1. I: Ce este o retea cristalina ideala? Definirea defectelor de retea. Expresia
concentratiei de defecte Schottky. R: La temperature T=0K, un corp are energia libera minima daca particulele lui constitutive(moleculele, atomii, ionii)au asezarea cea mai compacta, respective o ordonare stricta la mare distanta. Aceasta este structura cristalina ideala. O retea cristalin ideala reprezinta o reproducere ordonata la mare distanta a unitatii structurale la 0K, orice abatere reprezinta un defect de retea. Structura cristalina ideala nu se poate realize in corpuri la temperaturile uzuale T0K. In general, aceasta prezinta abateri, defecte de retea, care pot fi: -punctuale(zerodimensionale) -liniare(unidimensionale) -de suprafata(bidimensionale) -de volum(tridimensionale) -w d s / K T Ns=Ne 2. I: Importanta cunoasterii undei associate electronului. R: Unda asociata nu are semnificatie fizica, nu transporta energie, nu gasim o interpretare fizica - este o functie matematica complexa - are semnificatia fizica patratul modulului ei - patratul modului ei reprezinta densitatea probabilitatilor ca particular sa se afle in punctul M - P=D |()dv Daca P=1->cu certitudine particular se afla in punctual M. - E important sa cunoastem unda pentru a studia miscarea electronilor in crystal. 3. I: Teoriile electronilor legati, liberi si cvasiliberi: ipotezele de plecare si informatiile finale privind valorile energiei electronilor. R: Electronii legati nu se deplaseaza in interstitii - au stari care se presupun a fi descries de functii de unde Hestler - energia electronilor puternic legati este situate doar in benzile premise Electronii liberi se considera electronii care au parasit atomii si se deplaseaza in interstitii care formeaza gazul electronilor liberi - nu interactioneaza cu ionii pozitivi din retea - se deplaseaza in crystal - energia unui electron liber variaza parabolic cu numarul de unde(nr de unde ia doar valori discrete) Electronii cvasiliberi liberi in interstitii - interactioneaza cu ionii din nodurile retelei - starile lor sunt descries de functia de unda Bloch - au valori constante in interstitii si valori mai mari in vecinatatea nodurilor - energiile lor sunt situate in interiorul unor benzi premise despartite de benzi interzise 4. I: Care sunt electronii din cristale care pot participa la procesul de conductie electrica? R: Electronii care pot participa la procesul de conductie electrica sunt aceia care au energia in intervalul limita fermic. 5. I: Ce sunt conductoarele, semiconductoarele, si izolatoarele(in functie de structura benzilor de energie)? R: Izolatoarele - au banda interzisa fermic foarte mare3->9eV -nu are electroni disponibili la un process de conductie Semiconductoare intrinseci au benzile de energie asemanatoare izolatoarelor, dar banda interzisa Fermi este sufficient de ingusta 10 eV pentru a putea fi excaladata de un numar relative mare de electroni, stabilinduse astfel un current electric neglijabil prin corp. - extrinseci au banda interzisa Fermi relative larga 1.1eV la siliciu, 0.7eV la germanium. Prin dopare cu atomi de impuritati se pot realiza insa niveluri premise aditionale de tip donor sau receptor, situate in banda interzisa Fermi si care confera caracteristici superioare de conductie materialului. Conductoare nivelul WF trece prin mijlocul unei benzi premise deci contine electroni de conductie. 6. I: Expresia conductivitatii electrice a metalelor. R: =Noqo/mo* unde: - conductivitatea metalului - No concentratia de electroni cvasiliberi - durata de relaxare a electronului(intervalul de timp dintre 2 ciocniri) - mo* masa efectiva a electronului - qo = 1,6*10(la -19) C 7. I: Variatia conductivitatii electrice a metalelor cu temperature, cu starea de agregare, cu solicitarile mecanice cu continutul de impuritati(explicatii pe baza undei associate electronului ) R: - cu temperature daca temperature creste amplitudinea undei creste=>regiunea comprimata scade=> (conductivitatea) scade - orice defect al retelei micsoreaza conductivitatea electrica deoarece prin imprastieri, componenta medie a vitezei electronilor pe directia campului electric se micsoreaza. 8. I: Definitia starii de supraconductie. R: La temperature foarte joase (in general mai mici de 20 K) si in campuri magnetice slabe, a fost pusa in evidenta experimental, pentru anumite metale, starea de supraconductibilitate, caracterizata, mai ales, prin proprietatea ca, la stabilirea ei, rezistivitatea electrica a metalului se anuleaza(sau devine aproape nula). Prin supraconductivitate se intelege fenomenul de anulare a rezistivitatii electrice a unui corp atunci cand temperature acestuia scade sub o valoare critica (Tc)(temperature de tranzitie)T<Tc, intensitatea campului magnetic in care se afla corpul este mai mica decat o vaoare critica (Hc)(B<Bo) 9. I: Fenomene associate starii de supraconductoare: variatia rezistiviatii electrice cu temperature, anularea starii supraconductoare, efecte Meissner, isotopic si Josephson, cuantificarea fluxului magnetic. R: a)Anularea rezistivitatii electrice cu temperatura T - 10 la -4 10 la -3 intr-un cristal fara defecte b)Anularea starii de supraconductibilitate in campuri magnetice: Starea de supraconductbilitate dispare daca inductia magnetica depaseste Bc sau Hc. B>Bc; H>Hc. c)Efectul isotopic: In cazul unui element chimic care are mai multi izotopi, cu cat masa izotopica creste, cu atat temperatura scade d)Efectul Meissner: Consta in expulzarea liniilor de camp magnetic dintr- un corp atunci cand corpul trece in starea de supraconductibilitate e)Cuantificarea fluxului magnetic: =no o=h/2qo (o- cuanta de flux)
10. I: Ecuatiile London: deducere
R:
11. I: Teoria BCS(intuitiv, prin deformarea retelei cristaline la temperaturi
joase. R: Explica supraconductivitatea prin interactiunea dintre elementele retelei la temperature scazute. Se explica cu ajutorul fizicii cuantice. Explica anularea rezistivitatii electrice intr-un corp prin interactiunea electronilor cu reteaua atunci cand temperatura tinde spre 0K. Se aplica unui corp care nu contine defecte. La T=300K ionul efectueaza miscari in jurul nodului wion=(3/) kT; electronii interactioneaza cu ionul prin forta electrostatica winteractiune<<wion ; cand T->0, wion->0 => winteractiune>wion ; datorita fortei de interactiune ionii se deplaseaza inspre centrul interstitiului, campul electric creste 12. I: Aplicatii ale supraconductivitatii electrice. R: - transportul energiei la distanta(->0); - transportul feroviar->trenuri ultrarapide pe perna magnetica - motoare de dimensiuni reduse - generatoare sincroane de puteri foarte mari pana la 5GVA - campuri magnetice interne pentru cercetare si medicina - electronica->circuite si dispozitive de dimensiuni reduse - stocarea energiei electrice - masurarea campurilor electrice slabe 10 la -15 T
13. I: Supraconductia la temperaturi ridicate: structura si caracteristicile .
materialelor supraconductoare la temperaturi ridicate. R: Structura structurile cupratilor supraconductori deriva din cea a perovskitilor(CaTiO3). Exista mai multe familii din care 2 sunt cele mai studiate. - de culoare neagra, zgrunturoase, amizotrope - structura lamelara - structura din grupuri de straturicare au structura titanatului de calciu(CaTiO3) - doar cele de cupru sunt incomplete - inductile critice sunt reduse - latimea banzii interzise este de 10 ori mai mare decat la metale - pot avea mai multe temperature critice - utilizarea este problematica deoarece sunt greu de realizat 14. I: Expresia conductivitatii intrinseci si extrinseci. R: Intrinseca-se datoreaza deplasarii electronilor liberisi golurilor generate de la atomii proprii -variaza exponential cu temperature -daca latimea wi scade atunci conductivitatea intrinseca creste
Extrinseca-conductia asociata impuritatilor introduce voit(controlat) in
cristalele semiconductoare -semiconductoarele care prezinta conductie extrinseca se numesc semiconductoare cu impuritati -semiconductoare de tip->n-purtatoti majoritari de electroni liberi. ->p-purtatori majoritari de goluri De tip n-> conductivitatea creste exponential cu temperature datorita impuritatilor ->numarul de electroni liberi este mai mare decat numarul de goluri
De tip p->conductivitatea variaza liniar cu temperature
15. I: Ce sunt electronii liberi si golurile? De unde provin in cazul
conductoarelor intrinseci? Dar la cele extrinseci? R: Electronii liberi sunt purtatorii de sarcina negative rupti din legaturi iar golurile sunt purtatorii de sarcina pozitiva. In cazul conducatoarelor intrinseci provin din atomii proprii prin ruperea legaturilor electronilor. La cei extrinseci provin atat d la atomii proprii cat si de la impuritati, astfel conductia fiind mai bine definita. 16. I: Definitia mobilitatii purtatorilor de sarcina. R: Prin aparitia unui legaturi libere, electronii cuplati din alti atomi se pot rupe pentru a reface legatura libera, rezultand astfel o miscare a electronilor legati pentru refacerea legaturilor libere. Aceasta deplasare a electronilor legati se poate echivala cu deplasarea unei sarcini fictive in sens contrar, dar avand semnul +. 17. I: Dependenta semiconductoarelor de tip n de temperature. R: Primii electroni care trec in banda de conductie sunt cei din impuritati, fiind urmati de cei din banda de valenta la o temperature mai mare Exista 2 praguri de temperatura: - temperatura la care toti electronii din impuritati trec in banda de conductie(T1 este de gradul sutelor de K) - temperatura la care toti electronii din banda de valenta trec in banda de conductie(T2 este de gradul miilor de K) 18. I: Ce este efectul Hall? Utilizari. R: Efectul Hall apare in semiconductie si conductie in prezenta campului magnetic. Efectul Hall consta in deformarea liniilor de current electric la stabilirea unui camp magnetic si in aparitia unei diferente de potential intre 2 puncte ale corpului care ar fi avut acelasi potential in absenta campului magnetic. Constanta Hall este mai mare la semiconductori decat la conductori. Prezenta efectului Hall in semiconductoare si variatia constantei Hall in functie de natura semiconductorului si a purtatorilor predominanti, justifica importanta acestuia in studiul si aplicatiile semiconductoarelor 19. I: Explicarea fenomenului de redresare (pe baza jonctiunii pn) R: Variatiile marimilor raportate Id/Is si Ii/Is in functie de Ud/Us si Ui/Ussunt reprezentate in figura. La o aceeasi valoare absoluta a marimilor Ud si Ui, curentul direct este mult mai intens decat cel invers. Jonctiunea prezinta, deci, o rezistenta electrica mult mai mare la aplicarea tensiunii inverse decat la aplicarea tensiunii directe. Acest effect numit unidirectionalitate, este folosit in circuite electrice pentru redresarea curentului alternative. Dispozitive semiconductoare(diode, tranzistoare, etc.) functioneaza pe baza acestui efect. 20. I: Care sunt mecanismele de conductie electrica in izolatori? R: In izolatori se intalnesc 2 tipuri de conductie: conductie electronica realizata de electroni si conductie ionicarealizata de ioni. Daca cristalul are impuritati care formeaza in banda interzisa Fermi niveluri aditionale de tip donor sau acceptor, atunci are loc o conductie asigurata de electroni sau de goluri; ca in cazul semiconductorilor. Intr-un isolator suficient de pur., concentratia de electroni sau de goluri de conductie este foarte mica si ea este independenta de campul electric pentru E<10 la 6 V/m. in campuri electrice intense cand E>10 la 6 V/m concentratia de purtatori de sarcina creste mult si conductivitatea creste exponential cu intensitatea campului electric. Conductivitatea ionica nu depinde de intensitatea campului electric. 21. I: Expresia conductivitatii ionice a izolatorilor solizi. R:
22. I: Explicati mecanismele de strapungere electronica (cred ca vroia sa scrie
electrica) si termica. R: Strapungerea (pur) electrica se clasifica in strapungere intriseca si in strapungere in avalansa. Ambele se desfasoara de purate mult mai scurte decat strapungerea termica. Strapungerea intriseca se datoreaza actiunii pe care o au electronii din banda de conductie, puternic acclelerati pe camplul electric, asupra retelei cristaline. Ea se produce in 10-7 10-8 secunde, fiind deci independenta de forma tensiunii. Nu depinde de dimensiunile probei, de forma, natura si distanta dintre electrozi. Se admite ca distrugerea materialului se face prin acumulari locale importante de energie transferata de electroni atomilor. Strapungerea in avalansa se datoreaza formarii avalanselor de electroni. Ea depinde de distanta dintre electrozi, deoarece formarea avalansei se face pe parcursul dintre acestia. Intre strapungerea in avalansa si cea intriseca nu se poate face separare. Strapungerea termica. In izolanti se dezbolta caldura, datorita pierderilor prin histerezis dielectric si prin efect Joule-Lenz, care cresc exponential cu temperatura. Din aceasta cauza, in materialele masive, in care raportul dintre aria frontierei si volum este mic, dezvoltarea caldurii se poate face mai repede decat evacuarea ei si se produc, astfel, supraincalziri locare care maresc conductivitatea electric, favorizand formarea avalanselor, duce la carbonizarea materialului si implicit la strapungerea sa. Strapungerea termica este favorziata de cresterea temperaturii, deci rigiditatea dielectrica a materialului scade cu temperatura.
23. I: Ce este polarizabilitatea electrica? Dar polarizatia electrica?
R: Polarizabilitatea electrica<> caracterizeaza capacitatea unitatii structurale a corpului de a se polariza. Polarizabilitatea este raportul dintre momentul electric indus si campul electric. =|p|/| Bo|=momentul electric indus/campul electric <>=F*m 24. I: Explicati mecanismele de polarizatie electronica, ionica, de orientare si de neomogenitate. R: Polarizarea electronica-se realizeaza prin deformarea invelisului electronic al structurii care constituie dielectricul sub actiunea campului electric. Este specifica corpurilor cu structura atomica si gazelor mobile. Este o polarizare temporara. Polarizarea ionica-este intalnita, mai ales, in cristalele ionice si rezulta prin deplasarea in sens contrar a ionilor de semen opuse. Acest mechanism de polarizare se stabileste mai lent decat polarizarea electronica si se manifesta pana la frecvente din domeniul infrarosu.(10 la 13->10 la 14 Hz) Polarizarea de orientare-se realizeaza in corpurile care au molecule polare(cu moment electric permanent) prin rotirea acestora in campul electric. O molecula este polara doar daca prezinta moment electric diferit de 0. Polarizarea de neomogenitate-este o polarizare suplimentara care apare in campurile neomogene datorata campului electric produs de sarcinile electrice accumulate pe suprafetele care separa regiunile omogene ale dielectricilor. 25. I: Expresia permitivitatii relative in campuri electrice statice pentru polarizarile de deformare si de orientare. R:
26. I: Dependenta permitivitatii relative a dielectricilor de tmperatura si de