Convertoare statice

CURS 5
2.8. Protectia tiristoarelor

2.8.1. Protectia la supracurenti

Protecţia la supracurenţi se realizează cu siguranţe fuzibile, în acelaţi mod ca şi la

diode.

2.8.1. Protectia la supratensiuni

Protecţia la supratensiuni se face cu:

- grup RC;
- cu varistoare;
- cu diode cu avalanşă controlată.

Grupul RC diminuează atât amplitudinea, cât şi panta supratensiunii.

Energia undei de supratensiune se conservă, dar, dintr-o undă cu amplitudine mare şi durată
scurtă, este transformată într-o undă de durată mare şi amplitudine mai mică decât limita
periculoasă pentru tiristor.
Grupul RC trebuie realizat cu elemente de putere mai mică sau mai mare, corespunzătoare
energiei undei de supratensiune. La tiristor, grupul RC are şi rolul de a grăbi amorsarea
tiristorului, în circuite cu sarcină inductivă mare, deci cu pantă a curentului foarte mică.
 Grăbirea amorsării tiristorului cu grup RC

Pentru ca panta iniţială a lui iT să nu fie prea mare, se limitează curentul maxim de
descărcare al condensatorului prin rezistenţa R, astfel ca:

Pentru exemplul dat, impulsul de comandă de durată tg nu poate amorsa tiristorul decât în
prezenţa grupului RC, deoarece : tg < t2 , dar tg > t1 .
 La convertoarele de puteri mari, grupul RC se leagă la bornele tiristorului printr-o punte
redresoare auxiliară, pentru a putea utiliza un condensator electrolitic mai ieftin. Dispare însă
posibilitatea de a grăbi amorsarea tiristorului în cazul consumatorilor puternic inductivi. Se poate
monta un grup R0C0 suplimentar, de putere mică

Circuit de protecţie individuală la supratensiuni :

a) de valori mari ; b) la tiristoare legate în paralel

La convertoare de putere mare, cu tiristoare legate în paralel, tiristorul care se aprinde

primul scurtcircuitează grupurile de protecţie RC ale celorlalte tiristoare. Inductivitatea conectată
în serie cu fiecare tiristor, cu rol de egalizare a repartiţiei curentului, previne descărcarea
celorlalte condensatoare pe tiristorul intrat primul în conducţie şi participă la atenuarea
supratensiunilor. O rezistenţă Ra în paralel cu inductivitatea amortizează oscilaţiile parazite.
2.8.2. Protecţia împotriva autoaprinderii prin efect dvT/dt

Se realizează atât cu mijloace externe (configuraţia circuitului), cât şi interne (structura

semiconductorului). Grupul RC în paralel pe tiristor are efect favorabil şi în această problemă

Pentru tiristoarele de mică şi medie putere o soluţie frecvent utilizată este conectarea
unei rezistenţe în circuitul de comandă (a). Această rezistenţă cu valori de 0,2…5kΩ, deviază în
circuitul exterior o parte a curentului de deplasare din baza tranzistorului T1 (npn) din schema
echivalentă a tiristorului. Astfel se împiedică stabilirea reacţiei interne de curent prin decuplarea
acestui tranzistor. Acelasi efect are şi negativarea grilei în raport cu catodul

Metode de protecţie împotriva autoaprinderii prin efect dvT /dt :

a) cu rezistenţă în circuitul de comandă ; b) cu polarizare inversă a circuitului de comandă ;
c) structura tiristorului cu şunturi la catod ; d) schema echivalentă pentru structura de la poziţia
c).
 Soluţia internă pentru creşterea capabilităţii în dvT/dt o constituie tiristoarele cu şunturi la
catod. Aceste şunturi sunt legături directe între suprafaţa metalizată de la catod şi stratul slab
dopat p al porţii, legături ce traversează stratul puternic dopat n al catodului.

Prin aceste şunturi, curentul de deplasare generat în structura tiristorului se evacuează direct
spre catod, fără să mai joace vreun rol în generarea reacţiei interne de curent. Tot din cauza
şunturilor, eficienţa de injecţie a stratului puternic dopat p, care este baza tranzistorului T2, scade
şi astfel coeficientul αn este menţinut la o valoare mică. În acest mod se menţine
αn + αp < 1 şi se evită amorsarea parazită.

Actualmente se realizează tiristoare de putere cu 20…30 şunturi uniform distribuite pe

suprafaţa catodului, iar capabilitatea în dvT/dt creşte de la 20…50V/µs la 1000…1200 V/µs.

Această soluţie constructivă pentru tiristoare are bineînţeles şi dezavantaje :

- creşterea căderii de tensiune în stare de conducţie, deci şi a pierderilor PTAV pentru a
menţine acelaşi curent direct mediu prin tiristor, deoarece aria catodului este mult diminuată ;
Ø - scăderea capabilităţii în diT/dt, deoarece scade viteza de răspândire a ariei iniţiale de
conducţie ;
- creşterea timpului de amorsare, tgt.

Capabilitatea în dvT/dt poate fi variată prin

- alegerea dimensiunilor şi amplasării şunturilor;
- o dopare mai puternică a stratului porţii;
- mărirea lăţimii acestui strat.
2.8.3. Protecţia împotriva distrugerii prin efect diT /dt

Protecţia împotriva distrugerii prin efect diT /dt se poate face extern prin înserierea tiristorului
cu o inductivitate dar care are şi următoarele dezavantaje :
mărirea timpului de amorsare ;
oscilaţii parazite în circuitul de putere ;
gabarit mărit al instalaţiei.

O soluţie internă de protecţie constă în adăugarea unui amplificator de poartă integrat

în structura semiconductoare, care să acţioneze numai în faza iniţială a procesului tranzitoriu de
amorsare
 Tiristor cu amplificator de poartă integrat :
a) schema echivalentă ; b) structura semiconductoare

Schema echivalentă (a) este cea a unui amplificator Darlington cu tiristoare, format
dintr-un tiristor principal Tp şi unul auxiliar Ta . Prin aplicarea unui semnal de comandă lui Ta ,
acesta amorsează ; prin intermediul rezistenţei R se aplică pe poarta tiristorului principal Tp , un
curent de comandă mărit (IGp =Ia +IG ), ceea ce determină o suprafaţă iniţială de conducţie mărită
şi o creştere a capabilităţii în diT /dt, concomitent cu scăderea puterii consumate în circuitul de
comandă.
 Structura semiconductoare are două zone puternic dopate n, una principală np++ şi alta
auxiliară na++, corespunzătoare celor două tiristoare. Curentul IGp este transmis prin metalizarea
ce leagă straturile na++ şi p. După amorsarea lui Tp , tiristorul auxiliar Ta trebuie să se blocheze şi
să nu mai participe la conducţie. Tiristoarele cu amplificator de poartă integrat au câştig în curent
la amorsare (Gon) foarte mare.
 Tiristor interdigitat cu amplificator de poartă integrat :
a) explicativă pentru interdigitare; b) schema echivalentă

La tiristoarele de putere mare este foarte important ca întreaga suprafaţă a catodului să

intre practic odată în conducţie. Deoarece aria acestor tiristoare este mare, ele se construiesc cu
structuri interdigitate, la care grila şi catodul se întrepătrund.
Deoarece dimensiunea l a zonelor de catod este comparabilă cu cea a zonei iniţiale de
conducţie (100…250µm), la aplicarea semnalului de comandă, conducţia se iniţiază practic în
toată aria catodului, ridicând astfel mult limita lui (diT /dt)crit, care ar putea provoca distrugerea
tiristorului.
Există tiristoare cu structură interdigitată şi cu amplificator de poartă integrat. În acest
mod se poate ajunge până la valori de peste 1000 A/µs şi la un câştig mare în curent
3. TIRISTOARE SPECIALE
Exigenţe impuse tiristoarelor

tensiuni de blocare, directe şi inverse tot mai ridicate ;

curenţi intenşi în circuitul de forţă;
viteze mari de variaţie a tensiunii şi curentului în regim tranzitoriu;
timpi de comutaţie reduşi;
putere de comandă mică.

⇒ soluţii constructive contradictorii

⇒ tipuri specializate de tiristoare:

- tiristoare pentru convertoare ce funcţionează la frecvenţa reţelei (pentru
redresoare şi variatoare de c.a.);
- tiristoare pentru convertoare ce funcţionează la frecvenţe înalte (pentru
invertoare şi choppere);
- tiristoare comandate prin semnal optic, pentru instalaţiile de înaltă
tensiune ;
- tiristoare cu blocare pe poartă, pentru aplicaţiile în tracţiune electrică ;
triace, pentru variatoare de tensiune alternativă
3.1. Tiristoarele pentru funcţionare la frecvenţa reţelei

Au configuraţia convenţională şi au fost prezentate detaliat anterior.

Caracteristici:
- tensiuni de blocare de până la 5kV;
- curenţi de până la 3kA;
- căderi de tensiune mici, de maximum 2V;
- timp de comutaţie este mare (50µs<tq<200µs), dar acest lucru nu are importanţă,
frecvenţa de comutaţie fiind de cel mult 50Hz.
-suportă pante relativ mari ale tensiunii, de până la 1000V/µs;
- suportă pante ale curentului de numai 200A/µs.
- poate fi îmbunătăţit utilizând tiristoare cu amplificator de poartă integrat,
ceea ce permite şi scăderea curentului de comandă până la 1...2A, deci
consum redus de putere în circuitul de poartă.
3.2. Tiristoare pentru funcţionare la frecvenţe înalte

Invertoarele şi chopperele sunt convertoare statice, alimentate în c.c., la care comutaţia

este fie forţată, fie naturală de la sarcină. Energia reactivă necesară comutaţiei este furnizată de
condensatoare şi inductivităţi, a căror valoare şi gabarit este cu atât mai mare, cu cât timpul de
comutaţie este mai lung. Iată de ce, tiristoarele pentru invertoare şi choppere trebuie să fie
rapide, cu timpi de blocare mici (2µs<tq<50µs).

Un procedeu de micşorare a timpului de blocare tq , este reducerea timpului de viaţă al

purtătorilor minoritari din bazele celor două tranzistoare echivalente ale tiristorului. Metodele
principale de atingere a acestui scop sunt aceleaşi cu cele utilizate la diodele rapide: introducerea
de impurităţi de aur sau platină şi iradierea cu particule de energie mare (electroni, neutroni,
protoni). Modificarea duratei de viaţă a purtătorilor minoritari are însă un efect negativ asupra
altor parametri ai tiristorului: scad tensiunile de blocare, creşte căderea de tensiune în conducţie,
scad capabilităţile în dvT/dt şi diT /dt.

Fiecare dintre procedeele cunoscute are avantaje şi dezavantaje. Funcţie de scopul principal
urmărit, micşorarea timpului de comutaţie şi variaţia acceptabilă a celorlalţi parametri funcţionali,
cea mai eficientă metodă este doparea cu platină, dar este şi cea mai scumpă.
O mărire a frecvenţei de lucru până la 10...15 kHz necesită şi micşorarea timpului de amorsare
tgt. Aceasta implică însă şi mărirea capabilităţii în diT/dt. Aceste două cerinţe se realizează la
structurile interdigitate şi cu amplificator de poartă integrat.
3.2.1. Tiristoare cu blocare asistată de poartă (GATT= Gate Assisted Turn off Thyristor)

Anterior s-a amintit efectul benefic al aplicării, către sfârşitul preocesului tranzitoriu de
blocare, a unei tensiuni inverse în circuitul de comandă. Această tensiune de valoare mică
(2...6V) determină devierea, în circuitul exterior grilă-catod, a unei părţi din curentul pe care îl
generează reaplicarea tensiunii directe. Astfel este împiedicată polarizarea directă a joncţiunii
grilă-catod şi deci, procesul intern care ar determina reamorsarea tiristorului.
În figura urmatoare se observă corelarea între momentul aplicării semnalului de comandă
negativ cu cel al tensiunii directe, precum şi anularea curentului direct parazit.

a) Comutaţia unui tiristor GATT ; b) Timpul de blocare funcţie de semnalul negativ de comandă
Observatii:

Se observă o scădere drastică de până la 50% a timpului tq , dacă se menţine constant IT.
Creşterea peste 10A a curentului de comandă invers nu mai are un efect sesizabil în scăderea
timpului de blocare. Pentru parametrii IT , IGR şi VGR constanţi, timpul de blocare creşte cu
creşterea pantei tensiunii dvT /dt, a curentului anodic diT /dt şi a temperaturii de lucru TvJ.
La tiristoarele cu şunturi la catod, acest procedeu de grăbire a blocării nu este eficient şi are
chiar efect contrar. O variantă îmbunătăţită este tiristorul cu două nivele de interdigitare
(TIL=Two Levels Interdigitation) la care întrepătrunderea celor două straturi (catodului şi porţii)
este realizată pe două direcţii perpendiculare. Această configuraţie permite întreruperea reacţiei
interne de curent prin decuplarea tranzistorului npn (vezi schema echivalentă a tiristorului din
Fig.3.4) în momentul în care, la aplicarea tensiunii directe, cu dvT /dt mare, apare pericolul
amorsării parazite. Curentul de deplasare care ia naştere, este evacuat cu uşurinţă prin canalele
create în zona mai groasă a stratului slab dopat p. Rezistenţa acestei zone fiind mai mică, nu se
ajunge la o polarizare a joncţiunii J3 suficientă pentru a declanşa reacţia internă de curent. Cu
acest tip de structuri, timpul de blocare este redus de până la şase ori. La curenţi inverşi de
comandă mici şi reducerea lui tq este mai mică (50% la curent invers de 0,5…1 A).
În anumite convertoare statice, de exemplu în invertoarele de tensiune, tiristoarele sunt
montate antiparalel cu diode, deci proprietatea lor de a bloca tensiuni inverse mari devine inutilă.
Din acest motiv, s-au conceput tiristoare care nu mai blochează tensiuni inverse, dar au mult
îmbunătăţite performanţele la polarizare directă.
3.2.2. Tiristoarele asimetrice (ASCR = Asymetrical Silicon Controlled Rectifier)

Tiristor asimetric : a) simbol ; b) structură

Spre deosebire de structura unui tiristor convenţional, acest tip de tiristoare are un strat
suplimentar, puternic dopat n, introdus între stratul puternic dopat p şi cel slab dopat n.
Joncţiunea J1 a tiristorului este acum între două straturi puternic dopate şi deci, din acest motiv,
nu va mai putea susţine o tensiune inversă mare (maximum 20V).
Caracteristica statică a acestui tiristor este asemănătoare cu cea a tiristorului
convenţional, cu diferenţa că tensiunea inversă de străpungere este cu două ordine de mărime mai
mică.
 Caracteristica statică a unui tiristor asimetric

Timpul de blocare pentru un tiristor convenţional (SCR) şi unul asimetric (ASCR), la aceeaşi
densitate de curent (2A/mm2) şi tensiune de blocare (1200V) .
 Stratul suplimentar puternic dopat n micşorează lungimea l a stratului slab dopat n. Totuşi, nu
există pericolul extinderii zonei de sarcină spaţială a joncţiunii J2 până la joncţiunea J1 şi
scurtcircuitarea lor, tocmai din cauza existenţei unei zone puternic dopate n. Reducerea lungimii
l determină reducerea lungimii de difuzie a purtătorilor de sarcină şi deci, durata lor de viaţă.
Astfel se obţine o scădere de 2...3 ori a timpului de blocaj tq faţă de un tiristor convenţional,
precum şi o cădere de tensiune directă în conducţie mai mică. Reducerea lui tq determină
scăderea pierderilor în comutaţie şi permite astfel creşterea frecvenţei de comutaţie a tiristorului
până la 35kHz.
3.2.3. Tiristoare cu conducţie în invers (RCT = Reverse Conducting Thyristors)

Reprezintă un ansamblu tiristor (nesimetric) - diodă montate antiparalel.

Tiristoare cu conducţie în invers RCT : a) simbolul ; b) structura ; c) schema electrică

echivalentă

Se observă existenţa de şunturi atât la catodul, cât şi la anodul acestei structuri

Tiristorul poate fi şi asimetric dacă există strat suplimentar puternic dopat n.

Tiristoare cu conducţie în invers RCT : a) caracteristica statică ; b) variaţia cu temperatura a
tensiunii de autoaprindere
 Avantajele Tiristoarelor cu conducţie în invers:
timp de blocaj redus, procesul tranzitoriu fiind independent de procesul de refacere a
capacităţii de blocare a celor două tranzistoare componente;
temperaturi de lucru posibile ceva mai mari (150°C);
valori mai mari pentru curenţii maxim admişi şi puterea maximă disipată ;
tensiune de autoaprindere mai mare şi creşterea ei o dată cu creşterea temperaturii
deoarece joncţiunea J2 se comportă, datorită şunturilor, ca joncţiunea unei diode şi nu ca o
joncţiune inclusă în structura complexă a tiristorului;
simplificarea conexiunilor;
economisirea unei capsule pentru diodă.
3.2.3. Tiristoare cu blocare pe poartă GTO (Gate Turn Off Thiristors)

Tiristorul GTO : a) simbol ; b) structură.

Tiristorul GTO funcţionează ca un tiristor convenţional la polarizare directă, dar

este blocat printr-un semnal de comandă negativ, aplicat pe poartă, fără însă să mai fie
nevoie de inversarea tensiunii anod-catod
Aparent funcţionează ca un tranzistor, dar are avantajele tiristoarelor:

- poate bloca tensiuni inverse şi directe mult mai mari;

- poate vehicula curenţi importanţi;
- are o rezistenţă sporită la suprasarcini.

Faţă de tiristoarele convenţionale, are avantajul simplificării circuitelor de forţă,

deoarece se elimină acumulatoarele de energie (inductivităţi şi capacităţi) necesare forţării
blocării în cazul tiristoarelor normale.

Dezavantajele
- un preţ încă mare comparativ cu al tiristoarelor convenţionale;
- un consum sporit de energie în circuitul de comandă
 Constructiv, un tiristor GTO se deosebeşte de unul convenţional prin aceea că, datorită
gradului de dopare şi grosimii straturilor semiconductoare, factorii de amplificare în curent
colector - emitor (αn şi αp ), ai celor două tranzistoare componente sunt mult diferiţi:
αn=0,6...0,8 este mai mare;
αp=0,1...0,2 este mai mic

decât la structura convenţională.

Din cauza valorii foarte mici a lui αp , deşi amorsarea se face ca la tiristorul normal, la
GTO este nevoie de menţinerea unui curent de comandă continuu pe durata conducţiei.

În plus, deoarece se utilizează structura interdigitată, contactul de poartă este ramificat

şi acţionează practic instantaneu asupra întregii suprafeţe a catodului. Interdigitarea echivalează
însă practic cu o structură formată din mai multe tiristoare legate în paralel, motiv pentru care
curenţii IGT, IL şi IH sunt până la de 10 ori mai mari decât la un tiristor conveţional, cu
performanţe comparabile.
Functionare

Datorită extragerii de curent prin circuitul de poartă, curentul de comandă IB1 pentru T1
scade, deci scade şi curentul său de colector IC1 . Acesta este însă curent de bază pentru T2 . Cu
curent de comandă scăzut şi factor de amplificare αp mic, T2 va avea un curent de colector IC2
insuficient pentru a menţine reacţia internă de curent şi tiristorul se va bloca.

Condiţia pentru blocarea tiristorului este deci:

Aplicând relaţiile cunoscute de la tranzistoare1e bipolare:

pentru curenţi bază – colector ICB01 şi ICB02 neglijabili, se obţine

Se defineşte un factor de câştig în curent la blocare Goff , similar cu Gon

 Valori practice pentru Goff sunt cuprinse în domeniul (2…8), adică este nevoie de un
curent invers de comandă mare, de (20…50%) din curentul principal. La tiristoarele GTO cu
amplificator de poartă integrat şi interdigitare, curentul invers de comandă este mult redus, la
(1…5%) din curentul principal.
 Caracteristicile statice ale tiristoarelor GTO derivă din cele ale tiristoarelor convenţionale.

Caracteristica circuitului de forţă este identică, iar caracteristica de comandă diferă numai în
cadranul trei, adică acolo unde este domeniul comenzii la blocare. Corespunzător acestui
domeniu există mărimi caracteristice specifice :
IGRM este valoarea maximă a curentului invers de comandă ; depăşirea acestei valori,
determină distrugerea joncţiunii J3 prin efect electrotermic ;
IGRmin este valoarea minimă a curentului invers de comandă care mai poate asigura totuşi
blocarea tiristorului ;
VGRM este tensiunea inversă maximă care poate fi aplicată joncţiunii poartă-catod. Are
valori uzuale de 10…15V. Depăşirea acestei valori provoacă străpungerea joncţiunii J3 ;
VGRmin este tensiunea inversă minimă de comandă care asigură blocarea tiristorului ;

Caracteristica de comandă a tiristorului GTO

Regimul dinamic al tiristorului GTO .
 Procesul tranzitoriu la amorsare se desfăşoară la fel cu cel al tiristorului convenţional
şi este definit de aceeaşi timpi tgd , tgr şi tgt. Comparativ cu un tiristor convenţional cu parametrii
comparabili, tiristorul GTO are un timp tgt mai mare şi o capabilitate în di/dt sporită.

Procesul tranzitoriu la blocare este prezentat pentru sarcină rezistiv - inductivă,

tiristorul fiind echipat cu circuit de îmbunătăţire a comutaţiei la blocare
. Începutul comutaţiei în invers este momentul t0 , când curentul invers de comandă are
o valoare egală cu 10% din valoarea sa maximă. Curentul iT scade atât de rapid, încât produce
supratensiuni de comutaţie superioare lui VDRM , motiv pentru care se montează circuitul RCD de
îmbunătăţire a comutaţiei. Acest circuit este asemănător cu cel folosit la tranzistoarele bipolare,
dar dimensionat pentru puteri mai mari şi deci, mai scump.

Circuit de îmbunătăţire a comutaţiei la blocarea tiristorului GTO

 După amorsare, tiristorul GTO trebuie să rămână în conducţie un timp minim,
specificat, înainte de a putea fi blocat. Acest lucru este impus de faptul că puterea, dezvoltată pe
durata proceselor tranzitorii, ridică temperatura dispozitivului. Între solicitările termice de la
amorsare şi blocare trebuie deci să fie o pauză minimă
Parametrii regimului dinamic la blocare:

ts este timpul de stocare şi reprezintă intervalul de timp, măsurat de la t0 , necesar

curentului anodic să scadă la 90% din valoarea sa de regim permanent.
Zona de conducţie prin tiristor se micşorează, ceea ce duce la creşterea temperaturii
structurii semiconductoare. Când o parte suficientă a sarcinii stocate a fost evacuată, reacţia
internă de curent este întreruptă şi curentul iT scade.
tf este timpul de cădere şi reprezintă intervalul de timp necesar scăderii curentului
iT de la 90% din valoarea sa de regim permanent, până la valoarea curentului de încheiere (sau de
coadă), notat ITQ . Acest timp (uzual tf ≅1µs) se caracterizează printr-o scădere cu pantă foarte
mare a curentului iT .
tbr este timpul de străpungere. După tf joncţiunea J3 începe să conducă în invers
prin efect Zener. Din cauza inductivităţii parazite a circuitului de poartă, inversarea sensului
pantei curentului de comandă (diGR/dt) determină o supratensiune de comutaţie inversă, care
poate străpunge joncţiunea, în caz că nu se iau măsuri pentru limitarea ei la valoarea VGRM . Acest
fenomen durează timpul tbr , în care trebuie evacuată o mare cantitate din purtătorii de sarcină
stocaţi în bazele tranzistoarelor echivalente.
tgq = ts +tf este timpul de blocare prin comandă pe poartă.
tt este timpul de încheiere (de coadă) şi reprezintă intervalul de timp necesar
curentului iT să scadă de la valoarea ITQ , la curentul ID foarte mic, practic nul, corespunzător
tiristorului blocat. Acest timp este necesar pentru evacuarea tuturor purtătorilor de sarcină rămaşi
în stratul puternic dopat n al catodului.
toff = tgq +tt este timpul total de blocare.
Alti parametri:

ITQM (notat şi ITGQ sau ITGQM) este curentul anodic maxim controlabil de poartă
şi reprezintă valoarea maximă a curentului direct care poate fi întrerupt eficient, o singură dată,
prin aplicarea pe poartă a unui semnal adecvat. Acest curent se indică pentru temperatura
joncţiunii TvJ =125°C şi o tensiune directă VD=2/3VDRM .
ITQRM este curentul anodic maxim repetitiv controlabil de poartă şi reprezintă
valoarea maximă a curentului direct care poate fi întrerupt eficient în mod repetitiv prin aplicarea
pe poartă a unui semnal adecvat. Acest curent se indică în catalog în aceleaşi condiţii ca şi ITQM .
Goff = ITQRM / IGRM(min) este câştigul maxim în curent la blocare
3.2.4. Tiristorul cu blocare pe poartă şi conducţie în invers (RC-GTO = Reverse Conducting
GTO).

Tiristorul cu blocare pe poartă şi conducţie în invers (RC-GTO): a)simbol; b)schema.

Acest tiristor este echivalent cu un tiristor GTO legat antiparalel cu o diodă şi, pe lângă
proprietăţile deja cunoscute ale unui RCT, poate fi blocat prin comandă pe poartă
3.2.5. Tiristor cu poarta controlată de MOSFET (MCT = Mos Controlled Thyristor)

Este un tiristor obişnuit cu unul sau două tranzistoare MOS-FET înglobate în structura porţii.

Există două variante constructive:

cu control prin MOS-FET atât la blocare, cât şi la amorsare;
cu amorsare obişnuită şi control prin MOS-FET numai la blocare.
Tiristorul cu poartă controlată de MOSFET la blocare şi la amorsare: a) structură; b) schema
echivalentă; c) simbol.

Tiristorul cu poartă controlată de MOSFET la blocare:

a) structură; b) schema echivalentă.
Aceste dispozitive au aplicaţii similare unui GTO, dar semnalul de comandă pe poartă pentru
amorsare şi blocare este în tensiune şi deci, mai uşor de obţinut

Avantajele principale ale tiristoarelor MCT sunt:

- comanda în tensiune, deci mai simplă;

- consumul mai mic de energie în circuitul de comandă faţă de un GTO, mai
ales la blocare;
- posibilitatea de utilizare într-o plajă foarte largă de temperaturi, între
-55 °C şi 300 °C;
- uşurinţa de a fi conectate în serie şi paralel, fără să necesite măsuri d
eosebite de egalizare a repartiţiei curenţilor sau tensiunilor.

Actualmente, performanţele limită ale acestor tiristoare sunt:

=3000 V; 1000V/µs, =1V

=300A;
=1 µs, =1000A/µs
= 1.2 µs,
3.2.6. Triacul

Triacul: a) simbol; b) schemă echivalentă; c) structură

Este destinat construirii variatoarelor de c.a. şi întreruptoarelor statice, care necesită

componente comandabile, bidirecţionale în curent.

Este echivalent cu două tiristoare montate antiparalel, dar comandate printr-o singură
poartă
În cristalul semiconductor se realizează trei straturi: p1 ,n2 şi p2 . Se difuzează o zonă n1
în stratul p1 şi alte două zone, nG şi n3 , în stratul p2. Metalizările pentru electrozi (E1 , G şi E2)
sunt astfel depuse, încât să fie în contact atât cu straturile p, cât şi cu zonele n.
Ansamblul (p1 n2 p2 n3 ) formează tiristorul , iar (n1 p1 n2 p2) formează tiristorul .
 Triacul se va comporta ca un tiristor, indiferent de polaritatea tensiunii aplicate în
circuitul principal sau în cel de comandă.

Mărimile caracteristice ale triacului sunt aceleaşi cu ale tiristorului

Caracteristicile statice ale triacului a) caracteristica curent-tensiune; b) caracteristica de

comandă.
Caracteristicile statice ale triacului derivă din cele ale tiristoarelor componente, cu diferenţa că
triacul are practic aceeaşi comportare atât în cadranul CI, cât şi în cadranul CIII. În cadranul CI
este caracteristica de blocaj (2) şi de conducţie (1) a tiristorului T1 polarizat direct, iar în cadranul
CIII este caracteristica de blocaj (4) şi de conducţie (3) a tiristorului T2 polarizat direct.

Triacul poate bloca tensiuni mari în ambele sensuri, la curenţi reziduali neglijabili, aşa
cum indică porţiunile 2 şi 4 din figura, deoarece dopajul straturilor p1 şi p2 este practic egal şi
tensiunile sunt suportate de joncţiunile p1 n2 sau n2 p2 , după caz.

Triacul poate conduce curenţi mari în ambele sensuri, la căderi de tensiune mici
(porţiunile 1 şi 3 din Fig.3.51.a),

Triacul este amorsat de semnale de comandă de ambele sensuri şi îşi recapătă

capacitatea de blocare atunci când curentul scade sub valoarea de menţinere,IH.

Calculul circuitului de comandă se face astfel încât punctul de funcţionare să se

găsească în zonele de amorsare sigură, 3 şi 3' ale caracteristicii de comandă

Triacul poate fi amorsat printr-un semnal de comandă aflat în oricare dintre cele patru cadrane ale
planului VT,VG.
între curenţii de amorsare sigură există următoarea relaţie

unde este curentul de comandă din cadranul CK al planului (VT,VG). Comanda în cadranul
CIV este recomandabil să se evite.
 Corelare între potenţialele din circuitul de forţă şi din cel de comandă pentru comanda în 4
cadrane a triacului

Din cauza asimetriei structurii (la ) este mai mare decât (la ).

Curentul de acroşare depinde de aceiaşi factori ca şi la tiristor, dar, în plus, depinde de cadranul în
care se face comanda triacului, astfel:

Pentru performanţe identice în curent şi în tensiune, curenţii de acroşare şi menţinere ai unui triac
sunt mai mari decât ai unui tiristor. În cataloage se indică valorile maxime ale acestor curenţi.
 În regim dinamic, posibilităţile triacului sunt inferioare unui grup de două tiristoare
convenţionale cu parametrii similari. Cuplajul foarte strâns între cele două tiristoare componente
determină:
un timp de blocare tq mult mai mare, deci frecvenţa maximă de utilizare mai redusă;
sarcina stocată în baza tiristorului care conduce, poate, din cauza apropierii de celălalt
tiristor, să provoace amorsarea lui parazită, la aplicarea tensiunii directe, la valori ale pantei
acestei tensiuni mult mai mici decât pentru un tiristor convenţional. În plus, tensiunea directă
pentru un tiristor component este tensiune inversă pentru celălalt, deci trebuie limitată şi panta de
creştere a tensiunii inverse la blocare (dv/dt)C, pe lângă panta de creştere a tensiunii directe în
stare de blocare (dv/dt)crit . Acest lucru se realizează cu un grup RC în paralel pe triac.

Din cauza acestor performanţe reduse, triacele sunt utilizate de obicei pentru controlul
energiei electrice în circuite de încălzire şi iluminat, alimentate din reţeaua de curent alternativ cu
frecvenţă de 50 Hz. Comanda triacului trebuie să fie robustă şi simplă, circuitele de utilizare
neimpunând, în general, o precizie deosebită a amorsării. Comanda triacelor se poate face la fel
ca la tiristoare: în curent alternativ, continuu sau cu impulsuri. Schemele de comandă se
realizează cu sau fără izolaţie galvanică faţă de circuitul de forţă, din elemente de circuit discrete
sau cu circuite integrate specializate, cu respectarea aceloraşi condiţii impuse şi în cazul
tiristoarelor.
 În concluzie, triacul este un dispozitiv semiconductor ieftin, comod de utilizat, dar ale
cărui performanţe îi limitează aplicabilitatea la comanda sarcinilor de puteri moderate,
funcţionând la frecvenţa reţelei. La puteri şi frecvenţe ridicate se folosesc tiristoare montate
antiparalel.

Pentru a depăşi limitele triacului şi a-i utiliza avantajele, s-a conceput un alt dispozitiv
semiconductor, numit alternistor cu performanţe limită de 1200V/200A. Acesta este format din
două tiristoare montate antiparalel, comandate printr-un triac, care are rol de amplificator de
poartă. În felul acesta se reduce timpul de blocare tq şi se creşte capabilitatea în (dv/dt)C .

Alternistorul.