Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
CURS 5
2.8. Protectia tiristoarelor
- grup RC;
- cu varistoare;
- cu diode cu avalan controlat.
Energia undei de supratensiune se conserv, dar, dintr-o und cu amplitudine mare i durat
scurt, este transformat ntr-o und de durat mare i amplitudine mai mic dect limita
periculoas pentru tiristor.
Grupul RC trebuie realizat cu elemente de putere mai mic sau mai mare, corespunztoare
energiei undei de supratensiune. La tiristor, grupul RC are i rolul de a grbi amorsarea
tiristorului, n circuite cu sarcin inductiv mare, deci cu pant a curentului foarte mic.
Grbirea amorsrii tiristorului cu grup RC
Pentru ca panta iniial a lui iT s nu fie prea mare, se limiteaz curentul maxim de
descrcare al condensatorului prin rezistena R, astfel ca:
Pentru exemplul dat, impulsul de comand de durat tg nu poate amorsa tiristorul dect n
prezena grupului RC, deoarece : tg < t2 , dar tg > t1 .
La convertoarele de puteri mari, grupul RC se leag la bornele tiristorului printr-o punte
redresoare auxiliar, pentru a putea utiliza un condensator electrolitic mai ieftin. Dispare ns
posibilitatea de a grbi amorsarea tiristorului n cazul consumatorilor puternic inductivi. Se poate
monta un grup R0C0 suplimentar, de putere mic
Pentru tiristoarele de mic i medie putere o soluie frecvent utilizat este conectarea
unei rezistene n circuitul de comand (a). Aceast rezisten cu valori de 0,25k, deviaz n
circuitul exterior o parte a curentului de deplasare din baza tranzistorului T1 (npn) din schema
echivalent a tiristorului. Astfel se mpiedic stabilirea reaciei interne de curent prin decuplarea
acestui tranzistor. Acelasi efect are i negativarea grilei n raport cu catodul
Prin aceste unturi, curentul de deplasare generat n structura tiristorului se evacueaz direct
spre catod, fr s mai joace vreun rol n generarea reaciei interne de curent. Tot din cauza
unturilor, eficiena de injecie a stratului puternic dopat p, care este baza tranzistorului T2, scade
i astfel coeficientul n este meninut la o valoare mic. n acest mod se menine
n + p < 1 i se evit amorsarea parazit.
Protecia mpotriva distrugerii prin efect diT /dt se poate face extern prin nserierea tiristorului
cu o inductivitate dar care are i urmtoarele dezavantaje :
mrirea timpului de amorsare ;
oscilaii parazite n circuitul de putere ;
gabarit mrit al instalaiei.
Schema echivalent (a) este cea a unui amplificator Darlington cu tiristoare, format
dintr-un tiristor principal Tp i unul auxiliar Ta . Prin aplicarea unui semnal de comand lui Ta ,
acesta amorseaz ; prin intermediul rezistenei R se aplic pe poarta tiristorului principal Tp , un
curent de comand mrit (IGp =Ia +IG ), ceea ce determin o suprafa iniial de conducie mrit
i o cretere a capabilitii n diT /dt, concomitent cu scderea puterii consumate n circuitul de
comand.
Structura semiconductoare are dou zone puternic dopate n, una principal np++ i alta
auxiliar na++, corespunztoare celor dou tiristoare. Curentul IGp este transmis prin metalizarea
ce leag straturile na++ i p. Dup amorsarea lui Tp , tiristorul auxiliar Ta trebuie s se blocheze i
s nu mai participe la conducie. Tiristoarele cu amplificator de poart integrat au ctig n curent
la amorsare (Gon) foarte mare.
Tiristor interdigitat cu amplificator de poart integrat :
a) explicativ pentru interdigitare; b) schema echivalent
Caracteristici:
- tensiuni de blocare de pn la 5kV;
- cureni de pn la 3kA;
- cderi de tensiune mici, de maximum 2V;
- timp de comutaie este mare (50s<tq<200s), dar acest lucru nu are importan,
frecvena de comutaie fiind de cel mult 50Hz.
-suport pante relativ mari ale tensiunii, de pn la 1000V/s;
- suport pante ale curentului de numai 200A/s.
- poate fi mbuntit utiliznd tiristoare cu amplificator de poart integrat,
ceea ce permite i scderea curentului de comand pn la 1...2A, deci
consum redus de putere n circuitul de poart.
3.2. Tiristoare pentru funcionare la frecvene nalte
Fiecare dintre procedeele cunoscute are avantaje i dezavantaje. Funcie de scopul principal
urmrit, micorarea timpului de comutaie i variaia acceptabil a celorlali parametri funcionali,
cea mai eficient metod este doparea cu platin, dar este i cea mai scump.
O mrire a frecvenei de lucru pn la 10...15 kHz necesit i micorarea timpului de amorsare
tgt. Aceasta implic ns i mrirea capabilitii n diT/dt. Aceste dou cerine se realizeaz la
structurile interdigitate i cu amplificator de poart integrat.
3.2.1. Tiristoare cu blocare asistat de poart (GATT= Gate Assisted Turn off Thyristor)
Anterior s-a amintit efectul benefic al aplicrii, ctre sfritul preocesului tranzitoriu de
blocare, a unei tensiuni inverse n circuitul de comand. Aceast tensiune de valoare mic
(2...6V) determin devierea, n circuitul exterior gril-catod, a unei pri din curentul pe care l
genereaz reaplicarea tensiunii directe. Astfel este mpiedicat polarizarea direct a jonciunii
gril-catod i deci, procesul intern care ar determina reamorsarea tiristorului.
n figura urmatoare se observ corelarea ntre momentul aplicrii semnalului de comand
negativ cu cel al tensiunii directe, precum i anularea curentului direct parazit.
a) Comutaia unui tiristor GATT ; b) Timpul de blocare funcie de semnalul negativ de comand
Observatii:
Spre deosebire de structura unui tiristor convenional, acest tip de tiristoare are un strat
suplimentar, puternic dopat n, introdus ntre stratul puternic dopat p i cel slab dopat n.
Jonciunea J1 a tiristorului este acum ntre dou straturi puternic dopate i deci, din acest motiv,
nu va mai putea susine o tensiune invers mare (maximum 20V).
Caracteristica static a acestui tiristor este asemntoare cu cea a tiristorului
convenional, cu diferena c tensiunea invers de strpungere este cu dou ordine de mrime mai
mic.
Caracteristica static a unui tiristor asimetric
Timpul de blocare pentru un tiristor convenional (SCR) i unul asimetric (ASCR), la aceeai
densitate de curent (2A/mm2) i tensiune de blocare (1200V) .
Stratul suplimentar puternic dopat n micoreaz lungimea l a stratului slab dopat n. Totui, nu
exist pericolul extinderii zonei de sarcin spaial a jonciunii J2 pn la jonciunea J1 i
scurtcircuitarea lor, tocmai din cauza existenei unei zone puternic dopate n. Reducerea lungimii
l determin reducerea lungimii de difuzie a purttorilor de sarcin i deci, durata lor de via.
Astfel se obine o scdere de 2...3 ori a timpului de blocaj tq fa de un tiristor convenional,
precum i o cdere de tensiune direct n conducie mai mic. Reducerea lui tq determin
scderea pierderilor n comutaie i permite astfel creterea frecvenei de comutaie a tiristorului
pn la 35kHz.
3.2.3. Tiristoare cu conducie n invers (RCT = Reverse Conducting Thyristors)
Dezavantajele
- un pre nc mare comparativ cu al tiristoarelor convenionale;
- un consum sporit de energie n circuitul de comand
Constructiv, un tiristor GTO se deosebete de unul convenional prin aceea c, datorit
gradului de dopare i grosimii straturilor semiconductoare, factorii de amplificare n curent
colector - emitor (n i p ), ai celor dou tranzistoare componente sunt mult diferii:
n=0,6...0,8 este mai mare;
p=0,1...0,2 este mai mic
Din cauza valorii foarte mici a lui p , dei amorsarea se face ca la tiristorul normal, la
GTO este nevoie de meninerea unui curent de comand continuu pe durata conduciei.
Datorit extragerii de curent prin circuitul de poart, curentul de comand IB1 pentru T1
scade, deci scade i curentul su de colector IC1 . Acesta este ns curent de baz pentru T2 . Cu
curent de comand sczut i factor de amplificare p mic, T2 va avea un curent de colector IC2
insuficient pentru a menine reacia intern de curent i tiristorul se va bloca.
Caracteristica circuitului de for este identic, iar caracteristica de comand difer numai n
cadranul trei, adic acolo unde este domeniul comenzii la blocare. Corespunztor acestui
domeniu exist mrimi caracteristice specifice :
IGRM este valoarea maxim a curentului invers de comand ; depirea acestei valori,
determin distrugerea jonciunii J3 prin efect electrotermic ;
IGRmin este valoarea minim a curentului invers de comand care mai poate asigura totui
blocarea tiristorului ;
VGRM este tensiunea invers maxim care poate fi aplicat jonciunii poart-catod. Are
valori uzuale de 1015V. Depirea acestei valori provoac strpungerea jonciunii J3 ;
VGRmin este tensiunea invers minim de comand care asigur blocarea tiristorului ;
ITQM (notat i ITGQ sau ITGQM) este curentul anodic maxim controlabil de poart
i reprezint valoarea maxim a curentului direct care poate fi ntrerupt eficient, o singur dat,
prin aplicarea pe poart a unui semnal adecvat. Acest curent se indic pentru temperatura
jonciunii TvJ =125C i o tensiune direct VD=2/3VDRM .
ITQRM este curentul anodic maxim repetitiv controlabil de poart i reprezint
valoarea maxim a curentului direct care poate fi ntrerupt eficient n mod repetitiv prin aplicarea
pe poart a unui semnal adecvat. Acest curent se indic n catalog n aceleai condiii ca i ITQM .
Goff = ITQRM / IGRM(min) este ctigul maxim n curent la blocare
3.2.4. Tiristorul cu blocare pe poart i conducie n invers (RC-GTO = Reverse Conducting
GTO).
Acest tiristor este echivalent cu un tiristor GTO legat antiparalel cu o diod i, pe lng
proprietile deja cunoscute ale unui RCT, poate fi blocat prin comand pe poart
3.2.5. Tiristor cu poarta controlat de MOSFET (MCT = Mos Controlled Thyristor)
Este un tiristor obinuit cu unul sau dou tranzistoare MOS-FET nglobate n structura porii.
Este echivalent cu dou tiristoare montate antiparalel, dar comandate printr-o singur
poart
n cristalul semiconductor se realizeaz trei straturi: p1 ,n2 i p2 . Se difuzeaz o zon n1
n stratul p1 i alte dou zone, nG i n3 , n stratul p2. Metalizrile pentru electrozi (E1 , G i E2)
sunt astfel depuse, nct s fie n contact att cu straturile p, ct i cu zonele n.
Ansamblul (p1 n2 p2 n3 ) formeaz tiristorul , iar (n1 p1 n2 p2) formeaz tiristorul .
Triacul se va comporta ca un tiristor, indiferent de polaritatea tensiunii aplicate n
circuitul principal sau n cel de comand.
Triacul poate bloca tensiuni mari n ambele sensuri, la cureni reziduali neglijabili, aa
cum indic poriunile 2 i 4 din figura, deoarece dopajul straturilor p1 i p2 este practic egal i
tensiunile sunt suportate de jonciunile p1 n2 sau n2 p2 , dup caz.
Triacul poate conduce cureni mari n ambele sensuri, la cderi de tensiune mici
(poriunile 1 i 3 din Fig.3.51.a),
Triacul poate fi amorsat printr-un semnal de comand aflat n oricare dintre cele patru cadrane ale
planului VT,VG.
ntre curenii de amorsare sigur exist urmtoarea relaie
unde este curentul de comand din cadranul CK al planului (VT,VG). Comanda n cadranul
CIV este recomandabil s se evite.
Corelare ntre potenialele din circuitul de for i din cel de comand pentru comanda n 4
cadrane a triacului
Din cauza asimetriei structurii (la ) este mai mare dect (la ).
Curentul de acroare depinde de aceiai factori ca i la tiristor, dar, n plus, depinde de cadranul n
care se face comanda triacului, astfel:
Pentru performane identice n curent i n tensiune, curenii de acroare i meninere ai unui triac
sunt mai mari dect ai unui tiristor. n cataloage se indic valorile maxime ale acestor cureni.
n regim dinamic, posibilitile triacului sunt inferioare unui grup de dou tiristoare
convenionale cu parametrii similari. Cuplajul foarte strns ntre cele dou tiristoare componente
determin:
un timp de blocare tq mult mai mare, deci frecvena maxim de utilizare mai redus;
sarcina stocat n baza tiristorului care conduce, poate, din cauza apropierii de cellalt
tiristor, s provoace amorsarea lui parazit, la aplicarea tensiunii directe, la valori ale pantei
acestei tensiuni mult mai mici dect pentru un tiristor convenional. n plus, tensiunea direct
pentru un tiristor component este tensiune invers pentru cellalt, deci trebuie limitat i panta de
cretere a tensiunii inverse la blocare (dv/dt)C, pe lng panta de cretere a tensiunii directe n
stare de blocare (dv/dt)crit . Acest lucru se realizeaz cu un grup RC n paralel pe triac.
Din cauza acestor performane reduse, triacele sunt utilizate de obicei pentru controlul
energiei electrice n circuite de nclzire i iluminat, alimentate din reeaua de curent alternativ cu
frecven de 50 Hz. Comanda triacului trebuie s fie robust i simpl, circuitele de utilizare
neimpunnd, n general, o precizie deosebit a amorsrii. Comanda triacelor se poate face la fel
ca la tiristoare: n curent alternativ, continuu sau cu impulsuri. Schemele de comand se
realizeaz cu sau fr izolaie galvanic fa de circuitul de for, din elemente de circuit discrete
sau cu circuite integrate specializate, cu respectarea acelorai condiii impuse i n cazul
tiristoarelor.
n concluzie, triacul este un dispozitiv semiconductor ieftin, comod de utilizat, dar ale
crui performane i limiteaz aplicabilitatea la comanda sarcinilor de puteri moderate,
funcionnd la frecvena reelei. La puteri i frecvene ridicate se folosesc tiristoare montate
antiparalel.
Pentru a depi limitele triacului i a-i utiliza avantajele, s-a conceput un alt dispozitiv
semiconductor, numit alternistor cu performane limit de 1200V/200A. Acesta este format din
dou tiristoare montate antiparalel, comandate printr-un triac, care are rol de amplificator de
poart. n felul acesta se reduce timpul de blocare tq i se crete capabilitatea n (dv/dt)C .
Alternistorul.