Universitatea Tehnică a Moldovei

Departamentul Informatică si Ingineria sistemelor

Lucrarea de Laborator Nr.1

La disciplina: Circuite și Dispozitive Electronice

Tema: Studierea diodelor semiconductoare

Elaborat: st. Grupei C-171 F/R

Domenti Tudor

Verificat: conf.univ.,dr.,
Ababii Nicolae

Chișinău 2019
Scopul lucrarii:
Ridicarea caracteristicilor de intrare a curentului de intrare a diodelor
semiconductoare cu polarizare directă și polarizare inversă.

Tabelul 1. Dataele experimentale pentru ridicarea datelor curentului de intrare a

diodei semiconductoare cu polarizare directă pentru dioda D1.
Udir,V 0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,35
Idir, mA
0 0 0 0,1 0,7 3,3 20,7 30,7
D1

Tabelul 2. Dataele experimentale pentru ridicarea datelor curentului de intrare a

diodei semiconductoare cu polarizare directă pentru dioda D2-D3.
Udir,V 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
Idir, mA
0 0 0 0 0 0 0,7 6 26,4
D2
Idir, mA
0 0 0 0 0 0 0 0,2 10,9
D3

Tabelul 3. Dataele experimentale pentru ridicarea datelor curentului de intrare a

diodei semiconductoare cu polarizare directă pentru dioda D4.
Udir,V 0 0,55 1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2
Idir, mA
0 0 0 0 0 0 0 0,1 1,2 5,7 18,8
D4

Tabelul 4. Dataele experimentale pentru ridicarea datelor curentului de intrare a

diodei semiconductoare cu polarizare inversă.
Uin,mV 0 1 5 10 20 50 100 150 200 250
Iinv, mA
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
D1
Iinv, mA
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
D2

Tabelul 5. Dataele experimentale pentru ridicarea datelor tensiunii de intrare a

diodei semiconductoare cu polarizare inversă.
Iin,mA 0 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40
Uinv, V 0 5 7 7,40 7,43 7,47 7,5 7,54 7,57 7,61 7,66