Cap. II.

MATERIALE DE REFERINTA

2.1. FISA CONSPECT 1

          Tranzistoarele unipolare asigura

conductia printr-un singur tip de purtatori de

sarcina (fie e  , fie goluri  ).
- +

          Comanda curentului in tranzistor se realizeaza cu un camp electric motiv pentru care se mai

numesc tranzistoare cu efect de camp (TEC).

          Are 3 sau 4 terminale : - sursa (S)

- drena (D)

- grila (G) sau poarta (P)

- baza (B) sau substrat, care poate fi legat cu G, in

interiorul capsulei.

          Zona din semiconductor prin care se deplaseaza purtatorii de sarcina (calea de curent) de

la sursa la drena, se numeste canal.

          Dupa natura semiconductorului, canalul poate fi de tip n sau de tip p.

          Dupa modul de variatie a rezistentei canalului, datorita grilei de comanda, pot fi:

cu grila jonctiune TEC-J

cu grila izolata TEC-MOS

          La TEC-J campul electric de comanda se obtine prin polarizarea inversa a unei jonctiuni.

          La TEC-MOS campul electric se creeaza prin aplicarea unei tensiuni intre G si S. G si S sunt

separate printr-un izolator foarte bun, uzual un oxid, rezultand o structura metal-oxid-

semiconductor (MOS).

Curentul prin canalul n

este format din sarcini
negative (electroni),
deci polaritatea drenei
fata de sursa trebuie
sa fie pozitiva.

1
Polarizarea negativa a grilei G introduce un efect de respingere electrostatica a electronilor spre
centrul canalului. Cu cat negativarea grilei este mai intensa, cu atat se reduce mai mult sectiunea
canalului, cu efect de crestere a rezistentei intre sursa si drena si implicit de micsorare a curentului
de drena.

Structura unui TEC-J cu canal p este asemanatoare cu structura TEC-J cu canal n, cu observatia ca
se inverseaza structurile p si n intre ele, precum si polaritatile bornelor G si D. In acest caz,
curentul prin canalul p este format din sarcinile pozitive, antrenate spre drena polarizata negativ.

Datorita celor doua

jonctiuni polarizate
invers, curentul de
grila este practice nul.
Sensul sagetii din grila
– in prelungire spre
sursa – indica sensul
tehnic al curentului in
sursa si implicit al
curentului intre drena si sursa.

Din sensul curentului de drena rezulta polaritatea drenei (fata de sursa).

Tipul canalului (p sau n) si polaritatea grilei (fata de sursa) sunt opuse polaritatii drenei.

De exemplu pentru un TEC-J cu canal n, prelungirea sagetii arata sensul tehnic de circulatie, spre
exterior a curentului sursei, rezultand astfel sensul curentului de drena (de la drena spre sursa).

Deci, fata de sursa, drena va fi polarizata pozitiv, canalul va fi de tip n (semn invers fata de D), iar
grila fata de sursa va fi polarizata negativ (aceeasi polaritate cu a canalului).

Caracteristicile statice de iesire reprezinta variatia curentului de drena in functie de tensiunea intre
drena si sursa, atunci cand se mentine constanta tensiunea grila-sursa.

Curentul de drena are valoarea maxima atunci cand

tensiunea UGS=0 . Valoarea lui este cu atat mai mare cu cat
tensiunea de drena este mai mare.

Caracteristica de transfer reprezinta variatia curentului de drena in functie de tensiunea pe grila,

pentru o anumita valoare a tensiunii de drena.

Parametrii specifici:

      curentul IDmax este curentul de drena maxim

garantat de fabricant

      curentul IDSS pentru UGS=0 este curentul de saturatie pentru tensiunea de grila nula

      tensiunea de prag (de taiere) este tensiunea de grila pentru care curentul prin
tranzistor se anuleaza

2
 2.2. FOLIE
12.3. FISA
CONSPECT
2
Cap. IV. SOLUTII SI SUGESTII METODOLOGICE
Rezolvare exercitiul 1.

a.       tranzistor bipolar pnp

b.      tranzistor bipolar npn

c.       tranzistor cu efect de camp cu grila jonctiune (TEC-J) cu canale p

d.      tranzistor cu efect de camp cu grila jonctiune (TEC-J) cu canale n

Sugestie exercitiul 2.

Profesorul bifeaza rubrica „Verificat”:

In caz corect „ ” , in caz gresit „

Rezolvarea exercitiului 3.

1. 175°C - 200° C

2. hiperbola

3. curentul de colector maxim

4. colectorului

5. valoarea

6. de colector

7. tensiunii

8. domeniul

9. punctul static.

Sugestie exercitiul 4.

Metoda cubului este o metoda didactica interactiva care se preteaza la temele

recapitulative. Sunt utilizate stilurile de invatare favorite ale elevilor: vizual, auditiv si practic.

Aceasta activitate se poate desfasura pentru o tema de recapitulare a cunostintelor despre

tranzistorul bipolar.

Subiectele urmarite sunt: - tipurile de conexiuni

3
 - regimurile de functionare

- caracteristicile statice.

Etapele metodei sunt urmatoarele:

 se formeaza grupe de cate 6 elevi

 fiecare grupa isi alege un lider care sa coordoneze activitatea grupei
 se impart 6 foi de forma patrata care contin fiecare cerinta de lucru pentru un elev
 liderul imparte sarcinile membrilor grupului, fiecare membru primind o foaie de hartie din
cele 6 primite de grupul respectiv
 dupa rezolvarea sarcinilor se construieste cubul

Rezolvare exercitiul 5.

- curentul IDmax

- curentul IDSS

- tensiunea de prag (de taiere)

Rezolvare exercitiul 6.

- tiristor

- triac

- diac

- TEC-J cu canal p

Rezolvare exercitiul 8.

sus – drena mijloc – grila jos – sursa

Rezolvare si sugestii exercitiul 9.

Pentru raspuns corect se va nota cu , iar pentru raspuns gresit cu -.

Nr. Conexiunea Circuitul de intrare Circuitul de iesire Verificare

Crt.
TEC-J cu SC intre G si S intre D si S
TEC-J cu DC intre G si D intre S si D
TEC-J cu GC intre S si G intre D si G

Rezolvarea exercitiului 11.

1. A 2. F 3. A 4. A 5. A 6. F 7. A 8. F 9. A

Sugestie exercitiul 12.

Acest referat va constitui un material din portofoliul personal al elevului.

Rezolvarea testului 1.

4
Rezolvarea testului 2.

1. b 2. a 3. a 4. c 5. b 6. b 7. a 8. a 9. b

BIBLIOGRAFIE