TEMA PROIECT:

SA SE PROIECTEZE UN GENERATOR DE SEMNAL

SINUSOIDAL CU RETEA DE REACTIE POZITIVA WIEN AVAND
URMATORII PARAMETRII:
U 0 =3.5V (tensiunea de iesire)

R S =200 (rezistenta de sarcina)

F o min =0.9kHz

F o max =900kHz

I O =250 mA

R o =0.6

( SCHEMA BLOC )

1
 ETAJUL DE IESIRE

Oscilatorul ce va fi proiectat nu va putea fi conectat direct la o sarcina

exterioara, deoarece acest lucru ar putea produce o modificare a frecventei de
oscilatie si o distorsionare a semnalului generat . De aceea intre sarcina si
oscilator se intercaleaza un etaj separator care va avea :

Rezistenta de intrare (Ri) foarte mare; (mult mai mare decat

rezistenta de iesire a oscilatorului (Ro osc )
Rezistenta de iesire (Ro) mica; (mult mai mica decat rezistenta de
sarcina (Rs) )
Eventual sa amplifice (daca rezistenta de sarcina are valoare mare)
sau sa fie de forma unui repetor pe emitor (pentru valori mici ale
impedantei sarcina)

Proiectarea etajului de iesire va fi facuta satfel incat circuitul ales pentru

polarizarea trazistoarelor sa mentina PSF-ul acestora constant in conditiile in
care temperatura variaza intr-un interval dat T[Tmin,Tmax] si unei
dispersii tehnologice a parametrilor componentelor.

Aleg:
Tmin=00C
Tmax=600C
To=250C (temperatura de functionare)

In aceste conditii se impune ca variatia curentului de colector sa nu

depaseasca 5% ( Ic 5%)

2
Schema etajului de iesire este:

+Vcc

Vin
Vin

Vo

Unde:
T2 este un generator de curent polarizat prin rezistoarele (R4,R5)
T1 este un etaj colector comun polarizat prin rezistoarele (R1, R2,
R3) cu Bootstrap (pentru a mari rezistenta de intrare Ri)

3
 Pentru stabilirea punctelor statice de functionare pe schema de curent
alternativ se echivaleaza sursa de curent ( T2 , R4 , R5, R6 ,C4 ) printr-o
rezistenta Rech T2 . Deoarece valoarea acesteia este foarte mare (de ordinul
M) se va neglija in calcule.

Vo

Vin

Pentru tranzistorul T1:

1. Evitarea blocarii:
i C1( (t) =I C1 +I c 1 sint >0
Uo
in cazul cel mai defavorabil sint= -1I C1 > I c 1 = =17. 5mA
Rs
2. Evitarea saturarii:
v CE 1 =V CE 1 +V ce 1 sint >V ce 1 sat
in cazul cel mai defavorabil sint= -1 V CE >V ce 1 +V ce sat
consider V ce 1 sat =0.6V
V ce 1 =Uo=3.5V
V CE 1 >3.5V +0.6V =4.1V

ALEG:
I C =20 mA
V CE =5V pentru ambele tranzistoare

* I C max >I C +I c sint pentru sint= 1

4
 I C max >20mA+17.5mA I C max >37. 5mA

* V CE max >V CE 0 +V ce V CE max

>5V+3. 5V

V CE max >8. 5V

* P D max >(I C *V CE ) max =37. 5mA*8. 5V

P D max >318.75 mW

Tinand cont de aceste valori maxime pe care trebuie sa le suporte

tranzistorul , in acest etaj se folosesc doua tranzistoare BC 337 (Si-planar
epitaxial NPN) care au urmatorii parametrii:

I C max =800 mA valoare de varf I CM =1000mA

I B max =100 mA valoare de varf I BM =200mA
Intervalul de temperatura (T min ,T max ) = (-65,150) 0C
Capacitate tipica a colectorului C C = 5pF
V CE 0 =45 V
P D max =625 mW valoare constanta in intervalul de temperatura
00C 450C
V ce sat =0.7 V
f T =200 MHz la I C =10 mA
h fe =(100600) atunci cand I C =100 mA si V CE =1V

Tranzistorul BC337 are cu o buna aproximare aceeasi parametri cu BC338 si

au ca echivalent pe BC327 respectiv BC328.
Ele sunt construite in capsula de plasticTO-92 si au fost destinate folosirii in
preamplificatoare, drivere de joasa frecventa sau in etaje de iesire.

5
Reteaua de polarizare a tranzistorului T1 este:

Unde:
Rbb1=R1R2 ; Rbb2=R4R5

R2 R4
Vbb1= Vcc ; Vbb2= Vcc
R1 + R 2 R 4 + R5

ECUATIILE NECESARE PENTRU DETERMINAREA VALORII

REZISTORELOR SUNT:
IC Vbb2 VBE
Vbb2=Rbb2 +V BE +R6I C IC=
f R6 + Rbb2
f
VBE si f variaza cu temperatura dupa legi de forma:
f
f (T ) = f (To ) + (T To )
T
VBE
VBE (T ) = VBE (To ) + (T To )
T
IC este minim cand: -VBE este maxim
- f este minim la T=Tmin

IC este maxim cand: -VBE este minim

- f este maxim la T=Tmax

6
Valorile pentru IC min si IC max sunt:
IC max = Vbb1 Rbb
VBE min
2
1.05IC (1+5%)
R6 +
f max

IC min = Vbb2 Rbb

VBE max
2
0.95IC (1-5%)
R6 +
f min
IC max IC min
VBE max VBE min = + R6(IC max IC min )
max min
f f
1.05 0.95
VBEmax VBE min Rbb2 IC + R6 IC 0.1
max min
f f
1.05 0.95
notez diferenta =k Rbb2 0.1 R6 kVBEIC
f max f min
( k ) ( )
( VBEmax VBEmin ) = VBE
VBE
fie 2 =
1
si R6min = 10
10 ( k ) IC

Din caracteristicile din catalog ale tranzistorului BC 337 , atunci cand

IC= 20mA si VCE = 5V se observa ca:
f(IC) =170
VBE(IC) =0.635V
laTo=250C
Tinand cont de aceste date vor rezulta:
f max (Tmax ) = 289 VBE min (Tmax ) = 554.5mV
fmin (Tmin ) = 85 VBE max (Tmin ) = 692.5mV
2 =13.25
R62 min =69
(pentru tranzistorul T1)

Vbb1 VBE VCE

Vbb1 = (Rbb1 + R3)
IC
+ R6 IC + VBE + VCE IC =
f Rbb1 + R3
R6 +
f

7
 Vcc R6 IC
VCE =
2
VBE si f variaza cu temperatura dupa legi de forma:
f
f (T ) = f (To ) + (T To )
T
VBE
VBE (T ) = VBE (To ) + (T To )
T
Vcc 1 Vcc 1
VcCE max = + R6 IC ; VCE = + R6 IC max
2 2 min min 2 2
IC este maxim cand:
VBE este minim
f este maxim
VCE este minim
Conditiile sunt indeplinite cand T=Tmaxim
IC este minim cand:
VBE este maxim
f este minim
VCE este maxim
Acestea sunt adevarate cand T=Tminim

Vbb1 VBE CCE

IC max = min min 1.05IC (1+5%)
Rbb1 + R3
R6 +
f
max

Vbb1 VBE max VCE max

IC min = 0.95IC (1-5%)
Rbb1 + R3
R6 +
f
min

Inlocuind expresiile pentru VCE max si pentru VCE min si scazand ecuatiile
va rezulta inegalitatea:
1.05 0.95
(Rbb1 + R3) IC
R6 IC
VBEmax VBE + 0.1
f
max f min
min 2
1.05 0.95
fie
f


= k ( ( )
Rbb1 + R3) 1 R6 R61min unde 1=
1
20( k )
max f min
iar R61 min= 20 VBE
IC

8
 Deoarece tranzistoarele sunt identice si sunt polarizate cu acelasi PSF ,
rezulta ca si valorile maxime si minime pentru f si pentru VBE sunt
aceleasi. Tinand cont de valorile gasite anterior vom avea:
1=6.62 si R61 min = 138

Valoarea aleasa pentru R6 va trbui sa satisfaca inegalitatea:

R6 > max (R6 1 min , R6 2 min) R6 > max ( 69 , 138 )
R6 > 138
Deasemeni exista si o limita superioara pentru alegerea lui R6 si este data
de limitarea impusa de tensiunea de alimentare:
VCC = 2 VCE + R6 IC < 24 V (valoarea maxima la care putea fi proiectata
sursa de alimentare)
VCC 2 VCE
R6 < R6 < 700
IC

Aleg R6 = 470 VCC = 19.4V

Se observa ca tensiunea care cade pe rezistorul R6 este comparabila cu tensi-
unea VCE a tranzistoarelor T1 si T2
Din reprezentarea grafica a variabilelor Rbb2 si Rbb1+R3 in functie de R6
se vor determina valorile acestora la R6 aleasa.

Rbb2 = 2115
Rbb1 + R3 = 5355
Pentru aceste valori se calculeaza : Vbb1 = 15.66V
Vbb2 = 10.283V
Se alege R3 de valoare comparabila cu rezistenta rBE de semnal mic a tran-
zistorului. (R3 > rBE )
R3 = 270 Rbb1 =5085

Stiind:
Rbb1 = 5.085 K
Vbb1 = 15.66 V
Vcc = 19.4 V R1 = 3.74 k
R2 = 15.66 k
Rbb2 = 2.115 k
Vbb2 = 10.238 k
Vcc = 19.4 V R4 = 9.16 k
R5 = 10.238 k

9
 Pentru realizarea practica a etajului de iesire rezistoarele se rotunjesc la
valoarea cea mai apropiata care se gaseste in catalog. Astfel se aleg rezistoare
cu pelicula metalica RPM-3012.
Acestea au precizie si stabilitate ridicata simultan cu un coeficient de
temperatura scazut. Factorul de zgomot pentru rezistente nominale cu-
prinse in domeniul 10 100 k este F<0.25 V/V.
Din seria nominala de valori E192 ( 0. 5% ) se aleg urmatoarele
rezistoare:
R1 = 3.74 k
R2 = 15.6 k
R3 = 271
R4 = 9.2 k
R5 = 10.2 k
R6 = 470

Refacand calculele pentru aceste valori ale rezistoarelor se obtin:

IC = 19.1 mA
IC max = 19.8 mA
IC min = 18.04 mA
VCE = 5.2 V
VCE max = 5.46 V
VCE min = 5.04 V
Tranzistoarele raman in RAN pe tot intervalul de
temperatura

Scema de curent alternativ este:

10
 Din catalog se observa ca pentru un curent de colector IC = 19.1mA
f 170
f
Rezistenta rBE a tranzistoarelor este rBE = rBE = 0.22 k
40 IC
rBE
rBE + ro + f + 1
R6
RechT2 = rBE unde r0 este rezistenta de iesire a tranzistoru-
1+
R6
VA
lui T2. ro = cu VA >100 V
IC
Rech T2 este de ordinul M si poate fi negijat in comparatie cu RS.
Deasemeni Rbb1 = 3k poate fi neglijat fata de RS.

Pentru determinarea tensiuni de intrare astfel incat la iesire sa fie

tensiunea de 3.5 V este necesar sa se calculeze valoarea amplificari AV:

U0 1
AV = = = 0.993
UI 1 1 1
1+ + + gm
RS rBE R3

U0
UI = UI =3.52 V
AV
Rezistenta de intrare in etaj este :

RI=(rBER3) + RS[ 1+gm(rBERS) ]=18.874 k

Rezistenta de iesire din etaj este:

R0= (rBE/f)(rBER3) = 1.28

Conditia pe care trebuie sa o indeplineasca oscilatorul este ca rezistenta de

iesire din oscilator sa fie mult mai mica decat rezistenta de intrare in etajul de
iesire.

Valoarea condensatoarelor este astfel aleasa incat sa reprezinte scurtcircuit

la frecventa de lucru. CI = 100 F

11
 OSCILATORUL CU RETEA WIEN

Tinand cont de conditiile impuse de etajul de iesire rezulta ca este

necesar ca oscilatorul ce va fi proiectat sa fie alimentat la o tensiune de
19.4 V ( 20 V) si sa aiba o rezistenta de iesire mult mai mica decat rezis-
tenta de intrare in etajul de iesire . Deasemeni luand in cosiderare faptul ca
amplificarea pe care o are etajul de iesire este mai mica decat 1 (0.993)
pentru a obtine un semnal sinusoidal cu amplitudinea de 3. 5V va trbui ca
amplitudinea maxima a semnalului la iesirea oscilatorului sa fie 3. 52 V.
Reteaua WIEN va trbui sa ofere posibilitatea reglarii frecventei
semnalului sinusoidal in domeniul 0.9 kHz 900 kHz. Acest lucru va fi facut
mai intai brut ,pe decade, apoi fin.
Schema bloc a oscilatorului este:

unde Rs esterezistenta de intrare in etajul de iesire (Rs=18.874 k )

Reactia negativa a ampificatorului ofera o stabilitate a amplificarii si o

marire a rezistentei de intrare in amlpificator.

Reteaua WIEN este conectata la amplificator astfel incat sa realize o

reactie pozitiva . Deoarece defazajul intrdos de retea este nul, este necesar ca
defazajul amplificatorului sa fie egal cu 2k; deci amlpificatorul trebuie sa
aiba un numar par de etaje (de obicei doua).

12
 RETEAUA WIEN

Reteaua WIEN alimentata de un generator de tensiune are urmatoarea

schema:

Vin

Vin Vout

Schema este compusa din doua retele de defazare:

o retea trce sus , formata din C1 si R2 (care introduce un defazaj
pozitiv)
o retea trece-jos , formata din R1 si C2 (care introduce un defazaj
negativ)
Exista posibilitatea ca pentru o anumita frecventa f0 defazajul intre tensiunea
de intrare si cea de iesire in reteaua Wien sa fie nul . Aceasta valoare a frec -
ventei depinde de valoarea rezistentelor si capacitatilor din retea.
Fie Z1 si Z2 impedantele celor doua brate ale retelei:
1
Z1 = R1 +
j C
1 R2
Z 2 = R2 =
j C 1 + j C 2 R 2
Functia de transfer in conditii ideale( deci o sarcina infinita ) este:
Vo Z2
F()Io=0 = =
Vi Z1 + Z 2
Inlocuind Z1 si Z2 se obtine:
1
F ( ) =
R1 C 2 1
1+ + + j C 2 R1
R 2 C1 C1R 2

13
Reprezentand modulul si faza functiei de transfer in functi de frecventa se
observa ca:
F()

450

-450

reteaua are proprietati selective lasand sa treaca frecventele din jurul

lui o in rest atenuand
defazajul este nul pentru o frecventa egala cu cea de rezonanta
Conditia de amorsare a oscilatiilor este: Av F ( ) = 1
1
Pentru AVR FW() R C 2 R1 = de unde rezulta ca frec- venta
C1R 2
1
de oscilatie este: f0= iar functia de transfer
2 R1R 2C1C 2
1
F() =
R1 C 2
1+ +
R 2 C1
1
De obicei se ia R1=R2 si C1=C2. F() = . La un defazaj de 450
3
1
valoarea functiei de transfer scade la din valoarea ei maxima, compor -
2
tandu-se selectiv.

Impedanta de intrare in reteaua Wien are expresia:

Zin, w( 0 ) =
Vi
cand Io=0:
Ii

14
Zin.w(o) =Z1+Z2 =
3R
(1 j )
2
Impedanta de iesire din reteaua Wien este:
Vo
Zo, w = cand Vi=0;
Io
Zo,w(o) =Z1 Z2 =
R
(1 j )
3
Pentru proiectare conditiile impuse asupra rezistentelor de intrare si de
iesire ale amplificatorului cu reactie negativa sunt:
3R 2
Ro,a << Z1n,w Ro.a <<
2
R 2
Ri,a << Zo,w Ri,a <<
3
Acestea doua reunite vor indica modul de alegere al rezistentei din com-
2 3
punerea retelei Wien: Ro, a R Ri, a
3 2

Reglajul frecventei de oscilatie cu ajutorul retelei Wien se va face prin

intermediul condensatoarelor (selectarea unui condensator echivaleaza cu
selectarea unei decade ), si al rezistoarelor ( in interiorul fiecarei decade).

Intervalul de frecventa de 0.9kHz900kHz va fi impartit in trei decade:

1. 0.9kHz9kHz
2. 9kHz90kHz
3. 90kHz900kHz
Insa pentru a nu se pierde frecventele ce delimiteaza decadele , cele trei
intervale vor fi mai mari , suprapunandu-se.

Rezistenta R din compunerea retelei va fi formata dintr-un potentiometru

Rp si un rezistor Rmin inseriat cu el. Rmin este necesar in curent alternativ
pentru a se evita scurtcircuitarea bazei tranzistorului de la intrarea amplifi -
catorului atunci cand valoarea rezistentei potentiometrului Rp este zero.

15
 Valoarea rezistentei Rmin se ia o zecime din valoarea potentiometrului:
Rp
Rmin =
10
Pentru fiecare decada se va determina:
1
fmin =
2 (Rp + R min )C
1
fmax =
2R min C

Pemtru a se schimba frecventa in decade atunci cand se selecteaza un

condensator , va trebui ca valorile condensatoarelor sa fie:
C1 = C
C2 = C/10
C3 = C/100

Astfel schema retelei Wien va fi:

Potentiometrele Rp au ax comun si deasemeni comutatoarele k vor

comuta sincron selectand acceasi valoare a condensatorului in cele doua
ramuri.

Schema de principiu a unui oscilator cu reactie negativa si retea Wien

este urmatoarea:

16
 Reteaua Wien realizeaza o reactie pozitiva selectiva de la iesirea amplifica-
torului la intrarea 1 neinversoare de faza. Reactia negativa se aplica pe
divizorul format din rezistentele R1 si R2 la intrarea 2 inversoare de faza a
amplificatorului. Se observa ca reteaua Wien si rezistentele R1,R2 formeaza o
punte. Pentru generarea oscilatiilor este necesar ca puntea sa fie neechilibrata
Tensiunea ce se aplica intre intrarile 1 si 2 este egala cu diferenta intre
tensiunile U3 si U4 , adica U1= U3-U4. Daca amplitudinea oscilatiilor U2
creste , cresc si tensiunile de reactie pozitiva U3 si reactie negativa U4.
Cresterea tensiunii U4 trebuie sa fie mai mare decat a tensiunii U3 , astfel
incat micsorarea tensiunii rezultante U1 sa duca la revenirea la valoarea
initiala a tensiunii U2.Aceasta crestere suplimentara a tensiunii U4 se face
utilizand o rezistenta neliniara in locul lui R2.In cazul in care R2 este rezis-
tenta cu coeficient pozitiv de temperatura , valoarea ei va creste odata cu
cresterea curentului care o parcurge, ducand astfel la o crestere suplimenta-
ra a tensiunii U4. Rezulta astfel o limitare a cresterii amplitudinii oscilatiilor .
Invers, daca tensiunea U2 scade, se va micsora curentul prin rezistenta R2, si
deci tensiunea U4 se reduce astfel incat cresterea tensiunii U1 sa compenseze
scaderea initiala a tensiunii U2. Se realizeaza astfel o stabilizare a amplitu -
dinii semnalului generat.
Daca in locul acestui termistor se va folosi ca element neliniar chiar un
element activ din amplificator, vor rezulta distorsiuni si deci o abatere a
formei de unda de la sinusoida. Distorsiunile ar fi cu atat mai mari daca s-ar
intra in zona de saturatie.
La frecventa f0 la care modulul functiei de teansfer al retelei Wien este
maxim si depaseste cu putin coeficientul de reactie negariva, va avea loc o
compensare a reactiei negative , amplificatorul incepand sa oscileze datorita
reactiei pozitive ramase in circuit. Amplificarea fiind constanta in domeniul
de frecvente in care lucreaza oscilatorul ( prin reactia negativa ), nu se vor
introduce defazaje suplimentare.

Din scema de principiu a oscilatorului cu retea Wien si tinand cont ca

frecventa este reglabila intr-un domeniu larg, se constata ca in cazul
modificarii capacitatilor C ale retelei , impedanta de intrare a retelei este
independenta de frecventa si constanta in gama de variatie a capacitatilor C .
Deci sarcina amplificatorului ramane constanta si o schimbare a frecventei
nu este insotita de o modificare a tensiunii de iesire U2. In schimb, la reglarea
frecventei prin modificarea valorii potentiometrelor Rp, impedanta de intrare
scade cu cresterea frecventei modificand astfel sarcina amplificatorului. De
aceea este necesar ca reteaua Wien sa fie alimentata de la un etaj cu impedan-
ta de iesire mica.

17
 Una din metodele de micsorare a rezistentei de iesire si de marire a re-
zistentei de intrare este folosirea unei reactii negative de curent in emitorul
trazistorului de intrare.
Schema amplificatorului cu reacti negativa si retea Wien este :

Schema are doua etaje:

un etaj sarcina distribuita realizat cu tranzistorul Q1 ce are ca
rezistenta de emitor chiar una din rezistentele din compunerea
reactiei negative
un etaj emitor comun realizat cu tranzistorul Q2; emitorul acestuia
va fi la masa in curent alternativ datorita scurtcircuitarii rezistentei
Re2 de catre condensatorul C2
Reactia negativa este de tensiune-serie , esantionarea facandu-se in nod iar
comparartia pe bucla.

Reactia negativa este formata din Re1 si Rt si are urmatoarea schema:

Vo Re1
f = cand Io = 0 f =
Vi Re1 + Rt

18
 a 1
AV = Pentru aV foarte mare se poate aproxima AV =
1 f a f

Din conditia de amorsare a oscilatiilor Barkhausen va rezulta:

AV F ( ) = 1 f = f =
1
3

Rt = 2 Re1
Parametrii ce caracterizeaza un termistor sunt:
RTo valoarea efectiva la temperatura nominala
Gt - factor de disipatie [ mW/oC ]
- reprezinta puterea necesara pentru a creste temperatura de
lucru a termistorului cu un grad oC ; el depinde de
dimensiunile termistoruli si de conexiunile adaugate care se
comporta ca niste radiatoare de caldura
- pentru o functionare satisfacatoare a oscilatorului acest factor
trebuie sa fie cuprins intre 0.10 si 0.35 mW/oC
Pdmax - puterea disipata maxima
t - constanta de timp
reprezinta timpul necesar ca temperatura termistorului sa scada
cu 27% in conditii de atmosfera si repaus
-valoarea acestei constante trebuie sa fie cuprinsa intre1 si 10
secunde
Intrucat reteaua este in curent alternativ , tensiunea ce cade pe termistor
2 1 2
poate fi scrisa ca: VT = Vosc iar valoarea efectiva VTef = Vosc
3 2 3
VT ef = 1.65 V
Pentru a reduce influenta temperaturii mediului, termistorul va lucra la o
temperatura cuprinsa in intervalul 50oC 150oC.

Termistorul ce va fi folosit este de tipul 6343 Philips [9] si are urmatorii

parametrii:
puterea disipata maxima Pdmax = 20 mW
factorul de disipatie Gt = 0.11 mW/oC
t = 6 s
Din caracteristicile acestuia UT ef = f(IT) si RT = f(T) se alege un termistor de
valoare RTo = 10 k (vezi anexa 3)
Deasemeni tot din diagrame rezulta IT = 10 mA

19
 VTef
RT = = 165
ITef
Pdef = UT ef IT ef =16.5 mW <20 mW (limita maxima)
Pdrf
Temperatura la care va lucra termistorul este: T = T = 150oC
Gt
Pentru ca variatiile rezistentei neliniare sa nu poata urmari variatiile
tensiunii in timpul unei perioade este necesar ca:
t Tosc unde Tosc este perioada frecventei minime de oscilatie
1
Tosc = = 0.001 deci conditia este indeplinita
f min

RT
Re1 = = 82.5
2

Schema in bucla deschisa a amplificatorului (fara reactia Wien) este

urmatoarea:

Vin

dupa pasivizarea intrarii si iesirii se obtine:

Pentru stabilirea punctelor starice de functionare sunt necesare

urmatoarele conditii:

20
 Evitarea blocarii tranzistorului Q2:
IC2 = IC2 + Ic2 sint >0 tinand comt de schema Ic2 se poate scrie ca
suma a doi termeni :
uosc(t ) uosc(t ) uosc(t ) uosc(t )
iC 2(t ) = IC 2 + + 0 IC2 +
Re 1 + Rt Rc 2 Re1 + Rt Rc 2
neavand valoarea pentru Rc2 se va alege o valoare minima pentru IC2 si se va
verifica apoi inegalitatea.
uosc (t )
Cum = 14.22 mA se impune ca IC2 > 25 mA
Re1 + Rt
Valoarea aleasa va fi : IC2 = 30 mA

Evitarea saturarii tranzistorului Q2:

VCE2 = VCE2 + Vce2 sint >VCEsat pentru VCEsat = 0. 6 V si pentru
sint = -1 rezulta ca VCE2 > VCEsat +Vce2 VCE2 > VCEsat + VOSC
VCE2 > 3.52 V + 0.6 V VCE2 > 4.12 V
Se va alege VCE2 = 5 V

Evitarea blocarii tranzistorului Q1:

Se va considera ca iC(t) IE(t)
uosc
iE1 (t) = IE1 + Ie1 sint >0 ; iar Ie1 =
3 Re1
In cazul cel mai defavorabil , atunci cand sint = -1 inegalitatea devine:
uosc
IE1 > IE1 >14.22 mA
3 Re1
Se va alege IE1 = 20 mA

Evitarea saturarii tranzistorului Q1:

vCE1 = VCE1 + Vce1 sint >VCEsat
Tensiunea Vce1 este comparabila cu VRe1( tensiunea de pe rezistenta Re1) :
vCE1 = VCE1 + VRe1 sint >VCEsat Atunci cand
1
sint = -1 VCE1 >VRe1 +VCEsat VRe1 = Vosc
3
VCE1 > 1.17 V + 0.6 V = 1.77 V
Se alege VCE1 = 2 V

Pentru aceste puncte statice de functionare ale trazistoarelor Q1 si Q2 se vor

calcula valorile celorlalte componente din schema, astfel:

21
 Vcc VCE1
Vcc = IC1( Rc1 + Re1 ) VCE1 Rc1 = Re1
IC1
Rc1 = 817.5
Vcc VBE Ic1 Ic1
Vcc Rc1*Ic1 = VBE +Re2*Ic2 Re 2 =
Ic 2
Re2 = 105

Vcc VCE 2
Vcc = (Rc2 + Re2) Ic2 +VCE2 Rc 2 = Re 2
Ic 2
Rc2 = 395

Verificandu-se presupunerea anterioara ( IC2 > 25 mA ) se observa ca este

indeplinita:

uosc(t ) uosc(t )
+ = 14.22 mA +8.91 mA = 23.13 mA
Re1 + Rt Rc 2

IC2 =30 mA > 25 mA > 23.13 mA

Din catalog valorile standard ce se aleg pentru rezistente sunt :

Re1 = 82.5
Rc1 = 816
Re2 = 105
Rc2 = 392
Acestea sunt rezistoare cu pelicula metalica RPM din seria
E192 ( 0.5% ).

Tranzistoarele folosite la realizarea schemei sunt NPN , si-planar, de

tipul BC 107. Ele sunt caracterizate de urmatorii parametrii:
VCBO max = 50 V
VCEO max = 45 V
IC max = 100 mA
Ptotmax = 300 mW
H21 E = 125500
FT = 300 MHz
F = 10 dB

22
 Aceste tranzistoare sunt destinate utilizarii in etaje preamplificatoare si
driver de joasa frecventa. Sunt complementare tranzistoarelor BC 177

Q1 are VCE = 2 V si Ic = 20 mA. La aceste valori din catalog se obtine

pentru f valoarea de 145
f = 145
gm = 800 mA/V ; rbe 1 = 181.25 =0. 181 k

Q2 are VCE = 5 V si Ic = 30 mA f = 240

gm = 1200 mA/V ; rbe 2 = 200 = 0. 2 k

Calculul amplificarii se va face pe etaje. Astfel aV = aV1 * aV2 unde:

aV1 este ampificarea primului etaj ( sarcina distribuita )
aV2 reprezinta amplificarea celui de-al doilea etaj ( emitor-comun )

Rc1 rbe1
0(Rc1 || rbe 2 ) Rc1 + rbe1
aV1 = - aV1 = -2. 91
rbe 2 + ( 0 + 1)(Re 1 || Rt ) Re1 Rt
Re1 + Rt
aV2 = -gm2 [Rc2 (Re1 + Rt)] aV2 = -182

aV = (-2. 91) *(-182) = 529. 62

Amplificarea in tensiune este suficient de mare pentru ca
aproximarea de la reteaua Wien ( Av 1/f = 1/3 ) sa fie adevarata.

Cistigul pe bucla T = f *aV = 1/3 *529. 62 = 176. 54

Rezistenta de intrare in amplificator este : RiA = Ri ( 1 + T ) unde Ri

reprezinta rezistenta de intrare in amplificator cu bucla de reactie pasivizata.
Ri = [ rbe1 +(Re1 Rt) (1 + 1)] = 8211. 2 = 8. 211 k
RiA = 8. 211 (1+176. 54) = 1. 45 M
Rezistenta de iesire din amplificator este: RoA =Ro/(1 + T ) unde Ro
reprezinta rezistenta de iesire din amplificator cu bucla de reactie negativa
pasivizata.
Ro =rCE2 ( Re1 + Rt ) ; deoarece rCE2 are o valoare foarte mare si fiind
conectata in paralel , poate fi neglijata.
Ro Re1 +Rt =247. 5
RoA = 247. 5/( 1 + 176. 54) = 1. 39

23
 Avand valorile rezistentelor de intrare si de iesire in (din) amplificator se
poate dimensiona rezistenta R din compunerea retelei Wien:
2 3
RoA R RiA
3 2
0.65 << R << 3075 k
Se va alege R = 10 k = Rp
Valoarea rezistentei Rmin se ia de obicei o zecime din valoarea potentiome-
trului. Rmin = 1 k

Valoarea condensatorului C din compunerea retelei Wien se va determina din

relatia:
1
C= C = 16. O8 nF
2 f min (R min + Rp )
Valoarea standardizata care va fi aleasa din catalog pentru C este de 16 nF
Valoare ce va fi obtinuta prin conectare in paralel a doua condensatoare de
valori C1 = 15 nF si C2 = 1 nF. Acestea vor fi condensatoare cu harie
uleiata sau cerata de tipul HC 24, 16 cu:
toleranta capacitatii : 20%
tg (la 1kHz si 20oC) 0/01
tensiunea nominala : 400V
categorie climatica : 25/085/21
Cu ajutorul condensatorului C si a rezistoarelor Rp si Rmin se vor determina
cele trei game de frecventa astfel:

1
f1 min = f1 min = 0.9047 kHz
2 (Rp + R min ) C
1
f1 max = f2 max = 9. 9522 kHz
2 R min C
1
f2 min = C/10 = 1. 6 nF
2 (Rp + R min )
C
10
Valoarea aleasa din catalog pentru C/10 este 1. 7 nF. Acesta este un
condensator cu hartie cerata din seria HC 33.02 avand:
toleranta capacitatii : 20 %
tg (la 20oC si f=1 kHz) 0.01
tensiune de categorie :0.6Un

24
 tensiunea nominala : 400 V
categorie climatica 10/070/04
Cu aceasta valoare se vor obtine urmatoarele frecvente:
f2 min = 8. 515 kHz
f2 max = 93. 668 kHz
1
f3 min = C/100 = 160 pF
2 (Rp + R min )
C
100
Din catalog se ia pentru C/100 valoarea de 160 pF care corespunde
unui condensator cu plistiren cu terminale axiale din seria PS 00.11.
Condecsatoarele fac parte din clasa E48 (2.5%) si au:
tg 10*10-4 (f = 1 Mhz )
coeficient de temperatura T = (-60-220)*10-6/oC
rigiditate dielectrica (intre terminale) : 2Un
categorie climatica 10/070/04
tensiunea nominala 25 V
Se vor obtine urmatoarele frecvente:
f3 min = 90 . 4 kHz
f3 maz = 995. 2 kHz

I decada II decada III decada

0.9047 9.9544

8.515 93.668
90.4 995.2

25
 STABILIZATORUL

Din cerintele proiectului si din calculul etajelor anterioare rezulta ca este

necesar sa se proiecteze un stabilizator avand urmatorii parametrii:

Uo = 20 V ( tensiunea de iesire )
Io = 250 mA ( curentul de iesire )
Ro = 0. 6 ( rezistenta interna a generatorului )

Schema stabilizatorului este:

Vin Vo

Se poate observa ca stabilizatorul este cu reactie (sistem de urmarire), cu

generator de curent si element regulator serie. Schema bolc este urmatoarea:

26
 Elementul regulator serie il reprezinta tranzistorul T1 iar T2 este
comparatorul. Esantionul din tesiunea de la iesire este luat prin divizorul
rezistiv ( R4 , R5 ) iar elementul de referinta este dioda Zener DZ2.
Tranzistorul T3 inpreuna cu R1 , R2 , DZ1 formeaza o sursa de curent
constant.
Principiul de functionare este simplu: odata cu variatia tensiunii de la
inrare, cum ar fi de pilda cresterea acesteia , in primul moment creste si tensi-
unea de la iesire Vo. Cresterea tensiunii Vo conduce la cresterea tensiunii ce
se aplica pe baza lui T2. Curentii de baza si de colector al acestui tranzistor
cresc.Curentul de colector al lui T3 este suma dintre curentul de colector al
lui T2 si cel de baza al lui T1. Cum acest curent este constant, cresterea
curentului de colector al lui T2 se face pe baza scaderii curentului de baza al
lui T1. Micsorarea acestui curent duce la scaderea curentului de iesire si deci
la scaderea tensiunii de iesire. Analog pentru cazul in care tensiunea de la
iesire Vo scade.

Dioda DZ1 se va alege astfel incat sa prezinte o rezistenta dinamica mica si un

curent de stabilizare mare obtinandu-se astfel o amplificare mare a etajului
format cu tranzistorul T2 si astfel o scadere a resistentei de iesire.
Se alege dioda PL 10 Z cu parametrii:
Iz = 50 mA (curentul prin dioda)
Rz = 4 (rezistenta dinamica)
VZ =5.5*10-4/oC (coeficient de temperatura)
Izmax = 100 mA (curentul maxim prin dioda)
PDZ = 1 W
In schema se va impune ca prin dioda sa treaca un curent de 50 mA.

Pentru alegerea rezistoarelor R4 si R5 se au in vadere urmatoarele ecuatii:

R5
Vz 2 + VBE 2 = Vo
R 4 + R5
Ir >> IB2 (tensiunea de esantionare sa nu fie afectata de curentul de
baza al lui T2)
Ir << Io (rezistoarele fiind limitate inferior)
Se va presupune ca VBE2 = 0.7 V lucru ce va fi verificat dupa alegerea lui T2
R5 10.6 R5
10 + 0.6 = 20 =
R 4 + R5 20 R 4 + R5

Aleg R5 =530 si R4 =1 k-650 = 470

27
 Vo 20V
Cu aceste valori curentul Ir = = = 20 mA
R 4 + R5 1k
Puterea disipata de rezistoare este:
PtotR5 = (Vz2 +VBE2)*Ir = 10.6V*20mA PtotR5 = 212 mA
PtotR4 = (Vo-Vz2-VBE2)*Ir = 9. 4V*20mA PtotR4 = 188 mA
Din acest motiv R4 si R5 sunt rezistoare RPM-3025 din seria E192(0.5%)
care pot disipa o putere totala de 250 mW

La inspectarea schemei se observa ca exista doua reactii:

o reactie negativa: prin rezistoarele R5 si R5
o reactie pozitiva: prin rezistenta R3
Pentru ca montajul sa functioneze este necesar ca factorul de reactie negativa
sa fie mult mai mare decat factorul de reactie pozitiva:
R5 Rz 2
f >> unde f = iar =
R 4 + R5 Rz 2 + R3

In curent alternativ eshema devine:

Vo

Rech reprezinta rezistenta echivalenta a sursei de curent. In calcule Rech se

va neglija deoarece este foarte mare.

Pentru alegerea tranzistorului T1 se va presupune ca prin R3 trece un curent

mai mic sau egal cu Ir astfel incat valoarea maxima a curentului prin
colectorul lui T1 sa nu depaseacsa 300 mA (in aproximatia IC IE )

VCE 1 =Vin Vo
S-a ales pentru tensiunea de inteare valoarea de 26 V ( 10 % ).

28
VCE 1 max = Vinmax Vo VCE 1 max =28. 6 20 =8. 6 V
PD1 max = VCE 1 max * IC1 max PD1 max =2580 mW

Tranzistorul T1 va trebui sa suporte un curent de colector mai mare de

300mA si sa disipe o putere mai mare de 2580 mW. Se alege din catalog un
tranzistor BD 135. Acesta este NPN in capsula de plastic SOT-32, si este
recomandat a fi folosit in etaje drivere.
Parametri tranzistorului sunt urmatorii:
VCE o = 45 V
Ic max = 1. 5 A
Ptot = 12. 5 W
VCE sat = 0.6 V la Ic = 500 mA
FT = 50 MHz la Ic = 50 mA
Din caracteristicile de transfer se observa ca pentru un curent de colector de
300 mA si o tensiune VCE = 8 V, f 150 valoare constanta in intervalul de
temperatura (-50 100) oC
Curentul de colector al tranzistorului T2 se va lua egal cu curentul prin
dioda DZ2, deci Ic2 = 50 mA. Cu aceasta conditie (de a suporta 50 mA prin
colector ) ,T2 se alege de tipul BC 107A avand parametrii:
VCBO max = 50 V
VCEO max = 45 V
IC max = 100 mA
Ptotmax = 300 mW
H21 E = 125500
FT = 300 MHz
F = 10 dB
Rezulta de aici conditia ca Ptot < 300 mA, si implicit VCE2 < 300/50=6 V.
Pentru VCE2 exista si o limitare inferioara: VCE2 >VCesat=0.7 V
Din catalog pentru Ic = 50 mA si VCE =4 V se determina 2 =130

Desfacand buclele de reactie se obtine urmatoarea schema:

Vo
V1
Vz V2

29
 Vo
RL = = 80
Io

Vo Vo V 1 V 2
aV = = cum T1 lucreaza in conexiune colector-
Vz V 1 V 2 Vz
Vo
comun rezulta ca 1
V 1

V 1 2 RiT 1
=
V 2 R 4 || R5 + rbe 2
gm1 40 Ic1 =40*290 mA gm1 = 11600 mA/V
1 150
rbe1 = = rbe1 =12. 93
gm1 11.6
gm2 40 Ic2 =40*50 gm2 = 2000 mA/V
2 130
rbe2 = = rbe2 = 65
gm2 2

RiT1 = rbe1 = (1 + 1) Rl unde Rl =(R4+R5) || R3 || Rl

Presupunand R3 > 1k Rl = 74. 07
RiT1 = 12. 93 +151*74. 07 =11197. 5 =11. 197 k

V 1 130 (11.197 k )
=
V 2 R 4 || R5 + 65

V 1
R4||R5 = 249 = 4628
V 2

V 2 RiT 2 || R3
=
Vz (RiT 2 || R3) + Rz 2
R 4 || R5 + rbe 2 249 + 65
RiT2 = = Rit2 = 314/131=2. 39
2 +1 131
Tinand cont de presupunerea anterioara(R3 de ordinul k) RiT2|| R3 RiT2

V 2 2.39
= = 0. 37
Vz 6.39

Avand valorile celor doua rapoarte rezulta o amplificare:

aV = 4628*0. 37 = 1712. 36

30
 R5
Factorul de reactie negativa f = are valoarea f = 0. 53
R 4 + R5
Transmisia pe bucla T = aV*f = 1712. 36*0. 53 = 907. 55

R00
Rezistenta de iesire Ro are expresia: Ro =
1+ T
0
Unde R0 reprezinta rezistenta de iesire din schema (fara RL).
R00 = RoT1 || R4+R5 || R3
rbe1 + RoT 2
RoT1 = RoT2 are o valoare foarte mare si deci implicit si RoT1
1 + 1
0
are o valoare mare. Din acest motiv la calculul rezistentei R0 fiind in paralel
0
se va putea neglija. R0 = R4+R5 || R3

Din conditiile impuse de tema proiectului se poate scrie urmatoarea egalitate:

R00 0
= 0. 6 (1+ T)*0. 6 = R0
1+ T
(1+ 907. 55)*0. 6 = R4+R5 || R3 545. 13 = R4+R5 || R3
1k ||R3 = 545. 13 (1000- 545.13)*R3 = 545130
545130
R3 = R3 = 1198. 43 = 1. 19 k
454.87
Se va alege din catalog o valoare standardizata: R3 = 1. 2 k
0
Cu aceasta valoare se va obtine : R0 = 545. 45 si Ro = 0. 6003

Vo Vz2 10
Valoarea curentului IR3 este dat de : IR3 = = = 8. 33 mA
R3 1.2
Puterea disipata de rezistenta R3 are valoarea PR3 = UR3 * IR3 = 10*8. 33 mW
PtotR3 = 83. 3 mW
R3 este de tipul RPM-3012 disipand o putere de 120 mW, din seria
E192(0. 5%)

presupunerea facuta anterior asupra valorii curentului prin R3 este

adevarata
Ic1 = 278. 33 mA

31
Tinand cont de curentul prin colectorul tranzistorului T3 (Ic3 = IC2 + IB 1) se
alege T3 de tipul BC 177. Este NPN si se utilizeaza in preamplificatoare si
drivere de joasa frecventa. Acesta are urmatorii parametrii:
VCBO max = 5 V
VCEO max = 45 V
VCE sat =0. 95 V la Ic = 2 mA
IC max = 100 mA
Ptotmax = 300 mW
H21 E = 75260
FT = 130 MHz
F = 1 dB

Ic3 = 50 + 1. 85 = 51. 85 mA Pentru acest curent de colector din

caraccteristicile de catalog se obtine 3 = 140

Pentru calculul rezistentei R2 se va tine cont de tensiunea aleasa pentru VCE2

Astfel se inpune VCE2 = 4 V > VCesat

Vz 2 + VCE 2
IR2*R2 = Vz2 +VCE2 R2 =
IR2
Ic
Ic 2 + 1
Ic3 1 51.81
IR2 = Iz1 + IB3 ; IB3 = = IB3 = = 0. 37 mA
3 3 140
10 + 4
R2 = k R2 = 0. 2779 k
50 + 0.37
R2 trebuie sa fie capabila sa disipe o putere PR2 = 14*50. 37 mW = 705.18 mW
Din catalog se alege valoarea standard R2 = 270 din seria E24(5%).
Aceasta este un rezistor RBC 1001 capabila sa disipe o putere de 1W si are:
Coeficient de temperatura Ko = 20010-6/oC
Rezistenta de izolatie Riz:>100 M
Rigiditate dielectica 1500 V cc/60 s
Categorie climatica: 40/125/21

Dioda DZ1 va fi aleasa de tipul PL 12 Z de 1 W prin care va circula un

curent de 50 mA. Parametrii acesteia sunt:
Iz = 50 mA (curentul prin dioda)
Rz = 7 (rezistenta dinamica)

32
 VZ =6. 5*10-4/oC (coeficient de temperatura)
Izmax = 79 mA (curentul maxim prin dioda)

Vz1 VBE 3 12 0.6

R1 = = k R1 = 0. 220 k
IE1 51.81
Deasemeni R1 va trebui sa fie capabila sa disipe o putere
PR1 = 11. 4*51. 81 mW PR1 = 590. 63 mW
Din acest motiv R1 va fi tot de tipul RBC1001 din seria E24( 5% ). Valoarea
ei va fi R1 = 220

Pentru o reglare cat mai precisa o tensiunii de iesire Vo intre rezistoarele R4

si R5 se poate intercala un potentiometru de Rp = 100 , valorile pentru R4 si
R5 modificandu-se astfel incat: R4 + R5 + Rp = 1k
Se obtin: R4 = 407 si R5 = 493 (valori normalizate) tot de tipul
RPM-3025 din seria E192
Semireglabilul este simplu , tip P-32721 , avand:
Puterea disipata nominala Pdn = 0. 25 W
Tensiunea nominala limita Unlin = 250 V

33
Schema intregului oscilator este urmatoarea:

34
 LISTA DE COMPONENTE

REZISTENTE VALOARE TIP

R1 220 RBC 1001
R2 270 RBC 1001
R3 1. 2 k RPM 3012
R4 407 RPM 3025
R5 493 RPM 3025
R6 816 RPM3025
R7 1. 25 k RPM 3025
R8 392 RPM 3025
R9 105 RPM 3025
R10 1k RPM 3025
R11 1k RPM 3025
R12 3. 74 k RPM 3012
R13 15. 6 k RPM 3012
R14 270 RPM 3012
R15 9 .2 k RPM 3012
R16 10. 2 k RPM 3012
R17 470 RPM 3012
TERMISTOR

Rt 10 k 6343 PHILIPS [9]

POTENTIOMETRE

Rp1 100 P 32721

Rp2+Rp3 10 k+ 10 k P 32723
CONDENSATOARE

C1 100 F EG 52. 56
C2 15 nF + 1 nF HC 24. 16
C3 1. 7 nF HC 39. 02
C4 160 pF PS 00. 11
C5 15 nF + 1 nF HC 24. 16
C6 1. 7 nF HC 39. 02

35
 C7 160 pF PS 00. 11
C8 100 F EG 52. 56
C9 100 F EG 52. 56
C10 100 F EG 52. 56
C11 100 F EG 52. 56
C12 100 F EG 52. 56
TRANZISTOARE

T1 BD 135
T2 BC 107A
T3 BC 177
T4 BC 107A
T5 BC107A
T6 BC 337
T7 BC 337
DIODE

DZ1 PL 10 Z
DZ2 PL 12 Z

36
37
38
39