(a) expresiile concentratiilor de purtatori - deducere (b) curentul de conductie si difuzie - deducere, expresii 2) Jonctiunea PN: a) Jonctiunea PN la echilibru, deducerea expresiei barierei de potential b) Jonctiunea PN la echilibru variatia marimilor electrice (E, U) c) Abateri de la modelul ideal: generare-recombinare, nivel ridicat de injectie, caderea de tensiune pe regiunile neutre, strapungerea jonctiunii d) Modelul de semnal mic al diodei 3) Tranzistorul bipolar a) Modelul static Ebers-Moll deducere, circuite echivalente b) Efecte de ordinul II: rezistente parazite de emitor, baza si colector, efectul Early descriere, relatii c) Modelul static Gummel-Poon: variatia parametrului Beta cu curentul, expresiile curentului de baza, definirea curentului de saturatie, solutia pentru sarcina normalizata qb 4) Tranzistorul cu efect de camp de tip jonctiune (TECJ) a) Modelul static deducerea caracteristicii curent-tensiune (expresia curentului de drena) in ipoteza graduala, inclusiv in saturatie b) Limitarile teoriei ideale modularea lungimii canalului, efectul rezistentei serie 5) Tranzistorul MOSFET a) Proprietati electrice ale structurii MOS: potentiale de contact, efectul sarcinilor parazite b) Echilibrul de sarcina si potential, regimuri de functionare a structurii MOS c) Regimul de inversiune: descriere, relatii, grafice d) Capacitatea incrementala a structurii MOS deducerea expresiei e) Modelul static MOS de nivel I - deducere, expresia curentului, expresia tensiunii de prag La nici unul din dispozitive (dioda, BJT, JFET, MOSFET) NU se cer ecuatiile implementarii in SPICE.