Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Raport
Lucrarea de laborator nr.2
Disciplina: ISMP
dispozitivelor
semiconductoare Dioda i tranzistorul bipolar
A efectuat:
studentul grupei MN-131
Ignat Ion
A verificat:
confirentiar universitar
Cojocaru Victor
Chisinu 2016
Scopul lucrrii : nsuirea modului de utilizarea analizei Diodei i tranzistorul bipolar
1.Date teoretice
30m 40m
2 2.5
Fig6. Modificarea caracteristicilor statice pentru diferite valori ale lui Vgs
.PROBE
.END
Aplicaia 8: Poart
logic NOR cu 2
intrri, realizat cu
TEC-MOS
complementare
(CMOS)
MN1, MN2 si MP1,
MP2 utilizeaz
modelele CMOSN, respectiv CMOSP, salvate n
fisierul CMOS08.LIB, iar lungimea si limea canalului au valorile L=1u, respectiv W=2u.
La prima intrare a
circuitului se
conecteaz sursa de
tensiune V1 cu
specificaie de
curent continuu de
valoare 0V sau 5V,
iar la a doua intrare
se conecteaz sursa
de tensiune
V2 cu specificaia tranzitorie din figura de mai jos.
.DC V2 0 5 50m.
n urma analizei .DC reprezentai grafic caracteristica de transfer static a portii logice
(V(3)) si curentul absorbit din sursa de alimentare (-I(VDD)).
Concluzii:
In concluzii pot spune ca cu succes am insuit modul de utilizarea analizei Diodei i
tranzistorul bipolar.Mai corect spus am facut o recapitulare a informatiei
studiata anterior, si anume modul de descriere in PSpice a diferitor tipuri de