MINISTERUL EDUCATIEI 1 $TIINTEI UNIVERSIT ATE A TEHNICA A MOLDOVEI Catedra Microelectronica $i Dispozitive Semiconductoare

LUCRARI DE LABORATOR
la disciplina

Fizica dispozitivelor semiconductoare $i microelectronica

CHIINAU 2000

Autori: T. iianu V. $ontea S. i$ianu V. Boldurescu CUPRINS

1: Cercetarea caracteristicilor i parametrilor transistoarelor cu efect de camp cu ajutorul instalatiei industriale JI2-46 ..................... 3 2: Cercetarea caracteristicilor capacitative a structurilor semiconductor-semiconductor i metal - dielectric - semiconductor ............. 9

3: Cercetarea diodei tunel

.

20

4: Cercetarea caracteristicilor tiristoarelorOuin6Ka! 5: Cercetarea caracteristicilor i parametrilor diodelor integrale. 6: cercetare complexa a parametrilor tranzistorului bipolar.

............................................ ! . ............................................ ! .

7: cercetare caracteristicilor de frecventa i a proprietStilor de impuls a tranzistorului 1.!

8: Cercetarea caracteristicelor de zgomot a tranzistoarelor FSI

............................................ ! . LUCRARE DE LABORATOR Nr.l. : CERCETAREA CARACTERISTICILOR SI

PARAMETRILOR TRANSISTOARELOR CU EFECT DE CAMP CU AJUTORUL INSTALATIEI INDUSTRIALE JI2-46 SCOPUL LUCRARII: cercetarea transistoarelor cu efect de camp, irt-

suirea instalatiei industriale JI2-46 $i utilizarea ei la

1

determinarea caracteristicilor $i parametrilor transistoarelor cu efect de camp; compararea rezultatelor experimentale ale masurilor caracteristicilor curent-tensiune $i ale parametrilor obtinuti cu datele din catalog i cele calculate. 1. Pregatirea instalatiei catre lucru 1.1 Manivelele de comanda a blocului regimurilor trebuiesc instalate in pozitia limita din stanga, iar comutatorul Jc (7 - curentul drenei) in blocul regimurilor de a-1 instala in pozitia limita din dreapta. 1.2 Conectati blocul pentru masurari i blocul regimurilor in circuitul electric cu ajutorul comutatoarelor de pe panoul din fata. Stabili^i in blocul regimurilor tensiunea E 3i (E grila = E poarta), egala cu 30V i permiteti incalzirea dispozitivului timp de 15min. In cazul masurarilor de lunga durata in acelai regim este nece- sar de efectuat calibrarea i instalarea pozitiei nule a indicatoarelor peste fiecare 30 min. de lucru. 2. Ordinea de efectuare a lucrarii 2.1. Pregatirea catre efectuarea inasurarilor 2.1.1. Dupa incalzirea instalatiei timp de 15min. este necesar de comutat comutatoarele E c (E drena), grila sau E poarta) i E (E substrat) in pozitiile necesare + sau care sunt situate pe panoul din fata a blocului pentru masurari. Nota: pentru tranzistorul cu efect de camp de comutat Ecin pozitia iar E3 in + ce corespund polaritatilor tensiunilor drenei i a grilei lui. 2.1.2. Daca se cunoate preventiv valoarea necesara a tensiunii grilei i drenei, atunci cu ajutorul comutatoarelor E3(E grila) i EC(E drena) i a manivelelor reglarii lente pe panoul blocului regimurilor instalati tensiunile necesare dupa indicatorul cu ac, care se comuteaza corespunzator cu sursa in dependents de pozitia manivelei E. Pentru orice variatie a tensiunii drenei comutatorul I c (I drena) de pe panoul blocului regimurilor stabiliti-1 in pozitia 300. In acest caz este permis ca salturile curentului drenei sa fie peste toata scara indicatorului. In momentul prim de timp (10-15sec.) cand capacul () este plasat pe capsula de contact ( ) se permit salturi a curentului

drenei peste toata scara in pozitia 300 a comutatorului Ic (I drena) de pe panoul blocului regimurilor. 2.2. Efectuarea masurilor 2.2.1. Masurarea curentului drenei pentru tensiunile grilei i a drenei stabilite preventiv. Pentru TEC de putere mica se utilizeaza capsula de contact nr.7. comutatorul instalati-1 in pozitia I c (I d ); basculanta I c (I drena) de pe panoul blocului regimelor stabiliti-1 in pozitia 300; tumblerul |-j stabiliti-1 in pozitia conectati transistorul cu efect de camp la capsula de contact conform notatiilor i plasarii pinilor lui dupa catalog; pe blocul de masurari plasati capacul pe capsula de contact; cu ajutorul manivelelor /C(I drena) de pe blocul regimurilor, ale- gand subdiapazoanele convinabile pentru masurari, determinati valorile curentului drenei; a) Ridicarea caracteristicilor de ieire scoatem capacul de pe capsula de contact; stabilim comutatorul , E n , E c (E g , E s , E d ) in pozitia {E grila); cu ajutorul manivelei reglarii line stabilim valoarea necesara a tensiunii grilei E 3] ; schimbam pozitia comutatorului 3, E n , E c in pozitia tensiunii drenei E c i alegem subdiapazonul necesar. Plasam capacul pe capsula de contact. Apoi cu ajutorul manivelei reglarii line a tensiunii drenei stabilim valoarea necesara a ei, totodata notand-o in tabelul 1; alegand scara respectiva pentru curentul drenei I c cu ajutorul manivelei 7C, notam valoarea respectiva in tabelul 1. Astfel masuram l c (l d ) corespunzatoare U d pentru totdiapazonul necesar; scoatem capacul de pe capsula de contact; stabilim comutatorul E 3, E n, E c in pozitia ; plasam capacul pe capsula de contact i cu ajutorul reglarii line a

tensiunii grilei stabilim alta valoare U G2 ; scoatem capacul de pe capsula de contact; readucem comutatorul , E n, E c in pozitia E c i din nou efectuam masurarile respective notand datele in tabelul 1; repetam masurarile respective a caracteristicii de ieire a TEC. Nota: Pentru TEC cu jonctiune p-n i canal p masurarile se efectueaza in limitele: Pentru U D =0,54-10V(c) Pentru U G = 0- IV (3) Caracteristica de ieire Tabelul 1
UGrila iDren ID=f(UD)/UG==const uD,v 0,5 1 2 * 8 9 10

uG1=ov ID.MA UG2=0,5V ID.MAID.MA II

In acelai mod masuram caracteristica de transfer cu singura exceptie ca acum vom stabili tensiunea drenei Ec= const i vom varia tensiunea grilei cu in limitele date.

<

Caracteristica de transfer Tabelul 2 S'

const 2,5 2,75 3 ii

UD,V Um=lV Um=2V Um=3V ID.MA ID.MA ID.MA

uG,v 0

0,25

0,5

b) Masurarea pantei la tensiunile grilei i drenei stabilite preventiv - scoateti capacul de pe capsula de contact nr.7; - comutatorul trebuie stabilit in pozitia S; - tumblerul [-| in pozitia - tumblerul . - stabiliti-1 in pozitia . i cu manivela . instalati acul indicatorului la limita scarii; - tumblerul . - . stabiliti-1 in pozitia . - stabiliti basculanta 3, E n , E c in pozitia E c i alegeti

a n

subdiapazonul necesar de lucru; - plasati capacul pe capsula de contact i cu ajutorul manivelei reglarii line a tensiunii drenei E stabiliti valoarea necesara a ei; - scoateti capacul de pe capsula de contact; - stabiliti comutatorul 3, E T , E c in pozitia , alegeti subdiapazonul de lucru; - plasati capacul pe capsula de contact; - cu ajutorul manivelei reglarii line a tensiuni grile E stabilim valorile respective in intervalul permis, conform datelor din catalog. Alegand scara pentru indicatorul pantei de pe blocul de masurari, determinate valoarea pantei pentru valoarea respectiva a tensiunii grilei. Notati datele in tabelul 3
Tabelul 3 UD,V UD1=1V UD2=2V UD3=3V i S=f(UG)/UD=COnSt . UG,V 0 0,25 0,5
c MA V

2,5

2,75 3

c 5

"F

MA MA

) Masurarea componentei active a conductibilitatii de ieire pentru tensiunile indicate ale grilei i drenei date. - scoateti capacul $i tranzistorul din capsula de contact; - comutatorul stabiliti-1 in pozitia R K , g 22 ; - comutatorul g 22 in pozitia 100; - tumblerul . p,S - . in pozitia .; - cu manivela . stabiliti acul indicatorului in pozitia maxima; - tumblerul . j^S - . stabiliti-1 in pozitia .; - comutatorul subdiapazoanelor g in pozitia 1000; - instalati tranzistorul in capsula de contact i plasati capacul; - comutatorul , E n, E c de pe blocul regimurilor stabiliti-o in pozitia E c tensiunea drenei i fixati tensiunea necesara; - scoateti capacul; - basculanta 3, E n, E c in pozitia 3i subdiapazonul tensiunii grilei necesar; - plasati capacul; - variind tensiunea grilei cu ajutorul manivelei reglarii linei^ efectuati masurarile respective ale U (J i g 22 pe care le notati in tabel 4. Tabelul 4
UD,V UD1=1V g22=f(UG)/UD=COnSt uG,v 0 0,2 0,1

UD2=2V UD3=3V - indepliniti punctu

S22>/ ^ SllVS

...

0,8

0,9

c) la 1 'el, dar cu exceptia ca acum

fixati

tensiunea grilei UG =const.( ) i variind tensiunea drenei Ec determinant

g22 .Valorile respective introduced in tabelul 5.

Tabelul 5 g22=f(UD)/UG=const uD,v 0 0,25 0,5 a <

2,5

2,75

UG1=0,5V UG2=0,75 VG3=1V U

22*
/^>1

g2 2VS micorati tensiunea drenei pana la zero; scoateti capacul de pe capsula de contact;

- comutatorul E 3 , E ni E c stabiliti-1 in pozitia i micorati la zero tensiunea grilei; - readuceti in pozitia limita din stanga toate comutatoarele, iar comutatorul I c in pozitia limita din dreapta; - deconectati instalatia de la reteaua electrica la indicatia profesorului sau inginerului; 3. Prelucrarea datelor experimentale 3.1 Rezultatele experimentale din tabelele 1-5 de a le prezenta in forma unor familii de grafice. 3.2 Pe graficele obtinute experimental in aceiai scara de trasat i graficele calculate i pe cele din catalog. 4. ContinutuI darii de seama: 1. Tema i scopul lucrarii. 2. Schema principiala de cercetare. 3. Rezultatele experimentale sub forma de grafice i tabele. 4. Calculele caracteristicii curent-tensiune i ale parametrilor. 5. Se fac concluziile respective.

BIBLIOGRAFIE: 1. J12-46 - . 2. . , . . . . , . 1971 3. .. , .., .. - ., . 1971 4. . .. ., , 1984 5. .. , 1976 .

LUCRARE DE LABORATOR NR.2 : CERCETAREA CARACTERISTICILOR CAPACITATIVE A

STRUCTURILOR SEMICONDUCTOR-SEMICONDUCTOR $1 METAL DIELECTRIC - SEMICONDUCTOR. SCOPUL LUCRARII: - determinarea parametrilor structurilor cu ba- riera semiconductor - semiconductor i metal - dielectric -

semiconductor prin metoda masurarii $i prelucrarii a caracteristicilor experimentale volt-farad. Metoda de cercetare a jonctiunilor p-n polarizare invers. Pentru determinarea parametrilor diodelor semiconductoare se poate aplica caracteristica volt - faradica a contactului metal - semiconductor /1 /. Fie ca intr-o oarecare suprafata a semiconductorului la distanta x0 de la suprafata are loc trecerea din domeniul p in do- meniul n. Pentru calcularea barierei de capacitate trebuie de gasit relatia dintre valoarea inversa continue a tensiunii U i a sarcinii Q (unde in continuare prin Q va fi insemnata valoarea absoluta a sarcinilor Q + i Q~). Distribuirea potentialului in p-n jonctiune este determinata de relatia Poisson. sa consideram problema suprafata plata i unidimensionala (axa x este perpendiculara pe suprafata jonctiunii p-n). Atunci relatia Poisson are forma:

dx 2 s 0 unde (p = (p(x) potential, p=p(x) - densitatea sarcinii, e s -Constanta de transparenta a mediului, s 0 - constanta de transparenta in vid, (in sistemul SI, s 0 = 8.85xlO12 F/M). Sa practicam cazul cand, impuritatile din semiconductoare se ionizeaza la temperatura camerei. Atunci densitatea sarcinii de volum este: P = q(N d -N a + p-n) (2.2) Unde N d, N a ,n,p- concentratia donorilor, acceptorilor, elec- tronilor in zona de conductie, golurilor, in zona de valenta, unde q=1.6x 10 ~19 (sarcina electronului). Conceptia sarcinilor (donorilor i acceptorilor) se afla functia coordonatiei i nu depinde de potential. Concentratia sarcinilor in micare (electronilor in zona de conductie i golurilor in zona de valenta) se afla in functie de potential; acest factor

ingreuneaza integrarea egalitatii 2. Pentru simplificarea cal- culelor de obicei se considera ca trecerea are granite bine limitate, adica in afara jonctiunii p-n sarcinile impuritatilor ionizate sunt complect compensate de sarcinile mobile, iar in interiorul p-n jonctiunii nu exista sarcini mobile (are loc aa numita saracirea totala a jonctiunii p-n). Din aa considerente densitatea specifica de volum a sarcinii in interiorul jonctiunii p-n se determina numai de sarcinile care sant nemicate i este descrisa de relatia: p = q(N d -N a )=qN(x) (2.3) In afara jonctiuni lor p-n i in limitele granitei campului electric este egala cu zero: <p'x\,-, p = =0 (2-4) Marimea absoluta a sarcinilor pozitive i negative egala: X x n " Q = q S- \N(x)\dx = qS \N(x)\dx (2.5) x x p 0 S - aria jonctiunilorp-n. Campul electric intr-o oarecare suprafata a p-n jonctiunii, pentru tensiunea corespunzatoare U, poate fi gasita prin metoda integrarii egalitatii Poisson (aici in continuare determinam marimea absoluta a campului electric): E(U,x)=-l~ x -\ x \N(x)dx = -[Q-Q(x)) (2.6) s0 s0S Unde Q- sarcina de ionizare a impuritatii in p-n jonctiune poate fi primita prin metoda integralei duble a egalitatii Poisson. U k +U = \dx \N($)d% = -^ \x-N(x)dx (2.7)
p

in expresia (1.7) al doilea integrate primit din primul prin metoda schimbarii ordinului de integrare. inaltimea barierei de potential intre zonele p i n se determina din expresia: kT In f , n.
P n

(2.8)
i-21

- const. Boltman (0.86><10 eV / grade); T - temperatura absoluta, Nj - concentratia electronica in zona de conductie in semicon- ductorul propriu. Pp, Nn - concentratia golurilor in zona de valenta pe domeniul p i a electronilor in zona de conductie a domeniului n.

Pentru domeniul p pentru x < \ p avem p 0 = Na- Nd, iar in expresia (2.8) intra marimea Na - Nd cand x = x p. Expresia (2.8) este justa daca semiconductorul este nedegenerat. Sa calculam devierile mici a sarcinii Q i tensiunea U, care corespunde devierilor mici grosimii p-n jonctiunii. Diferentiind (2,5) obtinem: dQ = q- S(N(x p ) dx p ) = q-S\ x )dx\ (2.9) Diferentiind (2.7) tinand cont de dependenta limitelor de integrare de la tensiune, obtinem: dU = - (x n | N(x n )dx | -x p | N(x p )dx p |) (2.10) s 0 Capacitatea de bariera a p-n jonctiunii este egala cu produsul dintre sarcina Q $i tensiunea U. Folosind (2.9) i (2.10) obtinem: * dU h Unde h = x n -x - grosimea p-n jonctiunii. Din formula (2.11) rezulta ca masurand marimea capacitatii de bariera, se poate de determinat grosimea p-n jonctiunii. Sa cercetam cazul care se intalnete mai des, cand concentratia impuritatilor in domeniu e cu mult mai mare decat in altul. Pentru concretizare vom cerceta dioda flotabila cu baza din semiconductorul electronic. In acest caz concentratia golurilor in domeniul p este cu mult mai mare decat concentratia electronilor in domeniul n (baza diodei). Domeniul p dupa proprietatile sale se aproprie de a metalului; de aceea se poate constata, ca toata sarcina acceptorilor ionizati in domeniul p e situat pe granita domeniul n i de neglijat patrunderea campului electric in interiorul domeniului p, tot odata caderea de tensiune pe domeniul p. Atunci grosimea jonctiunilor p-n este egala cu grosimea statului de sarcina in domeniul n, adica h = x - x0. Conditiile de frontiera pentru cazul dat iau forma: P'lx-Jt = ^o) = 0 (2-12)
c

dQ_ = sfol

(2U)

10

Intregand relatia lui Poisson luand in considerate conditiile de frontiera obtinem:

U + Ut =

$(x-x 0 )N(x)dx

(2.13)

Diferentind (2.13) dupa parametrul h: h N(x 0 + h) dU __ q dh r i unde N(x 0 +h) + valoarea N(x) pentru x = x0+ h Folosind (2.11) i (2.14) obtinem:
dC k dC y dh (S'-S Q Y-S dU dh dU q h 3 dUN(x 0 + h) Expresia (2.15) se poate prezenta in forma: dC, (2.15)

(2.14)

(2.16) s 0 s q-S V dU r Din formula (2.16) rezulta ca tiind dependenta dC/dU (C b se poate determina distribuirea concentrate impuritatii in baza diodei li- chiete (in limitele deplasarii frontierei p-n jonctiunii la masurarea tensiunii de la minim, aproape de zero, pana la maximum accesibil a tensiunii inverse). Determinarea concentratiei impuritatii in p-n jonctiune $tiind distribuirea concentratiei in p-n jonctiune se poate gasi dependenta capacitatii de bariera de tensiune. La multe cazuri se poate de rezolvat problema inversa: tiind dependenta capacitatii de bariera de tensiune de gasit distribuirea concentratiei impuritatilor in p-n jonctiune. Folosind (2.11) obtinem: dC b s " Q S dh dU~ dU h2 e.-S \dxA

N(x 0 +h) = ~

dh_ dQ i relatia

(2.17) (2.9) dupa

Folosind relatia dh =| dx n transformari avem relatia: dC^ dU C\

1 1 + N(x x ) N(x p )

(2.18)

11

Formula (2.18) dupa transformari se poate de prezentat in forma: \ )\ 2 rf(C/2 (2.19) JV(x)+|A4*p)| q 0 s S dU inverse U, \ N(x p )\=\N d + N a |= N a - N d
1

unde x n i x p - frontiera p-n jonctiunii ce corespunde tensiunii cand x =x n, N(x n ) = N d - N a cand x=x n . Din formula (2.19) rezulta ca in cazul general concentratia impuritatilor in p-n jonctiune nu poate sa fie intrun fel gasita dupa dependenta barierei de tensiune, adica una i aceeai dependenta a capacitatii de bariera de tensiune pot sa corespunda diferitor legi de distribuirea impuritatilor in p-n jonctiune. Distribuirea impuritatilor in p-n jonctiune poate fi gasita numai prin existenta condijiilor adaugatoare care leaga marimile: N(x n ) i N(x p). Sa precautam unele cazuri frecvente. Concentratia impuritatilor in regiune este cu mult mai mare decat in cealalta. Astfel de corelatie are loc in p-n jonctiuni formate prin lichiere, tot odata in p-n jonctiuni create prin metoda difuziei de scurta durata. Aceste metode dau posibilitatea de a primi p-n jonctiuni de foarte mica adancime (aproximativ 0,2 mkm). Pentru | iV(jcp)|| 7V(x)|, formula (2.13) i (2.19) primesc forma: 2 d{C~ 2 b C\ I " q- s - o- S 2 dU q- s 0 -S 2 [dU Formula (2.20) coincide cu formula (2.16) a) Fie N(x) = N Q = const {p-n jonctiune formata prin lichiere cu baza omogena). In acest caz din expresiile (2.7) i (2.11) obtinem:

(2.21)
(2.22)
Relatia (2.22) se poate de a privi ca dependenta direct proportiona- la a marimii de la tensiunea (U + U k )

12

/i-2 _ b=

I[u + u) 5 q - x e 0 - N 0

(2.23)

Tangenta unghiului care este (2)// da posibilitatea de a jasi concentratia in baza diodei N 0, iar insai dreapta intersecteaza ixa abscisei formand segmentul egal cu U k . Jonctiunea obtinuta prin difuzie Notam prin N 0 concentratia va considera initiala a impuritatii in semiconductor. Pentru determinare se va considera ca in semiconductor purtatorii de sarcina sant electronii, iar impuritatea introdus - acceptorii. Atunci distributia concentratiei impuritatilor in p-n jonctiuni fig. (2.2) se determina din relatia: x 2/ Sa precautam doua0cazuri. In primul caz cand jonctiunea este situata aproape \-erf W(x) = N d -N a =N -n (2.24) de suprafata semiconductorului, distributia concentra- tiilor impuritatilor este aproape de trecerea brusca a p-n jonctiunii i dependenta capacitatii de tensiune se scrie dupa formula (2.23) de obicei la difuzia impuritatilor se tine cont de conditia A^supr N 0 . In alt caz cand adancimea sedentarii p-n jonctiunii e mare, distribuirea concentratiei impuritatilor in p-n jonctiuni este aproape de dreapta chiar in cazul de grosjmi mici a p-n jonctiunii, care corespunde tensiunii maxime inverse, in acest caz de limita se poate primi, ca concentratia impuritatii in p-n jonctiunii se schimba pe grafic dupa linie. N{x) = N d -N a =a(x-x 0 ) (2.25) (dN' unde a - v dx jonctiuni. Folosind (2.7) i (2.11) primim: - gradientul concentratiei impuritatilor in p-n

h=

>12- 0 - s -(U + U k ) qct 12 ((/ + U k )

(2.26) (2.27)

Cl S q a( 0 s)

13

Expresia (2.27) prezinta formula dreptei in coordonate 1/ 2 , U, inclinarea acestei drepte da posibilitatea de a determina gradientul concentratiei impuritatii in p-n jonctiuni iar singur dreapta sectionala pe abscisa segmentul egal cu U k . Metoda de cercetare a parametrilor structurii metal - dielectric semiconductor (MDS) MDS ideala - structura se caracterizeaza cu curba C=f(7) 1 pe fig. 2.3. Forma curbei se lamurete astfel, ca capacitatea structurii prezinta legarea consecutiva a capacitatilor dielectricului C d i a capacitatii Csc: C = -C? 'C-y (2.28) C+C,c La polarizarea directa - capacitatea de difuzie C scdif C d i atunci ~C d . La saracire putemica C sc <<C d , a ~C sc atunci primim caracteristica volt - faradica (C.V.F.) I fig. 2.5 . Daca in dielectric este infiltrata sarcina fixa, care nu depinde de tensiunea aplicata, atunci capacitatea structurii se schimba, in (CVF) se deplaseaza cu anumita tensiune (curba 2 fig. 2.4.). la existenta pe frontiera a portiunii dielectric semiconductor a starilor de suprafata (sarcina carora ca de regula se determina dupa curbura zonelor) CVF se mica, totodata se schimba i forma ei (curbura 3, fig. 2.3.). Determinarea sarcinii in dielectric Tensiunea sumara U pe structura este egala cu suma caderii de tensiune pe dielectric U d i a potentialului de suprafata a semiconductorului U s : U = U d+ U s (2.29) In modelul stratului saracit potentialul suprafetei semiconducto- rului este egal: (2.30)
2 0 Ss

Campul la frontiera semiconductorului cu dielectricul se determina ca:

14

i atunci campul in dielectric in conformitate cu

E. =

eorema Gauss va fi:

(2.31) Q In felul urmator tensiunea care cade pe dielectric cu grosimea d, avem:

, = ..,=2-'^*

Ud = q'N'h'd d 0 Prezentam marimea U d in forma:

Ud=

(2.32)

q_N= q^ g1N1d_e^ ^

'

\^'o's

2(^0

s)

i introducem tensiunea caracteristica: u = 2( S O ) Atunci obtinem: U = U s + U d= U s + 2jU s De aici gasim:

qNd^-b

(234)

(2.35)

U s = (Vl/ + t/ - Vt/7)2 (2.36) Marimea (/, determina grosimea stratului sarcinii de unde rezulta ca capacitatea MDS structura i 1 dependenta ei de tensiune: C= -U 1 . i (2.37) s S d' 0' d- o' s Astfel, metoda de determinare a sarcinii in dielectric contin urmatoarele etape: * *S 1. Din relatia C d = se determina marimea folosind marimea experimentala C d . 2. La concentratie cunoscuta N dupa formula (2.34) determinant marimea Lf\ iar dupa acestea din (2.36) se determina dependenta U s (U); c C,

15

3. Folosind (2.30) gasim marimea , dupa aceasta cu ajutorul (2.37) se construiete dependenta teoretica (U). Deoarece deplasarea curbei teoretice fata de cea experimentala trebuie aflata la nivelul capacitatii zonelor plane C :p , de unde gasim relatia:

e s V q 2 -N Aceeai marime poate fi determinate dupa nivelul U(0.95C d ) -1V (experimental). 4. Pe grafic (U) se traseaza dreapta orizontala, intersectia carei cu caracteristicile comparate dau marimea deplasarii dupa tensiune . Aceasta permite determinarea sarcinii in dielectric ca: (2.39)
Cl cm2

Determinarea densitatii starilor de suprafata Densitatea starilor de suprafata este caracteristica principala a structurilor semiconductoare, folosite in productie de circuite integrate. Cu cat este mai mare densitatea starilor de suprafata cu atat mai defectuoasa este suprafata, cu cat e mai mica densitatea - cu atat e mai perfects suprafata, cu atat e mai mica grosimea stratului de suprafata a sarcinii de volum. Densitatea starilor de suprafata se poate determina dupa relatia: _ ^d ^S^curbateor 0 ^
tgCZcurbaex

p erim

unde tgcc^rbaexPerim teoretica $i tga art , mor experimentala - tangen- tele unghiului de inclinatie curbei teoretice i experimentale (U). Partea experimentala Pentru masurari se folosete instalatia L.C.R. digitala E7-12. 1. Pregatirea instalatiei catre lucru: 1.1. Instalam tumblerul a aparatului in pozitia , in rezultat trebuie sa lumineze panelul cu indicatii luminiscente. 1.2. Permiteti incalzirea instalatiei in decursul a 30 min.

16

1.3. Dupa incalzire de efectuat calibrarea masuratorului, pentru care de instalat intrerupatoarele dispozitivului in urmatoarele pozitii: - . CG; - . 1; - XI; - in afara de aceasta trebuie periodic sa lumineze indicatorul . 1.4. De instalat in aa fel indicatiile ca sa fie zero dupa i G corespunzator organelor de reglare (cuiburile sub Iit i G). Consideram colibrarea finisata. 2. Masurarea caracterului C{U) 2.1. De instalat tumblerul . Pe panoul din spate in pozitia . 2.2. De instalat comutatorul tipului de lucru in pozitia V (volti), comutatorul marimii deplasarii in pozitia 00.0. 2.3. De instalat dioda cercetata in instalatia de conectare luand in considerate ca pe structure se aplica tensiune inversa (adica, anodul se contacteaza in fixator 2.4. De instalat comutatorul in pozitia (pF). De apasat butonul i de inregistrat de pe indicatorul din stanga marimile capacitatii (pF). in cazul cand capacitatea obiectului e mai mare ca 20 pF, de ales limita necesara permutand comutatorul . in pozitia in care se vor stinge LED-rile i fotodiodele. 2.5. De inregistrat marimile capacitatii diodei polarizand diferite tensiuni pana la 10V cu ajutorul comutatorului volti de la panoul de comanda. Dupa incheierea masurilor asupra structurii date acest comutator de instalat in pozitia 00.0. 2.6. De repetat masurarile pentru alta dioda. 2.7. De efectuat masurarile caracteristicii C-V a structurii MDS. Pentru aceasta de conectat la instalatie cutia de fixare a contactelor pentru TEC, tinand cont de polaritate. Sa se inregistreze valorile capacitatii structurii modificand tensiunea U gd de la 10 pana la +10V. Comutarea polaritatii se efectueaza cu comutatorul respectiv U gd U gd pe cutia de fixare a contactelor pentru TEC-MOS (tranzistor cu efect de camp MOS).

17

Dupa efectuarea masurari lor de deconectat instalatia conform indicatilor profesorului sau inginerului. S ARC IN A 1. De calculat coeficientii numerici Tn relatiile 12 dU S 3 q(s s 0 ) 2 ' di\!Cl
(2.41) (2.42) (2.43)

2. De masurat dependentele experimentale a capacitati de bariera de tensiunea polarizarii C(U) a modelelor Nr. 1,2 in conformitate de regulile de aplicare din partea experimentala. 3. De determinat dependenta N(h), diferenta de potential de contact U k i a, in conformitate cu dependentele experimentale C b (U) . 4. De masurat caracteristica experimentala volt - faradica a structurii Me Si 0 2 - Si 5. De determinat concentratia dupa capacitatea zonelor plane. 6. Calcularea sarcinii fixe incorporata in S,0 2 7. De determinat densitatea starilor de suprafata. 8. Folosind marimile obtinute Q d de apreciat calitatea dielectricului i frontierele de separare. BIBLIOGRAFIE 1. JI.C. . : ; 1972, . 5-18 2. . . . : , 1978, 18-22. 3. . . . . .: . , 1975, . 245-285.

LUCRAREA DE LABORATOR NR. 3

: CERCETAREA DIODEI TUNEL
>COPUL LUCRARII: studierea principiului de lucru, a caracteristicilor

curent-tensiune $i determinarea parametrilor principali a diodei tunel (DT). Metoda de cercetare i relatiile de calcul. Descrierea instalatiei La baza functionarii diodei tunel este efectul de tunelare. Acest fenomen consta in faptul, ca electronul ce poseda energia mai mica decat inaltimea barierei de potential poate strabate aceasta bariera de potential.
Caracteristica curent-tensiune a diodei (fig. 1.1) este caracteriza- ta de urmatorii parametri:

I j - curentul de varf, ce corespunde punctului maxim de pe caracteristica; I, - curentul minimal, ce corespunde minimului de pe caracteristica; U | - tensiunea ce corespunde curentului I,; U 2 tensiunea ce corespunde curentului 12; U - tensiunea cea mai mare de pe caracterisjica curent-tensiune ce corespunde curentului de pe ramura dtfizionala egal cu curentul 13.

Schema echivalenta a diodei tunel pe sectorul de rezistenta negativa este reprezentata in fig. 3.2. Unde: r - modulul rezistentei negative;
r0 - rezistenta ohmica sumara a straturilor;

- capacitatea de bariera; L - inductanta terminalelor DT; R - rezistenta externa a circuitelor de conexiune; Dioda tunel Intre terminalele exterioare reprezinta cu sine rezistenta complexa Z intrare: ,n = (R + r0) + ja)L + (-- ----- --------- ); (1.1) 1 - JCDCQ r Z, = Re(Z,J + /(Z,) (1.2) Frecventa la care partea reala a rezistentei complexe Re(Z m ) = 0, adica rezistenta diferentiala este compensate de rezistenta pierderilor se numesc de frontiera i este determinata de relatia:
z

19

ffr=T" <13> 2-\\- 0 \R + r 0 Frecventa la care partea imaginara a rezistentei complexe de intrare ( ) 0 se numete de rezonanta i este determinata de relatia: Im(Zin)=0
a4)

Daca f fr = f rez rezistenta conturului echivalent este egala cu zero i schema este nestabila, adica va genera de sinestatator oscilatii sinusoidale. Conditia pentru autoexcitare a schemei poate fi scrisa sub forma: (1.5) C0 -r unde Rj- L z - rezistenta sumara a pierderilor i inductanta terminalelor DT. Pentru lucrul stabil a schemei este necesar de a satisface inegalitatea C-6) C0 r Pentru mdeplinirea regimurilor de amplificare i generare a schemei pe DT, este necesar de respectat inegalitatea: R z <r (1.7) iar pentru regimul de comutare: R z )\r\ (1.8) DESCRIEREA INSTALATIEI Schema pentru ridicarea caracteristicii curent-tensiune statice a DT in polarizare directa i inversa este reprezentata in fig. 1.3. Tensiunea de pe potentiometru R3 se aplica la puntea redresoare in doua semiperioade cu C-filtru. Dioda tunel este plasata pe un suport special i se comuteaza in una din ramurile schemei puntii redresoare. Rezistenta R5 indeplinete rolul rezistentei de untare.

20

Potentiometrul R6 servete pentru balansarea locului pentru cazul cand DT este deconectata. Milivoltmetrul mV2 masoara tensiunea proportionate curentului prin DT:
(>

Aceasta expresie este corecta pentru cazul cand puntea prealabil este echilibrata pentru DT deconectata, indica: R'i

(1.10)

^85 Unde

^8

- rezistenta ramurii intre punctele a i b; R 8 rezistenta ramurii i ; R r 7 - corespunzator. Real pentru puntea precautata poate fi scrisa urmatoarea relatie: (/01 + I) R' a + 701R 5 -1 02 (R'+R s ) (1.11) I 02 -R 7 -V\-I 0X R,= 0 (1.12)

Io,=%r
4

(1-I3)

unde: I Q] I 02 - curentii puntii echilibrate fara DT. Rezolvarea comuna a ecuatiilor 1.2 1.11 permite de a determina valoare a h= V x (114) cautata
5-;

Unde V* - indicatiile milivoltmetrului R 5 = R B =24Ohm; R' 7 = R' A =360hm, deoarece R' 7 = R 7 +1/2R 6 ,R 6 =24Ohm ORDINEA DE INDEPLINIRE A LUCRARII 1. Pe panoul de laborator pentru cercetarea caracteristicilor DT se afla basculantele de ajustare (reglare) ce se afla pe panoul din fata i intrerupatorul electric de pe panoul lateral din stanga: intrerupatorul B1 a schemei de cercetare a DT, potentiometrul R3, comutatorul B2, potentiometrul R6, cuiburile pentru ieire X,Y a osciloscopului H3013, cuiburile pentru conexiune externa a mV2, in-

21

dicatoarele mVl i mV2 (limitele carora sunt exprimate in volti), cuiburile pentru conectarea diodei tunel DT, a generatorului impulsurilor 5-48, a osciloscoapelor Cl-65 i H3013, firele de conexiune. 2. Instalati basculantele de comanda in urmatoarea ordine: intrerupatorul general de la reteaua electrica (ce este situat pe panoul lateral din stanga) in pozitia DECONECTAT!; intrerupatorul 1 - in pozitia DECONECTAT; potentiometrul R3 - in pozitia limita din stanga; comutatorul B2 - in pozitia BAX (car-ca curent-tensiune); potentiometrul R6 - in pozitia medie; limita pentru mVl - apasati butonul limitei 0,5 Volti; limita pentru mV2 - apasati butonul limitei 1 Volt; intrerupatorul osciloscopuluiH3013 DECONECTAT; dioda tunel - neconectata la schema: 3. Masurarea caracteristicii curent-tensiune in regim static Dupa indeplinirea punctului 2 cu ajutorul firului de conexiune conectati standul (panoul de laborator) la reteaua electrica 220V 50Hz. Conectati intrerupatorul general a panoului lateral din stanga, de asemenea i intrerupatorul Bl. Dupa aceasta trebuie sa lumineze indicatorul Al. Cu potentiometrul R3 de stabilit indicatiile milivoltmetrului mV2 cu pozitia 100, ce corespunde v=lv. Pentru stabilirea mai corecta a indicatorului mVl in pozitia 0, apasati butonul limitei 0, 05 V. Dupa stabilirea zeroului a indicatorului mVl, butonul 0,05 deconectati-i. Schema este echilibrata. Readuceti potentiometrul R3 in pozitia limita din stanga. Conectati dioda tunel cercetata in cuiburile respective respectand polaritatea. Alegand limitele corespunzatoare a milivoltmetrelor mV2 i mVl ridicati caracteristica curent-tensiune a diodei tunel cercetate $i notati rezultatele respective in tabelul 1.1. mV 2 mV 1 R,R unde R'-j =36phtn;R 5 =R S -2^phm. Dupa sfarirea procesului de masurari readuceti potentiometrul R3 in pozitia limita din stanga. Intrerupatorul B1 ramane in pozitia conectata pana la sfarirea tuturor masurari lor i cercetarilor. 4. Cercetarea caracteristicii curent - tensiune a diodei tunel prin utilizand osciloscopul.

22

Comutatorul B2 aduceti-1 in pozitia (oscil.) i utilizati aceeai schema. Conectati osciloscopul H3013 cu intrerupatorul (Retea). , Permiteti incalzirea in decursul a cinci minute, butoanele comutarii regimului de lucru a osciloscopului se afla in stare deconectata, in afara de . (sincronizata), manerile reglarii amplificarii X i tcY in pozitia limita din stanga. Cu ajutorul potentiometrelor (Luminozitatea), (Focusarea fasciculului),|, gasiti fasciculul, focusati-1 i plasati-l in unghiul drept de sus a ecranului. Conectati la intrarile X i Y a panoului de laborator firele de conexiune de la ie^irile X i Y a osciloscopului H 3013, respectand ordinea de conexiune elementelor de potential jos. Instalati potentiometrul X (Amplasarea X) in pozitia medie i Y (Amplasarea Y) in pozitia maximala. Aplicati tensiunea, rotind potentiometrul R3 in dreapta i stabilind valoarea convinabila X studiati caracteristica curent - tensiune a diodei tunel de pe ecranul osciloscopului i desenati-o. Determinati parametrii dupa oscilograma. STUDIEREA DIODEI TUNEL IN DIFERITE REGIME a) determinati parametrii de baza a impulsurilor generatoru/ (fig. 1.4). In figura 1.4 este reprezentat un generator in impulsuri dreptunghiulare folosind caracteristica DT de forma N. Principiul de lucru a acestui generator consta in: In starea initiala tranzist6rul V2 e inchis, dioda VI se afla in starea 0. Ciclul de lucrul incepe cu incarcarea condensatorului Cl prin rezistentele R3 i R2. Cand curentul care trece prin R1 va ajunge la 7max, dioda se va deschide i curentul lui va ajunge la saturatie, iar potentialul colectorului transistorului V2 va cadea pana la Uk de saturatie. Apoi condensatorul C2 se va descarca prin R1 i R2 pana cand tensiunea pe DT VI va deveni mai mica decat tensiunea punctului minim de pe caracteristica curent-tensiune a DT. Dupa aceea dioda tunel se va intoarce in starea initiala 0 i transistorul se Tnchide. Apoi ciclul se repeta. In acest circuit DT VI indeplinete func^ia de memorare iar transistorul V2 - de amplificator al semnalului de pe diod.

23

b) determinati parametrii de baza a impulsurilor pe formatul de impulsuri negative (fig.3.5). Pe fig. 3.5. este reprezentat formatorul de impulsuri negative cu utilizarea DT. Amplituda semnalului la intrarea formatului cu dioda AU201 alcatuie$te 4-5V de polaritate negativa. Pe baza utilizarii caracteristicii de forma N are loc ascutirea frontului impulsului i impulsul de ieire are un front mai abrupt i rezistenta de ieire a frontului este de ordinul a 20-30 Ohm in momentul formarii partii plane a impulsului. La intrarea formatorului se aplica semnalul de la generatorul de impulsuri. La ieirea formatorului se conecteaza osciloscopul 1-77 i determinati fronturile impulsurilor. c) determinati parametrii de baza a generatorului de fa$ii period ice (fig. 3.6). In fig. 3.6. este reprezentata schema generatorului de faii periodice folosit la ajustarea receptoarelor de televiziune. Utilizarea caracteristicilor de tip N a DT permite crearea acestor instalatii destul de simplu. Generatorul pe dioda tunel VI lucreaza in regim de autooscilatii cu frecventa de repetare a impulsurilor de forma Meandr de aproximativ 700Hz. Caderea negativa de curent de pe DT VI cauzeaza pomirea generatorului cei in ateptare pe baza DT VI care formeaza complecte de impulsuri cu frecventa de 200 nHz. La randul sau cu impulsurile de intrare a lui se pornete generatorul de complecte a frecventei portative, de aproximativ 60 MHz pe DT V3. Cu ajutorul osciloscopului 1-65 de urmarit lucrul generatorului de determinatii parametrii. d) determinati parametrii impulsurilor formatorului de impulsuripozitive (fig. 3.7.) in fig.3.7. este reprezentat formatorul de impulsuri pozitive pe baza de dioda tunel ce permite pomirea sumatorului de radioimpul- suri. Sumatorul functioneaza in felul urmator. La intrarea formatoru- lui prin Cl se aplica tensiunea de intrare sinusoidala de 3V i f=200 nHz. in stare initiala transistorului V2 e inchis. in decursul semiperioadei pozitive curentul parcurge prin inductanta LI. insa pana cand DT - VI nu va trece In stare de tensiune inalta pe baza FEM (fortei electromotoare) de autoinductie in bobine LI are loc creterea brusca a V - nii la baza transistorului V2 i ultimul se deschide. Transistorul V2 e conectat in circuit cu colector comun, impulsul tensiunii de intrare duce la inchiderea diodei V3, care pe baza scoaterii purtatorilor minoritari formeaza un impuls scurt.

24

Rezistenta verticals R2 servete la alegerea curentului de incarcare prin dioda V3; inductanta L2 - pentru marirea amplitudei impulsului. La intrarea formatorului - se implica impulsuri de la generatorul de impulsuri dreptunghiulare pe fig. 3.4 i la ieire se conecteaza oscilograful 1-64. ONTINUTUL DARII DE SEAMA La darea de seama pentru lucrarea data se anexeaza; tema, sco- pul lucrarii, schemele principale, tabelele cu rezultatele masurarilor, oscilografmele, graficele, calculele, amanuntite i concluzii cu suprapunerea, compararea rezultatelor experimentale cu datele din catalog. 1. Dupa datele tabelei 1.1. construiti caracteristica curenttensiune (CCT). 2. Dupa dependenta CCT I=f(4) determinati parametrii diodei tunel, /j,1 2,U\,U. 3.Indepliniti calculele pentru CCT i parametrii DT. Compara- tiile cu datele experimentale. 4. Desenati i determinati parametrii impulsurilor de ieire.

25

26