Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
gama de curent pentru care se realizeaza (de altfel tranzistoarele ext erne au
doar rol de repetor de ie~ire In schema de reglare a tensiunii). Pentru curent de
sarcina cedepa~e~te 150mA ~i pana la un curent.de peste 5A se recomanda
folosirea urmatoarelor doua tipuri de stabilizatoare de tensiune cu element de
reglare cu 2 tranzistoare In serie ~icircuit integrat LM723 [S,9](fig.6.1 ~i 6.2).
, Primul tip de stabilizator conpne· elementul de reglare cu doua tranzistoare in
serie, prezentat in introdueere, ambele tranzistoare fiind externe Cireuitului integrat.
Stabilizatoml necesita doua surse de alimentare independente. Drept tranzistor de
comanda T3 se utilizeaza tranzistoml integrat TIs din LM723, eare aiei este supus la 0
putere disipata ~edusa datorita tensiunii sale VCE de ordil1ul 2...2,3V. A.stfel, in aeeste
aplicapi se poate utiliza circuitul integrat LM723 pfu13.la c'urentul lui maxim de
150mA tara pericolul depa~irii puterii disipatemaxime pe capsula. De aceea,
aplicatiile de tipul celor din fig.6.1 ~i 6.2 sunt deosebit de utile in practica. Ele
reprezinta importante contributii ale. autorului cartii la teoria, .calculul ~i
aplicatiile stabilizatoarelor de tensiune integrate, condudlnd la realizarea unor
mari economii. de aluminiu (prin reducerea substantiala a dimensiunii
radiatoarelor)~i la extinderea spectaculoasa a utiliziirii circuitului integrat de
putere redusa de precizie LM723 la surse de cttrent mare (S... 7A).
In schema din fig.6.l, pentm evitarea oscilatiilor stabilizatomlui, este necesar
c
unal doilea condensator de corectie e2, de lOnF. .
Proteetia cu limitare simpla de curent este deseori eficienta ~i in scurtcircllit
[5, 9], ceea ce constituie 0 particularitate aproape gnerala a elementului de reglare cu
doua tranzistoare in serie dud raportul Vsmax Nsmin este mare. Pe eireuitul integrat se
disipa 0 putere. maxima de cca 300mW, care nu cre~te nici la scurtcircuit in sarcina.
Sursa de tensiune Vr2 eeste de curent redus, ea hmnzand doar curenpi de baza
ai tranzistoarelor T I ~i T 2 , precum ~i curentlll minim prin dioda stabilizatoare D2•
Eventuala apant1e a autolimitarii curentului de catre .elementul de reglare prin
mecanismul aratat In introducere, Inainte de actionarea limitarii de curent cu ajutorul
rezistentei Rp, se poate Inlaturaprin reducerea u~oara a rezistentei R2 sau cre~terea
u~oaraa tensiunii Vr2•
Vrl
+0
Va
Dz D1
Ce2
lOnF
12 11 10 2
C1 13 LM723 3
7 6 5 4
Vref
.' '
~ {V
stabilizatorullucreaza In gol sau scurtcircuit (limitare cu Intoarcere):
_ • ro Imax -Vsmin
V CE2max - max
Vr1ma:< (1+11, )-O,4Ilim R1-0,4A V ro - Vpo •
P
dlmax
=I Jim
4
R
I
p _ I~m(R1+Rirl-R)
d2max 4
iZOla:: r:::::~:::::: p
da{ca ,,,,,",,, .', ' t. _t
unde v'
rolmax
=VrIma:<. (l+A) (6.6)
. .. .
lntrudtt tranzistorul Till poate fi adoptat de tipul potrivit astfel Indit sa ramanarnra
radiator, eu P"dlvlAXastabiliUi la tlill1ax. .
1) Se ealculeaza puterea maxima disipata pe rezistenta R1 (1n vederea adoptarii
aeesteia) eu relatia '
PRlmax=I~lmaxRl'
unde eurentul IRlmaxse stabile~te dupa eaz:
- egal eu lliindaea proteetia prin lilnitare simpla este efieienta ~i la seurteireuit,
eventual eu dimensionarea radiatorului pentru Pd2sc,
- .egal eu valoarea eea mai mare dlntre Isc ~i eurentul dat eu relatia
V -V "-V. -V
I - rlmax· smin. CE1min .. po
RIM R
1
S2min_R2+fzm-1O ... 15
f -
zm
intrucat tensiunea VD2nu trebuie sa' fie foarte bine stabilizata. Aiei rzmeste rezistent~
dinamica a diodei D2 la curentul minim stabilit, ID2minRezistenta
.' R2 se adopta ell
toleranta redusa. pentm -ea tensiunea' Voz sa nu rezulte Cll 0 dispersie' mare. Se
determina apoi eurentul minim prin aceasta rezistenta
'~'*f
.. - IR21uin
= IB1max+ IB2max+ I02min
~i tensiunea millima Vr2minnecesara
Vamin=VD2min +IRZminR2 .
Din aceasta se determina tensiunea nominata Va ~i tensiunea lllaxima Vamax
folosind acelea~i relatii ca ~i la calcululsursei Vr1. .
Daea tensiunea Va rezult~de valoare prea mare (peste 40V) ~i nu se mai poate
reduce. IR2minprin sortarea tranzistoarelorcu BMminmai ridicat, prin reducerea
curentului ID2min~i prin adoptarea unei diode cu rz mai mie, este indicat Asase utilizeze
I' In locul tranzistorului Tl un tranzistor compus ca In fig.1.6.c sau 1.6.e. In acest caz se
beneficiaza ~i de posibilitatea montarii pe radiator comun a tranzistoarelor T'l ~i T2
ra.ra izolare. Se reduce astfel substantial IBlmax(In locul lui IBlmaxintervine t"Blll1axal
tranzistorului T"l care este de ordinul 1mA In eazul unui stabilizator pentru eurent Ismax
de cativa amperi), dar calculele trebuie reluate de la inceput deoarece la tensiunea
VCElmin vine adunata tensiunea VBEa tranzistorului T"l'
In eazul stabilizatorului en element de reglare de tipul eelui din fig.1.6.e,
rezistenta R2 se determinacu1relatia .
R - Vrlmin- V02min (6.10)
2 IR2min
~i se normalizeaz~ Cll toleranta redusa (2,5%), $i aici componenta IBlmaxa eurentului
IR21l1in
devine neglijabila daca In loeul traIlzistorului Tl se utilizeaza un. tranzistor
eompus ca eel din fig.l.6e.
p) Se veri fica daca dioda D2 adoptata poate suporta curentulmaxim
I =1 V?
..:....:-
r_max",
-VO .••Il1m -i-r'z IO?~mlJl.
?'
02ma.x R2ma.x R +r
2 z
eu V'rolmax(relati~ 6.6) inloeullui Vr21l1ax , In eazul eleil1entului eu reglare din fig.1.6d
~i 1.6e, care apare efmd stabilizatorul luereaza in gal. Aiei se utilizeaza 0 valoare rz .
medie, stabilita ea 0 medie intre valorile rzmde la curentul ID2min~i rzMdam in catalog
pentru zona normala de functionare. In eazulunui curent ID2ma.x estimat la 75.;.200mA,
rezistenta dinamica medie este eu aproximatie rzM.
Se extrage din catalog .eurentul maxim al diodei stabilizatoare ~i se verifiea
indeplinirea conditiei IR2max::::IzMAXeand dioda D2 adoptata poate fi utilizata. In caz \
contrar este necesar sa se adopte 0 dioda de eurent mai mare. Aceasta verificare este
foarte importanta ill cazul folosirii unei diode LED in D2.
Se stabile~te puterea disipata maxima pe rezistenta R2
PR2max=IbmaxR2 ,
invederea adoptarii puterii ei nominale.
r) Se calculeaza puterea disipata maxima pe circuitul integrat LM723 (in
regimde liniitare de eurent) .
Pdmaxcr=IB2max (VD2min - VBE2max)+ 2,5·1 Q-3Vrlll1ax
eu VBE2max stabilita la curentul IB2max.
Aceasta putere nu va atinge in nici un caz limita. admisa pentru circuitul
integrat daea temperatura maxima a mediului nu depa~e~te cca 100°C. In regim de
scurtcircuit la ie~ire, puterea disipata pe circuitul integrat nu 0 depa~e~te pe cea de mai
sus. Prin Un11ar.e,i'nschema calculata aici, circuitul integrat nu este solicitat la 0 putere
disipata importanta ~i poate fi utilizat pana la cutentullui maxim de ie~ire (150 mA).
s) Se parcurg punctele i...s de la paragrful 3.2. La punctul i se folose~te
puterea Pdmaxcrdemai sus. La punctele k ~i 1, tinand cont dicircuitlll integrat nu este
solicitat la scurtcircuit, in loe de Vpmillse va lua tot V pi '
Dadi protectia prin limitare cu intoarcere nu reu~e~te, este. posibil C'l protectia
la scurtcircuit sa se realizeze, a~a cum s-a aratat la punctul i din acest paragraf, prin
dimensionarea radiatorului pentru putereaPd2sc' In cazul stabilizatoarelor de tipul celui
=
din fig.6.2, curenrul de dimensionare al redresoruluieste de ordinul Irmax Ilim+ r'R2max'
unde:
I' - Vrmax-VD2mill+r)D2mill (6.12)
R2max R +r
2 z
. I
Vrol=Vrl(1+1,5A)=22,1(1+1,5·0,1)=25,4V,
v ,_=V {l+
ro ro 11~:~ }25,4(1;-O,05}='16;7V,
care este mai mica dedit 40V, cat suporta integratul LM723:
Rezistenta de by-pass va fi calculata pentru curentul
llim=1,075Ismax=1,075'1=1,075A
R - Vrlmax-Vsmill_23,3-5 -17Q
I II' 1m
1,075 '
a carei putere nominala ~i mod de realizare se vor stabili ulterior.
Tensiunea maxinia pe care trebuie sa 0 suporte tranzistoarele este
VCE2max=Yrolma[Vchmill=26, 7-5=21, 7V
Pd2=IlimVCE2mill=1,075'1,5=1,61W
Rezistentele Rirl~i Rpsunt .
R _AVrl_0,1.22,1_206Q
lrl 1. 1075 '
hm ' .
-p.
PdMAXr-dMAXr25 tjMAX~tama." -1·7 5150-:-30":'1.6°8W
tjMAX -25 '. 150-25-'
. ,
care este mai mare dee1h Pd2max=5,35W.
Pentmcele doua tranzistoar\< se va folosi un radiatorcol11un cu izolarea
tranzistomlui T2 fatade radiator. Factoml de al11plificate mi~il11 al acestui tip de
tranzistor, la curent de 1,075A rezulta din diagral11a din fig.6:3 ~i este ~Mmin:=30,iar
circuitul integrat LM723 se poate utiliza deoareee
1. 1,075.103
IB2max-~limo- 30, -35,8mA<150mA.
Mmm
In regim de scurtcircuit
Pd2SC
=I1JVsmin- Vpo)::1 ,07 5(5~0, 6)=4,73W
~i deoarece atat Pd2fnax=5,35Wcat ~i
sunt mai marideeat Pd2sc,nu este necesara 0 protectie speciala la scurtcircuit. S-a
folosit, deci; aiei rezistenta termica (vezi Anexa 1, pentm arie de contact de cca, 80
mm2):,
Rthjr2=Rthjc+Rthcr+Rth;:=2;5+3+3,5=9 °C/W.
Curentul de baza maxim a! tranzistonllui TI este
PRlmax=IITmRI=1,0752·17=19,7W.o
. Rezistenja Rl se .poate c'onfectiona din ·3 rezistel1te de 51Q/7W ±2,5%
coneerate in paralel. .
Este necesar sa se utiliieze dioda D ldeoarece conditia (6. 7)da
0
'Zolmax-':min-VBELmax--Vcillmin=f6,7-5-0,8-"1,5=19V ,
care este mai mare decat tensiunea VEBo=5Va tranzistoarelor. Aici VEElmaxs~a apreeiat
pe baza caracteristicii VBEsat=f(Ie) a tranzistomlui, data in catalog [17].
Dioda. Dl poate fi 0 dioda de silieiu de uz general sau de comutatie, eu eurent
invers redus. Intrud\t trallzistorul BD533 are la tj"=25°C ~io tensiune inversa de 5V un
curent lEBode ordinul eatorva sutede IlA, se poatefolosi 0 dioda e~leurentIR<lOO nA.
Se va utiliza dioda de eomutatie IN4447eu IR=25 nA la tj=25°C ~i tensiunea inversa
maxima de 75 V (>19V).Se poate apreeia. tensiunea Ublmax=0,85V la eurentul
IBlmax=30,7mA.
Tensiunea auxiliara ya fi deei
V02min=VOlmax+VBElmax + VCE2min =0,8+0,8+1,5=3, 15V .
Se adopta 0 dio4a D2de tipulBZX85C3V3 eare are la eurel1ti mlel 0
earaeteristiea tipiea de forma,data in, ,fig. 6.4. Aeeasta prezinta 0 tel1siune Zener de'
3,lV la curt:?ntulID2min=10mA. Rezistenta,dinamiea a diodei Intr-un punet eu eurent
apropiat de ID2min este .
r _LlUz_200mV_20Q
-zm Lli,z 10mA '
iar la eurel1t mai mare rezistenta dinamiea este r M=7Q [17].
Z
: I InA075
Vr2max=
Vr2[1+Ll ~:+ (1+11.)]=23,3-[1+0,05(1+0,
1)}=24,7V
t; _ f2m +f _20+7 .
2.zM 2 13.5,0...
CUfentul maxim prin dioda D2 este
- Vr2 max~VD?' +r. IDry · 24,7-'3,3+13,5.10.10- 3
I _mm _mm_
Z . - =92mA
D2max . R2+rz . 220+13,5
Se constata· cii dioda Zener adoptata suporrn curentul Io2maxdeoarece arc
curentullzMAx=320mA.·
Puterea disipat~ maxima pe rezisten!a R2 va fi
PR2max =Ifnmax.R2=(0,092f220=1;87W ~
Se adopta 0 rezisten!a normalizata de 220Q I2W.
Puterea disipata maxima pe circqitul integrat este
Pdmaxcr=IB2max(VD2min- VBE2max)+2,5.1o-3v;.lmax
=35,7(3,15-0,85)+2,5.1 (T3·23;3=l38m W .~
cu VBE2max apreciat conform catalogUlui la curentul maxim Ium[17].
Temperatura maxima a plachetei circuitului integrat va fi
. tjmax=tamax+PdmaxcrRthja =30+0,1~g·200=58°C .
Se remarca avantajul deosebit al acestui tip de stabilizator In ceea ce prive~te
lrwarcarea slaM cu putere a circuitului integral.'
Tensiunea Vp exacta va fi ...
Vp=0,7-1,7·10-3·58:¥O,602V,
cu care valoarea finala a rezisten!ei de protectie va fi
_ Yp_0,602_
Rp~Y--l 075 -0,56Q.
lim ._,
R thraZ- tjMAx-tamax
P.
R' _150-30
- thjrZ 5 35 - = ,
9-1' 3'4°C/W
dZmax '
Rthjrl=RthjC+Rthcr=2,5+3=5,5°C/W .
17Q/20W 2% Radiator COl11un I3,4°CIW
12 11
LM723
(TO 116)
R/z 4,99kQ Rz
1% .1,82k
2%
R. _Ay"._0,H2,4-0656Q
If IUrn 1' 89 '
V '
R p --Y--l
po- 0,6 -031'7A u.
89-' ("I ..
va oare provlzone )
Urn'
scurtcircuit ~i este necesara 0 limitare cu intoarcere.
~ Aceasta frripune' retu'area cakulelor intruc§.t la. tensiunea Vrtnit\ , in loc de
Vpo=O,6V trebuie introdusa tensiunea Vpio,deexemplu, de 1,2V. Remcand calculele
eu aeeasta, rezulta Vrmax:::14V; R1=4,76Q, Rir=O,667Q iar tensiunea
V~max=Vrmax(1+A)=14(1+0,1)=15,4V ,
MJ2955
VcE=4V
I
Ium=I,SJ,A
~i--
o 1 2 3 4 . idA]
Fig. 6. 5. Amplificarea de curent a tranzistorului MJ2955,
I, - (I
BlInax
,
-~.
1
~~m"
lim
VCElmin}' 1 (1 89 3,8)=0
R ' ,42'
l
466.'
'
02S2A-2S:S'·mA'
- ., .
cu BlMmincitit pe graficuldin fig.6.6 la ctlrentul dat de parantezadininsa~i aceasta
relatie ( == lA). . '
Puterea disipata maxima pe rezistenta Rl este
PRlmax=1rrmRl=1 ,89z·4,66=16,6W
o reziste1Wi Rl == 4,66Q /20W se poate realiza combinand 4' rezistente
bobinate de 4,7Q 15W (doua gmpe inseriate de cate douarezistente in paralel).
Temperatura maxima a mediului fiind doar de 35°C, rezervade putere asigurata mai
sus permite sa se evite corectarea puterii nominalea rezistentelor in funetie de
temperatura ta .
La funetionare in gol a stabilizatondui rezulta 0 tensitme inversa p~ jonctiunea
emitoare a lui T1 considerand VBElmax=O;9V
V "-V s -V .BE~I'max -VCE2 mlO
. roma".
.=15,7' - ..•.5-0,9-1,6=8,2V>V
- -, - EB· =7V
0 - -
,
~i est~ necesara dioda de protectie D1,care se poate adopta detipUIIN4447.
Tensiunea auxiliara necesara va ,fi '
VOZmin =VDlmax+ VBElmax+ VCEZmin=O,8tO,9+1,6=3,3V,
unde s-a considerat V01max=O,8Vpentru dioda IN4447. Tensiunea V02Jilin.se poate
obtine eu 0 di6da de tip BZX8~C3V3 (eu PdMAx=1,3W) la cllfentul Iozmin=lOmA.
Curentul minim prin rezistenta Rz (fig.6.2) este
1Rzmin
=1Blmax
+ 1Bzmax
+1DZmin
=2S,S+S9+10=94,SmA ,
~i se normalizeaza la 2kQ±S %.
Pentm ca stabilizatoml sa funetioneze corect ~i In gol, se va folosi la ia~ire 0
rezisten!a de balast care sa consume un curent
Ib···:::10101
. smax
=18 ' mA
V 5 '
R :=--!-==-=O278kfl
b Ib 18 '
Se adopta Rb=270Q ±S%, de putere redusi.
La ie~ire se vor l.itiliza un condensator electrolitic C~=47011F/10V ~i un
condensator ceramic Cc de 100nF /2SV La intrare se conecteaza'un con.densator
ceramic Cl=100nF/25V. Celelalte condensatoareau valorile tipice.
Schema complema stabilizatomlui este data in fig.6.7.
Redresonll sedimensioneaza penthl'un curent1llaXini
+ +1
BZX85C3V3 7
Ce2 470
lOnF ~lF
Ce3 llOV 0
2nF 12 11 10 2
LM723 j
3
r0116 82,5
C1 5 '4 Rz Q
lOOnF + 2,5%
2,74k R3 2kQ 5%
2,5% R2
270
CF n
5~lF 5%
/6V