1.

MICROPRELUCRAREA ÎN VOLUM
Microprelucrarea în volum reprezintă o tehnică de microfabricaţie care permite
obţinerea de structuri tridimensionale în substratul de siliciu. Procedeul are la bază fenomenul
de coroziune chimică selectivă a substratului de siliciu monocristalin (în mod curent) şi
presupune parcurgerea următoarelor etape:
1 – preprocesarea substratului prin fotolitografie, în scopul structurării rezistului care
reprezintă, în continuare, masca rezistentă la agentul coroziv;
2 – eroziunea chimică propriu-zisă, cu selectivitate la rezist, a substratului de siliciu
monocristalin.
Materialele utilizate în cadrul microprelucrării siliciului (materialul de structurare) în volum
sunt: dioxidul de siliciul, nitrura de siliciu, aurul, cromul, tantalul, molibdenul, respectiv foto-
şi electronorezişti – pentru realizarea măştilor; nitrura de siliciu, siliciul dopat cu bor – pentru
stratul de stopare a eroziunii chimice.
Procedeul permite realizarea de elemente mobile din componenţa microsistemelor,
membrane, poduri, console, canale, cavităţi, orificii, etc.
Pentru exemplificare, în figura 1 se prezintă tehnologia de execuţie a unei membrane de
siliciu monocristalin din componența unui senzor de presiune.

Fig. 1 Succesiunea etapelor pentru realizarea unei membrane prin

microprelucrarea în volum a siliciului monocristalin
Etapele de prelucrare sunt următoarele:
1 – Doparea prin metode chimice sau fizice a substratului de siliciu cu atomi de
germaniu, fosfor sau bor. Borul are cel mai puternic efect şi, de aceea, este cel mai des
folosit. Saturarea suprafeţei substratului de siliciu se efectuează până se atinge concentraţia
dorită (1020 cm-3). Se obține un strat de stopare a coroziunii chimice cuprins între 1 şi peste
100 [µm];
2 – Epitaxie: depunerea unui al doilea strat de siliciu, peste stratul de stopare cu
menţinerea orientarii cristalografice a substratului de dopare. Depunerea se
poate face cu procedee chimice (Chemical Vapor Deposition (CVD), Epitaxy,
Electrodepunere etc. ) sau cu procedee fizice (Physical Vapor Deposition (PVD), turnare);
3 – Oxidarea ambelor feţe ale piesei de prelucrat. Obținerea unui strat de SiO 2 (dioxid de
siliciu);
4 – Structurarea stratului de SiO 2 (dioxid de siliciu) prin fotolitogafie (sau alt procedeu
litografic);
5 - Aplicarea eroziunii chimice selective pe ambele feţe; în urma procesului, stratul
dopat cu atomi de stopare (debor) rămâne și formează membrana dorită.
Utilizând aceeaşi tehnică se pot obţine microstructuri de tip consolă, poduri, elemente
suspendate de tipul microcontactelor, pensete electrostatice, arcuri spirale sau lamelare, etc.

Întrebări

1. Ce fel de structuri se obțin în urma microprelucrării în volum?

2. Ce materiale se folosesc la microprelucrare în volum ?
3. Care sunt etapele și sucesiunea acestora la microprelucrarea în volum?
4. Completați figura cu denumirea etapelor și caracteristicile de material ale
etapei la microprelucrarea în volum (3pct.).
MICROPRELUCRAREA PE SUPRAFAŢĂ

Spre deosebire de prelucrarea în volum a siliciului folosită cu preponderenţă la siliciul

monocristalin, microprelucrarea pe suprafaţă utilizează ca şi substrat siliciul policristalin.
Tehnica, utilizată pentru prima dată la jumătatea deceniului şase al secolului trecut
implică structurarea planară a suprafeţei substratului şi constă în depunerea succesivă a mai
multor straturi de materiale diferite, urmată de structurarea şi eroziunea chimică a acestora.
Rezultatul procesului se materializează în obţinerea unor structuri planare complexe, cu
grosime de ordinul micronilor. De asemenea, metoda permite obţinerea structurilor plane
libere, neancorate (de tipul consolelor, membranelor), formate direct la suprafaţa substratului
de siliciu.

Fig. 1 Microprelucrarea pe suprafata

Datorită tehnologiei specifice, microprelucrarea pe suprafaţă a siliciului este cunoscută
şi sub denumirea de „tehnica straturilor de sacrificiu”.

Unul dintre aspectele deosebit de importante în tehnica staturilor de sacrificiu îl

constituie posibilitatea de a extinde microprelucrarea structurilor plane la structuri
tridimensionale: structurile plane astfel formate pot fi articulate de substrat sau articulate între
ele, rezultând ansamble tridimensionale.

Întrebări
1. Ce fel de siliciu este folosit (ca substrat) la microprelucrarea pe suprafaţă?
2. Care este caracteristica geometrică a structurilor obținute (în ce fel?) la
microprelucrarea pe suprafaţă?
3. Completați figura cu denumirea etapelor și caracteristicile de material ale etapei la
microprelucrarea pe suprafaţă (3pct.).
TEHNOLOGIA LIGA
Denumirea procedeului LIGA reprezintă un acronim, (LIthographie, Galvanoformung,
Abformung), care include cele trei procese fundamentale pe care se bazează această
tehnologie:

 Litografia cu radiaţii X (roentgenolitografia): pentru dezvoltarea microstructurilor

înalte primare – motiv pentru care procedeul LIGA mai este cunoscut şi sub denumirea de
DXRL (Deep X-Ray Lithography) sau UDXRL (Ultra Deep X-Ray Lithography);

 Modelarea galvanică (galvanoplastia): pentru producerea microstructurilor din

metal;

 Turnare în formă (modelarea plastică) pentru obţinerea microstructurilor secundare,

din polimeri, metale sau materiale ceramice.
Pentru prima dată tehnologia LIGA a fost dezvoltată la Centrul de Cercetări Nucleare din
Karlsruhe, Germania.
La ora actuală, procedeul LIGA constituie tehnologia fundamentală pentru fabricarea şi
testarea a numeroase prototipuri, demonstrându-şi totodată eficienţa în ceea ce priveşte
producţia de serie mare şi masă.
Prin tehnologia LIGA se pot obţine microstructuri cu secţiuni variate şi dimensiuni de ordinul
micronilor, procedeul permiţând detalii de structurare şi sub un micron. Se utilizează pentru
dezvoltarea structurilor complexe, ce nu pot fi realizate prin tehnicile specifice de
microprelucrare a siliciului dar poate fi privită şi ca un complement al respectivelor tehnici.

Tehnologia LIGA prezintă următoarele caracteristici:

 principala caracteristică o reprezintă posibilitatea obţinerii microstructurilor cu raport
ridicat între înălţime şi dimensiunea lor în plan (HARM) – cu înălţimi de până la câţiva
milimetri, a pereţilor verticali şi oblici având o calitate foarte bună a suprafeţelor (rugozitate
de 50nm );
 larga varietate de materiale posibil a fi utilizate în cadrul procesului: prelucrarea
metalelor, a materialelor plastice, a materialelor ceramice, sau a combinaţiilor acestora – ceea
ce permite realizarea şi integrarea componentelor electronice, magnetice, optice, etc. într-un
microsistem hibrid;
 dezavantajele constau în costurile relativ ridicate (îndeosebi datorită măştilor
complexe şi a generării radiaţiei sincrotronice), a căror unică posibilitate de diminuare este
producţia în masă a microstructurilor.

Succesiunea etapelor procesului de prelucrare prin tehnologia LIGA:

 configurarea rezistului care este un material plastic polimetilmetacrilat PMMA,

denumire comercială – Plexiglas, prin roentgenolitografie (litografie cu radiaţii X);
 depunerea rezistului pe substrat. Se preferă ca acesta să fie metallic. Dacă se foloseşte
totuşi un material dielectric sau semiconductor, el va fi acoperit în prealabil cu un strat
metalic subţire care să-i confere proprietăţi conductive;
 depunerea de metal (depunere galvanică) în golurile din rezistul configurat. Restul
rezistului este înlăturat de pe substratul metallic;
Succesiunea de bază a etapelor de prelucrare în cadrul procedeului LIGA este următoarea :
 depunere răşină pe substratul de siliciu;
 fotolitografiere cu raye X;
  developare;
 electrodepunere (galvanizare);
 corodare răşină.

 obţinerea de microstructură metalică;

În funcţie de înălţimea stratului de metal electrodepus, microstructura realizată poate fi:

 Matriţă pentru multiplicarea pieselor din polimeri (material plastic), în cadrul
producţiei de masă, aplicând procedee de micromodelare;
 Şablon pentru realizarea matriţelor din polimeri, utilizate apoi pentru reproducerea
pieselor metalice prin galvanizare.

Întrebări

1. Tehnica LIGA cuprinde trei procese fundamentale. Care sunt?

2. Care este succesiunea etapelor procesului de prelucrare la tehnologia LIGA ? (3 pct.):
3. Cu tehnica LIGA se pot obține structuri cu două principale forme. Care sunt acestea?
Micro și nanoașchiere (sinteză)
Microașchierea constituie procesul de așchiere folosit în ingineria micromecanică în
pentru fabricarea de piese de dimensiuni mici și foarte mici cu toleranțe foarte strânse și
calități înalte ale suprafețelor. Cuprind următoarele tipuri de prelucrări: a. microstrunjire; b.
microfrezare; c. microrectificare, d. lepuirea și polisarea suprafețelor optice; e. lepuirea
suprafețelor metalice; f. superfinisare etc.
Macro, micro și nanoașchierea sunt descrise prin caracteristicile principale prezentate în
tabelul 1.
Tab. 1 Comparaţii între caracteristicile de prelucrare la aşchierea macro, micro şi nano
dimensională, după [5], [8], [6]
Macro-aşchiere Micro-aşchiere Nano-aşchiere
Caracteristica prelucrării
[cm] [mm] [μm]
Aria suprafeţei prelucrate 1 la 105 cm2 1 la 105 mm2 1 la 105 μm2
Defecte/impurități în
materialul de prelucrat Microfisuri/goluri
Dislocații-microfisuri Defecte punctuale
pentru inițierea intergranulare
prelucrării
Unitatea de procesare la
Subgranulă cristalină;
care se îndepărtează policristale Cluster atomic
intergranule cristaline
așchia
Goluri la frontieră
Mecanismul de formare a Deformații de subgranule și Dislocații ale rețelei
așchiei forfecare intergranule cristaline, atomice
dislocații mobile,
Limita ruperii fragile 102 J/m3 - 101 J/m3 103 J/m3 - 102 J/m3 104 J/m3 - 103 J/m3
Limita ruperii la forfecare 102 J/m3 - 101 J/m3 103 J/m3 - 102 J/m3 104 J/m3 - 103 J/m3
Volumul de material
de la 10-3 la 102 cm3 de la 10-3 la 102 mm3 de la 10-3 la 102 μm3
îndepărtat la o prelucrare
Rata de material îndepărtat de la 10-5 la de la 10-5 la de la 10-5 la
prin așchiere 1cm3 s-1 1mm3 s-1 1μm3 s-1
Adâncimea de așchiere 0,01 – 0,04 0,002 -0,01 Sub 1
-5 -3 -7 -5
Eroarea de formă relativă de la 10 la 10 de la 10 la 10 de la 10-5 la 10-3
Rugozitatea suprafeţei Până la 10 μm Până la 0,1 μm De la 0,1 la 10 nm
Precizia de prelucrare 10 μm – 1mm 0,1 μm – 10 μm 1 nm - 0,1 μm
Procesele de prelucrare prin micro și nanoașchiere sunt caracterizate prin
particularitățile de mai jos.
Microașchierea reprezintă procesul de așchiere realizat în domeniul micromemetric.
Prelucrarea (cu schema de prelucrare din figura 1) are următoarele caracteristici:

Fig. 1. Reprezentarea schemei de microașchiere

  odată cu micșorarea adâncimii de așchiere are loc o creștere însemnată a rezistenței la
forfecare sau a tensiunii de rupere necesare așchierii (Fig.2);

Fig.2 Relația dintre adâncimea de prelucrare și rezistența la forfecare

necesară așchierii,

 scula așchietoare are dimensiuni miniaturizate și tăiș din diamant, natural sau sintetic;
 raza de ascuțire a sculei Ra este mult mai mică decât adâncimea de așchiere t;
 unghiul de degajare γ este negativ fiind reprezentat prin unghiul de degajare efectiv γ e
(Fig.3);
 datorită unghiului de degajare efectiv γe apare planul de forfecare echivalent;
 adâncimea de așchiere t este mai mică decât raza de ascuțire Ra ;
 se folosesc sisteme de control de înaltă precizie;
 marea majoritate a mașinilor-unelte au comandă numerică.
 Fig. 3 Unghi de degajare γ negativ (unghi de degajare efectiv γef)

Nanoașchierea reprezintă procesul de așchiere realizat în domeniul nanometric. În

cazul nanoașchierii sunt prezente două zone (Fig.4);

Fig. 4 Caracteristicile de bază la nanoașchiere

a. zonă fisurată afectată de procese de microrupere a materialului în timpul prelucrării.

Este zona fragilă;
b. zona fără fisuri situată în planul suprafeței așchiate. Este zona ce conferă suprafeței
prelucrate caracteristica ,,tip oglindă”. Trecerea de la zona fisurată la zona nefisurată
corespunde unei adâncimi critice a secțiunii așchiei d;
Nanoaşchierea implică o mărime de prelucrare de câţiva zeci de nanometri, dar
tensiunea de tăiere care acţionează la vârful tăișului sculei este foarte mare, comparabilă cu
forţele de legătură atomice. Drept rezultat, singurele scule disponibile se limitează la cele cu
diamant, iar prelucrarea este limitată la materialele moi şi ductile , cum ar fi metalele Al şi Fe
 Nanoașchierea poate fi realizată prin următoarele procedee:
- nanostrunjire;
- nanofrezare;
- nanoşlefuire;
- nanohonuire;
- nanolepuire;
- nanolustuire.
Nanoşlefuirea și nanohonuirea sunt utilizate la prelucrarea ductilă fără fisurare a
materialelor dure şi fragile, prin folosirea discurilor abrasive cu granule de diamante (abrazivi
staționari).
Nanoşlefuirea şi nanohonuirea creează o alunecare prin forfecare cu o adâncime de
tăiere de câţiva zeci de nanometri şi sunt cele mai des folosite la obţinerea suprafeţelor lipsite
de fisuri pe materiale dure şi fragile, cum ar fi sticla şi ceramicile. Și în aceste cazuri
tensiunea de lucru care acţionează la muchia tăietoare a abrazivilor este extrem de ridicată. În
consecinţă, pot fi utilizaţi numai abrazivi de diamant cu granule foarte fine pentru prelucrare
cu abrazivi staţionari în domeniul de procesare la nivel de clusteri atomici. Mecanismul de
lucru este prezentat în figura
Nanolepuirea şi nanolustruirea sunt utilizate pentru prelucrarea materialelor dure şi fragile cu
pulberi abrazive.
Spre deosebire de prelucrarea cu abrazivi staţionari, nanolepuirea fină şi nanolustruirea
tip oglindă în domeniul clusterilor de atomi fac apel la abrazivi regenerabili (mobili) foarte
fini. Mecanismul de lucru este prezentat în figura .
Nanolustruirea tip oglindă se realizează prin polisare cu abrazivi fini teşiţi, dar rezistenţi
termic, cum ar fi: Fe2O3, Cr2O3, CeO2 sau MgO. În această metodă, abrazivii înglobaţi în
suprafaţa plăcii de lustruire au o deplasare în raport cu suprafaţa piesei de prelucrat, netezind
suprafaţa acesteia, prin forfecarea generată de defectele punctuale.
Nanolepuirea fină, pe de altă parte, utilizează plăci semidure pentru a realiza
îndepărtarea materialului cu alungiri fine şi dure, deşi mai degrabă fragile cu muchii ascuţite,
cum ar fi diamantul, BN-cubic, SiC, SiO2 sau B4C.
Prelucrarea prin nano-așchiere are următoarele principale caracteristici (Tab.1):
 unitatea de procesare la care se îndepărtează așchia este la nivelul de cluster atomic;
 mecanismul de formare a așchiei se realizează prin dislocații ale rețelei atomice;
 adâncimea de așchiere este sub 1 micron;
 raza muchiei așcietoare este cu mult mai mare decât adâncimea de așchiere;
  antrenarea arborelui principal al mașinii- unelte se realizează cu motoare de curent
continuu care permit care permit realizarea de turații continue. În acest mod se realizează
valori optime ale vitezei de așchiere;
 tăișul sculei așchietoare este din diamant monocristalin sau recent și din diamant
nano-policristalin;
 mașinile unelte sunt cu comandă numerică.

Întrebări
1 Care sunt tipurile de defecte/impurități în materialul de prelucrat pentru inițierea
prelucrării la macro, micro și nanoașchiere?
2. Care este unitatea de procesare la care se îndepărtează așchia la macro, micro și
nanoașchiere?
3. Care este mecanismul de formare a așchiei la macro, micro și nanoașchiere?
4. Care este domeniul dimensional al adâncimii de așchiere la macro, micro și
nanoașchiere?
5. Care este domeniul dimensional al rugozității suprafeţei la macro, micro și
nanoașchiere?
6. Care este domeniul dimensional al preciziei de prelucrare la macro, micro și nanoașchiere?
7. Odată cu micșorarea adâncimii de așchiere are loc o creștere sau o scădere însemnată
a rezistenței la forfecare sau a tensiunii de rupere necesare așchierii la macro, micro și
nanoașchiere?
8. În cazul nanoașchierii sunt prezente două zone. Care sunt acestea?
9. La micro și nanoașchiere, raza muchiei așcietoare este cu mult mai mare sau mai
mică decât adâncimea de așchiere?