LUCRAREA NR.

3
________________________________________________________________________________________ 1

PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

3.1 Scopul lucrrii

Determinarea dependenei proprietilor conductoare ale materialelor de cmpurile
termice i electromagnetice, precum i determinarea rezistivitii materialelor.

3.2 Noiuni teoretice

Conducia electric ntr-un material const n apariia unui flux dirijat de purttori

mobili de sarcin la aplicarea unui cmp electric, E . Aceast deplasare ordonat a

purttorilor de sarcin electric este un curent electric, iar materialul n care are loc acest
fenomen fizic se afl ntr-o stare electrocinetic. Caracterizarea local a acestei stri poate fi

fcut cu ajutorul vectorului J , numit densitatea curentului electric.

Proprietile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ n
domeniul liniar de coeficientul de rezistivitate electric de volum sau de mrimea invers,

conductivitatea electric de volum . Aceste mrimi sunt definite de forma local a

1

legii de conducie electric:

J = E respectiv E = J (3.1)
Conform teoriei cuantice, rezistivitatea a unui material are expresia:
mn 1
(3.2)
n q 2n

unde: n este concentraia purttorilor mobili de sarcina din material la echilibru termodinamic,
iar qn i mn sunt sarcina, respectiv masa unui purttor mobil de sarcin.
Coeficientul se numete constanta de timp de relaxare, fiind determinat de
interacia dinamic a purttorilor de sarcin cu diferite cvasiparticule (impuritile neutre
ionizate, fononii reelei cristaline) ntlnite de-a lungul traiectoriei lor dirijate sub aciunea
cmpului electric.
n cazul metalelor purttorii mobili de sarcin sunt electronii de conducie a cror
concentraie este practic constant, dependena rezistivitii electrice de temperatur fiind
determinat numai de constanta de relaxare.
 LUCRAREA NR. 3
2 ________________________________________________________________________________________
La temperaturi foarte sczute este predominant mecanismul de interacie cu
impuritile i defectele existente n material, astfel nct metalul prezint o rezistivitate
independent de temperatur numit rezistivitate rezidual, 0 .
La temperaturi sczute (T<<TD - temperatura Debye), este predominant interacia cu
fononii acustici rezultnd o proporionalitate a rezistivitii cu T5, iar la temperaturi ridicate
(T>>TD), acelai mecanism conduce la o proporionalitate a rezistivitii cu T.
n cazul materialelor semiconductoare, purttorii mobili de sarcin sunt electronii de
conducie i golurile, astfel nct:
1
m 1 m 1 1
n2 p2 (3.3)
ne n pe p e( nn p p )

unde este coeficientul de mobilitate:
e e
n n p p (3.4)
mn mp

iar q p q n e (sarcina electronului).

Concentraia purttorilor mobili de sarcin provenii, la temperaturi coborte, n

special din mecanismul extrinsec de ionizare a impuritilor, iar la temperaturi ridicate din
mecanismul intrinsec de rupere a legturilor covalente, crete exponenial cu creterea
temperaturii. Mobilitatea acestor purttori scade n general la creterea temperaturii dup o
lege practic liniar.
n cazul aciunii unui flux electromagnetic apare o concentraie suplimentar de
purttori mobili de sarcin rezultat n urma interaciei electronilor de valen cu fotonii.
Totodat, se modific i mobilitatea efectiv care caracterizeaz deplasarea dirijat a
purttorilor sub aciunea cmpului electric. Acest fenomen constituie efectul fotoelectric
intern.
Modelul benzilor energetice al corpului solid permite descrierea purttorilor de
sarcin. Descrierea purttorilor de sarcin electric se realizeaz pe baza modelului simplificat
al benzilor energetice ale corpului solid. Conform acestui model, electronii unui atom ocup
diverse nivele energetice care pot fi grupe in benzi energetice:
banda de valen: electronii de valen sunt fixai n legturi covalente. Acest tip de
electroni sunt imobili, deci nu pot participa la fenomene de conducie;
banda de conducie: electronii de conducie sunt electroni liberi, se pot deplasa prin
structura intern a materialului, deci particip la fenomenele de conducie;
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 3

banda interzis: electronii nu pot ocupa nivele energetice n interiorul acestor benzi.
Diagrama benzilor energetice a materialelor permite clasificarea acestora din punct
de vedere a conductibilitii electrice (proprietatea unui material de a permite trecerea
curentului electric). Conductibilitatea electric a materialelor este determinat de apariia
purttorilor de sarcin electric, n anumite condiii energetice i de deplasarea acestora n
structura intern a materialului respectiv. Pornind de la aceast mrime, materialele
electronice se pot clasifica n trei tipuri: conductoare, semiconductoare i izolatoare.

Fig. 3-1: Structura benzilor energetice pentru:

a) metale, b) materiale semiconductoare i materiale izolatoare

n cazul materialelor conductoare, conducia curentului electric este asigurat de

electronii de conducie, iar pentru cele semiconductoare i izolatoare electronii de conducie
i goluri.
Pentru materialele semiconductoare, valoarea benzii interzise este cuprins n
intervalul EG 0.025-3eV, iar pentru izolatoare, EG 2.5-3eV.
Valoarea conductivitii electrice pentru diferite tipuri de materiale la temperatura
camerei este:
Metale pure , (m)-1
Ag 6.80 107
Cu 5.81 107
Al 3.80 107
W 1.81 107
 LUCRAREA NR. 3
4 ________________________________________________________________________________________
Aliaje , (m)-1
Cu84Mn12Ni4 (manganin) 2.3 106
Cu60Ni40 (constantan) 2.0 106
Ni-Cr 1.0 106

Semiconductoare , (m)-1
C 2.8 104
Ge 1.7 100
Si 4.3 10-4

Izolatoare , (m)-1
Teflon <10-13
Mica 10-11-10-15
SiO2 1.3 10-18

Materialul devine mai conductiv datorit absorbiei radiaiei electromagnetice

(lumina, radiaia ultraviolet, infraroie sau radiaia gama).

3.3 Aparatura utilizat

Pentru determinarea proprietilor conductoare ale materialelor se utilizeaz:
multimetrul digital de precizie 6 1/2 digii HM 8113-3 HAMEG sau
multimetru digital Philips PM 2423, punctele 8.8 i 8.9 din Capitolul 8 (Materiale pentru
Electronic ndrumar );
teraohmetru 4339B Agilent cu dispozitivul de fixare i msur 16008B,
punctul 8.10 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronic ndrumar );
incint termic:
incint pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenei;
surs de alimentare programabil 7044 HAMEG sau sursa dubl stabilizat 0-
30 V / 0,8 A, punctele 8.11 i 8.12 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronic ndrumar ).
Utilizarea aparatelor pentru executarea msurtorilor este prezentat n Capitolul 8
(Materiale pentru Electronic ndrumar )
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 5

3.4 Desfurarea lucrrii

3.4.1. Dependena de temperatur a proprietilor conductoare
ale materialelor
Cu ajutorul unui multimetru digital se va msura rezistena unei probe
semiconductoare intrinseci de Germaniu (se msoar rezistena ntre firul verde-galben
introdus la borna roie a multimetrului i firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului) i rezistena unei probe metalice de Nichel (se msoar rezistena intre firul
rou introdus la borna roie a multimetrului i firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului).
Determinarea valorilor rezistenelor se execut cu multimetrul digital HM 8113-
3 HAMEG sau Philips PM 2423.
Probele sunt introduse ntr-o incint termic a crei temperatur variaz suficient de
lent pentru ca un set de dou msurtori consecutive s se fac n aproximativ aceleai
condiii termice. Rezultatele msurtorii se trec n Tabelul 3-1.
Tabelul 3-1.
T [0C] 20 35 40 45 50 55 58 60 62 64
Valori RGe []
msurate
RNi []
Seciune Ge [m]
Ptr. Ge(m)-1
calcule
Ni [m]
Ni(m)-1

Avnd dimensiunile probelor (proba de Ge are lungimea l = 10 mm i seciunea S =

10 10 mm2, iar proba de Ni are lungimea l = 90 mm i seciunea S = 0,7 0,14 mm2), din
formula
l
R (3.5)
S
se determin , iar
1
(3.6)

Se traseaz graficele rezistivitii i conductivitii ca funcie de temperatur pentru
cele dou probe.
 LUCRAREA NR. 3
6 ________________________________________________________________________________________
Se calculeaz coeficientul de temperatur al rezistivitii pentru cele dou probe
(abaterile se iau n jurul valorii de 600C).
1
(3.7)
T
tiind c dependena conductivitii de temperatur este dat de relaia
Eg
3
CT e 2 2 KT
(3.8)
3 1
se traseaz graficul ln lnT f din care, folosind relaia
2 T

Eg

3
ln T 2

1.725 104 eV (3.9)

1

T
i se determin banda interzis pentru Ge.

3.4.2 Efectul radiaiei electromagnetice asupra proprietilor de

conducie
Se utilizeaz montajul experimental prezentat n Fig. 3-2. Acest montaj este alctuit
din fotorezistena, FR, care este nseriat cu o rezisten, R, de valoare 1 K. Rezistena este
folosit pentru a putea msura curentul care trece prin fotorezisten la o anumit valoare a
tensiunii de alimentare (se msoar cderea de tensiune pe rezisten i se mparte la valoarea
rezistenei). Acest montaj este introdus n incint pentru determinarea caracteristicilor
fotorezistenei, n vederea asigurrii regimului de ntuneric pentru msurtori.

Fig. 3-2. Schema de msur pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenei.

3.4.2.1 Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru

fotorezisten la ntuneric
Se conecteaz grupul FR-R la o surs de tensiune continu reglabil: sursa de
alimentare 7044 HAMEG sau la sursa dubl stabilizat 0-30 V / 0,8 A .
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 7
Se modific tensiunea de alimentare n intervalul 1V 15V, conform tabelului 3-2 i
se msoar tensiunea cu multimetrul digital HM 8113-3 HAMEG pe fotorezisten sau
multimetru Philips PM 2423 i rezultatele se trec n Tabelul 3-2.
ATENIE! La aceste msurtori LED-ul nu se alimenteaz, iar incinta n care
se gsete fotorezistena trebuie s fie acoperit, astfel nct s nu ptrund lumin!
Tabelul 3-2. R = 1 K
U [V] 1 3 5 7 9 11 13 15
UFR [V]
U U FR
I FR [mA]
R

Se traseaz pe acelai caracteristic UFR(IFR). Se determin rezistena la ntuneric a

fotorezistenei ca fiind panta acestui grafic.

3.4.2.2 Determinarea dependenei dintre rezistena fotorezistorului i

fluxul luminos incident
Pentru a determina aceast dependen se alimenteaz LED-ul la o tensiune de 10 V.
Se poziioneaz fotorezistorul la distana aproximativ r1=1cm de LED (dispozitivul se
fixeaz cu uruburi pe tija de glisare) i se msoar tensiunea, cu multimetrul digital pe
fotorezisten pentru patru valori ale tensiunii de alimentare a grupului FR-R. Se repet
msurtorile pentru alte dou poziii ale fotorezistorului aflate la distanele r2 10 cm i
r3=10 cm. Prin modificarea distanei fotorezisten-surs de lumin, fluxul incident pe FR va
varia dup o lege 1/r2, astfel ( r ) 100 ( r ) i ( r ) 10 ( r ) , ( r ) fiind luat ca
1 3 2 3 3
referin. Se completeaz Tabelul 3-3.

Tabelul 3-3 R = 1 K
Flux U [V] 1 5 10 15
(r1) UFR [V]
U U FR
I FR [mA]
R

(r2) UFR [V]

 LUCRAREA NR. 3
8 ________________________________________________________________________________________

U U FR
I FR [mA]
R

(r3) UFR [V]

U U FR
I FR [mA]
R

Se traseaz caracteristicile UFR(IFR) pentru cele trei valori ale fluxului. Din panta
acestor grafice se determin rezistena fotorezistenei RFR la cele trei valori ale fluxului.
Folosind valorile determinate anterior se traseaz graficele lg(RFR) n funcie de lg(),
lundu-se ca referin pe axa absciselor valoarea lg( (r3)).

3.4.3 Determinarea rezistivitii materialelor dielectrice i a materialelor

semiconductoare
3.4.3.1 Msurarea rezistivitii materialelor dielectrice i a materialelor
semiconductoare cu teraohmetrul 4339B Agilent
Pentru determinarea rezistivitii materialelor dielectrice i a materialelor
semiconductoare vom utiliza teraohmetrul 4339B Agilent cu dispozitivul de msur 16008B,
aa cum este artat n Fig. 3-3 .

Fig. 3-3. Teraohmetrul 4339B cu dispozitivului fixare i masur 16008B

Teraohmetrul msoar, calculeaz i vizualizeaz valoarea rezistiviti de volum i

de suprafa a materialelor.
n primul caz, rezistivitatea de volum este definit ca rezistena pe unitatea de volum
conform relaiei
LUCRAREA NR. 3
________________________________________________________________________________________ 9

B D2 D1
2

D1
RV R 1
Aria 1 2
V V (3.10)
g 10 4g 10
unde:
V rezistivitatea de volum de volum [-cm]
Aria aria efectiva [mm2]
g grosimea probei [mm]
RV rezistenta de volum masurata [] ;
D1 diametrul electrodului principal [mm] ;
D2 diametrul elecrodului de gard [mm] ;
B - coeficientul efectiv al arei, care poate fi 1 sau 0.
Modul de msurare a rezistivitii de volum, a probei de material cu teraohmetru i
dispozitivului fixare i msur 16008B, este prezentat n Fig. 3-5.

Fig. 3-5. Msurarea al rezistivitii de volum cu teraohmetru.

Rezistivitatea de suprafa este definit ca rezistena pe suprafa.

Rezistivitatea de suprafa (s) se calculeaz de ctre teraohmetru folosind relaia:

Perimetru probei D2 D1
s R (3.11)
Gap D2 D1 s
unde:
S rezistivitaea de suprafa [];
Perimetrul probei perimetrul efectiv al probei [mm];
Gap spaiul liber ntre electrodul principal i cel de gard [mm];
RS rezistena de suprafa msurat [];
 LUCRAREA NR. 3
10 _______________________________________________________________________________________
D1 diametrul electrodului principal [mm];
D2 diametrul electrodului de gard [mm].
Modul de msurarea al rezistivitii de suprafa a probei de material cu teraohmetru
i dispozitivului fixare i msur 16008B este prezentat n Fig. 3-6.

Fig. 3-6. Msurarea al rezistivitii de suprafa cu teraohmetru.

3.4.3.2 Efect uarea msurtorilor rezistivitii materialelor dielectrice i

semiconductoare
3.4.3.2.1 Materialul dielectric
Se fac legturile ntre teraohmetru i dispozitivul de fixarea i msur, aa cum este
prezentat n Fig. 3-3.
Efectuarea msurtorii rezistivitii materialelor dielectrice se execut conform pct.
8.10.3 din Capitolul 8 al ndrumarului. Citirea valorilor, indicate de teraohmetru pentru
rezistivitatea de volum i suprafa, se face dup un interval de timp de 1 minut de la aplicarea
tensiunii probei de material, datorit polarizrii materialul i a curentului de absorbie.
Materialul dielectric msurat va avea dimensiunile determinate de dispozitivul de
fixare i msur.
Cu datele obinute n urma msurtorilor se completeaz Tabelul 3-4.

Tabelul 3-4
Nr. Uout I V I S
Material
Crt. (V) (A) (m) (A) ()
LUCRAREA NR. 3
_______________________________________________________________________________________ 11
Se clasific materialele dielectrice funcie de rezistivitaea de volum i rezistivitatea
de suprafa si se trag concluzii.

3.4.3.2.2 Materialul semiconductor

Se fac legturile ntre teraohmetru i dispozitivul de fixarea i msur, aa cum este
prezentat n Fig. 3-3.
Efectuarea msurtorii rezistivitii materialelor semiconductor se execut conform
pct. 8.10.3 din Capitolul 8 al ndrumarului.
Materialul semiconductor msurat va avea dimensiunile determinate de dispozitivul
de fixare i msur.
Cu datele obinute n urma msurtorilor se completeaz Tabelul 3-5.
Tabelul 3-5
Nr. Uout I V I S
Material
Crt. (V) (A) (m) (A) ()

Se clasific materialele semiconductoare funcie de rezistivitatea de volum i

rezistivitatea de suprafa si se trag concluzii.

3.5 Coninutul referatului

1. scopul lucrrii;
2. Tabelul 3-1 i mpreun cu relaiile folosite la calcul;
3. dependenele de temperatur ale rezistivitii i conductivitii pentru probele de
germaniu i nichel de la punctul 3.4.1;
4. calculul coeficientului de temperatur al rezistivitii pentru cele dou probe;
5. graficul pe baza cruia se va calcula banda interzis a germaniului;
6. Tabelul 3-2 i caracteristica curent-tensiune la ntuneric pentru fotorezisten,
precum si calculul rezistenei la ntuneric obinut pe baza acestei caracteristici;
7. Tabelul 3-3 i graficul cu caracteristicile curent-tensiune pentru fotorezisten la
cele 3 valori ale fluxului optic;
8. graficul lg(RFR) n funcie de lg(), lundu-se ca referin pe axa absciselor
valoarea lg( (r3)).;
 LUCRAREA NR. 3
12 _______________________________________________________________________________________
9. Tabelul 3-4 i clasificarea materialelor dielectrice funcie de rezistivitate de volum
i de suprafa;
10.Tabelul 3-5 i clasificarea materialelor semiconductoare de volum i suprafa;
11. rspunsuri la ntrebri, ntrebri i probleme;
12. concluzii i comentarii.

3.6 ntrebri i probleme

1. Cum se explic faptul c, dei deplasarea purttorilor mobili de sarcin se face sub
aciunea cmpului electric, micarea acestora nu este uniform accelerat, ci uniform?
2. Cum se explic faptul c n general mobilitatea purttorilor mobili de sarcin
scade la creterea temperaturii?
3. Definii temperatura Debye.
4. Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur al conductivitii pentru
metale sau este mai potrivit introducerea unui coeficient de temperatur al rezistivitii? De
ce?
5. Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur pentru materiale
semiconductoare intrinseci? S se deduc expresia lor analitic.
6. Precizia cu care se determin valoarea rezistenei fotorezistorului este mai bun
dac se msoar tensiunea ntre bornele rou-negru sau ntre bornele rou-verde?
7. S se precizeze rolul rezistorului montat n serie cu dioda electroluminiscent.
8. Dup ce lege se modific fluxul electromagnetic, emis de dioda
electroluminiscent i care cade pe fotorezistor, cu distana dintre cele dou componente?