Studiul Diodei Luminiscente (LED) Eficacitatea luminoas a diodelor luminiscente din acea perioad

era mai mic de 0,2 lm/W. Aceast eficien slab se datora

Consideraii teoretice
Primele diode luminiscente (DL sau LED, Light Emitting Diode)
s-au comercializat n 1962. Ele au fost cele mai simple dispozitive
semiconductoare care produceau lumin, o joncine PN polarizat
direct. Tensiunea direct aplicat injecteaz prin bariera jonciunii
purttori minoritari (de obicei electroni n zona p) ce se recombin
cu purttorii majoritari, elibernd fotoni cu energia practic egal
cu energia zonei interzise, E. Materialul iniial folosit, arseniura
fosfura de galiu (GaAsP) are zona interzis E = 2,03 eV. innd
cont c energia fotonului este:
E =Wfoton= h = hc/ (1)
lungimea de und corespunztoare este: = hc/E = 610 nm, din
domeniului rou al spectrului vizibil.
eficienei cuantice interne mici i eficienei de extracie slabe.
Eficiena cuantic intern a LED-ului (un randament, i) e dat
de raportul: numrul fotonilor generai per numrul electronilor
injectai. ntr-un LED purttorii minoritari sunt electronii injectai
n regiunea dopat p, de obicei. Electronii din banda de conducie
injectai n jonciune se combin cu golurile din banda de valen
fie prin recombinare radiativ, rezult fotoni, lumin, fie prin
recombinre neradiativ, energia degajat este cedat cristalului,
nclzindu-l. Dac timpul necesar recombinrii radiative "tr" este
mult mai mic dect timpul necesar recombinrilor neradiative "tnr",
eficiena cuantic intern va fi foarte aproape de 100%, un
exemplu n acest sens fiind GaAs care emite n infrarou.
Datorit acestui mod de funcionare, fluxul de fotoni generat de
LED este direct proporional cu curentul electric prin jonciune i
implicit puterea optic generat:
Popt = (Nfotoni/t)h = KI (2)
Eficiena de extracie (e) este un raport ntre numrul de fotoni
care reuesc s ias din material i numrul de fotonii produi.

Eficacitatea tipic (lumen/W, senzaia uman/putere electric) i

eficiena tipic (putere optic/putere electric) a LED-urilor
Culoare Lungime de und Eficacitate Eficiena
(nm) (lm/W) (W/W)
Rou 620 < < 645 72 0.39
Oranj 610 < < 620 98 0.29
Verde 520 < < 550 93 0.15
Cian 490 < < 520 75 0.26
Albastru 460 < < 490 37 0.35
Schema funcionrii unui LED:
recombinarea electronilor cu golurile genereaz fotoni (lumin)
Eficiena cuantic exten este egal cu eficiena cuantic intern
nmulit cu randamentul de extracie. Randamentul de extracie
este n mod uzual sensibil mai mic dect 1 din cauza absorbiei
interne, reflexiei pe jonciune i reflexiei interne totale la unghiuri
mai mici de 25 pentru diodele ncapsulate cu rin epoxidic.
LED-urile actuale au atins aceste randamente mari de conversie a
energiei electrice n energie luminoas datorit calitii foarte bune
a materialelor semiconductoare utilizate (semiconductori direci,
n care fundul benzii de conducie i vrful benzii de valen
corespund aceluiai impuls) i a realizrii de jonciuni PN din
materialele P i N cu benzi interzise diferite, heterojonciuni. Ca
exemplu se poate crete un strat fereastr de tip n din AlGaAs
peste stratul activ de tip p din GaAs. Stratul fereastr e transparent
fa de fotonii generai n stratul activ, avnd o zon interzis mai Schema dispozitivului experimental
mare dect cea a stratului activ. Fiind transparent poate fi fcut
suficient de gros pentru a minimiza i recombinrile la suprafaa Prelucrarea datelor experimentale
semiconductorului. Astfel de dispozitive au o eficien cuantic Se reprezit grafic fotocurentul (pe Oy) n funcie de curentul prin
extern tipic de 20%. dioda luminiscent (pe Ox). Se traseaz dreapta care trece cel mai
S-au dezvoltat structuri cu heterojonciuni duble. Stratul activ este aproape de punctele experimentale. Se calculeaz panta dreptei
cuprins ntre dou straturi cu zon interzis mai mare, transparente folosind dou puncte de pe dreapt, ct mai deprtate ntre ele:
pentru fotonii emii. Stratul superior este tip fereastr, transparent, tg = Ifoto /I (=y/x) (3)
iar cel inferior este strat de confinare, care mpiedic electronii
injectai s ptrund dincolo de heterojonciune. Din aceast cauz innd cont c randamentul fotodiodei este f = 10 %, iar curentul
n regiunea activ este mai subire, ceea ce minimizeaz absorbia de la fotodiod se poate scrie ca:
fotonilor generai i mrete randamentul cuantic extern. Ifoto = f eiI (4)
se estimeaz randamentul diodei luminiscente din panta dreptei:
Dispozitivul Experimental
= ei = (1/f)Ifoto /I (5)
Aranjamentul experimental cuprinde un alimentator cu tensiune
variabil, o diod luminiscent nseriat cu o rezisten de 100
pentru msurarea curentului prin ea i o fotodiod n serie cu o Tabel pentru date experimentale
rezisten de 1 k pentru msurarea fotocurentului.
I(mA) 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Se va folosi un voltmetru electronic pe scara de 2000 mV pentru a
msura cderile de tensiune pe cele 2 rezistene. [100 1mA = Ifoto(A)
100mV; 1k1A=1mV] Fixeaz curentul prin LED, apoi citete
curentul de la fotodiod. Datele se trec n tabel.
Grafic LED rou + LED albastru Grafic vechi

Ox [5cm/5mA=1cm/1mA] Oy [1cm/10uA = 1mm/1uA] Ox [5cm/5mA=1cm/1mA] Oy [2cm/10uA = 2mm/1uA]

70
180 I_foto(uA)
I_foto(uA) 60
160 y = 8.7576x - 7.7333
140 R2 = 0.9996 50
120 BLU y = 3.1522x - 1.5096
40
RED R2 = 0.9987
100
Linear (RED) 30
80 y = 6.5273x + 6.8
Linear (BLU)
60 R2 = 0.9968 20
40 10
20 I(mA)
I(mA) 0
0
0 5 10 15 20
0 5 10 15 20

I(mA) I_foto(uA)
Ifoto /I = 8.76 uA/mA = 8.7610
= (1/f)Ifoto /I = 108.7610 = 8.76 % 1 2.3
I(mA) BLU RED 2 4.8
2 16 12 3 7.3
4 32 27 5 13.5
6 47 44 7 19.6
8 61 61 10 29.3
10 74 79 12 36.2
12 87 97 15 45.7
14 100 115 17 52.2
16 112 133 20 62.5
18 123 150 Ifoto /I = 3.15 uA/mA = 3.1510
= (1/f)Ifoto /I = 103.1510 = 3.15 %
20 134 168