Capitolul 10

Difuzia
Only two things are infinite, the universe and
human stupidity, and I'm not sure about the
former.
Albert Einstein

10.1 INTRODUCERE
Difuzia este mecanismul prin care atomii de impuritate strini se deplaseaz n
reeaua cristalin a unui corp solid. Acest mecanism are o importan deosebit n
tehnologia semiconductoarelor, deoarece constituie o metod foarte practic de
impurificare controlat a semiconductoarelor, dar i un fenomen inevitabil care are
loc n timpul proceselor la temperaturi nalte, respectiv oxidri sau alte tratamente,
care modific distribuia impuritilor n semiconductor. Impurificarea
semiconductoarelor n tehnologiile pentru circuite integrate se poate face prin
difuzie din faz de vapori la temperaturi nalte, prin difuzie dintr-un strat surs
dopat i prin implantare de ioni.
Caracteristicile electrice ale jonciunilor dar i ale altor dispozitive
semiconductoare depind de concentraia de impuriti i pot fi utilizate direct
pentru msurarea concentraiilor de impuriti, cu precizie de 10ppm.
La temperaturi nalte, atomii reelei cristaline vibreaz n jurul nodurilor reelei.
Atomii care capt suficient energie pentru a prsi nodurile reelei, devin
interstiiali i las n urm cte o vacan. Cnd un atom de impuritate migreaz
ctre locul vacanei, mecanismul poart numele de difuzie prin vacane, sau
substituional.
Dac atomul de impuritate se deplaseaz printre atomii, respectiv nodurile reelei,
fr s ocupe un nod, mecanismul se numete difuzie interstiial. n cazul
siliciului, elementele uzuale de dopare din grupele III i V difuzeaz
substituional. Teoria fizic i matematic a difuziei n solide este tratat n mai
multe texte clasice, cum sunt cele ale lui Boltaks [1], Crank [2] i Grove [3].
Particularitile fizice intime ale proceselor de difuzie n siliciu sunt trecute n
revist de Fair [4].

266

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

10.2 DETERMINAREA FLUXULUI

Se consider fluxul F al unei specii oarecare ca fiind numrul de particule care trec
prin unitatea de arie n unitatea de timp. Considerm modelul micrii particulelor
ncrcate pozitiv ntr-un cristal. Atomii cristalului formeaz o serie de bariere de
potenial, ca n fig. 10.2-1, mpiedicnd micarea impuritilor ionizate.

Fig. 10.2-1. Modelul micrii ionilor ntr-un cristal fr polarizare.

nlimea barierei de potenial W, este pentru majoritatea materialelor de ordinul
electron-volilor. Distana dintre dou bariere de potenial a este de ordinul
constantei reelei, respectiv de civa angstromi.
La aplicarea unui cmp electric constant, distribuia de potenial se va nclina,
conform cu fig. 10.2-2, astfel nct particulele ncrcate pozitiv vor trece mai uor
spre dreapta i mai greu spre stnga.

Fig. 10.2-2. Modelul micrii ionilor ntr-un cristal la cmp electric constant.
Fluxul n poziia x este media fluxurilor din poziia (x-a/2) i (x+a/2), care sunt
date de F1 - F2 i F3 - F4, conform cu fig. 10.2-2:

Fx =

1
[F xa / 2 + F x+ a / 2] = 1 [(F 1 F 2 ) + (F 3 F 4 )]
2
2

(10.2-1)

Componenta F1 va fi dat de produsul dintre densitatea impuritilor pe unitatea de

arie, coninut n planul normal pe direcia fluxului n groapa de potenial din
punctul (x-a), probabilitatea de salt a oricreia dintre aceste impuriti n groapa
din punctul x i frecvena a salturilor ncercate.

F 1 = [a C (x a )] exp

q
kT

W 2 a E

(10.2-2)

Difuzia

267

[a C (x a )]

este densitatea pe unitatea de arie a particulelor situate n

groapa din punctul (x-a),
factorul exponenial este probabilitatea de reuit a unui salt din groapa
din (x-a) n groapa din x,
Se observ scderea barierei datorit cmpului electric E. Aproximnd
concentraiile C(xa) prin C(x) C / x i utiliznd formule similare pentru
fluxurile F2 F4 se obine expresia fluxului.
unde:

C
qaE
qaE
+ [2a e qW / kT ]C sinh
(10.2-3)
cosh
x
2kT
2kT
Pentru cmp electric de valori mici, E<< kT/qa, dezvoltnd n serie termenii cosh
F ( x ) = [ a 2 e qW / kT ]

i sinh i observnd c la x0 cosh(x)=1 i sinh(x)=x, se obine forma limit a

expresiei fluxului pentru particule ncrcate pozitiv.

F (x ) = D
unde:

C
+ E C
x

D a 2 e qW / kT

(10.2-4)
(10.2-5)

2 qW / kT
a e
kT / q

(10.2-6)

Primul termen al relaiei (10.2-4), proporional cu gradientul concentraiei, este

componenta de difuzie iar al doilea, proporional cu concentraia, componenta de
cmp sau de drift.
ntre mobilitatea i coeficientul de difuzie D exist relaia lui Einstein.

D=

kT

(10.2-7)

Pentru particule ncrcate negativ, termenul de drift din ecuaia (10.2-4) va avea
semnul negativ.
Valorile experimentale ale coeficientului de difuzie n siliciu sau oxid, n scar
logaritmic, [log(D)1/2 = f(1/T)] date n fig. 10.2-3 pn la 10.2-6, reprezint linii
drepte. De aici rezult dependena de temperatur a coeficientului de difuzie, sub
forma urmtoare.

D = D0 e E a / kT

(10.2-8)
Aceasta este n concordan cu relaia (10.2-5).
Deoarece n semiconductoare, difuzia impuritilor substituionale, care se
plaseaz n nodurile din reeaua siliciului, se desfoar de obicei prin saltul
impuritilor n vacanele de siliciu din reea, energia de activare corespunde mai
degrab energiei necesare pentru a se forma o vacan de siliciu, dect energiei
necesare pentru micarea impuritilor.
Deoarece pentru a se forma o vacan trebuie s fie rupte legturile siliciu-siliciu,
trebuie s existe o relaie ntre mrimea benzii interzise a semiconductorului i
energia de activare a coeficienilor de difuzie a impuritilor substituionale.

268

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

Fig. 10.2-3. Coeficientul de difuzie al

impuritilor acceptoare n siliciu.

Fig. 10.2-4. Coeficientul de difuzie al

impuritilor donoare n siliciu.

Fig. 10.2-5. Coeficientul de difuzie pentru

diferite impuriti n siliciu.

Fig. 10.2-6. Coeficientul de difuzie

n SiO2 amorf.

Difuzia

269

Energia de activare a coeficienilor de difuzie a impuritilor de tip acceptor sau

donor sunt 34eV pentru siliciu i 23eV pentru germaniu, respectiv de 34 ori
lrgimea benzii interzise a siliciului respectiv germaniului.
Impuritile interstiiale ca nichelul sau manganul se plaseaz n spaiile dintre
atomii de siliciu i nu n nodurile reelei cristaline. Acestea se mic de obicei mult
mai rapid dect impuritile substituionale, conform fig. 10.2-5.
Difuzia aurului in siliciu este interstiial, dar este influenat i de concentraia
vacanelor.

10.3 ECUAIA DE TRANSPORT

Se bazeaz pe legea conservrii aplicat elementului de material din fig. 10.3-1.

Fig. 10.3-1. Element de material mic, mrginit de planele x i x+x.

Considernd c, n interiorul acestui element, nu se formeaz i nu se consum
material, atunci variaia concentraiei de impuriti este egal cu variaia local a
fluxului de difuzie.
Creterea densitii materialului pe unitatea de arie/Unitatea de timp=Fintrare - Fieire
Aceast relaie se poate scrie n funcie de concentraie:

C
= F ( x) F ( x + x) ,
t

(10.3-1)

unde C este concentraia medie n interiorul elementului.

Considernd c x0,

C C(x)

F ( x + x) F ( x)
F

,
x
x

astfel nct se obine forma general unidimensional a ecuaiei de transport.

270

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

C
F
=
t
x

(10.3-2)

Forma tridimensional a ecuaiei de transport este:

C
= divF
t

(10.3-3)

Introducnd n forma unidimensional (10.3-2), expresia fluxului (10.2-4) i

presupunnd coeficientul de difuzie independent de concentraie, se obine o
form mai simpl a ecuaiei de transport:
2
C
C
C
= D 2 E
,
t
x
x

cu E i D = constante.

(10.3-4)

Deoarece majoritatea proceselor de difuzie se desfoar n absena cmpului

electric, la E=0 se obine ecuaia de difuzie:
2
C
C
=D 2,
t
x

cu E = 0 i D = constant.

(10.3-5)

Aceast ecuaie este identic cu ecuaia ce descrie conducia cldurii n solide la

care coeficientul de difuzie D este nlocuit de coeficientul de difuzie termic k.

10.4 DIFUZIA N SOLID

Predifuzia
Impurificarea prin difuzie pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare
cuprinde dou etape.
Predifuzia sau depunerea - n aceast etap, atomii de impuritate sunt
transportai de la o sursa de vapori la suprafaa plachetelor de siliciu i difuzai
superficial n acestea, pn la o adncime de cteva zecimi de micron, n
concentraie mare. Sursa de vapori menine pe toat durata procesului o
concentraie aproximativ constant de impuriti la suprafaa siliciului. n
final, la suprafa, exist o anumit cantitate de impuriti, concentrate ntr-un
strat foarte subire. Acelai rezultat se poate obine implantnd ionii de
impuritate n siliciu, sau depunnd pe suprafaa siliciului un strat de oxid de
siliciu policristalin dopat.
Difuzia propriu-zis, sau drive-in - n aceast etap, cantitatea de impuriti
de la suprafa, care rmne aproximativ constant, difuzeaz spre volumul
siliciului datorit temperaturii nalte, pentru a realiza profilul de impuriti
dorit.
Predifuzia se realizeaz la temperaturi de 8001200C cu un flux purttor de gaz
inert, avnd un debit de 1cm/s, n care se introduc impuritile necesare din
diverse tipuri de surse [5].
Surs solid - impuritile sunt introduse n gazul purttor de la o surs solid
care se evapor. Cnd la surs se atinge echilibrul, presiunea parial a
impuritii coninut n gaz va fi egal cu presiunea ei de vapori la temperatura
sursei. Uzual, se utilizeaz un oxid al impuritii: P2O5 pentru fosfor, B2O3

Difuzia

271

pentru bor, As2O3 pentru arsen, Sb2O4 pentru stibiu. Oxidul este transportat la
suprafaa semiconductorului de ctre gazul purttor, unde este redus conform
exemplului urmtor.
P2O5 (gaz) + Si (solid) P + SiO2 (solid)
(10.4-1)
n timpul predifuziei, la suprafaa siliciului se formeaz un strat de oxid.
Surs lichid - sursa este un lichid meninut la temperatur constant, prin care
este barbotat gazul purttor. Gazul atinge echilibrul cu lichidul, rezultnd o
presiune parial a compusului de impuritate care prsete incinta, egal cu
presiunea de vapori a lichidului la temperatura lui. Uzual, se utilizeaz POCl3,
pentru predifuzia fosforului i BBr3, pentru predifuzia borului.
Surs gazoas - Cele mai utilizate gaze sunt arsina AsH3, triflorura de arsen
AsF3, triflorura de bor BF3, triclorura de bor BCl3, diboran B2H6 sau fosfina
PH3.
Impuritile pot fi introduse n gazul purttor printr-o reacie la surs, pentru
galiu se utilizeaz la predifuzie Ga2O3, care n prezena hidrogenului introduce
galiul n gazul purttor, conform reaciei:
Ga2O3 (solid) + 3H2 2Ga (vapori) + 3H2O
(10.4-2)
Pentru aceast reacie, presiunea parial a vaporilor de galiu este dat de
relaia:
1, 5

pH

2
pGa

pH O
2

Fig. 10.4-1. Solubilitile solide n siliciu.

(10.4-3)

272

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

Dac nu exist rezisten la transportul impuritii din gaz spre suprafaa solidului,
concentraia la suprafa CS n solid va fi n echilibru cu presiunea parial p a
impuritii n gaz, respectndu-se legea lui Henry:
CS = Hp,
(10.4-4)
unde Cs este concentraia speciei active la suprafaa solidului, H este constanta
legii lui Henry iar ps este presiunea parial a impuritii.
Aceast relaie este valabil pn la o concentraie maxim care poate intra n
solid la o temperatur dat, denumit solubilitatea solid a impuritii.
Solubilitile solide ale celor mai importante impuriti n siliciu sunt date n
funcie de temperatur n fig. 10.4-1.
Dependena concentraiei la suprafa de presiunea parial a oxidului de bor, B2O3
n gazul purttor la 1100C, este prezentat n fig. 10.4-2. La concentraii mici,
concentraia la suprafa este proporional cu presiunea parial a oxidului de bor
n gazul purttor, saturndu-se la atingerea solubilitii solide.

Fig. 10.4-2. CS a borului n Si n funcie de presiunea parial a B2O3, la 1100C.

Solubilitatea solid variaz cu temperatura. n domeniul de temperatur uzual
pentru depuneri la 9001100oC, solubilitatea solid a borului n siliciu este de
(23)1020 cm-3, cea a fosforului de 610201,21021 cm-3, iar cea a arsenului de
(1,61,7)1021 cm-3. Industrial, predifuzia se realizeaz la o presiune parial a
impuritilor n gazul purttor suficient de mare, astfel nct concentraia la
suprafa n semiconductor s corespund solubilitii n solid a impuritii. Astfel,
concentraia la suprafa este independent de presiunea parial i va fi uniform
i reproductibil, chiar la variaii ale presiunii pariale.

Difuzia

273

Distribuia de impuriti n siliciu dup predifuzie

Distribuia este dat de ecuaia difuziei, considernd CS meninut constant,
2
C
C
=D 2,
t
x

cu E = 0 i D = constant.

(10.4-5)

i condiiile la limit:
C(0,t) = CS
(10.4-6)
(10.4-7)
C(,t) = 0
i condiia iniial
C(x,0) = 0
(10.4-8)
Soluia care satisface aceste condiii i ecuaia difuziei este funcia complementar
de eroare,

C ( x, t ) = C S erfc

(10.4-9)

2 Dt

Principalele proprieti ale funciei complementare de eroare

erf ( x) =

e a da

erfc (x) = 1- erf (x)

erf (0) = 0
erf () = 1
erf (x)

pentru x << 1

1 e x
pentru x >> 1
erfc (x)
x
2
d
[erf ( x)] = 2 e x
dx

x
2
1
'
'
1 e x
erfc( x )d x = x erfcx +
2

erfc( x)dx =

Distribuia de concentraie dup predifuzie, normat la concentraia la suprafa

care este constant, n funcie de distan, pentru trei valori ale lungimii de difuzie

2 Dt , care corespund la trei timpi de predifuzie, este prezentat n fig. 10.4-3.

La creterea timpului de predifuzie, impuritile ptrund tot mai adnc n solid,
ptrunderea putnd fi reprezentat de numrul total al atomilor de impuriti.

274

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

Fig. 10.4-3. Distribuia erfc. Concentraia normat n scar liniar respectiv

logaritmic, n funcie de distan la trei timpi de predifuzie.
Numrul total al atomilor de impuritate ntr-o seciune de 1cm2
Ptrunderea se poate reprezenta prin numrul total al atomilor de impuritate ntr-o
seciune de 1cm2 din semiconductor,

Q(t ) = C ( x, t )dx
0

nlocuind expresia concentraiei din relaia (10.4-9),

(10.4-10)

Difuzia

275

x
x
x
d(
) 2 Dt
dx = C S erfc
0
0
2 Dt
2 Dt
2 Dt
1
2
Q(t ) = C S
2 Dt =
Dt C S

Q(t ) = C S erfc

(10.4-11)
(10.4-12)

se obine aria distribuiei de concentraie normat. O aproximare bun este dat de

aria triunghiului cu nlimea CS i baza 2 Dt .

Q(t ) Dt C S

(10.4-13)

Gradientul concentraiei de impuriti

Gradientul concentraiei de impuriti este important pentru determinarea
caracteristicilor dispozitivelor semiconductoare i se obine din derivarea expresiei
concentraiei.

x
x

= C S 1 erf
= C S erfc
x
x ( x, t ) x
2 Dt ( x, t )
2 Dt ( x, t )

x
x2
exp

= CS
erf
= CS

2 Dt x
2 Dt ( x, t )
2 Dt
4 Dt
2 Dt
x2
C
CS

(10.4-14)
exp
=
x ( x, t )
Dt
4 Dt

Utiliznd aproximaia asimptotic pentru funcia complementar de eroare,

1 e x
erfc (x)
,
x
2

pentru x >> 1,

x2
exp

4
Dt
1
C

x =
C
= S

x
x ( x, t )
2 Dt
Dt
2 Dt
x
1
x
x

C ( x, t )

C S erfc
2 Dt
Dt
2 Dt 2 Dt

(10.4-15)

Difuzia
Realizeaz scderea concentraiei la suprafa de la valoarea solubilitii solide a
impuritii i transport impuritile mai adnc n semiconductor, fr creterea
numrului de impuriti [6]. Se realizeaz printr-un tratament termic, la
temperatur nalt ntr-un gaz care nu conine nici o impuritate [7].
Deoarece majoritatea impuritilor de tip acceptor i donor, cu excepia Ga,
difuzeaz mult mai repede n siliciu dect n oxid, n mod uzual, acest tratament
termic adiional, difuzia, se face ntr-un mediu oxidant [8]. Stratul de oxid care

276

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

rezult va tinde s nchid aceste impuriti n siliciu, nici alte impuriti nu vor
mai fi adugate i nici nu va scpa o cantitate semnificativ de impuriti,
deoarece oxidul acioneaz ca o masc efectiv mpotriva difuziei acestor
impuriti. Distribuia de concentraie dup difuzie este dat de acea soluie a
ecuaiei de difuzie care satisface urmtoarele condiiile la limit, presupunnd
meninerea constant a sarcinii n semiconductor.
2
C
C
=D 2,
x
t

cu E = 0 i D = constant.

(10.4-16)

condiiile la limit,

C
=0
x (0, t )
C(,t) = 0

(10.4-17)
(10.4-18)

i condiia iniial

C ( x,0) = C S erfc

2 Dt predifuzie

(10.4-19)

n care distribuia de impuriti, la nceputul difuziei, este practic distribuia de

impuriti obinut dup predifuzie.
Deoarece, pentru majoritatea cazurilor practice se poate considera c Dt predifuzie
este mult mai mic ca

Dt difuzie , se poate aproxima profilul predifuzat cu o funcie

delta. n aceste condiii, distribuia de concentraie este dat de distribuia Gauss.

C ( x, t ) =

x2
exp
Dt
4 Dt
Q

(10.4-20)

Se verific uor, integrnd de la zero la infinit, c n aceast soluie cantitatea

total de impuriti Q se conserv, aceasta corespunznd i cu condiia la limit
(10.4-17). Deoarece, odat cu trecerea timpului, impuritile se deplaseaz spre
volumul siliciului, pentru a pstra Q constant, concentraia la suprafa trebuie s
scad. Aceast concentraie are expresia:

C S (t ) =

(10.4-21)

Dt

Prin urmare, profilul Gaussian de impuriti poate fi de asemenea exprimat prin:

x2
C ( x, t ) = C S (t ) exp
4 Dt

(10.4-22)

Derivnd aceast expresie se obine gradientul concentraiei de impuriti.

x
C
=
C ( x, t )
2 Dt
x (0, t )

(10.4-23)

Distribuia impuritilor dup un profil Gauss, respectiv distribuia de concentraie

dup difuzie, normat la concentraia la cantitatea total de impuriti din solid Q,

Difuzia

277

care este constant, n funcie de distan, pentru trei valori ale lungimii de difuzie

2 Dt , care corespund la trei timpi de difuzie, este prezentat n fig. 10.4-4.

Se observ c panta fiecrei distribuii de impuriti la x=0 este zero,
corespunznd primei condiii la limit i c profilul de difuzie se extinde spre
interiorul semiconductorului, concentraia la suprafa scznd cu creterea
timpului de difuzie.

Fig. 10.4-4. Distribuia Gauss. Concentraia normat n funcie de distan

la trei timpi de difuzie.
Deoarece att funcia complementar de eroare ct i distribuia Gauss sunt funcii
de o distan normat x / 2 Dt , normndu-se concentraiile la concentraia la

278

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

suprafa, distribuiile se pot reprezenta printr-o singur curb, valabil pentru

orice valoare a timpului, fig. 10.4-5.

Fig. 10.4-5. Funciile de difuzie: concentraia normat

n funcie de distana normat.
Considernd soluia exact, fr aproximarea distribuiei dup depunere cu o
funcie delta, se obin curbele prezentate n fig. 10.4-6. Pentru valori ale raportului
dintre timpul de predifuzie i timpul de difuzie de 0,25, aproximarea cu o funcie
delta d rezultate foarte bune iar cnd devine unitar, aceast aproximaie ncepe s
dea erori mari.

Difuzia

279

Fig. 10.4-6. Eroarea introdus de aproximarea cu o funcie delta la x=0, cu linie

ntrerupt fa de distribuia exact reprezentat cu linie plin.
Soluii exacte, pornind de la profilul real obinut dup impurificare, au fost
elaborate de Kennedy i Murley pentru difuzie dup depunere, cu profil iniial erfc
i de Seidel i MacRae pentru difuzie dup implantare de ioni, cu profil iniial
curb Gauss trunchiat.
n cazul n care se efectueaz mai multe etape termice la temperaturi diferite i de
durate diferite, cum este cazul n toate tehnologiile pentru circuite integrate, pentru
calcule inginereti rapide se poate estima profilul final de impuriti ca fiind
determinat de un produs Dt, egal cu suma produselor D(Ti)ti ale proceselor termice
individuale succesive, desfurate la temperaturile Ti n intervalele de timp ti.

10.5 ABATERI DE LA TEORIA ELEMENTAR

Cele mai importante efecte, care conduc n practic la abateri fa de teoria
simplificat a difuziei, sunt: viteza finit de stabilire a concentraiei la suprafa,
efectul cmpului electric produs de atomii ionizai, efectul concentraiilor mari,
difuzia printr-un strat de SiO2 i difuzia bidimensional n tehnologia planar [9].

280

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

Viteza finit de stabilire a concentraiei la suprafa

La predifuzie am presupus c Cs este constant i dat de solubilitatea solid a
impuritii pe tot parcursul procesului. Deoarece, fizic, concentraia la suprafa nu
poate ns varia brusc de la zero la valoarea sa final constant, la nceputul
procesului va exista o perioada n care condiia Cs este constant nu este
satisfcut. n acest interval finit, concentraia la suprafa se stabilete pe baza
egalitii ntre fluxul spre suprafa, prin transferul de mas al impuritilor n gaz
i fluxul de la suprafa spre volum, prin difuzia impuritilor n semiconductor.
Prin urmare, condiia la limit (10.4-6) trebuie nlocuit cu:

h[C S C (0, t )] = D

C ( x, t )
,
x (0,t )

(10.5-1)

condiie care exprim tocmai egalitatea fluxurilor menionate. h este coeficientul

de transfer de mas n faza gazoas, n funcie de concentraia n solid.
Soluia ecuaiei:
2
C
C
=D 2,
x
t

cu E = 0 i D = constant.

i condiiile la limit (10.5-1) i:

C(,t) = 0
i condiia iniial
C(x,0) = 0
este:

(10.5-2)
(10.5-3)
(10.5-4)

x
ht
C ( x, t ) = CS erfc
f

2 Dt
Dt

(10.5-5)

unde
2

ht x
ht
ht

exp
= exp
f
Dt
Dt
Dt 2 Dt

ht

x
+
erfc
Dt 2 Dt

(10.5-6)

Se observ c soluia (10.5-5) const din expresia simplificat (10.4-9), din care
este sczut termenul de corecie (10.5-6). Acest termen devine neglijabil dac

ht
Dt

> 10 . Rezult ca timpul necesar ajustrii concentraiei de suprafa este dat

de condiia:

D
> 10 , din care rezult t 100 2 .
Dt
h

ht

Ca o estimare, pentru D = 1m2/h i hG = 5cm/s, H = 21025atm/cm3 pentru

solubilitatea solid la bor, obinndu-se h=

hG
HkT

210-6cm/s=72m/h iar timpul

respectiv rezult a fi de 0,02h sau 1,16min.

Cum procesele de depunere dureaz deseori numai cteva minute, influena
efectului discutat poate fi apreciabil. Calculele bazate pe relaia (10.5-5) sunt
prezentate n fig. 10.5-1.

Difuzia

281

Fig. 10.5-1. Efectul limitrii vitezei asupra predifuziei impuritilor n solid.

Fenomenul complementar predifuziei este exdifuzia sau prsirea
semiconductorului de ctre impuriti. Pornind cu o concentraie iniial uniform
CB n siliciu, adic
C(x,0) = NB
(10.5-7)
i considernd condiiile la limit:
(10.5-8)
C (, t ) = C B

hC (0, t ) = D

C (0.t )
x (0.t )

(10.5-9)

care presupune o concentraie de impuriti neglijabil n volumul gazului, soluia

ecuaiei:

282

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

2
C
C
=D 2,
x
t

este:

cu E = 0 i D = constant.

x
ht
C ( x.t ) = CB erf
+ f

Dt
2 Dt

(10.5-10)
(10.5-11)

Ecuaia de mai sus este foarte asemntoare cu (10.5-5), termenul de corecie

devenind neglijabil cnd

ht
Dt

> 10 . Rezultatele bazate pe relaia (10.5-11) sunt

prezentate n fig. 10.5-2.

Fig. 10.5-2. Efectul limitrii vitezei asupra exdifuziei impuritilor n solid.

Difuzia

283

Difuzia sprijinit de cmp i efectul concentraiilor mari

Dac atomii de impuritate sunt ionizai la temperatura de difuzie, ntre acetia i
purttorii liberi, respectiv electroni sau goluri, ia natere un cmp electric intern,
care sprijin difuzia impuritilor. Gradientul de concentraie al impuritilor
ionizate din solid produce astfel un cmp electric intern care accelereaz micarea
particulelor mai lente, sprijinind difuzia impuritilor. Presupunnd satisfcute
condiia de neutralitate a sarcinii electrice i condiia de regim staionar, cmpul
electric intern va fi dat de gradientul potenialului Fermi din semiconductor, adic:

Ex =

kT C ( x, t )
ln
q x
ni

(10.5-12)

Unde s-a considerat cazul unei impuriti donoare. Fluxul de difuzie n prezena
cmpului electric este:

F ( x, t ) = D

q
C ( x, t )
C ( x, t )E x
D
kT
x

(10.5-13)

nlocuind expresia cmpului din relaia (10.5-12), relaia (10.5-13) devine:

F ( x, t ) = De

C ( x, t )
,
x

(10.5-14)

unde coeficientul de difuzie efectiv, care include i efectul cmpului electric

intern, este:
De = D 1 + 1 1 + ( 2 n i / C ) 2
(10.5-15)

Acest coeficient efectiv de difuzie depinde de concentraia de impuriti. Dac la

temperatura de lucru C << ni , De = D i cmpul intern nu are efect. n cazul limit
opus, n care concentraia de impuriti este mare, adic C >> ni, De = 2D. Prin
urmare, efectul maxim al cmpului electric este acela de a dubla coeficientul de
difuzie.
La concentraii mari de impuriti n > ni, coeficientul de difuzie efectiv devine
dependent de concentraia de impuriti, ca rezultat al modificrii concentraiei de
vacane din cristal. Cum concentraia de vacane variaz fa de cazul intrinsec n
raportul n / ni, respectiv p / ni, coeficientul de vacane de difuzie efectiv va fi dat
de coeficientul de difuzie intrinsec multiplicat cu unul din rapoartele menionate.
n situaia ionizrii tuturor atomilor de impuritate, acest raport devine egal cu C/ni.
n cazul concentraiilor foarte mari C>>ni, n special n cazul difuziei impuritilor
introduse n siliciu prin implantare, se constat o micorare relativ a
coeficientului de difuzie efectiv fa de valoarea dat de (10.5-15). Acest fenomen
este datorat faptului c numai o poriune din atomii de impuriti difuzai sunt
active electric. n consecin, coeficientul de difuzie real este doar o fraciune din
De, fraciune dat de n / ni, n cazul impuritilor donoare i respective p / ni, n
cazul impuritilor acceptoare. Pentru arsen, s-a constatat c pentru doze de
implantare sub 11016cm-2 i temperaturi de difuzie peste 1000oC, practic toi
atomii sunt ionizai. Pentru temperaturi de difuzie sub 1000oC ns i doze de
peste 11016cm-2, concentraia arsenului ionic reprezint doar o fraciune din
concentraia total, diferena crescnd pe msur ce temperatura de difuzie scade

284

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

sub 900oC. Limita activitii borului este foarte puternic dependent de

temperatura de difuzie. Astfel, coeficientul de difuzie este redus aproape la zero
pentru concentraii mai mari de 21019cm-3 la 700800oC, sau pentru concentraii
apropiate de solubilitatea solid la peste 1000oC.
Fosforul prezint la concentraii mari un profil difuzat caracteristic, compus din
dou profile Gauss suprapuse, caracterizate de coeficieni de difuzie diferii. Ca
urmare, coeficientul de difuzie echivalent este mult mrit fa de valoarea la
concentraii mici.
Difuzia printr-un strat de SiO2
Bioxidul de siliciu este relativ impenetrabil la unele impuriti acceptoare i
donoare, acesta fiind un factor important pentru dezvoltarea tehnologiei
semiconductorilor [10]. Considerm predifuzia unei impuriti printr-un strat de
SiO2, presupunnd c grosimea acestui strat rmne constant n timpul
predifuziei fig. 10.5-3.

Fig. 10.5-3. Distribuia impuritilor dup predifuzie.

Iniial att n SiO2 ct i n Si, concentraia impuritilor este nul.
Distribuia este dat de ecuaia difuziei, considernd C0 meninut constant,
2
C
C
=D 2,
x
t

cu E = 0 i D = constant.

(10.5-16)

i condiiile la limit:
Concentraia de impuriti la suprafaa oxidului este constant, C0
corespunztoare lui CS,
C(0,t) = C0
(10.5-17)
n interiorul semiconductorului, departe de suprafa, concentraia de
impuriti s fie nul.
C(,t) = 0
(10.5-18)
Raportul concentraiilor la interfaa Si-SiO2 este dat de m, care se numete
coeficient de segregaie i este raportul concentraiei la echilibru a
impuritilor n Si i concentraia la echilibru a impuritilor n SiO2.

Difuzia

285

Fluxul impuritilor prin aceast interfa este continuu. Soluia este sub forma
unei serii infinite, iar pentru valori mici ale lui x, respectiv x<< D / D 0 x0 se
poate aproxima cu primul termen:

C ( x, t ) C 0

2mr
erfc x0
+ x0
m+r
2 D0 t 2 D t

(10.5-18)

unde r = D 0 / D , D0 este viteza de drift n SiO2, D este viteza de drift n Si iar m

este coeficientul de segregaie.
Determinarea adncimii jonciunii se face pornind de la C(xj,t)=CB care, introdus
n relaia anterioar, rezult:

x j = 1 x0 + 2 D arg erfc (m + r ) C B

2mr C 0
r t
t

(10.5-19)

Fig. 10.5-4. Rezultate bazate pe serii infinite pentru termenul doi

din (10.5-19), la predifuzia ga la 1100C.
Indiferent de m pentru xj mic, toate curbele se apropie de relaia liniar xj=f(x0)
prezentate n fig. 10.5-4, cu panta care tinde asimptotic ctre r [11].
Curbele experimentale ale lui xj=f(x0) pentru valori mari ale lui xj, prin comparaie
cu familia de curbe teoretice, permit estimarea lui m.
Punnd condiia xj=0, se poate calcula x0, care este grosimea oxidului de mascare,
respectiv grosimea minim de oxid pentru a preveni formarea unei jonciuni.
Pentru fosfor m=10, iar pentru bor m=0,3, astfel concentraia la suprafa a
fosforului este mai mare ca a borului.
Efecte bidimensionale
n cadrul tehnologiilor pentru circuite MOS integrate pe scar mare, un rol foarte
important l joac efectele difuziei bidimensionale. Cel mai cunoscut este difuzia
lateral a impuritilor introduse prin ferestre deschise n oxid. Acest efect confer
forma tipic jonciunilor pn planare, ilustrat n figura 10.5-5. Pentru calcule

286

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

rapide, se consider c profilul jonciunii la marginile ferestrei este cilindric, cu o

raz egal cu 0,8 Xj.
n cazul tehnologiilor cu oxidare local att profilul oxidului ct i cel al
impuritilor din siliciu, introduse prin implantare, sunt puternic bidimensionale.

Fig. 10.5-5. Distribuia concentraiei pe direciile 1 i 2, pentru predifuzie.

O ultim categorie de efecte bidimensionale, pe care o menionm, este
accelerarea sau retardarea difuziei laterale a impuritilor introduse prin ferestre
nguste. Aceste efecte sunt datorate att fenomenului de accelerare a difuziei n
atmosfer oxidant [12], ct i tensiunilor elastice de la marginile ferestrelor
practicate n oxid sau de la marginile zonelor oxidate selectiv cu ajutorul nitrurii

Difuzia

287

de siliciu. Consecina cea mai periculoas a acestor efecte bidimensionale este

obinerea unor jonciuni de adncime necontrolat i neuniform.

10.6 METODE DE IMPURIFICARE

Elementele de impurificare uzuale sunt borul, fosforul i arsenul. Dintre acestea,
numai borul [13] i fosforul se depun n mod obinuit printr-un proces termic de
predifuzie, arsenul fiind n general introdus prin implantare de ioni sau prin difuzie
dintr-un strat de siliciu policristalin puternic dopat n timpul creteri.
Metode de depunere a borului
n tehnologia MOS, borul se depune cu precdere din surse solide, constituite din
plachete de nitrur de bor sau B+. Plachetele de siliciu se aeaz pe o nacel de
cuar transversal, cu faa spre plachetele surs i cte o plachet de siliciu de o
parte i de alta a fiecrei surse. Nacela este introdus n tubul de difuzie i
meninut un anumit timp la temperatura de depunere, tipic ntre 900oC i 1100oC,
ntr-un flux de gaz care depinde de natura surselor folosite. n timpul procesului,
se transfer B2O3 de la surse pe plachete, pe suprafaa acestora formndu-se un
strat de sticl de bor din care borul difuzeaz n siliciu. Dup extragerea
plachetelor din cuptor, sticla de bor trebuie ndeprtat. Aceast operaie este
numit deglazurare. n continuare, plachetele predifuzate sunt gata pentru a intra
n procesul de oxidare/difuzie urmtor.
Primele surse solide de bor care au fost utilizate pentru depuneri uniforme i
reproductibile n tehnologia circuitelor integrate MOS au fost sursele de nitrur de
bor (BN). Acest tip de surse necesit operaii speciale de curire chimic i de
activare, nainte de folosire. Activarea const n oxidarea surselor de BN n scopul
formarii pe suprafaa acestora a B2O3, care este apoi transferat pe plachete n
timpul depunerii. Uniformitatea doprii este mbuntit prin adugarea n
atmosfera iniial a procesului de depunere, uzual 1:1 N2+O2 a unui procent mic
de 4% hidrogen, pentru o perioad scurt. Acest procedeu poart numele de
injecie cu hidrogen. Efectul hidrogenului este de a forma H2O care, reacionnd
cu B2O3, formeaz HBO2. Acest compus reacioneaz cu Si la suprafaa
plachetelor, formnd SiO2 i elibernd B care difuzeaz n siliciu. Depunerea din
surse de BN cu injecie de hidrogen, se caracterizeaz de asemenea prin efecte
minime asupra suprafeei plachetelor, n special legate de dislocaiile induse de
proces. n momentul de fa, sursele de BN au fost ns aproape complet nlocuite
de sursele B+, care sunt pe de o parte mai uor de utilizat i ofer pe de alt parte
rezultate mai uniforme i mai reproductibile. De aceea, vom discuta ceva mai n
amnunt numai depunerile folosind acest tip de surse.
Sursele bor+ sunt formate din B2O3, distribuit uniform n amestec cu BaO, MgO,
Al2O3 i SiO2. Depunerile din astfel de surse sunt de foarte mare puritate,
uniforme, nu necesit proceduri speciale de curire sau reactivare i induc defecte
minime n siliciu. Sursele B+ sunt mult mai puin sensibile dect cele din BN i au
o via foarte lung de peste 500 de ore de depunere. Variaia cu timpul de

288

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

depunere a rezistivitii de suprafa, respectiv a rezistenei pe ptrat i a grosimii

stratului de sticl de bor depuse, scade logaritmic cu mici variai cu temperatura de
depunere 925oC i 1050oC.
Parametrii depunerilor sunt afectai de gradul de umiditate al atmosferei de
depunere, care este N2, creterea grosimii stratului de sticl de bor depus pe
plachete, care la rndul su influeneaz rezistivitatea de suprafa obinuit. De
aceea, pentru a obine o buna reproductibilitate a predifuziilor este necesar s se
menin un grad de umiditate ct mai constant n tubul de depunere i pe ct
posibil foarte mic. Umiditatea poate ptrunde n atmosfera procesului prin
intermediul gazelor de proces N2, O2, al surselor, al sticlei depuse pe nacel i tub
i prin difuzie invers din atmosfera camerei backstreaming.
Ca i n cazul oxidrilor, gazele de proces trebuie s fie foarte uscate sub 3ppm
H2O, iar introducerea i extragerea nacelei trebuie s se fac cu ajutorul unui
elefant. Pachetele ce urmeaz a fi depuse trebuie s fie perfect uscate dup
curirea chimic. De extrem importan este modul de stocare al surselor ntre
dou depuneri. Sursele pot fi stocate ntr-o etuv cu azot la 200oC, sau n gura
tubului de depunere la 200300oC, pe azot, dar pentru a obine rezultate foarte
reproductibile se recomand stocarea la temperaturi mai mari 600oC, n tubul de
depunere. nainte de prima folosire, ct i dup eventuale expuneri accidentale la o
atmosfer umed, sursele trebuie mbtrnite prin meninere la temperatura de
depunere ntre 5 si 24 de ore, cu plachete de siliciu dummy plasate ntre ele pe
nacel pentru conducie i reflexia cldurii. Acest tratament uniformizeaz
dezvoltarea de B2O3 pe toat suprafaa surselor.
n timpul folosirii, periodic, nacela trebuie ntoars cu 180oC i sursele rotite,
pentru a se asigura o nclzire i o uzur uniform. Dup depunere, plachetele de
siliciu trebuie deglazurate. Aceast etap este foarte important, deoarece o
nlturare incomplet sau neuniforma a sticlei de bor i a fazei bor-siliciu de la
suprafa poate afecta n mod dramatic randamentul de fabricaie al circuitelor
integrate prin formarea de contacte imperfecte ntre metal si jonciunile p+n. Una
din cauzele frecvente de formare a fazei bor-siliciu este excesul de B2O3 din
atmosfera de depunere. nlturarea sticlei de bor este din ce n ce mai dificil cu
trecerea timpului, astfel nct deglazurarea trebuie fcut imediat dup depunere.
Pentru uurarea deglazurrii, se efectueaz de obicei mai nti un tratament de
oxidare la temperatur joas tipic 600oC timp de o ora n O2. Apoi, nlturarea
sticlei de bor se realizeaz prin fierbere la 85oC n HNO3 70% timp de 10min,
urmat de cltire cu ap deionizat i imersie n soluie de HF (1:10 50% HF:H2O)
pn la hidrofobie complet a suprafeei plachetelor, tipic 1min i cltire final n
apa deionizat. Pentru evitarea formrii peliculei de bor-siliciu care se nltur
foarte greu, se poate adaug n atmosfera inert de depunere un mic procent de
oxigen de 310%. n acest fel se ncurajeaz formarea de SiO2 i se mpiedic
formarea peliculei de bor.
Metode de depunere a fosforului
Depunerile de fosfor sunt frecvent utilizate n tehnologiile MOS, att ca etape de
predifuzie pentru formarea de jonciuni n+p, ct i pentru pasivarea cu sticl de
fosfor a oxizilor crescui termic sau depui din faza gazoas, sau doprii straturilor

Difuzia

289

de siliciu policristalin. Fosforul se depune uzual din sursa lichid de oxiclorura de

fosfor POCl3 sau din surse planare P+.
Depunerile din POCl3 se realizeaz ntre 900oC i 1100oC, n atmosfer de azot cu
un anumit coninut de oxigen, tipic 510%, prin barbotarea unui flux mic de azot
prin oxiclorura meninut ntr-un barbotor. Oxigenul are rolul de a facilita
creterea unui strat protector de oxid i descompunerea POCl3 n P2O5, care devine
sursa local de depunere. Sursa lichid este uneori rcit sub temperatura camerei
pentru a ncetini procesul de vaporizare i a controla astfel mai bine depunerea i
pentru a menine temperatura sursei constant prin termostatare. Dopajul se
controleaz din fluxul de azot barbotat, care da concentraia de POCl3 n tubul de
depunere, sau din temperatura sursei lichide.
Inconvenientele principale ale acestei metode de depunere a fosforului sunt:
Uniformitate dependent de poziia plachetelor pe nacel datorit turbulenelor
gazelor din tub,
Depunerea sticlei de fosfor i altor produi de reacie pe pereii tubului de
cuar i pe nacel, avnd ca urmare sudarea nacelei de tub, necesitatea
currii frecvente a tubului i devitrificarea rapid a acestuia. Pentru evitarea
lipirii nacelei de tub n timpul depunerii, aceasta trebuie micat permanent
prin oscilaii.
Aceste probleme sunt evitate prin folosirea de surse solide fosfor . Sursele planare
de fosfor sunt similare surselor B+, fiind alctuite dintr-o component activ
SiP2O7 amestecat uniform ntr-o structur refractar. Astfel, specia de dopare
P2O5 este evaporat direct din surse la temperatura de depunere, n loc s rezulte
printr-o reacie de descompunere n atmosfer oxidant. Alternativ, variantele mai
recente de surse P+ elibereaz vapori de P2O5 prin descompunerea metafosfatului
de aluminiu Al(PO3)3 n ortofosfat de aluminiu AlPO4 ntre 1000oC i 1100oC.
Dependena tipic a rezistivitii de suprafa obinute dup depunere, de
temperatur i de timpul de depunere, este similar surselor de bor. Ca i sursele
B+ ,sursele P+ trebuie stocate n azot la temperaturi ntre 200oC si 600oC i
mbtrnite naintea primei folosiri, la temperaturi sub 1000oC, timp de 1620 ore.
Deglazurarea sticlei de fosfor este mult mai uoara dect cea a sticlei de bor, dar,
cu toate acestea, trebuie fcut imediat dup depunere. ndeprtarea sticlei se
realizeaz n soluie HF 1:10 timp de 1530s.

10.7 MSURAREA STRATURILOR DIFUZATE

Caracterizarea complet a unui strat difuzat presupune determinarea ntregului
profil de impuriti, de la suprafaa siliciului, pn n volum [14]. n cazul n care
se realizeaz ns o jonciune pn, caracterizarea stratului superficial difuzat poate
fi fcut simplu prin msurarea adncimii jonciuni, a rezistivitii de suprafa
medii i a concentraiei de suprafa.
Adncimea jonciunii xj este definit de condiia C(xj)= CB, unde CB este dopajul
substratului n volum. Adncimea jonciunii se msoar prin rodare n unghi i
colorare. Proba difuzat este rodat mecanic sub un unghi mic ntre 1o i 5o, pentru

290

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

a expune o seciune mare prin jonciune. Aceast seciune este introdus ntr-o
soluie de HF i HNO3, sau HF i CuSO4. Dup expunere la lumin puternic,
seciunea se coloreaz preferenial, zona p aprnd mai ntunecat dect zona n.
Astfel, mrimea jonciunii n planul seciunii poate fi msurat optic direct, sau cu
ajutorul franjelor de interferen, iar adncimea jonciunii rezult innd seama de
unghiul de rodare. Adncimea jonciunii este definit de condiia:
C(xj,t)=CB
(10.7-1)
Pentru caracterizarea straturilor subiri aflate pe un substrat, se obinuiete s se
lucreze cu conceptul de rezistivitate de suprafa, sau rezisten pe ptrat. Daca
este rezistivitatea medie a stratului difuzat de adncime xj, rezistivitatea de
suprafaa n / este:

s =

(10.7-2)

xj

Dac adncimea jonciunii i concentraia de volum CB sunt cunoscute,

concentraia de suprafa CS, ca i distribuia de impuriti, pot fi calculate,
presupunnd c distribuia de concentraie urmeaz o funcie de difuzie.
Inversul rezistenei medii a unui strat de tip n de exemplu este:

q xj

xj

nn(x )dx

(10.7-3)

unde s-au nsumat conductanele paralele ale straturilor elementare de grosime dx

ale stratului difuzat, fig. 10.7-1.

Fig. 10.7-1. Determinarea rezistivitii medii a stratului difuzat.

Pentru a evalua integrala din (10.7-3), trebuie s avem:
relaie ntre mobilitate i concentraia de purttori,
Concentraia de purttori n funcie de distan.
Pentru evaluarea rezistivitii medii, considerm o distribuie dreptunghiular iar
integrala devine:

= q n (C S C B )

(10.7-4)

din care scoatem concentraia la suprafa.

CS = CB +

1
q n

(10.7-5)

Dac se iau n = 85cm2/vs i p = 45cm2/vs, care corespund valorilor limit ale

mobilitii atinse la concentraii mari de impuriti n siliciu, se pot obine relaii

Difuzia

291

ntre concentraia la suprafa i rezistivitatea medie pentru o distribuie

dreptunghiular pentru straturile de tip n i pentru cele de tip p.
Metoda celor patru sonde
Pe suprafaa semiconductorului sunt aezate patru sonde n linie, curentul (I)
trecnd prin sondele marginale, iar cderea de tensiune (V) dat de trecerea acestui
curent fiind msurat ntre cele doua sonde din mijloc. Dac sondele sunt egal
distanate i xj este mult mai mic dect distana dintre sonde, relaia dintre
rezistivitatea de suprafa i rezistivitatea

s =

V
V
= 4,532
I
ln 2 I

Datorit proporionalitii dintre s i

V
msurat este:
I
(10.7-6)

V
, n practic, pentru caracterizri relative
I

ale straturilor difuzate i monitorizarea proceselor de difuzie, se lucreaz direct cu

raportul

V
. n cazul concentraiilor mici de impuriti i a straturilor foarte
I

superficiale pot apare dificulti n msurarea rezistivitii de suprafa cu metoda

celor patru sonde. Unele probleme legate de rezistenele de contact pot fi eliminate
efectund doua msurtori, cu cureni de sensuri contrare i mediind rezultatele.
Daca valorile obinute difer foarte mult, sau dac valorile difer repetnd
msurarea n aceleai condiii i n acelai punct, trebuie verificat dac placheta nu
este acoperit cu SiO2 rmas dup o dezoxidare necorespunztoare sau aprut n
timp, n prezena umezelii. Deshidratarea plachetei n azot, la 150200oC timp de
cteva minute, asigur de obicei posibilitatea unor msurtori precise i
reproductibile.
Dei msurarea simpl a adncimilor de jonciune i a rezistivitilor de suprafa
este suficient pentru monitorizarea proceselor tehnologice n producie, deseori
este nevoie de caracterizarea complet a stratului dopat prin determinarea
profilului exact de impuriti. Acest lucru este necesar mai ales n cazul studiului
i punerii la punct a impurificrilor ce trebuie controlate foarte precis, obinute de
obicei prin implantare de ioni, sau n cazul studiului proceselor de difuzie. O
tehnic larg utilizat de determinare a profilului de impuriti este metoda C-V,
pentru cazul capacitoarelor MOS. n mod similar, pentru dopaje mari, poate fi
utilizat msurarea capacitii de barier a jonciunii pn n funcie de tensiunea
invers aplicat pe jonciune. O alt metod posibil dar destul de nepractic de
determinare a profilului de impuriti const n msurarea repetat a rezistivitii
de suprafa dup nlturarea succesiv a unor straturi subiri de siliciu prin
oxidare anodic la temperatura camerei i corodarea oxidului.
O metod rspndit de ridicare a profilelor de impuriti care nu are limitri ale
domeniului de msur i este n acelai timp rapid, const n msurarea
rezistenei distribuite, spreading rezistance, cu ajutorul a dou sonde foarte
apropiate sub 20m. Rezistena distribuit total, asociata curentului din
vecintatea celor doua sonde este:

292

Simularea proceselor i dispozitivelor semiconductoare

Rd =

2a

(10.7-7)

unde este rezistivitatea medie local, iar a este raza vrfului sondelor.
Ridicarea profilului de impuriti se realizeaz deplasnd cele dou sonde pe
suprafaa unei seciuni n unghi, obinut prin rodare mecanic, similar celei
utilizate pentru msurarea adncimii de jonciune. Pentru conversia rezistenei
distribuite n concentraie de impuriti, trebuie luate n considerare variaia
mobilitii cu dopajul i o serie de factori de corecie.
Determinri foarte precise ale profilelor de impuriti pot fi realizate prin metode
mai sofisticate, cum este spre exemplu spectroscopia de mas a ionilor secundari,
Secondary Ion Mass Spectroscopy-SIMS. n aceast tehnic, un fascicol de ioni
pulverizeaz material de pe suprafaa probei, iar componenta rezultat de ioni
secundari este detectat, analizat i informaia conduce la concentraia de
impuriti.

BIBLIOGRAFIE
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
[11]
[12]
[13]
[14]

B. I. Boltakas, Diffusion in Semiconductors, Academic, New York, 1963.

J. Crank, The Mathematics of Diffusion, Oxford University Press, Londra, 1957.
A. S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, J. Wiley, New
York, 1967, Ed. Tehnic, Bucureti, 1973.
R. B. Fair, Concentration profiles of diffused dopants in silicon, Editor F. F. Y.
Wang, North-Holand, New York, 1981.
R. Barsan, Fizica i tehnologia circuitelor integrate MOS integrate pe scar mare,
Editura Academiei, Bucureti, 1989.
D. P. Kennedy, R. R. OBrien, Analysis of the Impurity Atom Distribution Near
the Diffusion Mask for a Planar P-N Junction, IBM Journal, no 9, pp. 179, 1965.
K. Lehovec, A. Slobodskoy, Diffusion of Charged Particles into a Semiconductor
under Consideration of the Built-in Field, Solid State Electron., no 3, pp. 45, 1961.
T. Kato, Y. Nishi, Redistribution of Diffusion Boron in Silicon by Thermal
Oxidation, Jap. J. Appl. Phys., no 3, pp. 377, 1964.
S. M. Sze, Semiconductor sensors, Wiley & Sons, 1994.
A. S. Grove, O. Leistiko, C. T. Sah, Redistribution of Acceptor and Donor
Impurities During Thermal Oxidation of Silicon, J. Appl. Phys., no 35, pp. 2695,
1964.
A. S. Grove, O. Leistiko, C. T. Sah, Diffusion of Gallium Through a Silicon
Dioxide Layer, J. Phys. Chem. Solids, no 25, pp. 985, 1964.
B. E. Deal, A. S. Grove, E. H. Snow, C. T. Sah, Observation of Impurity
Redistribution During Thermal Oxidation of Silicon Using the MOS Structure, J.
Electrokem. Soc., no 112, pp. 308, 1965.
S. Maekawa, T. Oshida, Diffusion of Boron into Silicon, J. Phys. Soc. Japan, no
19, pp. 253, 1964.
J. C. Irvin, Resistivity of Bulk Silicon and of Diffused Layers in Silicon, Bell
System Tech. J. , no 41, pp. 711, 1958.