Dinamica sistemelor microelectromecanice (MEMS)

Prof. dr. ing. Georgeta IOAŞCU

3. Amortizarea
Evaluarea amortizării pretinde cel mai laborios efort de analiză a structurii. Dimensiunile
mici ale elementelor elastice şi interstiţiul redus dintre partea fixă şi cea mobilă a structurii
produc amortizarea prin comprimare/presare. Se pot atinge astfel valori remarcabil de mari ale
coeficienţilor de amortizare.
Tabelul 4 Amortizarea echivalentă pentru diferite structuri mecanice
h A
Mişcare relativă de translaţie ηA
ceq =
între suprafeţe paralele h
η
x
o
Masă vibratoare aflată în contact 4µ 
rigid cu o suprafaţă (frecare ceq =
Coulomb)
πω X

 µ
2l
∗ 4η l 3
h ceq =
Amortizare prin comprimare h3
*pe unitatea de
lungime
η

v0 cos (ϖt)
d π u0η
∗
Amortizare tip Couette ceq =
ωd

Amortizarea este critică pentru performanţa microsistemului pe tot cuprinsul lărgimii

benzii de frecvenţe ale sistemului. Valorile mari ale amortizării prin comprimare, care este
probabil să survină în MEMS, pot reduce lărgimea de bandă dinamică a sistemului până la un
nivel inacceptabil. Amortizarea este determinată atât de geometria interstiţiului şi a elementelor,
cât şi de vâscozitatea sau presiunea fluidului din mediul înconjurător. Amortizarea constituie o
mare problemă pentru microaccelerometre şi microfoane în miniatură. Răspunsul în frecvenţă al

1
unor astfel de sisteme poate fi îmbunătăţit reducând amortizarea prin configurarea adecvată a
elementelor fixe şi elastice sau prin încapsularea structurii la joasă presiune. Pentru
microstructurile care oscilează lateral, cum ar fi structurile rezonante în formă de pieptene, natura
dominantă a amortizării se datorează curgerii de tip Couette. În tabelul 4 sunt prezentate valorile
amortizării echivalente pentru unele configuraţii de disipare a energiei; o amortizare redusă
pretinde o presiune redusă a fluidului/gazului de lucru.
Anumite clase de aplicaţii solicită amortizări foarte reduse. Structurile rezonante
(actuatori piezoelectrici şi senzori acustici) funcţionează pe baza proprietăţilor oscilatorii ale
anumitor materiale active (cuarţ, LiNbO3, ZnO, AlN, PZT etc.). Proprietăţile de amortizare
intrinseci scăzute ale materialului asigură că sistemul este mai eficient în disiparea/pierderea
energiilor scăzute.
Când amortizarea este scăzută, raportul dintre amplitudinea dinamică şi amplitudinea
statică la rezonanţă, respectiv factorul de calitate Q, oferă informaţii importante despre răspunsul
dinamic al sistemului. Lărgimea de bandă a sistemului reprezintă domeniul de frecvenţe pentru
care raportul în amplitudine scade sub Q/2. Factorul Q al unei structuri este asociat cu raportul
dintre energia de deformaţie înmagazinată în sistem şi energia disipată prin amortizare.
Când este evaluată frecvenţa naturală a unui sistem mai complex, este mai potrivit să se
folosească una dintre metodele energetice. Unul dintre avantajele unei astfel de metode este acela
că ia în consideraţie efecte variate ale câmpului electric şi magnetic, precum şi ale forţelor
capilare, care altfel ar fi foarte dificil să fie incluse în model. Introducând în ecuaţie energia
potenţială maximă şi energia cinetică, se poate evalua influenţa forţelor şi a câmpurilor externe
asupra frecvenţei naturale a structurii.

4. Influenţa câmpului electrostatic

Se consideră două plăci paralele separate de un interstiţiu mic. O placă este fixă în timp ce
cealaltă se mişcă de-a lungul direcţiei z normală la cele două plăci. Placa mobilă este supusă unor
forţe de revenire elastică. Mişcarea plăcii în fluidul care umple interstiţiul dintre cele două plăci
produce o forţă disipativă proporţională cu viteza plăcii. Distanţa dintre cele două plăci este, de
obicei, măsurată prin valoarea impedanţei condensatorului variabil format de cele două plăci.
Dimensiunea mică a structurilor micromecanice ale MEMS permite câmpului electric, care este

2
tot timpul prezent, să influenţeze puternic răspunsul dinamic al microstructurii. Energia datorată
câmpului electrostatic poate fi exprimată astfel:

∂U V 2 ∂C
− = (8)
∂z 2 ∂z
unde: U - energia electrostatică înmagazinată,
V - diferenţa de potenţial dintre plăcile condensatorului,
C - capacitatea condensatorului,
z - săgeata armăturii flexibile a condensatorului.
Ecuaţia (8) arată că creşterea deplasării armăturii mobile tinde să mărească intensitatea
câmpului electrostatic, reducând interstiţiul şi crescând capacitatea. La rândul său, acest câmp va
tinde să atragă elementul elastic cu o intensitate sporită. Armătura aflată sub câmpul electrostatic
efectuează astfel o deplasare mai mare decât cea experimentată în absenţa câmpului electrostatic,
care poate fi înţeleasă ca o rigiditate negativă a structurii datorită existenţei câmpului
electrostatic.
Trebuie remarcat faptul că, indiferent de potenţialul armăturilor, câmpul electrostatic
produce un efect de slăbire asupra rigidităţii plăcii mobile. Cu toate acestea, fenomenul detectabil
este reprezentat de atracţia dintre cele două armături. De asemenea, s-a stabilit că fiecare
structură prezintă o valoare de prag specifică a săgeţii statice datorată forţei electrostatice. Dacă
se depăşeşte această valoare, armătura mobilă devine instabilă dinamic, până la a lua contact cu
placa fixă din spate. Din punctul de vedere al câmpului electric, fiecărei structuri îi este asociată o
tensiune de prag la care are loc atracţia celor două armături şi deci închiderea circuitului.
De obicei, această condiţie este asociată cu defectarea mecanică a structurii, deci trebuie
evitată cu grijă. Frecvenţa naturală a unei plăci supuse unui câmp electrostatic va scădea datorită
efectului de rigiditate negativă indus de câmpul electrostatic. Când deplasarea de prag (critică)
este atinsă, frecvenţa naturală se apropie de zero. În acest moment se produce echilibrul dintre
rigiditatea pozitivă şi negativă.
Tendinţa de variaţie a frecvenţei naturale a unei plăci dublu rezemate, supusă unei
diferenţe de potenţial în raport cu armătura fixă, este ilustrată în figura 3. Frecvenţa naturală,
primele frecvenţe de rezonanţă şi modurile proprii de vibraţii pentru structurile simple sunt
prezentate în tabelul 5.

3
 La proiectarea senzorilor/actuatorilor capacitivi, piezorezistivi sau acustici, influenţa
câmpului electrostatic asupra diminuării frecvenţei naturale a structurii trebuie analizată cu
atenţie. Asemenea analize pot fi îndeplinite folosind una din metodele energetice (Rayleigh
pentru frecvenţa naturală sau Rayleigh-Ritz pentru primele frecvenţe de rezonanţă). Prin
introducerea în ecuaţie a energiei de deformaţie, cu energia cinetică şi energia electrostatică, pot
fi calculate frecvenţa naturală sau primele frecvenţe de rezonanţă.

F r ec v e n ţa p r o p r ie (H z )
90000
80000
70000
60000 X n1 0
50000
40000
30000
20000
10000
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 0
T e n siu n e (V ) Xn

A) B)
Fig. 3 A) Frecvenţa naturală (proprie) a unei microgrinzi cu dimensiunile 1000x1000x2 µm,
dublu rezemată şi supusă unei diferenţe variabile de potenţial în raport cu armătura fixă, paralelă
şi distanţată la 2 µm faţă de grindă (elementul mobil). Frecvenţa naturală se diminuează, astfel
încât pentru tensiuni mai mari de 15 V, frecvenţa naturală a plăcii este aproape zero. Placa
prezintă instabilitate dinamică chiar la diferenţă joasă de potenţial, după cum se arată în (B)
B) Diagrama stării de fază a microgrinzii descrise în (A), supusă unei excitaţii sinusoidale şi unui
câmp electric creat de o diferenţă de potenţial de 12 V între microgrindă şi armătura fixă

Tabelul 5 Primele frecvenţe de rezonanţă şi modurile proprii de vibraţii pentru structuri simple
Nr. Frecvenţe naturale
Configuraţia grinzii
crt.
Mod ki Poziţie nodală / l
1 9,87 0 1
k i El g 2 39,5 0 0,5 1
1 fi =
l 2π wl 4 3 88,8 0 0,33 0,67 1
4 158 0 0,25 0,5 0,75 1
5 247 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
Mod ki
ki El g
2 fi = Poziţie nodală / l
l 2π wl 4

4
 Tabelul 5 (continuare)
Mod ki Poziţie nodală / l
1 3,52 0 1
k El g 2 22 0 0,783
3 fi = i
2π wl 4 3 61,7 0 0,504 0,868
l 4 121 0 0,358 0,644 0,905
5 200 0 0,279 0,5 0,723 0,926
Mod ki Poziţie nodală / l
1 15,4 0 1
ki 2 50 0 0,577 1
4 El g
fi = 3 104 0 0,386 0,692 1
l 2π wl 4 4 178 0 0,295 0,529 0,765 1
5 272 0 0,239 0,428 0,619 0,81 1
Mod ki
ki 1 1,57
fi = ⋅ 2 4,71
Js 2π
5 j
3 7,85
6k i
⋅
l [ j + ( js 3 )] l
Mod ki
k Tg 4 π
6 T T fi = i 5
l
2π wl 2 2π
6 3π
b a/b ki
k 0,9 10,2
a f = ⋅
w 2π 0,8 11,3
7 0,6 12,6
Et 3 g
⋅ 0,4 17,0
(
12 wa 4 1 − v 2 )
0,2 27,8
t
0 57,0
w k Mod ki
r f = i ⋅ 1 10,2
2π
8 2 21,3
Et 3 g 3 34,9
⋅
t (
12 wr 1 − v
4 2
4) 39,8
j - moment de inerţie masic concentrat (al volantului), Js - moment de inerţie masic distribuit (al
arborelui), G - modul de elasticitate transversal, T - efort de întindere, i - număr de ordine al
frecvenţelor proprii, fi - frecvenţe proprii (Hz), ki - constantă, r - raza plăcii circulare, t - grosimea
plăcii, l - lungimea grinzii, w - intensitatea sarcinii distribuite (incluzând şi greutatea proprie a
grinzii/plăcii), I - moment de inerţie al secţiunii grinzii, g - acceleraţie gravitaţională, E - modul de
elasticitate Young, ν - coeficientul lui Poisson.

5
 Analiza cu elemente finite (FEA) reprezintă o altă opţiune în identificarea primelor
frecvenţe naturale ale unei structuri de formă complexă. Modelarea cu elemente finite permite
analiza structurilor complexe (multistratificate) incluzând solicitări de tensiune-deformaţie,
încărcare dinamică, termică sau electro-magnetică şi chiar combinaţii ale acestora.

5. Influenţa tensiunilor termice din straturile subţiri care alcătuiesc

structura
Pe lângă câmpurile potenţiale, fabricaţia straturilor subţiri poate fi o altă cauză de
influenţă a comportamentului dinamic specific microstructurilor. Depunerea straturilor subţiri
induce tensiuni de compresiune sau întindere, care se datorează în principal nepotrivirii termice
dintre substrat şi strat, revenite la temperatură ambiantă joasă după procesul de depunere la
temperatură înaltă. Tensiunile reziduale pot produce deformaţii sau chiar ruperea structurii.
Totodată, existenţa tensiunilor în structură produce schimbări în comportamentul dinamic al
structurii. Gradul în care se produce schimbarea proprietăţilor dinamice depinde mai ales de
mărimea tensiunilor încorporate în structură. Intensitatea tensiunilor este puternic dependentă de
parametrii procesului de depunere, iar valoarea lor se poate întinde de la câţiva MPa la câţiva
GPa. Straturile cu nivel scăzut de tensiuni pot fi întâlnite aproape întotdeauna la realizarea
structurilor microprelucrate pe suprafaţă. Anumite etape ale proceselor de execuţie şi ale
tratamentelor termice pot micşora valoarea tensiunilor reziduale, apropiind-o de zero. Măsurarea
tensiunilor reziduale poate fi realizată folosind tehnici experimentale create pentru diferite
intervale de tensiuni şi dimensiuni proprii structurii. În cazul măsurării unei plachete întregi şi
pentru tensiuni mai mari de 10 MPa, variaţia de curbură produce tensiuni a căror mărime este
dată de relaţia (Stoney):

E t s  1 1 
2
σr = − (9)
6(1 − ν )t  Ri R f 
unde: ts - grosimea substratului,
t - grosimea stratului subţire,
Ri - curbura plachetei înainte de depunere (ar trebui ca Ri = ∞),
Rf - curbura plachetei după depunere.
Măsurarea curburilor mari este realizată cu aparate optice, care pot detecta raze mari de
curbură ale substratului înainte şi după depunerea stratului subţire.
6
 Pentru tensiuni mai mici de 1 MPa, este folosită curbarea unui set de grinzi dublu
rezemate pentru a aduce valoarea tensiunilor de compresiune în domeniul largimii de bandă
îngustă. Pentru tensiuni de întindere, sunt folosite seturi de structuri speciale constând dintr-un
inel (inele Guckel) susţinut de o grindă circulară pentru a evalua tensiunea formată între substrat
şi strat. Structurile test martor sunt constituite din stratul subţire depus pe substrat. Cele două
structuri descrise mai sus sunt prezentate în figura 4.

R
Elemente
de susţinere

Substrat

(A)
Substrat
(B)

Fig. 4 Structură „in situ” (structură test încorporată într-o structură curentă)
pentru măsurarea tensiunilor reziduale joase (de intensitate mică) din straturile subţiri.
(A) Grindă dublu rezemată îndoită sub acţiunea tensiunilor de compresiune
(B) Configuraţia inelului Guckel; grindă circulară curbată sub acţiunea tensiunilor de întindere
din inel
Reţeaua de structuri poate fi construită într-o anumită configuraţie. Măsurătorile constau
din confruntarea observaţiilor la un microscop cu un tabel care arată mărimea tensiunii critice la
curbare în funcţie de dimensiunile grinzii. Tensiunile reziduale pot fi evaluate, în afara tensiunii
critice la curbare, cu relaţiile:

π 2h2 E
σr = − pentru grinda dublu rezemată (10)
3L2
π 2h2 E
σr = − pentru inelele Guckel (11)
12ζ (R )R 2
unde: h - grosimea, L - lungimea, R - raza inelului Guckel, ξ(R) - o funcţie de diametrul exterior
şi cel interior.

7
 Fig. 5 Tensiunea provocată de coeficienţii de dilatare termică diferiţi ai materialelor stratului
subţire şi substratului. Când substratul sau stratul de sacrificiu este corodat pentru a elibera
(degaja) microstructura, tensiunile de contur sau cele încorporate la interfaţa stratului bimorf vor
modifica răspunsul static şi dinamic al sistemului

Tensiunile reziduale influenţează puternic caracteristicile de vibraţie ale structurilor

suspendate, care sunt parte a MEMS-urilor.
Structurile elastice cum ar fi microgrinzile şi microplăcile (micromembranele), după cum
se arată în figura 5, îşi reglează răspunsul dinamic în funcţie de tensiunea reziduală încorporată.
Ecuaţia generală (Lagrange) care descrie mişcarea plăcii este:

∂2z
D∇ z + ρ 2 = 0
4
(12)
∂t
în care:

Eh 3
D=
( )
rigiditatea la îndoire a plăcii
12 1 − v 2
∂4 ∂4 ∂4
∇4 + 2 +
∂x 4 ∂ 2 x∂ 2 y ∂y 4
ρ masa pe unitatea de suprafaţă.
Dacă placa este supusă la tensiuni echivalente celor produse de forţele liniare de contur:
Nx, Ny si Nxy ecuaţia de mai sus se transformă în:

∂2z ∂2z ∂z ∂2z

D∇ z + ρ 2 =  x 2 + 2  xy
4
+ y 2 (13)
∂t ∂x ∂x∂y ∂y

8
 Frecvenţele proprii fi ale plăcii nesupuse la nici un efort/solicitare sunt date de:

1 λi D
fi = (14)
2π a 2 ρ
Valorile proprii ale plăcii supuse la forţe liniare decuplate Nx si Ny (Nxy=0) sunt date sub
forma:

a 2π 2  
2
2 a 
λ si 2
= λi +
2
 y m +  xn   
2
(15)
D   b  
Din ultimele două ecuaţii de mai sus, se poate identifica setul de forţe liniare Nx şi Ny care
satisfac relaţia:

( )
2
2 a 
4 ρ a f i − f si =  y m +  x n  
2 2 2
(16)
b
unde: fi - frecvenţa proprie a plăcii nesolicitate,
fsi - frecvenţa proprie a plăcii supuse la efort,
a şi b - dimensiunile plăcii,
h - grosimea plăcii,
m şi n - numerele modurilor proprii de vibraţii.
Ultima relaţie poate fi utilizată pentru rezolvarea problemelor inverse, care sunt de interes
practic. Când tensiunea la interfaţa substratului cu stratul subţire este cunoscută, modificarea
frecvenţei de vibraţie a unei structuri date poate fi cu uşurinţă prezisă.
Microplăcile supuse la vibraţii forţate se vor comporta astfel similar singura diferenţă
fiind, că frecvenţa lor naturală este mult mai mare decât cea a plăcilor de dimensiuni normale.
Tratamentele de recoacere realizate pentru structuri, la 800-1000 0C în gaze inerte timp de
2 ÷ 4 h, pot reduce substanţial nivelul tensiunilor reziduale. Un astfel de tratament este însă prea
sever pentru componentele circuitelor electronice şi poate fi aplicat doar în etapele de început ale
procesului standard de execuţie a circuitelor integrate, înainte de definirea joncţiunilor
semiconductoare.