Carte Btme v01

Bazele Tehnologice
ale Microelectronicii
Bazele Tehnologice ale Microelectronicii i
CUPRINS
Capitolul I. Tehnologia materialelor semiconductoare .......................................................... 2
I.1. Scurt istoric ..................................................................................................................... 2

I.2. Materiale semiconductoare ............................................................................................. 3
I.3. Legături chimice în semiconductoare ............................................................................. 4
I.4. Structura benzilor energetice în materiale semiconductoare........................................... 6
I.5. Puritatea substanţelor cristaline semiconductoare........................................................... 7
I.5.1. Puritatea structurală ................................................................................................. 7
I.5.2. Statistica defectelor punctuale ................................................................................. 8
I.5.3. Puritatea chimică ..................................................................................................... 9
I.6. Principiul de purificare a substanţelor prin cristalizare ................................................. 10
I.7. Diagrame de fază ........................................................................................................... 11
I.7.1. Regula pârghiei ..................................................................................................... 12
I.7.2. Diagrame de fază pentru soluţii discontinue ......................................................... 13
I.7.3. Diagrame de fază distectice................................................................................... 13
I.7.4. Diagrame de fază ale sistemelor tricomponentă ................................................... 14
Capitolul II. Creşterea cristalelor ........................................................................................ 15
II.1. Formarea germenilor de cristalizare .............................................................................. 15

II.2. Mecanismele de creştere şi cinetica cristalelor ............................................................. 17
II.3. Metode de creştere a cristalelor ..................................................................................... 19
II.3.1. Creşterea cristalelor din faza gazoasă ................................................................... 20
II.3.2. Creşterea cristalelor din topituri ............................................................................ 20
II.3.3. Creşterea cristalelor din soluţii .............................................................................. 31
II.4. Tehnologia monocristalelor de siliciu ........................................................................... 35
II.5. Prelucrarea mecanică şi chimică a barelor de siliciu monocristalin.............................. 36
Capitolul III. Formarea de pelicule în industria microelectronică .................................... 40
III.1. Formarea de pelicule dielectrice la suprafaţa suportului ............................................... 40

III.1.1. Formarea oxidului de siliciu prin oxidare termică ................................................ 40
III.1.2. Cinetica oxidării termice ....................................................................................... 42
III.1.3. Depunerea peliculei de Al2O3 şi Si3N4 .................................................................. 47
III.2. Creşterea peliculelor epitaxiale ..................................................................................... 48
Bazele Tehnologice ale Microelectronicii ii
III.2.1. Creşterea peliculelor epitaxiale de siliciu din tetra – clorură de siliciu ................ 49
III.2.2. Influienţa parametrilor de proces asupra vitezei de creştere a peliculelor epitaxiale
de siliciu din tetra – clorură de siliciu ................................................................................... 51
III.2.3. Cinetica creşterii epitaxiale ................................................................................... 53
III.2.4. Creşterea peliculelor epitaxiale a compuşilor AIIIBVdin fază gazoasă .................. 54
III.2.5. Creşterea peliculelor epitaxiale a compuşilor AIIIBV din faza lichidă (metoda
Nelson) 56
III.2.6. Creşterea peliculelor epitaxiale din faza lichidă limitată ...................................... 58
III.2.7. Metoda solventului mişcător ................................................................................. 59
III.2.8. Doparea peliculelor epitaxiale în timpul creşterii ................................................. 61
III.2.9. Particularităţile creşterii din faza lichidă a compuşilor ternari AlxGa1-xAs........... 61
Capitolul IV. Tehnologia fotoreceptorilor şi a laserelor cu heterojoncţiuni ..................... 65
IV.1. Bazele fizice de funcţionare a elementelor solare ......................................................... 65

IV.2. Determinarea randamentului elementului solar ............................................................ 66
IV.3. Tehnologia laserelor ...................................................................................................... 68
Capitolul V. Etapele de bază pentru formarea joncţiunilor p–n ...................................... 71
V.1. Teoria difuziei ............................................................................................................... 71

V.1.1. Legile difuziei ....................................................................................................... 71
V.1.2. Difuzia dintr-o sursă semiinfinită .......................................................................... 72
V.1.3. Difuzia dintr-o sursă limitată................................................................................. 74
V.1.4. Influenţa diferiţilor factori la distribuirea impurităţilor în procesul difuziei ........ 76
V.1.5. Metode de efectuare a difuziei şi difuzanţii utilizaţi ............................................. 78
V.2. Metoda implantării ionice ............................................................................................. 80
V.2.1. Construcţia instalaţiei implantării ionice şi principiul de funcţionare .................. 81
V.2.2. Factori de mediu ce influenţează concentraţia impurităţilor implantate ............... 82
Capitolul VI. Procesul de litografie pentru producerea dispozitivelor semiconductoare şi

a circuitelor integrate monolitice ............................................................................................... 85
VI.1. Criterii de apreciere a fotomăştilor................................................................................ 86

VI.2. Mecanismul de absorbţie a luminii ............................................................................... 88
VI.3. Operaţiile principale ale procesului de fotolitografie .................................................... 89
VI.4. Caracteristicile fotomăştilor (FM) şi metodele de confecţionare .................................. 94
VI.5. Metode de confecţionare a fotomăştilor ........................................................................ 95
Bazele Tehnologice ale Microelectronicii iii
VI.5.1. Metoda optico-mecanică ....................................................................................... 95
VI.5.2. Metoda litografiei cu fascicol electronic ............................................................... 95
VI.5.3. Litografia cu raze X............................................................................................... 98
Capitolul VII. Depunerea materialelor dielectrice şi conductoare .................................... 101
VII.1. Metode de obţinere a vidului ................................................................................... 101

VII.1.1. Construcţiile şi principiul de funcţionare a pompelor mecanice ..................... 101
VII.1.2. Construcţiile şi principiul de funcţionare a pompelor difuzionice .................. 102
VII.2. Măsurarea vidului .................................................................................................... 103
VII.2.1. Traductoare pentru măsurarea vidului............................................................. 103
VII.2.2. Construcţia instalaţiei pentru obţinerea vidului. Principiul de funcţionare ..... 104
VII.3. Metode de obţinere a peliculelor dielectrice şi conductoare ................................... 105
VII.3.1. Bazele fizice a vaporizării termice în vid ........................................................ 105
VII.3.2. Metoda pulverizării în plasmă ......................................................................... 107
VII.3.3. Pulverizarea în curent continuu în sistem diodic ............................................ 108
VII.3.4. Pulverizarea în curent alternativ în sistem diodic ........................................... 110
VII.3.5. Pulverizarea în sistem triodic .......................................................................... 110
VII.3.6. Pulverizarea reactivă ....................................................................................... 111
VII.3.7. Pulverizarea dielectricilor la frecvenţe înalte .................................................. 112
VII.3.8. Măsurarea grosimii peliculelor în timpul depunerii ........................................ 114
VII.3.9. Depunerea SiO2 şi Si3N4 ................................................................................. 117
VII.4. Corodarea ................................................................................................................ 118
Capitolul VIII. Metode de izolare a tranzistoarelor bipolare .......................................... 122
VIII.1. Tehnologia standard ................................................................................................ 123

VIII.2. Metoda de izolare cu ajutorul colectorului .............................................................. 126
VIII.3. Metoda de izolare cu ajutorul bazei ........................................................................ 128
VIII.4. Metoda celor trei fotomăşti ..................................................................................... 129
VIII.5. Metoda de izolare cu ajutorul dielectricilor. Procesul EPIC ................................... 129
VIII.6. Tehnologia VIP ....................................................................................................... 131
VIII.7. Metoda izoplanară ................................................................................................... 132
Capitolul IX. Construcţiile şi calculul elementelor în circuitele integrate ...................... 133
IX.1. Realizarea Diodelor în tehnologia Tranzistoarelor Bipolare....................................... 133

IX.2. Construcţia şi calculul rezistoarelor în circuitele integrate ......................................... 133
Bazele Tehnologice ale Microelectronicii iv
IX.3. Construcţia şi calculul condensatoarelor în circuitele integrate .................................. 137
IX.4. Construcţia TEC-J în circuitele integrate .................................................................... 138
IX.4.1. Metoda difuziei duble.......................................................................................... 139
IX.4.2. Metoda creşterii epitaxiale şi a difuziei............................................................... 139
IX.4.3. Formarea TEC-J în cadrul tehnologiei bipolare .................................................. 140
Capitolul X. Tehnologia MOS în Circuitele Integrate ..................................................... 141
X.1. Procese de bază în tehnologia MOS ............................................................................ 142

X.1.1. Metode de planarizare ......................................................................................... 142
X.1.2. Autoalinierea ....................................................................................................... 144
X.2. Tehnici de izolare a tranzistoarelor MOS în circuitele monolitice ............................. 144
X.2.1. Izolarea cu ajutorul oxidului gros şi dopării pe câmp ......................................... 145
X.2.2. Tehnica LOCOS .................................................................................................. 145
X.2.3. Tehnologia SEPOX (Selective Polisilicon Oxidation)........................................ 147
X.2.4. Izolarea prin şanţuri corodate în siliciu ............................................................... 147
X.2.5. Izolarea cu şanţuri de tipul V .............................................................................. 150
X.2.6. Izolarea cu ajutorul epitaxiei selective ................................................................ 150
X.3. Tehnologia PMOS standard ........................................................................................ 151
X.4. Tehnologia PMOS actuală .......................................................................................... 152
X.5. Tehnologia NMOS de bază ......................................................................................... 153
X.6. Tehnologia CMOS în circuitele VLSI ........................................................................ 155
X.7. Fenomenul de latch-up în circuitele CMOS ................................................................ 157
Capitolul XI. Tehnologia circuitelor integrate hibride (CIH) .......................................... 159
XI.1. Suportul pentru Circuitele Integrate Hibride ............................................................... 159

XI.2. Tehnologia de realizare a măştilor pentru circuite integrate cu pelicule subţiri ......... 160
XI.3. Realizarea rezistoarelor în circuitele integrate hibride ................................................ 162
XI.3.1. Realizarea condensatoarelor în circuitele integrate hibride ................................ 163
XI.3.2. Materialele dielectrice utilizate pentru condensatoare în circuitele integrate
hibride ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,164
XI.3.3. Materiale pentru conductoare în circuite integrate hibride ................................. 165
XI.3.4. Fluxul tehnologic de confecţionare a circuitelor integrate hibride cu pelicule
subţiri ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,165
XI.4. Tehnologia CIH cu pelicule groase ............................................................................. 166
Bazele Tehnologice ale Microelectronicii v
XI.4.1. Procesul de depunere a pastelor .......................................................................... 168
XI.4.2. Uscarea şi coacerea pastelor ................................................................................ 169
Bibliografie ................................................................................................................................. 170

Bazele Tehnologice ale Microelectronicii 1
PARTEA I
Capitolul I. Tehnologia materialelor semiconductoare
I.1. Scurt istoric

În 1806 în “Îndrumătorul de cuvinte” se spunea că tehnologia include în sine aproape tot
ce ştiu şi ce fac oamenii. În Dicţionarul Enciclopedic în 1877 se spunea că tehnologia este ştiinţa
despre producerea uneltelor de muncă şi poate fi împărţită în două direcţii: mecanica şi chimia.
Mecanica se ocupă de prelucrarea de materiale crude cu ajutorul meseriilor iar chimia transformă
materia pe baza reacţiilor chimice.
După Dicţionarul Politehnic din 1980, tehnologia provine de la două cuvinte din greacă:
“tehne” – măiestrie şi “logos” – cuvânt, ştiinţă şi acestea reprezintă metode de prelucrare,
producere şi schimbarea proprietăţii formei materiei prime pentru. obţinerea producţiei finale.
Pentru a realiza un dispozitiv oarecare sau un circuit integrat (C.I.) trebuie îndeplinită o
succesiune de operaţii tehnologice.
Se numeşte operaţie tehnică un proces care este îndeplinit la un anumit loc de lucru.
Există operaţii tehnice principale (sunt acele operaţii datorită cărora operaţia devine un
produs final) şi secundare(creşterea epitaxială; purificarea H2).
Procesul tehnologic – include toate operaţiile care se îndeplinesc pentru a produce un
produs finit.
Circuitele se pot clasifica in circuite integrate şi circuite cu cablaje imprimate. Circuitele
integrate pot fi monolitice sau hibride.
Circuitele integrate hibride reprezintă un compromis între circuitele integrate monolitice
şi cele cu cablaje imprimate. Circuitele cu cablaje imprimate presupun mai multe procese până la
obţinerea produsului final iar în cazul circuitelor integrate monolitice componentele şi circuitele
sunt realizate în cadrul aceluiaşi proces tehnologic.
În cazul circuitelor integrate hibride o parte a componentelor sunt realizate în cadrul
unor procese tehnologice distincte iar altă parte a componentelor precum şi interconexiunile între
componente sunt realizate în cursul procesului de obţinere a circuitului hibrid.
În cazul circuitelor cu cablaje imprimate toate dispozitivele sunt realizate în procese
distincte iar procesul tehnologic de obţinere a circuitului cu calaj imprimat presupune doar
realizarea conexiunilor.
Primele utilizări ale materialelor semiconductoare în tehnică au fost redresoarele pe
baza seleniului (1886 - Frits). În 1927 au fost folosite redresoarele pe baza de oxid de cupru.
Germaniu şi Siliciu au proprietăţi semiconductoare foarte bune. Proprietăţile principale
ale germaniului au fost descrise în 1870 de către Mendeleev.
În 1886 Vinclev a sintetizat pentru prima oară germaniu (în Germania, de unde vine şi
numele).
În 1939 pentru prima dată a fost stabilit din punct de vedere teoretic posibilitatea de
formare a tranzistorului iar în 1940 pentru prima dată a fost creată dioda punctiformă.
Figura I.1. Dioda punctiformă

În 1948 savanţii americani Bardin, Bratain şi Shacly au realizat tranzistorul cu contacte
punctiforme.
Figura I.2. Tranzistorul cu contacte punctiforme

În 1955 a apărut tehnologia joncţiunii pn formată prin difuzia impurităţilor (primele
tranzistoare formate prin difuzie).
În 1957 s-a demonstrat că pelicula de SiO2 cu grosime de 1μm nu permite trecerea
impurităţilor, iar în 1959 această peliculă a fost folosită în microelectronică.
În 1959 au apărut primele circuite integrate (CI) care conţineau tranzistoare bipolare iar
în 1964 au fost confecţionate primele circuite integrate cu tranzistoare MOS.
În 1968-1969 s-au făcut primele led-uri (diode luminescente) iar în 1970 deja un cristal
conţinea câte 1000 tranzistoare MOS.
I.2. Materiale semiconductoare

Materialele semiconductoare se împart în mai multe categorii:
A. Din punct de vedere al numărului de elemente chimice care intră în compoziţia lor:
1. Substanţe semiconductoare elementare descrise în figura de mai jos:
II III IV V VI VII
Zn Al Si P S Br
Cd Ga Ge As Se I
Hg In Sn Sb Te
Figura I.3. Materiale semiconductoare din diverse grupe
2. Compuşi binari (au în componenţă două elemente chimice)
Combinaţiile uzuale au subclase de compuşi de forma:
AIIIBV – GaAs, GaP, InP, InAs, AlAs
AIIBVI – ZnTe, ZnSe, CdSe, HgTe
AIVBIV – SiGe, SiC
3. Compuşi ternari
Combinaţiile uzuale au subclase de compuşi de forma:
AIIIBIIICV – AlxGa1-xAs
AIIBIICVI – CdxHg1-xTe
A şi B sunt izovalenţi de substituţie
4. Compuşi cuaternari
Sunt formate din perechi de izovalenţi de substituţie iar combinaţiile uzuale au subclase
de compuşi de forma:
AIIIBIIICVDV– InxGa1-xAsyP1-y - lasere cu lungime de undă între 1.3 şi 1.55μm.
AIIBIICVIDVI– CdxZn1-xSeyTe1-y
Compuşi ternari – CdxHg1-xTe – pe baza acestui material se fac unele fotoreceptoare
care au proprietatea de receptor în întuneric.
Compuşi cuaternari – InxGa1-xAsyP1-y se folosesc pentru lasere cu lungime de undă între
1.3 şi 1.55μm.
B. Din punct de vedere al organizării interne materialele semiconductoare pot fi:
1. Substanţe amorfe – au o organizare internă aleatoare
2. Substanţe monocristaline – au atomi organizaţi regulat în spaţiu
Structura lor internă poate fi decisă prin multiplicarea unei celule cu un pas constant.
3. Substanţe policristaline – au atomi organizaţi regulat la nivel local
dar nu şi la nivel global
C. Din punct de vedere al structurii chimice: combinaţiile binare, ternare şi cuaternare
necesită prezenţa metaloizilor (elemente cu caracter metalic)fără de care combinarea
ar fi una izolatoare
Siliciul este cel mai răspândit şi utilizat reprezentând 25% din suprafaţa scoarţei terestre
în timp ce germaniul reprezintă doar 0.001%. GaP (galifosfor) şi InSb (antimoniu de indiu) au
cea mai mare mobilitate a purtătorilor.
Siliciul şi germaniul sunt utilizaţi pentru aplicaţii de viteză mare în tehnologia MOS
AlGaAs şi InGaP sunt folosite pentru dispozitivele fotoemiţătoare iar CdHgTe se
utilizează în unele fotoreceptoare.
I.3. Legături chimice în semiconductoare

În semiconductoarele elementare legătura chimică este pur covalentă (fiecare doi atomi
învecinaţi pun in comun doi electroni). Numărul de legături pe care le face un atom cu alţii
(numărul de coordonaţie) este dat de regula octetului c=8-n, n fiind numărul de electroni de
valenţă (valenţa elementului chimic).
În cazul compuşilor chimici prezenţa metaloizilor creează o legătură covalent – ionică,
formarea legăturii presupunând formarea unei stări excitate.
Reguli pentru calculul numărului de coordonaţie la semiconductoarele compuse
1. Cel mai des model întâlnit este cel ce presupune formarea unei stări excitate de tip
n
sp în care avem e  b  8 , unde:
na
ne reprezintă numărul total de electroni de valenţă ai elementelor,
na reprezintă numărul de atomi din grupele IV – VII din combinaţia respectivă,
b reprezintă numărul de legături realizate între atomii elementelor din aceeaşi coloană a
tabelului periodic
Dacă M reprezintă un metaloid şi X un semiconductor compuşii de tipul Mn+Xn- sunt
caracterizaţi de legături ionice în timp ce compuşii Mn-Xn+ sunt caracterizaţi de legături
covalente.
2. n+m=c
n – reprezintă numărul de electroni ai metalului
m – reprezintă numărul de electroni ce părăsesc semiconductorul X pentru formarea
stării excitate
c – numărul de coordinaţie – reprezintă numărul de legături pe care îl formează un atom
cu vecinii săi.
Se aplică pentru semiconductoarele de forma MX
3. Un alt model valabil pentru o anumită categorie de compuşi este nc+nb=2c
nc – numărul total de electroni de valenţă a celor două substanţe
nb – numărul de atomi a substanţelor din grupele IV – VII
c – numărul de coordinaţie
Pentru a măsura caracterul ionic al unei legături ce se formează în compuşi se folosesc
două mărimi:
n
- Gradul de ionizare atomică 0  1 
c
q ef
Gradul de ionizare cristalină   0 
*
-
c
  z z ' 
qef   n 1  k   '   reprezintă sarcina efectivă asociată legăturii
  r r 
z, z’ numărul de sarcini ai atomilor celor două elemente ce intră în combinaţii
r, r’ razele atomice ale celor două elemente din combinaţie
k= 0,0118cm
O altă mărime ce măsoară caracterul ionic este electronegativitatea
1
X  E unde E  E AB   E AA  EBB 
2
E - reprezintă diferenţa de energie necesară realizării legăturii şi desfacerii ei
EAB – reprezintă energia necesară realizării legăturii dintre substanţele A si B
EAA,EBB – reprezintă energia necesară desfacerii legăturii A-A şi B-B
Cu cât ΔX este mai mare cu atât lăţimea benzii interzise este mai mare şi mobilitatea
purtătorilor este mai mică.
InSb CdTe
ΔX 0.2 0,6
Eg 0,22eV 1,5eV
2
µn 65000cm /Vs 300
µp 1000cm2/Vs 100
I.4. Structura benzilor energetice în materiale semiconductoare

Funcţia de distribuţie a electronilor după energii este de tip distribuţie Fermi – Dirac ce
caracterizează toate substanţele solide.
1
f (E)  E  EF
1  e KT
EF reprezintă energia Fermi
Nivelul Fermi este nivelul care are probabilitatea 1/2 de a fi ocupat cu un electron de
valenţă.
Figura I.4. Distribuţia Fermi-Dirac

Astfel concentraţia electronilor şi cea a golurilor este de forma:
n  Nc  f  Ec 
p  Nv  1  f  Ev  
Nc – reprezintă densitatea de stări posibile în unitatea de volum a semiconductorului în
banda de conducţie
Nv – reprezintă densitatea de stări posibile în unitatea de volum a semiconductorului în
banda de valenţă.
EF  Ev  kT , Ec  EF  kT
EF  Ev Ec  EF
 
p  Nv  e kT
n  Nc  e kT
Eq

n  np  N v N c  e
2
i
kT
EF  Ei Ev  Ec
 Ei 
n  ni e kT
2
În cazul semiconductoarelor extrinseci atomii de impurităţi au tendinţa de a deplasa
nivelul Fermi mai aproape de banda de conducţie (în cazul semiconductoarelor de tip n) sau mai
aproape de banda de valenţă (în cazul semiconductoarelor de tip p).
I.5. Puritatea substanţelor cristaline semiconductoare

În cazul substanţelor semiconductoare se poate discuta de două tipuri de puritate:
- Puritate fizică (structurală).
- Puritate chimică
I.5.1. Puritatea structurală

Puritatea structurală este caracterizată prin concentraţia de defecte ce există în structura
substanţelor monocristaline. Această concentraţie de defecte poate fi exprimată matematic doar
în cazul anumitor defecte.
Există mai multe tipuri de defecte structurale
1. Defectele punctuale pot fi de tip Schottky sau Frenkel
Defectele Schottky presupun existenţa.unui loc vacant în reţeaua cristalină (un atom
părăseşte reţeaua cristalină şi iese la suprafaţă)
Figura I.5. Defectele Schottky

Defectele Frenkel presupun atât apariţia unui loc vacant în reţeaua cristalină cât şi
apariţia unui atom interstiţial (un atom părăseşte locul său în reţeaua cristalină şi se plasează între
nodurile reţelei)
Figura I.6. Defectele Frenkel

Energia de formare este mai mare la defectele Frenkel.
Când în structură apar atomi de altă natură chimică, aceştia pot ocupa un loc vacant (în
acest caz impuritatea se numeşte substituţională) sau se poate plasa între nodurile reţelei
cristaline (impuritate interstiţială)
Concentraţia defectelor punctuale creşte cu temperatura, din acest motiv în practică se
folosesc tratamente puternice (recoacere, călire) având drept scop reducerea numărului de
defecte (în engleză annealing).
2. Defectele liniare sau macroscopice (dislocaţii) apar în general ca efect al unei
forţe exterioare aplicate cristalului (operaţii mecanice de finisare), ce determină
deplasarea unor straturi atomice de-a lungul unui plan de alunecare.
Defectele liniare pot fi marginale sau elicoidale (scobituri)
Figura I.7. Defectele liniare şi elicoidale
Defectele liniare marginale au o orientare perpendiculară pe direcţia forţei ce a fost

aplicată în cursul deformării iar cele elicoidale au o orientare paralelă cu direcţia forţei aplicate.
3. Defectele tridimensionale: pot fi de reorientare prin înclinare (apar după operaţii
mecanice în care se folosesc presiuni mari) şi de reorientare prin rotaţie (torsionarea
cristalului).
I.5.2. Statistica defectelor punctuale

Statistica determină concentraţia de defecte punctuale de tip Schottky
Având în vedere că aceste defecte presupun extracţia unui atom se porneşte de la
expresia energiei libere a cristalului.
E=U-ST
U reprezintă energia internă, S entropia sau gradul de dezordine a structurii şi T
temperatura.
Considerând lucru mecanic pentru extragerea unui singur atom din structura
monocristalină We şi concentraţia de defecte n, energia acumulată în cristal este U=nWe.
Gradul de dezordine sau entropia este S=Kln(P), K fiind constanta lui Boltzman şi P
probabilitatea apariţiei a n defecte în structura cristalină.
Considerând N numărul de atomi ai reţelei în unitatea de volum atunci P se poate
N!  N! 
rescrie: P  C Nn  atunci E  nWe  KTln  P   nWe  KTln  
n ! N  n  !  n ! N  n  ! 
E  nWe  KT ln  N !  ln   N  n  !  ln  n !  1
Ştiind că ln  n!  nln  n   n energia liberă a cristalului se rescrie:
E  nWe  KT  Nln  N   N   N  n  ln   N  n     N  n   nln  n   n 
E  nWe  KT  Nln  N    N  n  ln   N  n    nln  n  

E
Sistemul termodinamic se află într-o stare de energie minimă astfel încât  0;
n
 N n
We  KT ln   N  n    ln  n    0 → We  KTln  
 n 
We We
 
n   N  n e KT dar n  N rezultând n  Ne KT
I.5.3. Puritatea chimică

Puritatea chimică este reprezentată de concentraţia de impurităţi nedorite în materialul
semiconductor. Concentraţia de impurităţi se exprimă în procente atomice, adică numărul de
atomi de impuritate raportat la numărul total de atomi
Pentru fiecare material semiconductor există o concentraţie critică ce depinde de
temperatură până la care natura intrinsecă a materialului nu se modifică.
Impurităţile din material situate sub concentraţia critică se numesc reziduale şi în funcţie
de natura lor se pot denumi donoare sau acceptoare (materiale n sau p)
Modalităţi de caracterizare a purităţii unei substanţe
1. Concentraţia impurităţilor, în mod normal, se determină în procente din masa
substanţei sau în procente din numărul de atomi.
2. Gradul de puritate se poate caracteriza prin metoda nourilor
4N= 99,99% sau impuritate 0.01,
5N8=99,9998% sau impuritate 0,0002%,
6N=99,9999 sau impuritate 0,0001%.
Cuprul este de puritate 4 adică 99,99%
3. Având în vedere gradul de puritate ridicat al substanţei utilizat în materiale este bine
să se exprime cu puritate prin concentraţii relative (câţi atomi de bază corespund la
un atom de impuritate).
În funcţie de puritate substanţele se pot clasifica în clasele:
Substanţe de clasa A: 0,01% - 1% impurităţi – substanţe curate pentru analize obişnuite
A1: 0,1% - 1% cafeniu
A2: 0,01% - 0,1% cenuşiu
Substanţe de clasa B: 10-6% - 10-2% impurităţi – substanţe curate din punct de vedere
chimic
B3: 10-3% - 10-2% albastru închis
B4: 10-4% - 10-3% albastru deschis
B5: 10-5% - 10-4% verde închis
B6: 10-6% - 10-5% verde deschis
Substanţe de clasa C : 10-10% - 10-6% impurităţi – substanţe folosite în microelectronică
C7: 10-7% - 10-6% roşu
C8: 10-8% - 10-7% roz
C9: 10-9% - 10-8% portocaliu
C10: 10-10% - 10-9% galben deschis
I.6. Principiul de purificare a substanţelor prin cristalizare

Cristalizarea reprezintă trecerea substanţei (sistem termodinamic) din faza lichidă sau
gazoasă în faza solidă (cristalină).
Această metodă se foloseşte în ultimele faze de purificare când substanţa are
aproximativ 1-2% atomi de impuritate. Metoda se foloseşte pentru a obţine cristale de structură
cristalină şi pentru purificarea acestor substanţe.
Faza unui sistem termodinamic reprezintă o porţiune a sistemului omogenă din punct de
vedere fizic. În general, un sistem termodinamic este un amestec de elemente sau compuşi
chimici. O componentă a unui sistem termodinamic este un element sau compus chimic. În
sistemele multicomponentă apar grade de libertate suplimentare, date de concentraţiile
componentelor din amestec. Gradul de libertate reprezintă o mărime ce poate fi modificată
independent (temperatură, presiune, concentraţie, etc.)
Regula fazelor a lui Gibbs
Într-un sistem termodinamic la echilibru, numărul de faze care pot coexista este supus
constrângerii următoare:
r  n  2 şi N  n  2  r unde n reprezintă numărul componentelor din sistem, r –
numărul de faze şi N – numărul de parametrii ce pot fi modificaţi independent fără a modifica
starea.
Exemplu 1. Pentru un sistem termodinamic cu trei faze n=1, r≤3,rezultă cel mult trei
faze în punctul triplu T.
Pentru r=3 rezultă N=0;
Pentru r=2 rezultă N=1 – un grad de libertate, de exemplu temperatura de sublimare;
Figura I.8. Sistem termodinamic cu trei faze

În interiorul acestor domenii numărul de grade de libertate este maxim N=2 deoarece
substanţa există într-o anumită stare iar parametrii pot fi modificaţi independent, iar pe curbe
parametrii nu se pot modifica independent
Exemplu 2. n=2, r≤4, sistem bicomponentă cu presiunea, temperatura şi concentraţia
independente. Pentru r=1 rezultă N=3 oricare din cei trei parametri poate fi modificat, iar pentru
r=2 rezultă N=2 se modifică doar doi. În cazul lichid-solid se poate determina uşor temperatura
de topire în funcţie de presiune şi concentraţie. În cazul lichid-gaz se reglează temperatura şi
concentraţia iar presiunea vaporilor saturaţi este dependentă de celelalte două.
Dacă avem 3 faze N=1, transferul de faze reprezintă trecerea dintr-o stare în alta
urmărindu-se procesul de purificare în timpul coexistenţei celor două faze rezultând o segregare
a impurităţilor.
I.7. Diagrame de fază

Diagramele de fază reprezintă grafice ale transformărilor de fază din sistemele
termodinamice aflate în echilibru. Exisă mai multe metode de construcţie a diagramelor, dintre
care cea mai cunoscută este metoda termografică ce determină variaţia în timp a sistemului
termodinamic când acesta trece prin transformări de fază pe baza schimbului de căldură cu
mediul exterior. La substanţele cristaline (sisteme unicomponentă) variaţia în timp prezintă
paliere care corespund transferului de fază.
Figura I.9. Diagrame de fază a unui sistem unicomponentă (cupru)

Iniţial totul este solid cu masa M0 iar masa lichidului este 0. Ulterior la creşterea
temperaturii masa lichidului creşte iar masa solidului ajunge la 0.
Pentru sistemele bicomponentă diagramele de fază se plasează în planul temperatură
concentraţie pentru a surprinde transformarea de fază gaz – lichid sau lichid – solid
La substanţele monocristaline variaţia temperaturii este mai complicată şi transformările
de fază nu sunt marcate de paliere.
Figura I.10. Diagramele de fază pentru sisteme bicomponentă

La sistemele cu diagramele de fază din Figura I.10, transformarea lichid – solid are loc
la temperaturi mai mari sau mai mici funcţie de compoziţia sistemului, intervalul de temperaturi
diferă funcţie de concentraţie.
I.7.1. Regula pârghiei

Pentru a determina masele de lichid şi solid la o temperatură dată se foloseşte regula
pârghiei. Raportul de concentraţie va dicta raportul maselor.
Figura I.11. Diagramele de fază pentru sisteme bicomponentă: regula pârghiei

Considerând mS,mL cantitatea de substanţă solidă şi lichidă la o anumită temperatură,
m0 masa iniţială de substanţă de bază ce se află în totalitate în faza solidă sau lichidă, CS,CL
concentraţia limită ale substanţelor de bază determinate de pe curbele solidus şi liquidus la
temperatura curentă şi C0 concentraţia iniţială de substanţă de bază ce se află în totalitate în faza
solidă sau lichidă
CL mL  CS mS  C0 m0  mS C0  CL
  regula pârghiei
mS  mL  m0  mL CS  C0
Ţinând cont de comportarea sistemului bicomponent, există posibilitatea purificării
substanţei păstrându-se acea fază a sistemului care este îmbogăţită în substanţe (componente)
care ne interesează. De exemplu la temperatura curentă, concentraţia de substanţă de bază solidă
CS este mai mare decât concentraţia substanţelor de bază lichidă CL.
Astfel CS>C0 şi CL<C0 în timpul modificării substanţei de bază, masa lichidă este
sărăcită iar cea solidă este îmbogăţită. Aşadar procesele de cristalizare oferă posibilitatea
purificării substanţei.
I.7.2. Diagrame de fază pentru soluţii discontinue
Soluţiile discontinue prezintă diagrame de fază ce sunt caracterizate de puncte minime
pe curba liquidus numite puncte eutectice iar diagramele de fază sunt denumite diagrame
eutectice.
De exemplu CdBi în starea solidă nu formează soluţii (doar în starea lichidă).
Figura I.12. Diagramele de fază pentru soluţii discontinue CdBi

Diagrama din figură este caracteristică amestecurilor ce nu formează soluţii solide, în
schimb formează soluţii lichide
Există şi amestecuri în care elementele sau componentele chimice se dizolvă. Se
consideră două substanţe A şi B, unde A este solvatul şi B solventul.
Dacă α este soluţia solidă cu element preponderent A (A este solvatul), β soluţia solidă
cu element preponderent B (B este solventul) şi L soluţia lichidă a celor două elemente A şi B
diagramele de fază arată ca în figură:
Figura I.13. Diagramele de fază pentru soluţii discontinue

E reprezintă punctul eutectic
I.7.3. Diagrame de fază distectice

Aceste diagrame apar în cazul amestecurilor de substanţe ce interacţionează chimic
(formează noi compuşi)şi sunt formate din două diagrame eutectice.
Figura I.14. Diagramele de fază distectice

I.7.4. Diagrame de fază ale sistemelor tricomponentă
Pentru reprezentarea diagramelor de fază pentru sisteme tricomponentă se folosesc
reprezentări spaţiale care au la bază triunghiul echilateral a lui Gibbs
Figura I.15. Triunghiul echilateral a lui Gibbs

2
Triunghiul echilateral are înălţimea egală cu 1 adică latura . Concentraţiile
3
substanţelor A,B şi C se determină calculând distanţele de la un punct intern triunghiului până la
laturile lui astfel încât CA+CB+CC=1.
Trasarea diagramelor se face în spaţiu ca în figură:
Figura I.16. Diagrame de fază ale sistemelor tricomponentă

E1, E2, E3 sunt puncte eutectice la temperaturile T1, T2, T3. Intersecţia suprafeţelor pot
determina un eutectic punct E.
Capitolul II. Creşterea cristalelor
În procesul cristalizării (modul de purificare a substanţelor) se pune problema cum se

cristalizează substanţele în cazul apariţiei diagramelor de fază.
Exista două etape importante în procesul de cristalizare:
- Formarea nucleelor de cristalizare (nucleaţia);
- Creşterea propriuzisă a cristalelor din germeni;
Pentru procesul de nucleaţie, cei mai importanţi parametri sunt:
- Rata de nucleaţie reprezintă numărul de germeni ce se formează în unitatea de
volum şi în unitatea de timp;
- Energia minimă necesară formării;
- Viteza de creştere volumică a cristalelor reprezintă volumul de cristale formate în
unitatea de timp;
Între rata de germinaţie şi viteza de creştere există o legătură de tipul:

 r v 3t 3
dv 4 
g c
 vo rg vc3t 3e 3 unde:
dt 3
rg – rata germenilor;
vc – viteza de creştere;
vo – volumul final al cristalului;
II.1. Formarea germenilor de cristalizare

Germenii se pot forma atât din starea lichidă cât şi din starea gazoasă. Modelul
matematic utilizat este modelul formării descrescătoare. Pentru formarea nivelurilor de
cristalizare este necesară atingerea unei energii critice care permite obţinerea unui germene stabil
ce continuă sa-şi mărească volumul. Până la atingerea acestei stări procesul presupune atât
cristalizare cât şi lichefierea germenelui.
Pentru determinarea energiei critice necesare pentru realizarea unui germene şi raza
acestuia se foloseşte metoda formării unei picături de lichid într-un mediu gazos în care se ia în
calcul energia liberă.
În practică există două tipuri de nucleaţie:
- Omogenă – când germenele format este în contact numai cu mediul gazos sau
lichid;
- Eterogenă – când germenele de cristalizare care se formează este în contact cu un
suport sau cu un perete al recipientului (nu doar cu un mediu gazos sau lichid);
Formarea germenului de cristalizare din faza gazoasă
pr
În cazul unui mol de gaz energia necesară mişcării este:  KT ln unde pr este
p
presiunea corespunzătoare unei picături de rază r iar p∞ este presiunea corespunzătoare unei
picături de rază ∞ (suprafaţa plană a lichidului).
Variaţia energiei totale a picăturii ce se formează este o sumă de două variaţii, de volum
şi de suprafaţă.
V pr
G  GV  GS ; GV   RT ln iar GS   S unde:
 p
4 r 3
V reprezintă volumul picăturii (pentru sferă este );
3
 reprezintă volumul unui mol de substanţă;
S reprezintă suprafaţa picăturii de rază r (pentru sferă este 4πr2);
σ reprezintă coeficientul de tensiune superficială;
În cursul formării picăturii presiunea are tendinţa de a comprima gazul respectiv, dar
există şi tensiuni superficiale care au tendinţa de a distruge germenele de cristalizare.
Figura II.1. Variaţia energiei totale a picăturii funcţie de rază

Pentru atingerea unei stări stabile este necesar un maxim energetic ce se obţine când se
anulează derivata energiei picăturii în raport cu raza picăturii.
G 4 r 3 1 p
 0 pentru sferă rezultă G   KT ln r  4 r 2
r 3  p
Derivând în raport cu r şi punând condiţia de anulare se obţine:
12 r 2 1 p r2 p
 KT ln r  8 r  0 sau  KT ln r  2r  0
3  p  p
2
Şi astfel rezultă o rază critică rcritic 
pr
KT ln
p
Creşterea cristalului are loc începând cu această rază critică, energia totală trebuie să
depăşească ΔGcritic apoi energia are tendinţă de scădere iar raza are tendinţa de a creşte şi
germenele se dezvoltă.
3 2
   
4  2  KT p  2 
Gcritic  G  rcritic      ln r  4   
3  KT ln pr   p  KT ln pr 
   
 p   p 
2 2
   
 2   1  8  2 
Gcritic  4    1     
 KT ln pr   3  3  KT ln pr 
   
 p   p 
Similar se poate determina energia şi raza critică a germenului şi în cazul fazei lichide
V T
G  GV  GS ; GV   Q iar GS   S
 T0
Q reprezintă căldura latentă de cristalizare
2 8 3
rcritic  ; şi Gcritic 
Q T  Q T 
2
 T0  
  T0 
Relaţiile sunt valabile doar în cazul nucleaţiei omogene. Pentru nucleaţia eterogenă
energia necesară formării germenului este mult mai mică.
În cazul nucleaţiei eterogene (modelul formării unei calote) se consideră o suprafaţă
plană în care picătura este de forma unei calote ca în figura următoare:
Figura II.2. Formarea germenului în cazul nucleaţiei eterogene

Energia de formare a germenului depinde de θ unghiul de racord făcut între planul de
contact germene – gaz şi germene – suport solid.
 2  cos  1  cos  
2
G  Gomogen ; 
4
Existenţa unui suport solid favorizează apariţia germenului de cristalizare.
II.2. Mecanismele de creştere şi cinetica cristalelor

La dimensiuni mici ale cristalelor, forma lor nu depinde de mărimea lor, ci de natura
substanţei şi de orientarea cristalografică. De exemplu pentru o orientare cubică forma cristalelor
va fi cubică (teorema Gibbs - Wulff).
Pentru a exemplifica modul de creştere a cristalelor este necesar să considerăm o
substanţă ce are forma cristalografică (sistem cubic), cristal cu feţe incomplete, la care cristalele
vor avea toate forma cubică.
Particulele elementare ale substanţei pe feţele cristalului sunt reprezentate ca în figură:
Figura II.3. Cristal cu feţe incomplete

Datorită formei cristalului, un atom din exterior este caracterizat de o probabilitate mai
mare sau mai mică de a fi incorporat în cristal, în funcţie de structura cristalului.
O energie de legătură mare conduce la o probabilitate mai mare a atomilor de a fi
încorporat (6Φ0=100%).
Procesul de creştere începe cu completarea locurilor libere şi avansul treptelor
(planelor) atomice până la marginea cristalului şi apoi formarea unor noi plane atomice.
Procesul de creştere presupune realizarea a două mecanisme:
- Avansul treptelor deja formate până la marginea cristalului
- Nucleaţie bidimensională – fixarea unor noi trepte sau plane atomice la suprafaţa
planului;
Cele două mecanisme se realizează concomitent.
Figura II.4. Procesul de creştere a cristalului

Feţele cristalului se clasifică în funcţie de felul neregularităţilor prezente în:
- Feţe singulare caracterizate prin platouri atomice foarte lungi ce au o viteză de
creştere aproape liniară.
- Feţe vicinale caracterizate prin platouri mai mici separate între ele de o distanţă
interatomică foarte mică.
Figura II.5. Feţe vicinale

- Feţe nesingulare caracterizate de platouri atomice înguste, separate de trepte înalte,
de dimensiunea mai multor distanţe interatomice.
Figura II.6. Feţe nesingulare

În procesul de creştere se presupune că creşterea pe feţele singulare şi vicinale este
tangenţială în timp ce în cazul feţelor nesingulare creşterea are loc pe verticală.
Creşterea tangenţială presupune o etapă de absorbţie la suprafaţa planului atomic şi apoi
migraţia pe suprafaţa planelor atomice până la marginea acestora. Viteza de creştere este cea mai
mare în cazul feţelor nesingulare şi cea mai scăzută în cazul feţelor singulare.
Figura II.7. Viteza de creştere a cristalului

În cazul feţelor vicinale şi singulare s-a formulat teorema apariţiei şi creşterii unei trepte
până la marginea cristalului, apariţia fiind datorată unui proces de germinaţie tridimensională. În
condiţiile existenţei unei suprasaturări critice, un număr de atomi se aglomerează pe faţa
platoului existent şi formează legături între ei cât şi cu platoul de dedesubt fixându-se în acest
mod în reţeaua cristalină. Astfel se formează un germene bidimensional la nivelul unui plan de
atomi rezultând o creştere în spirală a cristalului..
Creşterea pe feţe singulare şi vicinale are loc tangenţial (tangent la platouri) şi
presupune prezenţa a două etape de creştere:
- Etapa de absorbţie a atomilor în cristal
- Etapa de migrare a atomilor către trepte
II.3. Metode de creştere a cristalelor

Din punct de vedere al clasificării creşterii cristalelor cel mai important criteriu este cel
al fazei iniţiale a substanţei care cristalizează. Astfel creşterea cristalelor se poate realiza din fază
gazoasă sau din fază lichidă.
Creşterea din fază lichidă poate fi realizată din topituri sau din soluţii.
II.3.1. Creşterea cristalelor din faza gazoasă
Creşterea cristalelor din faza gazoasă se poate realiza prin două metode:
- Procese de sublimare – condensare presupune scăderea presiunii pentru reducerea
temperaturii de sublimare (la temperaturi mici unele substanţe trec din solid în gaz şi
invers)
- Metoda reacţiilor chimice de transport (mai des utilizată) presupune două reacţii:
una directă la temperatură scăzută ce duce la formarea unui compus în stare gazoasă
şi una inversă ce duce la descompunerea compusului prin eliberarea substanţei de
bază după ce a fost deplasat în altă incintă.
A  B  C
substanţa gaz gaz
de bază transportor
II.3.2. Creşterea cristalelor din topituri

Creşterea cristalelor din topituri în funcţie de forma gradientului de temperatură care
apare între topitură şi cristal pe seama pierderii căldurii de către cristal se clasifică în metode de
topire zonară şi metode de cristalizare normale.
În funcţie de metodă implementarea se face printr-o constrângere specială a cuptorului
sau o răcire forţată a cristalului.
Viteza de creştere a cristalelor creşte la mărirea temperaturii folosite în cuptor, dar
creşterea temperaturii duce la impurificarea cristalelor. Aceste metode pot avea loc în prezenţa
sau absenţa germenului de cristalizare. În absenţa germenului procesul de cristalizare va
presupune şi nucleaţia iar controlul va fi dat de forma recipientului.
II.3.2.1. Metoda de cristalizare normală
În interiorul recipientului se găseşte un singur germene şi o substanţă policristalină ce
va fi încălzită şi apoi răcită treptat începând de la capătul unde se găseşte germenele de
cristalizare într-un cuptor inductiv.
Figura II.8. Metoda de cristalizare normală

Dacă se alege corespunzător viteza de deplasare a gradientului de temperatură se poate
obţine o regiune a monocristalului cu grad de puritate ridicat
Temperaturile folosite nu pot fi cu mult diferite de temperatura de topire deoarece există
riscul apariţiei unei tensiuni mecanice la nivelul suprafeţei ceea ce duce la o creştere a numărului
de defecte.
Metodele de cristalizare normală sunt caracterizate de un gradient de temperatură ce
prezintă numai două paliere unul pentru T1<Ttopire şi unul pentru T2>Ttopire în recipient găsindu-se
doar substanţa solidă şi lichidă
II.3.2.2. Metoda de topire zonară
Pentru topirea zonară există trei paliere ale gradientului de temperatură, două pentru
temperatura scăzută, sub cea de topire şi unul pentru temperaturi ridicate.
În permanenţă există o peliculă subţire de lichid monocristalin ce va fi încadrată de
solidul policristalin şi cel monocristalin. Deplasarea picăturii se face din partea inferioară spre
cea superioară. Această deplasare a peliculei se obţine prin deplasarea gradientului de
temperatură, ce permite recristalizarea substanţei în stare policristalina şi transformarea ei în
monocristalin. Temperaturile sunt relativ apropiate pentru a nu apărea tensiuni termice.
Iniţial germenele de cristalizare se află în partea inferioară în contact cu picătura de
lichid.
Figura II.9. Metoda topirii zonare

Xc+b – front de topire
Xc – front de cristalizare
Pe măsură ce se deplasează spre partea superioară picătura de lichid rămâne în urmă
germenele ce se solidifică într-un monocristalin. Procesul se încheie când pe toată suprafaţa
recipientului va fi acelaşi gradient de temperatură şi toată substanţa s-a transformat în substanţă
monocristalină.
Dacă deplasarea peliculei de lichid se face cu viteză scăzută atunci distribuţia de
impurităţi în interiorul monocristalului ce se formează depinde doar de coeficientul de segregaţie
şi de coeficientul de distribuţie în stare solidă şi lichidă. In cazul metodei de cristalizare prin
topire zonară distribuţia impurităţilor dea lungul cuptorului este mai puţin abruptă decât în cazul
metodei de cristalizare normală.
Dacă diferenţa de temperatură este mică (T1-T2 este mică) impurităţile ce se topesc la
frontul de topire sunt mai bine împrăştiate.
Cele mai întâlnite metode în industrie sunt metodele Bridgman, Stockbarger şi
Czochralski.
Metodele Bridgman şi Stockbarger sunt bazate pe o construcţie adecvată a cuptorului.
În ambele metode recipientul se deplasează faţă de cuptor pe verticală.
Figura II.10. Metodele Bridgman şi Stockbarger

Diferenţa dintre cele două metode este zona cu număr crescut de înfăşurări (zona cu
temperatură mai mare) care este mai mică decât lungimea recipientului în cazul metodei
Stockbarger. În nici una dintre metode pelicula de lichid nu este foarte îngustă În cazul metodei
Bridgman există în permanenţă două faze solidă şi lichidă. Metoda Stockbarger este o metodă
combinată fiind asemănătoare cu metoda topirii zonare dar la final, la ieşirea din cuptor vor
exista două faze în recipient.
II.3.2.3. Metoda tragerii cristalelor din topituri (Metoda Czochralski)
Substanţa este pusă într-un recipient de cuarţ şi se încălzeşte la o temperatură ridicată,
ceea ce permite evaporarea impurităţilor volatile şi omogenizarea celor nevolatile. Se răceşte
substanţa până la temperatura de topire iar germenele susţinut de o tijă specială este pus în
contact cu pelicula de lichid. Se ajunge astfel la topirea unor straturi superficiale ale germenului
şi apar forţele de adeziune între germene şi substanţa lichidă. Bara de susţinere şi germenele se
rotesc şi se ridică încet astfel lichidul se ridică şi va fi răcit cu ajutorul unui gaz inert.
Mişcarea de rotaţie permite omogenizarea radială a impurităţilor din stratul
monocristalin format şi duce la formarea unei bare cilindrice a cărei rază depinde de viteza de
tragere din topitură.
k0
v  k1 unde v este viteza de tragere, r raza bazei cilindrului şi k0,k1 sunt constante
r
ce depind de proces.
Concentraţia impurităţilor la frontul de cristalizare are tendinţa, în condiţii normale, de a
creşte peste concentraţia impurităţilor din masa lichidului datorită constantelor de difuzie
apropiate lichid-solid dar şi a mişcărilor de convecţie din lichid. În condiţii industriale se
folosesc câmpuri electromagnetice pentru menţinerea în limite rezonabile a mişcărilor de
convecţie şi distribuţia constantă a impurităţilor pe toată lungimea barei.
Figura II.11. Metoda tragerii cristalelor din topituri

Bara de cristal crescută prin această metodă arată ca în figura de mai jos:
Figura II.12. Bara de cristal crescuta prin metoda tragerii cristalelor din topituri
Capetele barei se taie şi se retopesc în topitura din care se creşte alt cristal
II.3.2.4. Metoda topirii zonare fără recipient
Este o metodă utilizată pentru creşterea unor cristale cu puritate ridicată. Nu se
utilizează un recipient, ci bara din substanţă policristalină este susţinută de cilindri de grafit care
se încălzeşte local pentru a putea permite procesul de recristalizare.
Figura II.13. Metoda topirii zonare fără recipient

Pentru a fixa bara policristalină cu ajutorul cilindrilor de grafit se folosesc pompe de vid
pentru a evita impurificarea superficială a monocristalului. Diferenţa de temperaturi nu este
foarte mare astfel încât vâscozitatea peliculei de lichid să fie mare pentru a nu permite ruperea
barei în timpul procesului de cristalizare. Acest lucru duce la o neuniformitate ridicată a
concentraţiei de impurităţi ce este accentuată şi de controlul slab al vitezei de deplasare a
gradientului de temperatură.
II.3.2.5. Distribuţia impurităţilor în cazul cristalizării normale
Pentru determinarea concentraţiei de impurităţi se foloseşte un model matematic
simplificat având la baza următoarele ipoteze:
1. Coeficientul de distribuţie a impurităţilor nu depinde de temperatură.
2. Impurităţile nu difuzează deloc în masa solidă dar difuzează instantaneu în masa
lichidă.
3. Se neglijează regimul hidrodinamic în masa lichidă.
4. Densitatea substanţei în fază lichidă este apropiată de cea a substanţei în fază
solidă (ρS=ρL).
Figura II.14. Metoda de cristalizare normală

Pentru determinarea concentraţiei de impurităţi se definesc mărimile:
ms , mL  mase de substanţă aflate în faza solidă/lichidă la un moment oarecare de timp
m0= masa iniţială de substanţă
cs , cL  concentraţia de impurităţi în masa solidă/lichidă la un moment oarecare de timp
c0= concentraţia iniţială de impurităţi
ρ0= densitatea substanţei (ρ0=ρs=ρL)
S= aria secţiunii transversale a barei de monocristal care se formează
X= poziţia frontului de cristalizare la momentul t.
Calculul pleacă de la ecuaţia conservării masei totale de substanţă şi impurităţi:
ms  mL  m0 .şi ms cs  mLcL  m0c0
Ţinând cont ca m0 este constantă, prin diferenţiere se obţine:
d  ms   d  mL   0 şi d  ms cs   d  mLcL   0 . Cea de-a doua ecuaţie se poate rescrie
sub forma: cs d  ms   ms d  cs   cL d  mL   mL d  cL   0
Există două situaţii de calcul:
1. Monocristalul există în cantităţi mici astfel încât putem considera ms=0
În acest caz a doua ecuaţie devine: cs d  ms   cL d  mL   mL d  cL   0
ms  0  S  X , mL  0  S   L  X  , şi cs  k  cL
d  ms   0  S  dX d  mL   0  S  dX d  cs   k  d  cL 
, şi
k  cL  0  S  dX  cL 0  S  dX  0  S   L  X   dcL  0
 k 1  cL dX   L  X   dcL  0  L  X   dcL  1  k   cL dX

dcL dX
 1  k  
cL L  X integrând cu variaţia frontului de cristalizare
cL X
dc dX
c cLL  0 1  k   L  X ln cL
cL
  1  k   ln  L  X  0
X
0 obţinem c0
 k 1
c  X cL  X 
ln L   k  1 ln  1    1  
c0  L  , astfel c0  L
  k 1
 X
cL  c0  1  
  L
  k 1
  X
cS  k0 c0  1  L 
  
Pentru k<1 (există posibilitatea purificării cristalului) şi X=0 (începutul procesului)
obţinem cL=c0 şi cs=kc0. La X=L (sfârşitul procesului) cL=∞ şi cs=∞.
Figura II.15. Variaţia concentraţiilor pentru lichid şi solid pentru k<1

Pentru k>1 (există posibilitatea purificării cristalului) şi X=0 (începutul procesului)
obţinem cL=c0 şi cs=kc0. La X=L (sfârşitul procesului) cL=0 şi cs=0.
Bara de cristal va rezulta de puritate mai mică la capătul superior şi de puritate mai mare
la capătul inferior.
Figura II.16. Variaţia concentraţiilor pentru lichid şi solid pentru k>1

2. Monocristalul există în cantităţi mari
În acest caz se poate scrie: ms dcs  cs d  ms   cL d  mL   mL d  cL   0
ms  0  S  X , mL  0  S   L  X  şi cs  k  cL
d  ms   0  S  dX , d  mL   0  S  dX şi d  cs   k  d  cL 
0  S  X  k  dcL  k  cL  0  S  dX  cL  0  S  dX  0  S   L  X   dcL  0
1  k   cL dX  kX   L  X   dcL 1  k   cL  dX   k  1 X  L   dcL

dcL
 1  k  
dX dc
sau  L 
 k  1 dX
cL  k  1 X  L cL  k  1 X  L
 ln   k  1 X  L 
X
integrând cu variaţia frontului de cristalizare obţinem:  ln cL
cL
c0 0
c0  k  1 X  L

cL L
Astfel obţinem concentraţiile de impurităţi în lichid respectiv în solid de forma:
c0 kc0
cL  cs 
X X
1  1  k  1  1  k 
L L
obţinem cL=c0 şi cs=kc0. La X=L (sfârşitul procesului) cL= c0/k şi cs= c0.

Pentru k>1 (nu se poate purifica cristalul) şi X=0 (începutul procesului) obţinem cL=c0
şi cs=kc0. La X=L (sfârşitul procesului) cL=0 şi cs=0.
II.3.2.6. Distribuţia impurităţilor în cazul topirii zonare

Pentru determinarea profilului concentraţiei de impurităţi se foloseşte un model
matematic simplificat care se sprijină pe aceleaşi patru ipoteze:
1. Impurităţile difuzează instantaneu în lichid şi nu difuzează deloc solid.
2. Coeficientul de distribuţie a impurităţilor este independent de temperatură.
3. Se neglijează regimul hidrodinamic în masa lichidă.
4. Densitatea substanţei în fază lichidă şi solidă sunt aceleaşi (ρS=ρL).
Figura II.19. Metoda topirii zonare

Ecuaţiile sunt similare: msp  msm  mL  m0 .şi msp csp  msmcsm  mL cL  m0c0 unde:
msp  masă de substanţă solidă policristalină
msm  masă de substanţă solidă monocristalină
mL  masă de substanţă lichidă la un anumit moment de timp
m0= masa totală de substanţă
cL  concentraţia de impurităţi în masa lichidă la un moment oarecare de timp
c0= concentraţia iniţială de impurităţi
csm , csp  concentraţia de impurităţi în masa solidă monocristalină/policristalină
ρ0= densitatea substanţei (ρ0=ρs=ρL)
S= aria secţiunii transversale a recipientului
X= poziţia frontului de cristalizare la momentul t.
Diferenţiind relaţiile anterioare obţinem:
dmsp  dmsm  dmL  0 îndeplinită în mod intrinsec
csm dmsm  msm dcsm  cL dmL  mL dcL  csp dmsp  msp dcsp  0
Concentraţia substanţei policristaline este constantă de valoare c0.
Există două situaţii de calcul:
1. Substanţa monocristalină există în cantităţi mici astfel încât putem considera
msm  0 şi csm  cs
Ecuaţia se rescrie: cs dmsm  cL dmL  mL dcL  c0 dmsp  0
msm  0 SX
mL  0 Sb
msp   0 S  L  X  b 
dmsm  0 SdX
dmL  0
dmsp   0 SdX
cs  kcL dcs  k  dcL
Astfel ecuaţia devine:

kcL 0 SdX  0 SbdcL  c0 0 SdX  0
kdcL kdX

kcLdX  bdcL  c0dX  0 c0  kcL b
kX
X
ln  c0  kcL  c
cL

0 b 0
 c  kcL   kX  kX
ln  0   c0  kcL  1  k  c0 e b
 1  k  c0  b
1   kX

cL  c0 1  1  k  e b 
k  
  kX

cs  c0 1  1  k  e b 
 
obţinem cL=c0 şi cs=kc0. La X=L (sfârşitul procesului)
1   kX
 c
cL  c0 1  1  k  e b   0 pentru L  b şi cs= c0.
k   k

Pentru k>1 (nu se poate purifica cristalul) şi X=0 (începutul procesului) obţinem cL=c0
şi cs=kc0. La X=L (sfârşitul procesului) cL=0 şi cs=0.

2. Monocristalul există în cantităţi mari
 
În acest caz se poate scrie: msm dcs  cs d  msm   cL d  mL   mL d  cL   c0 d msp  0
Astfel ecuaţia devine: kcL 0 SdX  0kSXdcL  0kSbdcL  c0 0 SdX  0

kdcL kdX
 c0  kcL  dX   b  kX  dcL 
c0  kcL b  kX
ln  c0  kcL  c  ln  b  kX  0
cL X
c0  kcL b

1  k  c0 b  kX
   
c  1 k   1 k 
cL  0 1   cs  c0 1  
k X X
 1 k   1 k 
 b   b 
c0
obţinem cL=c0 şi cs=kc0. La X=L (sfârşitul procesului) cL  şi cs= c0.
k
II.3.3. Creşterea cristalelor din soluţii

Pentru o astfel de cristalizare soluţia utilizată conţine componentele:
- Substanţa de bază numită solvat cu temperatură de topire ridicată;
- Substanţa folosită pentru dizolvare numită solvent, cu temperatura de topire mult
mai mică;
Metoda de creştere a cristalelor din soluţii se foloseşte cu uşurinţă pentru formarea
cristalelor halogenurilor alcaline, însă pot fi folosite şi pentru alte tipuri de soluţii, unele dintre
ele utilizate în industria microelectronică. Metoda este utilizată când temperatura de topire a
materialului de bază este prea ridicată pentru a se folosi cristalizarea din topituri. Indiferent de
compuşii chimici ai soluţiei, solventul utilizat trebuie să îndeplinească următoarele condiţii:
1. Temperatura de topire a solventului trebuie să fie mult mai mică decât temperatura
de topire a materialului de bază, dorindu-se astfel creşterea cristalului la temperaturi
mici.
2. Solventul trebuie să aibă un coeficient de difuzie cât mai mic în substanţa
monocristalină;
3. Solventul trebuie să fie inactiv din punct de vedere chimic în raport cu substanţa de
bază;
4. Solventul trebuie să prezinte o presiune ridicată a vaporilor saturaţi, condiţie
necesară pentru ca solventul să nu se evapore cu uşurinţă;
Etapele principale ale procesului sunt:
1. Dizolvarea substanţei în solvent;
2. Difuzia în fază lichidă până la frontul de cristalizare a atomilor din substanţa de bază
(pe baza existenţei unui gradient de cristalizare);
3. Formarea cristalului prin depunerea succesivă de pelicule (încorporarea de atomi de
monocristal la nivelul frontului de cristalizare);
4. Disiparea căldurii monocristalului care apare inerent pe baza gradientului de
temperatură;
Această metodă are neajunsul că viteza de creştere este de două ori mai mică decât
viteza de creştere din topitură.
mA
Solubilitatea substanţei A în solventul B este:   100%
mA  mB
Solubilitatea este însă dependentă de temperatură. Cu cât este mai mare temperatura cu
atât solubilitatea este mai mare.
Micşorarea masei solventului (mB) se poate realiza şi prin trecerea curentului electric la
limita dintre solid şi soluţie (efectul PELTIE: la contactul a două materiale diferite trece curent
continuu dintr-o direcţie în alta, atunci contactul se poate încălzi într-o direcţie şi se poate răci în
altă direcţie).
Metoda creşterii din soluţii – topirea zonară
Din punct de vedere al gradientului de temperatură se alege o variaţie liniară în
interiorul cuptorului astfel încât picătura de lichid se va modifica constant, metoda numindu-se şi
metoda solventului mişcător. O primă posibilitate a topirii zonare este utilizarea unui gradient de
temperatură cu 3 paliere similar cu cel de la metoda creşterii din topituri (gradientul de
temperatură este unul abrupt).
Figura II.24. Metoda creşterii din soluţii - topirea zonară

O asemenea metodă se foloseşte doar cu scopul de reducere a temperaturii procesului de
cristalizare. Singura diferenţă faţă de topirea zonară este ca temperaturile sunt mult mai mici.
O a doua posibilitate de utilizare a topirii zonare este metoda solventului mişcător când
gradientul de temperatură este uniform.
Figura II.25. Metoda creşterii din soluţii - metoda solventului mişcător

Dacă se aleg cele două temperaturi astfel încât să fie mai mari decât temperatura de
topire a amestecului substanţei de bază şi solventului şi mai mici decât temperatura de topire a
substanţei de bază, în pelicula de lichid care se formează iniţial apare un dezechilibru de
concentraţii ce duce la difuzia atomilor substanţei de bază din zona cu temperaturi mai ridicate
către zona cu temperaturi mai scăzute. Această mişcare de difuzie modifică concentraţiile la cele
două fronturi. Concentraţia la frontul din dreapta are tendinţa de a scădea sub nivelul critic iar
cea de la frontul din stânga are tendinţa de a creşte peste nivelul critic pelicula deplasându-se
spre dreapta. Pe măsură ce se topeşte solidul policristalin de la dreapta se formează noi pelicule
de solid monocristalin la stânga rezultând o deplasare naturală a peliculei de lichid de la stânga la
dreapta.
Metoda creşterii din soluţii prin sublimare – condensare
Metoda este folosită pentru substanţe cu temperaturi normale de sublimare care pot
trece cu uşurinţă din stare solidă în stare gazoasă (au presiuni ale vaporilor saturaţi scăzute).
În general, se folosesc pentru compuşi ai cadmiului, zincului, telurului şi mercurului.
Gradientul de temperatură poate fi uniform sau poate prezenta două paliere,
corespunzător sublimării şi respectiv condensării iar forma recipientului permite şi formarea
germenului de cristalizare.
Figura II.26. Metoda creşterii din soluţii prin sublimare - condensare
Metoda reacţiilor chimice de transport
În cadrul acestei metode substanţa de bază (solid sau lichid) reacţionează într-o incintă a
recipientului, la o anumită temperatură, cu un gaz care poate avea şi rol transportor, formând un
compus gazos. Acest compus este transportat în altă incintă a recipientului unde disociază la altă
temperatură.
Metoda se utilizează atât în sisteme închise cât şi în sisteme deschise.
Figura II.27. Metoda reacţiilor chimice de transport în sisteme închise

Figura II.28. Metoda reacţiilor chimice de transport în sisteme deschise

A  B   C D
T1 13000 C
 2 SiCl2
2Si  Cl4 
(S ) (G) T  (G) (G) 2 11000 C
8000 C 2000 C
 SiCl4  2 H 2
Si  4 HCl   SiHCl3  H 2
Si  3HCl 
11000 C 11000 C
II.4. Tehnologia monocristalelor de siliciu

Există mai multe metode de obţinere a siliciului în cantităţi industriale. Aceste metode
presupun obţinerea de compuşi intermediari ai siliciului pornind de la un compus iniţial.
Cei mai comuni compuşi intermediari sunt: SiH2Cl3, SiH2Cl2. Aceşti compuşi
intermediari trebuie purificaţi prin metode specifice, ulterior fiind utilizaţi în reacţii chimice
adecvate pentru obţinerea siliciului monocristalin.
Etapele de obţinere a siliciului monocristalin pe bază de SiHCl3 (triclor silan)
Etapa 1. – obţinerea siliciului tehnic
Oxidul de siliciu se introduce într-un reactor împreună cu cox (FeC) şi se încălzeşte la
0
2000 C. Oxidul de siliciu reacţionează cu carbonul obţinându-se siliciu lichid şi monoxid de
carbon, gaz.
SiO2  C 
0
800 C
 Si L   SiO G   CO G 
Ulterior siliciul se răceşte rezultând policristale de siliciu de puritate tehnică conţinând o
cantitate de fier. Siliciul tehnic este supus apoi unui proces de măcinare şi sortare.
Etapa 2. – obţinerea siliciului intermediar
Si  3HCl 
0
300 C
 SiHCl3 G   H 2 G  - are viteza de desfăşurare mai mare
Si  4 HCl 
0
500 C
 SiCl4(G)  2 H 2(G)
Pentru aceste reacţii există posibilitatea adăugării unor catalizatori. În reactor este
folosit, în această etapă de obţinere a compuşilor intermediari şi un catalizator (praf de cupru),
care permite obţinerea în raport dorit a celor doi compuşi la o temperatură scăzută. De asemenea
concentraţia de SiHCl3 poate fi obţinută prin adăugarea de hidrogen pur în reactor.
Etapa 3. - urmează separarea celor doi compuşi intermediari prin procedeul de distilare
fracţionară. Într-o incintă se fierbe compuşii (temperaturile de fierbere sunt 31.80C pentru SiHCl3
şi 570C pentru SiCl4). Într-o altă incintă are loc operaţia de condensare (trecerea din starea de
vapori în starea solidă) obţinându-se siliciu policristalin sub formă de granule sau bare.
Urmează un proces de recristalizare şi purificare prin recristalizare obţinându-se siliciu
monocristalin sub formă de bare.
II.5. Prelucrarea mecanică şi chimică a barelor de siliciu monocristalin

Obţinerea plachetelor de siliciu monocristalin utilizate în industria microelectronică se
face în etape:
1. Şlefuire laterală a barelor de siliciu cu scopul de a obţine abateri radiale cât mai
mici. Şlefuirea presupune fixarea barelor pe un suport special (strung specializat) în poziţie
orizontală şi scufundarea într-o baie ce conţine pulbere de diamant. Prin rotirea barei în jurul
propriei axe are loc şlefuirea.
Figura II.29. Şlefuirea laterală

2. Separarea plachetelor se face prin tăierea barei de monocristalin sub formă de
discuri folosind metode speciale. Primele metode de tăiere au fost utilizarea unor fierăstraie cu
pânză de cupru însă datorită maleabilităţii pânzelor apăreau defecte de planaritate mari.
Figura II.30. Metodă de tăiere cu pânză de cupru

Se pun 200 de pânze una lângă alta la distanţe egale, pentru tăierea uniformă a
cristalelor. Deasupra acestui lingou se toarnă o soluţie din apă cu praf din carbid de siliciu.
De pânza de cupru nu se lipeşte această suspensie care şlefuieşte şi taie cristalul.
O a doua metodă este tăierea cu laser, care are o grosime de 0.3-0.5mm, şi se utilizează
pentru tăieri nu prea adânci (aproximativ 1mm).
Cristalele au început să se taie apoi cu nişte discuri de oţel cu grosime foarte mică, la care
muchia de tăiere era exterioară. La marginea acestui disc se află cupru şi pulbere de diamant.
Figura II.31. Tăierea cu disc de oţel cu muchie de tăiere exterioară

Discul are 5000 rotaţii/min din cauza aceasta el este răcit cu apă.
Această metodă tot nu este bună, deoarece, dacă se vrea să se taie o plachetă de 100mm
discul trebuie să fie de 200mm minim. El fiind atât de mare creează vibraţii care măresc
grosimea tăieturii şi astfel se duce mult produs la deşeuri.
Actualmente se folosesc metode de tăiere cu discuri cu muchie de tăiere interioară
(strung japonez). Aceste discuri sunt din oţel dar muchia de tăiere este din praf de diamant
Figura II.32. Disc cu muchie de tăiere interioară
Figura II.33. Centrifugă pentru tăierea cu discuri cu muchie de tăiere interioară

Discurile sunt fixate pe o centrifugă, bara de siliciu monocristalin se introduce in
interiorul acestor discuri iar plachetele tăiate cad în interiorul ei. Apoi cu ajutorul unui jet de aer
sunt preluate şi împachetate.
3. Şlefuirea superficială a plachetelor ce are rolul de a elimina abaterile de
planaritate. Şlefuirea are loc în trei etape, primele două folosind o pulbere de diamant ce conţine
granule de 20µm respectiv 10 µm, iar a treia etapă, numită şi poleire de tip oglindă, foloseşte o
pastă cu granule de diamant cu diametrul de 1 - 5µm
Figura II.34. Slefuirea plachetelor

Operaţia de şlefuire se face cu strunguri speciale. Plachetele sunt încălzite, după care cu
ajutorul cleiurilor se ung, se răcesc, apoi se şlefuiesc cu ajutorul unor discuri de oţel rotative.
După operaţia de şlefuire are loc poleirea de tip oglindă ce se realizează doar pe o
singură faţă, cealaltă rămânând doar şlefuită.
După primele două etape de şlefuire pot apare abateri de ±10µm, dar după ultima etapă
abaterile sunt sub 1µm.
4. Prelucrarea chimică a plachetelor. Ca urmare a operaţiilor mecanice anterioare,
plachetele prezintă defecte la nivel superficial. Primele straturi atomice prezintă fisuri ce trebuie
înlăturate prin operaţia de corodare, deoarece dispozitivele semiconductoare nu pot fi realizate
din materiale imperfecte.
Corodarea constă în oxidarea plachetei (folosind H2O2 HNO3 H2SO4) şi apoi eliminarea
oxidului. Germaniul se corodează uşor în apă.
Ge  H 2O2 
 GeO  H 2O
GeO  H 2O2 
 GeO2  H 2O
GeO2  H 2O 
 H 2GeO3
Figura II.35. Viteza de corodare a Ge

Folosind corodarea chimică se poate găsi grosimea totală a straturilor defecte, măsurând
viteza de corodare în funcţie de grosimea stratului înlăturat:
Figura II.36. Viteza de corodare în funcţie de grosimea stratului înlăturat

La început viteza de corodare este mare, dar la un moment dat în strat avem o viteză de
corodare constantă ceea ce înseamnă că s-a eliminat stratul cu defecte.
Corodarea siliciului poate avea loc prin utilizarea a două componente: HNO3 (oxidant
puternic) şi HF (corodant al oxidului format)
Si  4 HNO3 
 SiO2  4 NO2(G)  2 H 2O
SiO2  4 HF 
 SiF4(G)  2 H 2O
În figura următoare este reprezentată viteza de corodare în funcţie de concentraţia
substanţelor:
Figura II.37. Viteza de corodare în funcţie de concentraţia substanţelor

Capitolul III. Formarea de pelicule în industria microelectronică
Având în vedere că orice circuit integrat reprezintă o succesiune de semiconductoare,

conductoare şi dielectrice formate la suprafaţa plachetei, aceasta fiind dopată corespunzător, se
justifică studiul modului de formare a peliculei pe suprafaţa unui suport.
În electronică se utilizează trei tipuri:
1. pelicule dielectrice (izolatoare);
2. pelicule metalice (conductoare);
3. pelicule epitaxiale (semiconductoare);
Peliculele se pot forma în două moduri:
1. Reacţii chimice între suport şi un agent chimic cu scopul obţinerii unui anumit tip de
peliculă la suprafaţa suportului sau prin reacţii chimice între două substanţe
oarecare, rezultatul fiind o peliculă ce poate fi poziţionată la orice distanţă faţă de
suport.
2. Utilizarea de metode de depunere cu caracteristica preponderent fizică (evaporare în
vid, pulverizare în plasmă)
III.1. Formarea de pelicule dielectrice la suprafaţa suportului

III.1.1. Formarea oxidului de siliciu prin oxidare termică
Operaţia de oxidare este relativ simplă şi se poate desfăşura şi la temperatura camerei,
însă viteza de desfăşurare ar fi mult prea scăzută. În condiţii industriale contează puritatea
agentului utilizat şi viteza procesului. Pentru asigurarea unui compromis între viteza de
desfăşurare şi calitatea oxidului format se utilizează trei metode:
1. Oxidarea în oxigen uscat
0
Si  O2 
1200 C
 SiO2
2. Oxidarea în vapori de apă
0
Si  2 H 2O 
1200 C
 SiO2  2 H 2
3. Oxidarea în oxigen umed
0
2Si  O2  2 H 2O 
1200 C
 2 SiO2  2 H 2
Temperatura de oxidare este influenţată de profilul joncţiunilor existente în plachetă şi de
grosimea stratului de oxid ce trebuie crescut.
Într-un singur proces se pot introduce sute de plachete de siliciu, oxidarea realizându-se
într-un tub deschis.
Instalaţia industrială, care în principiu poate îndeplini oxidarea în oxigen uscat, oxigen
umed sau în vapori de apă arată ca în figura de mai jos:
Figura III.1. Instalaţia pentru realizarea oxidării

Pentru k1 deschis şi k2, k3 închise obţinem oxidare în oxigen uscat, k1 k2 închise şi k3
deschis obţinem oxidare în vapori de apă iar pentru k1 închis şi k2, k3 deschise obţinem oxidare în
oxigen umed.
III.1.1.1. Oxidarea în oxigen uscat
Cu această metodă se obţine un oxid de foarte bună calitate, cu densitate ridicată, însă
viteza de creştere este scăzută. Există tehnici de accelerare a procesului ce presupune folosirea
câmpului electric. Aceste tehnici ţin cont de faptul că oxigenul este ionizat la temperaturi înalte
şi accelerează deplasarea gazului de reacţie spre suprafaţa plachetei de la nivel superficial până la
un nivel mai profund în interiorul plachetei.
Figura III.2. Accelerarea oxidării în oxigen uscat

Pentru V>0 se obţine o accelerare a oxidării uscate. Oxidarea uscată este folosită pentru
formarea de pelicule dielectrice subţiri necesare pentru construirea dispozitivelor MOS sau a
unor condensatoare la care dielectricul trebuie să fie de calitate foarte bună.
III.1.1.2. Oxidarea în vapori de apă
Această metodă este foarte rapidă dar realizează un oxid de proastă calitate. viteza de
deplasare este datorată în esenţă difuziei grupării de hidroxil (OH) în stratul de oxid format ce
duce la formarea unor porozităţi prin care agentul de corodare poate pătrunde uşor. Calitatea
proastă este datorată porozităţilor cât şi atomilor reziduali de H2 care sunt încorporaţi în oxid, în
urma reacţiei chimice.
Oxidarea în vapori de apă este folosită rareori pentru formarea de pelicule dielectrice.
III.1.1.3. Oxidarea în oxigen umed
Este metoda cea mai des utilizată în formarea peliculelor de oxid groase cu rol
protector. Ea oferă un compromis bun între viteza de deplasare şi calitatea oxidului.
Calitatea peliculei de oxid groase nu este un factor care să determine semnificativ
performanţa circuitului, pelicula de oxid în sine poate fi de calitate mai slabă dar calitatea
interfeţelor cu celelalte materiale să fie mai bună. Din acest motiv în practică se preferă o
succesiune de operaţii de tip oxidare uscată – umedă – uscată.
III.1.2. Cinetica oxidării termice

Cinetica oxidării termice oferă informaţii despre grosimea stratului de siliciu consumat
pe parcursul unui proces de oxidare şi despre viteza de creştere a stratului de oxid.
Se presupune un proces de oxidare uniformă în oxigen uscat:
Figura III.3. Suprafaţa plachetei pe care se depune oxid de siliciu

Si  O2  SiO2
Notând:
mSiO2 - masa de dioxid de siliciu format
mSi - masa de siliciu consumat
X SiO2 - grosimea stratului de dioxid de siliciu format
X Si - grosimea stratului de siliciu consumat
SiO - densitatea stratului de dioxid de siliciu format
2
Si - densitatea plachetei

S plach - suprafaţa plachetei
N SiO2 - numărul de molecule de dioxid de siliciu
NSi - numărul de molecule de siliciu
M SiO2 - masa unei molecule de dioxid de siliciu
M Si - masa unei molecule de siliciu
Ştiind că N SiO2  N Si şi mSiO2  SiO2  X SiO2  S plach  N SiO2  M SiO2 ,
mSi  Si  X Si  S plach  N Si  M Si
 SiO  X SiO  S plach N SiO2  M SiO2


2 2
Raportul maselor rezultă: astfel încât
 Si  X Si  S plach N Si  M Si
SiO M Si
X Si  0.45  X SiO2 X Si  X SiO2  2

Si M SiO
2
SiO M Si
2
  0.45
Si M SiO 2
În cazul altor procese de oxidare raportul dintre numărul de atomi ai substanţei de bază
care se consumă şi numărul de atomi de oxid poate fi diferit de unu iar grosimea va fi descrisă de
SiO M Si N Si
relaţia: X Si  X SiO2  2
 
Si M SiO N SiO
2 2
3
De exemplu la formarea oxidului de aluminiu 2 Al  O2 
 Al2O3 raportul
2
N Al
 2.
N Al2O3
Pentru determinarea vitezei de creştere a stratului de oxid se presupune că procesul de
oxidare termică presupune o înlănţuire de patru mecanisme, dintre care trei sunt datorate agitaţiei
termice.
1. Deplasarea agentului de oxidare din interiorul masei gazoase către suprafaţa
plachetei până la interfaţa dintre oxid şi gaz (o parte din moleculele de oxigen pătrund în stratul
de oxid).
2. Absorbţia moleculelor de oxigen în stratul de oxid (dizolvarea oxigenului în
stratul de oxid) presupune pătrunderea moleculelor de oxigen în stratul de oxid la nivel
superficial, moleculele se lovesc de suprafaţa plachetei dar nu toate intră în stratul de oxid.
3. Difuzia moleculelor de oxidare prin stratul de oxid presupune deplasarea
moleculelor de oxigen de la interfaţa oxid – gaz la interfaţa oxid – siliciu. Toate aceste deplasări
sunt consecinţe ale agitaţiei termice şi se desfăşoară pe direcţia gradientului de concentraţie (din
zone cu concentraţie mare spre zone cu concentraţie mică).
4. Reacţia propriuzisă presupune interacţiunea dintre atomii de siliciu şi atomii de
oxigen rezultând molecule de oxid de siliciu.
Fiecare dintre aceste mecanisme este caracterizat de un flux de agent de oxidare. Fluxul
reprezintă cantitatea de substanţă care trece prin unitatea de suprafaţă în unitatea de timp.
Fluxul asociat transportului agentului de oxidare este proporţional cu diferenţa
concentraţiilor în interiorul atmosferei şi cea de la nivelul interfeţei oxigen – oxid.
F1  h  c0  c1  unde h este o constantă de transport
Fluxul asociat procesului de dizolvare este:
F2    c1  c2  unde δ este o constantă de dizolvare
Fluxul asociat procesului de deplasare a atomilor de oxidare prin suprafaţa oxidului este
(originea se consideră începutul plachetei):
c3  c2
F3   D unde D este o constantă de difuzie
X SiO2
Fluxul asociat reacţiei chimice care consumă din agentul de oxidare este:
F4  kc3 unde k este o constantă de desfăşurare a reacţiei chimice
Figura III.4. Determinarea vitezei de creştere a stratului de oxid

Toate aceste constante sunt dependente de temperatură în special primele trei care sunt
asociate deplasării. În condiţii de echilibru termodinamic nu apare deficit de agent de oxidare
astfel încât putem scrie: F1  F2  F3  F4 . Din relaţia F3  F4 putem determina concentraţia la
c3  c2  kX 
nivelul oxidului de siliciu:  D  kc3 , c2  c3 1  
X  D
c2  c3  D  D
Din relaţia F2  F3 obţinem   c1  c2   D astfel încât c1  c2 1    c3
X  X  X
 kX k 
sau c1  c3 1   
 D 
  
Din relaţia F1  F2 obţinem h  c0  c1     c1  c2  astfel încât c0  c1 1    c2
 h h
 kX k      kX    kX k  
c0  c3 1    1    c3 1   c0  c3 1   
 D   h   D h  D  h 
c0
c3 
 kX k  
1  D    h 
 
dX F
Viteza de creştere a stratului de oxid este: v   ; unde N0 este numărul de atomi
dt N 0
care au pătruns în unitatea de timp
dX c0 dX k dX  k k  dX
F  kc3  N 0  N0 N0 X  N 0 1     kc0
dt  kX k   dt D dt  h   dt
1  D    h 
 
dX  1 k k  dX c0 D
X  D    
dt  k h   dt N0
1 k k  cD dX dX
Notând: A  D     şi B  0 obţinem ecuaţia X A B
k h   N0 dt dt
d 1 2 
Pentru a rezolva această ecuaţie o putem rescrie sub forma:  X  AX   B
dt  2 
1 2
Integrând ecuaţia anterioară vom obţine ecuaţia X  AX  Bt şi vom rezolva o
2
ecuaţie de gradul doi de forma: X 2  2 AX  2 Bt  0 ecuaţie ce reprezintă ecuaţia matematică a
oxidării termice a siliciului.
2 A  4 A2  8 Bt
Soluţiile acestei ecuaţii se pot scrie: X 1,2    A  A2  2 Bt
2
Grosimea stratului de oxid având expresia X  t    A  A2  2Bt
Pentru intervale mici ale procesului de oxidare care corespund peliculelor subţiri de
oxid 2Bt  A2 iar expresia grosimii stratului de oxid devine:
A2  2Bt  A2 2Bt B
X t     t obţinându-se o creştere liniară
A2  2Bt  A A2  2Bt  A A
Pentru intervale mari ale procesului de oxidare care corespund peliculelor groase de
oxid 2Bt  A2 expresia grosimii stratului de oxid devine: X  t    A  A2  2Bt  2Bt
Figura III.5. Variaţia grosimii stratului de oxid în timp

În circuitele integrate grosimea peliculei de SiO2 este mai mică decât 500Å (100 de
straturi moleculare de oxid). Aceste pelicule se caracterizează printr-o tensiune de străpungere
Estr(peliculă groasă)=106V/cm şi Estr(peliculă subţire-500Å)=5*107V/cm.
Cu cât timpul este mai mare, cu atât grosimea peliculei este mai precisă, calitatea este
mai bună dacă aceasta este oxidată în oxigen uscat şi la temperaturi minime posibile. Se doreşte
ca timpul de oxidare să fie cât mai lung pentru a putea controla bine grosimea (se vor folosi 400
– 450ºC).
Alternativa de formare a peliculelor dielectrice este depunerea acestora în urma unor
reacţii de sinteză/descompunere care nu consuma din materialul plachetei.
SiH  O 
 SiO  2 H
4 2 2 2
Această reacţie poate avea loc şi la temperatura camerei dar are dezavantajul că silanul
este un gaz explozibil în reacţie cu aerul iar pentru a nu exploda trebuie să punem cantităţi foarte
mici din această substanţă. Instalaţia de depunere a oxidului de siliciu cu ajutorul silanului este
descrisă în figura următoare:
Figura III.6. Instalaţia de depunere a oxidului cu ajutorul silanului

N2 este folosit pentru a evita pericolul exploziei şi de a scoate aerul din instalaţie iar
oxigenul vine exact deasupra suportului pentru ca pelicula să se depună numai pe acesta şi nu pe
toţi pereţii instalaţiei.
Grosimea peliculei creşte liniar cu concentraţia lui SiH4, şi viteza reacţiei la un moment
dat este constantă.
Pentru a depune pelicule de SiO2 se mai foloseşte aşa numita metoda pirolizei, numită şi
descompunerea termică a unei substanţe care conţine molecula de SiO2.
În tehnologia microelectronicii se foloseşte ca substanţă iniţială tetraetaxisilanul, o
substanţă organică care are formula: Si(OC2H5)4. Această substanţă are temperatura de fierbere
t=167ºC şi temperatura de descompunere (piroliză) t=728 – 840ºC.
Si  OC2 H5 4 
 SiO2  C2 H 4  alti compusi
Această substanţă este otrăvitoare şi reprezintă un lichid străveziu (în condiţii
atmosferice) care în principiu se poate polimeriza sub acţiunea razelor solare.
Construcţia instalaţiei pentru depunerea acestei pelicule de SiO2 arată ca în figură:
Figura III.7. Instalaţia pentru depunerea oxidului prin piroliză

Pentru formarea peliculei se deschide robinetul 1 scoţându-se aerul din reactor şi se
introduce argonul, apoi se închide robinetul 1 şi se deschide robinetul 2şi 3 iar pe suport are loc
reacţia de piroliză. Pentru eliminarea gazelor rezultante se foloseşte glicerina pentru că are o
presiune a vaporilor saturaţi mică şi nu intră în reactor.
Grosimea peliculei creşte cu temperatura plachetei, viteza reacţiei chimice depinzând
exponenţial de temperatură.
Figura III.8. Grosimea peliculei în timp

Cuptorul poate avea două regiuni de temperatură, o temperatură mare pentru piroliză şi
una mai mică de depunere, la temperatură mai mică pelicula depusă are adeziune mai bună la
suport.
Figura III.9. Regiuni de temperatură în cuptor

III.1.3. Depunerea peliculei de Al2O3 şi Si3N4
Cea mai simplă metodă este cea de descompunere termică a moleculei de Al(C3H7O)3
(această substanţă reprezintă un praf alb şi intră foarte uşor în reacţie chimică cu vaporii de apă
din aer). Această moleculă la temperatură nu mai mare de 120ºC se descompune în:
3 7 3


2 Al C H O 120 C  Al O  6C H  3H O
2 3 3 6 2
Când temperatura ajunge la 120ºC toată substanţa se vaporizează momentan. Grosimea
peliculei depuse depinde de cantitatea de substanţă din vaporizator. Această substanţă
hidrolizează foarte uşor, nu poate fi pusă în contact cu atmosfera. Ea trebuie cântărită cu mare
precizie. Într-un bol se pune cântarul şi în atmosferă de Ar se cântăreşte.
Pelicula are culoarea proporţională cu grosimea (grosimea peliculei se determină prin
culoare).
Pelicula de Si3N4 se obţine prin metoda care are la bază reacţia chimică:
1000C  Si N
3Si  2 N 
2 3 4
600C Si N  12H
3SiH  4 NH 
4 3 3 4 2
3SiCl  4 NH  Si N 12HCl
4 3 3 4
Instalaţia pentru obţinerea peliculei de Si3N4 este descrisă mai jos, grosimea peliculei
depinzând de fluxul reactanţilor: SiH4, NH3, N2.
Figura III.10. Instalaţia pentru depunerea Si3N4
III.2. Creşterea peliculelor epitaxiale

Epitaxia reprezintă procesul de depunere a unei pelicule monocristaline pe un suport
monocristalin. Cuvântul provine din greacă “epi” = pe; “taxis” = a aşeza
În cadrul aceluiaşi proces, în funcţie de natură, pelicula poate fi: monocristalină,
policristalină sau amorfă. Pentru a obţine pelicule monocristaline sunt necesare mai multe
condiţii:
- Materialul trebuie să aibă structură monocristalnă;
- La suprafaţa suportului trebuie să avem un material a cărui orientare cristalografică
să fie apropiată de cea a peliculei care se depune;
Dacă pelicula de siliciu se depune pe un suport monocristalin depunerea este cu siliciu
monocristalin iar dacă se depune pe oxid de siliciu depunerea este cu siliciu policristalin.
Procesele epitaxiale se împart în două categorii, funcţie de structura chimică a peliculei
şi structura chimică la nivel superficial a suportului.
1. Hemioepitaxie – pelicula depusă şi suportul la nivel superficial, au aceiaşi
structură chimică;
2. Heteroepitaxie – materialul care se depune şi suportul, la nivel superficial, au
structuri chimice diferite.
Epitaxia se încadrează în clasa generală a proceselor de depunere, metodele nu vor fi

principial diferite apărând doar particularităţi de implementare.
Există metode de creştere epitaxială din fază gazoasă (ce presupune procese de
sublimare – condensare) sau din fază lichidă (din soluţii).
Figura III.11. Metode de creştere epitaxială
III.2.1. Creşterea peliculelor epitaxiale de siliciu din tetra – clorură de siliciu

Această metodă de creştere din fază gazoasă utilizează reacţii chimice de transport,
peliculele putând fi dopate dacă se folosesc cloruri ale impurităţilor (bor, fosfor)
La bază se află reacţiile chimice:
SiCl4  2 H 2 
 Si  4 HCl
2 AsCl3  3H 2 
 2 As  6 HCl
2 BCl3  3H 2 
 2 B  6 HCl
Instalaţia conţine un sistem de alimentare cu gaze, reactorul propriuzis, sistemul de
alimentare cu energie electrică şi sistemul de control şi reglare a debitelor şi temperaturii.
În general, reactorul este realizat din cuarţ de puritate ridicată (rezistent la temperaturi
mari şi bun izolator din punct de vedere electric). acest reactor este încălzit în câmp
electromagnetic cu ajutorul unui inductor, curenţii care circulă prin inductor având frecvenţe
mari (3,56MHz). Inductorul este format dintr-un tub de cupru şi necesită în permanenţă răcire cu
apă. Plachetele de siliciu pe care vor fi crescute pelicule epitaxiale sunt aşezate pe feţele laterale
ale unui piedestal construit din grafit de puritate înaltă (bun conducător electric şi termic) şi
susţinute de cilindrii de susţinere.
Figura III.12. Instalaţia de creştere epitaxială din tetra-clorură de siliciu

În timpul operaţiei de depunere a peliculei piedestalul se roteşte pentru a asigura
depunerea uniformă a peliculelor pe suprafaţa tuturor plachetelor (se prelucrează simultan în jur
de o sută de plachete)
Figura III.13. Piedestalul pe care se aşează plachetele în reactor

Robinetele sunt din teflon care nu reacţionează cu gazele utilizate şi rezistă bine la
temperaturi ridicate. Aceste robinete sunt controlate de sistemul de control şi reglare a debitelor.
Ultimul vas permite eliminarea gazelor din reactor şi poartă denumirea de barbotor
La început toate robinetele sunt închise şi se introduc plachetele de siliciu după care se
închide ermetic instalaţia. Se deschide robinetul 4 şi se înlocuieşte aerul cu azot, operaţia durând
în jur de 15minute. Se deschide robinetul 1 introducându-se în instalaţie hidrogen. Nu se
introduce direct hidrogen deoarece există posibilitatea de explozie
Determinarea concentraţiei azotului în hidrogenul din interiorul instalaţiei se poate face
pe baza culorii pe care o are gazul din instaţatie în timpul arderii ce are loc la ieşirea
barbotorului, amestecul hidrogen şi azot arde cu flacără roşiatică iar hidrogenul pur arde cu
flacără albăstruie.
Se încălzeşte reactorul până la 12000C cu ajutorul inductorului astfel încât în interiorul
reactorului are loc operaţia de restabilire a siliciului din dioxid de siliciu.
0
SiO2  2 H 2 
1200 C
 Si  2 H 2O
Deşi siliciul s-a restabilit pe suprafaţa plachetei, la nivel superficial există defecte ca
urmare a prelucrărilor mecanice anterioare şi din acest motiv straturile superficiale de siliciu
trebuiesc eliminate prin corodare. Astfel placheta se încălzeşte la 12000C şi se introduce acid
clorhidric prin deschiderea robinetului 7. Expunerea în atmosferă de acid clorhidric se face pe o
perioadă de timp corelată cu grosimea stratului de siliciu ce conţine defecte.
0
Si  2 HCl 
1200 C
 SiCl2  H 2
Compuşii rezultaţi în urma corodării se elimină din reactor.
Se închide robinetul 7 şi se deschid robinetele 2,3,5 şi 6, păstrându-se temperatura de
0
1200 C. în reactor pătrund tetraclorura de siliciu AsCl3, hidrogenul fiind utilizat caun gaz
transportor.
0
SiCl4  2 H 2 
1200 C
 Si  4 HCl
2 AsCl3  3H 2 
 2 As  6 HCl
Aceste reacţii duc la formarea unei pelicule epitaxiale dopate pe suprafaţa plachetei.
Doparea se poate face şi cu alte substanţe caz în care se utilizează alte halogenuri (PCl3, BBr3)
însă arseniu este cel mai avantajos pentru că produce o concentraţie mică de defecte punctuale în
reţeaua cristalină.
Dacă se doreşte creşterea unei pelicule epitaxiale intrinseci robinetele 5 şi 6 nu se mai
deschid. Debitele substanţei introduse în instalaţie sunt controlate strict în corelaţie cu grosimea
dorită a peliculelor epitaxiale şi viteza de lucru. Trebuie luat în calcul şi faptul că reacţiile
chimice sunt accelerate la suprafaţa plachetei unde temperatura este uşor mai ridicată deoarece
suportul de grafit se încălzeşte puternic în câmp electromagnetic.
Apoi se închid robinetele 2,3,5 şi 6 şi se răceşte reactorul, se închide şi robinetul 1 şi se
deschide 4 pentru a înlocui hidrogenul din instalaţie cu azot, se deschide reactorul şi se pot
scoate plachetele.
III.2.2. Influienţa parametrilor de proces asupra vitezei de creştere a peliculelor

epitaxiale de siliciu din tetra – clorură de siliciu
1. Concentraţia de SiCl4 în amestecul gazos influenţează viteza de
creştere. Dacă concentraţia este mare surplusul de acid clorhidric poate duce la
corodarea plachetelor (viteză negativă)
Figura III.14. Viteza de creştere funcţie de concentraţia SiCl4

2. Orientarea reţelei cristalografice faţă de suprafaţa plachetei
afectează viteza de creştere, viteza optimă se obţine pentru o orientare 110 (orientare
paralelă cu una dintre axe)
Figura III.15. Dependenţa vitezei de creştere faţă de diferite

planuri de orientaţie a plachetei
3. Influenţa câmpului electric la suprafaţa plachetei. S-a constatat o
mărire a vitezei de creştere a peliculei în cazul în care câmpul electric este generat
de o tensiune negativă plachetă – electrod şi o scădere a vitezei de creştere în cazul
tensiunilor pozitive.
Figura III.16. Influenţa câmpului electric la suprafaţa plachetei

4. Influenţa razelor ultraviolete. Expunerea plachetei în timpul
creşterii la razele ultraviolete poate conduce la mărirea vitezei de creştere a
peliculei. Acest lucru poate fi speculat în procese de epitaxie selectivă acolo unde
procesul de epitaxie are loc mai rapid în zonele transparente şi mai incet în zonele
umbrite obţinând pelicule mai groase în zonele transparente.
Figura III.17. Influenţa razelor ultraviolete

III.2.3. Cinetica creşterii epitaxiale
Fie o plachetă de siliciu şi paralel cu aceasta curge un flux de SiCl4+H2. La o oarecare
distanţă de suprafaţa plachetei fluxul are concentraţia c1 şi mai departe nu se schimbă (c1 se
numeşte concentraţia lui SiCl4 în H2 la o depărtare destul de mare de suprafaţa plachetei unde
această concentraţie este mai departe constantă).
Figura III.18. Plachetă de siliciu căreia se aplică un flux de SiCl4

Dacă notăm c2 concentraţia de siliciu la suprafaţa plachetei creşterea epitaxială este o
înlănţuire de două fenomene: transportul de substanţă la suprafaţa plachetei şi reacţia chimică
propriuzisă. Astfel putem scrie fluxul asociat transportului de SiCl4 F1  h  c1  c2  unde h este o
constantă de transport. Fluxul asociat reacţiei chimice este F2  kc2 unde k este o constantă de
desfăşurare a reacţiei chimice.
În condiţii de echilibru termodinamic putem scrie: F1  F2 .astfel încât obţinem
kc2  h  c1  c2  sau c2 
h
c
k  h 1
Viteza de creştere este raportul dintre fluxul de substanţă şi numărul de atomi de siliciu
F 1 kh
pe unitatea de volum în pelicula formată astfel încât putem scrie v   c1
N0 N0  k  h 
Teoretic viteza este liniară cu concentraţia de SiCl4. Această teorie corespunde practicii,
dar numai pentru concentraţii mici, deoarece în teorie nu sunt introduse toate condiţiile. Aici nu
s-a calculat, nu s-a luat în vedere fluxul de HCl care este îndreptat de la suprafaţa plachetei în
interiorul reactorului. Practic viteza poate să scadă, la concentraţii mari, chiar să devină negativă.
III.2.4. Creşterea peliculelor epitaxiale a compuşilor AIIIBVdin fază gazoasă

În microelectronică dar mai ales în optoelectronică GaAs este unul dintre cei mai
utilizaţi compuşi AIIIBV. Creşterea peliculelor epitaxiale din fază gazoasă se face prin reacţii
chimice de transport de forma:
T1

A S , L  BG    C  ...

2 T G 
A – substanţă de bază care trebuie transportată (solidă sau lichidă) pentru a creşte
pelicula epitaxială;
B – este un gaz de reacţie numit transportor;
C – este un gaz care reprezintă produsul reacţiei chimice dintre substanţa A şi B.
La o anumită temperatură T1 substanţa A sau compus din A aflat în starea solidă sau
lichidă reacţionează cu un gaz formând un compus în stare gazoasă. Acest compus la
temperatura T2 eliberează substanţa A prin reacţie de descompunere care se depune sub forma de
peliculă. Metoda se poate utiliza atât în sisteme deschise cât şi în sisteme închise.
Metoda de creştere în sisteme închise
Sistemele sunt închise ermetic deplasarea realizându-se prin diferenţa de concentraţie
(difuzie). Metoda are la bază creşterea în atmosferă de iod şi este descrisă în figură:
Figura III.19. Metoda de creştere în sisteme închise

În prezenţa iodului care ar trebui să fie de puritate înaltă au loc reacţiile chimice:
0 1
2GaAs  I 2 
800 C
 2GaI  As4
2
1 7000 C
3GaI  As4   2GaAs  GaI 3
2
Această reacţie de transport se termină când substanţa este transportată în altă parte.
Putem stopa reacţia micşorând temperatura.
Pentru a scoate plachetele însă trebuie să tăiem fiola şi din această cauză această metodă
poate fi utilizată doar în laborator. Metoda nu oferă productivitate.
Metoda de creştere în sisteme deschise
Metoda se realizează cu instalaţia:
Figura III.20. Metoda de creştere în sisteme deschise

Pe linia magistrală se dă drumul la H2 şi în continuare noi vom încălzi reactorul până la
temperaturile: 450ºC, 800ºC, 700ºC.
Robinetele 1, 2, 3 deschise, AsCl3 ajunge în regiunea I împreună cu H2, acesta din urmă
restabilind suprafaţa plachetei de oxizi.
La 450ºC în regiunea I are loc reacţia:

2 AsCl  3H 450 C  1 As  6HCl
3 2 2 4
La 800ºC are loc:
 
2Ga  2 HCl 800 C  2GaCl  H Ga din regiunea a – II – a intră în reacţie
2
chimică cu vaporii din gazul de la prima reacţie (1/2As4+6HCl).
La 700ºC toate gazele din primele două regiuni merg în a – III – a :
1

3GaCl  As 700 C  2GaAs  GaCl
2 4 3
Această metodă este folosită în sistemul: universalitatea pistonului, care se prezintă
astfel:
Ga  AsCl  H  GaAs , pentru obţinerea peliculei de GaAs s-au folosit
3 2
substanţele: Ga, AsCl3 şi H2.
Pentru a obţine peliculă de GaP (cu aceeaşi instalaţie):
Ga  PCl  H  GaP
3 2
In  PCl  H  InP
3 2

In  PCl
3X

 AsCl 
3 1 X

 H  InP As
2 X 1 X
In y  Ga
1 y
 PCl
3X
 
 AsCl
3 1 X
 
 In yGa P As
1 y X 1 X
Doparea se realizează asigurând introducerea pe linia magistrală a vaporilor unor
substanţe ce sublimează la temperatura respectivă, de exemplu Zn pentru dopare de tip p şi telur
pentru dopare de tip n.
Figura III.21. Realizarea dopării în sistemele deschise

Acest sistem este universal. Zn şi Te sunt substanţe care se vaporizează direct din starea
solidă (prin sublimare).
III.2.5. Creşterea peliculelor epitaxiale a compuşilor AIIIBV din faza lichidă

(metoda Nelson)
În general, compuşii AIIIBV se cresc din faza lichidă din soluţii deoarece metaloizii au
temperatură de topire scăzută.
Această metodă a fost propusă pentru prima dată de savantul american Nelson în 1963.
Această metodă este cea mai ieftină, nu foloseşte substanţe otrăvitoare şi dă posibilitatea de a
creşte stratul sau pelicula cu o reţea cristalină desăvârşită , iar peliculele pot fi dopate în timpul
creşterii destul de uşor.
Figura III.22. Instalaţia pentru metoda Nelson

Instalaţia este formata din: 1 – încălzitor; 2 – reactor din quartz; 3 – casetă din grafit; 4 –
GaAs; 5 – Ga; 6 – plachetă GaAs.
Iniţial are loc o dizolvare a GaAs în Ga iar după această dizolvare trebuie să existe o
soluţie uniformă în partea de jos a casetei.
Variaţia temperaturii în interiorul cuptorului este descrisă de cinci zone ca în figură:
Figura III.23. Variaţia temperaturii în interiorul cuptorului

În regiunea I se aduce sistemul la temperatura T1 într-un anumit interval de timp apoi in
regiunea II se menţine sistemul la această temperatură pentru omogenizarea soluţiei existente. În
primele două regiuni reactorul este inclinat spre stânga. Se aduce reactorul în poziţie orizontală
iar în regiunea III se dizolvă stratul superficial de pe suprafaţa plachetei care conţine defecte. În
regiunea IV se răceşte sistemul rezultând o creştere a peliculei epitaxiale la suprafaţa plachetei.
Odată ce s-a terminat formarea peliculei se revine cu reactorul în poziţie înclinată ceea ce duce la
scurgerea soluţiei de pe suprafaţa plachetei.
În regiunea V se realizează o răcire lentă a cuptorului şi scoaterea plachetelor din
interior.
În genere, solubilitatea maximă a unei substanţe într-o soluţie depinde liniar de
temperatură.
Figura III.24. Solubilitatea la variaţia temperaturii

mAs
Astfel solubilitatea arseniului se poate scrie ca fiind   % , iar grosimea
mGa  mAs
mGa
stratului dizolvat se poate scrie: hdiz  k  T2    T1  
Supraf _ placheta 
mGa
hepitaxial  k  T2    T3   după regula pârghiei
Supraf _ placheta 
Figura III.25. Pelicula depusă prin metoda Nelson

Cerinţe faţă de solvenţii care se folosesc la creşterea epitaxială
1. Temperatura de topire a solventului mult mai mică decât cea a substanţei de bază
2. Solventul nu trebuie să treacă cu uşurinţă în faza gazoasă, la temperatură ridicată
3. În amestecul solvent –solvat substanţa trebuie să fie stabilă din punct de vedere
chimic.
În cazul compuşilor AIIIBIV doparea peliculei se realizează cu elemente din grupa II
pentru dopare de tip p şi cu elemente din grupa VI pentru doparea de tip n
Compuşii AIIIBIV se pot dopa şi cu elemente din grupa IV tipul fiind dat de modul în
care aceste elemente substituie substanţele din compusul binar. Germaniul duce la o dopare de
tip p substituind atomi de arseniu în timp ce staniu duce la dopare de tip n substituind atomi de
telur cu un surplus de electroni în banda de valenţă.
Siliciu are un caracter dual substituind atomi de Ga sau As. La peste 8500C substituie
atomi de Ga rezultând semiconductor de tip n iar sub 7500C substituie atomi de As rezultând
semiconductor p.
III.2.6. Creşterea peliculelor epitaxiale din faza lichidă limitată

Metoda diferă de metoda Nelson prin construcţia casetei care este de forma unui
cilindru de grafit tăiat pe suprafaţa laterală în interiorul căruia se introduc plachetele de GeAs în
perechi susţinute de membrane de grafit.
Fiecare plachetă are o suprafaţă în contact cu membrana şi una liberă expusă la
contactul cu exteriorul.
Întregul sistem este introdus într-un reactor în care se găseşte vid înalt iar variaţia
temperaturii este similară cu cea de la metoda Nelson. După etapa de pregătireîn care se aduce
soluţia de GaAs din vasul de cuarţ în faza lichidă şi se omogenizează în punctul 1 se introduce
cilindru în vas iar datorită forţelor de tensiune superficială şi pentru că cilindrul este tăiat lateral
soluţia pătrunde printre plachete. Astfel are loc umezirea plachetelor, după care cilindrul se
scoate din vas iar temperatura reactorului creşte la T2 pentru a obţine dizolvarea straturilor
superficiale care conţin defecte. Are loc apoi răcirea la temperatura T3 pentru a obţine stratul
epitaxial.
Figura III.26. Creşterea peliculelor epitaxiale din fază lichidă limitată

Înlăturarea soluţiei rămase între plachete se poate face prin centrifugare sau prin
utilizarea unui flux de gaz.
III.2.7. Metoda solventului mişcător

Este tot o creştere epitaxială din fază lichidă în gradient de temperatură. Întregul sistem
se află în vid şi este descris în figura de mai jos.
Figura III.28. Metoda solventului mişcător

La începutul procesului se dizolvă o mică cantitate din sursă, dar şi din plachetă
rezultând eliminarea defectelor superficiale.
Datorită faptului că concentraţia atomilor de arseniu la interfaţa sursă – solvent este mai
mare decât concentraţia de arseniu la interfaţa solvent – plachetă apare fenomenul de difuzie a
atomilor de arseniu prin solvent de la o interfaţă la cealaltă. Astfel scade concentraţia la interfaţa
solvent –sursă şi creşte la interfaţa solvent – plachetă. Aceste modificări ale concentraţiei permit
dizolvarea în continuare a materialului din sursă şi cristalizarea la plachetă.
Dependenţa vitezei de creştere a stratului epitaxial de temperatură este descrisă mai jos:
Figura III.29. Dependenţa vitezei de creştere a stratului epitaxial de temperatură

În următorul grafic avem reprezentată viteza de creştere a peliculei ( viteza de mişcare a
regiunii topite ) în funcţie de grosimea soluţiei de Ga dintre plachete.
Figura III.30. Viteza de creştere a peliculei în funcţie de grosimea soluţiei dintre plachete
Cu cât este mai mică grosimea soluţiei cu atât atomii de arseniu ajung mai rapid pe
frontiera de jos şi cu atât viteza de creştere este mai mare.
III.2.8. Doparea peliculelor epitaxiale în timpul creşterii

Se utilizează elemente chimice şi nu substanţe otrăvitoare cum este în faza gazoasă.
Pentru GaAs noi vrem să avem pelicule de tip n şi de tip p.
Figura III.31. Elemente chimice pentru doparea peliculelor epitaxiale

Dacă dopăm cu substanţele: Cd, Zn, Be, Ge se obţin conducţii de tip p. Astfel, Cd având
doi electroni ocupă locul Ga care are trei şi când dopăm cu Cd rezultă un gol şi ca urmare avem
conducţie de tip p.
Dacă dopăm cu substanţele: S, Se, Te, Sn se obţin conducţii de tip n. De exemplu, S
având şase electroni ocupă locul As care are cinci şi în urma dopării cu S rămâne un electron în
aer şi ca urmare avem conducţie de tip n.
Cu siliciu putem obţine conducţie atât de tip p cât şi de tip n. Această proprietate a
siliciului se numeşte proprietate amfoterică (această proprietate s-a observat numai în peliculele
de GaAs).
III.2.9. Particularităţile creşterii din faza lichidă a compuşilor ternari AlxGa1-xAs

Acest tip de peliculă este folosit mult la formarea heterojoncţiunilor laserelor.
AlAs este un material semiconductor care nu a fost folosit pentru că intră foarte repede
în reacţie chimică cu vaporii de apă din atmosferă şi se transformă în praf pe când structura
AlxGa1-xAs este stabilă în atmosferă şi poate fi utilizat.
Banda interzisă a acestui material este: Eg = 1.45 – 2.24eV.
Au fost elaborate două tipuri de casete care permit creşterea peliculelor epitaxiale de
acest fel, o casetă de tip penar şi una de tip seringă.
Iniţial placheta nu se află în niciunul din lăcaşuri dar trebuie să fie în
Figura III.32. Casetă de tip penar
în soluţia 3 avem Sn care este impuritate de tip n

în soluţiile 2 şi 1 avem Ge care este impuritate de tip p
Tot sistemul este introdus într-un reactor de quarţ şi încălzim la fel ca la metoda Nelson:

1 – punct de umezire a plachetei cu soluţie (topitură); 2 – punerea reactorului în
poziţia iniţială.
Împingem placheta astfel încât să nimerească sub prima soluţie pentru a se realiza
depunerea peliculei cu Al2O3.
Grafitul este străveziu pentru H2 , adică toată suprafaţa este acoperită cu un strat de
oxid.
Placheta împinsă înspre dreapta, muchia ei rupe pelicula de Al3O3 şi placheta se
umezeşte pe toată suprafaţa. După ce s-a umezit placheta ( în punctul 1 ) s-a ridicat temperatura
pentru a înlătura stratul de solvent de pe plachetă.
Când am ajuns în punctul 2 am tras placheta de sub topitura 1 şi am dus-o sub topitura 2
după ce am terminat creşterea peliculei cu topitura 1.
Scădem în continuare temperatura şi creăm din nou o altă peliculă ş.a.m.d.
În final avem trei pelicule pe care le-am crescut pe o singură plachetă.
Figura III.34. Pelicule crescute pe o singură plachetă

Când creştem pelicula de AlGaAs punem în faza lichidă 1% Al iar în faza solidă (
cristalizată ) vom primi 40% Al ; însă 40% nu este constant pe suprafaţa peliculei.
În graficul următor avem reprezentată schimbarea concentraţiei Al în %.
Figura III.35. Schimbarea concentraţiei Al

În această metodă soluţiile sunt nu sunt amestecate ( avantaj ) .
La început atomii de Al sunt mult mai active decât atomii de Ga şi formează primii
stratul epitaxial.
La un moment dat concentraţia Al este 0, după ce a avut 40%, şi se cristalizează GaAs
curat fără Al.
Dacă se schimbă concentraţia Al se schimbă şi lăţimea benzii interzise în acest material.
CAl ( S )
Coeficientul de segregaţie a Al , KAl = , se poate schimba în intervalul de
CAl ( L )
temperatură 200ºC – 400ºC şi este mai mare la temperaturi mai joase.
Neajunsuri: s-a crescut peliculă cu soluţia 1 şi după aceea dorim să creştem o altă
peliculă cu soluţia 2, dar în timpul tragerii din dreptul soluţiei 1 în dreptul soluţiei 2 stratul care
conţine Al se poate oxida , apar defecte între straturi.
Caseta de tip seringă
Figura III.36. Casetă de tip seringă

Pistonul este împins şi soluţia topită intră deasupra plachetei, strecurată de pelicula de
Al2O3 şi apoi umezită. Când răcim creşte pelicula de soluţia I . Soluţia numărul II curge prin
orificiu, o împingem cu pistonul; prima soluţie se va dizolva şi va fi înlocuită de a doua soluţie.
Soluţiile s-au amestecat toate şi nu mai pot fi folosite ( dezavantaj ).
Capitolul IV. Tehnologia fotoreceptorilor şi a laserelor cu

heterojoncţiuni
Aceste dispozitive stau la baza circuitelor optoelectronice. Elementele solare cu

heterojoncţiuni au cel mai mare randament.
IV.1. Bazele fizice de funcţionare a elementelor solare

Avem un material de tip n GaAs şi pe suprafaţa lui se creşte o peliculă epitaxială de tip
p cu bandă interzisă mare.
Figura IV.1. Benzile energetice pentru materialul GaAs de tip n

Iluminăm această heterojoncţiune cu un spectru solar care are intensitatea fotonilor în
funcţie de energia lor. Dacă energia hυ căzută pe suprafaţa heterojoncţiunii este mai mică decât
1.45eV, rezultă că nu se absorb electroni pentru că energia lor nu este destul de mare ( energia
fotonului este mai mică decât banda interzisă a materialului). Dacă energia fotonulor 1.45  hυ
 2eV, fotonii vor trece liber din partea dreaptă spre stânga, energia unui foton fiind suficientă
pentru a excita un electron şi de a-l ridica din partea stânga jos în sus rămânând acolo un gol
unde se formează o pereche electron – gol. Dacă hυ > 2eV s-ar ivi în partea dreaptă o pereche
electron – gol.
Toţi fotonii formează perechi electron – gol în partea stângă.
Golul din partea stîngă jos va trece în partea dreaptă jos şi va compensa încărcătura unui
electron, iar prin circuitul exterior va trece un curent format dintr-un electron; electronul din
partea stângă sus nu poate trece în partea dreaptă sus deoarece el nu poate trece bariera, prin
urmare potenţialul câmpului electric interior s-a micşorat.
Acest element solar converteşte în energie electrică doar porţiunea dintre 1.45 şi 2eV.
Elementul solar s-ar putea realiza astfel:
Figura IV.2. Realizarea elementului solar

Acest element solar are următoarea caracteristică spectrală:
Figura IV.3. Caracteristica spectrală a elementului solar

Ps
Randamentul: η = , unde Ps = puterea sarcină , P0 = puterea incidentă a soarelui.
P
0
IV.2. Determinarea randamentului elementului solar
Pentru a determina randamentului se face următoarea analiză:
Figura IV.4. Determinarea randamentului elementului solar

Când schimbăm valoarea rezistenţei Rs avem următoarea caracteristică:
Figura IV.5. Caracteristica I(U) pentru elementul solar

unde Isc = 25 mA/cm2
Mărind Rs putem micşora curentul până la zero. Dacă Rs are valoare maximă atunci
punctul 1 se numeşte tensiunea mersului în gol. Când Rs = 0 , nu există tensiune pe Rs, curentul
este maxim, iar punctul 2 se numeşte curent de scurtcircuit.
Pentru a determina acest randament vom construi un dreptunghi care are suprafaţa
maximă posibilă.
Il = curent de lucru
Ul = tensiune de lucru
I U
η= l l
P
0
Astăzi η = 30%, in trecut era de 11%.
De exemplu de pe o singură plachetă se pot creşte mai multe elemente solare:
Figura IV.6. Realizarea mai multor elemente solare pe aceiaşi plachetă

buffer – strat epitaxial monocristalin
Primul strat se corodează foarte uşor în HCl şi se corodează până când elementul solar
se dezlipeşte (se înlătură stratul buffer de pe plachetă).
Figura IV.7. Eliminarea stratului buffer de pe placheta

Placheta nu are defecte, din ea nu s-a corodat nimic, şi din nou se introduce la epitaxie,
se creşte iar un element solar şi acesta se scoate de pe suprafaţa plachetei. Astfel se pot scoate 50
– 60 elemente.
Elementul solar trebuie să aibă două contacte, care trebuiesc tratate termic, pentru ca el
să aibă o adeziune bună în semiconductor.
Figura IV.8. Realizarea contactului sub pelicula depusă

Dacă depunem un contact sub pelicula de n GaAs, aceasta trebuie tratată termic.
Tratarea se face cu ajutorul laserului infraroşu, care nu încălzeşte răşina.
IV.3. Tehnologia laserelor

Pentru a realiza un laser, trebuie să ştim principiu de lucru a acestuia şi să construim
diagrama energetică a acestuia( care a fost propusă de savantul rus Alferov).
Figura IV.9. Nivelele energetice ale laserului

Pentru a creşte din faza lichidă, pe o plachetă se creşte întâi primul strat, al doilea strat
şi apoi al treilea strat. Avem trei soluţii şi tragem suportul ca la metoda cu caseta penar.
Figura IV.10. Depunerea peliculelor penru construirea laserulu

Polarizăm direct (“+”la p+ şi “-”la n ).
Din primul emitor are loc injecţia electronilor în regiunea activă, ei sar prima barieră dar
nu sar şi de a doua barieră pentru că este prea înaltă.
Din al doilea emitor se injectează goluri care vor trece numai peste prima barieră, nu şi
de a doua.
Condiţii ca laserul să poată funcţiona:
- suprapopulaţia nivelelor:
Figura IV.11. Suprapopularea nivelelor

Se injectează electroni în banda de conducţie şi goluri în banda de valenţă. Rezultă o
creştere a nivelelor de electroni şi goluri, prin urmare avem suprapopulaţie datorată injecţei.
- rezonatorul Fabri – Pero ( este format din două oglinzi la margine, una semitransparentă
şi una care să reflecte): laserul trebuie să emită o lumină cu aceeaşi energie a fotonilor, şi
pentru aceasta se utilizează două oglinzi la margine care se numesc rezonatorul Fabri –
Pero.
Energia pe care o are electronul în banda de conducţie a fost emanată sub formă de
foton ( lumina laserului). La margine ( electronii care se găsesc pe nivelul cel mai înalt al benzii
de conducţie) electronul se recombină cu un gol şi pentru ca să nu fie altă energie se pun două
oglinzi, şi fotonul format se loveşte de o oglindă de alta şi simulează alte perechi electron-gol
care dau aceeaşi energie.
Construcţia laserului pentru a putea lucra
Figura IV.12. Modul de construcţie a laserului

Laserul tăiat arată astfel:
Figura IV.13. Secţiune prin laser

PARTEA II
Capitolul V. Etapele de bază pentru formarea joncţiunilor p–n
Operaţiile tehnologice pentru realizarea joncţiunilor p–n fac parte din categoria celor
referitoare la doparea controlată a materialelor semiconductoare.
Doparea controlată a materialelor semiconductoare se poate realiza prin difuzie sau prin
implantare ionică.
O altă posibilitate de a obţine un semiconductor cu dopare controlată este operaţia de
depunere a peliculelor epitaxiale.
Dacă în procesul de depunere epitaxială, pelicula semiconductoare nou formată poate
avea caracteristici complet independente de ale suportului semiconductor pe care se realizează
depunerea, în cazul difuziei şi implantării ionice are loc schimbarea caracteristicilor suportului în
anumite regiuni ale acestuia prin pătrunderea în interior a altor substanţe dopante.
V.1. Teoria difuziei

Difuzia este un proces de pătrundere a atomilor unei substanţe printre atomii altei
substanţe, datorită mişcării de agitaţie termică. Deşi mişcarea de agitaţie termică este haotică,
difuzia are un caracter orientat, desfăşurându-se pe direcţia gradienţilor de concentraţie ai
substanţei.
În principiu difuzia are loc la temperaturi mari în toate cele patru stări ale materiei: în
solide, lichide, gaze, plasmă.
Prin procese de difuzie se pot obţine joncţiuni p–n cu suprafaţa cuprinsă între μm2 și
până la zeci de cm2, cu grad de reproductibilitate a parametrilor joncţiunii foarte bun
(concentraţia impurităţilor, adâncime, etc.).
Mecanismele de realizare a difuziei în solide pot fi:
- Mecanisme de difuzie interstiţială – în care atomii de impuritate pătrund între
nodurile reţelei (în interstiţii);
- Mecanisme de difuzie în vacanţe – în care atomii de impuritate ocupă locurile
libere (vacanţele) ale reţelei cristaline;
- Mecanisme de difuzie substituţionale – în care atomii de impuritate au energii mari
şi pot disloca atomi ai reţelei cristaline de bază.
V.1.1. Legile difuziei

Legile difuziei (pentru gaze) au fost formulate de Fick în 1889 şi descriu procesul
difuziei foarte bine şi în solide.
Aceste legi stabilesc legături intre fluxul de substanţă în sistem şi concentraţia de
substanţă din sistemul termodinamic.
Prima lege a lui Fick stabileşte legătura între fluxul de substanţă şi gradientul de
N
concentraţie F   D unde:
x
F reprezintă fluxul de substanţă, adică numărul de atomi care pătrund printr-o unitate de
atomi
suprafaţă într-o unitate de timp;  F SI 
m2  s
D este o constantă de difuzie ce depinde de natura substanţei, de temperatură, presiune
etc.
dN
reprezintă gradientul concentraţiei impurităţii
dx
dN
Fluxul de substanţă este egal cu D dacă  1 .
dx
A doua lege a lui Fick stabileşte legătura dintre variaţia în timp a concentraţiei
impurităţilor şi variaţia fluxului de substanţă.
N 2 N
D 2
t x
Procesul difuziei pe trei coordonate (trei direcţii) este descris de ecuaţia:
N  2 N 2 N 2 N 
 D    
t  x2 y 2 2
z 

Ecuaţia poate fi rezolvată numai în cazuri speciale care se întâlnesc şi în practică:
- difuzia dintr-o sursă semiinfinită;
- difuzia dintr-o sursă limitată.
V.1.2. Difuzia dintr-o sursă semiinfinită

Fie o plăcuţă de siliciu şi o mulţime de atomi de fosfor (P) în vecinătatea ei. În interiorul
unei fiole de cuarţ (cu vid) se pun bucăţele de fosfor şi se introduce şi plăcuţa de Si. Această
fiolă este introdusă apoi intr-un cuptor la temperatura de 1200ºC. Crescând temperatura, în
volumul fiolei de cuarţ se formează o anumită concentraţie de fosfor care este egală cu
concentraţia vaporilor saturaţi la temperatura dată.
Figura V.1. Difuzia din sursă semiinfinită

Fosforul se vaporizează direct din faza solidă (prin sublimare). O parte din atomii de
fosfor vaporizaţi intră în siliciu dar se vaporizează alţi atomi din sursă astfel încât concentraţia
gazului rămâne constantă. (Ngaz=constant pentru t<0<∞).
Notând N ( x, t ) concentraţia impurităţilor la o anumită adâncime x după timpul t,
rezultă că N ( x, t )  0 pentru x   .
x
Legea a doua a lui Fick poate fi soluţionată dacă introducem o variabilă  ,
t
 x 
 
 2 2 D  t  2 
soluţia fiind: N ( x, t )  N 1   e d  .
0 
 0 
 
 
N0 - concentraţia atomilor la suprafaţa plachetei, care este constantă pentru 0  t  
deoarece atomii pătrund tot mai adânc în plachetă.
2 x  2
Se poate nota: e d   erf ( x)
0
x
Ştiind că 1 erf ( x)  erfc( x) rezultă că soluţia este: N ( x, t )  N  erfc
0 2 D t
Graficele funcţiilor erf ( x) şi erfc( x) sunt prezentate mai jos (Figura V.2):
Figura V.2. Graficele funcţiilor erf(x) şi erfc(x)

Soluţia legii a doua a lui Fick poate fi reprezentată ca mai jos:
Figura V.3. Reprezentarea soluţiei legii a-II-a a lui Fick pentru difuzia
din sursa semiinfinită
Acest model matematic este adecvat difuziilor din fază gazoasă care se sprijină pe
operaţii de sublimare şi condensare a impurităţilor. Ca fenomenologie, pe măsură ce impurităţile
pătrund în adâncimea plachetei, alte impurităţi sunt aduse la suprafaţa plachetei, menţinând astfel
constantă concentraţia de impurităţi de la suprafaţa plachetei.
V.1.3. Difuzia dintr-o sursă limitată
Fie o peliculă de aluminiu de 1μm grosime la suprafaţa plachetei de siliciu. Pentru ca
vaporii de aluminiu să nu se evapore ci să intre în material se adaugă o peliculă de oxid de siliciu
(SiO2).
Figura V.4. Exemplificarea difuziei din sursă limitată

Într-un centimetru cub de material de aluminiu avem 5*1022atomi atunci pentru o peliculă
de aluminiu de grosime 1 μm şi 1cm/1cm, lungime/lăţime vom avea 5*1018 atomi.
Se poate considera concentraţia atomilor ce se află pe suprafaţa semiconductoare că este
egală cu 5*1018 atomi/cm2.
Această cantitate de atomi de aluminiu nu se poate vaporiza ci doar intră în interiorul
cristalului. Dacă o parte din aceşti atomi intră în placheta de siliciu, concentraţia lor scade
deoarece nu mai vin alţi atomi. Pentru a soluţiona legea a doua a lui Fick trebuie avute în
consideraţie următoarele condiţii de limită:
a) N(x,t)  0 , dacă t=0 şi x > 0;
b) N ( x, t )  0 , dacă t > 0 şi x   ;
N
c)  0 pentru x=0 şi 0 < t <  , (gradientul concentraţiei impurităţii lipseşte la
x
suprafaţa plachetei);
x
d)  N ( x, t )dx  Q , pentru 0 <x <  şi 0 < t <  - legea conservării materiei.
0
Având în vedere cele patru condiţii, legea a doua a lui Fick are următoarea soluţie:
 x2 

Q  
N ( x, t )   e 4Dt 
  D t
Reprezentarea (concentraţiei impurităţilor) soluţiei legii a doua a lui Fick pentru aceste
condiţii:
Figura V.5. Reprezentarea concentraţiei impurităţilor pentru difuzia
dintr-o sursă limitată
Pe măsură ce are loc difuzia, concentraţia impurităţilor la suprafaţă scade şi pe măsură
ce timpul creşte, impurităţile pătrund mai adânc în suprafaţă.
Acest model matematic este valabil pentru difuzia din straturi subţiri de impurităţi cu
concentraţii foarte mari ce au fost aduse la suprafaţa plachetei pentru predepunere sau la o
adâncime oarecare în plachetă.
În procesul de difuzie industrială, cu puţine excepţii, se foloseşte o combinaţie a celor
două tipuri de difuzie. În prima etapă se face o predifuzie de scurtă durată, la temperatură înaltă,
a unei cantităţi mari de impurităţi la nivel superficial (difuzie din sursă infinită).
În etapa a doua (difuzia propriu-zisă), impurităţile pătrund de la nivelul superficial în
adâncimea dorită prin controlul adecvat al temperaturii şi duratei procesului.
Figura V.6. Exemplu de difuzie industriala

Dacă Nn=Np atunci s-a format joncţiunea pn, iar xpn este adâncimea joncţiunii pn.
Această difuzie se foloseşte pentru formarea bazei tranzistorului bipolar, a joncţiunii
colector-bază, a joncţiunii emitor-bază (care are loc într-o singură etapă (din sursă semiinfinită)
deoarece se doreşte emitorul foarte dopat).
V.1.4. Influenţa diferiţilor factori la distribuirea impurităţilor în procesul difuziei
Există patru factori ce influenţează difuzia in mod semnificativ:
- solubilitatea solidă a impurităţii;
- puritatea fizică a suportului;
- temperatura şi durata procesului;
- desăvârşirea reţelei cristaline.
Solubilitatea solidă reprezintă concentraţia maximă a impurităţilor care poate intra în
cristal fără a se forma faze noi pe suprafaţa lui. Această mărime este dependentă de temperatură
şi reprezintă un indiciu pentru nivelul maxim de dopare al unui material care se poate atinge. În
general există o legătură strânsă între această solubilitate solidă şi constanta de difuzie însă există
şi excepţii. Aurul are solubilitate mică, însă are un coeficient de difuzie destul de mare. P are
solubilitate ridicată.
Exemplu: Într-un cristal de siliciu se găsesc atomi a cărei concentraţie este
NSi=5*1022at/cm3. Dacă vom introduce atomi de impuritate care au o concentraţie de
5*1020at/cm-3 (atomi de P, de exemplu), la 100 atomi de Si de bază le revine un singur atom de
impuritate (1%). Dacă introducem Nimp=5*1021at/cm-3 rezultă10% impurităţi.
Figura V.7. Solubilitatea solidă a impurităţilor

Puritatea fizică a suportului monocristalin influenţează mult constanta de difuzie dar şi
uniformitatea (izotropia procesului de difuzie). Izotropia este proprietatea unui corp de a fi
izotrop (ce poseda aceleaşi proprietăţi în toate direcţiile).
Izotropia este cu atât mai ridicată cu cât gradul de dezordonare a structurii interne este
mai ridicat (număr de defecte mai mare). În astfel de materiale constanta de difuzie are tendinţa
de a se micşora.
Unele tipuri de defecte punctuale (vacanţe) au tendinţa de a contribui la creşterea
constantei de difuzie. În semiconductoare cu structură monocristalină perfectă, anizotropia este
ridicată, existând direcţii preferenţiale de deplasare a impurităţilor. În semiconductoare cu
structură cristalină aproape perfectă apare aşa numitul fenomen de canalizare în care impurităţile
pătrund în adâncime pe direcţii preferenţiale asociate unor minime energetice ale reţelei
cristaline.
S-a făcut un experiment de creştere a cristalelor în spaţiul cosmic şi s-a obţinut un
cristal cu reţea perfectă, dar când s-a făcut difuzia a apărut scurt între C şi E şi ca urmare
tranzistorul nu mai funcţiona.
Figura V.8. Fenomenul de canalizare

Temperatura şi durata procesului de difuzie sunt doi dintre factorii ce permit, în condiţii
industriale, controlul asupra adâncimii joncţiunilor formate.
Temperatura intervine prin intermediul energiei termice direct în expresia coeficientului
 Ea 
  K T 
de difuzie: D  D  e 
0
D0 – coeficient de difuzie ce depinde de natura impurităţilor;
Ea – lucru mecanic de extracţie ce depinde de suport; pentru siliciu Ea=4eV
Figura V.9. Coeficientul de difuzie

Temperatura este bine stabilizată în tehnologie: la 1200ºC şi se poate schimba în timp
1
cu  ºC.
2
Durata procesului de difuzie afectează adâncimea joncţiunilor. Pentru ambele tipuri de
difuzie concentraţia de impurităţi la o adâncime x în plachetă, la un moment de timp t, este
x
funcţie de .
Dt
 x 
N f ; x j  Dt f 1  N  Ea adâncimea joncţiunii este dependentă cu Dt - lungime
 Dt 
medie (parcurs mediu) a impurităţilor. Dacă constanta de difuzie este mai mare atunci durata
procesului de difuzie este mai mică şi invers.
V.1.5. Metode de efectuare a difuziei şi difuzanţii utilizaţi
La fel ca şi alte operaţii tehnologice, difuzia poate fi efectuată în sisteme închise (în
condiţii de laborator) şi în sisteme deschise.
I.1.5.1. Difuzia într-un sistem închis
Figura V.10. Difuzia într-un sistem închis

Se scoate aerul, după care se sudează fiola şi se introduce într-un cuptor la o anumită
temperatură. Fosforul se vaporizează direct din starea solidă (prin sublimare) şi toţi atomii
difuzanţi vor umple întregul volum. Dacă o parte din atomii difuzanţi intră în placheta de siliciu
atunci din bucăţelele de fosfor se vaporizează alţi atomi astfel încât concentraţia atomilor în faza
gazoasă să fie constantă rezultând o difuzie din sursă semiinfinită.
Avantaj: putem introduce fiola într-un cuptor cu două nivele de temperatură diferite:
Figura V.11. Distribuţia temperaturii în cuptor

Cu temperatura T1 se reglează presiunea vaporilor saturaţi rezultând o concentraţie
constantă în faza gazoasă.
Cu temperatura T2 se reglează lungimea difuziei (adâncimea difuziei şi rapiditatea
difuziei).
Dezavantaj: pentru a scoate plachetele trebuiesc tăiate fiolele de cuarţ care se aruncă şi
costă foarte mult.
Cuarţul este folosit pentru că poate fi purificat şi pentru că suportă temperaturi foarte
mari (nu se înmoaie).
I.1.5.2. Difuzia în sisteme deschise
Mai des se utilizează în industrie sistemul deschis în flux de N2.
Schema cu posibilitatea de a difuza trei tipuri de impuritate este descrisă în figura I.12.
(dar nu se folosesc toate odată):
Figura V.12. Difuzia în sisteme deschise
Se poate face difuzie din toate stările de agregare:
- solid (P2O5),
- lichid (PCl3),
- gaz(AsH3).
Deşi există posibilitatea difuziei din orice stare de agregare, în realitate sursele de
difuzie lichide şi gazoase pot duce la corodarea plachetelor datorită compoziţiei lor chimice.
Pentru a evita acest efect secundar de nedorit toate tipurile de difuzanţi se transformă în oxizi la
suprafaţa plachetelor prin reacţie cu oxigenul în cantităţi mici. Dacă difuzantul este un oxid el se
evaporă şi se depune o peliculă pe suprafaţa plachetei.
I.1.5.3. Difuzanţi utilizaţi:

În practică, pentru siliciu se folosesc difuzanţii:
Siliciu de tip n Siliciu de tip p
PCl3
POCl3 BBr3
Lichid
AsCl3 BCl3
SbCl3
B2O3
Solid P2O5
BN
PH3
Gaz B2H6
AsH3
Există deosebiri între sursele de difuzie: pentru sursa solidă trebuie un cuptor cu două
tipuri de temperatură, iar pentru sursa de tip gaz reglarea concentraţiei se face deschizând mai
mult sau mai puţin “butelia” de gaz.
În cazul difuzanţilor în stare solidă reacţia chimică a oxidului cu siliciu este necorozivă.
2 P O  5Si  5SiO  4 P
2 5 2
La suprafaţa plachetei se formează o peliculă de sticlă fosforosilicată:
P2O5  Si   SiO2  x  P2O5 1 x  P
Întâi se formează pe suprafaţa plachetei această sticlă după care difuzia atomilor de
fosfor are loc din această sticlă rezultând o difuzie din sursă limitată.
Pentru alţi difuzanţi solizi se obţin reacţiile:
B2O3  Si   B2O3  x  SiO2 1 x  B
As2O5  Si   As2O5  x  SiO2 1 x  As
Pentru faza lichidă concentraţia impurităţilor se poate regla prin fluxul de N2 care trece
prin vas sau prin încălzirea vasului cu lichid mărindu-se concentraţia impurităţilor care ajung în
interiorul reactorului.
În cazul difuzanţilor în stare lichidă şi gazoasă se introduce şi O2 pentru că difuzia nu se
poate face din PCl3 curat deoarece poate duce la eroziunea plachetelor.
4 PCl  5O  2 P O  6Cl , unde P2O5 intră în reacţie cu Si şi formează aceeaşi
3 2 2 5 2
sticlă şi gaz;
4 AsH  5O  2 As O  6 H ,unde As2O5 reacţionează cu Si şi formează o
3 2 2 5 2
sticlă arsenicosilicată;
V.2. Metoda implantării ionice

Implantarea ionică reprezintă procesul de pătrundere a impurităţilor ionizate într-un
substrat semiconductor sub acţiunea unui câmp electric exterior.
Mişcarea impurităţilor în substrat este o mişcare de drift datorată interacţiunii dintre
sarcina electrică a acestor impurităţi şi câmpul electric aplicat
Avantajele semnificative ale implantării ionice:
- posibilitatea de a implanta orice element din tabelul lui Mendeleev în orice
semiconductor;
- implantarea poate avea loc la temperaturi joase, chiar la temperatura camerei;
- în metoda implantării ionice avem ioni care au o energie şi capătă o viteză cu ajutorul
căreia intră în interiorul cristalului;
- putem forma joncţiuni pn reproductibile până la 100% cu o concentraţie controlată pe
toate cele trei axe (x, y, z);
- procesul are loc în vid destul de înalt, ce necesită purificarea plachetelor;
- durata procesului de implantare este scurtă (până la câteva minunte).
Unul din dezavantajele implantării ionice este deteriorarea structurii cristaline a
suportului deoarece o parte din ionii implantaţi pot disloca atomi din structura materialului de
bază rezultând apariţia unui număr mare de defecte în structura cristalină. Pentru a minimiza
acest efect se realizează o operaţie de călire a reţelei cristaline, operaţie ce constă în încăzirea
structurii la o temperatură de câteva sute de grade Celsius pentru a permite rearanjarea atomilor
în reţea. Din păcate, această operaţie de călire, deşi duce la micşorarea numărului de defecte
structurale, ea însăşi are un defect ducând la redistribuirea impurităţilor în profunzime.
Din punct de vedere matematic, fluxul de substanţă care pătrunde în plachetă este
dependent de intensitatea câmpului electric aplicat. Pentru impurităţi ionizate pozitiv şi a căror
sarcină este egală în modul cu cea elementară, ecuaţia de legătură este de forma:
F  N E
Pentru a ţine cont şi de mişcarea de difuzie în plachetă ecuaţia matematică completă a
procesului de difuzie şi implantare se formulează astfel:
N
F  D     N  E ecuaţia fluxului de substanţă care depinde atât de concentraţie
x
cât şi de câmpul electric aplicat.
Într-un punct cantitatea de substanţă funcţie de fluxul de substanţă are o variaţie de
N F
forma:  .
t x
Procesele industriale de implantare ionică însoţite de operaţia de călire oferă soluţii
analitice pentru concentraţiile de impurităţi, similare cu difuzia din sursă limitată în care însă la
adâncimea x0 se obţin mai multe maxime de energie.
  x  x 2 
 0 
Q0  4 Dt 
N ( x, t )  e
 
  D t
Q0 – numărul de ioni pe unitatea de suprafaţă.
În cazul siliciului procesul de implantare se desfăşoară pe baza ionizării impurităţilor
provenite în general din cloruri sau bromuri. Acestea, prin încălzire, trec în stare de vapori şi
ionizează relativ uşor, ca orice alt gaz, în special în prezenţa unui câmp magnetic aplicat.
V.2.1. Construcţia instalaţiei implantării ionice şi principiul de funcţionare
Figura V.13. Instalaţia pentru realizarea implantării ionice

1 – sursa de ioni; 2 – bobine electromagnetice; 3 – filament termoelectronic; 4 –
electrod de tragere a ionilor din sursă (diafragmă); 5 – lentile electrostatice pentru focalizarea
fluxului de ioni; 6, 7, 10, 11 – plăci pentru reglarea fluxului de ioni pe axa x şi pe axa y (se
utilizează pentru a scana pe suprafaţa plachetei); 8 – separator magnetic; 9 – diafragmă.
Întreaga instalaţie se găseşte în vid.
Putem pune un gaz care se vaporizează şi ajunge în interiorul filamentului care se
încălzeşte şi emană nişte electroni care nimerind în câmpul electromagnetic (2) se vor mişca pe o
traiectorie sub formă de spirală şi ca urmare creşte probabilitatea de a se ciocni cu moleculele de
PCl3. Cu ajutorul bobinelor are loc separarea ionilor P  şi Cl  . Se vor extrage doar
31
încărcăturile pozitive (ionii de P) cu ajutorul diafragmei (4). Separatorul magnetic face ca
m  v2
particula extrasă să se mişte pe o circumferinţă care are o forţă centripetă:  e B v ,
r
m v
rezultând raza traiectoriei r  ,unde r – raza de mişcare, m – masa, v – viteza, care este
e B
dată de potenţialul de accelerare, B – intensitatea câmpului magnetic, e – sarcina electronului
propriu-zis.
Placheta fiind legată la electrodul negativ permite preluarea sarcinii electrice a
impurităţilor, iar curentul electric care trece prin electrod depinde de fluxul de impurităţi ce
pătrund în plachetă.
Dacă e, B şi v sunt constante, rezultă că raza traiectoriei este proporţională cu masa, ca
urmare particulele cu rază mai mică vor avea şi masa mai mică şi cele cu rază mai mare vor fi
separate de diafragmă astfel încât separăm ionii după masă şi se elimină şi impurităţile.
Avantajul major al implantării ionice este că ionii cad pe verticală (perpendicular) şi
joncţiunea pn se realizează exact fără a se pătrunde sub oxid.
Figura V.14. Diferenţa dintre difuzie şi implantarea ionică

V.2.2. Factori de mediu ce influenţează concentraţia impurităţilor implantate
Factorii ce influenţează distribuirea ionilor sunt:
1. energia ionului;
2. doza (nr. de ioni care cade pe o unitate de suprafaţă);
3. temperatura plachetei la implantare;
4. orientarea plachetei.
Energia de implantare şi doza influenţează împreună fundamental profilul concentraţiei
impurităţilor întrucât diverse combinaţii ale acestora pot contribui la obţinerea unuia sau a mai
multor maxime plasate în adâncimea plachetei sau chiar la suprafaţa acesteia.
În cazul în care se utilizează o doză redusă de substanţă, o energie de implantare scăzută
duce la plasarea maximului la un nivel superficial. Dacă energia de implantare creşte, maximul
este situat în adâncimea plachetei.
Dacă doza de substanţă folosită este mare, impurităţile pot rămâne în totalitate la nivelul
superficial pentru energii de accelerare scăzute sau se pot plasa în concentraţii mari la mai multe
adâncimi ale plachetei daca energia este mare. Apariţia mai multor maxime pe curba
concentraţiei de impurităţi este dată de fenomenul de canalizare.
În esenţă o parte din impurităţi îşi pierd energia cinetică din cauza ciocnirii cu atomii
reţelei cristaline şi rămân la nivel superficial în plachetă, în timp ce alte impurităţi pătrund în
plachetă prin zonele interstiţiale şi reuşesc sa ajungă la adâncimi mari înainte de a-şi pierde
energia cinetică în totalitate.
Figura V.15. Concentraţia de impurităţi în raport cu adâncimea

De ce există două maxime? Lindarhu a interpretat graficul astfel: ionii care cad pe
suprafaţa plachetei de siliciu sunt împărţiţi în două grupe:
1) ionii care nimerind pe suprafaţa plachetei pierd “memoria” direcţiei de mişcare şi se
absorb în stratul superficial;
2) ionii care se canalizează (formează un flux canalizat).
De exemplu avem structura reţelei cristaline pe care cade un ion sub un unghi nu foarte
mare şi pătrunde în interior ciocnindu-se de ioni, pătrunzând foarte adânc în cristal.
Figura V.16. Reţea cristalină bombardată cu ioni

Din teoria lui Lindarhu: distribuirea totală a ionilor reprezintă superpoziţia a două
fluxuri canalizat şi necanalizat. Apariţia mai multor maxime de canalizare depinde şi de
temperatură.
Temperatura este un alt factor ce influenţează semnificativ distribuţia concentraţiei de
impurităţi prin intermediul energiei de agitaţie termică şi a vibraţiei inerente a atomilor reţelei
cristaline. Cu cât agitaţia termică este mai mare cu atât mişcarea de drift este mult atenuată şi
impurităţile au tendinţa de a se poziţiona mai mult la suprafaţa plachetei. Creşterea temperaturii
are ca efect reducerea nivelului maximelor canalizate.
Figura V.17. Concentraţia impurităţilor la doua temperaturi
Orientarea plachetei este un factor important. Direcţia axelor cristalografice în raport cu
suprafaţa de tăiere a plachetelor şi mai ales cu direcţia câmpului electric aplicat influenţează
apariţia maximelor canalizate şi a nivelelor acestora. În practică pentru un suport dat se poate
controla apariţia maximelor canalizate folosind unghiuri de pătrundere bine calculate
Figura V.18. Realizarea unui tranzistor bipolar pnp vertical prin implantare ionică
Capitolul VI.Procesul de litografie pentru producerea
dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate
monolitice
Litografia constă în acoperirea plachetei cu o substanţă chimică ale cărei proprietăţi

chimice (solubilitatea în anumiţi solvenţi) se modifică la expunerea într-un câmp de radiaţii
electromagnetice şi înlăturarea selectivă a acesteia de pe anumite regiuni ale plachetei. Exista
mai multe tipuri de fotorezişti cu structură chimică de tip polimer care sunt sensibili la radiaţii
electromagnetice de diferite lungimi de undă. Modificarea proprietăţilor chimice ale acestor
substanţe se bazează pe raportul energetic al radiaţiilor la care sunt expuse. Există însă o
clasificare generală a fotoreziştilor după modul în care se comportă la expunerea la radiaţii:
- Fotorezişti pozitivi – sunt substanţe care devin solubile în anumiţi solvenţi organici,
sub acţiunea unor radiaţii electromagnetice;
- Fotorezişti negativi – sunt substanţe care devin insolubile în anumiţi solvenţi organici,
sub acţiunea unor radiaţii electromagnetice.
Pentru a realiza procesul de fotolitografie sunt necesare fotomăşti. O fotomască arată
astfel:
Figura VI.1. Fotomăşti pentru realizarea litografiei

Pe o plachetă de siliciu pe care am depus fotorezist punem o mască pe suprafaţa
plachetei şi iluminăm placheta. În cazul fotorezistului pozitiv are loc absorbţia razelor
ultraviolete care duce la producerea reacţiei fotochimice datorită căreia are loc distrugerea
legăturilor dintre moleculele fotorezistului, iar în cazul celui negativ are loc majorarea legăturilor
dintre aceste molecule.
Operaţia de dizolvare a fotorezistului se numeşte developare.
În general, scopul operaţiei de fotolitografie este protejarea unor pelicule conductoare,
dielectrice sau semiconductoare la acţiunea unor agenţi de corodare. În felul acesta se poate
obţine o corodare selectivă a peliculelor. Există şi posibilitatea utilizării fotorezistului cu scop de
protejare în cazul unei operaţii de difuzie sau implantare ionică, în acest caz grosimea
fotorezistului trebuie sa fie sensibil mai mare. Nu este utilă folosirea fotorezistorului pentru
protejarea unei plachete în operaţia de difuzie pentru că difuzia se realizează la temperaturi
ridicate la care majoritatea fotoreziştilor carbonizează.
Operaţiile de bază ale procesului de fotolitografie sunt descrise în figura de mai jos:
Figura VI.2. Operaţiile de bază ale procesului de fotolitografie
După ce fotorezistul şi-a îndeplinit funcţiile se îndepărtează de pe suprafaţa peliculei.
În producerea circuitelor integrate se foloseşte un anumit număr de fotomăşti. Pentru a
confecţiona cele mai simple circuite integrate ne trebuie un set de 7 fotomăşti. Deoarece acest
proces conţine 10 operaţii tehnologice, se poate ajunge la 100-200 de operaţii tehnologice şi ca
urmare necesită un timp foarte lung.
VI.1. Criterii de apreciere a fotomăştilor

Cele mai importante criterii care stabilesc utilitatea unui fotorezist într-un proces
fotolitografic sunt:
- Sensibilitatea spectrală la anumite lungimi de undă a radiaţiei electromagnetice;
- Sensibilitatea integrală care reflectă modul în care evoluează, în raport cu timpul,
proprietăţile chimice ale fotorezistului expus sau dependenţa de timp a stratului;
- Stabilitatea (durabilitatea) chimică în raport cu agenţii de corodare folosiţi pentru
prelucrarea straturilor dielectrice semiconductoare şi conductoare folosite în
realizarea circuitelor integrate;
- Rezoluţia fotorezistorului.
Sensibilitatea spectrală a fotorezistului reflectă dependenţa coeficientului de absorbţie
(k) a luminii faţă de lungimea de undă (λ).
La baza fotorezistului negativ stă un polimer numit polivinilfinomat. Datorită faptului
că absorbţia maximă are loc la lungimea de undă λ=0.35μm trebuie folosită o mască din sticlă de
cuarţ deoarece numai aceasta dă drumul la raze ultraviolete cu o lungime de undă aşa de mică.
De aceea în fotorezist se adaugă o substanţă numită inhibator care schimbă regiunea spectrală şi
duce lungimea de undă la 0.45μm şi la care se poate folosi sticla specială numită K08 (pentru
mască).
Figura VI.3. Dependenţa coeficientului de absorbţie faţă de lungimea de undă pentru
fotorezist negativ
În unele situaţii fotoreziştii prezintă mai multe maxime ale sensibilităţii spectrale şi se
folosesc măşti cu lungimea de undă corelată atât cu maximul sensibilităţii spectrale cât şi cu
materialul fotomăştii (coeficientul de absorbţie trebuie să fie cât mai mic).
Figura VI.4. Dependenţa coeficientului de absorbţie faţă de lungimea de undă pentru

fotorezist pozitiv
1 1
Sensibilitatea integrală - S   , unde E-intensitatea luminii, t-timpul de
E t H
expunere, H-expoziţia.
Dacă intensitatea radiaţiei este constantă sensibilitatea integrală este invers
proporţională cu timpul de expunere.
Figura VI.5. Grosimea stratului de fotorezist expus funcţie de timp

Problema principală în fotolitografie este de a determina timpul optim pentru expunerea
la radiaţii. Astfel se măsoară timpul necesar pentru a ajunge la 0.9h0, după care se află pentru h0.
În industrie se pun mai multe plăcuţe cu acelaşi fotorezist, cu aceeaşi grosime, ce se
expun perioade diferite de timp şi se găseşte cea mai clară imagine care e dată de timpul cel mai
optim.
Durabilitatea chimică a fotoreziştilor reflectă proprietatea fotoreziştilor de a nu
reacţiona cu agenţii utilizaţi în reacţia de corodare (HCl, HP, etc.). În timpul corodării datorită
particulelor de praf sau porilor existenţi la suprafaţa fotorezistului pot să apară corodări locale
ale peliculei. Dacă pelicula este suficient de groasă, acest lucru nu afectează suficient de mult în
ansamblu stratul de corodat. De aceea, plachetele se prelucrează în camere deosebit de curate
(cleanroom).
Corodarea selectivă realizată după fotolitografie se realizează şi lateral, pe orizontală nu
numai pe verticală ca în figura de mai jos.
Figura VI.6. Corodarea pe verticală şi orizontală

Acest fenomen de corodare laterală este caracterizat de un coeficient de corodare
x
laterală şi reprezintă raportul dintre grosimea stratului corodat şi grosimea dorită, k 
. Când
h
x=h, k=100% apare corodarea izotropă. Valoarea lui k este mai mare în cazul corodării umede
(cu agenţi chimici acizi).
Pentru a micşora dezavantajul introdus de corodarea laterală fotomasca se realizează
mai mică decât dimensiunea dorită.
Rezoluţia fotorezistului reprezintă numărul maxim de linii de fotorezist de pe plachetă
care pot fi realizate pe unitatea de lungime (pe suprafaţa plachetei) considerând că lăţimea
fiecărei linii de fotorezist este egală cu distanţa dintre două linii învecinate.
Figura VI.7. Rezoluţia fotorezistului
VI.2. Mecanismul de absorbţie a luminii

În mod normal ar trebui ca lumina să pătrundă numai pe verticală însă apar fenomene
secundare de propagare a luminii ce duc la expunerea fotorezistului pe o arie mai mare decât a
fotomăştii.
Fenomenele secundare ce pot apărea sunt:
- Dispersia luminii la nivelul dintre zona umbrită şi cea transparentă a fotomăştii;
- Reflexia dintre fotorezist şi plachetă;
- Dispersia luminii în fotorezist care este un material neomogen.
Primele două fenomene sunt cele mai importante şi acestea limitează rezoluţia
fotorezistului.
Figura VI.8. Direcţii de propagare a luminii în fotorezist

Absorbţia luminii
Figura VI.9. Absorbţia luminii în cazul fotorezistului negativ
Figura VI.10. Absorbţia luminii în cazul fotorezistului pozitiv

Fotorezistul pozitiv are un contrast mai bun decât cel negativ dar necesită un timp de
expunere mai mare.
Fenomenele secundare de propagare şi modul cum vor arăta marginile fotorezistului pe
plachetă influenţează mult procesul de corodare ulterioară. În general, fotoreziştii pozitivi sunt
stabili la acţiunea chimică astfel încât corodarea se poate face în acizi. Fotoreziștii negativi sunt
stabili la acţiunea bazelor.
VI.3. Operaţiile principale ale procesului de fotolitografie

Fotolitografia cuprinde următoarele operaţii principale:
1. Formarea peliculei de fotorezist - cuprinde următoarele etape:
- purificarea suprafeţei plachetei;
- depunerea peliculei de fotorezist;
- uscarea peliculei.
2. Formarea imaginii - cuprinde următoarele etape:
- alinierea fotorezistului;
- expunerea fotorezistului;
- developarea fotorezistului;
- tratamentul termic.
3. Transferul imaginii dorite pe suprafaţa plachetei - cuprinde următoarele etape:
- corodarea peliculei neprotejate de fotorezist;
- înlăturarea fotorezistului.
1. Formarea peliculei de fotorezist – purificarea plachetei
Dacă suprafaţa plachetei nu este curată se foloseşte acetonă sau acid clorhidric pentru a
îndepărta impurităţile sau grăsimile.
S-a observat experimental că pelicula de oxid de siliciu formată pe plachetă conţine o
combinaţie de silandă şi siloxană:
Figura VI.11. Suprafaţa peliculei de oxid de siliciu

Pe suprafaţa peliculei de oxid de siliciu, numită siloxană, litografia se poate face destul
de bine. Dacă această suprafaţă are contact cu atmosfera şi absoarbe grupări de hidroxil (OH)
suprafaţa de oxid de siliciu se numeşte silandă, iar litografia nu este bună pentru că suprafaţa se
umezeşte cu HCl (corodant) şi acesta pătrunde foarte adânc în fotorezist. În acest caz pe
suprafaţa plachetei cu hidroxil se adaugă o picătură de apă deionizată, care umezeşte suprafaţa
plachetei în aşa fel încât formează un unghi de umezire de 45º şi astfel litografia va avea succes.
Figura VI.12. Umezirea plachetei cu apă deionizată

Formarea peliculei de fotorezist – Depunerea peliculei de fotorezist
Există trei metode de depunere a fotorezistului:
Prima metodă: placheta se introduce într-un vas cu fotorezist lichid de mai multe ori,
după care se pune la uscat vertical şi vom avea o aranjare a fotorezistului mai subţire în partea de
sus şi mai gros în partea de jos, ca în figura de mai jos:
Figura VI.13. Uscarea verticală a fotorezistului

După uscare se repetă procedeul dar cu placheta întoarsă astfel încât se obţine aceeași
grosime a fotorezistului.
Figura VI.14. Uscarea verticală a fotorezistului cu placheta întoarsă invers

A doua metodă este depunerea cu ajutorul pulverizatorului. Se poate folosi pentru
depunere pe suprafeţe mari, dar se utilizează foarte puţin deoarece uleiul din pompe poate ajunge
în fotorezist.
A treia metodă este depunerea prin centrifugare (cea mai utilizată):
Figura VI.15. Depunerea fotorezistului prin centrifugare
Grosimea stratului de fotorezist depinde de:

- vâscozitatea fotorezistului: cu cât este mai vâscos cu atât se va
depune mai rău;
- viteza de rotaţie.
Figura VI.16. Grosimea fotorezistului funcţie de raza plachetei
În fotorezistul depus pot apărea defecte sub formă de comete, pentru că poate exista un
fir de praf asupra căruia pot acționa forțe în timpul rotirii şi astfel grosimea fotorezistului devine
mai mică.
Figura VI.17. Defect sub formă de cometă

Marginea îngroşată poate zgâria masca, pentru că aceasta este în contact cu fotorezistul.
Pentru a elimina acest neajuns se micşorează viteza de rotaţie, după ce s-a depus fotorezistul, şi
se picură un solvent pe regiunea respectivă pentru a-l îndepărta.
Formarea peliculei de fotorezist – Uscarea peliculei se face cu scopul înlăturării
solventului din fotorezist, altfel încât când punem masca acesta se lipeşte.
Pentru formarea imaginii se foloseşte o lampa cu mercur ce generează raze ultraviolete.
Figura VI.18. Lampă cu ultraviolete
Pentru expunerea corectă a fotorezistului este necesară alinierea fotomăştii cu placheta.

În acest scop plachetele sunt prevăzute cu tăieturi speciale iar fotomăştile sunt prevăzute cu
semne.
Figura VI.19. Alinierea plachetelor cu fotomaştile
Alinierea se poate realiza fie după tăieturile plachetei, fie după semnele de aliniere de pe
fotomască. Semnele de aliniere trebuie sa fie aceleaşi pentru toate seturile de măşti.
Figura VI.20. Semnele de aliniere de pe fotomască

Acest tip de aliniere nu se foloseşte în cazul litografiei cu raze x şi cu fascicul electronic
deoarece placheta trebuie introdusă într-o incintă vidată.
În circuitele VLSI precizia de aliniere este importantă. Placheta şi măştile sunt
prevăzute cu găuri, alinierea acestora fiind realizată cu fascicul de lumină foarte subţire şi un
fotodetector.
Expunerea selectivă presupune aducerea sistemului plachetă – fotorezist – fotomască în
prezenţa sursei de raze ultraviolete care va sensibiliza fotorezistul în regiunile transparente ale
fotomăştii. Timpul de iluminare se determină experimental.
Developarea reprezintă operaţia de înlăturare a fotorezistului. Pentru fotorezistul pozitiv
developarea are loc în soluţii lichide, slabe: 0.5%KOH, NaOH, iar pentru fotorezistul negativ se
foloseşte acelaşi solvent care intră în componenţa fotorezistului iniţial: acetonă, toluenă.
Tratamentul termic ca şi uscarea se face cu raze infraroşii. Este necesar pentru creşterea
adeziunii peliculei la plachetă. Tratamentul termic nu se face în cuptoare electrice, deoarece s-ar
crea un strat la suprafaţă care apoi s-ar crăpa. Razele infraroşii pătrund în tot fotorezistul şi-l
usucă uniform.
Transferul imaginii pe suprafaţa plachetei - SiO2 se poate coroda în HF:
SiO2  4 HF  SiF4 ( gaz) 2 H 2O
Figura VI.21. Corodarea oxidului de siliciu
Ca urmare în corodantul de SiO2 se mai adaugă şi NH4F:
SiO2  HF (1)  NH 4 F (9)   SiF6  ( S ) ........
SiF6 este un solid care cade la fundul vasului, îşi schimbă valenţa de la 4 la 6 şi nu mai
ridică fotorezistul iar fereastra este mult mai mică (eventual poate ajunge la 11μm).
Pentru corodarea unei pelicule de Au se foloseşte HNO3 şi HCl în amestec.
După ce s-a făcut corodarea, adică s-a transferat imaginea, se va înlătura fotorezistul
(atât cel negativ cât şi cel pozitiv se înlătură cu H2SO4). Fotorezistul pozitiv se mai înlătură cu
dimtilformonid, De asemenea, fotorezistul pozitiv cât şi cel negativ se mai înlătură prin fierberea
în soluţii de 10% baze.
VI.4. Caracteristicile fotomăştilor (FM) şi metodele de confecţionare

Fotomăştile sunt realizate din plăcuţe de sticlă pe care sunt depuse diverse pelicule cu
un coeficient de absorbţie ridicat pentru radiaţiile folosite la expunere. În cazul razelor
ultraviolete se pot folosi pelicule de crom sau oxid de fier. Pelicula de crom are adeziune foarte
bună pe sticlă astfel încât poate rezista la 700 de operaţii de litografie însă dacă densitatea
elementelor opace de pe fotomască trebuie să fie mare atunci alinierea fotomăştii cu placheta
este dificilă întrucât pelicula de crom absoarbe şi radiaţiile din spectrul vizibil. Pelicula de oxid
de fier Fe2O3 are o adeziune ceva mai slabă pe sticlă însă are avantajul unui coeficient de
absorbţie mic pentru spectrul vizibil şi a unui coeficient de absorbţie mare pentru radiaţiile
ultraviolete, astfel încât alinierea se face mai uşor.
Desenul dorit pe fotomască se obţine tot printr-o operaţie de litografie selectivă.
De exemplu pentru formarea contactelor se desenează de 10 ori mai mari şi se
fotografiază astfel încât desenul să fie micşorat de 10 ori:
Figura VI.22. Realizarea fotomăştilor

VI.5. Metode de confecţionare a fotomăştilor
Generarea unei fotomăşti necesită ea însăşi o operaţie de fotolitografie pentru obţinerea
unei pelicule care să acopere selectiv plăcuţa de sticlă ce constituie fotomasca. În funcţie de
dimensiunea elementelor de pe desenul fotomăştii utilizate la obţinerea circuitului se pot distinge
două metode pentru generarea fotomăştilor. Cele două metode prezintă diferenţe fundamentale în
ceea ce priveşte expunerea selectivă a radiaţiilor.
VI.5.1. Metoda optico-mecanică

Prima metodă este metoda optico-mecanică, mai veche, a fost utilizată pentru elemente
de circuit mai mari. Originalul fotomăştii era reprezentat la scară mărită care era proiectat printr-
un sistem optic de precizie ca asigură reducerea la scara 1:1 şi multiplicarea desenului dorit.
Figura VI.23. Metoda optico – mecanică

VI.5.2. Metoda litografiei cu fascicol electronic
Metoda litografiei cu fascicol electronic permite obţinerea rapidă a unei măşti şi este
singura metodă care nu necesită existenţa unei fotomăşti, fascicolul de electroni fiind controlat în
acest caz prin intermediul unor plăci de deflexie.
Substanţa de tip fotorezist îşi modifică solubilitatea sub acţiunea fascicolului de
electroni care distruge legăturile moleculare în fotorezist şi permite solubilitatea acestuia în
solvenţi organici. Acest sistem litografic permite obţinerea de dispozitive foarte mici.
Se ştie că fluxul de electroni are proprietăţi cuantice şi ondulatorii şi lungimea de undă a
150  0 
fluxului de electroni este:   A , unde U este tensiunea de accelerare a electronilor.
U  
0 0
Dacă U  150V lungimea de undă   1 A iar dacă U  1.5 KV   0.1 A
Având în vedere că lungimea de undă asociată fascicolului de electroni este mică, există
teoretic posibilitatea obţinerii unor dispozitive foarte mici. Limitările apar datorită atomilor din
0
pelicula de fotorezist ce au distanţa dintre ei în reţeaua cristalină de 6 A , astfel încât nu putem
obţine o rezoluţie de acelaşi ordin de mărime.
În calitate de rezist sensibil la fluxul de electroni se foloseşte substanţa organică
polimeră PMMA-polimetilmetacrilat (plexiglas-sticlă organică).
Există două sisteme cu fascicol electronic pentru litografie: un sistem cu scanare şi un
sistem cu fotocatod (cu desen simultan pe toată suprafaţa).
Sistemul cu scanare permite obţinerea de fotomăşti cu rezoluţie ridicată însă necesită un
timp îndelungat de expunere. Sistemul este descris în figura de mai jos:
Figura VI.24. Litografia cu fascicol electronic cu scanare

Sistemul cu fotocatod este mai rapid dar necesită fotomască. Fotomasca trebuie să
conţină o peliculă cu un coeficient de absorbţie mare pentru razele ultraviolete şi cu proprietăţi
de fotoemisie slabe, ce acoperă selectiv plăcuţa de sticlă. Adiţional peste această peliculă se
adaugă o altă peliculă ce se comportă ca fotocatod.
Fie o sticlă de cuarţ. Pe această sticlă se depune consecutiv un strat de titan (Ti) care are
o foarte bună adeziune pe sticlă şi în plus nu emite electroni prin fotoemisie. Prin oxidare
anodică pelicula de Ti se transformă în TiO2. După aceasta cu ajutorul litografiei cu fascicol
electronic de scanare se formează desenul viitoarei măşti (dimensiunile sunt submicronice). Apoi
pe suprafaţa măştii se depune peste tot o peliculă de paladiu (Pd).
Tot acest sistem se numeşte fotocatod.
Figura VI.25. Sistemul cu fotocatod
Aplicăm un potenţial şi electronii sunt poziţionaţi spre plachetă iar unde cade fluxul de
electroni are loc şi exponarea suprafeţei peliculei de PMMA. În acelaşi fel se obţine rapid o
mască.
Deoarece sistemul este în vid alinierea nu se mai face ca până acum. Nu se poate pune
microscop pentru a vedea semnele de pe plăcuţe. Ca urmare se va face aliniere în regim automat.
Sticla este pătrată şi în fiecare colţ este o gaură pe unde trece lumina. Găurile făcute cu ajutorul
laserului sunt şi pe plachetă. Alinierea va fi corectă când lumina din sticlă trece perfect prin
gaura din plachetă. Acest rol este îndeplinit de un fotoreceptor care este format din două diode
cuplate în opoziţie:
Figura VI.26. Alinierea cu ajutorul luminii şi a unui fotoreceptor

Când le iluminăm fotocurentul: If  1  R   s , unde R reprezintă coeficientul de
reflexie a luminii, η – factor cuantic, s – suprafaţa iluminată.
Dacă suprafeţele iluminate sunt egale pe cele două diode rezultă If  0 şi V  0 .
Dacă lumina cade mai mult pe primul contact, voltmetrul ne va arăta poziţia fascicolului
de lumină.
Figura VI.27. Tensiune afişată de voltmetru funcţie de poziţia măştii
VI.5.3. Litografia cu raze X
Din punct de vedere al funcţionării, litografia cu raze X se apropie de cea cu raze
ultraviolete, deosebirea constând în lungimea de undă ( UV  450nm şi x  90nm ) şi de modul
de generare a acestora. Radiaţiile sunt generate de către un fascicol de electroni ce cad pe o ţintă
dintr-un anumit material (Al). În momentul în care electronii ciocnesc materialul ţintă ei emit
cuante de lumină ale căror energii sunt date de diferenţele de nivele energetice asociate stării
stabile şi cea excitată.
Acelaşi principiu este folosit pentru analiza compoziţiei chimice a unei substanţe.
Figura VI.28. Obţinerea razelor X

Se poate astfel determina componenţa chimică a oricărui corp în funcţie de componenta
spectrală.
Instalaţia litografiei cu raze x este descrisă în figura de mai jos:
Figura VI.29. Instalaţia litografiei cu raze X
Filamentul se încălzeşte şi din el ies electronii. Aceştia nimeresc pe ţinta de aluminiu,
având potenţial de 20KV. În unele instalaţii se întrebuinţează ţinta sub formă de octaedru, care în
timpul funcţionării se roteşte (electronul are o energie atât de mare astfel încât în momentul în
care ajunge pe ţintă poate să o topească) pentru a se ciocni pe mai multe feţe.
Mişcarea electronilor se face în vid, de unde trebuie să iasă prin fereastra din beriliu, în
aer. Ca urmare din vid ies razele X. Masca în acest caz este un material subţire şi care nu
absoarbe razele X decât în zonele opace. Trebuie să existe însă un material care le absoarbe.
Avantajele şi dezavantajele litografiei cu raze X
Nu se pot obţine elemente cu dimensiuni foarte mici datorită instalaţiei care influenţează
divergenţa fascicolului de raze X generat. Divergenţa fascicolului de raze X la nivelul fotomăştii
este dată de distanţa dintre diafragmă - ţintă şi ţintă – fotomască. La nivelul suprafeţei de
fotorezist se adaugă o eroare suplimentară introdusă de distanţa fotomască – suprafaţa fotorezist.
Unele probleme apar datorită faptului că lungimea de undă este atât de mică încât nu
putem cu ajutorul lentilelor să focalizăm aceste raze X. Aceste raze X cad pe PMMA ca un flux
ce se împrăştie divergent şi apar erori de formare a desenului:
- erori geometrice (semiumbră);
- erori datorate poziţiei elementului pe suprafaţa plachetei.
Figura VI.30. Erori geometrice
2-
Figura VI.31. Erori datorate poziţiei elementului pe suprafaţa plachetei

Capitolul VII. Depunerea materialelor dielectrice şi conductoare
În tehnologia circuitelor integrate hibride există două tipuri de pelicule:

- pelicule subţiri (câteva sute de Å);
- pelicule groase.
Deosebirea principală constă în modul de confecţionare a acestor pelicule. Un circuit
integrat hibrid este un suport dielectric pe suprafaţa căruia sunt depuse elemente pasive
(rezistoare, condensatoare, bobine, trasee de interconexiuni) unite mai departe cu elemente active
(diode, tranzistoare, chip-uri). Prin metodele de astăzi se depun elementele pasive şi apoi se
conectează cele active. Plăcile de cablaj imprimat au doar trasee şi pe acestea se conectează
elementele.
În principiu peliculele subţiri se depun prin vaporizare termică în vid, prin pulverizarea
în plasmă(metalice, rezistive, dielectrice). Configuraţia acestor pelicule se face cu ajutorul
măştilor.
La baza circuitelor integrate hibride cu pelicule groase stau aşa numitele paste (pastă
conductoare, rezistivă, dielectrică). Aceste paste conţin materiale deficitare: aur, platină.
Principala problemă este că aceste paste nu se depun în vid şi se pot depune în atmosferă.
VII.1. Metode de obţinere a vidului

Presiunea atmosferică are în medie 760mmHg iar pentru a depune o peliculă în vid este
necesar un vid cu o presiune de 10-6mmHg. Pentru a se obţine vid se folosesc pompe mecanice
sau pompe difuzionice. Pentru epitaxie este necesar un vid 10-12mmHg.
VII.1.1. Construcţiile şi principiul de funcţionare a pompelor mecanice

Sunt două tipuri de pompe mecanice:
- cu plăci rotitoare;
- cu plăci staţionare.
Pompe cu plăci rotitoare:
Figura VII.1. Pompa cu plăci rotitoare

Funcţionarea are la bază modificările de volum ale camerei de admisie şi evacuare
obţinute la rotirea plăcilor.
Pompe cu plăci staţionare

Figura VII.2. Pompa cu plăci staţionare
Pompele se deosebesc prin presiunea atmosferică. La pompele mecanice presiunea este
presiunea atmosferică iar pompele difuzionice pot lucra de la o presiune de intrare de 10-1
mmHg. Presiunea maximă pe care o poate obţine este 10-6 mmHg.
Pompele se mai caracterizează prin viteza de pompare:
- la cele mecanice: câteva sute litri/sec;
- la cele difuzionice: 5000 litri/sec.
VII.1.2. Construcţiile şi principiul de funcţionare a pompelor difuzionice

Pompele difuzonice au la bază difuzia aerului într-un lichid la o temperatură mai
ridicată şi urmată de condensarea şi evacuarea lichidului. Pentru evacuare se foloseşte tot o
pompă mecanică.
Figura VII.3. Pompa difuzionică

În camera compresiei se găseşte ulei cu molecule care au presiunea vaporilor saturaţi
mai mare. Prin încălzire o parte din moleculele de ulei ajung în stadiul de vapori antrenând aerul
din incintă (aerul difuzează în vaporii de ulei). Pereţii vasului sunt răciţi având loc condensarea
acestor molecule care sunt evacuate şi comprimate în partea de jos. Pereţii vasului sunt răciţi cu
o instalaţie criogenică ce permite colectarea picăturilor de ulei. Vasul cu azot lichid de la
suprafaţa vasului împiedică vaporii de ulei să iasă din incintă.
VII.2. Măsurarea vidului
Instalaţiile de realizare a vidului sunt însoţite de traductoare care permit măsurarea
presiunii din incinta vidată.
VII.2.1. Traductoare pentru măsurarea vidului

Există două tipuri de traductoare pentru măsurarea vidului: pe baza efectului
termoelectric şi cu ionizare.
Traductoare pe baza efectului termoelectric
Figura VII.4. Traductoare pe baza efectului termoelectric

Aceste traductoare sunt realizate dintr-un încălzitor şi un termocuplu. Prin încălzitor se
aplică un curent stabilizat Ist şi cu voltmetru se măsoară tensiunea care apare la termocuplu.
Presiunea aerului din interiorul incintei determină un transfer de căldură mai mare sau
mai mic. Tensiunea măsurată cu voltmetru funcţie de presiune are o formă ca cea din figura de
mai jos:
Figura VII.5. Presiunea din incintă funcţie de tensiunea măsurată de voltmetru

Aceste traductoare pot să măsoare doar până la 10-4 mmHg.
Traductoarele cu ionizare sunt folosite pentru a măsura presiuni de peste 10-4 mmHg şi
sunt construite dintr-un filament termoelectronic (catod), un cilindru de nichel colector de ioni şi
un anod, ca în figura de mai jos:
Figura VII.6. Traductoarele cu ionizare
Catodul emite electroni ce ajung în câmpul anodului. Electronii se vor accelera spre
anod şi pe parcursul drumului de mişcare au posibilitatea de a se ciocni cu atomii aerului rămas
în sistem. Din aceste ciocniri rezultă ioni pozitiv încărcaţi (electronul smulge un electron de la
atom). Acest ion este atras de câmpul catodului sau de colectorul de ioni (care are potenţial
negativ mai mare) rezultând un curent prin colectorul de ioni proporţional cu presiunea.
VII.2.2. Construcţia instalaţiei pentru obţinerea vidului. Principiul de funcţionare
Figura VII.7. Instalaţia pentru obţinerea vidului

k1 este pentru a da drumul la aer în volumul de lucru.
Pentru a se obţine vid: k1, k2 închise, k3 deschis şi se pompează afară aerul din instalaţie
rezultând un vid de 10-1 mmHg. Se încălzeşte pompa difuzionică, se închide k2 şi se deschide k4,
pompa mecanică va pompa din butelia de vid şi din pompa difuzionică. Apoi se deschide k3 şi se
pompează aerul din instalaţie obţinându-se vidul necesar şi se face în instalaţie operaţia dorită.
Dacă se vrea altă operaţie se închid k2, k3 şi se deschid k1, k4 şi se dă drumul la aer în
instalaţie, după care se reia procedeul.
VII.3. Metode de obţinere a peliculelor dielectrice şi conductoare

Peliculele dielectrice şi conductoare se pot depune prin mai multe metode.
O primă metodă este cea de depunere în fază gazoasă (metoda chimică) în care
substanţa evaporată într-o incintă este transportată cu un gaz de transport (gaz inert), într-o altă
incintă unde se depune.
O a doua metodă este cea în care substanţa evaporată într-o incintă reacţionează cu
gazul transportor, compusul rezultat este transportat într-o altă incintă unde se descompune astfel
încât substanţa utilă se depune pe suprafaţa plachetei.
A treia metodă este metoda depunerii prin electroliză (în fază lichidă) în care ionii de
interes din electrolit sunt transportaţi sub acţiunea câmpului electric până la suport unde sarcina
acestora este neutralizată, atomii rezultaţi depunându-se pe suport.
Alte două metode sunt metoda evaporării termice în vid şi metoda pulverizării catodice
care necesită o atmosferă strict controlată din punct de vedere al concentraţiei şi presiunii gazelor
din interiorul incintei. Metodele presupun prezenţa unui vid înalt, lucru ce nu este posibil într-o
singură etapă datorită performanţelor instalaţiilor utilizate.
VII.3.1. Bazele fizice a vaporizării termice în vid

Pe baza diagramelor de stare orice substanţă în anumite condiţii de presiune poate trece din
starea solidă direct în starea de vapori (sublimare). Presiunea la care are loc acest lucru se
numeşte presiunea vaporilor saturaţi.
B
p  A , A, B = constante ale substanţelor, T[ºK] = temperatura.
T
Una din problemele majore ale procesului de sublimare este aceea ca în absenţa unui
mecanism adecvat depunerea substanţei pe suport se face neuniform. Pentru a obţine o depunere
uniformă ar fi necesar ca întreaga substanţă ce trebuie depusă să fie evaporată şi apoi depusă prin
condensare pe suprafaţa suportului. Pentru a împiedica o depunere neuniformă se plasează
deasupra încălzitorului o placă de magneziu care nu permite soluţiei sa părăsească vaporizatorul
până când nu ajunge în stare gazoasă.
În ansamblu procesul de depunere prin evaporare termică în vid are performanţele
determinate de doi factori:
- Rata de evaporare a substanţei;
- Rata de depunere a acesteia.
În cazul unei substanţe formate dintr-un singur element rata de evaporare depinde de
temperatura şi presiunea gazelor reziduale din incintă.
1 molecule
N  CPe Pe – presiunea limită a vaporilor saturaţi
MT cm 2 s
Depunerea materialului evaporat depinde mult de λ- lungimea drumului liber mediu a
unei molecule sau lungimea maximă pe care o poate parcurge atomul fără ciocnire.
Această mărime este invers proporţională cu presiunea gazului rezidual din incintă.
5 103
 cm Po – presiunea vidului
Po
dacă Po=10-4mmHg rezultă λ=50cm.
Pentru a obţine un randament bun al procesului de depunere ar trebui ca distanţa dintre
vaporizator şi suport să fie mai mică decât λ la presiunea respectivă.
Figura VII.8. Depunerea prin evaporarea termică în vid

λ- lungimea parcursului liber al atomului sau lungimea maximă pe care o poate
parcurge atomul fără ciocnire.
p= 10-2mmHg=presiunea condiţională de vaporizare.
Dacă λ >> R obţinem instalaţie cu vid înalt;
Dacă λ  R obţinem instalaţie cu vid mijlociu;
Dacă λ < R obţinem instalaţie cu vid scăzut (în principiu nu putem vaporiza).
Dacă presiunea în incintă ar fi relativ ridicată atunci drumul liber mediu ar avea valoare
mică şi atunci creşterea randamentului substanţei de depunere s-ar face prin scăderea lui R însă
aceasta ar duce la neuniformitatea peliculei depuse.
Figura VII.9. Neuniformitatea peliculei depuse

Vaporizatorul folosit în general se realizează din wolfram şi tantal pentru că substanţele de
vaporizat necesită temperaturi mari pentru sublimare.
Există vaporizatoare în care vaporizarea se face cu încălzire directă, în care materialul
conduce curentul electric şi se încălzeşte, şi cu încălzire indirectă în care materialul primeşte
căldura necesară de la o sursă separată de căldură. Există şi posibilitatea încălzirii substanţei în
câmp electromagnetic (microunde).
În cazul aliajelor, unde rata de evaporare a elementelor componente este complet diferită se
poate folosi:
- Metoda vaporizării instantanee în care cantităţi mici de aliaj sunt aduse în
vaporizator astfel încât ambele elemente sunt vaporizate instantaneu;
Figura VII.10. Metoda vaporizării instantanee
- Metoda celor trei temperaturi în care prin două temperaturi se controlează cotele de
evaporare ale celor două elemente, aflate în vaporizatoare distincte şi prin a treia
temperatură se coordonează cotele de depunere.
- Există posibilitatea evaporării şi în fascicul electronic în care electronii generaţi de
filamentul electronic sub acţiunea unui câmp combinat electric şi magnetic
ciocnesc materialul de bază iar atomii acestui material, ionizaţi, se vor desprinde şi
se vor deplasa sub influenţa unui câmp electric către suport.
Figura VII.11. Vaporizatorul cu fascicol electronic

Cu astfel de vaporizatoare putem vaporiza substanţe cu temperatură mare de vaporizare
obţinându-se astfel substanţe cu grad înalt de puritate.
Pentru circuite integrate hibride este necesară vaporizarea aliajelor. Dacă luăm exemplul
Nichelului şi Cromului la temperatura de 1000ºC, constatăm că presiunea vaporilor saturaţi ai
Cromului este de zece ori mai mare decât cea a Nichelului. Deoarece aliajul 80%Ni+20%Cr
după vaporizare nu-şi mai păstrează compoziţia se vaporizează foarte bine în vaporizator cu
fascicol de electroni.
VII.3.2. Metoda pulverizării în plasmă

În interiorul instalaţiei se găsesc atomii unui gaz neutru care în prezenţa unui câmp
electric se transformă în plasmă. Plasma acţionează asupra materialului de bază în sensul ruperii
legăturilor interatomice, atomii rezultaţi depunându-se pe suport.
Avantajele procesului de pulverizare în plasmă:
- posibilitatea de a depune aliaje fără modificarea concentraţiei acestora;
- posibilitatea de a obţine pelicule din materiale cu temperatura de topire foarte mare;
- posibilitatea de a obţine pelicule dielectrice datorită reacţiei chimice în plasmă
dintre substanţa care se vaporizează cu un oarecare gaz de reacţie (O2 sauN2);
- uniformitatea grosimii peliculei depuse este mult mai bună decât în cazul
vaporizării termice în vid;
- se poate asigura continuitatea procesului prin folosirea unei “ţinte” (materialul care
se vaporizează reprezintă o ţintă masivă) care se schimbă la ½ de an;
- inerţia procesului este scăzută;
- peliculele au o adeziune mai mare decât în cazul vaporizării termice, datorită
faptului că atomul pulverizat are o energie de trei ori mai mare decât în cazul
vaporizării termice în vid.
Există mai multe sisteme de pulverizare în plasmă:
- în curent continuu;
- în curent alternativ;
- în sistem diodic;
- în sistem triodic.
VII.3.3. Pulverizarea în curent continuu în sistem diodic

În orice moment de timp există posibilitatea ionizării gazului din interior pe baza
energiei cuantelor de lumină. Aceşti ioni sunt acceleraţi în interior către catod şi întâlnind pe
parcurs alţi atomi îi ionizează formând fenomenul de avalanşă a numărului de particule ionizate.
Figura VII.12. Pulverizarea în curent continuu în sistem diodic

Aplicând pe catod un potenţial negativ şi pe anod unul pozitiv la un moment dat se va
observa că tubul va începe să lumineze într-o culoare roşiatică (potenţialul nu poate rupe
electroni din atomi, deci nu din această cauză luminează). Există posibilitatea ca pe acest tub să
vină o particulă cu o energie hυ, când atomul se ciocneşte cu această particulă (dacă atomul este
destul de mare) formează un ion pozitiv (ce are masă mai mare şi se mişcă mai încet) şi un
electron.
Electronul mişcându-se spre anod se poate ciocni de un atom neutral şi se poate forma o
altă pereche electron-ion rezultând astfel înmulţirea în avalanşă a purtătorilor de sarcină.
La un moment dat tot acest gaz este ionizat, adică s-a obţinut plasmă în interiorul
acestui tub.
În interiorul tubului se vor vedea patru regiuni:
1 – regiunea întunecată de lângă catod;
2 – regiunea luminoasă negativă;
3 – regiunea întunecată anodică;
4 – regiunea luminoasă anodică (cea mai mare).
Graficul distribuirii potenţialului pe lungimea tubului este ca în figură:
Figura VII.13. Distribuirea potenţialului pe lungimea tubului

Graficul este strâns legat de modul în care se distribuie particulele din gaz în momentul
apariţiei plasmei. Materialul ţintă se va pune totdeauna la catod (ionii au masă mai mare decât
electronii deci au energii mai mari).
Există două teorii pentru procesul de pulverizare:
1. Teoria clasică în care fiecare ion accelerat ciocneşte suprafaţa catodului şi rupe
din acesta alţi atomi. Dacă energia ionilor ar fi suficient de mare atunci energiile cinetice ale
atomilor rezultanţi prin pulverizare ar fi suficient de mari încât toţi ar ajunge la anod, ceea ce nu
se întâmplă. Ionii nimerind pe suprafaţa ţintei cedează energie şi ţinta se încălzeşte până la
evaporare. Dacă s-ar încălzi catodul ar creşte randamentul procesului ceea ce este fals.
2. Teoria cinetico-moleculară se apropie cel mai mult de rezultatele experimentale.
Direcţiile de mişcare şi vitezele tuturor particulelor se modifică în urma unor ciocniri.
Dependenţa coeficientului de pulverizare, ce reprezintă numărul de atomi smulşi din
catod sub acţiunea unui ion, de potenţialul aplicat arată ca în figură:
Figura VII.14. Dependenţa coeficientului de pulverizare de potenţialul aplicat

Cu cât se măreşte potenţialul de accelerare cu atât mai mulţi atomi pot fi smulşi din ţintă
(K mare). La un moment dat K se micşorează (chiar dacă se măreşte energia) şi ionul se poate
implanta în interiorul ţintei la energie mare.
K  U  U cr   J
S-a obţinut pentru viteza de pulverizare următoarea formulă: v ,
PD
unde U-Ucr este potenţialul aplicat, J este densitatea curentului [A/cm2], P este presiunea
gazului inert în tub şi D este distanţa dintre anod şi catod.
Astfel putem spune că viteza de pulverizare este invers proporţională cu presiunea.
Dacă presiunea este mare atunci atomii se vor împrăştia şi nu se vor mai depune pe
suport, ca urmare trebuie să micşorăm presiunea, şi deci trebuie să mărim potenţialul.
Cu cât este mai mare presiunea în aceste gaze se găsesc şi diferite impurităţi. Pentru a
depune pelicule cu o puritate mai înaltă se foloseşte pulverizarea catodică cu ajutorul curentului
alternativ.
VII.3.4. Pulverizarea în curent alternativ în sistem diodic

Instalaţia pulverizării în curent alternativ în sistem diodic este descrisă în figură:
Figura VII.15. Instalaţia pulverizării în curent alternativ în sistem diodic

În alternanţa negativă ionii sunt acceleraţi către catod şi are loc procesul de pulverizare.
În alternanţa pozitivă ionii vor fi acceleraţi către anod, vor bombarda suportul, fără însă a
pulveriza.
Unul din avantajele folosirii sistemului diodic în curent alternativ este acela că se
micşorează riscul implantării ionice a gazului inert.
Dacă atomii gazului vor pătrunde pe alternanţa pozitivă în ţintă, aceştia vor fi degajaţi în
instalaţie în alternanţa negativă.
VII.3.5. Pulverizarea în sistem triodic

Pulverizarea în sistem triodic presupune că anodul şi catodul sunt separate de ţintă şi
suport. Instalaţia este descrisă în figura următoare:
Figura VII.16. Instalaţia pulverizării în sistem triodic
Bobina prin câmpul magnetic generat are rolul de a imprima o mişcare în spirală
electronilor generaţi de filament crescând în acest fel probabilitatea de ciocnire dintre ioni şi
atomii gazului inert din incintă. Acest lucru duce la scăderea presiunii gazului inert din incintă
rezultând o creştere a vitezei de depunere a materialului ţintă şi o puritate ridicată a peliculei
depuse. Pentru a împiedica ionii gazului inert să se apropie de catod (filament) şi neutralizarea
lor electrică, catodul este protejat cu o membrană magnetică.
În toate aceste sisteme suprafaţa ţintei este mai mare decât suprafaţa suportului pe care
se face depunerea pentru a asigura o bună uniformitate a peliculei depuse.
Adeziunea ridicată la suport a peliculei depuse este şi o urmare a faptului că suportul se
încălzeşte datorită bombardării lui de către atomii materialului ţintă dar şi de către ionii gazului
inert.
Avantajele acestei vaporizări:
- viteza de depunere a peliculei este mult mai mare decât în sistemele diodice datorită
micşorării presiunii;
- gradul de purificare a peliculei este mai înalt pentru că presiunea este mai mică.
Acest sistem poate fi folosit pe larg pentru depunerea peliculelor subţiri.
VII.3.6. Pulverizarea reactivă

Pulverizarea reactivă poate fi făcută şi în sistemele diodice şi triodice şi presupune
introducerea în incintă, pe lângă gazul inert, a unui gaz reactiv care poate reacţiona cu materialul
ţintă ducând în felul acesta la depunerea unei pelicule dielectrice pe suprafaţa suportului.
Figura VII.17. Instalaţia pulverizării reactive
Peliculele obţinute pentru diverse ţinte sunt descrise în tabelul următor:
Materialul ţintei Gazul de reacţie Pelicula obţinută

Si O2 SiO2
Al O2 Al2O3
Si N2 Si3N4
Unul dintre cele mai avansate sisteme de pulverizare este magnetronul, care este un
sistem de tip diodic, în care suporturile sunt egal distribuite pe pereţii acestuia
Figura VII.18. Principiul magnetronului

Datorită câmpului magnetic aplicat şi a mişcării magnetronului, electronii liberi din
interior vor avea o mişcare în spirală ce vor ciocni ionii cu o probabilitate mai mare.
Randamentul de pulverizare este foarte bun pentru că ţinta este bombardată din toate părţile cu
ioni ai gazului inert.
Uniformitatea peliculelor depuse este bună datorită mişcării de rotaţie a magnetronului.
VII.3.7. Pulverizarea dielectricilor la frecvenţe înalte

Pentru această metodă se foloseşte principiul sondei lui Lengmiur.
Figura VII.19. Sonda lui Lengmiur pentru pulverizarea la înaltă frecvenţă
Dacă de ţintă se ciocneşte o încărcătură pozitivă (ion) acesta se acumulează pe
suprafaţa catodului şi la un moment dat această încărcătură va neutraliza potenţialul catodului
astfel încât pulverizarea dielectricilor nu poate avea loc.
S-a măsurat curentul prin sondă pentru ambele polarităţi:
Figura VII.20. Curenţii prin sonda lui Lengmiur

Mobilitatea electronilor este mai mare decât cea a ionilor. Deoarece ionii nu se
neutralizează imediat pe suprafaţa catodului, atrag electroni mobili care sunt mai mici şi se
deplasează cu viteză mai mare. Este necesară o frecvenţă înaltă pentru amorsarea efectului:
Figura VII.21. Instalaţie de pulverizare la frecvenţe înalte

Când la ţintă avem potenţial negativ, ionii formaţi în plasmă vor bombarda ţinta şi se
vor acumula pe suprafaţa ţintei din SiO2. Când tensiunea este nulă ţinta este bombardată de
electroni neutralizând potenţialul ionilor astfel încât ţinta este gata pentru a putea fi pulverizată
când potenţialul este pozitiv.
Particularităţi ale depunerii peliculelor dielectrice
În cazul în care materialul ţintă este un dielectric, iar câmpul electric aplicat între anod
şi catod este continuu sau alternativ de joasă frecvenţă, există riscul acumulării ionilor gazului
inert la catod (sistemul diodic) şi neutralizării sarcinii electrice a catodului. Acest lucru duce la
blocarea procesului de pulverizare. Pentru a evita acest lucru ţintele din material dielectric sunt
pulverizate în câmp electric de înaltă frecvenţă. Creşterea frecvenţei câmpului electric permite
neutralizarea gazului inert chiar de către electronii liberi din interiorul incintei, minimizându-se
astfel probabilitatea plasării acestor ioni pe catod.
VII.3.8. Măsurarea grosimii peliculelor în timpul depunerii

Peliculele care formează rezistoare în circuitele integrate hibride au grosimea 500-600Å
astfel încât necesită o precizie foarte mare la depunerea peliculelor.
O metodă de măsurare general utilizată pentru grosimea peliculelor este microscopul
interferenţiomic.
Figura VII.22. Microscopul interferenţiomic

Razele cad pe suport prin deschizătura din peliculă, după care o parte din raze se
reflectă de pe suprafaţa suportului şi o parte de pe suprafaţa peliculei şi ajung la ocular cu o
diferenţă de drum parcurs, şi vom vedea culorile ca în figură:
Figura VII.23. Culorile observate de ochiul observator

.
X 
grosimea peliculei se defineşte sub forma: h 
X 2
Dacă lumina (raza) este verde λverde=0,55µm, grosimea peliculei este: h  0.275 X [  m]
X
Se folosesc diferiţi traductori (pentru măsurarea grosimii) sau aparate de măsură ce
trebuie să măsoare diferite grosimi ale peliculei precum şi viteza de depunere a peliculei.
Efectele fizice care stau la baza acestei metode de măsurare sunt:
a) efectul ionizaţionic;
b) efectul de rezonanţă;
c) efectul rezistiv;
d) efectul capacitiv.
a) Măsurarea grosimii pe baza efectului ionizaţionic
Figura VII.24. Efectul ionizaţionic

Ionii se deplasează către colectorul de ioni. În felul acesta traductorul oferă un curent
prin colectorul de ioni proporţional cu cantitatea de gaz reziduală din interiorul traductorului.
Modulatorul are rolul de a permite pătrunderea în anumite intervale de timp a unei cantităţi de
substanţă provenită din vaporizator. În felul acesta în interiorul traductorului se va gasi o
cantitate de substanţă fluctuantă în timp ce va duce la apariţia unei componente alternative a
curentului prin colectorul de ioni, componentă care se suprapune peste cea continuă ce este dată
de valoarea medie a gazului rezidual din traductor. Se poate presupune că amplitudinea
componentei alternative este proporţională cu viteza de depunere a substanţei pe suport.
t
1
Grosimea peliculei depuse este: h   I (t )  dt
D0
D reprezintă constanta traductorului şi depinde de construcţia sa.
b) Măsurarea grosimii pe baza efectului de rezonanţă
În acest caz traductorul este un cristal al cărui frecvenţă de oscilaţie este proporţională
cu masa traductorului.
În mod normal cristal de cuarţ oscilează pe o frecvenţă de rezonanţă f0, care depinde de
temperatura materialului de exploatare.
Ştiind masa şi densitatea peliculei putem determina grosimea ei. Pelicula se depune şi
pe traductor caracterizat prin frecvenţa f0 proporţională cu m0 (masa traductorului).
Figura VII.25. Traductor pe baza efectului de rezonanţă
Dacă masa m0 se schimbă se va modifica şi frecvenţa: m0  m  f 0  f f  m
Acest traductor trebuie calibrat pentru diferite tipuri de materiale:
Figura VII.26. Grosimea peliculelor funcţie de variaţia frecvenţei

Depunerile de pe traductor trebuie uneori îndepărtate pentru că se ajunge la frecvenţe
foarte mari. Pe traductor se depune o peliculă de Al pentru ca îndepărtarea să se facă cu un
corodant pentru Al (astfel se pot îndepărta depunerile de SiO2 dacă traductorul este din SiO2).
Această metodă se foloseşte şi în VLSI.
c) Măsurarea grosimii pe baza efectului rezistiv
Se utilizează doar pentru elementele rezistive. Dacă se depune o peliculă rezistivă,
l
rezistenţa echivalentă este: R   . Măsurând cu un ohmetru rezistenţa, se poate determina
bh
grosimea h.
Figura VII.27. Efectul rezistiv

d) Măsurarea grosimii pe baza efectului capacitiv
Se utilizează doar pentru elementele capacitive la depunerea dielectricului.
Figura VII.28. Efectul capcitiv

Dacă C0 este capacitatea suportului, după depunerea peliculei dielectrice vom obţine
C0+ΔC=C0Cp/(C0+Cp) iar Cp=εpS/h. Măsurând cu un capacimetru capacitatea se poate determina
grosimea h.
VII.3.9. Depunerea SiO2 şi Si3N4

Plasma poate fi folosită pentru depunerea peliculei de SiO2, Si3N4, Al2O3 din plasmă
la temperaturi mai mici decât la oxidarea termică (500-600ºC). Această depunere (în plasmă) se
foloseşte pentru a pasiviza suprafaţa circuitelor integrate, în general, sau pentru a face metalizare
multistrat unde trebuie să realizăm izolaţie între contacte. Putem depune şi la temperatura
camerei pe suprafaţa plachetei.
În 1968 se foloseşte plasma pentru a înlătura rămăşiţele de fotorezist de pe suprafaţa
plachetei. Însă la înlăturarea fotorezistului o parte din atomi totuşi rămâneau pe suprafaţa
plachetei (atomii de St care duceau la scurtcircuitarea între reţelele de contact).
Timp de 10 ani nu s-a mai folosit acest proces. S-a ivit apoi problema că s-a început a se
utiliza pelicula de Si3N4, pentru care nu exista un corodant pentru a fi înlăturat şi s-a început
corodarea acestuia cu ajutorul plasmei.
Datorită acestui fapt s-a început cercetarea corodării cu plasmă şi începând cu anii ’80-
’83 plasma a început să fie folosită pe scară largă pentru circuitele VLSI.
Plasma s-a folosit pentru a depune pelicule din: Pt, WF6, Mo.
Cum plasma este ioni+electroni molecula WF6 (sare de W- în stare gazoasă) se va
descompune în: WF5+F sau WF5+F- .
In general siliciul monocristalin se depune prin operaţii de epitaxie (reacţia dintre SiCl4
şi H2), motivul fiind puritatea ridicată a peliculelor depuse.
0
SiCl4  H 2 
1200 C
 Si  4 HCl
Siliciul se poate depune şi din compuşi de tipul triclorsilan SiHCl3 şi silanul propriu-zis.
În cazul în care sunt necesare pelicule de SiO2 cu calitate foarte bună se pot utiliza
reacţii de sinteză din silan, cu oxigen sau cu N2O.
SiH 4  O2  SiO2  2H 2
SiH4  2N2O  SiO2  2N2  2H2
Pelicula corespunzătore oxidului de grilă de la MOS se obţine prin oxidare termică cu
temperaturi scăzute (400-6000C). Dacă puritatea oxidului necesar nu este atât de critică atunci se
poate utiliza şi pulverizarea în plasmă reactivă.
SiO2 şi Si3N4 se pot depune în plasmă cu instalaţia:
Figura VII.29. Instalaţia de depunere a SiO2
T[ºC] oxidant Viteza de corodare

Metoda Raportul Compoziţie
depunere SiH 4 [nm/s]
Depunere în plasmă
300 3 - 4.5
SiH4+O2
SiO1.94
SiH4+N2O 300 55 3.0
N0.06
Reacţie chimică
500 1.5 SiO2 6
SiH4+O2
Oxidare termică 900 1.5 SiO2 1.7
Viteza de corodare a peliculei depuse reprezintă un indice de performanţă pentru
calitatea acelei pelicule. Cu cât viteza scade cu atât pelicula depusă este mai densă.
Când se utilizează plasma reactivă viteza de depunere dar şi calitatea peliculei depuse
vor depinde de puterea consumată de reactor.
În ceea ce priveşte pelicula de Si3N4 aceasta se poate obţine printr-o reacţie de sinteză
dintre SiH4 şi amoniac, fie printr-o metodă combinată utilizând plasmă reactivă.
3SiH 4  4 NH3  Si3 N4  12H 2
De altfel mai toate metodele chimice pot fi modificate în metode electro-chimice. Si3N4
obţinută poate obţine concentraţie de H2 impurităţi până la 18%.
Metodele de depunere în plasmă se pot folosi ori de câte ori temperatura de sublimare a
materialelor ce urmează a fi depuse este mult prea ridicată astfel încât metoda evaporării termice
nu poate fi folosită.
VII.4. Corodarea
Corodarea se poate realiza chimic (corodare umedă) sau pe cale electrochimică
(corodare uscată).
Corodarea SiO2 în acid fluorhidric (HF) este o corodare umedă.
SiO2  4 HF  SiF4  2 H 2O
SiF4 poate duce la desprinderea foterezistului.
Mai des folosită este corodarea cu HF şi fluorură de amoniu (NH4F):
SiO2  HF  NH 4 F  SiF6  ...
Indiferent de agenţii de corodare utilizaţi şi de metoda de corodare folosită, pentru
operaţia propriu-zisă prezintă interes doi parametrii: anizotropia de corodare (A) şi selectivitatea
agentului de corodare. Selectivitatea agentului de corodare este dată de raportul dintre viteza de
corodare orizontală şi viteza de corodare verticală.
V
A 1 L
VV
Un proces de corodare este cu atât mai bun cu cât anizotropia se apropie de valoarea
unitară (VL=0) şi cu cât selectivitatea agentului de corodare este mai bună (viteza de corodare a
substanţei ce se doreşte a se înlătura este mult mai mare decât viteza de corodare a celorlalte
substanţe).
Figura VII.30. Pătrunderea substanţei corodante sub fotorezist

Corodarea umedă, din punct de vedere al anizotropiei, este dezavantajoasă, anizotropia
având valori mici (10-20%) dar are avantajul unei selectivităţi bune (agentul de corodare folosit
pentru SiO2 nu reacţionează chimic cu fotorezistul sau cu placheta). În cazul corodării uscate
(plasmă nereactivă formată din gaz inert), anizotropia este ridicată, apropiată de 1 (deoarece ionii
se deplasează pe direcţii perpendiculare pe suprafaţa plachetei) însă selectivitatea agentului de
corodare este foarte proastă (bombardamentul cu ioni duce la distrugerea legăturilor moleculare
aflate pe suprafaţa plachetei). Un compromis între cele două este oferit de plasma reactivă în
care pe lângă energiile cinetice mari imprimate ionilor în câmp electric, acestea au şi proprietatea
că reacţionează cu substanţa ce urmează a fi înlăturată.
În reactor se află un amestec de gaz neutru şi un gaz reactiv iar placheta va fi plasată la
catodul sistemului. În interiorul reactorului se vor găsi atomi şi ioni ai gazului neutru şi atomi din
structura moleculară a gazului reactiv. O parte din aceşti atomi vor reacţiona cu substanţa ce
urmează a fi înlăturată de pe suprafaţa plachetei.
Primele corodări au avut loc cu utilizarea plasmei CF4 (în plasma de Ar se mai adaugă
un gaz de reacţie). Acesta, în plasmă, se descompune:
 CF3  F
CF4  , atunci are loc bombardarea cu Ar şi în jurul bombardării (în
 CF2  F  F 
plasmă) mai sunt şi atomi de F rezultând reacţia SiO2  4F  SiF4  O2 ,în interiorul plasmei mai
are loc şi reacţia chimică ce măreşte viteza de corodare a peliculei.
Si  4F  SiF4
În acelaşi mod: - plasmă reactivă- plasma în care are loc şi
SiN4  4F  SiF4  2 N 2
reacţii chimice
Viteza de corodare a siliciului în plasma creşte dacă plasma conţine fluoruri -XeF2(gaz),
XeF2+Ar sau Ar+:
Figura VII.31. Viteza de corodare pentru plasma ce conţine fluoruri

O selectivitate mai bună a acestui agent de corodare se poate obţine prin adăugare de H2 în CF4
Figura VII.32. Raportul vitezelor de corodare
Figura VII.33. Vitezele de corodare pentru diverse materiale
Figura VII.34. Raportul vitezelor de corodare creşte pentru presiune ridicată
Aluminiu se corodează în cloruri de tipul: CCl4 şi BCl3.

Aluminiu are pe suprafaţa sa Al2O3 şi până nu se rupe această peliculă nu are loc
corodarea.
Selectivitatea
Material pentru Vcorodare
Gaz Material/ Material/ Material/
corodant [nm/min]
fotorezist Si SiO2
Al, Al-Si, Al-Cu BCl3+Cl2 50 58 35 20  25
PoliSi Cl2 50  80 5 35 25  30
SiO2 CF4+H2 50 5 20 25  30
P.S.G. (sticlă
CF4+H2 80 8 32 25  30
fosforsilicată)
Capitolul VIII. Metode de izolare a tranzistoarelor bipolare
Tehnologia bipolară, ca şi cea MOS, poate fi folosită atât în realizarea de dispozitive

semiconductoare discrete cât şi pentru realizarea de circuite monolitice în care mai multe
dispozitive sunt realizate în acelaşi substrat semiconductor. În cazul realizării dispozitivelor
discrete, numărul operaţiilor tehnologice este mai mic, complexitatea acestora fiind mult mai
redusă iar costurile de încapsulare sunt destul de mici. În cazul circuitelor monolitice
complexitatea circuitului (numărul de componente şi diversitatea lor) dictează în mod direct
complexitatea şi numărul operaţiilor tehnologice utilizate. O diferenţă semnificativă între cele
două cazuri este dată de absenţa sau prezenţa unor mecanisme (tehnici) de izolare între
componente. În cazul tehnologiilor monolitice, fiind necesară realizarea mai multor dispozitive
în acelaşi substrat semiconductor, de regulă, sunt necesare operaţii tehnologice suplimentare
pentru izolarea dispozitivelor între ele. Aceste tehnici urmăresc să micşoreze curenţii de scurgere
prin substrat pentru a asigura o bună funcţionare a circuitului. Costurile de încapsulare ale
circuitelor monolitice sunt mai ridicate decât a celor discrete, fiind influenţate de aria de siliciu
ocupată şi de puterea consumată de circuit.
Figura VIII.1. Realizarea tranzistoarelor bipolare discrete şi integrate

Între oricare două colectoare învecinate apar două diode în antiserie. Curentul parazit
care circulă între colectoare este curentul de scurgere printr-o diodă p+n. Se observă că se obţine
o bună funcţionalitate a circuitului chiar și în absenţa polarizării substratului . Dacă se face
polarizarea substratului pentru îmbunătăţirea caracteristicilor dinamice ale circuitului atunci
substratul se leagă la cel mai negativ potenţial din circuit. În plus, în tehnologia bipolară
monolitică dacă se doreşte creşterea frecvenţei de lucru a tranzistoarelor atunci este necesară şi o
dopare n+ ce are ca scop micşorarea rezistenţei regiunii neutre a colectorului.
Figura VIII.2. Realizarea tranzistoarelor bipolare integrate de micăputere, mare putere şi
multiemitor
Izolarea se poate realiza:
 cu ajutorul joncţiunii polarizate invers:
- tehnologia standard;
- izolarea cu ajutorul colectorului;
- izolarea cu ajutorul bazei;
- metoda celor trei fotomăşti (3 FM).
 cu ajutorul dielectricilor:
- procesul epic.
 izolarea combinată:
- procesul VIP;
- procesul izoplanar.
VIII.1. Tehnologia standard

Tehnologia standard se utilizează în proporţie de 75% în toate circuitele integrate cu
tranzistoare bipolare.
Se pleacă de la o plachetă p dopată slab cu orientare 1:1:1. Nivelul de dopare este în jur
de 10 atomi/cm3.
15
Primul pas este de acoperire cu un strat de oxid de siliciu (oxidare termică combinată
uscat-umed-uscat, maxim 1µm).
Al doilea pas este operaţia de litografie şi corodare prin care se deschide o fereastră în
stratul de oxid de siliciu prin care se va realiza difuzia n+ corespunzătoare stratului îngropat de
colector. Difuzia se face cu fosfor (0.3µm)
Figura VIII.3. Tehnologia standard (primii doi paşi)

Al treilea pas este realizarea propriu-zisă a difuziei n+ care va constitui stratul de
colector al viitorului tranzistor.
În al patrulea pas se înlătură oxidul de pe suprafaţa plachetei folosind HP. Se creşte
epitaxial o peliculă de siliciu dopat de tip n la 1200oC. Concentraţia este cu un ordin de mărime
mai mare.
Figura VIII.4. Tehnologia standard (următorii paşi)

În timpul operaţiei de creştere a peliculei epitaxiale are loc o redistribuire a impurităţilor
din stratul îngropat. Apoi au loc procesele de oxidare termică, litografie și corodare selectivă
pentru a proteja zonele active şi pentru a permite realizarea difuziilor de izolare a straturilor
semiconductoare. Grosimea oxidului, în acest caz, este mai mare (0,8µm).
Difuzia p+ de izolare, având în vedere adâncimea mare, se realizează în două etape:
- Predifuzie (difuzie din sursă semiinfinită);
- Difuzia propriuzisă (din sursă limitată).
Adâncimea acestei difuzii trebuie să depăşească grosimea stratului epitaxial n pentru a
avea o bună izolare.
Figura VIII.5. Tehnologia standard (următorii paşi)

Se înlătură prin corodare oxidul rămas şi se face o nouă operaţie de oxidare, litografie,
difuzie, pentru deschiderea unei noi ferestre necesare difuziei de bază p (cu bor).
Difuzia de bază se face tot în două etape pentru a obţine o concentraţie relativ scăzută a
atomilor dopanţi.
Se înlătură oxidul din nou de pe suprafaţa plachetei şi se face o nouă operaţie de
oxidare, litografie şi corodare pentru deschiderea unei ferestre pentru a se realiza difuzia n+ de
emitor şi difuzia n+ în colector.
Difuzia de emitor se realizează într-o singură etapă (prin implantare ionică). Grosimea
de difuzie a emitorului trebuie să fie mică pentru a nu scurtcircuita emitorul cu colectorul.
Se înlătură oxidul protector şi se realizează o nouă operaţie de oxidare litografie şi
corodare pentru deschiderea ferestrelor de contact.
Urmează realizarea metalizărilor pentru colector, bază emitor şi substrat prin acoperirea
plachetei cu un strat de aluminiu şi apoi corodarea selectivă a stratului de aluminiu pentru a
obţine conexiunile dorite.
Figura VIII.6. Tehnologia standard (ultimi paşi)
Observaţii:
Operaţia de corodare premergătoare unei noi oxidări poate lipsi.
Difuzia n+ din colector este necesară pentru a evita apariţia barierelor Shotky între
metal şi colectorul slab dopat.
Dacă tehnologia este cu un singur strat de metalizare atunci urmează pasivizarea
suprafeţei circuitului prin acoperire cu sticlă care poate fi şi dopată şi dechiderea ferestrelor
necesare colectării firelor de legătură cu pinii capsulei.
VIII.2. Metoda de izolare cu ajutorul colectorului

În acest caz primele etape sunt aceleaşi, rezultatul fiind obţinerea stratului n+ îngropat
în plachetă. Prin creştere epitaxială se depune o peliculă de tip p care va constitui baza viitorului
tranzistor bipolar. Ulterior se face o oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru obţinerea
difuziei n++ de colector. Poziţionarea acestor ferestre se face la marginea stratului îngropat.
Adâncimea difuziei n++ trebuie să depăşească grosimea peliculei epitaxiale.
În felul acesta cu poziţiile n++ şi n+ şi cu creşterea temperaturii, cele două zone difuzate
se vor uni formând colectorul viitorului tranzistor bipolar.
Se înlătură oxidul şi se face o nouă oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru
obţinerea zonei de bază.
deschiderea ferestrelor de contact la colector, bază, emitor şi substrat. Se realizează metalizările
corespunzătoare conexiunilor pentru dispozitive.
Figura VIII.7. Metoda de izolare cu ajutorul colectorului

Această tehnică de izolare utilizează un număr mai mic de operaţii decât metoda
standard iar suprafaţa regiunii de izolare este mai redusă, ceea ce duce la o densitate de integrare
mai ridicată.
Această tehnică duce la formarea unor regiuni de colector cu nivel de dopare foarte
ridicat (cu rezistenţă mică) dar şi cu tensiuni de străpungere scăzute. Acest tip de izolare este
folosit în circuite logice.
VIII.3. Metoda de izolare cu ajutorul bazei
Primele etape standard rămân identice iar pelicula epitaxială crescută este de tip n.
Ulterior se face o oxidare, litografie şi corodare selectivă pentru obţinerea zonei de izolare şi a
difuziei de bază care sunt de arie minimă.
deschiderea ferestrelor de contact la colector, emitor, bază şi difuzia de izolare conectată la cel
mai negativ potenţial. Ulterior se fac metalizările corespunzătoare conexiunilor dintre
componente.
Figura VIII.8. Metoda de izolare cu ajutorul bazei

Între colectoarele a două tranzistoare bipolare învecinate separate prin difuzia de izolare
se formează un dispozitiv de tip JFET în care difuzia de izolare joacă rolul grilei. Canalul acestui
tranzistor trebuie blocat, lucru posibil prin aplicarea unui potenţial negativ pe zonele de izolare în
raport cu cele două colectoare. Acest lucru permite extinderea regiunii golite până la suprafaţa
plachetei de tip p şi blocarea canalului tranzistoarelor JFET parazite.
S-a micşorat numărul de operaţii tehnologice însă gradul de integrare şi performanţele
tranzistorului bipolar obţinut sunt la fel de scăzute ca şi la metoda standard.
VIII.4. Metoda celor trei fotomăşti

Această metodă este cea mai ieftină pentru că exclude operaţia de creştere epitaxială
care este scumpă. Cele trei regiuni ale tranzistorului bipolar se obţin prin trei operaţii de difuzie
succesive care necesită trei operaţii premergătoare de oxidare, litografie şi corodare selectivă,
deci în consecinţă necesită trei fotomăşti.
1º) Placheta iniţială ca în tehnologia standard:
2º) Oxidare, fotolitografie, difuzia n pentru colector:
3º) Oxidare, fotolitografie, difuzia bazei de tip p:
4º) Oxidare, fotolitografie, difuzia n+ pentru emitor:
5º) Tehnologia standard pentru contacte:
Figura VIII.9. Metoda celor trei fotomăşti

Avantajul metodei este numărul redus de operaţii (nu se realizează difuzii speciale de
izolare şi nici strat îngropat de colector). Densitatea de integrare este ridicată însă performanţele
tranzistoarelor dar şi a mecanismelor de izolare sunt scăzute.
VIII.5. Metoda de izolare cu ajutorul dielectricilor. Procesul EPIC

Toate metodele de izolare cu ajutorul joncţiunii pn polarizate invers au un neajuns: între
colector şi plachetă este o diodă polarizată invers şi orice diodă are capacitate de barieră. Această
capacitate micşorează frecvenţa de lucru a tranzistorului.
Operaţiile de bază pentru această metodă sunt:
Se pleacă de la o plachetă de tip n care constituie viitorul colector al tranzistorului
bipolar.
1º) se depune epitaxial un strat de n+
2º) Fotolitografie prin care se protejează selectiv regiunile active (regiuni în care se vor
forma tranzistoarele bipolare):
3º) Se realizează o corodare chimică pentru formarea unor şanţuri în plachetă:
4º) Se înlătură fotorezistul şi se realizează o oxidare termică la suprafaţa plachetei:
5º) se depune polisiliciu pe suprafaţa plachetei :
6º) se întoarce placheta invers şi se şlefuieşte:
7º) prin metoda standard se formează colectorul, baza şi respectiv emitorul:
Figura VIII.10. Metoda de izolare cu ajutorul dielectricilor

Stratul de polisiliciu constituie un strat tampon pentru protecţia mecanică a plachetei în
cursul prelucrărilor ulterioare.
Această tehnică de izolare se foloseşte pentru tranzistoarele bipolare de înaltă frecvenţă,
curenţii de scurgere şi capacităţile parazite sunt mult mai mici decât în tehnologia standard însă
este una din cele mai scumpe tehnici de izolare deoarece necesită operaţii mecanice de şlefuire,
de precizie ridicată.
VIII.6. Tehnologia VIP

Tranzistoarele sunt izolate în părţile laterale cu dielectric şi în partea de jos cu ajutorul
joncţiunilor p-n polarizate invers.
Primele etape ale tehnologiei VIP sunt aceleaşi cu cele de la metoda standard, plecându-
se de la o plachetă de tip p, se realizează stratul îngropat n+ şi stratul epitaxial n.
În următoarea etapă se face o operaţie de fotolitografie pentru protejarea regiunilor
active apoi o corodare specială care formează în plachetă şanţuri în formă de V, adâncimea
acestor şanţuri trebuie să depăşească zona n.
Se înlătură fotorezistul şi se oxidează termic întreaga suprafaţă a plachetei.
Prin operaţia de depunere epitaxială se formează un strat de polisiliciu pe suprafaţa
plachetei, rolul acestuia fiind de a împiedica pătrunderea fotorezistului utilizat în operaţiile
următoare în interiorul şanţurilor corodate. Dacă fotorezistul pătrunde în aceste şanţuri nu va
putea fi înlăturat cu uşurinţă şi ar putea afecta operaţiile ulterioare.
Se şlefuieşte polisiliciu de pe plachetă apoi se realizează tranzistorul identic cu metoda
standard.
Figura VIII.11. Tehnologia VIP
Tehnica de izolare VIP oferă rezultate mai bune decât cea standard dar ceva mai slabe
decât metoda EPIC.
VIII.7. Metoda izoplanară

Metoda asigură cel mai bun compromis calitate-preţ. Primele etape sunt aceleaşi cu cele
de la metoda standard, plecându-se de la o plachetă de tip p. se realizează stratul îngropat n+ şi
stratul epitaxial n. Se face o corodare puternic anizotropă puţin peste jumătatea peliculei
epitaxiale şi apoi o oxidare termică până când marginea inferioară pătrunde sub limita peliculei
epitaxiale iar marginea superioară ajunge la nivelul superior.
Figura VIII.12. Metoda izoplanară

Se obţine astfel o izolare laterală şi pe fund cu joncţiuni p-n polarizate invers.
Prin metodele cunoscute se realizează tranzistorul.
Capitolul IX.Construcţiile şi calculul elementelor în circuitele
integrate
IX.1. Realizarea Diodelor în tehnologia Tranzistoarelor Bipolare.

În circuitele integrate nu este nevoie de a se confecţiona diode speciale. Diodele
reprezintă aceleaşi structuri ale tranzistoarelor (BE, CB, EC) conectate diodic.
Figura IX.1. Realizarea diodelor in circuitele integrate

Primele două structuri au tensiunea de străpungere cea mai mare şi capacitatea de
barieră cea mai mică. A treia structură are tensiunea de străpungere cea mai mică în timp ce
capacitatea de barieră este cea mai mare.
Figura IX.2. Secţiune prin schema 2) şi vedere de sus

În general nu se utilizează conexiuni flotante pentru că există posibilitatea acumulării de
sarcini nedorite.
IX.2. Construcţia şi calculul rezistoarelor în circuitele integrate

În general se folosesc rezistoare difuzate, materialul rezistorului fiind un material
difuzat de acelaşi tip cu baza, colectorul sau emitorul.
Parametrii rezistorului:
- rezistenţa (  , K  ) – Ri;
- puterea de disipare (pe care o poate disipa) – Pi ;
R
- precizie - ;
R
R  R0
- coeficient termic de rezistenţă -  R  t .
R0  t
Rezistoarele dopate mai puternic vor avea rezistenţă pe pătrat mai mică dar coeficient
de variaţie cu temperatura mai mic. Rezistoarele dopate mai slab au rezistenţa pe pătrat mai mare
dar şi coeficientul de variaţie cu temperatura mai mare. Pentru a creşte rezistenţa pe pătrat se
poate micşora secţiunea transversală obţinându-se rezistoare de tip „pinch”.
Figura IX.3. Rezistor realizat prin difuzie de colector
Figura IX.4. Rezistor realizat cu utilizarea regiunii bazei
Figura IX.5. Rezistor de tip pinch realizat prin difuzie de colector

Conexiunea pinch ar putea fi utilizată pentru a controla electric rezistorul.
De obicei în circuitele integrate se doreşte ca orice rezistor să fie aşezat într-o insulă
izolată comună. Pentru ca rezistorul să fie izolat trebuie ca într-un punct al regiunii izolate să
avem un potenţial pozitiv. De aceea rezistoarele trebuie să fie toate la un loc pentru a avea numai
un singur fir la care să fie potenţial pozitiv şi nu câte un fir pentru fiecare rezistor.
Figura IX.6. Izolarea rezistoarelor
Rezistoarele pot fi construite sub diverse forme:
Figura IX.7. Realizarea rezistoarelor sub diverse forme

Pentru a proiecta topologia unui circuit cu rezistoare se analizează circuitul şi se
calculează puterea disipată pentru fiecare rezistor, se aleg toleranţele fiecăruia şi intervalul de
temperatură de exploatare a circuitului integrat.
Având aceşti parametri, putem proiecta fiecare rezistor determinându-se dimensiunile
geometrice. Pentru calcule se introduce un nou parametru: rezistivitate specifică pe suprafaţă.
Figura IX.8. Calculul rezistenţei echivalente a unei pelicule în circuitele integrate

Toate rezistoarele formate în cadrul unui circuit au aceeaşi adâncime (adâncimea este
l 
constantă pentru toate rezistoarele) astfel încât R  s unde  s  - rezistivitate pe
b h
suprafaţă.
   l
Dacă l=b, suprafaţa este un pătrat şi atunci R=ρs;    s SI   şi notând Kf=
 patrat  b
coeficientul de formă obţinem R   s K f formula pentru determinarea rezistivităţii.
Trebuie să găsim mai întâi lăţimea rezistorului pentru ca să satisfacă cerinţele de putere,
toleranţă: bcalc  max b teh ,b ∆ ,bp 
bteh - lăţimea minimă a rezistorului care poate fi confecţionat
bΔ - cu cât este mai mare lăţimea rezistorului cu atât este mai precis.
K f l b
Astfel   unde Δl şi Δb sunt erorile absolute ale dimensiunii rezistorului.
Kf l b
K f 1  l 
Dacă l  b   K f atunci    b  rezultând lăţimea maximă a rezistorului
Kf b 
 Kf 
K f  l  R
care satisface cerinţele de precizie. b    b  . Ştiind că

Kf  rezultă
K f  K f  s
R  s K f
    R  T unde αR=10-4[ºC]-1, ΔT- ales din proiectare şi rezistenţa se poate
R s Kf
schimba dacă T se schimbă, ΔR/R=0.2, ΔρS/ρS=0.05  0.1=eroarea relativă a rezistivităţii
specifice (depinde de concentraţia la suprafaţă, stabilitatea temperaturii, adâncimea joncţiunii)
K f R  s
Astfel     R  T nu trebuie să rezulte valoare negativă.
Kf R s
Pentru determinarea lăţimii rezistorului care să satisfacă cerinţele de disipare a căldurii
se porneşte de la puterea disipată pe unitatea de suprafaţă care pentru siliciu este 0.5  3W/mm2
Pi P Pi Pi
P0   i  rezultând bp 
S l  bp K f  bp
2
P0  K f
După determinarea valorii bcalc se poate determina lăţimea rezistoarelor dreptunghiulare.
l  bcal  K f
Pentru un rezistor de tip meandru trebuie determinat şi numărul de segmente:
Figura IX.9. Dimensionarea rezistorului de tip meandru

Se împarte în segmente de tipul Z. În cazul nostru avem 3Z=n - nr. de segmente sub
forma Z; lmij - lungimea liniei ce trece prin mijlocul rezistorului.
lmij  n  a
L  na  b  lmij  na  B   B 
n
Dacă L=B (rezistorul ocupă cea mai mică suprafaţă dacă el este înscris într-un pătrat)
lmij  n  a
n  a  b   n2  a  b   n  a  lmij  0
n
b   a  a  4  a  b  lmij
2
a a2 lmij
n1,2     
2a 2  a  b 2(a  b) 4(a  b) a  b
2
lmij
a y y2
Notând:  y rezultă n1,2     b , primii doi termeni au valoare
b 2( y  1) 4( y  1) y  1
lmij / b Kf
mică şi putem să-i neglijăm astfel încât n   .
y 1 y 1
Kf
Adesea a=b atunci n  segmente.
2
Exemplu de calcul pentru un rezistor meandru
Ri=28KΩ
Rt  R0
R   10 4
R0  t
Pi=5 mW ΔT=(-20  40ºC)=60ºC
R
 20%
R
Ri 28 K  Kf
Kf    93 n  46  7 segmente
s  2
300
patrat
K f R  s
    R  T  0.2  0.1  60 104  0.1
Kf R s
 Δl  K  0.1  1
bΔ    Δb   f    0.1  1 m
K
 f  ΔK f  0.3  0.1
Pi 5mW 5 103
bp     10  m
P0  K f 0.5
W
 93 46.5
mm 2
lmij  b  K f  10  93  930 m
L  n( a  b)  2  a  n  2 10  7  140  m
lmij  n  a 930  70 860
B    123 m
2 7 7
IX.3. Construcţia şi calculul condensatoarelor în circuitele integrate

Condensatoarele în circuitele integrate sunt de fapt joncţiuni p-n polarizate invers, astfel
încât mărimile de interes sunt tensiunea de străpungere şi capacitatea (a se revedea realizarea
diodelor). Pe măsură ce creşte capacitatea pe unitatea de suprafaţă scade tensiunea de
străpungere.
Un condensator realizat din capacitatea de barieră CBC este descris în figura de mai jos:
Figura IX.10. Condensator realizat din capacitatea de barieră CBC

Cu cât rezistenţa plăcilor este mai mare cu atât factorul de calitate este mai mic.
Schema echivalentă pentru condensator este:
Figura IX.11. Schema echivalentă a capacităţii

C
Pentru ca acest condensator să fie bun trebuie ca 7
C parazit
Dacă considerăm capacitatea CEB :
Figura IX.12. Condensator realizat din capacitatea de barieră CEB
IX.4. Construcţia TEC-J în circuitele integrate

Structura unui TEC-J este cea din figură:
Figura IX.13. Structura TEC-J
Potenţialul negativ al grilei în raport cu sursa şi drena controlează lăţimea regiunii golite
de sarcină şi în consecinţă aria secţiunii transversale a canalului.
Există două metode de confecţionare a tranzistoarelor TEC:
- metoda difuziei duble;
- metoda creşterii epitaxiale şi a difuziei.
IX.4.1. Metoda difuziei duble

Se pleacă de la o plachetă de tip p şi se realizează o difuzie de tip n şi una p+. Această
metodă de realizare este folosită şi la dispozitive discrete şi circuite monolitice integrate.
Figura IX.14. Metoda difuziei duble

Acest tranzistor nu cere izolaţie specială pentru că regiunea p este slab dopată şi are
rezistenţă mare. Ca urmare acest tranzistor poate să nu mai fie izolat (ajunge izolarea pe care o
are).
IX.4.2. Metoda creşterii epitaxiale şi a difuziei

Pe o plachetă de tip p slab dopată se cresc două pelicule epitaxiale succesiv de tip n şi p
apoi se face litografie, difuzie selectivă, corodare, difuzia p+ de izolare şi metalizările pentru
sursă, drenă şi grilă.
Figura IX.15. Metoda difuziei duble
IX.4.3. Formarea TEC-J în cadrul tehnologiei bipolare
Tranzistorul TEC-J în tehnologia bipolară se poate realiza din difuzia de colector şi cea
de bază
Figura IX.16. TEC-J realizat în tehnologie bipolară

Capitolul X. Tehnologia MOS în Circuitele Integrate
Tehnologia MOS uzuală a adus cu sine avantajul unui număr mult mai mic de operaţii
tehnologice, o arie ocupată de zeci de ori mai mică şi un cost redus. Dezavantajul major al
tehnologiei MOS faţă de tehnologia bipolară este dat de variaţia mare a parametrilor
dispozitivelor cu temperatura.
La început tranzistorul MOS era realizat prin oxidare, fotolitografie, corodare şi difuzie.
Electrodul de poartă al tranzistorului MOS era realizat din aluminiu, această metodă fiind
menţinută şi în prezent pentru realizarea dispozitivelor discrete.
Etapele de realizare a tranzistorului MOS sunt descrise mai jos:
1. Se consideră o plachetă de siliciu de tip p;
2. Se realizează o oxidare a întregii suprafeţe apoi fotolitografie şi difuzia de tip n+
pentru drenă şi sursă;
3. Se înlătură oxidul din regiunea grilei şi se formează prin oxidare termică uscată un
strat subţire de oxid ce va constitui oxidul izolator de sub poartă;
4. Urmează operaţii de corodare selectivă pentru contactele de sursă şi drenă apoi
depunere selectivă de aluminiu pentru realizarea metalizărilor pentru sursă, drenă şi
grilă.
Figura X.1. Realizarea tranzistorului NMOS

Ulterior se protejează suprafaţa plachetei cu un strat protector de sticlă fosforosilicată şi
se realizează ferestre de contact la PAD-urile de conectare la capsulă.
Dacă se doreşte ajustarea tensiunilor de prag se realizează o operaţie în plus de difuzie
în zona de canal, operaţie ce se face înaintea formării oxidului de poartă. Pentru scăderea
tensiunii de prag se realizează difuzie de tip n iar pentru creştere se realizează difuzie p.
Figura X.2. Realizarea tranzistorului NMOS cu canal iniţial

Aceste operaţii tehnologice nu ar putea fi utilizate în circuitele monolitice din cauza mai
multor factori:
- Absenţa izolării între dispozitive
Deşi aparent dispozitivele sunt izolate prin joncţiuni p-n polarizate invers, această
izolare este slabă şi nu permite lucrul la înaltă frecvenţă şi zgomotul indus poate afecta prin
substrat funcţionarea unui alt dispozitiv învecinat.
- Poarta din aluminiu nu permite controlul cu precizie al tensiunii de prag
Neadaptarea perfectă a aluminiului depus la suprafaţa dielectricului în momentul
depunerii şi apariţia unor sarcini stocate la nivelul interfeţei conduce la controlul slab al tensiunii
de prag.
- Lipsa preciziei de aliniere a electrodului de poartă în raport cu difuziile de drenă şi sursă
astfel încât variaţia lungimii canalului este destul de mare de la un dispozitiv la altul pe acelaşi
wafer. În plus realizarea electrodului de poartă concomitent cu realizarea metalizărilor de sursă şi
drenă creşte nivelul apariţiei de scurtcircuit între poartă şi sursă respectiv între poartă şi drenă.
Cu alte cuvinte ferestrele de contact nu pot fi apropiate foarte mult de electrodul de poartă, deci
zonele difuzate de sursă şi drenă vor ocupa o arie mare.
- O altă necesitate majoră în cazul circuitelor monolitice este analizarea suprafeţei
dielectricilor şi reducerea unghiului format de pereţii oxidului cu suprafaţa acesteia în zona
ferestrelor de contact.
Obţinerea unui strat de dielectric cu planaritate bună şi cu pereţi în zonele corodate nu
foarte abrupţi este necesară pentru obţinerea unei bune stabilizări a peliculei metalice depuse dar
şi pentru reducerea interconexiunilor metalice obţinute.
X.1. Procese de bază în tehnologia MOS

X.1.1. Metode de planarizare
Pentru un circuit VLSI sunt necesare 17  20 operaţii de fotolitografie. Când toate
elementele circuitului sunt realizate se face oxidare termică şi se deschid ferestre de contact în
oxidul de siliciu (le vom deschide prin corodare uscată).
Una din metodele de planarizare utilizate este folosirea în locul oxidului de siliciu a
sticlei fosforosilicate care la temperaturi relativ joase are proprietatea de a curge. În funcţie de
concentraţia de fosfor utilizată şi de temperatura de topire se pot obţine unghiuri formate pe
pereţii de corodare cu suprafaţa plachetei.
Figura X.3. Planarizarea prin utilizarea sticlei fosforosilicate
Figura X.4. Unghiul obţinut funcţie de concentraţia de fosfor

A doua metodă de planarizare a plachetei (nu se poate folosi în VLSI) a apărut prin
folosirea unor straturi dielectrice cu puritate gradată. Astfel de straturi de dielectric se obţin prin
controlul vaporilor de apă la oxidare. Viteza de corodare a dielectricului depinde de puritatea
acestuia. Când se corodează un dielectric cu puritate gradată pereţii nu mai sunt abrupţi.
Figura X.5. Planarizarea prin utilizarea dielectricului cu puritate gradată

O altă metodă de planarizare este utilizarea unui agent de corodare care poate reacţiona
cu fotorezistul şi cu dielectricul nefiind puternic selectiv. Pe parcursul operaţiilor de corodare,
corodantul ajunge să corodeze colţurile oxidului netezindu-le
Figura X.6. Planarizarea prin utilizarea unui agent de corodare ce reacţionează
cu fotorezistul
A patra metodă de planarizare este folosirea răşinii poliimidice. Această răşină poate fi
depusă ca şi fotorezist şi după ce se încălzeşte la 300ºC aceasta se smulge, pereţii nemaifiind atât
de abrupţi.
X.1.2. Autoalinierea
Alinierea precisă a sursei şi drenei în raport cu electrodul de poartă se realizează
depunând întâi electrodul şi apoi realizându-se implantarea ionică pentru drena şi sursă. Ionii vor
pătrunde în plachetă doar prin oxidul subţire şi nu vor pătrunde în regiunea de canal datorită
electrodului.
Pentru a obţine un număr mic de defecte la nivelul interfeţei dintre electrodul de poartă
şi dielectric se poate utiliza polisiliciu care are dezavantajul unei rezistenţe crescute. De fapt în
cursul implantării ionice se realizează şi o scădere a rezistivităţii electrodului de poartă.
X.2. Tehnici de izolare a tranzistoarelor MOS în circuitele monolitice

Aparent tranzistoarele MOS sunt izolate datorită polarizării inverse a joncţiunilor, însă
dacă peste zona dintre tranzistoarele MOS se află trasee de aluminiu acestea vor constitui
electrozi de poartă a unui MOS parazit care are stratul de dielectric de poartă mai gros, însă
tensiunea de prag apropiată de cea a tranzistorului util.
Figura X.7. Tranzistor MOS parazit ce apare între două tranzistoare MOS utile
Dacă distanţa dintre tranzistoare este mare atunci şi lungimea canalului MOS parazit
este mare şi în consecinţă curenţii de scurgere prin aceste tranzistoare parazite vor fi mici. În
condiţiile măririi densităţii de integrare distanţa dintre tranzistoare devine comparabilă cu a unui
tranzistor MOS util. Deci curentul care circulă prin tranzistorul parazit este mare, ceea ce
afectează funcţionarea în ansamblu a circuitului.
Astfel tehnicile de izolare trebuie sa asigure următoarele cerinţe:
- Să asigure curenţi de scurgere cât mai mici;
- Aria ocupată de regiunile de izolare să fie cât mai mică astfel încât să nu fie afectată
densitatea de integrare;
- Tehnicile de izolare să fie simple astfel încât costul procesului tehnologic să fie cât mai
mic.
Izolarea poate fi realizată prin patru metode:
- izolarea cu ajutorul oxidului gros şi dopării pe câmp (locul liber dintre tranzistoare);
- izolarea locală sau tehnica LOCOS (LOCal Oxidation Silicon);
- izolarea prin şanţuri corodate în Si;
- izolarea cu ajutorul epitaxiei selective.
Aceste metode se deosebesc prin complexitatea lor. Cea mai utilizată este tehnica LOCOS.
X.2.1. Izolarea cu ajutorul oxidului gros şi dopării pe câmp

Dacă creştem grosimea oxidului, nu se mai poate forma un canal parazit şi apar în plus
greutăţi de deschidere a ferestrelor de contact.
Figura X.8. Izolarea cu ajutorul oxidului gros

Mai întâi se realizează tranzistoarele, apoi dopare în toate zonele de câmp inactive şi
apoi creştere de oxid de siliciu gros.
Aceasta tehnică, prima din cele utilizate, are ca principal dezavantaj prezența
denivelărilor mult prea mari pe stratul de oxid.
Al doilea dezavantaj comun tuturor tehnicilor de izolare este tensiunea de străpungere
drenă-substrat şi sursă-substrat. Pentru a reduce denivelările de pe primul strat de oxid s-a
introdus tehnica LOCOS care este utilizată pentru tehnologii de până la 0.5µm.
X.2.2. Tehnica LOCOS

În această tehnică, deasupra plachetei se creşte un strat subţire de oxid (strat buffer). Se
delimitează regiunile active prin acoperire selectivă cu un strat de nitrură de siliciu(Si3N4).
Stratul buffer este utilizat pentru a obţine o modificare lină a coeficienţilor de dilatare între
siliciu şi nitrura de siliciu. În acest fel la ridicarea ulterioară a temperaturii se evită riscul apariţiei
crăpăturilor în nitrură.
Figura X.9. Tehnica LOCOS
În toate regiunile de câmp se face o implantare de ioni de Bor ce constituie doparea de
câmp şi creşte tensiunea de prag a tranzistoarelor parazite.
Apoi se face o oxidare adâncă, inclusiv impurităţile de Bor se vor redistribui datorită
temperaturii de oxidare. Impurităţile difuzează mai repede în adâncime decât atomii de oxigen.
Se corodează nitrura de siliciu în H3PO4, se depune polisiliciu şi se implantează ioni,
apoi urmează o călire, oxidare şi corodare selectivă pentru contacte.
Figura X.10. Tehnica LOCOS (continuare)

Dezavantajele tehnicii LOCOS
 Apariţia ciocului de pasăre care reduce aria regiunilor active;
 Există posibilitatea formării în timpul oxidării a unor oxinitruri care încetineşte
procesul de oxidare.
X.2.3. Tehnologia SEPOX (Selective Polisilicon Oxidation)

Pentru a minimiza riscul apariţiei defectelor în cristal s-a introdus tehnica SEPOX în
care oxidarea nu se realizează pe suprafaţa plachetei ci pe un strat de polisiliciu depus
suplimentar. Ulterior pe suprafaţa plachetei se depune Si3N4 care se corodează selectiv pentru a
proteja zonele active.
Figura X.11. Tehnica SEPOX

Restul operaţiilor sunt identice cu cele de la metoda anterioară
Deşi metoda reduce defectele din cristal în continuare este prezent ciocul de pasăre care
duce la micşorarea ariei active.
X.2.4. Izolarea prin şanţuri corodate în siliciu

Tehnica presupune realizarea unor şanţuri cu pereţi verticali utilizând corodare puternic
anizotropă (plasmă reactivă), adâncimea şanţului fiind de 0.2-0.5µm.
Figura X.12. Izolarea prin şanţuri mici corodate în siliciu
Ulterior are loc oxidarea plachetei în zonele neprotejate.
Dacă adâncimea şanţului corodat este mică stratul de oxid se va ridica deasupra
nivelului oxidului buffer. Astfel şanţul se realizează mai adânc. Cu cât adâncimea şanţului este
mai mare cu atât stratul de oxid folosit pentru izolare va pătrunde mai mult în regiunea activă
micşorându-se iar ciocul de pasăre tot nu dispare.
Figura X.13. Izolarea prin şanţuri adânci corodate în siliciu

Pentru a împiedica pătrunderea oxidului în regiunea activă se acoperă placheta, după
corodarea şanţurilor cu oxid de siliciu și nitrura.
Se realizează o corodare anizotropă a zonelor plane de nitrură şi oxid urmată ulterior de
oxidare termică. Se poate evita creşterea excesivă a stratului de oxid prin depunere de polisiliciu.
După formarea oxidului de câmp urmează o şlefuire până la suprafaţa plachetei.
Tehnica este scumpă deoarece necesită şlefuire mecanică precisă.
Figura X.14. Izolarea prin şanţuri adânci corodate în siliciu cu împiedicarea

pătrunderii oxidului în regiunile active
O altă metodă de realizare a şanţurilor este metoda cu şanţuri corodate cu pereţi teşiţi.
Se pleacă de la aceeaşi plachetă realizându-se o depunere de oxid şi nitrură prin
pulverizare în plasmă.
Pentru ca în cursul bombardării să nu se strice Si3N4 depunem în plasmă SiO2 pe care îl
corodăm astfel încât să rămână doar pe părţile laterale.
Se realizează o corodare în plasmă pentru înlăturarea lui Si3N4 de pe părţile orizontale şi
a oxidului de pe lateral.
Figura X.15. Izolarea prin şanţuri teşite corodate în siliciu

X.2.5. Izolarea cu şanţuri de tipul V
Se porneşte de la o plachetă de tip p şi se face o operaţie de fotolitografie pentru
protejarea regiunilor active apoi o corodare specială care formează în plachetă şanţuri în formă
de V.
Se depune oxid de siliciu care va fi strat de izolaţie între tranzistoare. Apoi se depune un
strat tampon de polisiliciu pentru protecţia plachetei. Se întoarce placheta şi se şlefuieşte apoi se
realizează tranzistoarele.
Figura X.16. Izolarea prin şanţuri în V

X.2.6. Izolarea cu ajutorul epitaxiei selective
Este cea mai bună şi cea mai des utilizată. Într-o primă etapă se realizează o oxidare
termică realizându-se oxidul de câmp de izolare. Apoi se realizează o operaţie de fotolitografie,
corodare selectivă pentru înlăturarea oxidului din regiunile active.
Se realizează o depunere epitaxială de siliciu ce se realizează în mai multe etape
deoarece dacă s-ar realiza într-o singură etapă ar apărea defecte în reţeaua cristalină.
Creşterea peliculei epitaxiale se face în mai multe etape în atmosferă de hidrogen.
SiCl4  2H 2  Si  4 HCl
Astfel au loc 5 – 10 depuneri şi tranzistoarele se vor forma în aceste pelicule eptaxiale.
Figura X.17. Izolarea cu ajutorul epitaxiei selective

Avantajele epitaxiei selective:
Pelicula epitaxială are un număr mai redus de defecte decât placheta, crescută prin
metoda Czochalski; ceea ce conduce la performante mai bune ale tranzistoarelor MOS.
Suprafaţa obţinută pentru plachetă este perfect plană.
X.3. Tehnologia PMOS standard

Tehnologia standard este printre primele apărute şi conţine poarta din aluminiu iar
difuziile sunt realizate înaintea electrodului de poartă astfel realizându-se o aliniere slabă între
difuzie şi poartă.
Se pleacă de la o plachetă de tip n şi se realizează oxidarea pentru oxidul de siliciu gros,
apoi o corodare selectivă pentru regiunile de sursă şi drenă.
Se realizează o depunere de B2O3 lichid, ca sursă de difuzie, corodare pentru regiunile
de canal şi o oxidare termică uscată ce duce la pătrunderea simultană a borului în plachetă
formând difuziile de drenă şi sursă
Se deschid ferestre de contact şi se formează metalizări pentru sursă drenă şi electrodul
de poartă.
Figura X.18. Tehnologia PMOS standard
X.4. Tehnologia PMOS actuală

Tehnologiile actuale permit realizarea de dispozitive şi cu canal indus şi cu canal iniţial.
Etapele de realizare sunt:
 Oxidarea, pentru a realiza oxidul de câmp
 Deschiderea pentru difuzie de sursă şi drenă
 Expunereaa la o sursă de bor pentru difuzie, formându-se sticla borosilicată
 Înlăturarea oxidul din dreptul canalului
 Implantarea ionică pentru realizarea canalului iniţial
 Oxidarea uscată pentru oxidul de poartă
 Deschiderea ferestrei de contact
Figura X.19. Tehnologia PMOS actuală
X.5. Tehnologia NMOS de bază

A folosit de la început poarta din polisiliciu şi cuprinde în esenţă toate operaţiile
tehnologice specifice circuitelor monolitice integrate pe scară largă:
 Tehnica de izolare LOCOS
 Poartă de polisiliciu
 Implantare ionică
 Posibilitate de realizare ca tranzistoarelor cu canal indus şi iniţial
Se pleacă de la o plachetă pe care se depune un oxid buffer. Se acoperă placheta cu
Si3N4 care se corodează selectiv (rămâne doar pe zonele active).
Se realizează implantarea ionică pentru dopare de câmp şi oxidare pentru formarea
oxidului de câmp.
Se înlătură Si3N4 de pe suprafaţa întregii plachete şi se protejează cu fotorezist
tranzistoarele ce urmează a avea canal indus. Se face implantare ionică cu fosfor pentru a forma
canalul iniţial. Urmează eliminarea fotorezistului şi depunerea de polisiliciu cu corodare
selectivă pentru realizare electrozi de poartă.
Apoi urmează implantarea ionică pentru formarea zonelor difuzate de sursă şi drenă,
depunere de oxid de siliciu si deschiderea ferestrelor de contact pentru metalizări. Ultima etapă
este cea de depunere a stratului de pasivizare cu sticlă PSG.
Figura X.20. Tehnologia NMOS de bază

X.6. Tehnologia CMOS în circuitele VLSI
Tehnologia CMOS a apărut după cea NMOS având multe din caracteristicile acesteia
(tehnici de izolare, poartă din polisiliciu, autoalinierea zonelor difuzate cu electrozii de poartă)
insă a evoluat foarte mult în dorinţa de a asigura o densitate de integrare mai ridicată şi în dorinţa
de a micşora o serie de fenomene nedorite (latch-up).
Pentru că dorinţa a fost de a cupla tranzistoare complementare P şi N la acelaşi tip de
substrat a fost necesară crearea unor insule speciale de tip opus tipului substratului. Aceste insule
se numesc vane sau well.
Dacă substratul este de tip n atunci în substrat se pot realiza tranzistoare PMOS iar vana
trebuie sa fie de tip p pentru realizarea în aceste vane a tranzistoarelor NMOS.
Pentru a asigura o bună funcţionare a tranzistoarelor substratul şi vana trebuie sa
formeze joncţiuni p-n polarizate invers dar şi diodele parazite ale MOS-urilor trebuie să realizeze
joncţiuni p-n polarizate invers.
Etapele tehnologice în tehnologia CMOS cu substrat de tip p sunt:
1. Se face oxidare termică pentru protecţia plachetei, urmată de corodare selectivă
pentru realizarea difuziei de vană.
2. Difuzia vanei se realizează în două etape obţinându-se siliciu de tip n slab dopat.
Concentraţia de impurităţi trebuie să fie cu un ordin de mărime mai mare decât
placheta de tip p.
3. Urmează operaţiile de delimitare a zonelor active, realizându-se o oxidare uscată
pentru un oxid de siliciu buffer.
4. Urmează o acoperire cu Si3N4 şi corodare selectivă a acesteia pentru protecţia
regiunilor active
5. Se acoperă cu fotorezist pozitiv gros şi se corodează selectiv pentru realizarea
implanturilor de câmp corespunzătoare în vană, fotorezistul fiind utilizat cu rol de
protecţie a plachetei la efectuarea implantului de câmp corespunzător vanei.
6. Se înlătură fotorezistul pozitiv şi se acoperă cu fotorezist negativ iar la corodare se
foloseşte aceeaşi mască anterioară
7. Urmează o implantare ionică cu bor pentru difuziile de câmp de tip n, fotorezistul
negativ se corodează rămânând pe plachetă Si3N4 şi SiO2. Urmează o oxidare
termică pentru formarea oxidului de câmp (tehnica LOCOS). Tot acum are loc şi
obţinerea difuziilor, impurităţile obţinute prin implantare de câmp pătrund în
profunzime, la fel şi oxidul coboară în plachetă. Astfel structura este pregătită pentru
realizarea tranzistoarelor.
8. Se înlătură Si3N4 şi se depune polisiliciu, apoi corodarea selectivă a acestuia pentru
realizarea electrozilor de poartă şi a interconexiunilor de polisiliciu. Se protejează
din nou cu fotorezist pozitiv şi se corodează folosind masca de realizare a vanei. Se
difuzează ioni pentru realizarea sursei si drenei la tranzistoarele PMOS. Impurităţile
acceptoare pătrund şi în electrodul de poartă al PMOS scăzându-i rezistivitatea. Se
înlătură fotorezistul pozitiv şi se acoperă placheta cu fotorezist negativ care este
înlăturat selectiv pentru a proteja zona de vană. Se implantează fosfor pentru
realizare difuziilor de sursă şi drenă pentru NMOS scăzându-se totodată rezistenţa
grilei. După înlăturarea fotorezistului se poate face o călire a întregii structuri
cristaline pentru a reface zonele afectate de implantare. Pentru implanturile de câmp
este al doilea tratament, primul fiind făcut la oxidare, astfel încât zonele difuzate de
câmp cât şi zonele de sursă şi drenă ajung la acelaşi nivel.
9. Urmează acoperirea cu dielectric (oxid de siliciu) ce este corodat apoi pentru
obţinerea zonelor de contact pentru sursă, drenă, grilă şi vană. Se depune aluminiu
şi se corodează selectiv pentru definirea interconexiunilor.
Figura X.21. Tehnologia CMOS
X.7. Fenomenul de latch-up în circuitele CMOS

Este datorat unei perechi de tranzistoare bipolare care se formează în substrat şi vană şi
care sunt conectate între ele formând o buclă de reacţie pozitivă. O asemenea structură se
formează în orice succesiune pnpn.
Figura X.22. Formarea tranzistoarelor bipolare parazite
Cele două tranzistoare sunt cu atât mai mari cu cât distanţa de la contactele folosite
pentru polarizarea substrat/vană până la corpul tranzistoarelor sunt mai mari acest lucru poate
duce la apariţia fenomenului de latch-up
Figura X.23. Protecţia la formarea fenomenului de latch-up

Sunt tehnologii care în dorinţa de a reduce fenomenul de latch-up folosesc vană dublă în
strat epitaxial. Fiecare tranzistor va fi în propria sa insulă, aceste insule fiind realizate într-un
strat epitaxial foarte slab dopat. Exista şi vane retrograde în care concentraţia impurităţilor este
controlată adecvat pentru reducerea valorilor celor două rezistenţe.
Pentru a se micșora și mai mult rezistivitatea stratului de polisiliciu și pentru a micșora
rezistențele de contact ale sursei și drenei, înainte de metalizări se face o silicidare care constă în
acoperirea suprafeței de polisiliciu și a suprafeţelor de drenă și sursă cu o mixtură de polisiliciu
și metal (siliciură de platină).
Pentru a reduce efectul difuziei laterale între tranzistoare tehnologiile avansate MOS
folosesc un oxid de spațiere depus pe pereții laterali ai electrodului de poartă înaintea
implanturilor de sursă și drenă astfel încât impuritățile vor pătrunde în plachetă la o anumită
distanță de electrodul de poartă.
Capitolul XI.Tehnologia circuitelor integrate hibride (CIH)
Circuitele hibride reprezintă un compromis între circuitele cu cablaj imprimat și cele

monolitice. Ele sunt realizate dintr-un suport dielectric pe care s-au depus componentele pasive
și s-au realizat dispozitivele active și circuitele monolitice împreună cu interconexiunile dintre
acestea.
Circuitele hibride pot fi:
- Cu pelicule subțiri – la care peliculele depuse au grosimi de sute de anștromi
- Cu pelicule groase – la care peliculele depuse depășesc 0.1µm
Circuitele hibride cu pelicule subțiri se obțin prin depunerea peliculelor în vid prin una
din metodele discutate anterior. Definirea configurației circuitelor hibride cu pelicule subțiri se
poate face în două moduri:
1. Procese normale de depunere fotolitografie și corodare selectivă
2. Depunere selectivă
Circuitele hibride cu pelicule groase în general utilizează paste conductoare, rezistive și
dielectrice iar definirea configurațiilor acestor circuite se face prin depunere selectivă.
XI.1. Suportul pentru Circuitele Integrate Hibride

Cerinţele faţă de suport:
- suportul nu trebuie să conţină pori, pentru că în momentul depunerii peliculelor
moleculele de aer din pori s-ar putea degaja ducând la apariţia defectelor în peliculă.
- Suprafaţa trebuie să fie netedă, curată, pentru ca peliculele să aibă adeziune bună
şi grosime uniformă.
- Materialele utilizate pentru suport trebuie să aibă rezistivitate ridicată pentru o
bună izolare între ele. Materialele utilizate pentru suport trebuie să aibă conductivitate termică
bună pentru a degaja căldura. Ele trebuie să fie ieftine pentru a reduce costul de fabricaţie.
Pentru suport se folosesc materiale dielectrice:
- Sticla care este destul de fragilă şi are conductivitate termică slabă
- Oxidul de aluminiu cu 96% puritate şi 4% alţi oxizi dintr-un material ieftin cu
conductivitate termică destul de bună dar rezistivitate nu foarte ridicată.
- Oxid de beriliu Be2O3 – este cel mai bun, are rezistivitate mare şi conductivitate
termică foarte bună.
- În prezent suporturile se realizează din duraluminiu acoperit cu o peliculă groasă
de oxid de aluminiu.
Dimensiunea unui circuit integrat hibrid este de 10-12mm iar placheta pe care se
realizează are 96-120mm ceea ce înseamnă că într-un flux tehnologic se pot realiza până la 100
de circuite.
La început suporturile se realizau prin arderea oxizilor la temperaturi ridicate şi
depunere pe un substrat special. O altă metodă utilizată a fost presarea iar suportul din
duraluminiu se poate obţine prin metode electrochimice.
Suprafaţa suportului se degresează cu o substanţă organică (acetonă) într-un vas care
este conectat la un generator de ultrasunete. În acest vas se formează vibraţii care elimină de pe
suprafaţa plachetei impurităţile.
Figura XI.1. Curăţarea suprafeţei plachetei
XI.2. Tehnologia de realizare a măştilor pentru circuite integrate cu pelicule

subţiri
Deşi teoretic există posibilitatea definirii configuraţiei elementelor de circuit prin
operaţii de fotolitografie şi corodare selectivă, în practică se preferă procesele de depunere
selectivă, configuraţia elementelor este definită chiar în momentul depunerii.
Măştile se pot realiza prin operaţii de fotolitografie şi corodare selectivă şi trebuie să
îndeplinească anumite cerinţe:
- Masca trebuie confecţionată dintr-un material destul de subţire pentru ca să lipsească
efectul de umbrire.
- Masca nu trebuie să se deformeze la căldură pentru a fi în contact bun cu suportul
- Materialul din care se realizează masca trebuie să fie maleabil pentru a se fixa bine pe
suport.
De-a lungul timpului s-au realizat trei tipuri de măşti:

- Monometalice
- Bimetalice
- Trimetalice
Un material cu proprietăţi bune este bronz-beriliu. Masca se obţine prin fotolitografie
dar pelicula nu poate fi foarte subţire. Utilizarea acestei măşti introduce un efect de umbră
semnificativ.
Figura XI.2. Procesul de formare a măştii monometalice
O soluţie care a redus efectul de umbră a fost utilizarea unei măşti bimetalice din brom-
beriliu şi nichel.
Figura XI.3. Procesul de formare a măştii bimetalice

Mobilitatea este suficient de bună deoarece nichelul este subţire şi bronz-beriliu este
maleabil. În anumite condiţii de temperatură şi această mască are probleme datorită coeficienţilor
de dilatare termică complet diferiţi ai celor două materiale.
Pentru a compensa acest neajuns s-au realizat măşti bimetalice cu două pelicule de
nichel şi una de bronz-beriliu între ele. Aceste măşti sunt mult mai scumpe şi creează dificultăţi
în procesul de aliniere.
XI.3. Realizarea rezistoarelor în circuitele integrate hibride

O problemă importantă este creşterea rezistivităţii şi modificarea coeficientului de
variaţie cu temperatura prin scăderea grosimii peliculei. O altă problemă este fenomenul
îmbătrânirii datorită oxidării la nivel superficial al peliculei care poate duce în timp la
modificarea valorii rezistoarelor şi a grosimii lor. Dacă grosimea peliculei depăşeşte 0.1µm
atunci rezistivitatea nu mai variază semnificativ cu grosimea iar coeficientul termic este pozitiv.
Figura XI.4. Calculul rezistenţei echivalente a unei pelicule în circuitele integrate

Dacă h ≥0.1μm atunci ρpeliculă=ρmonolitic=constant
l R 1 Rt  R0
R , R   0
bh T R0 R0  T
Dacă h este 0.1n (μm) unde n este în intervalul 1-9, atunci ρpeliculă>ρmonolitic iar αR este
apropiat de 0.
Dacă h este 0.01n (μm) unde n este în intervalul 1-9 atunci ρpeliculă creşte mult iar αR
devine negativ.
Creşterea rezistivităţii peliculei este datorată mişcării lungimii parcursului mediu al
purtătorilor de sarcină. Una dintre primele materiale utilizate pentru rezistoarele peliculare a fost
cromul care se depune prin sublimare la 100oC. Pelicula de crom se oxidează foarte uşor chiar în
momentul depunerii, astfel încât rezistenţele obţinute din crom nu sunt reproductibile.
S-a renunţat la crom si s-a utilizat aliajul crom-nichel. Rezistoarele obţinute dintr-un
asemenea aliaj sunt cu reproductibilitate bună cu rezistenţă pe pătrat in jur de 10kΩ şi
αR=102ppm/oC. Din păcate realizarea peliculelor de crom-nichel nu se poate face decât prin
pulverizare în plasmă datorită presiunii vaporilor saturaţi diferite. La 1200 oC presiunea vaporilor
saturaţi ai cromului este de zece ori mai mică decât ai nichelului.
Un alt material utilizat este tantalul, care permite obţinerea unei rezistenţe de
100Ω/pătrat pentru grosimi de 50-60nm. Tantalul are o temperatură de sublimare de 3000 oC,
ceea ce creează dificultăţi de depunere. Depunerea se realizează prin pulverizare în plasmă sau în
câmp electric de intensitate mare. O altă problemă este fenomenul de îmbătrânire, pelicula de
tantal reacţionează uşor cu oxigenul în timpul şi după pulverizare. Pentru a evita acest fenomen
se practică îmbătrânirea controlată, pelicula de tantal depusă este mult mai groasă şi apoi în
funcţie de valoarea rezistenţei se supune unui proces de oxidare controlată până când se ajunge la
valoarea dorită a rezistenţei. Având în vedere pelicula de oxid formată în acest fel fenomenul de
oxidare ulterioară este mult mai lent.
Se pot realiza rezistoare pe baza aliajelor metal-dielectric, Cr-SiO sau cermet. Aceste
pelicule permit obţinerea unei rezistenţe de 10-1000Ω/pătrat şi αR=102ppm/oC.
Acest aliaj reprezintă un praf şi nu se poate face ţintă din acesta, el vaporizându-se în
vaporizator.
Alte aliaje utilizate sunt siliciu-crom siliciu molibden – rezistoare silicide - permit
obţinerea unei rezistenţe de 200-20KΩ/pătrat şi αR=102ppm/oC.
Acest grup de materiale este cel mai utilizat pentru că aceste rezistenţe nu au nevoie de
pasivizare a suprafeţei fiindcă că în timpul ajustării la nominal ele se acoperă cu dielectric
(SiO2). O particularitate importantă a aliajului siliciu-crom este aceea că coeficientul de variaţie
cu temperatura este negativ pentru temperaturi peste 75 oC şi pozitiv pentru temperaturi mai
mici.
XI.3.1. Realizarea condensatoarelor în circuitele integrate hibride

Cea mai simplă realizare a unui condensator pe un suport dielectric constă din două
pelicule conductoare separate printr-una izolatoare. Natura şi forma acestor pelicule sunt dictate
de caracteristicile materialelor utilizate dar şi de performanţele dorite de condensator.
Figura XI.5. Realizarea condensatoarelor în circuite integrate

Dielectricul izolator este de obicei un oxid al metalului folosit pentru armătura
inferioară şi se poate obţine printr-o oxidare anodică a acestei armături. Ca și materiale se
folosesc armături din aluminiu şi Al2O3 izolator sau armături din tantal şi Ta2O5 .
Exemplu de realizare a condensatorului cu tantal
Într-un vas se găseşte o soluţie cu apă şi H2SO4, armătura de tantal fiind legată la cel
mai pozitiv potenţial. În această situaţie are loc oxidarea şi formarea peliculei izolatoare. Pelicula
obţinută este cu atât mai mare cu cât diferenţa de tensiune dintre anod şi catod este mai mare.
Figura XI.6. Realizarea armăturilor de tantal
Deşi armătura superioară este din tantal se preferă acoperirea ambelor armături cu
suprafeţe de contact din aur deoarece tantalul are rezistivitate ridicată.
Un dezavantaj major este aria ocupată mare.
Condensatoarele realizate cu Ta2O5 au dezavantajul major că sunt polare (au o tensiune
de străpungere mai mică intr-o direcţie şi mai mare în cealaltă). Pentru a indepărta acest neajuns
se conectează două condensatoare în serie şi se utilizează atunci când condensatorul este flotant.
XI.3.2. Materialele dielectrice utilizate pentru condensatoare în circuitele integrate

hibride
 0  S
Capacitatea poate fi determinată cu relaţia: C  , unde ε0=1, ε-permitivitatea
d
dielectrică, S-suprafaţa de suprapunere a plăcilor, d-grosimea dielectricului.
C    0  pF 
Capacitatea specifică a condensatorului: C0   .
S d  mm 2 
Cu cât d este mai mic cu atât C0 este mai mare. Însă d nu poate fi foarte mic datorită
tensiunii de străpungere.
U str  V 
Tensiunea de străpungere: E str  .
d  mm 
Pentru ca un condensator să lucreze bine trebuie ca: Ulucru < Ustr
U lucru    U str    Estr  d ,   0.8 .
V
De exemplu: EstrSiO  106 astfel încât putem depune o peliculă de SiO2 de 0.1μm;
2
cm
V
EstrSiO (d  0.1 m)  100  U str  10V .
2
m
Grosimea maximă a dielectricului este limitată de coeficientul dilatării temice (ce este
diferit de la dielectric faţă de metal şi dacă acesta este mai mare de 1μm ar crăpa).
Primul material folosit pentru condensatoarele monolitice a fost SiO (sub formă de praf)
ce poate fi depus prin vaporizare în vid astfel:
Materialele utilizate pentru condensatoare sunt:
Material ε C0 [μF/cm2]
SiO 56 0.01  0.5
SiO2 3.5  4 0.004  0.02
Al2O3 10 0.03  0.08
Ta2O5 21  25 0.1  0.15
De exemplu pe o suprafaţă de 1cm2 de SiO poate rezulta un condensator cu capacitatea
de 0.5μF care însă ocupă o suprafaţă foarte mare şi se vor folosi în concluzie condensatori
discreţi.
În concluzie, dacă avem condensatoare cu capacitate mare putem folosi în cadrul
circuitelor integrate condensatoare discrete care pot ocupa o suprafaţă mult mai mică.
XI.3.3. Materiale pentru conductoare în circuite integrate hibride

Cuprul este un material foarte bun pentru că are conductibilitatea electrică foarte bună
dar are adeziune slabă şi oxidează repede. Se poate folosi cuprul cu titan pentru adeziune şi cu
aur pentru a nu oxida, grosimea conexiunilor devenind mare. Aurul deşi are conductibilitate
electrică foarte bună nu oxidează însă are adeziune slabă. Conexiunile din aur nu permit
interconectarea componentelor prin lipire pentru că se dizolvă în cositor şi de obicei se foloseşte
termocompresia.
Aluminiu are conductibilitate bună, adeziune bună dar nu suportă lipituri de cositor
decât doar dacă se depune o peliculă de nichel crom deasupra.
  
Metal [   cm]  s  patrat   1000 Å
Cu 1.6 0.2
Au 2.4 0.27
Al 2.8 0.33
Pd-Au 21 3
Ti 55 10
Ni+Cr 100 15
XI.3.4. Fluxul tehnologic de confecţionare a circuitelor integrate hibride cu pelicule

subţiri
Topologia circuitelor integrate hibride se poate forma prin trei metode:
 confecţionarea cu ajutorul măştilor;
 confecţionarea cu ajutorul fotolitografiei;
 confecţionarea combinată.
Exemplu de circuit integrat simplu pe peliculă subţire:
Pe circuite integrate hibride se realizează condensatoarele şi rezistoarele separat faţă de
fluxul tehnologic al tranzistoarelor.
Figura XI.7. Confecţionarea circuitelor integrate hibride cu ajutorul măştilor
XI.4. Tehnologia CIH cu pelicule groase

Aceste circuite folosesc în întregime metode de depunere selectivă. Grosimea
peliculelor şi dimensiunea elementelor nefiind critice în cazul acestui circuit. Sunt cele mai
ieftine circuite iar peliculele utilizate se obţin din paste conductoare sau izolatoare.
Etapele de realizare a circuitelor integrate hibride cu pelicule groase sunt:
1. proiectarea topologiei;
2. confecţionarea măştilor;
3. depunerea pastei conductoare (după fiecare depunere a pastei se face uscare şi apoi
coacere);
4. depunerea pastei dielectrice;
5. depunerea pastelor rezistive;
 M
Pastele rezistive pot avea:  s  10 1 . Aceste paste le punem în funcţie de
patrat patrat
cerinţele de temperatură.
6. Ajustarea funcţională (trimerarea);
7. Testarea;
8. Încapsulare;
9. Testare post încapsulare.
Măştile folosite pentru circuitele hibride cu pelicule groase trebuie să permită depunerea
unor biluţe de paste şi au o structură adecvată şi necostisitoare.
Cele mai simple măşti sunt cele sită, foarte fine şi impregnate cu fotorezist care se va
coroda selectiv. Sitele pot fi realizate din metal sau mase plastice. Geometria elementelor va fi
dată de ochiurile sitei din care s-a înlăturat fotorezist.
Figura XI.8. Mască sub formă de sită

Aceste măşti sunt utilizate în special în laboratoare deoarece nu pot fi utilizate de foarte
multe ori.
Un alt tip de mască intens utilizat este o mască dublă formată dintr-o peliculă metalică
ce este corodată selectiv conform geometriei elementelor ce se doresc a fi realizate. Peste această
mască se pune sita. Un dezavantaj al acestei măşti este coeficientul de dilatare termică diferit
între pelicula metalică şi sită.
Figura XI.9. Mască dublă

Pastele pentru depunerea peliculelor groase au în compoziţia lor chimică următoarele
materiale:
1. Materialul de bază care determină destinaţia pastei;
2. Un liant pentru legătură temporară prin care se poate controla vâscozitatea pastei în
momentul depunerii;
3. Un liant pentru legătura de durată (legătura staţionară) care oferă caracteristicile
mecanice ulterioare pastei depuse.
Materialele de bază utilizate pentru pastele conductoare sunt: aur, argint, nichel,
aluminiu, cupru.
Pentru peliculele care conţin argint există riscul migraţiei atomilor de argint către
margini şi apariţia scurtcircuitelor. Peliculele din aur nu se folosesc des deoarece sunt scumpe.
Pastele rezistive sunt obţinute din materiale conductoare ce au rezistivitate mare sau din
oxizi.
Pastele dielectrice sunt realizate din oxizi în stare pură sau din amestecuri de oxizi
(SiO2, Al2 O3,PbO2). Liantul pentru legătura temporară este format din substanţe organice şi se
elimină prin evaporare în procesul de uscare. Materialul de legătură staţionară este tot un oxid.
Pastele în general sunt compuse din particule cu diametrul de 5-15nm ale substanţei de
bază care sunt amestecate cu cele două substanţe de legătură (70-75% substanţă de bază).
În pastele dielectrice se adaugă BaTiO3 pentru a creşte permitivitatea dielectrică şi
adeziunea la suport.
XI.4.1. Procesul de depunere a pastelor

În general la depunere masca este fixată pe suport iar pasta se întinde cu o racletă
specială ce ar trebui sa aibă dimensiunea suportului şi care se poate mişca în diferite direcţii
pentru a se obţine o peliculă depusă uniform.
Figura XI.10. Depunerea pastelor

Există două metode de depunere:
1) când masca este în contact cu suportul;
2) când între mască şi suport este o distanţă de 500 μm.
Figura XI.11. Depunerea pastelor cînd masca este în contact cu suportul

Figura XI.12. Depunerea pastelor cînd masca este distanţată de suport
XI.4.2. Uscarea şi coacerea pastelor

Pelicula depusă are o configuraţie data de configuraţia sitei. În consecinţă pasta se lasă
până la 30 de minute să se uniformizeze după care se introduce în instalaţia pentru uscare şi
coacere. Scopul operaţiei de uscare este de a înlătura moleculele solventului organic iar scopul
operaţiei de coacere este de a creşte adeziunea la suport. Instalaţia pentru uscare şi coacere este
aceeaşi şi utilizează un gradient adecvat de temperatură pentru a atinge scopul celor două
operaţii.
Figura XI.13. Instalaţia pentru uscare şi coacere şi distribuţia temperaturii în instalaţie

Coacerea se realizează într-o atmosferă de gaz inert motivul fiind acela că în timpul
operaţiei de coacere o parte din oxizi pot reacţiona cu atomii de carbon formând dioxid de
carbon care ar avea tendinţa de a se degaja din peliculă şi pelicula ar crăpa.
Bibliografie
1. Ion Dima, Ion Munteanu, „Materiale şi dispozitive semiconductoare”, Ed. Didactică si
Pedagogică, Bucureşti, 1980
2. Radu M. Barsan, „Fizica şi tehnologia circuitelor MOS integrate pe scară mare”, Ed.
Academiei, Bucureşti, 1989
3. Ion Pârvu, „Produse anorganice semiconductoare”, Ed. Tehnică, Bucureşti, 1997, ISBN
973-31-1109-0
4. Eugen Lakatoş, “Rolul fizicii în dezvoltarea microelectronicii” Ed. Electra, 2014
5. Yoshio Nishi, Robert Doering, „Handbook of Semiconductor Manufacturing
Technology”, Marcel Dekker, Inc., 2000, ISBN 0-8247-8783-8
6. Peter van Zant, „Microchip Fabrication”, McGraw-Hill, 2000, ISBN 0-07-135636-3
7. Paul Gray, Paul J. Hurst, Stephen H. Lewis, Robert G. Meyer „Analysis and Design of
Analog Integrated Circuits”, John Wiley & Sons, Inc., 2001, ISBN 0-471-32168-0
8. R.J.Baker, H.W.Li, D.E.Boyce, „CMOS Circuit Design, Layout and Simulation”,
IEEE Press, 1998, ISBN 0-7803-3416-7
9. Alan Hastings, „The Art of ANALOG LAYOUT”, Prentice Hall, 2001, ISBN 0-13-
087061-1
10. Dan Clein, „CMOS IC Layout”, Newns, 2000, ISBN 0-7506-7194-7

Carte Btme v01

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Carte Btme v01

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Bazele Tehnologice

Capitolul I. Tehnologia materialelor semiconductoare .......................................................... 2

I.1. Scurt istoric ..................................................................................................................... 2

Capitolul II. Creşterea cristalelor ........................................................................................ 15

II.1. Formarea germenilor de cristalizare .............................................................................. 15

Capitolul III. Formarea de pelicule în industria microelectronică .................................... 40

III.1. Formarea de pelicule dielectrice la suprafaţa suportului ............................................... 40

Capitolul IV. Tehnologia fotoreceptorilor şi a laserelor cu heterojoncţiuni ..................... 65

IV.1. Bazele fizice de funcţionare a elementelor solare ......................................................... 65

V.1. Teoria difuziei ............................................................................................................... 71

Capitolul VI. Procesul de litografie pentru producerea dispozitivelor semiconductoare şi

VI.1. Criterii de apreciere a fotomăştilor................................................................................ 86

Capitolul VII. Depunerea materialelor dielectrice şi conductoare .................................... 101

VII.1. Metode de obţinere a vidului ................................................................................... 101

Capitolul VIII. Metode de izolare a tranzistoarelor bipolare .......................................... 122

VIII.1. Tehnologia standard ................................................................................................ 123

Capitolul IX. Construcţiile şi calculul elementelor în circuitele integrate ...................... 133

IX.1. Realizarea Diodelor în tehnologia Tranzistoarelor Bipolare....................................... 133

Capitolul X. Tehnologia MOS în Circuitele Integrate ..................................................... 141

X.1. Procese de bază în tehnologia MOS ............................................................................ 142

Capitolul XI. Tehnologia circuitelor integrate hibride (CIH) .......................................... 159

XI.1. Suportul pentru Circuitele Integrate Hibride ............................................................... 159

Bibliografie ................................................................................................................................. 170

Capitolul I. Tehnologia materialelor semiconductoare

I.1. Scurt istoric

Figura I.1. Dioda punctiformă

Figura I.2. Tranzistorul cu contacte punctiforme

I.2. Materiale semiconductoare

I.3. Legături chimice în semiconductoare

I.4. Structura benzilor energetice în materiale semiconductoare

Figura I.4. Distribuţia Fermi-Dirac

I.5. Puritatea substanţelor cristaline semiconductoare

I.5.1. Puritatea structurală

Figura I.5. Defectele Schottky

Figura I.6. Defectele Frenkel

Figura I.7. Defectele liniare şi elicoidale

Defectele liniare marginale au o orientare perpendiculară pe direcţia forţei ce a fost

I.5.2. Statistica defectelor punctuale

Ştiind că ln  n!  nln  n   n energia liberă a cristalului se rescrie:

E  nWe  KT  Nln  N   N   N  n  ln   N  n     N  n   nln  n   n 

E  nWe  KT  Nln  N    N  n  ln   N  n    nln  n  

I.5.3. Puritatea chimică

I.6. Principiul de purificare a substanţelor prin cristalizare

Figura I.8. Sistem termodinamic cu trei faze

I.7. Diagrame de fază

Figura I.9. Diagrame de fază a unui sistem unicomponentă (cupru)

Figura I.10. Diagramele de fază pentru sisteme bicomponentă

I.7.1. Regula pârghiei

Figura I.11. Diagramele de fază pentru sisteme bicomponentă: regula pârghiei

Figura I.12. Diagramele de fază pentru soluţii discontinue CdBi

Figura I.13. Diagramele de fază pentru soluţii discontinue

I.7.3. Diagrame de fază distectice

Figura I.14. Diagramele de fază distectice

Figura I.15. Triunghiul echilateral a lui Gibbs

Figura I.16. Diagrame de fază ale sistemelor tricomponentă

Capitolul II. Creşterea cristalelor

În procesul cristalizării (modul de purificare a substanţelor) se pune problema cum se

Între rata de germinaţie şi viteza de creştere există o legătură de tipul:

II.1. Formarea germenilor de cristalizare

Figura II.1. Variaţia energiei totale a picăturii funcţie de rază

Figura II.2. Formarea germenului în cazul nucleaţiei eterogene

II.2. Mecanismele de creştere şi cinetica cristalelor

Figura II.3. Cristal cu feţe incomplete

Figura II.4. Procesul de creştere a cristalului