Proiect

Nanotehnologie.
Tranzistor MOS de putere
(tip DMOS)

Profesor coord:
Liviu Moldovan
Student:
Hlmajan Mihai

1.Reprezentarea schematic a
unui tranzistor MOS de putere (tip
DMOS).

Rezultatul final dupa urmarea

procesului de constructie la
nivel nano

Datorit dimensiunilor foarte mici la care se lucreaz, pe

parcursul procesului, verificarile dimensiunilor se vor face
cu ajutorul :
-microscopul cu scanare electronic
-metoda elipsometriei (care foloseste refractia si reflexia
unei radiatii la
contactul cu suprafetele

-metoda dectacului
-metoda in 4 puncte (din punct de vedere electric)

2.Prezetarea etapelor de
constructie
Pasul 1 :
Splarea tranei pe care se vor depune materialele :
-clatirea cate aproximativ 5 minute in urmtoarea ordine:
tricloretilen, aceton, metanol, ap deionizat
Pasul 2:
Depunerea substratului de tip n

Pasul 3 : Se depune un strat de rsin fotosensibil prin

fotolitografie pe zona unde nu dorim sa dopm P.
-cu portocaliu am reprezentat stratul de rsin
fotosensibil

Dup dopare =>

-in cazul in care doparea se face prin difuzie ,va fi urmat

de un tratament termic puternic pentru uniformizarea
densitatii de impuritati
in profunzimea substratului dopat
Pasul 4 :-restrngem si mai mult zona neacoperit de
rsin pentru a face o dopare de tip n in interiorul zonei
dopate P
Rezulta :

In continuare o sa avem nevoie de o noua zona

neprotejat de rsin pentru a face o dopare n+ asa ca
se face o splare pentru a inltura rsina
Pasul 5 :
Depunem iar un strat de rsin si lasam neprotejat zona
in care urmeaz sa facem doparea n+ si rezult :

Pasul 6 :
-Inlaturm stratul de rsin prin spalare cu aceton
-depunem un strat de SIO2 pe toata suprafata

Pasul 7 : Deoarece urmeaza sa gravm, aplicam iar un

proces de fotolitografie protejnd zonele unde nu vrem sa
gravm .

Paul 8 : aplicm una din metodele de gravare in cele

doua zone dorite si rezult :

Pasul 9 : -urmeaz sa depunem metal prin metalizare

in cele doua zone gravate si protejm restul zonei

-trana este pregatit pentru a incepe procesul de

metalizare

Pasul 10 :-aplicam procesul de metalizare si rezult

Pasul 11 : se spal placa pentru a inlatura rsina

Pasul 12 : Pregtim placa pentru a depune un strat de

metal
-aplicm din nou un strat de rsin prin fotolitografie
pentru a proteja restul zonelor unde nu vrem sa se
depun metalul

Pasul 13 : Depunem stratul de metal dorit prin

metalizare

Pasul 14 : Procesul de constructie al tranzistorului s-a

incheiat

Facem o serie de splri repetate pentru a curata placa

de rsin, de grsimi,compusi oragnici si orice fel de
impuritati