Prof. dr. ing.

Georgeta IOAŞCU
4.1. Microaccelerometru piezorezistiv din siliciu
4.1.1. Principii constructive

Senzorul propus este conceput pentru detecţie tactilă 3D (în fond, un senzor
de forţă). Structura unui astfel de senzor prezintă o diafragmă subţire (pătrată)
prevăzută cu o masă inerţială amplasată simetric faţă de axa centrală a diafragmei şi
care urmăreşte geometria diafragmei. Pentru unele aplicaţii (de ex. pentru senzori
tactili, senzori de vânt etc.) grosimea zonei centrale trebuie să fie mai mare decât
grosimea zonei de margine (necorodată) a senzorului (aşa numitul "rim"). Pentru
alte aplicaţii (presiune, acceleraţie, vibraţii etc.) această condiţie nu este restrictivă.
Elementele sensibile (rezistoarele difuzate) sunt localizate în zona subţire a
diafragmei, perpendicular pe conturul acesteia, în vecinătatea marginii şi a masei
inerţiale, pe direcţii perpendiculare, simetric poziţionate faţă de axele de simetrie
ale senzorului (în reprezentarea din figura 4.1, direcţiile de orientare ale
rezistoarelor coincid cu axele de simetrie). Conectarea piezorezistenţelor se
realizează de asemenea manieră încât pe fiecare axă se obţine o punte Wheatstone.
Din punct de vedere funcţional, dacă o forţă normală sau o forţă de
încovoiere este aplicată masei inerţiale, diafragma se deformează după cum este
arătat în figura 4.1. Eforturile care se produc pe suprafaţa activă a senzorului (în
care sunt difuzate piezorezistenţele) dau măsura sarcinii aplicate prin convertirea
lor în semnale electrice.
 Fig. 4.1 Schema microaccelerometrului piezorezistiv

Din figura 4.1 se observă că rezistoarele R1...R4 reacţionează la forţe

direcţionate după axa Ox, în timp ce rezistoarele R5...R8 sesizează forţele ce
acţionează pe axa Oy. Combinaţii ale acestor rezistoare, permit sesizarea forţelor
normale. În figura 4.2 este prezentat circuitul de prelucrare a semnalelor senzorului.
 Fig 4.2 Schema de principiu a circuitului de prelucrare a semnalului

Încărcările normale şi laterale aplicate senzorului pot fi determinate prin

combinarea răspunsurilor a opt piezorezistoare localizate în poziţii adecvate pe
diafragma subţire, atât în apropierea masei inerţiale, cât şi în vecinătatea zonei de
încastrare a diafragmei. Când senzorul este supus unei încărcări, masa inerţială se
va afla sub acţiunea unor forţe normale sau de forfecare, care conduc la variaţia
tensiunilor interne în diafragmă, fapt care determină modificarea valorilor
piezorezistoarelor (fig. 4.1). De exemplu, dacă senzorul este supus unei solicitări
normale, rezistoarele localizate în apropierea masei inerţiale (Ri, i = 2, 3, 6, 7) vor
fi supuse unor eforturi de întindere sau de comprimare şi valorile piezorezistoarelor
vor creşte, respectiv, descreşte. O variaţie inversă va avea loc pentru rezistoarele
localizate în zona de încastrare a diafragmei (Rj, j = 1, 4, 5, 8). Dacă senzorul este
supus unei solicitări laterale, rezistoarele Rn, (n = 1, 3, 5, 7) vor fi supuse unor
eforturi de întindere şi valorile piezorezistoarelor vor creşte, iar rezistoarele Rm, m
= 2, 4, 6, 8 vor fi supuse unor eforturi de compresiune şi valorile piezorezistoarelor
vor descreşte, şi vice-versa. Prin conectarea celor patru rezistoare localizate în
punţile de pe aceeaşi axă de simetrie într-o punte Wheatstone, în aşa fel încât două
piezorezistoare din braţe opuse să fie supuse unor eforturi de întindere şi celelalte
două unor eforturi de comprimare, şi prin configurarea adecvată a circuitului de
prelucrare a semnalelor (fig. 4.2), se pot determina componentele forţei rezultante
care acţionează asupra senzorului.
Dacă asupra senzorului acţionează o anumită sarcină, rezistenţele interioare
(din vecinătatea masei inerţiale) se modifică cu ± ∆R1i (i = 2, 3, 6, 7), în timp ce

rezistenţele exterioare se modifică cu ± ∆R2j (j = 1, 4, 5, 8). Un efort de întindere

provoacă o creştere a piezorezistenţei ( + ∆Rk ), iar un efort de comprimare produce
o micşorare a valorii piezorezistenţei ( − ∆Rk ), (k = 1, 2).
Prin urmare, din figura 4.2 rezultă:

VA =
(
V0 ± ∆R13+R )
, VB =
(
V0 ± ∆R12+R
,
) (4.1)
2 R ± ∆R13 ± ∆R24 2 R ± ∆R12 ± ∆R21

VC =
(
V0 ± ∆R28+R )
, VD =
(
V0 ± ∆R25+R
,
) (4.2)
2 R ± ∆R17 ± ∆R28 2 R ± ∆R16 ± ∆R25
VX=G (VA - VB), VY=G (VC - VD); (4.3)
V+=G[(VA + VB) - (VC+VD)]; (4.4)
unde G este câştigul amplificatorului, iar R este valoarea nominală a rezistenţei.
Pentru o încărcare normală:
 2( R + ∆R1 ) 2( R − ∆R2 )  2( ∆R1 + ∆R2 )
V + = GV0  −  = GV 0
 2 R + ∆R1 − ∆R2 2 R + ∆R1 − ∆R2  2 R + ∆R1 − ∆R2
(4.5)
sau
2[( ∆R1 / R ) + ∆R2 / R )]
V + = GV0 (4.6)
2 + ( ∆R1 / R ) − ( ∆R 2 / R )
Proiectând:
∆R1 / R = ∆R2 / R = ∆R / R (4.7)
rezultă:
V + = 2GV0 ( ∆R / R ) (4.8)
 Celelalte tensiuni de ieşire vor fi:

 R + ∆R1 R + ∆R1 
V X = GV0  − =0 (4.9)
 2 R + ∆R1 − ∆R2 2 R + ∆R1 − ∆R2 
 R − ∆R2 R − ∆R2 
VY = GV0  − =0 (4.10)
 2 R + ∆R1 − ∆R2 2 R + ∆R1 − ∆R2 
Pentru o sarcină care acţionează pe direcţia axei Ox:
 R + ∆R1 R − ∆R1  2∆R1
V X = GV0  −  = GV0 (4.11)
 2 R + ∆R1 − ∆ R 2 2 R + ∆R1 − ∆R 2 2 R + ∆R1 − ∆ R 2

În condiţiile amintite:
V X = GV0 ( ∆R / R ) (4.12)
şi
V + = VY = 0 (4.13)
Pentru o sarcină care acţionează pe direcţia axei Oy:
 R − ∆R2 R + ∆R2  − 2∆R2
VY = GV0  −  = GV0
 2 R + ∆R1 − ∆R2 2 R + ∆R1 − ∆R2  2 R + ∆R1 − ∆R2
(4.14)
În condiţiile amintite:
VY = −GV0 (∆R / R ) (4.15)
şi
V+ = V X = 0 (4.16)
Din relaţiile (4.8), (4.12) şi (4.15) rezultă ca sensibilitatea normală a
senzorului (încărcat pe direcţia normală) este de aproximativ două ori mai mare
decât sensibilităţile laterale.
O structură 3D cu masă inerţială suspendată prin patru punţi (două câte două
pe direcţii ortogonale) este reprezentată în figura 4.3. Proiectarea unei astfel de
structuri implică studii complexe de mecanică cu scopul de a obţine o structură
optimă. Structura utilizează patru punţi pentru susţinerea masei inerţiale. Utilizarea
a patru punţi este aleasă cu scopul de a obţine simetria structurii. Configurarea
tridimensionala poate fi realizata fie prin microprelucrare de volum, fie prin
microprelucrare de suprafaţă.

Fig. 4.3 Senzor triaxial

În figura 4.3 este reprezentată o suspensie "naturală", cu punţile plasate pe

axele masei inerţiale. Faptul este extrem de important, deoarece domeniul util de
frecvenţă al unor microsenzori este limitat de frecvenţele proprii de vibraţie. Astfel,
cu o structură de tipul prezentat în figura 4.3 se poate realiza senzorul triaxial pe al
cărui principiu se bazează varianta monolitică a accelerometrului 3D prezentat.
Dacă asupra masei M acţionează forţa inerţială F=Ma, efortul unitar în
punte, în zona de încastrare exterioară este:
 3L
σ =− Ma (4.17)
4bt 2
unde L, b şi t sunt lungimea, lăţimea şi, respectiv, grosimea punţii, iar a este
acceleraţia.
S-a adoptat conceptul de senzor triaxial prezentat anterior într-o structură
similară cu cea reprezentată în figura 4.1. Prin urmare, structura va fi alcătuită
dintr-o masă inerţială centrală suspendată prin patru punţi, două câte două situate
pe axele de simetrie ortogonale ale masei inerţiale, de-o parte şi de alta a acesteia
(fig. 4.3).
Se prezintă mai întâi câteva consideraţii asupra eforturile unitare care apar în
puntea de legătură dintre zona de încastrare şi masa inerţială.
Presupunând valabil principiul suprapunerii efectelor din teoriile de
rezistenţa materialelor se poate asimila masa suspendată prin două punţi
ortogonale, în centrul cărora acţionează o forţă concentrată F=Ma. Pentru o singură
punte se poate considera că în centrul acesteia acţionează forţa F/2.
Torsorul în încastrare va fi:
Vo = F/4
Mo = -Fl/16 (4.18)
unde l este dublul lungimii punţii de legătură, L: l = 2L.
Momentul într-o secţiune x a punţii de legătură va fi:
M(x)=F(4x-l)/16=F(2x-L)/8 (4.19)
Ca urmare, într-o primă aproximaţie, efortul unitar longitudinal în secţiunea
x a punţii de legătură va fi:
σx = 6M(x)/bt2 = (3/4)F(2x-L)/bt2 (4.20)

Se poate observa ca efortul unitar are, în această aproximaţie, o variaţie

liniară pe lungimea punţii de legătură, anulându-se la jumătatea acesteia. Rezultă
că, dacă în vecinătatea marginilor punţii de legătură sunt amplasate simetric
piezorezistenţe, ne putem aştepta la o aceeaşi variaţie relativă pentru ambele
piezorezistenţe.

Aşadar, rezistenţele dintr-o punte Wheatstone (fig. 4.2) vor fi amplasate două
câte două pe punţile de legătură de pe cele două axe ortogonale, astfel încât, pe o
punte de legătură, cele două rezistenţe se vor situa simetric faţă de mijlocul acesteia
şi vor fi amplasate cât mai aproape de marginile punţii.
Datorită simetriei geometrice şi de material, precum şi a tipului de acceleraţii
la care este supus accelerometrul, mişcarea este simetrică atât în cazul unei
acceleraţii normale (după axa Oz), cât şi în cazul unei acceleraţii laterale (în planul
xOy).
Mai precis, în cazul acţiunii unei acceleraţii normale, cele patru bare de
suspensie din secţiunea xOy au mişcări similare în planele xOz (cazul barelor
orientate după axa Ox), respectiv în planul yOz (cazul barelor orientate după axa
Oy). În cazul acţiunii unei acceleraţii laterale de componente egale, mişcarea
tuturor barelor de suspensie este similară, şi anume o compunere dintre o rotaţie şi
o deplasare transversală.

4.1.2. Simularea structurii microaccelerometrului cu A+SYS

În figura 4.4 se prezintă desenul structurii analizate pe care se precizează

dimensiunile acesteia.
Metoda elementelor finite (ANSYS) permite modelarea tensiunilor şi a stării
de deformaţie induse în micropunţi de forţele de inerţie sau în timpul procesului de
fabricaţie, precum şi estimarea frecvenţelor proprii şi a modurilor proprii de
vibraţii.
 Mai întâi, s-a efectuat o analiză liniară a cipului de siliciu cu dimensiunile
6000x6000x450 µm, acoperit pe cele două părţi cu un strat de oxid de siliciu (SiO2)
cu grosimea de 1,8 µm (fig. 4.5).

6000 m

1000 m 900 m 2200 m

m
400

m
17

1000 m 900 m 2200 m 900 m

m

54,74°
450

6000 m

Fig. 4.4 Dimensiunile structurii analizate

Fig. 4.5 Simularea tensiunilor termice induse prin încălzire la 1100 °C (temperatura de oxidare),
urmată de răcire la 20 °C, în absenţa aplicării acceleraţiei

A fost realizată, apoi, o analiză neliniară a structurii, utilizând opţiunea „birth

and dead” (apare şi dispare) a programului ANSYS, folosită pentru modelarea
tensiunilor termice la aceeaşi variaţie de temperatură (1100 °C → 20 °C), dar cu
reducerea stratului de bioxid de siliciu pe faţa cipului la 0,5 µm, stratul de oxid de
pe spate rămânând cu acceşi grosime. Situaţia corespunde etapei de îndepărtare
parţială a SiO2. Volumele utilizate la modelare sunt reprezentate în figura 4.6, iar
rezultatele simulării sunt date în figurile 4.7 şi 4.8.

Fig. 4.6 Modelul pentru simularea procesului tehnologic

 Fig. 4.7 Simularea tensiunilor termice

Fig. 4.8 Deformaţiile termice

Se pot face următoarele observaţii:

1) se obţine o valoare mare (aprox. 190 MPa) a tensiunii echivalente maxime la
suprafaţa cipului (fig 4.5);
 2) această valoare mare se micşorează la interfaţa substrat (plachetă de
siliciu)/strat de bioxid de siliciu (fig. 4.7);
3) săgeata rezultantă este de aproximativ 10 µm (fig. 4.8);
4) după reducerea grosimii stratului de SiO2 la 0,5 µm, tensiunea echivalentă
maximă la suprafaţa substratului de siliciu scade la 80 MPa.
Sensibilitatea senzorului la acceleraţie pe direcţiile X, Y, Z a fost simulată
prin aplicarea aceleiaşi acceleraţii (10 g) pe toate cele 3 direcţii. S-a efectuat analiza
forţelor de inerţie.
Tensiunile echivalente Seq în cazul acceleraţiei pe direcţia X sunt prezentate
în figura 4.9. În cazul acceleraţiei pe direcţia Y, valorile tensiunilor echivalente
maxime şi ale deformaţiilor rezultate sunt aceleaşi, dar micropunţile de pe direcţia
Y sunt solicitate la încovoiere. Distribuţia tensiunilor echivalente Seq în cazul
acceleraţiei pe direcţia Z este prezentată în figura 4.10.

Fig. 4.9 Distribuţia tensiunilor echivalente Seq – acceleraţia pe direcţia X

 Fig. 4.10 Distribuţia tensiunilor echivalente Seq – acceleraţia pe direcţia Z

Tensiunile induse de acceleraţie sunt foarte mici. Se observă că eforturile

sunt maxime în locurile de amplasare a piezorezistoarelor, unde micropunţile se
îmbină cu zona centrală (în apropierea masei inerţiale) şi cu zona de margine (de
încastrare, denumită „rim”).
Calculele în condiţii dinamice de funcţionare s-au efectuat cu scopul de a
determina frecvenţele proprii şi modurile proprii de vibraţii şi de a găsi lărgimea de
bandă a accelerometrului. În figura 4.11 este prezentat primul mod, corespunzător
frecvenţei f1 = 7745 Hz, iar în figura 4.12 este arătat cel de-al doilea mod,
corespunzător frecvenţei f2 = 14260 Hz. După cum era de aşteptat, frecvenţele de
rezonanţă sunt foarte mari.
 Fig. 4.11 Primul mod de vibraţii

Fig. 4.12 Al doilea mod de vibraţii

4.1.3. Tehnologia de realizare a microaccelerometrului

Setul de măşti utilizate în procesul tehnologic, fluxul tehnologic de realizare

a microaccelerometrului şi structura acestuia vizualizată la microscopul electronic
cu baleiaj sunt date în figurile 4.13, 4.14 şi 4.15.
Masca 1A Masca 1B

Masca 2 Masca 3
 Masca 4 Masca 5

Masca 6
Fig. 4.13 Configuraţia măştilor utilizate în procesul tehnologic

Oxidare (Oxidare termică umedă; 1100°C, 7 ore, grosimea stratului de oxid pe ambele
feţe ale plachetei cu orientare (100) = 1.8 µm)

Si-p
Aliniere faţă-spate (Proces fotolitografic şi gravarea semnelor de aliniere faţă–spate
folosind măştile M1A şi M1B)

Dezoxidare parţială faţă, grosime oxid = 0.5 µm (HF 50%: NH4F 40%: H2O, 35°C, viteza
de corodare 0,1 µm/min)

Difuzie piezorezistoare (Proces fotolitografic şi gravare pentru deschiderea ferestrelor în

oxidul de pe faţa plachetei în vederea difuziei de bor, folosind masca M2; 1000°C, 1 oră)

Deschiderea ferestrelor pentru contacte (Proces fotolitografic şi gravare pentru deschidere

ferestre pentru contacte, folosind masca M3)

Depunere Cr-Au faţă, grosime strat = 1150 Å (evaporare în vid/PVD, p=10-7 torr)
Proces fotolitografic şi gravare pentru delimitare trasee de metalizare (masca M4; apă
regală, viteza de corodare 0,04 µm/min)

Deschidere ferestre de corodare anizotropă faţă (Proces fotolitografic şi gravare pentru

deschidere ferestre de corodare Si – faţă, masca M5)

Deschidere ferestre de corodare anizotropă spate (Proces fotolitografic şi gravare pentru

deschidere ferestre de corodare Si – spate, masca M6)

Corodare anizotropă Si faţă-spate (KOH 25%, 80°C, viteza de corodare 1,2 µm/min)

Masa
“Rim”
inertiala
Acoperire cu răşină de protecţie faţă (pensulare sau pulverizare)

Masa “Rim”
inertiala

Corodare anizotropă spate (KOH)

Masa
inertiala
“Rim”

Îndepărtare răşină de protecţie (solvent)

Masa
“Rim”
inertiala

Fig. 4.14 Fluxul tehnologic de realizare a microaccelerometrului

Fig. 4.15 Imagini SEM ale structurii microaccelerometrului