LUCRAREA NR.

3: PROPRIETĂŢILE CONDUCTOARE ALE

MATERIALELOR

1. Scop:
- determinarea dependenţei proprietăţilor conductoare ale materialelor de câmpurile
termice şi electromagnetice
- determinarea rezistivităţii materialelor

2. Noţiuni teoretice
Conducţia electrică într-un material constă în apariţia unui flux dirijat de purtători
mobili de sarcină la aplicarea unui câmp electric, E . Această deplasare ordonată a
purtătorilor de sarcină electrică este un curent electric, iar materialul în care are loc acest
fenomen fizic se află într-o stare electrocinetică. Caracterizarea locală a acestei stări poate

fi făcută cu ajutorul vectorului J , numit densitatea curentului electric.

Proprietăţile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ în
domeniul liniar de coeficientul de rezistivitate electrică de volum  sau de mărimea inversă,

conductivitatea electrică de volum σ  ρ . Aceste mărimi sunt definite de forma locală a

1

legii de conducţie electrică:

 
J =σ∙ E respectiv E =ρ∙ J
Conform teoriei cuantice, rezistivitatea a unui material are expresia:

mn 1
ρ
n  q 2n τ

unde: n este concentraţia purtătorilor mobili de sarcina din material la echilibru

termodinamic, iar qn şi mn sunt sarcina, respectiv masa unui purtător mobil de sarcină.
 Coeficientul  se numeşte constanta de timp de relaxare, fiind determinat de
interacţia dinamică a purtătorilor de sarcină cu diferite cvasiparticule (impurităţile neutre
ionizate, fononii reţelei cristaline) întâlnite de-a lungul traiectoriei lor dirijate sub acţiunea
câmpului electric.

În cazul metalelor purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de conducţie a căror

concentraţie este practic constantă, dependenţa rezistivităţii electrice de temperatură fiind
determinată numai de constanta de relaxare.

La temperaturi foarte scăzute este predominant mecanismul de interacţie cu

impurităţile şi defectele existente în material, astfel încât metalul prezintă o rezistivitate

independentă de temperatură numită rezistivitate reziduală,

ρ0 .

La temperaturi scăzute (T<<TD - temperatura Debye), este predominantă interacţia

cu fononii acustici rezultând o proporţionalitate a rezistivităţii cu T5, iar la temperaturi
ridicate (T>>TD), acelaşi mecanism conduce la o proporţionalitate a rezistivităţii cu T.

În cazul materialelor semiconductoare, purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de

conducţie şi golurile, astfel încât:

1
m 1 m 1  1
   n2  p2  
 ne  n pe  p  e( nn  p  p )
 

unde  este coeficientul de mobilitate:

e e
n  n μp  τp
mn mp

q p  q n  e
iar (sarcina electronului).

Concentraţia purtătorilor mobili de sarcină proveniţi, la temperaturi coborâte, în

special din mecanismul extrinsec de ionizare a impurităţilor, iar la temperaturi ridicate din
mecanismul intrinsec de rupere a legăturilor covalente, creşte exponenţial cu creşterea
temperaturii. Mobilitatea acestor purtători scade în general la creşterea temperaturii după o
lege practic liniară.
În cazul acţiunii unui flux electromagnetic apare o concentraţie suplimentară de
purtători mobili de sarcină rezultată în urma interacţiei electronilor de valenţă cu fotonii.
Totodată, se modifică şi mobilitatea efectivă care caracterizează deplasarea dirijată a
purtătorilor sub acţiunea câmpului electric. Acest fenomen constituie efectul fotoelectric
intern.

Modelul benzilor energetice al corpului solid permite descrierea purtătorilor de

sarcină. Descrierea purtătorilor de sarcină electrică se realizează pe baza modelului
simplificat al benzilor energetice ale corpului solid. Conform acestui model, electronii unui
atom ocupă diverse nivele energetice care pot fi grupe in benzi energetice:

 banda de valenţă: electronii de valenţă sunt fixaţi în legături covalente. Acest tip de
electroni sunt imobili, deci nu pot participa la fenomene de conducţie;
 banda de conducţie: electronii de conducţie sunt electroni liberi, se pot deplasa
prin structura internă a materialului, deci participă la fenomenele de conducţie;
banda interzisă: electronii nu pot ocupa nivele energetice în interiorul acestor benzi.

3. Aparatura utilizată
 multimetrul digital de precizie 6 1/2 digiţi HM 8113-3
 teraohmetru 4339B – Agilent cu dispozitivul de fixare şi măsură 16008B
 incintă termică
 incintă pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenţei;
 sursă de alimentare programabilă 7044 – HAMEG sau sursa dublă stabilizată 0-
30 V / 0,8 A
 4. Desfăşurarea lucrării

4.1. Dependenţa de temperatură a proprietăţilor conductoare ale

materialelor

Cu ajutorul unui multimetru digital se va măsura rezistenţa unei probe

semiconductoare intrinseci de Germaniu (se măsoară rezistenţa între firul verde-galben
introdus la borna roşie a multimetrului şi firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului) şi rezistenţa unei probe metalice de TiPt (se măsoară rezistenţa intre firul roşu
introdus la borna roşie a multimetrului şi firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului). Proba metalică este formată din două straturi: unul de Ti de 15nm grosime şi
unul de Pt de 150nm, depuse pe un strat de oxid.

Probele sunt introduse într-o incintă termică a cărei temperatură variază suficient de
lent pentru ca un set de două măsurători consecutive să se facă în aproximativ aceleaşi
condiţii termice.

4.2. Efectul radiaţiei electromagnetice asupra proprietăţilor de

conducţie

Se utilizează montajul experimental prezentat în Fig. 3-2. Acest montaj este alcătuit
din fotorezistenţa, FR, care este înseriată cu o rezistenţă, R, de valoare 1 KΩ. Rezistenţa
este folosită pentru a putea măsura curentul care trece prin fotorezistenţă la o anumită
valoare a tensiunii de alimentare (se măsoară căderea de tensiune pe rezistenţă şi se
împarte la valoarea rezistenţei). Acest montaj este introdus în incintă pentru determinarea
caracteristicilor fotorezistenţei, în vederea asigurării regimului de întuneric pentru
măsurători.
 4.2.1. Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru
fotorezistenţă la întuneric

Se conectează grupul FR-R la o sursă de tensiune continuă reglabilă: sursa de

alimentare 7044 – HAMEG sau la sursa dublă stabilizată 0-30 V / 0,8 A .

Se modifică tensiunea de alimentare în intervalul 1V ÷ 15V, conform tabelului 3-2 şi

se măsoară tensiunea cu multimetrul digital HM 8113-3 – HAMEG pe fotorezistenţă sau
multimetru Philips PM 2423.

4.2.2. Determinareadependenţei dintre rezistenţa fotorezistorului şi

fluxul luminos incident

Pentru a determina această dependenţă se alimentează LED-ul la o tensiune de 10

V. Se poziţionează fotorezistorul la distanţa aproximativă r1=1cm de LED (dispozitivul se
fixează cu şuruburi pe tija de glisare) şi se măsoară tensiunea, cu multimetrul digital pe
fotorezistenţă pentru patru valori ale tensiunii de alimentare a grupului FR-R. Se repetă

măsurătorile pentru alte două poziţii ale fotorezistorului aflate la distanţele r2  10 cm şi

r3=10 cm. Prin modificarea distanţei fotorezistenţă-sursă de lumină, fluxul incident pe FR va
( r )  100( r ) ( r )  10( r ) ( r )
varia după o lege 1/r2, astfel 1 3 şi 2 3 , 3 fiind luat ca referinţă.