de funcionare se fixea-
z n regiunea liniar a familiei de cara-
cteristici statice, precum va fi artat n continuare. Presupunem I
B
,
I
C
, U
CE
i U
BE
curenii i respectiv tensiunile n regim static de
funcionare a tranzistorului unui etaj de amplificare.
Apariia i prezena semnalului alternativ sinusoidal va modifica va-
lorile curenilor i a tensiunilor n jurul valorilor din punctul static
de funcionare (v. figura 12.46.).

Fig. 12.46. Familia de caracteristici de ieire i regimul dinamic
de funcionare a tranzistorului.
Curenii i tensiunile n acest nou regim numit regim dinamic se
prezint astfel:
528
i
B
= I
B
+ i
b
;
i
C
= I
C
+ i
c
;
i respectiv tensiunile
u
CE
= U
CE
+ u
ce
;
u
BE
= U
BE
+ u
be
,
punndu-se n eviden valorile din punctul static de funcionare i
variaiile i
b
, i
c
, u
ce
i u
be
fa de aceste valori. La semnale mici ace-
ste variaii sunt funcii sinusoidale de timp cu frecvena, egal frec-
venei semnalului i pot fi scrise i n felul urmtor:
i
b
= I
B
i
B
= A i
B
; i
c
= I
C
i
C
= A i
C
etc.
Din analiza grafic dat n figura 12.46 rezult c i
e
i i
b
sunt
mrimi n faz i se afl n faz cu semnalul (t.e.m.) e, iar variaia
tensiunii de colector u
ce
este defazat n urma e cu t radiani.
Regimul dinamic al tranzistorului se descrie prin ecuaiile urmtoare
i
E
= i
C
+ i
B
;
e + E
B
= R
B
i
B
+ u
BE
;
E
C
= R
C
i
C
+ u
CE
.
care se obin scriind ecuaiile lui Kirchhoff pentru schema din
figura 12.44. Dac n aceste ecuaii se nlocuiesc expresiile de mai
sus, rezult:
I
E
+ i
e
= I
C
+ i
c
+ I
B
+ i
b
;
e + E
B
= R
B
i
B
+ R
B
i
B
+ U
BE
+ u
be
;
E
C
= R
C
I
C
+ R
C
i
c
+ U
CE
+ u
ce
.
Aceste relaii se pot simplifica i reveni la o form n care intervin
doar variaiile ce definesc regimul dinamic, fiindc mrimile ce de-
finesc regimul static sunt legate prin relaiile:
I
E
= I
C
+ I
B

E
B
= R
B
I
B
+ U
BE

E
C
= R
C
I
C
+ U
CE
.
Reducnd termenii asemntori, obinem ecuaiile pentru
Valentin GUU
529
regimul dinamic la semnal mic:
i
e
= i
c
+ i
b

e

= R
B
i
b
+ u
be

0 = R
C
i
c
+ u
ce
.
Aceste ecuaii se obin, scriind teore-
mele lui Kirchhoff pe circuitul din
figura alturat (12.47), unde nu mai
sunt prezentate sursele de c.c.

Fig. 12.47.
Etajul de amplificare prezentat ca cuadripol. Parametrii hibrizi
n cazul cnd amplitudinile semnalelor sunt mici, legturile ntre
variaiile tensiunilor i curenilor sunt liniare. Aceste variaii se pot
scrie sub forma:
u
be
= h
ie
i
b
+ h
re
u
ce

i
c
= h
fe
i
b
+ h
ce
u
ce

Ecuaia u
be
= h
ie
i
b
+ h
re
u
ce
este teorema doi Kirchhoff n circui-
tul de intrare; cea de-a doua ecuaie, i
c
= h
fe
i
b
+ h
ce
u
ce
este nu alt-
ceva dect prima teorem Kirchhoff n circuitul de ieire. Coeficie-
nii h
ie
, h
re
, h
fe
i h
oe
se numesc parametri hibrizi i se definesc
n felul urmtor:
u
be
A u
BE
A u
BE

h
ie
= = =
i
b

u
ce= 0
A i
B
A

u
CE = 0
A i
B
u
CE = const

u
be
A u
BE
A u
BE

h
re
= = =
u
ce
i
b = 0
A u
CE
A

i
B = 0
A u
CE
i
B = const

i
c
A i
C
A i
C

h
fe
= = =
i
b

u
ce= 0
A i
B
A

u
CE = 0
A i
B
u
CE = const

530

i
c
A i
C
A i
C

h
oe
= = =
u
ce

i
b = 0
A u
CE
A

i
B = 0
A u
CE
i
B = const

Semnificaia parametrilor de mai sus rezult din schema echivalent
sub forma de diport (sau cuadripol) a tranzistorului, dat n figura
12.48. Aadar, parametrul:
h
ie
este impedana de intrare input, cu bornele de ieire c, e
n scurtcircuit;
h
re
este factorul de transfer invers revers, n tensiune;
h
fe
este factorul de transfer direct forward, n curent;
h
oe
este admitana de ieire output, cu intrarea n gol.
n notaiile de mai sus, primul indice este iniiala cuvntului n
limba englez (cursiv), iar al doilea se refer la se refer la modul
de conexiune a tranzistorului emitor comun.
Utiliznd pentru tranzistor modelul cuadripolului (sau diportului),
poate fi prezentat schema lui echivalent (figura 12.47), care poa-

Fig. 12.48. Schema echivalent a tranzistorului
n prezentarea cuadripol sau diport.
te fi complectat pn la schema echivalent a amplificatorului
(figura 12.49). Sistemul de cureni care definesc parametrii hibrizi
se complecteaz cu ecuaiile
u
be
= e R
B
i
b
;
u
oe
= R
C
i
c
.

Valentin GUU
531

Fig. 12.49. Schema echivalent a unui etaj de amplificare
n prezentarea cuadripol sau diport.
Sistemul de ecuaii prezentat mai sus permite calculul amplificrii
n tensiune a amplificatorului
u
ce

A
u
= .
u
be

12.3.4. Etajul de amplificare cu un tranzistor
Exemplul unui etaj de amplificare practic, n care pentru fixarea
punctului static de funcionare este utilizat un singur izvor de c.c.
este reprezentat n figura 12.50, a.

a

b
Fig. 12.50. Etaj practic de amplificare cu o singur surs de c.c. (a) i
determinarea regimului static al tranzistorului n lipsa sursei de semnal (b).
n ce privete regimul static al tranzistorului, acesta se determin pe
circuitul fr sursa de semnal, dat n figura 12.50, b. Tranzistorul de
tip npn cu germaniu, are cara-cteristicele de ieire din figura 12.43.
532
Calculul elementelor schemei
Se presupune cunoscut curentul de baz n punctul static de funci-
onare, I
B
= 60 A, valoare ce corespunde poziiei punctului static
n regiunea liniar a familiei de caracteristici. Curenii de baz i de
colector satisfac ecuaiile:

E
C
= R
C
I
C
+ U
C E
;
E
C
= R
B
I
B
+ U
BE
.

Fig. 12.51.
Se poate considera pentru un tranzistor cu germaniu c U
BE
~ 0,3 V;
pentru rezistena din circuitul de baz se poate obine valoarea :

E
C
12 V
R
B
= = = 0,2 MO = 200 kO .
I
B
60 A
n cazul unui ctig n curent al tranzistorului | = 50, pentru
curentul de colector se poate obine:

I
C
= | I
B
= 50 60 A = 3000 A = 3 mA.
Acestor valori le corespunde tensiunea colector-emitor de 6 V:
U
C E
= 6 V i rezistena din colector este egal

E U
C E
(12 6 ) V
R
C
= = = 2 kO .
I
C
3
Privitor la rolul condensatoarelor C
i
i C
e
: acestea trebuie s mpie-
dice trecerea curentului continuu prin sursa de semnal i respectiv,
prin rezistena de sarcin.
Valentin GUU
533
La frecvena de lucru aceste condensa-toare trebuie s prezinte
impedane neglijabile, ca s nu influeneze funcionarea normal a
amplificatorului n curent alternativ.
Calculul amplificrii
Funciunea de amplificare a semnalelor alternative sinusoidale
poate fi pus n eviden, urmrind analiza grafic din figura 12.46.
Semnalul alternativ provoac un curent de baz de 20 A; variaia
curentului de baz are loc n lungul dreptei de sarcin (se presupu-
ne c rezistena de sarcin este mult mai mare dect rezistena
colectorului, R
S
>> R
C
) i determin concomitent variaii ale
curentului de colector cu amplitudinea de ~ 0,6 mA i a tensiunii
de colector cu amplitudinea de ~ 1,2 V.
Merit de subliniat faptul c U
C
are variaia opus I
B
; ntre cele
dou mrimi sinusoidale exist un defazaj de t radiani.
Amplificatorul realizeaz o amplificare n curent

I
C
0,6 mA
A
i
= = = 30 .
I
B
20 A
Presupunnd o rezisten de intrare de 1 kO, amplitudinea semna-
lului de tensiune la intrarea amplificatorului va fi de: 1 kO 20A
= 20 mV; amplificarea n tensiune va fi :

1,2 V
A
u
= = 60 .
20 mV
Faptul c amplificatorul este inversor deci, schimb polari-
tatea semnalului de intrare, amplificndu-l, poate fi subliniat indi-
cnd amplificarea ca raport al imaginilor n complex al tensiunilor
u
ce
i u
be
, de unde rezult:
U
ce
U
ce

A
u
= = e
jt
= 60.
U
be
U
be

534
Pentru calculul amplificrii este utilizat schema echivalent n c.c.
a amplificatorului din figura 12.52, n care se ignor sursa de polari-

Fig. 12.52. Schema echivalent a amplificatorului n c.c.n care se ignor
sursa de polarizare i impedanele condensatoarelor de cuplaj.
zare i impedanele condensatoarelor de cuplaj.
Calculul efectuat se bazeaz pe valori tipice ale parametrilor
tranzistoarelor, utilizate pentru amplificarea semnalelor de joas
frecven (j.f.).
Rezistena intern a generatorului de semnal poate varia n limite
foarte largi, funcie de tipul acestui generator: dac este vorba de
uzul laboratorial, rezistena r
g
poate fi de ordinul sutelor de ohmi;
un microfon cu cristal, de exemplu, ar potea avea rezistena r
g
de
ordinul MO-ilor.
Schema echivalent din figura 12.52 poate fi simplificat, fcnd
anumite aproximri:
dat fiind c R
B
~ 0,2 MO, id est cu mult mai mare dect oricare
alt rezisten, aceasta poate fi exclus curentul alternativ prin R
B

este, pur i simplu neglijabil;
poate fi exclus i rezistena 1 / h
oe
, din simplu motiv c, de
regul este mult mai mare dect R
S
' = R
S
||R
C
;
t.e.m. h
re
u
ce
poate fi de asemenea neglijat, fiindc este, de reg-
ul mult mai mic dect u
be
: |u
be
| >> |h
re
u
ce
|.
n tabelul de mai jos sunt date valorile tipice ale parametrilor hibrizi
h, parametri indicai n foaia tehnic (sau paaport) a dispozitive-
lor, care le nsoete din fabric.

Valentin GUU
535

Par amet r ul Valoarea tipic
h
ie
2 kO
h
re
10
1
h
fe

10
2

1/ h
oe
50 kO
n urma simplificrilor, se obine circuitul din figura 12.52, care
este folosit n calculele ulterioare.
Aparte, n figura 12.54 este prezentat schema circuitului echivalent
al tranzistorului, valabil la semnal mic. Astfel, utiliznd teorema 2

Fig.12.53. Circuitul echivalent simplificat.

Fig. 12.54. Circuitul simpli-
ficat al tranzistorului.
Kirchhoff n poarta de intrare, se poate calcula amplificarea n
tensiune, iar folosind legea lui Ohm rezistena de sarcin prin care
trece curentul h
fe
i
b
, dependent de curentul de baz al tranzistorului.
Pentru poarta (circuitul) de intrare deci, avem ecuaiile Kirchhoff:

e = (r
g
+ h
ie
) i
b
;
u
ce
= R
S
' h
fe
i
b
,
din care rezult:
e
u
ce
= R
S
' h
fe
.
r
g
+ h
ie

Se poate calcula amplificarea n tensiune a amplificatorului:
536

e
R
S
' h
fe

u
ce
r
g
+ h
ie
h
fe

A
u
= = = R
S
' ,
u
be
h
ie
h
ie

e
r
g
+ h
ie

unde n calculul tensiunii u
be
a fost utilizat formula divizorului de
tensiune

h
ie

u
be
= e .
r
g
+ h
ie

Dac rezistena de sarcin este comparabil cu valoarea h
ie
, ampli-
ficarea va fi de ordinul de mrime al parametrului h
fe
, adic ~ 100.
Din relaia de calcul al amplificrii devine evident funcionarea
amplificatorului ca inversor de semnal, respectiv de defazare n
urm cu t radiani a tensiunii de ieire n raport cu tensiunea de
intrare, adic pentru

u
be
= U
be
2 sin et
rezult
u
ce
= |A
u
| U
be
2 sin (et t).

Valentin GUU
537
CAPITOLUL 13
CIRCUITE INTEGRATE
Circuitul integrat este un circuit electronic realizat sub forma unei
structuri semiconductoare unice. Circuitele integrate sunt privite ca
simple elemente de circuit, ntruct sunt realizate sub forma unor
blocuri funcionale de dimensiuni reduse i sunt folosite n elabora-
rea altor circuite, mai complexe [8].
n continuare for fi abordate doar acele aspecte care s-au urmrit la
toate dispozitivele anterioare, id est definiii, mod de realizare (fr
tentaia de a ptrunde n esena procedeelor tehnologice care pre-
zint o sfer enorm i aparte) i particularitile de concepie care
deriv din constrngerile tehnologice menionate.
13.1. GENERALITI
Se pare a fi rezonabil ca discuia la tema Circuite integrate s
nceap cu definirea noiunilor de baz, lund drept referin
Vocabularul Electrotehnic Internaional, elaborat de CEI i anume:
Microelectronic este un concept i o sfer foarte vast de
activitate tehnico-stiinific, instrumentele creia permit constitui-
rea i utilizarea circuitelor electronice cu un grad nalt de miniatu-
rizare.
Microcircuit prezint un dispozitiv microelectronic cu o
densitate mare de elemente de circuit echivalente, considerat ca o
singur unitate.
Circuit integrat (sau microchip) este un microcircuit, n
care un numr de elemente de circuit sunt asociate inseparabil i
sunt interconectate electric astfel, nct pentru scopuri de specifi-
care, testare, vnzare i ntreinere este considerat indivizibil.
Elementele (micro) circuitului integrat nu au nici capsul, nici co-
nexiuni externe i nu sunt specificate sau vndute ca piese separate.
538
Este evident deci c elementele circuitului integrat sau subansam-
blurile ce-l compun se fabric simultan, n etapele aceluiai proces
tehnologic; interconexiunile dintre componente se realizeaz prin
plasarea acestora ct mai aproape posibil (astzi pe larg este folosit
tehnologia submicronic, despre care pe la noi i n cadrul
... ministerului agriculturii se vorbete, nanotehnologia!), cu
ci metalice de legtur.
Circuitele integrate ofer un ir de avantaje:
1. Siguran sporit n funcionare. Studiile de
fiabilitate efectuate asupra circuitelor cu componente discrete arat
c probabilitatea cea mai mare de defectare se datoreaz sudurilor
imperfecte sau deteriorrilor punctelor de sudur sub aciunea coro-
ziei chimice, vibraiei etc. Deoarece un circuit clasic de complexi-
tate mijlocie conine cteva sute de puncte de sudur, este evident
c fiabilitatea nu poate fi majorat peste o anumit limit. Numrul
punctelor de sudur n acelai circuit, dar realizat n mod integrat
este cu cel puin un ordin de mrime mai mic, ceea ce are un efect
favorabil asupra siguranei n funcionare. Afar de aceasta, gabari-
tul redus considerabil al circuitului integrat ofer acestuia o condiie
mult mai bun la solicitri mecanice, gen vibraii, accelerri, cioc-
niri etc.; aceasta mbuntete suplimentar i sesizabil fiabilitatea
circuitului.
2. Stabilitate mai bun n raport cu temperatura. Dat
fiind faptul c circuitul este foarte compact, ntre componentele lui
exist un bun cuplaj termic, utilizat pentru a se realiza o compen-
sare a variaiilor punctelor statice cu temperatura.
3. Gabarit i greutate redus. Circuitele integrate,
n general, se pot mbrca n capsule standard (ca TO-5) folosite
pentru tranzistoare, sau n capsule de plastic speciale (care de cele
mai multe ori difer doar dup numrul de pini). Dar n ambele
cazuri gabaritul i greutatea ntregului chip sunt comparabile cu
cele ale unui tranzistor.
4. Costul sczut la producie de serie mare. Conform
statisticilor publicate acum...40 de ani n urm, o fabric care pro-
Valentin GUU
539
ducea un numr de 5000 de circuite integrate n 24 de ore, avea
raportul:
costul circuitului integrat 0,5 pentru circuite liniare
costul circuitului discret 0,1 pentru circuitele digitale
Datorit ns perfecionrilor tehnologice aprute n ultimii ani ai
secolului XX, aceste cifre sunt substanial reduse (cam cu un ordin
de mrime).
5. Elaborarea unor aparate i echipamente complexe alimen-
tate de la baterii. ntruct microchip-urile au un consum
foarte redus de la sursa de alimentare, devine evident c utiliznd
baterii de putere limitat, cu ajutorul circuitelor integrate se pot
construi echipamente electronice cu grad nalt de complexitate (de
exemplu, notebooc-uri). Aceasta este esenial ntr-un ir de dome-
nii, unde sursa de alimentare principal (sau chiar unica) este
bateria: spaiul cosmic, sfera militar i a.
6. Construirea economicoas a unor aparate electro-
nice de foarte mare complexitate. Este evident din ce cauz: fiecare
circuit integrat constituie un modul, cu o schem complex gata
realizat. De exemplu, blocurile funcionale ale unui calculator
electronic care sunt scheme de imens complexitate, se realizeaz
foarte comod folosind anumite tipuri de circuite integrate logice. i
mai mult: anumite blocuri, ca de pild memoriile operative de mare
capacitate (R-DRAM i a.) practic este imposibil de construit n
afara tehnologiei integrate.
7. Micoreaz substanial efortul de concep-
ie n elaborarea dispozitivelor electronice. Acest lucru este
justificat prin faptul c pri importante din schema final a dispozi-
tivului sunt disponibile sub forma acelorai circuite integrate.
Circuitelor integrate le sunt caracteristice, din pcate i pri nega-
tive, printre care:
1) Putere de ieire limitat. Prin anii 90 95 n circuitele
integrate de putere se obineau, de regul puteri pn la 5 W, ceea
540
ce era totui mult mai puin fa de circuitele similare realizate cu
componente discrete. n circuitele integrate moderne aceast
problem este parial rezolvat pe calea majorrii sensibilitii
dispozitivelor electronice i micorrii nivelului lor de consum.
2) Nu se pot face nici un reglaj sau modificare n interiorul
circuitului integrat, n procesul de utilizare a acestuia. Este clar, de
ce: cum a fost menionat la nceput, circuitul integrat conine
elemente inseparabile, sub form monolit (un tot unitar).
3) Necesit un nivel nalt de pregtire profesional i un efort
susinut, att n timpul proiectrii ct i n timpul reglrii procesului
de fabricaie.
4) Nu pot fi realizate inductane. Tehnologiile moderne nu permit
fabricarea inductanelor, de aceea sunt evitate de ctre proiectanii
de circuite; n caz de extrem necesitate, bobinele se conecteaz din
exteriorul circuitului integrat.
Cu toate aceste dezavantaje, circuitele integrate s-au impus n
producia de aparate i sisteme electronice; astfel, dac n anul
1973, din cifra de afaceri pe plan mondial n domeniul componen-
telor electronice, circuitele integrate reprezentau 10%, n anul 1980
reprezentau deja 25% iar peste 20 de ani aproape 80%.
13.2. PROCEDEE TEHNOLOGICE DE REALIZARE
n timpul de fa exist cteva tehnologii de realizare a circuitelor
integrate i n cele ce urmeaz vor fi expuse pe rnd, insistnd nu
att asupra detaliilor de fabricaie, ct ndeosbi asupra avantajelor
i limitrilor fiecreia.
1. Tehnologia monolitic.
Se pare util i la locul ei o mic excursie n istoria obiectului
considerat, istorie care, dei foarte scurt (puin peste 50 de ani) a
dat dovad de o dezvoltare vertiginoas i un progres spectaculos al
electronicii moderne.
Dup cum bine se tie, nlocuirea tuburilor electronice cu dispozi-
tive semiconductoare (diode i tranzistoare) i componente pasive
Valentin GUU
541
miniaturizate, a condus la micorarea cu cca dou ordine de mrime
a dimensiunilor i consumului de energie a instalaiilor de calcul
numeric i la creterea n aceiai msur a vitezei de procesare a
datelor.
Utilizarea componentelor discrete (active i pasive) implic un
numr mare de elemente electronice n cadrul unui calculator (de
exemplu), de unde rezult un numr foarte mare de conexiuni i
puncte de sudare care ocup un volum considerabil i duce la
scderea fiabilitii, ca urmare a probabilitii mrite de apariie a
defeciunilor, pariale sau totale.
Soluia potrivit a fost gsit n anul 1959, prin fabricarea circui-
telor integrate, la care piesele componente i conexiunile dintre ele
se realizeaz (prin tehnici specifice i speciale tehnologia
monolit) direct n interiorul unui mic bloc monocristalin de
semiconductor, denumit chip (din englez bucic, achie sau
ciob). Astfel s-a obinut un grad nalt de miniaturizare i o cretere
semnificativ a fiabilitii, datorit micorrii numrului de piese
diferite i de interconexiuni externe
Aceste cipuri, de form ptrat sau dreptunghiular, cu laturi de
ordinul milimetrilor sunt detaate dintr-o plcu semiconductoare
de mic grosime (~ 0,2 mm, figura 13.1, b) care la rndul ei a fost
obinut prin tierea transversal a unui cristal cilindric de semicon-
ductor (Si). Cristalul se obine prin cretere din topitur (metoda
Ciohralisky), sau din faz gazoas prin metode speciale.
n figura 13.1, c este dat schema simplificat a unui chip cu un
numr mic de componente cum sunt circuitele SSI sau MSI (v. n
continuare).
Pentru realizarea componentelor de circuit jonciuni pn (pentru
diode i tranzistoare), rezistoare i condensatoare, precum i
conexiuni ntre ele se folosesc tehnologiile planar i planar-
epitaxial, alte tehnici moderne, ca inscripionarea direct cu fasci-
colul ionic sau electronic etc.
Pe baza acestor tehnologii componentele circuitului integrat sunt
realizate n chip-ul semiconductor printr-un proces fotolitografic, cu
542
ajutorul unor mti metalice, prin ferestrele crora n cristal se
introduc (prin difuzie) anumite cantiti de atomi cu care sunt dopa-
te n locuri apriori stabilite i unde se creaz jonciuni pn, condensa-
toare i rezistore.

Fig. 13.1. Etapele fabricrii circuitelor integrate:
a secionarea rondelelor (plachetelor) dintr-un monocristal de Si; b placheta cu mai multe
circuite integrate; c structura traseelor de metalizare pentru conexiunea componentelor.
Dimensiunile componentelor la ora actual sunt de ordinul
micronilor sau i mai mici, astfel realizndu-se circuite cu un grad
nalt de integrare mii, sute de mii i milioane de componente
integrate ntr-un chip. Conexiunile intre diferite componente sau
blocuri se realizeaz prin benzi metalice foarte nguste (la fel de
ordinul micronilor), depuse pe suprafaa cipului prin evaporare n
vid (epitaxie), folosindu-se mti cu configuraia conexiunilor
pretinse. Rezult o reea de conexiuni metalice, un exemplu poate fi
vzut n figura 13.1, c.
Micorarea la limit a dimensiunilor microcomponentelor dintr-un
circuit integrat nu reprezint, desigur, un scop n sine ci unul legat
Valentin GUU
543
de creterea vitezei de procesare i transmitere a semnalelor,
asigurndu-se simultan i un grad nalt de fiabilitate. Micorarea
timpului de propagare a semnalelor electrice prin componente i
ndeosbi prin conexiunile dintre ele este absolut necesar pentru
realizarea calculatoarelor electronice de mare vitez (cu sute de
milioane sau miliarde de operaii pe secund), folosite n aplicaii
cu viteze nalte de funcionare, cum ar fi: sistemele de ghidare a
rachetelor i navelor spaiale, studierea proceselor ce decurg extrem
de rapid (n fizica nuclear, astronomie etc.), sistemele de telecomu-
nicaii prin satelit sau unele sisteme de automatizare a proceselor
tehnologice.
Din punct de vedere al vitezei propagrii semnalelor este impor-
tant mrimea chip-ului, dimensiunile cruia nu pot crete conside-
rabil; totui, se vehiculeaz noiunea de integrare pe ... plachet
Wafer Integration care se aplic n unele cazuri (de exemplu,
microprocesoarele).
Caracteristic integrrii pe scar foarte larg (VLSI) este folosirea
conexiunilor cu limea de 1m i chiar mai puin (fa de 3 4 m
la LSI), ceea ce a condus la mrirea densitii de 10 ori i a vitezei
de lucru de 4 5 ori, la aceeai putere disipat [8].
Metoda folosit pe larg pentru atingerea geometriei submicronice
este bazat pe principiul reducerii maxim posibile a tuturor
dimensiunilor din cipul LSI. Principiul stabilete c ntrzierea dat
de circuit discrete direct proporional cu ptratul fineei liniei
(datorit reducerii tensiunii i curenilor).
Spre sfritul secolului XX (dup anul 1998), folosind tehnici de
nalt finee pentru obinerea mtilor cu deschideri (ferestre) sub-
micronice, precum i prelucrarea cu fascicule electronice, ionice sau
lazer, dimensiunile liniilor de circuit (inclusiv i a metalizrilor)
au fost micorate continuu, de la 2 4 m n primele microproce-
soare i memorii DRAM pn la 0,8 m (dup anul 1990), scznd
apoi progresiv la 0,6m, 0,35m, 0,18 m i chiar sub 0,1 m n
anul 2003. Aceasta a permis obinerea unor chip uri de memorie
DRAM de capaciti foarte mari (sute de MB i chiar GB) i a unor
procesoare capabile s funcioneze la frecvene de 2,2 GHz, 2,8
544
GHz i pn la 3,06 GHz pentru unele procesoare Pentium 4 ale
companiei Intel (anii 2002 2003).
Aa numita tehnologie monolitic (sau planar-epitaxial)
avea ponderea cea mai mare n ultimul deceniu al secolului XX;
dei n ultimii 10 15 ani au aprut i alte tehnologii (moderne),
aceasta continu s domine n sfera producerii chip urilor VLSI i
la ora actual. Tehnologia const n producerea simultan a compo-
nentelor circuitului integrat, n timpul aceluiai proces de fabricaie,
pe o plcu (plachet) de monocristal de siliciu folosind tehnica
planar, cu etape de difuzie i cretere epitaxial. Plcuile tiate din
monocristalul de Si (figura 13.1, b) au grosimea ntre 200 300 m,
sunt lefuite oglind pe o fa i trec apoi prin procesul tehnologic,
n urma cruia pe fiecare plcu (cu diametrul aproximativ 5 cm)
se realizeaz pn la 1600 2000 de chip-uri. Mai departe are loc o
testare sub microscop a fiecrui chip, pentru a descoperi rebuturile
acestea se marcheaz pentru a fi recunoscute ulterior. Urmeaz o
zgriere a plcuei cu un vrf de diamant pe direcii paralele,
orizontale i apoi verticale, dup ce se sparge obinndu-se
elemente de arie ce conin cte un circuit integrat (cte un chip).n
continuare fiecare chip este lipit pe baza capsulei, se fac conexi-
unile spre exterior, capsula se nchide ermetic i dup testrile
finale se obine circuitul integrat comerciabil.
Pentru a descrie sumar procesul tehnologic propriu-zis, se va
considera un exemplu, dat n figura 13.2. Procesul pornete de la o
plcu de Si de tip p (notat cu 1), care este supus urmtoarelor
operaii de baz:
se crete deasupra stratul epitaxial (notat 2), iniial de tip n;
acesta va conine mai trziu colectorul tranzistorului, insula n care
se afl corpul propriu-zis al rezistenei ca i stratul n al condensa-
torului;
se difuzeaz pereii (notai 3) de tip p, de uzolare ntre
componente utiliznd o masc adecvat;
se face difuzia bazei tranzistorului i a corpului rezistenei
(ambele de tip p), cu alt masc;
Valentin GUU
545
din nou se schimb masca i se realizeaz printr-o nou
difuzie stratul n
+
care conine emitorul tranzistorului, ca i straturile
n
+
folosite la realizarea unor contacte bune pe colector i conden-
sator (tehnologic, depunerea aluminiului pe un strat de siliciu n se
evit, din cauza unei adeziuni slabe);

a

b
Fig. 13.2. Fragment de circuit integrat monolitic:
a schema electric; b seciune transversal
(cu cifre ncercuite s-au notat ponctele corespondente ale figurilor a i b).
se depun prin evaporare n vid cile (liniile) de intercone-
xiune 5, din aluminiu, printre i peste zonele de bioxid de siliciu
(SiO
2
), notate cu 4.
n privina tehnologiei monolitice se pot face cteva observaii utile:
a) Costul unui circuit integrat (CI) este direct proporional cu
aria sa total. Astfel, aria minim are aproximativ 0,3 0,3 mm
2
i
este limitat de posibilitile de manipulare; cea maxim este n jur
546
de 4 4 mm
2
fiind limitat de posibilitatea de apariie a unui defect
n stratul de siliciu de tip p de baz sau a unui defect introdus de
procesul tehnologic. Din aceste considerente aria optim se con-
sider 2 2 mm
2
.
b) Cum se vede din figura 13.2, b (dar i din figura 13.1) aria
ocupat de componentele pasive (rezistor sau condensator) este mai
mare dect aria unui element activ (tranzistor). Prin urmare, costul
unei rezistene (sau condensator) este mai mare dect costul unui
tranzistor, ceea ce face ca s se prefere construirea unui tranzistor n
locul unei componente pasive. Rezult c trebuie modificat con-
cepia circuitelor, n sensul c scopul este, de aceast dat minimi-
zarea numrului de componente pasive i nu a celui de elemente
active.
c) Componentele circuitului sunt izolate ntre ele prin
jonciuni pn polarizate invers. Aceasta nseamn c rezistena de
izolaie este egal cu ~ 1 MO, cifr care este inferioar cu minimum
dou ordine de mrime fa de cazul circuitelor cu componente dis-
crete. Este posibil deci apariia efectelor parazite de cuplaj ntre
diferite componente, care limiteaz n ultim instan banda de
frecvene.

Fig. 13.3. Structura
integrat Zener.

a b
Fig.13.4. Componente pasive
integrate.

Fig. 13.5. Capsule de
circuit integrat.
d) n scopul asigurrii polarizrii inverse a tuturor jonciuni-
lor de izolare este necesar, ca substratul de baz s fie conectat la
cel mai sczut potenial din circuit.
e) Rezistenele se fabric sub forma unor paralelipipede
(insule) de material p sau n ( n cazul structurii din figura 13.1, b
Valentin GUU
547
i 13.2 de tip p) nconjurate de material semiconductor comple-
mentar pentru a realiza jonciunea de izolare. Valoarea ei depinde
de forma geometric i de rezistivitatea stratului respectiv
(R = l/s); valori uzuale pentru rezistenele difuzate sunt cuprinse
ntre 50 O (valorile inferioare se produc odat cu difuzia emito-
rului) i 20 KO (valorile superioare se produc odat cu difuzia
bazei). Coeficientul de variaie cu temperatura al rezistenelor inte-
grate este 0,2 % pe C (mai mare n modl fa de rezistenele
clasice), toleranele cam 20%.
f) Se pot realiza capaciti de dou categorii: capaciti ale
jonciunilor pn cu comportare de condensatoare polarizate, depen-
dente de tensiune, cu valori de 300 pF/mm
2
; capaciti tip MOS.
Acestea din urm sunt formate dintr-o regiune n
+
i o armtur
metalic, separate de un strat de SiO
2
, aa cum se vede i n figura
13.2, b. Capacitatea specific are valori uzuale ntre 400 i 800
pF/mm
2
, nu depinde de tensiunea aplicat i aceasta se poate aplica
cu + pe oricare armtur. n comparaie cu capacitile jonciu-
nilor, acestea prezint o rezisten serie de 1 10 O fa de 10
50 O ct au primele.
Este important de menionat c, indiferent de varianta adoptat,
valorile maxime ale capacitilor realizate integrat nu depesc
500 pF, din cauza limitrilor de arie i de tensiune de strpungere.
Acesta este un motiv din care toate amplificatoarele integrate au
cuplaj direct ntre etaje, ntruct capacitile de cuplaj sau de
decuplare, care normal sunt de ordinul microfaradelor sunt total
inaccesibile.
g) Tehnologia monolitic standard ofer tranzistoare npn de
bun calitate, dar obinerea unor tranzistoare pnp pe acelai cip se
face cu compromisul unei frecvene de tiere mult mai sczute.
h) Diodele se realizeaz prin scurtcircuitarea a doi electrozi
ai unui tranzistor, de exemplu colectorul i baza (v. figura 13.3) sau
emitorul i baza.
i) Anterior s-a artat c toleranele care se obin la fabricarea
componentelor integrate sunt relativ mari consecina imposibili-
548
tii controlului riguros asupra procesului tehnologic, exist totui
posibilitatea obinerii unor componente identice (gemene), ale
cror valori difer ntre ele cu mai puin de 5%. De regul, acestea
se produc una n vecintatea celeilalte (pentru ca proprietile subs-
tratului s fie ct mai apropiate), n aceleai etape ale procesului
tehnologic, ceea ce explic buna lor simetrie. De aici rezult c n
concepia circuitelor monolitice trebuie s se evite dependena
performanelor de valori de rezistene, preferndu-se o dependen
de raporturi de rezistene, care se pot controla mult mai efectiv.
j) n funcie de densitatea componentelor pe chip exist
cteva trepte de realizare a circuitelor integrate:
integrarea pe scar mic, sau SSI (de la Small Scale
Integration) circuitul logic integrat, conine ntre 10 i 15 pori
TTL sau operatori, id est mai puin de 100 tranzistoare pe chip;
integrarea pe scar medie, sau MSI (de la Medium Scale
Integration) circuitul logic integrat, conine la 100 de pori TTL
sau n jur de 1000 tranzistoare/chip;
integrarea pe scar mare, sau LSI (de la Large Scale
Integration) n cazul cnd circuitul logic integrat conine peste
1000 de pori TTL/chip. De exemplu, nc n anul 1972 un circuit
de memorie produs de firma Fairchild Semiconductor coninea pe
un cip de 0,28 0,35 mm
2
1244 tranzistoare, 1170 rezistene i 71
diode.
Aceast divizare, dei corect a devenit ntructva perimat: n
ultimile dou decenii au fost elaborate i se folosesc pe larg n
calculatoarele numerice i alte sisteme de calcul, circuite integrate
logice VLSI (Very Large Scale Integration) ce conin peste 20 000
de pori simple, precum i circuite ULSI ( Ultra Large Scale
Integration) cu peste 100 000 de pori logice TTL sau peste 1 mln
de componente intagrate pe chip.
A fost menionat deja c tranzistorul de baz al circuitelor integrate
bipolare este tipul npn. Acest tip se prefer pentru performane mai
deosebite i tehnologia mai simpl de realizare, n comparaie cu
cele ale tranzistoarelor pnp. Performanele mai bune rezult din
Valentin GUU
549
faptul c purttorii de sarcin care intervin n funcionarea tranzisto-
rului npn sunt electronii, acetea avnd o mobilitate n Si de 2,8 ori
mai mare dect golurile, ceea ce conduce la o frecven limit (f
T
)
mai mare (de 2,8 ori) i la cureni reziduali mult mai mici, specifici
structurilor cu Si.
Dar tranzistoarele pnp cu Si, dei inferioare ca performane se rea-
lizeaz n structura integrat alturi de tipul de baz npn, deoarece
folosirea lor simplific considerabil schemele circuitelor electronice
integrate. Ele se realizeaz n dou variante: laterale i de
substrat. n primul caz efectul de tranzistor se manifest lateral, pe
domeniul de tranziie colector-emitor, iar n cazul al doilea el se
manifest transversal, pe domeniul de tranziie dintre emitor i
substrat (v. figura 13.6, b i c).

Fig. 13.6. Structuri de tranzistoare
bipolare integrate.

Fig. 13.7. Schema echivalent a
tranzistorului bipolar integrat.
Principial ns, oricare din jonciunile structurii unui circuit integrat
monolitic poate fi folosit ca diod; n figura 13.7 cele trei diode
asociate unei structuri integrate de tranzistor bipolar, n care R
SB
i
R
SC
sunt rezistenele serie de B i de C. Diodele D
BE
i D
BC
for-
meaz tranzistorul tip npn al structurii, iar diodele D
BC
i D
CS

formeaz o structur parazit de tranzistor pnp. ntruct dioda D
CS

este neizolat, practic se pot folosi numai diodele D
BE
i D
BC
n cele
cinci moduri posibile de interconexiune. Mai folosite sunt jonci-
unea de emitor, cea de colector i cea de emitor cu colectorul
scurtcircuitat la baz, ca n figura 13.7 d, b i c. Jonciunea de E a
unui tranzistor integrat monolitic are caracteristici excelente i ca
diod Zener, cu U
z
~ 7 V i I
z min
= 1 A (v. figura 13.3). ntruct
dioda Zener (jonciunea folosit) are coeficientul de temperatur
550
+ 2,3 mV/C iar dioda polarizat direct are coeficientul 2,17
mV/C, o structur integrat cu configuraia din figura 13.3 va
reprezenta o diod Zener compensat termic, cu = 0,23 mV/C i
U
z
= 7 V.
Dup montarea (lipirea) cipului pe rama unei capsule (v. figura
13.5) trebuie realizate contactele ntre cip i pinii capsulei; n acest
scop, prin termocompresiune se sudeaz de padurile de aluminiu ale
cipului i de pinii capsulei circuitului integrat fire de aur, cu
diametrul de 25 m.
n tehnologia monolitic pot fi obinute i structuri de tip TEC-MIS
unipolare, dar n acest caz numai de tranzistoare care au funcii att
de componente active ct i de componente pasive. Structurile inte-
grate MOS, n comparaie cu cele bipolare au o serie de avantaje:
o tehnologie de fabricaie mai simpl; o densitate mai mare de
componente; tranzistorul MOS poate deplini att funcia unei
componente active, ct i a unei pasive; o rezisten foarte mare
de intrare.
Dat fiind faptul c rezistena de intrare atinge valori de (10
13
10
18
)
, sursa (S) i drena (D) sunt izolate de substrat prin jonciunile
proprii, tranzistorul se poate realiza prin numai 2/3 din operaiile
tehnologice necesare realizrii unui tranzistor bipolar [8].
Puin complicnd procesul tehnologic, pe acelai substrat se pot
realiza tranzistoare MOS complementare (v. figura 13.8), ceea ce
lrgete mult cmpul de aplicaie ale acestor circuite. Pentru
protecia la strpungere a tranzistorului MOS (TEC-MOS), pe
acelai substrat se realizeaz i o diod Zener cu o tensiune de
strpungele de (30 50) V, conectat ntre gril (G) i substrat (ss),
aa cum este dat n figura 13.9, a.
Dac tensiunea G depete tensiunea Zener a diodei, G devine
legat la ss prin aceast diod i astfel protejeaz condensatorul
MOS; folosirea ns a acestei protecii coboar rezistena de intrare
la (10
9
10
10
) O. Merit remarcat i faptul c pot fi realizate
structuri MOS care ndeplinesc funcia unei tetrode (element cu 4
electrozi, v. figura 13.9, b). La nceput de cale structurile MOS nu
aveau o rspndire general din cauza unui serios neajuns: valorile
Valentin GUU
551
mici ale transconductanei, g
m
= (0,5 2) mA / V, fa de valorile
mult mai mari realizabile cu tranzistoare bipolare.

Fig. 13.8. Structuri
complementare MOS

Fig. 13.9. Tipuri de
structuri MOS.

Fig.13.10.
Rezistor MOS.
Acest neajuns a fost eliminat prin folosirea unei structuri hibride
TEC-MOS tranzistor bipolar, realizat pe acelai ss; astfel, struc-
tura dat n figura 13.9, c poate realiza g
m
= (10
2
10
3
) mA / V.
TEC-MOS ndeplinete i funcia unui rezistor, avnd dimensiuni
mult mai mici dect cele ale unui tranzistor obinut prin difuzie
planar. n figura 13.10 este dat schema folosirii tranzistorului
MOS n calitate de rezistor; deoarece tranzistorul este integrat, ss
este legat la mas. Drena este legat la G, tranzistorul funcioneaz
n regim de saturaie, id est ntr-un regim n care geometria canalu-
lui nu se modific; valoarea rezistenei echivalente este fixat prin
dimensiunile canalului, aria de Si folosit fiind foarte mic.
n ce privete componenta capacitii circuitelor integrate MOS,
problema se rezolv prin folosirea capacitii electrodului grilei;
structura MOS constituie un condensator aproape ideal, ntruct
capacitatea nu depinde de tensiunea aplicat iar stratul izolator este
fr pierderi (c
r
= 4). Pe aceast cale se realizeaz valori de 500
pF/mm
2
.
2. Tehnologia straturilor subiri.
Aceast tehnologie const n depunerea n vid, pe un ss izolant (cer-
amic, safir ori sticl) a unor straturi de metale i oxizi (NiCr, Au,
Ta, SiO, Ta
2
O
5
), n scopul realizrii unor rezistene, condensatoare
i linii (ci) de interconexiune. Procedeul de baz este evaporarea n
vid folosind mti adecvate, care se combin apoi cu corodri selec-
tive. n figura 13.11, b este prezentat o seciune printr-un circuit
552
realizat n aceast tehnologie, schema electric (elementar!)
corespunztoare circuitului se d n figura 13.11, a. Cum se vede,
rezistena propriu-zis este constituit dintr-o pelicul de Ta,
protejat cu un strat de oxid (Ta
2
O
5
) spre exterior i contactat la
capete prin depunerile de Au i NiCr. Dac rezistenele sunt ajustate
dup fabricare (prin oxidare anodic a stratului de tantal sau prin
ciupire cu fascicolul laser la straturile de Au / NiCr) se pot obine
tolerane mai bune de 0,1% n domeniul 5 O 500 KO; raporturile
a dou rezistene pot fi meninute la o abatere de 0,01%.

a

b
Fig. 13.11. Exemplu de CI realizat n tehnologia straturilor subiri:
a schema electric; b - seciune transversal.
Capacitatea este realizat din dou armturi metalice, una din Au i
alta din Ta, ntre care se afl un strat de dielectric, Ta
2
O
5
(figura
13.11, b). Calea de interconexiune dintre rezisten i condensator
s-a construit prin depunerea unor straturi de NiCr i Au peste
pelicula de tantal comun, n scopul untrii poriunii respective
(prin rezistivitatea aurului foarte mic).
Aceast tehnologie, spre deosebire de tehnologia monolitic nu
permite construirea compon-entelor active, dar d posibilitatea
fabricrii unor reele RC de valori foarte precise (cu ajustri,
desigur), cu capaciti parazite reduse (prin construcie); aceasta le
face utile n circuite de nalt frecven.
3. Tehnologia straturilor groase.
Const n producerea cilor de interconexiune, rezistenelor i con-
densatoarelor, prin imprimarea serigrafic a unor pelicule de paste
Valentin GUU
553
pe substraturi ceramice. Grosimea acestor pelicule este de peste
10 m, spre deosebile de cele subiri care sunt sub 1m. Pentru
obinerea peliculilor se folosesc paste care conin amestecuri de
aliaje de metale nobile (utilizate drept conductoare) sau pulberi
dielectrice (drept izolatoare) cu substane organice de tip liani.

a

b
Fig. 13.12. Exemplu de CI realizat n tehnologia straturilor groase:
a schema electric; b - seciune transversal (1 punct de conexiune; 2 cale
onductoare; 3 corpul rezistenei; 4 strat de protejare a rezistenei).
Imprimarea pastelor pe substrat (ss) se face prin pensulare folosind
mti metalice de tip serigrafic, apoi urmeaz un proces de ardere la
730 1100C, n timpul cruia circuitele capt rigiditatea necesar
i proprietile electrice urmrite. Ajustarea valorilor se face cu fas-
cicol laser sau prin sablare. n figura 13.12, b se prezint seciunea
printr-un circuit rezistiv realizat n tehnologia straturilor groase.
Executarea operaiilor procesului tehnologic la acest circuit se face
n ordinea urmtoare: se pensuleaz i apoi se arde stratul conduc-
tor 2; schimbnd masca, are loc pensularea stratului rezistiv 3, dup
care se produce o nou ardere; se face eventual o ajustare a rezis-
tenelor, dup care urmeaz imprimarea serigrafic a unui aliaj de
sudur pe punctele tip 1.
Dac procesul de fabricaie este bine controlat, rezistenele obinute
prin aceast tehnologie au o toleran de 10 %, fr careva
ajustri de valori.
n ce privete realizarea condensatoarelor, prin utilizarea titanatului
de bariu ca dielectric, se obin capaciti specifice de cca 20 nF/cm
2
.
Rezistenele i reelele RC, produse n tehnologia straturilor groase,
sunt destinate aplicaiilor ce funcioneaz la frecvene joase.
554
Comparnd cele trei tehnologii care au fost descrise sumar se
constat c ultimile dou nu permit fabricarea componentelor active
(tranzistoarelor) ale CI, ceea ce face ca circuitele finale s fie hib-
ride, id est reelelor RC produse n tehnologia straturilor subiri sau
groase li se asociaz tranzistoare discrete sau chip-uri de amplifica-
toare integrate monolite.
Conform unor estimri practice (dei cam vechi, dar nu i fr
valoare), o linie tehnologic pentru straturi groase cost cam de 10
ori mai puin dect una pentru straturi subiri i de aproximativ 50
de ori mai ieftin, dect o linie de circuite monolitice. Din aceste
considerente se afirm c timpul i costul necesar pentru dezvoltare,
ca i costul fix de fabricaie la serii mici i mijlocii este mic n cazul
circuitelor hibride, fa de cele monolitice.
Dar tehnologia monolitic este mai complet, permind producerea
elementelor active i pasive i n cazul fabricaiei n serii mari mai
rentabil.
Etap de dezvoltare a CI i actualmente continu (i va continua!),
n ultimul deceniu al secolului XX au avut loc progrese semnifi-
cative n tehnologia circuitelor integrate, cnd de la integrarea la
nivel de circuit electronic s-a trecut la integrarea unui sistem elec-
tronic complex. n aceste cazuri, complexitatea circuitului determi-
n uneori ca reeaua de interconexiuni s nu mai poat fi realizat
ntr-un singur strat; se folosesc n acest caz dou sau mai multe
straturi suprapuse de conductoare metalice integrate. Aceast
tehnic a condus la realizarea minicalculatoarelor i n general a
microprocesoarelor, asigurnd acestor circuite o mare fiabilitate.
13.3. REGIMUL DE CURENT CONTINUU AL CIRCUITRLOR
INTEGRATE MONOLITICE. PARTICULARITI
n concepia circuitelor integrate monolitice nu pot fi utilizate
circuitele de polarizare prezentate anterior, datorit, n primul rnd
cerinei de a folosi ct mai puine rezistene de valori sub 20 KO i,
n aldoilea de a exclude circuitele condensatoare.
Valentin GUU
555
Pentru polarizare n acest caz se propun reelele prezentate n figura
13.13 prin care, cu constrngerile discutate mai sus, se realizeaz
totui o bun stabilizare a punctului static de funcionare n raport
cu temperatura. n circuitul din figura 13.13, a cele dou tranzi-
stoare sunt componente gemene; deoarece au aceiai parametri i
bazele alimentate prin aceeai rezisten R
1
de la potenialul + E,
este clar c I
C
1
= I
C
2
.

a

b
Fig.13.13. Reele de polarizare n c. c. folosite n CI monolitice.
Dac temperatura crete, curentul I
C
2
de asemenea tinde s creasc,
ns datorit apropierii dintre T
1
i T
2
se creaz un cuplaj termic
destul de strns, graie cruia crete i curentul I
C
1
. Ca rezultat, se
mrete cderea de tensiune pe rezistorul R
1
, deci se reduce i pola-
rizarea bazei tranzistorului T
2
; aceasta micoreaz curentul I
C
2
al
acestui tranzistor, ceea ce compenseaz tendina iniial a curen-
tului. Aceast schem este numit uneori n literatur schema de
curent continuu (din considerentul expus mai sus).
Un alt exemplu este prezentat n figura 13.13, b unde R
3
i R
4
, ca i
T
1
i T
2
sunt componente gemene. Bazele celor dou tranzistoare
identice sunt alimentate din acelai punct prin dou rezistene egale,
deci rezult c I
C
1
= I
C
2
. Se poate scrie teorema doi a lui Kirchhoff:
E
C
= R
1
(I
C
1
+ I
B
1
+ I
B
2
) + R
3
I
B
1
+ U
BE
1
, (13.1)
556

de unde, dac se ine cont c I
B
1
= I
B
2
= I
B
i U
BE
1
= U
BE
2
= U
BE
se
obine:

E
C
U
BE

R
3

I
C
1
= 2 + I
B
. (13.2)
R
1

R
1

Dac se presupune c E
C
>> U
BE
i (2 + R
3
/R
1
) I
B
<< E
C
/R
1
, relaia
(13.2) conduce la:
I
C
1
= I
C
2
E
C
/R
1
. (13.3)
n plus, dac R
2
= R
1
/ 2, rezult definitiv c:
U
ie
E
C
/2 (13.4)
Din relaiile (13.4) i (13.3) urmeaz c reeaua polarizeaz tran-
zistorul T
2
ntr-un punct optim, cu o dependen minim de
temperatur. Tranzistorul T
1
, cum se vede att din figura 13.13, a
ct i 13.13, b nu are rol n curent alternativ i este folosit doar la
polarizarea tranzistorului T
2
.
La circuitele monolitice apare i un alt gen de problem de curent
continuu: realizarea surselor de curent constant pentru curenii mici.
n mod clasic, aceast problem se rezolv cu circuitul prezentat n
figura 13.14, a. Aa, dac este necesar s se obin un curent de 10
A de la o surs E = 10 V, se utilizeaz o rezisten R = 1 MO.

Fig.5.43. Surse de curent:
a - soluia clasic; b - soluie
adaptat la cerinile monolitice.

a b
Aceast valoare destul de mare a rezistenei R face, n acest caz ca
reeaua s nu poat fi realizat monolitic.
Valentin GUU
557

Se propune deci circuitul din figura 13.14, b a crui idee este
urmtoarea: cele dou tensiuni baza-emitor ale tranzistoarelor T
1
i
T
2
difer prin cderea de tensiune de la bornele rezistenei R
1
.
Astfel, dac curentul are o valoare obinuit de civa mA, de
exemplu, aceasta nseamn c U
BE
1
= 0,6 V; pentru ca curentul s
fie de ordinul zeci de A, este nevoie de o tensiune de polarizare
U
BE
2
cu puin peste 0,3 V, care se admite a fi pragul de deschidere al
unui tranzistor construit pe Si. Urmeaz c pe R
1
trebuie s cad
cca. 0,3 V i deci R
1
are o valoare cuprins ntre 10 i 20 de KO,
ceea ce n tehnologia monolitic este simplu de realizat.
Tranzistoarele T
1
i T
2
trebuie s fie gemene, ca i n cazul circu-
itelor de polarizare descrise mai sus.

Partea Ii

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Partea Ii

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Valentin GUU

, curentul n depresiune (minim)

curentul diodei obinuite;

S-ar putea să vă placă și