Electronic A PDF

CONSTANTIN MIHOLCĂ
ELECTRONICĂ
PENTRU FACULTĂŢILE CU PROFIL
NEELECTRIC
GALAŢI 2007
CUPRINS
Introducere ............................................................................................ 1
CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 3

1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă ......................... 3
1.1.2 Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare intrinseci
............................................................................. 4
1.1.2 Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă ...................... 5
1.2 Joncţiunea p-n .................................................................................. 6
1.3 Dioda semiconductoare ................................................................... 8
1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului static de funcţionare ... 9
1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare ............................................... 10
1.4 Tranzistoare ..................................................................................... 12
1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare ................ 12
1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice .............................. 14
1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar ........................... 16
1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF ............................ 16
1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe.
Stabilizarea punctului static de funcţionare ............................... 18
1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare utilizând
elemente neliniare de compensare ........................ 19
1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului de
amplificare în regim dinamic) ............................................ 19
1.4.7 Tranzistoare unipolare ................................................................ 21
1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare.. 22
1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J ....................... 24
1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim dinamic
............................................................................... 25
1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n) ... 26
1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS 27

având canal de tip n .........................................
1.5 Dispozitive semiconductoare speciale ............................................. 28
1.5.1 Tiristorul .................................................................................... 28
1.5.2 Triacul ........................................................................................ 31
1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ) ................................................ 32
1.6. Întrebări şi problemă................................................ 34
vi Cuprins
CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 35

2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor ................................. 35
2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor ......................... 37
2.1.3 Tipuri de amplificatoare ............................................................ 39
2.2 Amplificatoare de curent alternativ ................................................. 40
2.2.1 Amplificatoare de tensiune ........................................................ 40
2.2.2 Amplificatoare de putere (AP) .................................................. 43
2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A .................................... 44
2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B .................................... 45
2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington ..... 46
2.3 Amplificatoare de curent continuu .................................................. 47
2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial .......... 47
2.4 Reacţia negativă la amplificatoare şi consecinţele ei ...................... 49
2.5 Amplificatoare operaţionale ............................................................ 51
2.6 Oscilatoare ....................................................................................... 54
2.7. Întrebări ....................................................................................... 58
CAP. 3 REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 59

3.2 Redresoare monofazate necomandate ............................................ 61
3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere ............................. 61
3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă .... 61
3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă ... 64
3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate ....................................................... 66
3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv ....................... 66
3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere .................................... 68
3.3 Redresoare trifazate necomandate ................................................... 69
3.4. Întrebări............................................................................................ 72
CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 73

4.2 Stabilizatoare parametrice ............................................................... 73
4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric ................................. 74
4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având element de control serie şi amplificator de 77
eroare ................................................................
4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune ........................................... 78
CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică

putere ..................................................................................... 82
5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a tiristoarelor ............ 86
5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte ................................... 88
5.4. Întrebări şi problemă ..................................................................................... 90
Cuprins vii
CAP. 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI

SECVENŢIALE
6.1 Funcţii logice elementare ................................................................ 91

6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii .......................................... 94
6.3 Circuite logice. Realizarea funcţiilor logice elementare cu dispozitive
electronice ................................................................. 95
6.4 Circuite logice integrate (poarta logică NAND-TTL)............................ 97
6.4.1 Poarta logică integrată NOR (SAU-Nu).................................... 99
6.5 Circuite logice combinaţionale ........................................................ 100
6.5.1 Noţiuni generale ......................................................................... 100
6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale ................................. 101
6.6 Circuite logice secvenţiale ............................................................... 103
6.6.1 Circuite secvenţiale elementare ................................................. 104
6.6.1 Circuitul secvenţial de tip Master - Slave .................................... 107
6.7 Întrebări şi probleme............................................................... 109
CAP. 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE

COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE
7.1 Circuite LATCH .............................................................................. 110

7.1.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH ............................. 110
7.2 Codificatoare şi decodificatoare ...................................................... 111
7.3 Circuite de multiplexare şi demultiplexare ...................................... 113
7.4 Numărătoare electronice .................................................................. 114
7.5 Convertoare ..................................................................................... 115
7.6 Circuite de memorie ........................................................................ 117
7.7 Microprocesorul (μP). Microcalculatorul (μC) ............................. 122
7.8. Întrebări ............................................................................................ 123
Bibliografie ............................................................................................ 124

INTRODUCERE
Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii, fiind denumită la

începuturile ei “electrotehnica curenţilor slabi” şi având ca aplicaţie principală
domeniul telecomunicaţiilor cu şi fără fir. Posibilităţile remarcabile ale electronicii şi
progresele ei deosebit de rapide (mai ales în privinţa realizării tehnologice a
dispozitivelor semiconductoare şi circuitelor integrate) au făcut ca, în prezent,
electronica să fie utilizată aproape în toate domeniile ştiinţei şi tehnicii.
Ţinând seama de aspectele esenţiale ale electronicii şi fără pretenţia de a
formula o definiţie atotcuprinzătoare, se poate spune că electronica este ramura
ştiinţei şi tehnicii care se ocupă cu studiul fenomenelor şi aplicaţiile acestora
privind conducţia electrică în semiconductoare, gaze şi vid.
Ca domeniu independent, Electronica se constituie la începutul secolului XX.
Primele cinci decenii au reprezentat ”epoca” tuburilor electronice, cu numeroase
aplicaţii în telecomunicaţii şi industrie. Începând cu anii 1949-1952 s-au realizat
primele tranzistoare, iar în 1952 s-a formulat ideea circuitului integrat, astfel că după
şase ani (în 1958) s-a realizat primul circuit integrat. În 1960 se construiesc primele
dispozitive semiconductoare ale electronicii de putere (tiristoare şi triacuri) care au
condus la modernizarea şi creşterea performanţelor în sistemele de acţionări
electrice reglabile. Începând cu anul 1962 s-a trecut la producţia industrială a
circuitelor integrate, la început în tehnologie bipolară şi apoi în tehnologie MOS (după
1965). Perfecţionarea rapidă a tehnologiilor electronice a condus la apariţia familiilor
de circuite integrate logice MOS, începând cu anul 1970, permiţând dezvoltarea
tehnologiei circuitelor larg integrate (LSI –Large Scale Integration). Aceste circuite au
condus la realizarea primului microprocesor, pe 8 biţi, în 1971. Microprocesorul a
determinat o revoluţie tehnică denumită ”revoluţia microelectronicii”, care a antrenat
toate domeniile tehnologiei, încât astăzi nu există domeniu de activitate umană în
care microprocesorul să nu poată fi implicat.
După 1980 s-au dezvoltat structuri VLSI (Very Large Scale Integration),
utilizate fiind atât tehnologia CMOS cât şi bipolară. Aceste tehnologii permit
înglobarea unui număr foarte mare (între 50.000 şi 1.000.000) de tranzistoare într-o
capsulă.
După anul 1990 s-au dezvoltat structuri ULSI (Ultra Large Scale Integration),
care pot îngloba peste un milion de tranzistoare CMOS într-o capsulă. De exemplu,
microprocesorul 486 conţine 1,2 milioane de tranzistoare, dimensiunea unui
tranzistor fiind ≤ 1μm.
În prezent, circuitele integrate se realizează în tehnologie CMOS, dar s-a
trecut la tehnologia BiCMOS care este o combinaţie între tehnologia bipolară şi
tehnologia CMOS. Această tehnologie (BiCMOS) îmbină avantajele de viteză şi
curent mare la ieşire ale tehnologiei bipolare, cu avantajele consumului redus şi
densitate mare de integrare, oferite de tehnologia CMOS. În prezent numărul de
tranzistoare înglobate într-o capsulă depăşeşte 5 milioane.
2 Introducere
Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele

electronice cât şi circuitele electronice se impune definirea celor două noţiuni.
Dispozitivul electronic este un ansamblu format din părţi componente,
imobile una faţă de alta, între care se produce conducţia electrică prin vid, gaze sau
semiconductoare. Părţile componente pot fi piese distincte (la tuburile electronice)
sau regiuni cu proprietăţi diferite ale unui material neomogen (la dispozitivele
semiconductoare). Prin extensie, se consideră dispozitive electronice şi acele
dispozitive realizate dintr-un singur material omogen, care are una dintre proprietăţile
fundamentale ale conducţiei prin vid, gaze sau semiconductoare. În aplicaţii,
dispozitivul electronic reprezintă un element de circuit, numit şi element electronic
de circuit, spre deosebire de elementele electrice de circuit obişnuite (rezistoare,
bobine, transformatoare, condensatoare etc).
Circuitul electronic este un ansamblu electric în care se folosesc unul sau
mai multe dispozitive electronice la care se leagă elemente electrice de circuit,
alimentându-se de la surse de energie, în scopul realizării unei funcţiuni (redresare,
amplificare, producerea oscilaţiilor, modulaţie, detecţie etc).
CAPITOLUL 1
DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT
1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare
Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi

materialele izolatoare. Conducţia electrică în medii semiconductoare se realizează
prin două categorii ale purtătorilor de sarcină: electronii şi golurile. Aceşti purtători se
generează simultan sub formă de perechi şi au o anumită mobilitate, adică sub
influenţa unui câmp electric ei pot da naştere curentului electric de conducţie. După
modul de generare a purtătorilor, semiconductoarele se pot clasifica astfel:
• semiconductor de conductibilitate intrinsecă;
• semiconductor de conductibilitate extrinsecă.
1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă
Acestea sunt materiale pure din punct de vedere chimic (ex. Siliciu,
Germaniu). Generarea perechilor electron-gol se produce datorită aportului energetic
extern, reprezentat prin lăţimea benzii interzise (∆w), figura 1.1.
Figura 1.1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor

4 Capitolul 1
La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia

electronilor, notată cu ni , este egală cu concentraţia de goluri, notată cu pi , fiind
exprimată prin relaţia:
3/ 2 ⎛ − Δw ⎞
n i = pi = AT exp⎜ ⎟ (1.1)
⎝ 2KT ⎠
unde:
A - constantă ce depinde de natura semiconductorului;
T - temperatura absolută ( grade Kelvin);
Δw - aportul energetic extern (lăţimea benzii interzise);
K - constanta lui Boltzmann.
1.1.2. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare

intrinseci (realizate cu materiale omogene)
1. Termistorul - este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă

electrică variază cu temperatura. Conductibilitatea termistorului este direct
proporţională cu numărul de purtători ni daţi de relaţia (1.1), ceea ce conduce la o
descreştere exponenţială a rezistenţei electrice, ca în figura 1.2.
Parametrii de catalog:
a) rezistenţa la temperatura de referinţă, RTo[Ω], unde T0=20 oC;
1 dR T
b) sensibilitatea S = − . .100 → [%/oC] exprimă viteza de variaţie a
R To dT
rezistenţei RT la o variaţie dată de un grad Celsius a temperaturii;
c) constanta de timp, T1 [s], ce reprezintă inerţia termică a termistorului;
d) domeniul de temperatură, ΔT∈[-200oC...+300oC], în care performanţele
termistorului sunt stabile.
Figura 1.2. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura
Utilizări:
- detector în traductoare de temperatură;
- detector în construcţia sesizoarelor de incendiu;
- în aparatura de măsură şi automatizare.
2. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub

acţiunea unei radiaţii electromagnetice incidente din spectrul vizibil sau infraroşu.
Variaţia rezistenţei electrice a fotorezistorului se datorează modificării concentraţiei
Dispozitive electronice de circuit 5
purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol), ca urmare a aportului

energetic al radiaţiei incidente.
a) rezistenţa la întuneric, Ro[Ω];
1 dR
b) sensibilitatea, Sφ = − . .100 → [%/lm]; unde lm simbolizează
R o dφ
lumenul (unitatea de măsură pentru intensitatea luminoasă);
c) caracteristica spectrală, Sφ=f(λ), exprimă dependenţa sensibilităţii faţă de
lungimea de undă, fiind ilustrată în figura 1.3. În funcţie de valoarea lui λo (la
care sensibilitatea este maximă) fotorezistenţele se pot construi pentru
spectrele vizibil sau infraroşu;
d) constanta de timp, T1[s], se defineşte asemănător constantei de timp a
termistorului; T1 caracterizează viteza de variaţie a rezistenţei electrice la o
variaţie bruscă a fluxului luminos.
Figura 1.3. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei
Fotorezistenţele sunt utilizate în construcţia releelor fotoelectrice, a

detectoarelor de incendiu etc.
3. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică

neliniară, a cărui conductanţă creşte odată cu creşterea tensiunii aplicate la borne.
Figura 1.4. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului
Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în

care este plasat varistorul. Forma caracteristicii statice, ilustrată în figura 1.4, îl face
utilizabil ca dispozitiv de protecţie împotriva supratensiunilor.
1.1.3. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă
Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate.

Conductibilitatea extrinsecă se obţine prin impurificarea (doparea) cu mici adaosuri a
unui semiconductor. Procesul prin care se introduc impurităţi riguros dozate în
semiconductor se numeşte dopare. În funcţie de natura elementului de impuritate
6 Capitolul 1
există două modalităţi de dopare care generează corespunzător, două tipuri de

semiconductoare extrinseci.
• Doparea cu impurităţi pentavalente (Stibiu, Arsen etc) are ca efect
creşterea numărului de purtători negativi (electroni) deoarece atomii
pentavalenţi de impuritate cedează uşor câte un electron, ce devine
electron liber (purtător), iar semiconductorul obţinut este de tip n. Atomii
acestor impurităţi se numesc donori. Electronii sunt purtători majoritari iar
golurile reprezintă purtătorii minoritari.
• Doparea cu impurităţi trivalente (Indiu, Aluminiu etc) are ca efect creşterea
numărului de goluri, care devin purtători majoritari, deoarece atomii
trivalenţi captează uşor câte un electron de la un atom vecin. Aceşti atomi
de impurităţi se numesc atomi acceptori şi se transformă în ioni imobilizaţi
în reţeaua cristalină. Semiconductorul obţinut are purtătorii majoritari
pozitivi (goluri) fiind de tip p.
Semiconductoarele de tip n şi p sunt corpuri neutre din punct de vedere
electric, deoarece sarcina ionilor imobilizaţi în reţeaua cristalină compensează
sarcina suplimentară a purtătorilor majoritari.
1.2 Joncţiunea p-n
Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând

procedee speciale) o zonă p cu impurităţi acceptoare şi o zonă n cu impurităţi
donoare, astfel încât distanţa dintre cele două zone să fie cel mult 10-5 mm, se
realizează o joncţiune p-n care reprezintă structura de bază pentru majoritatea
componentelor electronice.
Purtătorii majoritari, simbolizaţi prin M, care au suficientă energie, trec dintr-o
zonă în alta şi dau naştere curentului de difuzie, numit şi curentul direct al joncţiunii:
id = inM + ipM - curent direct (1.2)
Câmpul intern antrenează dintr-o zonă în alta purtătorii minoritari, simbolizaţi
prin m, formând curentul de conducţie, numit şi curent invers al joncţiunii:
ic = inm + ipm - curent invers (1.3)
În figura 1.5 se explică funcţionarea joncţiunii. Se folosesc notaţiile: Nao-
concentraţia iniţială de goluri; Ndo - concentraţia iniţială de electroni. De regulă
concentraţiile impurităţilor din cele două zone nu sunt egale (Nao > Ndo).
Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n):

1. Regiunea de trecere se extinde mai mult în zona n, care este mai slab dopată
cu impurităţi.
2. Regiunea de trecere este un mediu dielectric (concentraţia purtătorilor este
foarte mică).
3. Lăţimea totală a regiunii de trecere creşte odată cu tensiunea inversă aplicată
joncţiunii.
Diferenţa de concentraţii dintre cele două zone determină difuzia purtătorilor
majoritari dintr-o zonă în alta. Din cauza difuziei şi a recombinării purtătorilor
majoritari cu cei difuzaţi rezultă, în vecinătatea de separaţie a celor două zone p şi n,
o variaţie a concentraţiei de goluri (cp) şi electroni (cn). Aceste concentraţii scad până
la zero la nivelul joncţiunii. Se obţine o sarcină a ionilor imobili (fixaţi în reţea) pentru
purtătorii din fiecare zonă, sarcină care nu mai este compensată de sarcina
purtătorilor majoritari din zona respectivă. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a

sarcinii ρ. Această sarcină creează câmpul electric care se opune trecerii purtătorilor
majoritari dintr-o zonă în alta. Regiunea în care apare câmpul electric Ei şi sarcina
spaţială ρ se numeşte regiune de trecere, ilustrată prin zona haşurată. Prezenţa
câmpului intern Ei determină apariţia unei bariere de potenţial notate cu U0 (figura
1.5-e).
Dacă joncţiunii p-n i se ataşează două contacte metalice, potenţialele de tip
M-S (metal-semiconductor) anulează bariera de potenţial U0, astfel încât la bornele
joncţiunii potenţialul rezultant este zero (figura 1.6).
Figura 1.5 Figura 1.6. Efectul potenţialelor de contact

asupra barierei de potenţial
Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n

a) Polarizarea directă (figura 1.7), presupune aplicarea tensiunii de
alimentare Ua, cu polaritatea (+) la zona p şi, respectiv polaritatea (−) la zona n. Ca
urmare, în zona regiunii de trecere, potenţialul iniţial (U0) al barierei scade cu
8 Capitolul 1
valoarea tensiunii de alimentare Ua. Acest lucru permite trecerea putătorilor majoritari
care formează curentul de difuzie (Id), numit curent direct al joncţiunii. Curentul de
conducţie (ic), numit curent invers al joncţiunii, este neglijabil.
Figura 1.7. Polarizarea directă a joncţiunii p-n
b) Polarizarea inversă (figura 1.8), presupune aplicarea tensiunii de

alimentare Ua, cu polaritatea (−) la zona p şi, respectiv polaritatea (+) la zona n.
Figura 1.8. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n
În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de

alimentare, Ua. Curentul direct al joncţiunii este neglijabil, iar joncţiunea se consideră
blocată. Valoarea curentului de conducţie este de ordinul microamperilor.
1.3 Dioda semiconductoare
Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care

are ataşate două contacte M-S (metal-semiconductor).
Cei doi electrozi, lipiţi prin procedee speciale de contactele M-S, se numesc: A
= Anod, cu polaritate pozitivă în timpul conducţiei; C = Catod, cu polaritate negativă
în timpul conducţiei. Caracteristica statică a diodei este reprezentată în figura 1.9.
În starea de conducţie tensiunea anodică directă este: Ua ≅ 0,7V pentru diodele cu Si
şi Ua≅0,3V pentru diodele cu Ge. Tensiunea anodică inversă se notează cu (-Ua)
sau (- U a ).
i
Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi

atinge valoarea de străpungere a joncţiunii, aceasta se distruge prin efect termic
datorită creşterii în avalanşă a curentului invers.
Figura 1.9. Caracteristica curent-tensiune a diodei
1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului

static de funcţionare
Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de

limitare a curentului anodic (figura 1.10). De asemenea, se cunoaşte caracteristica
anodică, figura 1.11, pentru ramura de polarizare directă (cadranul I).
Figura 1.10. Dioda în circuit Figura 1.11. Caracteristica externă a diodei
Pentru determinarea punctului static de funcţionare, PSF (M), se rezolvă

grafo-analitic sistemul format din ecuaţia dreptei statice de sarcină, rezultată din a II-
a teoremă a lui Kirchhoff aplicată circuitului din figura 1.10 şi ecuaţia caracteristicii
anodice (figura 1.11):
⎧E = R ⋅ i a + U a
⎨ (1.4)
⎩ i a = f (U a )
Tăieturile dreptei de sarcină cu axele de coordonate vor fi: E/R → pentru Ua=0
şi E → pentru ia=0. Se observă că înclinaţia dreptei de sarcină este egală cu
10 Capitolul 1
valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao,

obţinute din proiecţiile punctului M pe cele două axe.
1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare
1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog:

a) curentul mediu în sens direct: IF ≤ 600 A;
b) tensiunea inversă: Uinv. max ≤ 1800 V;
c) temperatura maximă admisă a joncţiunii: Tj max ≤ 140 oC;
d) frecvenţa de lucru: fl ∈ [50 Hz ... 20 KHz].
2) Diode stabilizatoare (diode Zener). Sunt diode realizate cu siliciu la care se

utilizează ramura caracteristicii corespunzătoare polarizării inverse. În figura
1.12-a este ilustrată polarizarea diodei Zener, iar în figura 1.12-b este
reprezentată caracteristica statică inversată (în cadranul I).
Figura 1.12. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b)
a) tensiunea de stabilizare Zener: Uz ∈[2.5 V ... 180 V];
b) curentul Zener – curentul corespunzător tensiunii de stabilizare:
Iz∈[mA...A];
c) puterea disipată: Pd<10W.
d) coeficientul de variaţie a tensiunii stabilizate cu temperatura:
1 ΔU z
αz = . .100 [%/oC];
U z ΔTa
e) rezistenţa internă (dinamică), rz, în porţiunea de lucru a caracteristicii
statice.
3) Diode de comutaţie. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din

starea ”blocat” în starea de ”conducţie” - de ordinul nanosecundelor. De regulă
sunt utilizate în tehnica de calcul.
4) Diode cu contact punctiform. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa

joncţiunii foarte mică. Sunt utilizate în circuite de detecţie şi comutaţie la
frecvenţe de lucru până la 10 MHz.
5) Dioda varicap. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil. Pe

măsură ce aplicăm o tensiune mai mare la bornele diodei, aceasta
echivalează cu depărtarea armăturilor ”condensatorului”, deci se comportă ca
o capacitate comandată prin tensiune. Simbolizarea şi variaţia capacităţii
echivalente ale diodei varicap sunt prezentate în figura 1.13.
Figura 1.13. Dioda varicap: simbolizare şi principiu de funcţionare
6) Fotodioda este utilizată cu polarizare inversă. Curentul de purtători majoritari

se datorează fluxului luminos incident. Fotodioda este utilizată în construcţia
detectoarelor opto-electronice ce lucrează în spectrele vizibil sau infraroşu.
Polarizarea, caracteristicile anodice şi caracteristica spectrală sunt
reprezentate în figura 1.14 (a,b,c).
Figura 1.14. Polarizarea fotodiodei (a), familia caracteristicilor curent-tensiune

(b), caracteristica spectrală (c)
7) Dioda electroluminiscentă – LED (Light Emitting Diode) se utilizează cu

polarizare directă A-C, figura 1.15-a. Aceasta emite un flux de radiaţii
luminoase pe seama energiei rezultate prin recombinarea purtătorilor de
sarcină. Culoarea radiaţiei depinde de natura semiconductorului şi de
impuritatea activatoare. Este utilizată în construcţia afişoarelor numerice, la
reclame etc. Din combinarea unui LED cu o fotodiodă rezultă un optocuplor
(cuplor optic), figurile 1.15-b şi 1.15-c. Optocuplorul este un dispozitiv
electronic care permite transferul unei comenzi de tip intrare-ieşire, realizând
şi o foarte bună separare galvanică.
Figura 1.15. LED în circuit (a), optocuplor realizat cu LED+fotodiodă (b), optocuplor realizat cu
LED+fototranzistor (c)
8) Dioda tunel – are joncţiunea p-n cu cele două zone foarte apropiate şi
puternic dopate cu impurităţi, astfel încât regiunea de trecere este foarte
îngustă, iar purtătorii majoritari traversează bariera de potenţial prin ”efectul
tunel” (efect cuantic). Caracteristica curent-tensiune este neliniară şi prezintă
în porţiunea MN rezistenţă internă negativă. Această proprietate permite
utilizarea diodei tunel în construcţia oscilatoarelor (vezi § 2.6). Frecvenţa de
lucru este cuprinsă între 0,5 şi 5 GHz, dioda Tunel fiind utilizată şi în circuite
de comutaţie. Simbolizarea şi caracteristica anodică sunt ilustrate în figura
1.16.
12 Capitolul 1
Figura 1.16. Simbolizarea diodei tunel şi caracteristica curent-tensiune
1.4 Tranzistoare
Tranzistorul este principalul dispozitiv electronic care are proprietatea de a

amplifica semnale electrice. Considerând un dispozitiv de amplificare (DA) comandat
prin semnalul de intrare xi, o rezistenţă de limitare a curentului de sarcină (R) şi sursa
de alimentare E, în figura 1.17 s-a reprezentat schema simplificată a unui
amplificator. În această schemă tranzistorul reprezintă dispozitivul de amplificare.
Figura 1.17. Dispozitiv de amplificare cu tranzistor
După modul în care se realizează conducţia electrică a semnalului prin DA,

tranzistoarele sunt de două tipuri:
1. Tranzistoare bipolare, la care conducţia electrică este asigurată atât de
electroni cât şi de goluri. În acest caz semnalul de intrare (xi) este un curent.
2. Tranzistoare unipolare, la care conducţia electrică este asigurată de o
singură categorie de purtători: fie numai electroni, fie numai goluri. La aceste
tranzistoare semnalul de intrare (xi) în DA este o tensiune.
1.4.1 Tranzistoare bipolare - structura fizică şi funcţionare
Acestea sunt dispozitive semiconductoare formate din trei zone şi două

joncţiuni. Structura unui tranzistor bipolar poate fi de tip pnp sau npn. Simbolizarea
acestora este dată în figura 1.18.
Cei trei electrozi se numesc: emitor, colector şi bază. Zona E este puternic
dopată cu impurităţi, zona B este slab dopată cu impurităţi şi este foarte îngustă (de
ordinul micronilor), iar zona C este mai puţin dopată decât zona E. La funcţionarea în
regim de amplificare joncţiunea E-B este polarizată direct, iar joncţiunea B-C este
polarizată invers.
Structura fizică a unui tranzistor bipolar de tip pnp este prezentată în figura
1.19.
Curentul de difuzie prin joncţiunea emitorului este format din purtătorii

majoritari care sunt golurile. Întrucât lăţimea bazei este foarte mică iar regiunea de
trecere a joncţiunii B-C se extinde mult în zona bazei (n), golurile din emitor difuzate
în bază (B) sunt preluate şi transportate în colector de câmpul electric intern Ei al
joncţiunii colectorului. Transferul aproape integral în colector a golurilor difuzate în
bază poartă numele de efect de tranzistor.
Figura 1.18. Structura şi simbolizarea tranzistorului bipolar (pnp şi npn)
Figura 1.19. Structura fizică şi polarizarea tranzistorului pnp
I
α n = E ≅ 0.995 - factor static de amplificare în curent (1.5)
IC
Un procent foarte mic de goluri se recombină cu electroni din bază formând
atomi neutri. Din schema structurală rezultă ecuaţia curenţilor prin tranzistor:
I C = α n I E + I CBo (1.6)
I B = (1 − α n )I E − I CBo (1.7)
IE = IC + IB (1.8)
unde: ICBo este curentul de purtători minoritari.
Observaţie: Curentul de purtători minoritari ICBo este foarte mic, rezultând I C ≈ I E .
În modul, tensiunea între colector şi bază este mult mai mare decât tensiunea dintre
emitor şi bază: U CB >> U EB .
Puterea la ieşire, (Pe), este mai mare decât puterea de intrare (Pi):
Pe = IC . UCB > Pi = UEB . IB (1.9)
Această inegalitate explică posibilitatea funcţionării tranzistorului în regim de
amplificare.
14 Capitolul 1
1.4.2 Scheme de conexiuni şi caracteristici statice
Întrucât în regim de amplificare tranzistorul este considerat un cuadripol

(simbolizat în figura 1.20), având 4 borne, iar tranzistorul având numai 3 terminale
(bază, colector, emitor), rezultă că un terminal al tranzistorului trebuie utilizat ca
bornă comună pentru intrare şi ieşire. De aceea sunt posibile trei scheme
fundamentale de conexiune ale tranzistorului în regim de amplificare. În oricare dintre
cele 3 scheme se are în vedere că joncţiunea E-B este polarizată direct, iar
joncţiunea C-B este polarizată invers.
Figura 1.20. Simbolizarea unui amplificator
a) Schema de conexiuni – bază comună (BC – figura 1.21).
Figura 1.21. Tranzistorul bipolar în conexiune bază comună
b) Schema de conexiuni – emitor comun (EC – figura 1.22) – este cea mai
utilizată, iar în continuare vor fi prezentate caracteristicile de intrare şi de ieşire
pentru această conexiune.
c) Schema de conexiuni – colector comun (CC – figura 1.23), se utilizează ca
amplificator de putere (etaj final).
Figura 1.22. Tranzistorul bipolar în Figura 1.23. Tranzistorul bipolar în

conexiune emitor comun conexiune colector comun
Caracteristici statice de intrare pentru conexiunea EC: (figura 1.24)
I B = f ( U BE ) .
U CE = ct
Figura 1.24. Caracteristici statice de intrare
Caracteristici statice de ieşire pentru conexiunea EC:
I C = f ( U CE ) .
I B = ct
Familiile caracteristicilor de ieşire sunt date în figura 1.25, în care se disting
principalele regiuni de lucru.
Regiunea 1 – zona de blocare (de tăiere) este caracterizată de polarizarea

inversă a joncţiunii E-B sau de lipsa polarizării acestei joncţiuni.
Regiunea 2 – regiunea activă normală este caracterizată de polarizarea

directă a joncţiunii E-B şi de polarizarea inversă a joncţiunii C-B.
I C = β n I B + (1 + β n )I Co (1.10)
αn
unde: β n = se numeşte factor static de amplificare în curent pentru
1 − αn
conexiunea emitor comun.
Figura 1.25. Familiile caracteristicilor de ieşire
Relaţia între factorul de amplificare βn şi factorul static de amplificare în curent

αn – pentru conexiunea bază comună este:
βn
αn = (1.11)
1 + βn
unde β n = [30 L 1000] .
16 Capitolul 1
În regiunea de tăiere curentul de bază fiind nul, din relaţia (1.10) rezultă:
I C ≅ (1 + β n )I Co (1.12)
unde ICo este curentul de purtători minoritari (curentul invers al joncţiunii BC).
Regiunea 3 – este numită şi zonă de saturaţie şi corespunde situaţiei când

ambele joncţiuni sunt polarizate direct. Caracteristicile au o ramură comună sub
formă de dreaptă cu înclinaţia de aproape 90o. Această dreaptă se numeşte ”dreaptă
de saturaţie”.
1.4.3 Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar
Considerând familia caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun

(EC), în figura 1.26 sunt ilustrate cele 3 limitări esenţiale în funcţionarea
tranzistorului: limita curentului de colector (ICmax), limita tensiunii de colector (UCEmax)
şi limita puterii disipate pe tranzistor (Pmax). Aceste trei valori reprezintă parametri de
catalog, ce nu trebuie depăşiţi în timpul funcţionării tranzistorului.
Relaţiile care trebuie respectate între valorile de lucru şi valorile limită ale celor
trei parametri sunt:
I C ≤ I C max
U CE ≤ U CE max (1.13)
Pd < Pmax = I C max .U CE max
Figura 1.26. Limitări în funcţionarea tranzistorului bipolar
1.4.4 Tranzistorul bipolar în circuit. Stabilirea PSF
Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare, figura 1.27, realizat cu un

tranzistor de tip npn. La proiectarea etajului de amplificare trebuie rezolvate două
probleme:
- determinarea punctului static de funcţionare (PSF);
- stabilizarea punctului static de funcţionare la variaţia temperaturii.
Figura 1.27. Etaj de amplificare cu tranzistor de tip npn
Se dau: EC, RB, RC şi familia caracteristicilor externe ale tranzistorului,

iC=f(UCE), prezentată în figura 1.28.
Se cere: PSF → M(UCEo, iCo)
Figura 1.28. Familia caracteristicilor externe ale tranzistorului
Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire (figura 1.27) se

obţine:
EC = RC ⋅ iC + UCE - ecuaţia dreptei de sarcină. (1.14)
Procedând similar pentru circuitul de intrare se obţine:
EC = RB ⋅ iB + UBE (1.15)
Neglijând UBE în raport cu EC ( UBE ≅ 0), din relaţia (1.15) se obţine:
EC
iBo ≅ (1.16)
RB
Punctul static de funcţionare, M(UCEo; iCo), se obţine la intersecţia caracteristicii
externe (aferentă curentului iBo) cu dreapta de sarcină, trasată prin tăieturile sale
EC
( IC = şi U CE = E C ). Panta (înclinarea) dreptei de sarcină se exprimă prin
RC
tg(α)=RC.
18 Capitolul 1
1.4.5 Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor externe.

Stabilizarea punctului static de funcţionare
Dacă temperatura creşte iCo creşte, ceea ce conduce la creşterea factorului de

amplificare βn, rezultând o creştere a curentului de colector care deplasează punctul
static de funcţionare M în M’ (figura 1.29). Un alt efect al creşterii temperaturii îl
reprezintă micşorarea tensiunii E-B (pentru IE=ct. sau IB=ct.) şi ca urmare modificarea
caracteristicilor de intrare, atât în conexiunea EC cât şi în conexiunea BC. De
asemenea, cresc factorii statici de amplificare în curent βn şi αn.
Dacă deplasarea PSF este mare, atunci funcţionarea etajului de amplificare
este defectuoasă. Pentru restabilirea funcţionării normale este necesară readucerea
PSF (M’) în poziţia iniţială (M), realizând astfel stabilizarea PSF la variaţia
temperaturii.
Figura 1.29. Modificarea PSF la variaţia temperaturii
Există mai multe metode de stabilizare, care utilizează diverse scheme, dar
cea mai utilizată este schema din figura 1.30 în care, cu ajutorul rezistenţei de emitor
(RE) se rezolvă problema stabilizării PSF.
Figura 1.30. Schemă utilizată pentru stabilizarea PSF-ului la variaţia temperaturii
Stabilizarea PSF se explică prin relaţiile:

U = UBE + RE . iE ⇒ UBE = U - RE . iE (1.17)
Dacă T ↑ ⇒ iC ↑ (punctul M se deplasează în M’), ceea ce conduce la
creşterea curentului de emitor (iE ≈ iC). Din (1.17) se observă că UBE scade ceea ce
conduce la micşorarea curentului de colector. Deci se compensează creşterea iniţială
a curentului iC iar punctul static de funcţionare este adus din poziţia M’ în poziţia
iniţială M.
Observaţii:
• Divizorul de tensiune format din rezistenţele RB1 şi RB2 permite impunerea
valorii curentului de bază în regim static (iBo). De regulă se adoptă curentul
prin RD la valoarea: iD≅10⋅iBo.
• Condensatorul din emitor, CE, în paralel cu rezistenţa de emitor, are rolul
de a scurtcircuita rezistenţa de emitor atunci când etajul funcţionează în
curent alternativ. La funcţionarea etajului în curent alternativ condensatorul
CE elimină reacţia negativă de tensiune dacă reactanţa condensatorului de
emitor este de cel puţin 10 ori mai mică decât RE: XE ≤ 0,1 ⋅ RE.
• În regim static de funcţionare căderea de tensiune pe rezistenţa din emitor
se poate calcula cu relaţia: RE.iE ≅ 0,2⋅EC.
1.4.5.1 Scheme de stabilizare a punctului static de funcţionare

utilizând elemente neliniare de compensare
Pentru stabilizarea punctului static de funcţionare se pot utiliza şi elemente de

compensare ce au caracteristici neliniare, cum sunt termistoarele şi diodele
semiconductoare. În figura 1.31 este prezentată o schemă de stabilizare utilizând un
termistor ca element de compensare. La creşterea temperaturii, rezistenţa
termistorului scade, iar curentul prin termistor creşte, astfel încât curentul iB, rezultat
din nodul A, scade corespunzător, acţionând în sensul compensării efectului de
creştere a curentului de colector cu temperatura.
Figura 1.31. Schema de stabilizare a punctului Figura 1.32. Schemă cu diodă de

static de funcţionare utilizând termistor compensare, pentru stabilizarea punctului static
de funcţionare
În figura 1.32 este dată o schemă de stabilizare termică utilizând o diodă ca

element de compensare. Dioda D fiind polarizată în sens de blocare, la creşterea
temperaturii va creşte curentul invers idi, având ca efect micşorarea curentului iB, deci
are loc compensarea efectului de creştere a curentului iC cu temperatura.
1.4.6 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar (funcţionarea etajului

de amplificare în regim dinamic)
Se consideră cel mai simplu etaj de amplificare utilizând un tranzistor bipolar

npn în conexiune emitor-comun (figura 1.33-a), pentru care diagramele curenţilor şi
tensiunilor, corespunzătoare punctului static de funcţionare M, sunt prezentate în
figura 1.33-b.
20 Capitolul 1
Datorită semnalului alternativ de la intrare, peste componentele continue (iB0,

iC0) ale curenţilor din tranzistor se suprapun componentele alternative.
Curenţii prin tranzistor vor fi:
i B = i Bo + i B ~
i C = i Co + i C ~ (1.18)
De asemenea, tensiunea colector-emitor are două componente:
U CE = U CEo + U CE ~ (1.19)
Condensatorul de cuplaj CC permite trecerea componentei alternative şi
blochează componenta continuă (dacă există) a semnalului de intrare. În timpul
funcţionării etajului de amplificare în curent alternativ, punctul static de funcţionare
(M) se deplasează pe dreapta de sarcină, corespunzător valorilor maxime ale
curentului iB~ .
În regim dinamic punctul static M se deplasează în ambele sensuri pe dreapta
de sarcină şi descrie caracteristica dinamică, adică segmentul AB, marcat cu linie
groasă. Deci caracteristica dinamică este locul geometric al punctelor statice de
funcţionare când la intrarea etajului se aplică semnalul alternativ. Deplasarea
alternativă a punctului static (M) pe dreapta statică de sarcină, între punctele A şi B
se face cu frecvenţa semnalului de intrare (iB~) şi are ca efect apariţia componentelor
alternative pentru curentul de colector (adică iC~) şi pentru tensiunea de la ieşire
(UCE~).
Tensiunea de la ieşirea etajului (UCE~) este în antifază faţă de curentul de
intrare alternativ (iB~). Curentul de la ieşire (iC~) este în fază cu cel de la intrare (iB~).
Dacă sarcina etajului nu este rezistivă, adică este inductivă sau capacitivă,
panta caracteristicii dinamice (panta segmentului A’B’ - tg β) este diferită faţă de
panta caracteristicii statice (tg α).
Construcţia grafică (reprezentată la scară) a caracteristicilor în regim dinamic
permite calculul grafo-analitic al parametrilor etajului de amplificare.
Parametrii principali ai unui etaj de amplificare sunt:
U2 U CE
Amplificarea în tensiune: A U = A = ≅ (val. efective) (1.20)
Ui U BE
I I
Amplificarea în curent: A I = 2 = C (val. eficace). (1.21)
I1 IB
Amplificarea în putere: AP = Pe/Pi; unde Pe = UCE ⋅ IC, iar Pi = UBE ⋅ IB (1.22)
Rezistenţele de intrare şi ieşire ale etajului de amplificare sunt:
U1 U
Ri = ; R E = 2 , unde: U1 = UBE, I1 = IB, U2 = UCE, I2 = IC (1.23)
I1 I2
Observaţie: Dacă tensiunea de intrare Ui este de înaltă frecvenţă sau dacă
sarcina nu este rezistivă parametrii etajului sunt mărimi complexe: Zi, ZC, AU, AI.
Proprietăţi calitative ale etajelor de amplificare în raport cu schema de
conexiune utilizată.
a) Conexiunea bază-comună (BC):
Ri - rezistenţa la intrare (zeci de Ω);
Re - rezistenţa la ieşire (sute de kΩ sau MΩ);
Ai ≤ 1; AU =zeci sau sute.
b) Conexiunea colector-comun (CC):
Ri - rezistenţa la intrare (zeci sau sute de kΩ);
Re - rezistenţa la ieşire (zeci sau sute de Ω);
Ai = zeci sau sute; AU ≤1.

c) Conexiunea emitor-comun (EC):
Ri - rezistenţa la intrare (kΩ);
Re - rezistenţa la ieşire (zeci kΩ);
Ai = zeci sau sute; AU= zeci sau sute.
Concluzii:
• Schema colector-comun este utilizată în circuitele de adaptare pentru că are
rezistenţa la ieşire mică sau, în construcţia amplificatoarelor de putere.
• Schema bază-comună (BC) creează dificultăţi la cuplarea etajelor în cascadă
(serie) datorită diferenţelor foarte mari între impedanţa (sau rezistenţa) de
intrare şi cea de ieşire.
• Pentru amplificatoarele de tensiune, schema cea mai utilizată este cea cu
emitorul-comun.
Figura 1.33. Regimul dinamic al tranzistorului bipolar
1.4.7 Tranzistoare unipolare
În cazul tranzistoarelor unipolare, conducţia este asigurată de o singură

categorie de purtători: fie electroni, fie goluri. Tranzistoarele unipolare se mai
numesc Tranzistoare cu Efect de Câmp (TEC). Se mai utilizează abrevierea FET,
care în limba engleză are aceeaşi semnificaţie: Field Effect Transistor.
Funcţionarea acestora se bazează pe modificarea conductanţei unei căi de
trecere a purtătorilor care produc curentul electric prin dispozitiv. Calea de trecere se
numeşte canal şi este situat între doi electrozi numiţi sursă (S) şi drenă (D). Canalul
poate fi realizat din purtători de sarcină negativi (electroni), fiind canal de tip n, sau
goluri (care au sarcină pozitivă), canalul fiind de tip p.
22 Capitolul 1
Figura 1.34. Simbolizarea tranzistoarelor unipolare
Conductanţa canalului se modifică sub influenţa câmpului electric produs de

tensiunea aplicată la al 3-lea electrod numit grilă (G) sau poartă (P). Din acest motiv
tranzistoarele unipolare se numesc cu efect de câmp.
Deoarece conductanţa canalului depinde de potenţialul grilei, TEC sunt
comandate în tensiune. Rezistenţa internă a acestor tranzistoare este foarte mare (
108 ... 1012 Ω). După modul în care se realizează controlul (reglajul) conductanţei
canalului există două categorii de tranzistoare unipolare:
1) TEC cu joncţiuni (TEC-J);
2) TEC cu grilă (poartă) izolată, având structură MOS (Metal Oxid
Semiconductor)- TEC-MOS.
1.4.7.1 TEC-J având canal de tip n. Structură fizică şi funcţionare
Tranzistoarele cu efect de câmp şi joncţiuni (TEC-J) pot avea canalul de tip n

sau p. În cele ce urmează se prezintă structura fizică a unui tranzistor TEC-J având
canal de tip n, figura 1.35-a.
Figura 1.35. TEC-J - structura fizică (a); distribuţia potenţialului (b)
Zonele haşurate reprezintă regiunile de trecere ale celor două joncţiuni. Zona
p a grilei formează cu zona n a canalului o joncţiune polarizată invers. Baza fiind
legată la grila negativată de către tensiunea UG, rezultă altă joncţiune p-n polarizată
invers. Deci canalul de tip n este situat între două joncţiuni polarizate invers.
Distribuţia spaţială a potenţialului la nivelul canalului este prezentată în figura
1.35-b.
În funcţionarea tranzistorului TEC-J se disting următoarele situaţii:
a) Dacă grila nu este polarizată (UG =0), regiunile de trecere au lăţime neglijabilă
(deci nu apar zonele haşurate) şi ca urmare secţiunea canalului este maximă,
respectiv curentul de drenă este maxim (ID=IDmax).
b) Când grila este negativată (UG<0), regiunile de trecere (reprezentate prin
zonele haşurate din figura 1.35-a) se extind în zona canalului micşorând
secţiunea acestuia, iar curentul de drenă care circulă între sursă (S) şi drenă
(D) se micşorează.
c) Dacă grila este puternic negativată (UG<<0) regiunile de trecere se unesc
anulând secţiunea canalului şi ca urmare se anulează curentul de drenă
(ID≅0).
Simbolizarea în circuite a tranzistoarelor TEC-J este prezentată în figura 1.36-
a şi b.
Figura 1.36. Simbolizarea tranzistorului TEC-J: a) canal n; b) canal p
Importanţă deosebită prezintă familia caracteristicilor de ieşire (figura 1.37) şi

de intrare (figura 1.38).
Familia caracteristicilor de ieşire prezintă două zone: I- zona de amplificare; II
– zona de saturaţie. În zona de amplificare curentul de drenă este reglat prin
modificarea tensiunii de grilă.
Figura 1.37. Familia caracteristicilor de ieşire
În familia caracteristicilor de intrare se observă că tensiunea de prag (Up)

reprezintă valoarea tensiunii de grilă la care se anulează curentul de drenă (ID),
indiferent de tensiunea aplicată pe drenă.
Figura 1.38. Familia caracteristicilor de intrare

24 Capitolul 1
1.4.7.2 Construcţia etajului de amplificare cu TEC-J
Funcţionarea unui etaj de amplificare, realizat cu tranzistori TEC-J (canal n),

este posibilă dacă tranzistorul este polarizat corect, adică atunci când grila (G) este
negativă în raport cu sursa (S), iar pe drenă (D) se aplică o tensiune pozitivă. Aceste
condiţii impuse etajului de amplificare pot fi îndeplinite, dacă se utilizează una dintre
schemele prezentate în figura 1.39-a şi b. În figura 1.39-a etajul de amplificare
utilizează o sursă separată (Eg) pentru negativarea grilei. Rezistenţa Rg se adoptă de
ordinul megohmilor (MΩ) şi are rolul de a transmite pe grilă potenţialul negativ al
sursei (bateriei) Eg.
În acelaşi timp, valoarea mare a rezistenţei Rg asigură o rezistenţă
(impedanţă) de intrare ridicată pentru etajul de amplificare.
Figura 1.39. Etaj de amplificare cu TEC-J:

a) cu sursă separată pentru negativarea grilei; b) cu negativare automată a grilei.
În schema din figura 1.39-a tensiunea de negativare a grilei este: UG0 = −Eg.
Curentul de drenă (curentul de sarcină al etajului) este limitat prin rezistenţa de drenă
(RD). Condensatoarele CC1 şi CC2 sunt condensatoare de cuplaj la intrare şi respectiv
la ieşirea etajului, acestea având rolul de blocare a componentei continue din
semnalul de intrare şi/sau ieşire.
Schema din figura 1.39-b realizează negativarea automată a grilei în raport cu sursa,
utilizând o singură sursă de alimentare (sursa de drenă ED). Căderea de tensiune pe
rezistenţa sursei (RS), dată de componenta continuă a curentului de drenă ID0 = IS0,
se aplică între sursă şi grilă (prin rezistenţa Rg), cu semnul plus (+) la sursă şi minus
(−) la grilă. Rezultă tensiunea de negativare a grilei, dată de relaţia:
UG0 = − RS ⋅ ID0 (1.24)
Condensatorul CS decuplează (scurtcircuitează) rezistenţa RS la funcţionarea

etajului în curent alternativ, întrucât reactanţa X C a acestuia este neglijabilă la
S
frecvenţa de lucru a etajului.
Observaţie: În proiectarea etajului de amplificare cu TEC-J trebuie îndeplinite
două condiţii esenţiale:
• Căderea de tensiune pe condensatorul de cuplaj CC1 de la intrarea etajului să
nu fie mai mare de un procent (0.01) din valoarea nominală a semnalului de
intrare. Rezultă că între rezistenţa Rg şi reactanţa X C trebuie să existe
C1
relaţia:
Rg
X C C1 ≤ (1.25)
100
• Condensatorul CS conectat în paralel cu RS trebuie să şunteze rezistenţa RS la

funcţionarea etajului în curent alternativ, astfel încât să se elimine reacţia
negativă de tensiune. Această condiţie este îndeplinită dacă între rezistenţa
sursei RS şi reactanţa X C există relaţia:
S
RS
X CS ≤ (1.26)
10
1.4.7.3 Funcţionarea etajului de amplificare cu TEC-J în regim

dinamic
Considerând etajul de amplificare din figura 1.39-a şi aplicând teorema a II-a a

lui Kirchhoff pe circuitul de ieşire rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină:
ED = RD ⋅ ID + UDS (1.27)
Presupunând dată familia caracteristicilor de ieşire I D = f ( U DS ) U = ct.
G
pentru tranzistorul TEC-J utilizat în etajul de amplificare (figura 1.39-a), se trasează
dreapta statică de sarcină în planul caracteristicilor de ieşire (figura 1.40), utilizând
punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină cu axele de coordonate:
ED
ID = ; U DS = E D (1.28)
RD
Punctul static de funcţionare (M) se obţine la intersecţia caracteristicii de
ieşire, pentru UG0= −Eg , cu dreapta statică de sarcină.
Proiecţiile duse din punctul static (M) pe axele ID şi UDS determină
coordonatele ID0 şi UDS0 ale punctului M.
Panta dreptei statice de sarcină, exprimată prin tg(α), depinde numai de
valoarea rezistenţei de drenă RD: tg(α)=RD.
Dacă la intrarea etajului se aplică un semnal alternativ (u~), atunci
componenta alternativă a tensiunii de grilă (UG ~) determină deplasarea rectilinie
alternativă, cu frecvenţa semnalului UG ~ , a punctului static M pe dreapta de sarcină
între punctele A şi B. Astfel segmentul AB, figurat cu linie groasă, reprezintă
caracteristica dinamică a tranzistorului TEC-J.
Panta caracteristicii dinamice (tg β) va fi diferită de panta dreptei statice (tg α)
dacă la ieşirea etajului se conectează, prin CC2, o rezistenţă de sarcină RS (sau o
impedanţă ZS). În acest caz panta caracteristicii dinamice va fi:
tg β = f (RD + RS) sau tg β = g (RD + ZS) (1.29)
Din figura 1.40 se observă că la funcţionarea etajului în regim dinamic apar
componentele alternative ale curenţilor şi tensiunilor prin tranzistor care se suprapun
peste componentele continue ale acestora. Astfel, expresiile curenţilor şi tensiunilor
în regim dinamic sunt:
UG = UG0+ UG ~
UDS = UDS0+ UDS ~ (1.30)
ID = ID0+ ID ~
26 Capitolul 1
Observaţii:
• Curentul de la ieşirea etajului (ID~) este în fază cu semnalul alternativ de la
intrare (UG ~).
• Tensiunea de ieşire (UDS ~) este în antifază cu semnalul de intrare (UG~).
Figura 1.40. Diagramele tensiunilor şi curenţilor la funcţionarea etajului în regim dinamic
1.4.7.4 Tranzistorul TEC-MOS având canal permanent (de tip n)
Structura MOS este prezentată în figura 1.41. La suprafaţa semiconductorului

de tip n se depune prin difuzie un strat de oxizi cu o grosime de (10-5 ...10-6) mm.
Metalul depus pe oxid joacă rol de grilă, deoarece modifică prin potenţialul său
proprietăţile semiconductorului la suprafaţa dinspre oxid, deci modifică
conductivitatea canalului, ceea ce conduce la modificarea curentului de sarcină prin
tranzistor.
Structura MOS poate avea două tipuri de canale:
a) canal de tip n (electroni);
b) canal de tip p (goluri).
În cazul tranzistoarelor TEC-MOS având canal permanent, la care grila este
izolată de canal prin stratul de oxid, rezistenţa de intrare rezultă foarte mare: Ri≅1014
Ω. Structura fizică este prezentată în figura 1.42-a iar familia caracteristicilor statice
de ieşire şi intrare este dată în figura 1.42-b.
Dacă grila este la potenţial pozitiv, atunci regimul de funcţionare este un regim
de îmbogăţire (în purtători), iar curentul de drenă creşte. În figura 1.42-b sunt
reprezentate caracteristicile de ieşire şi intrare:
i D = f ( U D ) U G = ct
i D = g( U G ) U D = ct (1.31)
Valoarea tensiunii de grilă pentru care curentul de drenă se anulează (iD=0)
poartă numele de tensiune de prag (Up). În figura 1.42-b sunt marcate regiunile I şi II,
reprezentând: I-regiunea de amplificare; II – regiunea de saturaţie.
Observaţii: Dacă se cere o rezistenţă de intrare (Ri) cât mai mare a etajului
de amplificare, PSF se alege pe dreapta de sarcină în zona de îmbogăţire (grilă
pozitivă). Pentru Ri mică, se alege PSF în regiunea de sărăcire (grilă negativă).
Figura 1.41. Structura tranzistorului MOS
Figura 1.42. Structura fizică (a); familia caracteristicilor statice de ieşire şi intrare (b)
1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-

MOS având canal de tip n.
În figura 1.43 este prezentată schema unui etaj de amplificare la care

tranzistorul de tip TEC-MOS (canal n), este alimentat de la o singură sursă (+ED),
considerând că în PSF tensiunea de grilă este negativă (UGo<0). Grupul RS - CS
asigură negativarea automată a grilei în raport cu sursa de alimentare, la fel ca în
cazul TEC-J. Rezistenţa de grilă (RG) se adoptă suficient de mare (de ordinul MΩ)
astfel încât să asigure o impedanţă mare la intrarea etajului de amplificare.
Dacă din schema etajului de amplificare (figura 1.43) se elimină elementele
RS, CS şi RG, atunci se obţine un etaj de amplificare ce asigură o impedanţă de
intrare (Zi) foarte mare (≈1012 Ω). Astfel de amplificatoare cu impedanţe de intrare
foarte mari sunt necesare în construcţia adaptoarelor traductoarelor de pH, a
28 Capitolul 1
traductoarelor piezoelectrice etc. Regimul dinamic al tranzistorului TEC-MOS este

asemănător celui prezentat la tranzistorul TEC-J (§ 1.4.7.3)
Figura 1.43. Etaj de amplificare cu TEC-MOS având canal n
1.5 Dispozitive semiconductoare speciale
În electronica aplicată se utilizează frecvent dispozitivele semiconductoare

speciale. Structura fizică a acestor dispozitive conţine mai multe straturi în
succesiune pnpn, deci mai multe joncţiuni. Din acest motiv aceste dispozitive
semiconductoare se mai numesc şi multijoncţiune. Cele mai utilizate dispozitive
multijoncţiune sunt: dioda pnpn (numită diodă Shockley sau dinistor), tiristorul,
triacul, diacul.
Un dispozitiv semiconductor special care are o singură joncţiune şi trei
electrozi (terminale) este Tranzistorul Uni-Joncţiune (TUJ).
În cele ce urmează se va prezenta structura, caracteristicile şi funcţionarea
următoarelor dispozitive semiconductoare:
1.5.1 Tiristorul
Tiristorul este principalul dispozitiv semiconductor utilizat în electronica de

putere. El este format din 4 zone şi 3 joncţiuni, structura acestuia şi simbolizarea fiind
prezentate în figura 1.47. Cei trei electrozi (terminale) se numesc: anod (A), catod
(C) şi poartă sau grilă (P sau G).
Figura 1.47. Structura fizică şi simbolizarea tiristorului

Tiristorul este echivalent cu două tranzistoare bipolare complementare (pnp şi

npn), conectate ca în figura 1.48.
Figura 1.48. Schema echivalentă a unui tiristor
Funcţionarea tiristorului cuprinde două etape:

a) amorsarea (intrarea în conducţie sau aprinderea). Pentru amorsare se aplică
tensiune pozitivă la anod şi negativă la catod, după care este necesar un curent
de grilă pozitiv care se aplică sub formă de impuls. Din figura 1.48 se observă că:
i B 2 = i C1 + i G . La început ambele tranzistoare sunt blocate, iar i B 2 este dat
numai de curentul de grilă care trebuie să fie suficient de mare. În continuare se
deschide puţin T2, ceea ce duce la creşterea lui i C = i B , adică i B creşte şi
2 1 1
deschide T1 rezultând creşterea curentului de colector al tranzistorului T1. Acest
lucru conduce la creşterea lui i B , fenomenul de conducţie (creştere a curenţilor
2
prin tranzistoare) accelerându-se până când ambele tranzistoare intră în
saturaţie. Curentul prin tiristor (care circulă de la anod la catod) trebuie limitat
printr-o rezistenţă de sarcină, astfel încât acesta să nu depăşească valoarea
nominală (care este un parametru de catalog).
b) blocarea tiristorului are loc atunci când curentul prin tiristor se micşorează,
adică ia scade sub valoarea curentului de menţinere iam (parametru de catalog),
figura 1.49.
Pentru un tiristor prezintă importanţă caracteristica anodică, ia=f(Ua), ilustrată
în figura 1.49.
Figura 1.49. Caracteristica anodică a tiristorului

30 Capitolul 1
În planul caracteristicilor anodice, figura 1.49, se disting 3 zone

corespunzătoare regimurilor de funcţionare ale tiristorului:
• zona I – corespunzătoare regimului de blocare (curentul creşte foarte puţin,
fiind neglijabil);
• zona II – corespunzătoare regimului de tranziţie din starea blocat în starea de
conducţie (când tensiunea scade pronunţat, iar curentul anodic are o creştere
mică). În regimul de tranziţie rezistenţa internă a tiristorului este negativă:
ΔU a
R Ti = − < 0; (1.32)
Δi a
• zona III – corespunde regimului de conducţie (curentul creşte brusc după o
caracteristică aproape verticală, iar căderea de tensiune între anod şi catod
rămâne aproximativ constantă).
Caracteristica de comandă (caracteristica de grilă) reprezintă dependenţa
tensiunii de amorsare în raport cu valoarea curentului de grilă (figura 1.50). Această
caracteristică separă zona de blocare faţă de zona de conducţie şi explică faptul că
pentru tensiuni de amorsare mari, valorile curenţilor de grilă necesari amorsării sunt
mai mici şi invers (fenomen ilustrat şi în figura 1.49).
Figura 1.50. Caracteristica de comandă a tiristorului
Principalii parametri de catalog ai tiristorului sunt:

• curentul nominal (curentul direct) al tiristorului IN ≤ 1000A;
• tensiunea inversă Uinv = sute (mii) volţi (tensiunea anodică inversă);
• temperatura maximă a joncţiunii Tj max ≤ 140 oC.
Observaţii:
• Dacă între tensiunile de amorsare Uam1 şi Uam2 există inegalitatea (Uam1<Uam2),
atunci între curenţii de grilă corespunzători există inegalitatea inversă:
i G1 > i G 2 .
• Pentru protecţia tiristorului la curenţi de scurtcircuit se utilizează o siguranţă
fuzibilă specială (ultrarapidă, e, figura 1.51), iar pentru protecţia acestuia
împotriva gradienţilor de tensiune inversă se utilizează un circuit Rp-Cp serie
conectat în paralel cu tiristorul (figura 1.51). Grupul Rp-Cp asigură atenuarea
gradienţilor de tensiune inversă (periculoşi pentru joncţiunile tiristorului) ce
apar în momentul blocării acestuia.
• Pentru limitarea vitezei de creştere a curentului la o valoare sub viteza critică
(parametru de catalog), se înseriază cu tiristorul o bobină de inductivitate L
(calculată ca şi grupul Rp-Cp după o metodologie utilizată de exemplu, în [1]).
• După intrarea în conducţie a tiristorului, curentul de sarcină (curentul anodic)

este limitat numai de rezistenţa şi/sau inductivitatea de sarcină (RS, LS).
Figura 1.51. Tiristorul în circuit
• Amplitudinea impulsului de comandă pe grilă (iG) reprezintă un parametru de

catalog a cărui valoare nu trebuie depăşită. Pentru amorsarea tiristorului este
necesar ca durata impulsului de comandă (iG) să fie suficient de mare, astfel
încât curentul prin tiristor (ia – figura 1.49) să depăşească valoarea curentului
de menţinere iam.
• Tiristorul reprezintă un întrerupător static în curent continuu şi este utilizat în
construcţia variatoarelor de tensiune continuă monofazate sau polifazate.
Acest domeniu de aplicaţie aparţine electronicii de putere, care este o
ramură distinctă a electronicii industriale.
1.5.2 Triacul
Triacul este un dispozitiv semiconductor cu o structură complexă. Făcând

abstracţie de structura fizică, se poate considera că triacul este echivalent cu două
tiristoare în conexiune antiparalelă comandate printr-o grilă comună (figura 1.52-a).
Conectarea triacului în circuit este prezentată în figura 1.52-b. Elementele de
protecţie necesare triacului sunt aceleaşi ca în cazul tiristorului.
Întrucât triacul are conducţie bidirecţională, caracteristica anodică, ia=f(ua),
este formată din două ramuri situate în cadranele I şi III (figura 1.53).
La funcţionarea triacului într-un circuit de sarcină se disting două situaţii:
a) Dacă anodul A2 este pozitiv faţă de anodul A1, intrarea în conducţie se face
pentru curenţi de grilă pozitivi (iG>0), iar funcţionarea corespunde cadranului I.
b) Dacă anodul A2 este negativ faţă de anodul A1, trecerea în starea de
conducţie are loc pentru curenţi de grilă negativi (iG<0), iar funcţionarea
corespunde cadranului III.
Triacul reprezintă un întrerupător static în curent alternativ şi este utilizat
pentru reglarea tensiunii alternative (în structura variatoarelor de tensiune alternativă)
la bornele receptoarelor mono sau trifazate.
Principalii parametrii de catalog, ce trebuie luaţi în considerare la alegerea
unui triac, sunt următorii:
• curentul nominal, IN≤ 75A;
• tensiunea maximă inversă, Uinv-max≤ 1200V;
• temperatura maximă a joncţiunii, Tj-max≤ 140 oC.
Observaţie: Valorile absolute ale curenţilor de grilă |iG1| şi |iG2| necesari
amorsării triacului depind de valorile efective ale tensiunilor de amorsare ale triacului
(Uam1 şi Uam2). Asemănător fenomenelor întâlnite la tiristor, dacă tensiunile de
32 Capitolul 1
amorsare aplicate triacului sunt mai mari, curenţii de grilă necesari intrării în
conducţie vor fi mai mici şi invers.
(a) (b)
Figura 1.52. Simbolizarea triacului (a); triacul în circuit (b)
Figura 1.53. Caracteristicile anodice ale triacului
1.5.3 Tranzistorul unijoncţiune (TUJ)
Acest dispozitiv semiconductor se mai numeşte şi diodă cu două baze.

Structura fizică şi simbolizarea sunt prezentate în figura 1.54.
Figura 1.54. Structura fizică şi simbolizarea tranzistorului unijoncţiune
La acest tranzistor zona n este slab dopată cu impurităţi, iar rezistenţa RBB
între bazele B1 şi B2 este relativ mare (de ordinul kΩ). Joncţiunea p-n este realizată
în zona mediană a blocului semiconductor de tip n. Zona p a emitorului este puternic
dopată cu impurităţi. La aplicarea unei tensiuni uBB>0 între cele două baze potenţialul
punctului M situat pe joncţiune va fi egal cu η⋅uBB, unde η se numeşte raport intrinsec
(coeficient subunitar) exprimat prin relaţia:
rB1
η= (1.33)
rB1 + rB 2
în care rB1 şi rB2 sunt rezistenţele barei de semiconductor, între punctul din dreptul
joncţiunii emitorului şi cele două baze. De regulă η=0,5 ··· 0,8.
Intrarea în conducţie a tranzistorului unijoncţiune are loc dacă sunt îndeplinite
condiţiile:
a) uBB > 0, (semnul plus la borna B2);
b) uEB1 > η·uBB.
Când aceste condiţii sunt îndeplinite joncţiunea p-n este polarizată direct,
curentul de emitor (iE) creşte lent pe durata regimului tranzitoriu, iar uEB1 scade până
la valoarea de 0,8 ... 1 V (punctul A din figura 1.55). Pe durata regimului tranzitoriu
(porţiunea OA din caracteristici) rezistenţa internă a TUJ este negativă. După
terminarea regimului tranzitoriu curentul de emitor creşte brusc (pe ramura AB
comună caracteristicilor), fiind limitat numai de valoarea rezistenţei de sarcină.
Figura 1.55. Familia caracteristicilor curent-tensiune
Datorită formei de variaţie a curentului de emitor (în regim de conducţie),

tranzistorul unijoncţiune este utilizat ca formator de impulsuri în circuitele de
comandă ale tiristoarelor sau triacurilor.
1.6 Întrebări şi problemă
1. Care este legea de variaţie a purtătorilor de sarcină în cazul semiconductoarelor

omogene? Precizaţi semnificaţia parametrilor din expresia analitică !
2. Care sunt proprietăţile regiunii de trecere a unei joncţiuni pn?
3. Care sunt parametrii de catalog şi semnificaţia acestora, în cazul Termistorului şi

Fotodiodei ?
34 Capitolul 1
4. Care sunt relaţiile analitice ce justifică proprietatea de amplificare a tranzistorului

bipolar ?
5. Cum (în câte moduri) se poate măsura o tensiune alternativă cu parametrii: Uef =
80V; f = 20 KHz ?
6. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI

=4 KΩ; Re = 40 KΩ ?
7. Ce reprezintă caracteristica dinamică în cazul tranzistorului bipolar şi de cine

depinde panta acesteia ?
8. Prin ce parametru (variabil) se poate modifica secţiunea canalului (de tip n) în

cazul TEC-J ?
9. Ce modalităţi (variante) există pentru negativarea grilei – în cazul TEC-J, canal de

tip “n” (permanent) ?
10. Care element (componentă) din schema etajului de amplificare – asigură

stabilizarea PSF la variaţia temperaturii mediului ?
Problemă
Considerând schema unui etaj de amplificare, cu TEC-J (prezentată mai jos),
în care se cunoaşte:
U DS0 = 10 [ V ] ; I DS0 = 8m [ A ] ; U G0 = −5 [ V ] ; f min = 200 [ Hz ] ;
Se cere să se calculeze valorile elementelor:

R S ; R D ; C1 ; C2 = CS .
CAPITOLUL 2
AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE
2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale

amplificatoarelor
Un amplificator este simbolizat, ca în figura 2.1, printr-un cuadripol activ care

are două perechi de borne. Sarcina sa poate fi rezistivă sau poate fi o impedanţă.
Amplificarea semnalului de la intrare se face utilizând energie preluată de la sursa de
alimentare (Uo), care de regulă nu se simbolizează în schemele bloc.
Figura 2.1. Schema de principiu a unui amplificator
Bornele de intrare (1 – 1’) reprezintă poarta de intrare, caracterizată de

tensiunea şi curentul de intrare, U1, respectiv I1. Bornele de ieşire (2 – 2’) reprezintă
poarta de ieşire, caracterizată de tensiunea U2 şi respectiv curentul I2.
Un amplificator are rolul de dezvolta în circuitul de ieşire o putere mai mare
decât cea aplicată la intrare, în condiţia ca semnalul de la ieşire să păstreze forma
semnalului aplicat la intrare.
2.1.1 Parametrii principali ai amplificatoarelor
Dacă notăm cu P1 puterea în circuitul de intrare şi cu P2 puterea obţinută la

ieşire, se pot defini următorii parametri:
P2
• Amplificarea de putere Ap: A p = >1 (2.1)
P1
36 Capitolul 2
U2
• Amplificarea în tensiune Au: A u ≡ A = (2.2)
U1
Frecvent se utilizează unitatea logaritmică pentru amplificare, numită decibel
[dB]. Amplificarea în decibeli se calculează utilizând relaţia:
U2
A[dB] = 20 ⋅ log A = 20 ⋅ log [dB] (A > 0) (2.3)
U1
Exemple: - dacă A = 1 → AdB = 0;
- dacă A = 10n → AdB = 20⋅n.
• Puterea nominală este puterea maximă debitată în sarcină în condiţiile când
factorul de distorsiuni, ce caracterizează deformarea unui semnal sinusoidal, nu
depăşeşte o limită impusă (de exemplu 5%).
I2
• Amplificarea în curent se defineşte prin relaţia: A i = (2.4)
I1
Considerând reprezentările în complex ale mărimilor intrare-ieşire, se pot
defini amplificările în tensiune şi curent prin relaţiile:
U2 I
A= ; Ai = 2 (2.5)
U1 I1
• Impedanţa de intrare este impedanţa echivalentă la bornele de intrare atunci
când la bornele de ieşire este conectată impedanţa de sarcină nominală (ZSN).
Aceasta se defineşte prin relaţia:
U1
Zi = (2.6)
I1
Valoarea impedanţei de intrare trebuie să fie de ordinul meghomilor [MΩ],
atunci când amplificatoarele se utilizează în aparatura de măsurare (voltmetre
electronice, osciloscoape etc). Când amplificatoarele intră în componenţa
traductoarelor piezoelectrice, piezorezistive sau de pH, impedanţa de intrare (Zi)
trebuie să fie foarte mare: Zi∈[108...1012] Ω. În aceste cazuri primul etaj al
amplificatorului se realizează cu tranzistoare MOS.
• Impedanţa de ieşire, Ze, trebuie să fie mică (zeci de Ω) pentru ca la ieşire să se
poată debita un curent (o putere) cât mai mare în impedanţa de sarcină nominală
(ZSN).
• Raportul semnal util/zgomot propriu este parametrul ce caracteri-zează efectul
tensiunii fluctuante la ieşirea amplificatorului – care există şi atunci când nu se
aplică semnal la intrare. Zgomotul propriu al amplificatorului se poate datora:
- agitaţiei termice a purtătorilor de sarcini elementare prin rezistoare şi
tranzistoare;
- tensiunilor electromotoare parazite induse datorită câmpurilor
electromagnetice din mediul înconjurător;
- componentei alternative din tensiunea de alimentare a amplificatorului (când
filtrarea acestei tensiuni este necorespunzătoare).
Un amplificator performant trebuie să aibă raportul dintre semnalul util şi
zgomot cât mai mare.
Amplificatoare şi oscilatoare 37
2.1.2 Caracteristici importante ale amplificatoarelor
Caracteristica externă reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire în raport cu

tensiunea de intrare, ( U 2 = f ( U1 ) ), fiind dată în figura 2.2.
Figura 2.2. Caracteristica externă a amplificatorului
În figură se disting două zone: zona OA (zona I) corespunzătoare regiunii

liniare a caracteristicii, în care este valabilă relaţia A[dB]=20⋅logA şi zona AB (zona II)
corespunzătoare regiunii neliniare de saturaţie. Dacă Ui>Uimax atunci semnalul de
ieşire este distorsionat (deformat). Distorsiunile de acest tip se numesc distorsiuni
de neliniaritate. Se defineşte factorul distorsiunilor de neliniaritate d[%] exprimat prin
relaţia:
2 2 2
A 2 + A 3 + A 4 + ...
d[%] = ⋅ 100 (2.7)
A1
unde: A1 – este amplitudinea armonicii fundamentale a semnalului de ieşire u2(t) –
distorsionat, când la intrare se aplică un semnal perfect sinusoidal; A2, A3, A4 ... -
reprezintă amplitudinile armonicilor de ordin superior ale semnalului u2(t).
Pentru a explica apariţia distorsiunilor de neliniaritate şi efectul poziţiei
punctului static de funcţionare (PSF) al tranzistorului asupra lărgimii zonei de
liniaritate în caracteristica intrare-ieşire, se consideră un etaj de amplificare cu
tranzistor bipolar la intrarea căruia se aplică un semnal sinusoidal. În figura 2.3 sunt
prezentate caracteristicile de ieşire ale tranzistorului împreună cu dreapta de sarcină
(AB), unde punctul A este situat în zona de saturaţie, iar punctul B – în zona de
tăiere. Dacă PSF se alege în zona mediană a caracteristicii statice ( soluţia corectă
– figura 2.3-a) semnalul de ieşire (ue2) va fi distorsionat atunci când amplitudinea
semnalului de intrare (ui 2) depăşeşte valoarea maximă (ui max) delimitată de curbele
c1 şi c2.
(a) (b)
Figura 2.3. a) Distorsiuni datorate de amplitudinii prea mari a semnalului de intrare; b) Distorsiuni
datorate alegerii greşite a poziţiei PSF
38 Capitolul 2
Dacă PSF este greşit ales spre punctul A, figura 2.3-b, semnalul de ieşire (ue)
va fi distorsionat numai pentru semialternanţa pozitivă deoarece numai prima
semialternanţă din semnalul de intrare (ui) depăşeşte valoarea maximă, delimitată
prin caracteristica c1.
Caracteristica de frecvenţă este prezentată în figura 2.4 şi exprimă dependenţa
modulului amplificării în raport cu frecvenţa (f):
A[dB] = g(f) (2.8)
Figura 2.4. Caracteristica de frecvenţă
În aplicaţiile practice interesează domeniul de frecvenţă în care amplificarea

este aproximativ constantă. Acest domeniu se numeşte banda de trecere a
amplificatorului (Bt) şi reprezintă domeniul cuprins între frecvenţa joasă de tăiere (ftj)
şi frecvenţa de tăiere înaltă (ftî) pentru care amplificarea A[dB] nu se micşorează cu
mai mult de 3dB. Micşorarea cu 3dB a amplificării, la extremităţile benzii de trecere,
1
este echivalentă cu scăderea amplificării A la valoarea ⋅ A 0 = 0.707 ⋅ A 0 ,
2
unde A0 este amplificarea medie în banda de trecere Bt.
Semnalul de intrare în amplificator este rezultatul însumării unor armonici de
diferite amplitudini şi frecvenţe. Ansamblul acestor armonici formează spectrul
semnalului de intrare. Pentru amplificarea fără distorsiuni a semnalului de intrare
este necesar ca toate armonicele din spectrul acestuia să fie amplificate în aceeaşi
măsură. Această condiţie este îndeplinită atunci când spectrul semnalului aplicat la
intrare este cuprins în banda de trecere a amplificatorului.
Dacă spectrul semnalului de intrare nu este inclus în totalitate în banda de
trecere a amplificatorului, vor rezulta distorsiuni de frecvenţă numite şi distorsiuni
de liniaritate (când amplificatorul funcţionează în regiunea liniară a caracteristicii
intrare-ieşire).
Observaţii:
• La proiectarea amplificatorului banda de trecere a acestuia nu trebuie să fie
mai îngustă decât spectrul semnalului util (de intrare), pentru a nu avea
distorsiuni de frecvenţă, dar nici mult mai largă decât acest spectru pentru a
nu micşora raportul semnal util/zgomot.
• În afara caracteristicii de frecvenţă, un amplificator este caracterizat prin
dependenţa defazajului ϕ, introdus de amplificator, în funcţie de frecvenţa f
(datorită elementelor reactive din circuitul acestora). Această dependenţă se
numeşte caracteristică de fază: ϕ = g’(f), unde ϕ este defazajul introdus de
amplificator, iar f este frecvenţa semnalului de intrare. Caracteristica de fază
este importantă la amplificatoarele utilizate în: osciloscoape, televiziune,
transmisii de date etc. Detalii privind caracteristica de fază a amplificatoarelor
sunt date în [3].
2.1.3 Tipuri de amplificatoare
Amplificatoarele sunt de mai multe tipuri şi se pot clasifica după următoarele

criterii:
a) După tipul semnalului de amplificat:
• amplificatoare de curent continuu – destinate amplificării semnalelor
lent variabile, ale căror spectre conţin şi componenta continuă
(armonica de frecvenţă nulă). Caracteristică de frecvenţă a acestui tip
de amplificator este prezentată în figura 2.5;
• amplificatoare de curent alternativ, care amplifică semnale fără
componentă continuă şi au caracteristica de frecvenţă de tipul celei din
figura 2.4.
Figura 2.5. Caracteristica de frecvenţă a unui amplificator

pentru semnale lent variabile
b) După nivelul semnalului amplificat:

• amplificatoare de semnal mic, la care variaţiile de tensiune şi de
curent, corespunzătoare semnalului de intrare, sunt mici în comparaţie
cu valorile tensiunilor şi curenţilor de la ieşire. Aceste amplificatoare se
numesc de tensiune, deoarece se urmăreşte, în mod deosebit,
obţinerea unei amplificări în tensiune.
• amplificatoare de semnal mare, unde variaţiile de curent şi tensiune,
corespunzătoare semnalului de intrare, sunt relativ mari. La aceste
amplificatoare se urmăreşte, în mod deosebit, obţinerea unei anumite
puteri pe sarcină. Aceste amplificatoare se numesc amplificatoare de
putere.
c) După valoarea frecvenţei medii din spectrul semnalului amplificat:
• amplificatoare de joasă frecvenţă, când frecvenţa medie este mai
mică de 1MHz. În această categorie sunt incluse şi amplificatoarele de
audiofrecvenţă.
• amplificatoare de înaltă frecvenţă, când frecvenţa medie este de
ordinul MHz sau GHz.
d) După lărgimea benzii de trecere:
• amplificatoare de bandă îngustă, numite şi selective, caracterizate
prin factorul de calitate Q, definit prin relaţia Q=f0/(ftî - ftj), unde f0 este
frecvenţa centrală a benzii de trecere. Valoarea curentă a factorului de
calitate este cuprinsă în domeniul [10... 60].
• amplificatoare de bandă largă, la care raportul dintre frecvenţa înaltă
de tăiere şi frecvenţa joasă de tăiere (ftî/ftj), este de ordinul 105...106. În
categoria acestor amplificatoare sunt incluse amplificatoarele de
videofrecvenţă.
e) După poziţia punctului static de funcţionare (PSF), ilustrat în figura 2.6,
amplificatoarele pot fi:
40 Capitolul 2
• amplificatoare în clasă A (PSF se află în regiunea mediană a dreptei de

sarcină, punctul M);
• amplificatoare în clasă B (PSF se află în punctul de tăiere, punctul M1);
• amplificatoare în clasă A-B (PSF se află aproape de punctul de tăiere,
punctul M2).
Observaţie: Există şi amplificatoare în clasă C, la care PSF se alege în
profunzimea regiunii de blocare, aceste amplificatoare fiind utilizate în construcţia
triploarelor de frecvenţă şi în tehnica semnalelor modulate în frecvenţă.
Figura 2.6. Poziţia PSF pentru diferite tipuri de amplificatoare
2.2 Amplificatoare de curent alternativ
Un exemplu tipic al acestor amplificatoare îl reprezintă amplificatorul de

audiofrecvenţă. Banda de trecere (Bt) a acestor amplificatoare este cuprinsă în
domeniul 20Hz...20 kHz. Amplificatoarele de curent alternativ, figura 2.7, au în
componenţă două blocuri funcţionale (etaje): primul bloc (etaj) este un amplificator de
tensiune (numit preamplificator, AT-PA), iar al doilea bloc este un amplificator de
putere (etaj final, AP-EF).
Figura 2.7. Schema bloc a unui amplificator de curent alternativ
La proiectarea unui amplificator se dau: tensiunea la intrare (U1), impedanţa

de sarcină (ZS) sau rezistenţa de sarcină şi puterea necesară la ieşire (P2). Se cere:
proiectarea amplificatorului de tensiune şi a amplificatorului de putere astfel încât să
se debiteze pe ZS puterea impusă la ieşire.
2.2.1 Amplificatoare de tensiune
Aceste amplificatoare trebuie să asigure la ieşire o tensiune U (suficient de

mare) încât, aplicată la intrarea AP, acesta să poată furniza puterea P2 cerută la
ieşire. Din acest motiv, amplificatoarele de tensiune se realizează din mai multe etaje
legate în serie (cascadă) ca în figura 2.8.
Figura 2.8. Structura generală a unui amplificator de tensiune
Cuplarea etajelor se poate realiza în două moduri:

a) utilizând elemente de cuplaj - condensatoare sau transformatoare de cuplaj;
b) cuplajul direct între etaje (ca în cazul circuitelor integrate).
Observaţie: Utilizarea transformatoarelor de cuplaj între etaje oferă avantajul
unei adaptări facile între sarcină şi etaj, dar are şi dezavantaje: gabarit mare şi preţ
de cost ridicat.
Exemple de amplificatoare de tensiune
1. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând tranzistoare bipolare

(figura 2.9).
Condensatoarele C1, C2 şi C3 se numesc condensatoare de cuplaj şi au

următoarele roluri: C1 blochează componenta continuă a semnalului aplicat la
intrarea primului etaj de amplificare; C2 are rolul de a bloca componenta continuă
care s-ar transmite de la primul etaj la următorul; C3 blochează componenta continuă
care s-ar putea transmite la ieşirea etajului al II-lea, către amplificatorul de putere.
Figura 2.9. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu tranzistoare bipolare
Perechile de rezistoare RB1 − RB2 şi RB3 – RB4 reprezintă divizoare de tensiune

prin care se stabilesc valorile curenţilor de bază. Rezistoarele RE1, RE2 au rolul de a
stabiliza poziţia punctelor statice de funcţionare (PSF) în cele două etaje de
amplificare. Rezistoarele RC1, RC2 au rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de
colector).
Condensatoarele CE1, CE2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de a
elimina reacţia negativă de tensiune la funcţionarea etajelor de amplificare în regim
dinamic. Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi a condensatoarelor de decuplare
(CE1, CE2) sunt astfel alese încât reactanţele acestora să fie neglijabile (să reprezinte
scurtcircuite) la frecvenţele de lucru ale amplificatorului.
42 Capitolul 2
2. Amplificatorul de tensiune cu două etaje utilizând TEC-J (figura 2.10)
Figura 2.10. Amplificator de tensiune alternativă realizat cu TEC-J
Ca şi în schema din figura 2.9, condensatoarele C1, C2, C3 au acelaşi rol (de
cuplaj), deci blochează componentele continue (la intrare prin C1, între etaje prin C2
şi la ieşire prin C3). Rezistenţele RG1, RG2 (cu valori de ordinul MΩ) au rolul de a
realiza impedanţe mari la intrarea etajelor.
Rezistoarele RS1, RS2 au rolul de negativare automată a grilelor cât şi de a
stabiliza poziţiile punctelor statice de funcţionare (PSF) la variaţia temperaturii
ambiante. Condensatoarele CS1, CS2 sunt condensatoare de decuplare şi au rolul de
a elimina reacţia negativă de tensiune în regim dinamic. Rezistenţele RD1, RD2 au
rolul de a limita curenţii de sarcină (curenţii de drenă).
Observaţii:
• Capacităţile condensatoarelor de cuplaj şi de decuplare (CS1, CS2) trebuie să
asigure reactanţe capacitive neglijabile la frecvenţele de lucru ale
amplificatorului.
• Al doilea etaj de amplificare poate fi realizat utilizând tranzistoare bipolare în
loc de tranzistoare TEC-J.
3. Amplificator de joasă frecvenţă realizat prin cuplare directă între etaje
În cazul cuplajului direct între etajele de amplificare se transmite, de la un etaj

la altul, atât componenta alternativă cât şi componenta continuă ale semnalului. Din
această cauză punctul static de funcţionare (PSF) al tranzistorului dintr-un etaj
depinde de poziţia PSF a tranzistorului din etajul anterior. Acest fenomen complică –
într-o anumită măsură – calculul regimului staţionar al amplificatorului (în faza de
proiectare).
În figura 2.11 este prezentat un amplificator de audiofrecvenţă, realizat cu
circuitul integrat TAA-263. Se observă că cele trei etaje de amplificare (din structura
circuitului integrat) sunt cuplate direct. Funcţionarea corectă a circuitului presupune
ca în circuitul bazei primului tranzistor (T1) să existe un curent de polarizare iBo care
să determine funcţionarea tranzistorului în regiunea activă. Tensiunea din colectorul
lui T1 (UCE1) asigură polarizarea corectă a bazei lui T2, iar tensiunea din colectorul lui
T2 (UCE2) determină poziţia PSF pentru tranzistorul T3 care, la rândul său, polarizează
baza tranzistorului T1 (prin intermediul elementelor rezistive P şi RB).
Circuitul integrat are 4 terminale (borne de acces): 1 – intrare; 2 – alimentare
(+E); 3 – ieşire; 4 – bornă de masă (−E). Rezistenţa RB împreună cu potenţiometrul
P realizează un divizor de tensiune utilizat pentru impunerea PSF al primului
tranzistor. Condensatorul Cd are rol de decuplare (elimină reacţia negativă de

tensiune la frecvenţele de lucru ale amplificatorului).
Figura 2.11. Amplificator de audiofrecvenţă realizat cu CI de

tip TAA-263
Observaţie: Pentru limitarea componentei alternative a semnalului de intrare
(U1∼), se va înseria un rezistor R1 ( ≅ 1 kΩ) înaintea condensatorului C.
2.2.2 Amplificatoare de putere (AP)
Aşa cum s-a arătat anterior amplificatoarele de putere, numite şi etaje finale,
au rolul de a debita pe un rezistor de sarcină dat, o valoare impusă a puterii P2 (la
ieşire). Reprezentând amplificatorul de putere (AP) ca un generator echivalent cu
rezistenţa internă Rg egală cu rezistenţa de ieşire a etajului (Re), schema echivalentă
a amplificatorului (AP) este dată în figura 2.12.
În conformitate cu teorema transferului maxim de putere, la un generator dat
se obţine puterea maximă pe sarcină atunci când rezistenţa internă a generatorului
(Rg) este mai mică sau egală cu rezistenţa de sarcină (RS). Deci, ţinând seama de
schema echivalentă (figura 2.12), puterea debitată pe RS va fi maximă dacă este
îndeplinită condiţia:
Re (AP) ≤ RS (2.9)
Figura 2.12. Schema echivalentă a unui amplificator de putere
Există două metode pentru creşterea puterii debitate la ieşire:

a) adaptarea sarcinii la etajul de ieşire prin intermediul transformatoarelor (de
adaptare);
b) adaptarea etajului la sarcină utilizând pentru etajul final o schemă de
conexiune adecvată.
Cu prima metodă se adaptează rezistenţa de sarcină la etaj. Acest lucru este
posibil prin alegerea unui raport de transformare adecvat pentru transformatorul de
44 Capitolul 2
cuplaj, figura 2.13. Rezistenţa generatorului (Rg) din schema echivalentă se adoptă
egală cu rezistenţa de ieşire (Re) a etajului amplificator de putere (AP).
Figura 2.13. Sarcină cuplată la AP prin transformator
Transformatorul de cuplaj are factorul de transformare Kt ≅ N1/N2, unde N1 şi

N2 reprezintă numărul de spire din primarul transformatorului, respectiv din
secundarul acestuia. Rezistenţa de sarcină raportată la primarul transformatorului se
poate calcula folosind relaţia:
2
⎛ N1 ⎞
R S = r1 + (r2 + rS ) ⋅ ⎜⎜ ⎟⎟ (2.10)
N
⎝ 2⎠
Dacă se neglijează r1 şi r2, se obţine relaţia aproximativă de calcul pentru RS:
2
R S ≅ rS ⋅ K t (2.11)
Adaptarea etajului la sarcină este posibilă dacă alegem o schemă de
conexiuni adecvată transferului maxim de putere. Astfel, pentru o putere mare la
ieşire, adică pentru un curent de ieşire (curent de colector) mare, se alege o schemă
de conexiuni cu rezistenţă de ieşire mică (conexiune colector comun).
2.2.2.1 Amplificatoare de putere în clasă A
Se consideră etajul de amplificare din figura 2.14 care funcţionează în clasă A

având sarcina cuplată prin transformator. O metodă de creştere a puterii debitate de
AP constă în creşterea amplitudinii semnalului de la intrare. În acest caz trebuie
urmărită condiţia ca punctul A’ să nu ajungă în zona de saturaţie şi punctul B’ să nu
ajungă pe caracteristica iB=0 (zona de tăiere). Acest lucru este ilustrat în diagramele
de semnale aferente funcţionării în regim dinamic al etajului, figura 2.15.
În cazul unei sarcini rezistive (rS) conectate la ieşirea amplificatorului prin
transformator, puterea utilă (Pu) debitată pe rS reprezintă puterea dezvoltată în
circuitul monofazat din secundarul transformatorului şi se calculează utilizând relaţia:
U CE max I C max U ⋅I
Pu = U ef I ef cos(ϕ) = ⋅ = CE max C max =
2 2 2
(2.12)
CM ⋅ AC
= = aria (ΔMAC).
2
Creşterea puterii debitate la ieşire datorată creşterii semnalului de intrare
poate avea loc dacă punctul A’ nu intră în zona de saturaţie. Aria triunghiului poate fi
mărită dacă PSF iniţial (M) se adoptă prin proiectare astfel încât dreapta de sarcină
să fie tangentă în M la hiperbola de disipaţie a puterii tranzistorului (vezi figura 1.26).
Randamentul unui amplificator în clasă A nu depăşeşte 50% (η=Pu/Pc, unde

Pc este puterea consumată de amplificator de la sursa auxiliară de alimentare).
Figura 2.14. Amplificator de putere în Figura 2.15. Diagrama de semnale

clasă A pentru amplificatorul în clasă A
2.2.2.2 Amplificatoare de putere în clasă B
Considerând planul caracteristicilor de ieşire, în cazul acestor amplificatoare

PSF se alege în zona de tăiere a dreptei de sarcină, figura 2.16.
Dacă amplificatorul este realizat cu un singur tranzistor, atunci PSF va descrie
la ieşire un semnal redresat monoalternanţă (ca în figura 2.16).
Figura 2.16. Diagrama de semnale pentru amplificatorul în clasă B
Dacă semnalul de intrare iB~ creşte excesiv, PSF (punctul M) poate ajunge în
poziţia A”, semnalul fiind distorsionat. Pentru ca semnalul de ieşire să fie tot
46 Capitolul 2
sinusoidal (ca cel de intrare), etajul de amplificare se realizează cu două tranzistoare

complementare, figura 2.17: 1-npn şi 2-pnp.
Figura 2.17. Amplificator de putere Figura 2.18. Curentul de sarcină pentru

amplificatorul în clasă B din figura 2.17
Dacă la intrare se aplică semialternanţa pozitivă, conduce T1 iar T2 este blocat

şi, invers, pentru semialternanţa negativă. Cei doi curenţi de colector, iC1 şi iC2,
formează prin însumare curentul alternativ de sarcină (iS) prin RS, figura 2.18.
i S = i C1 + i C 2 (2.13)
În schema prezentată este necesar ca tranzistoarele să aibă caracteristici
statice identice, pentru ca amplificarea celor două alternanţe să se facă în cantităţi
egale (amplitudini egale). Randamentul acestui amplificator în clasă B este de circa
(70÷75)%.
2.2.2.3 Amplificatoare de curent (putere) în montaj Darlington
Etajele finale ale amplificatoarelor de putere se pot realiza utilizând

conexiunea Darlington, numită şi tranzistor compus. Această conexiune este
formată din două tranzistoare (figura 2.19), dintre care primul este numit tranzistor de
comandă (T2 - de putere mică sau medie), iar al doilea este un tranzistor de putere
(T1).
În figura 2.19-a conexiunea Darlington este realizată cu două tranzistoare npn
(fără inversare de polaritate), iar în figura 2.19-b, aceeaşi conexiune este realizată
cu două tranzistoare complementare (T1 –npn, T2 –pnp). În acest ultim caz
conexiunea Darlington se numeşte cu inversare de polaritate. Ansamblul
tranzistoarelor într-o conexiune Darlington se numeşte dublet.
Curentul de colector al tranzistorului compus este:
i C = i C1 + i C2 ≅ β N1i B1 + β N2i B2 = β N2i B + β N2i E 2 = β N 2i B +
(2.14)
+ β N1 (i C2 + i B2 ) = β N 2i B + β N1β N 2i B2 + β N1i B2 = β N i B
unde:
β N = β N1 + β N2 + β N1 β N2 ≅ β N1β N2 (2.15)
Din ultima relaţie se observă că tranzistorul compus realizează o amplificare
în curent mare.
Figura 2.19. Conexiune Darlington: fără schimbare de polaritate
2.3 Amplificatoare de curent continuu
Acestea sunt destinate amplificării semnalelor lent variabile care au frecvenţa

minimă din spectru egală cu zero. Ele sunt utilizate în construcţia aparatelor de
măsură şi automatizare.
Amplificarea semnalelor continue presupune cuplarea directă între etajele de
amplificare; ca urmare, rezultă în timpul funcţionării un fenomen numit ”deriva nulului”
(sau derivă termică). Acest fenomen constă în modificarea în timp a tensiunilor la
ieşirea amplificatorului atunci când la intrarea acestuia semnalul se menţine constant
sau este nul. Pentru eliminarea acestui fenomen se utilizează două metode:
a) folosirea unui montaj diferenţial în schema de amplificare;
b) utilizarea schemei de amplificare care se bazează pe principiul modulării-
demodulării.
2.3.1 Amplificatoare de curent continuu în montaj diferenţial
În figura 2.20 este prezentat etajul de amplificare în montaj diferenţial, unde se

disting:
- două ieşiri nesimetrice (Ue1 şi Ue2);
- o ieşire simetrică între bornele AB (Ue ≡UAB);
- două intrări simetrice Ui1 şi Ui2 ;
- două divizoare de tensiune la intrări, care asigură tensiunile U1 şi U2.
Figura 2.20. Etaj de amplificare diferenţial

48 Capitolul 2
Explicarea atenuării fenomenului de derivă: considerăm Ui1=Ui2=constant şi că

temperatura T creşte. În acest caz rezultă: iC1 creşte şi iC2 creşte, ceea ce conduce la
scăderi ale tensiunilor Ue1 şi Ue2 în cantităţi egale, rezultând o tensiune constantă la
ieşirea simetrică (Ue =UAB=const).
Funcţionarea în regim de amplificator

Pe parcursul explicaţiilor se utilizează notaţiile simbolice: ↑ ≡ creşte; ↓ ≡
scade.
Cazul I: Ui1 ≠ 0 (Ui1 ↑)
Ui2 = 0 ⇒ U2 = const.
Dacă Ui1 ↑ ⇒ iB1 ↑ ⇒ iC1 ↑ ≈ iE1 ↑ ⇒ Ue1 ↓
Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitele de emitor rezultă ecuaţiile:
U BE1 = U1 − R E (i E1 + i E 2 ) (2.16)
U BE 2 = U 2 − R E (i E1 + i E 2 ) (2.17)
Dacă iE1 ↑, din (2.17) ⇒ U BE 2 ↓ ⇒ iB2 ↓ ⇒ iC2 ↓ ⇒ Ue2 ↑

Cazul II. Ui1= 0 ⇒ U1= const.
Ui2 ≠ 0 (Ui2 ↑)
Dacă Ui2 ↑, ⇒ iB2 ↑ ⇒ iC2 ↑ ⇒ Ue2 ↓; dar iC2 ≈ iE2 ↑;
din (2.16), ⇒
U BE1 ↓, deci iB1 ↓ ⇒ iC1 ↓ (scade) ⇒ Ue1 ↑(creşte) (2.18)
Concluzie: Cele două tensiuni la ieşirile nesimetrice Ue1, Ue2 au variaţii opuse
în raport cu creşterea semnalului la una dintre intrările amplificatorului. Aceste variaţii
sunt ilustrate în planul caracteristicilor de transfer, figura 2.21.
Figura 2.21. Tensiunile de ieşire ale amplificatorului diferenţial
Observaţii: Panta caracteristicii Ue=f(Ui1) este dublă faţă de pantele

caracteristicilor referitoare la ieşirile simetrice. Dacă se aplică simultan semnale la
ambele intrări, considerând aceste semnale neegale (Ui1 ≠ Ui2), tensiunea la ieşire va
fi dată de relaţia: Ue=K⋅(Ui1-Ui2), unde K este factorul de amplificare pentru montajul
diferenţial.
În figura 2.22-a se dă schema unui etaj diferenţial, având ca elemente de
echilibrare potenţiometrul P şi reostatul R.
S-a considerat iniţial că etajul nu este echilibrat, adică intersecţia

caracteristicilor statice nu are loc în origine (figura 2.22-b). Prin ajustarea
potenţiometrului P se deplasează caracteristicile pe orizontală, iar cu ajutorul
reostatului R se deplasează caracteristicile pe verticală, până când se obţine
echilibrarea amplificatorului (intersecţia caracteristicilor statice are loc în originea
axelor de coordonate).
Figura 2.22. Echilibrarea etajului diferenţial: a)schema etajului cu elemente de echilibrare; b)

deplasarea caracteristicilor statice.
Exemplu: Prin creşterea rezistenţei R curentul iC ≅ iE1+iE2 se micşorează, iar

tensiunea de ieşire comună creşte, determinând o deplasare în sus a
caracteristicilor.
2.4 Reacţia negativă în amplificatoare şi

consecinţele ei
Reacţia – în cazul amplificatoarelor – constă în aplicarea (introducerea) la

intrarea acestuia a unei părţi din energia mărimii de la ieşire, prin intermediul unei
legături inverse (ieşire-intrare).
Când reacţia negativă este necesară în amplificatoare, acesta se realizează
prin circuite specializate (dimensionate în faza de proiectare). Există însă şi situaţii
în care reacţia negativă apare accidental, fiind determinată de cuplaje parazite.
Se consideră un amplificator cu reacţie negativă de tensiune, a cărui schemă
bloc este prezentată în figura 2.23.
Figura 2.23. Schema bloc a amplificatorului cu reacţie negativă de tensiune

50 Capitolul 2
Semnificaţiile notaţiilor din figură sunt:

- A este factorul de amplificare al amplificatorului fără reacţie, exprimat prin
relaţia:
Ue
A= (2.19)
U
unde: Ue - este tensiunea la ieşirea amplificatorului;
U - este tensiunea la intrarea amplificatorului fără reacţie.
- Ar este factorul de amplificare al amplificatorului cu reacţie de tensiune.
Conform figurii 2.23 acest factor este exprimat prin relaţia:
Ue
Ar = (2.20)
Ui
unde: U i este tensiunea aplicată la intrare.
Circuitul de reacţie este realizat, de obicei, printr-o reţea de elemente pasive şi
este caracterizat prin factorul de reacţie β:
Ur
β= (2.21)
Ue
unde: Ur este tensiunea de reacţie. Dacă circuitul de reacţie este format numai din
rezistoare atunci β este un număr real.
Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare şi cel de reacţie
(figura 2.23), se pot scrie următoarele ecuaţii:
U + U r − Ui = 0 (2.22)
Ur = β ⋅ Ue (2.23)
Din relaţiile (2.19), (2.20) şi (2.21) se obţine:
Ue
+ β ⋅ Ue = Ui (2.24)
A
Împărţind ultima relaţie la U i , se obţine:
Ue U
+β e =1 (2.25)
A ⋅ Ui Ui
Ţinând seama de expresia lui Ar (2.20), din relaţia precedentă se obţine:
Ar
+ β ⋅ Ar = 1 (2.26)
A
Rezultă că, pentru cazul reacţiei negative de tensiune (figura 2.23),
amplificarea este exprimată prin relaţia:
A
Ar = (2.27)
1+β⋅A
În cazul reacţiei negative semnalul de la ieşire (Ue) este în antifază cu
semnalul de la intrare (U).
Reacţia pozitivă se obţine când tensiunea Ue de la ieşire este în fază cu
semnalul U. Amplificarea unui amplificator cu reacţie pozitivă de tensiune este dată
prin relaţia:
A
Ar = (2.28)
1−β⋅A
Pornind de la relaţia (2.28) şi împărţind membrul drept prin A, rezultă:
1
Ar = (2.29)
1
+β
A
1
Pentru A→ ∞ , (foarte mare) rezultă: A r ≅ (2.30)
β
Consecinţele reacţiei negative în amplificatoare:

• Se micşorează amplificarea A, dar acest lucru nu reprezintă un inconvenient
prea mare deoarece prin proiectare se poate adopta (impune) o amplificare A
mai mare decât cea dorită, astfel încât amplificarea cu reacţie să rezulte la
valoarea impusă.
• Creşte stabilitatea în timp a amplificării, proprietate foarte utilă în
echipamentele de măsură şi de automatizare.
• Se micşorează distorsiunile de neliniaritate.
• Creşte lăţimea benzii de trecere.
• Se reduce zgomotul propriu al amplificatorului.
• Se ameliorează (îmbunătăţesc) parametrii calitativi ai amplificării.
• Se modifică favorabil impedanţele intrare-ieşire.
Observaţie: Datorită avantajelor oferite de reacţia negativă, majoritatea
amplificatoarelor utilizează acest tip de reacţie.
2.5 Amplificatoare operaţionale
Un amplificator operaţional (AO) este un amplificator la care cuplarea între

etaje se face direct. AO este caracterizat de o amplificare foarte mare, fiind conceput
să funcţioneze într-o gamă largă de frecvenţe.
Un AO foloseşte reţele de reacţie a căror structură (rezistenţe şi capacităţi)
permite realizarea unor operaţii matematice (adunare, scădere, integrare, diferenţiere
etc).
Parametrii ideali ai AO permit proiectarea cu relaţii de calcul simple, iar erorile
introduse sunt în limitele admise. Principalii parametri idealizaţi sunt:
1) amplificarea în buclă deschisă A0 → ∞;
2) decalajul de tensiune (deriva nulului este neglijabilă, Uieşire=0 în orice moment
în care la intrare nu se aplică semnal);
3) curentul de polarizare pe cele două intrări neglijabil;
4) impedanţa de intrare Zi → ∞;
5) impedanţa de ieşire Ze → 0;
6) 1ăţimea benzii de trecere B → ∞;
7) variaţia defazajului Δϕ ≅ 0.
Amplificatoarele operaţionale se clasifică după natura relaţiei intrare-ieşire.
Relaţia (dependenţa) intrare-ieşire poate fi liniară sau neliniară, în funcţie de
structura circuitului de reacţie aferent amplificatorului. Amplificatorul inclus în
structura oricărui AO este un amplificator de curent continuu (amplificator diferenţial
integrat). Cele mai utilizate scheme cu AO sunt:
52 Capitolul 2
1) Amplificator operaţional în montaj inversor - realizează înmulţirea cu o

constantă şi inversarea semnului tensiunii de intrare. Schema de principiu este
prezentată în figura 2.24, iar schema simbolică este dată în figura 2.25.
Figura 2.24. Schema de principiu a unui Figura 2.25. Simbolizarea unui AO

AO în montaj inversor inversor
Întrucât amplificatorul de curent continuu are impedanţa de intrare şi

amplificarea în circuit deschis foarte mari, pentru determinarea caracteristicii Ue=f(Ui)
se consideră ipotezele:
Zi → ∞ ; i ≅ 0 şi U≅0 (2.31)
Aplicând teorema a II-a a lui Kirchhoff în circuitul de intrare, rezultă:
Ui=Roio+U (2.32)
Ui
Ţinând seama de (2.31) se obţine: i o ≅ (2.33)
Ro
Din teorema I-a a lui Kirchhoff aplicată în nodul de curenţi M rezultă:
i = io + i1 ; ⇒ io ≅ − i1 (2.34)
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată în circuitul de ieşire rezultă:
Ue=R1i1+U (2.35)
Ue
Ţinând cont de (2.31) se obţine: i1 ≅ (2.36)
R1
Ue U
Din (2.33), (2.34) şi (2.35) se obţine: =− i sau
R1 Ro
U e = − R1 ⋅ Ui .
Ro
Rezultă: Ue= - K Ui , unde K = R1/Ro (2.37)
2) Amplificator operaţional în montaj neinversor – realizează înmulţirea
tensiunii de intrare cu o constantă pozitivă supraunitară. Schema electrică a acestui
amplificator este dată în figura 2.26, iar simbolizarea este prezentată în figura 2.27.
Figura 2.26. Schema de principiu a unui Figura 2.27. Simbolizarea unui AO

AO în montaj neinversor neinversor
Utilizând aceleaşi ipoteze din (2.31) şi aplicând aceeaşi procedură se obţin:
⎧ R 0i 0 + U + U i = 0
⎪
⎨U e + R 0i 0 − R1i1 = 0 (2.38)
⎪ i = i 0 + i1
⎩
Neglijând mărimile U şi i, conform relaţiei (2.31), din (2.38) rezultă expresia
caracteristicii externe:
Ue = K⋅Ui (2.39)
R1
unde: K =1+ (2.40)
Ro
Observaţie: Pentru R0 → ∞ şi R1 = 0 se obţine circuitul repetor, utilizat
frecvent ca element de adaptare, întrucât asigură rezistenţa de intrare foarte mare şi
rezistenţa de ieşire mică.
3) Amplificatorul sumator-inversor realizează suma ponderată, cu semn
schimbat, a tensiunilor de intrare. Schema electrică a acestui amplificator este
prezentată în figura 2.28, iar simbolizarea este dată în figura 2.29.
Figura 2.28. Schema de principiu a unui AO Figura 2.29. Simbolizarea unui

în montaj sumator-inversor AO sumator-inversor
Considerând aceleaşi ipoteze din (2.31), adică Zi → ∞ ; i ≅ 0; U≅0, se

determină (utilizând legea lui Ohm) curenţii prin rezistoarele conectate la intrările
amplificatorului:
U i1 U U
i o1 = ; i o 2 = i 2 .... i on = in (2.41)
R 01 R 02 R 0n
Teorema I-a a lui Kirchhoff, aplicată în cele două noduri de curenţi, conduce la
relaţiile:
i0=i01 + i02+ .... + i0n (2.42)
i0= - i1 (2.43)
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire se obţine:
i1=Ue/R1 (2.44)
Ue
sau = −i 0 (2.45)
R1
Înlocuind în (2.45) componentele curentului i0 din relaţia (2.41), se obţine:
Ue= -(K1Ui1+K2Ui2+ ... +KnUin) (2.46)
54 Capitolul 2
R1 R R
unde K1 = ; K 2 = 2 ; .... K n = n
R 01 R 02 R 0n
În general, caracteristica de transfer se poate exprima prin relaţia (2.47):
n
Ue = − ∑ K jUij (2.47)
j=1
4) Amplificatorul integrator-inversor furnizează la ieşire un semnal proporţional
cu integrala tensiunii aplicate la intrare. Schema electrică a acestui amplificator este
prezentată în figura 2.30, iar simbolizarea este dată în figura 2.31.
Figura 2.30. Schema de principiu a unui AO Figura 2.31. Simbolizarea unui AO în

montaj integrator-inversor integrator-inversor
Utilizând aceleaşi ipoteze (Zi → ∞ ; i ≅ 0; U≅0) şi procedând similar, se obţin

relaţiile:
Ui = R⋅i0 şi i0 = -i1 (2.48)
Din teorema a II-a a lui Kirchhoff aplicată pe circuitul de ieşire rezultă:
1
Ue =
C ∫
i1dt +U (2.49)
Ţinând seama de ipotezele (2.31) şi relaţiile (2.48), din (2.49) rezultă:

t
1 1
Ue = −
CR ∫ Uidt sau U e = −
Ti ∫ Ui (τ)dτ + U e (0) (2.50)
0
Cu Ue(0)=Ue0 s-a notat valoarea tensiunii la bornele condensatorului (din
circuitul de reacţie) în momentul aplicării semnalului de intrare (t=0). Tensiunea Ue(0)
se figurează la borna de ”condiţie iniţială” (figura 2.31). Ue(0)=0 dacă condensatorul
este descărcat la momentul aplicării semnalului de intrare şi Ue(0)≠0 dacă
condensatorul este încărcat la momentul aplicării semnalului de intrare. Ti=RC este
timpul de integrare, exprimat în secunde, dacă valoarea rezistenţei R este exprimată
în ohmi, iar capacitatea C se exprimă în farazi. Dacă timpul de integrare nu este
limitat, tensiunea de ieşire se poate exprima prin relaţia:
1 1
∫
U e = − K U i dt + U e (0) ; unde K =
Ti
=
RC
(2.51)
2.6 Oscilatoare
Acestea sunt circuit care, utilizând dispozitive electronice active, generează

semnale periodice de forma: U(t)=U⋅sin(ωt) sau de orice altă formă. Atunci când
semnalul produs de oscilator este sinusoidal oscilatorul se numeşte armonic.

Schema de principiu este prezentată în figura 2.32.
Figura 2.32. Schema de principiu a unui oscilator
Principiul de întreţinere a oscilaţiilor

Se consideră circuitul oscilant realizat dintr-o capacitate C în paralel cu o
inductivitate L, figura 2.33-a. Sub acţiunea unei tensiuni oarecare (exterioare) iau
naştere oscilaţii armonice având frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă dată de relaţia:
1
f0 = (2.52)
2π LC
Semnalul U(t), semnalul util produs de oscilator, figura 2.33-b, se va amortiza
în timp (îşi micşorează amplitudinea) datorită pierderilor de energie prin rezistenţa
electrică echivalentă a circuitului capacitiv-inductiv (L-C).
Figura 2.33-a. Circuit oscilant LC Figura 2.33-b. Semnalul produs de circuitul LC
Un circuit oscilant ideal nu poate fi realizat din cauza pierderilor de energie

care determină stingerea, adică amortizarea oscilaţiilor. Schema echivalentă a
circuitului oscilant anterior este ilustrată în figura 2.34.
Pierderile de energie care duc la micşorarea amplitudinii se datorează lui r şi
R, unde: r este rezistenţa electrică a bobinei care are inductanţa L, iar R este
conductanţa de pierderi a condensatorului.
Figura 2.34. Schema echivalentă a circuitului oscilant LC din figura 2.33-a
Pentru a realiza oscilaţii întreţinute (cu amplitudine constantă), în circuitul

oscilant real este necesar să se recupereze (compenseze) energia pierdută, cu
energie adusă din exterior prin intermediul unor rezistenţe negative, controlate prin
curenţi sau prin tensiune. În acest sens se pot utiliza dispozitive semiconductoare
care să funcţioneze în regiunea de rezistenţă negativă (dioda tunel, tiristorul etc).
56 Capitolul 2
Caracteristica statică a diodei tunel şi respectiv a tiristorului sunt date în figura 2.35-a
şi 2.35-b.
Figura 2.35: a) Caracteristica curent-tensiune a diodei tunel; b) Caracteristica curent-tensiune a

tiristorului; c)Schema bloc a unui oscilator cu reacţie
Aceste dispozitive semiconductoare introduc rezistenţe negative, care

însumate cu rezistenţele r şi R (figura 2.34), dau o rezistenţă echivalentă egală cu
zero.
Producerea oscilaţiilor întreţinute prin anularea rezistenţei din circuit cu
ajutorul unor rezistenţe dinamice negative, este un fapt real şi o metodă utilizată în
proiectarea oscilatoarelor. Condiţia întreţinerii oscilaţiilor implică respectarea a două
principii:
a) respectarea relaţiei lui Barkhausen (de autooscilaţie), care arată că produsul în
modul al amplitudinilor trebuie să fie egal cu unitatea, β ⋅ A = 1 ;
unde: A = A ⋅ exp( j ⋅ ϕ A ) şi β = β ⋅ exp( j ⋅ ϕβ ) (2.53)
Prin ϕA s-a notat defazajul dintre semnalul de ieşire ( Ue - figura 2.35-c) şi
semnalul de intrare ( U i ). ϕβ este defazajul dintre semnalul de reacţie ( U r ) şi
semnalul de ieşire ( Ue ).
b) respectarea condiţiei de fază: ϕ A + ϕβ = 2kπ , k=0, 1, 2, ..., n (argumentul lui
Acomplex + argumentul lui βcomplex = 2kπ) adică:
arg A + arg β = 2kπ (2.54)
Relaţia (2.53) arată că defazajul total introdus de amplificator şi circuitul de
reacţie trebuie să fie un multiplu întreg de 2π, deci semnalul de reacţie trebuie să fie
în fază cu semnalul de intrare. Rezultă că reţeaua de reacţie trebuie să introducă un
defazaj nul, dacă defazajul amplificatorului este 2kπ (cu un număr par de etaje), sau
un defazaj de 1800, dacă defazajul amplificatorului (cu număr impar de etaje) este
(2k+1)π.
Oscilatoarele pot fi realizate şi cu amplificatoare ce au reacţie pozitivă, la care
A
amplificarea complexă este: A r = .
1 − βA
În acest caz, dacă produsul βA tinde la valoarea 1, atunci A r → ∞ .
După modul de realizare, oscilatoarele pot fi:
1) oscilatoare de tip amplificator cu reacţie pozitivă;
2) oscilatoare cu dispozitive care au rezistenţe negative (oscilatoare de
relaxare).
Oscilatoarele cu reacţie pot fi de tip LC sau RC. Cele mai utilizate
oscilatoare cu reacţie de tip LC sunt oscilatoarele în trei puncte. Acestea au calea
de reacţie formată dintr-un circuit LC selectiv (care reprezintă un filtru cu trei borne
de acces).
Exemple de oscilatoare în trei puncte

Oscilatorul Hartley (realizat cu reţea de defazare trece sus), are schema de
principiu prezentată în figura 2.36.
Figura 2.36. Schema de principiu a oscilatorului Hartley
La acest oscilator emitorul este legat la masă, alimentarea este serie iar
sarcina este cuplată inductiv. În timpul funcţionării singurul condensator care nu este
scurtcircuitat este condensatorul variabil C.
Oscilator având reţea RC (reţea de defazare trece-jos)

Aceste oscilatoare au o largă utilizare în diferite domenii ale electronicii industriale
(telecomunicaţii, automatizări, aparatură electromedicală etc) fiind specifice benzilor
de joasă frecvenţă. În figura 2.37 este prezentată schema electrică a unui oscilator
având reţea de defazare ”trece jos”, formată din trei celule RC.
Defazajul fiecărei celule este de 60o.
π
Δϕ = arctgRC = (2.55)
3
Se obţine un defazaj total al semnalului de reacţie, egal cu π (180o):
ϕ t = 3 ⋅ Δϕ = π (2.56)
Frecvenţa de oscilaţie la rezonanţă se poate calcula folosind relaţia:

1
f0 = 6 + 4R / R C (2.57)
2πRC
Figura 2.37. Schema de principiu a oscilatorului cu reţea RC

58 Capitolul 2
2.7 Întrebări
1. Ce este reacţia negativă în cazul unui amplificator de tensiune? Cum se obţine

practic reacţia negativă?
2. Ce se înţelege prin zgomot la amplificatoare? Ce se înţelege prin tensiune de

zgomot (Uz) în cazul redresoarelor cu filtre ?
3. Când apar distorsiunile de frecvenţă la amplificatoare şi cum se elimină acestea?
4. Ce diferenţă există între caracteristicile A[dB] = g(f) în cazurile:

a) amplificatoare de radiofrecvenţă ?
b) amplificatoare de audiofrecvenţă ?
5. Ce formă de variaţie are tensiunea UCE la ieşirea unui etaj de amplificare în clasă
B, realizat cu un singur tranzistor?
6. Ce semnifică borna de condiţie iniţială în cazul A.O. integrator şi ce se poate

măsura la această bornă ?
7. Care este raportul de transformare (K) al unui transformator de cuplaj pentru o

sarcină rezistivă (rs = 4 Ω), ştiind că amplificatorul în clasă A are rezistenţa de
ieşire, Re = 80 KΩ ?
8. Care este deosebirea între un AO inversor şi un AO integrator – inversor?

(Utilizaţi schemele electrice !)
9. Care este schema de conexiune a unui etaj de amplificare ce are parametrii: RI

=4 KΩ; Re = 40 KΩ ?
10. Ce este deriva termică (deriva nulului) în cazul amplificatoarelor de curent

continuu şi cum se atenuează aceasta ?
11. Ce sunt distorsiunile de neliniaritate în cazul amplificatorului de joasă frecvenţă şi

cum se elimină acestea ?
12. Când un tiristor funcţionează ca şi o diodă ? Care este schema şi denumirea

celui mai simplu amplificator de putere ?
CAPITOLUL 3
REDRESOARE
3.1 Noţiuni generale

Redresoarele sunt circuite electronice care fac parte dintr-o clasă mai largă de
echipamente electrice, numite mutatoare. Mutatoarele transformă, prin elemente
neliniare unidirecţionale (diode, tiristoare etc), energia electromagnetică primită la
intrare, cu anumiţi parametri, în energie electromagnetică debitată la ieşire, cu alţi
parametri.
Principalul criteriu de clasificare a mutatoarelor îl reprezintă funcţiile realizate
de acestea, după cum urmează.
Redresorul este un circuit electronic care transformă curentul alternativ (c.a.),
de frecvenţă f1, în curent continuu (c.c.), figura 3.1-a.
Invertorul transformă curentul continuu în curent alternativ (figura 3.1-b).
Frecvenţa f2 a curentului alternativ poate fi variabilă (în cazul invertoarelor
autonome) sau fixată la o anumită valoare, de regulă 50 Hz (când se numesc
invertoare de reţea sau neautonome).
În schemele din figura 3.1-a şi b, transferul energetic se face într-un singur
sens. Este însă posibil ca aceeaşi schemă de mutator să funcţioneze – în funcţie de
condiţiile de lucru (comanda primită, polaritatea tensiunii continue etc.) – fie în regim
de redresor, fie în regim de invertor (neautonom). Transferul energetic se poate face,
în acest caz, în ambele sensuri. Mutatoarele din această categorie stau la baza
sistemelor de acţionări recuperative cu maşini de c.c. Dacă mutatorul funcţionează în
regim de redresor, maşina electrică funcţionează ca motor şi transferul energetic se
face de la reţeaua de c.a. la reţeaua de c.c. În regim de frânare, când maşina
electrică lucrează ca generator de c.c., comanda mutatorului poate asigura
funcţionarea acestuia în regim de invertor (neautonom), obţinându-se transferul
energetic (recuperarea) de la reţeaua de c.c. (figura 3.1-c).
Convertorul de c.a. converteşte frecvenţa sau amplitudinea curentului
alternativ. În primul caz, mutatorul se mai numeşte convertor static de frecvenţă şi
poate fi realizat în două variante: cu circuit intermediar de c.c. (figura 3.2-a) şi sub
formă de convertor direct sau cicloconvertor (figura 3.2-b). Convertorul care
modifică amplitudinea tensiunii de c.a. (figura 3.2-c) se mai numeşte variator de c.a.
Convertorul de c.c. furnizează la ieşire o tensiune continuă diferită de cea de
la intrare. El poate fi: cu circuit intermediar de c.a. (figura 3.3-a) sau direct, numit
şi variator de c.c. (figura 3.3-b). Pentru convertorul cu circuit intermediar, tensiunea
60 Capitolul 3
de ieşire (U2) poate fi mai mică sau mai mare decât tensiunea de intrare (U1), după
cum transformatorul este coborâtor, respectiv ridicător de tensiune.
Figura 3.1. Mutatoare Figura 3.2. Convertoare statice de c.a.
Figura 3.3. Convertor de c.c.
Mutatoarele care funcţionează cu intrarea şi/sau ieşirea în c.a. utilizează, pe

fiecare fază a reţelei de c.a., elemente de conducţie unidirecţională numite şi “ventile”
semiconductoare (diode şi/sau tiristoare). În majoritatea mutatoarelor, funcţionarea
acestor elemente este ciclică. Trecerea conducţiei de la un ventil la altul se numeşte
comutaţie. După modul de realizare a comutaţiei, mutatoarele se împart în
următoarele categorii:
• Mutatoare având comutaţie naturală, când valoarea instantanee a
tensiunii pe latura ventilului care preia conducţia este întotdeauna mai
mare decât valoarea instantanee a tensiunii pe latura ventilului care
cedează conducţia.
• Mutatoare având comutaţie forţată, când condiţia de comutaţie naturală
nu este respectată. Prelungirea conducţiei unui ventil, dincolo de
momentul comutaţiei naturale, presupune – de regulă – un consum de
energie reactivă din exterior. După provenienţa acestei energii,
mutatoarele care au comutaţie forţată pot fi:
Mutatoare având comutaţie externă, când energia reactivă este
preluată din exterior. Dacă această energie provine de la reţea,
mutatorul va avea comutaţie (forţată) de la reţea. Dacă energia
este dată de circuitul sarcinii (de la ieşire), mutatorul are comutaţie
(forţată) de la sarcină.
Mutatoare având comutaţie proprie, când energia reactivă
necesară este furnizată de însuşi mutatorul respectiv.
Mutatoarele care au comutaţie naturală sunt redresoare cu diode. Comutaţia
forţată externă se întâlneşte în redresoarele comandate, invertoare neautonome şi
Redresoare 61
convertoare directe de frecvenţă. Comutaţia proprie este specifică unei categorii de

mutatoare, în care ventilele (tiristoarele) au dispozitive de “blocare” forţată: invertoare
autonome, variatoare de c.c. etc.
Sub aspectul funcţiei realizate, toate redresoarele se încadrează în categoria
mutatoarelor. În acelaşi timp, mutatoarele reprezintă circuite electronice de putere,
definind un domeniu cunoscut sub numele ”electronică de putere”. Aceste
circumstanţe au determinat includerea în capitolul de mutatoare a redresoarelor de
mică putere realizate sub forma redresoarelor monofazate, precum şi tratarea lor
specifică, într-un paragraf distinct.
3.2 Redresoare monofazate necomandate
3.2.1 Schema bloc a unui redresor de mică putere
Redresoarele monofazate se utilizează, de regulă, la puteri mici. Scopul

urmărit este de a obţine o tensiune continuă, U0, de valoare impusă, la bornele
sarcinii Rs, cu valoare de asemenea impusă, în condiţiile cunoaşterii tensiunii de
alimentare U1.
În figura 3.4 este dată schema-bloc a unui redresor monofazat de mică putere.
Transformatorul Tr reduce tensiunea alternativă din înfăşurarea primară la valoarea
U2 (în secundar), necesară obţinerii tensiunii continue U0. Redresorul R este
elementul esenţial al schemei. La ieşirea lui se obţine tensiunea redresată ur, care
are o componentă continuă (utilă) şi o componentă alternativă. Filtrul F are rolul de a
diminua componenta alternativă din tensiunea redresată. Tensiunea continuă, U0, de
la ieşirea filtrului se poate modifica, fie din cauza variaţiei tensiunii de alimentare U1,
fie din cauza modificării rezistenţei de sarcină Rs. Stabilizatorul de tensiune continuă,
STC, conectat între filtru şi sarcină, are rolul de a menţine constantă tensiunea U0
(stabilizatoarele vor fi prezentate în capitolul 4).
Figura 3.4. Schema bloc a unui redresor monofazat de mică putere
3.2.2 Redresoare monofazate monoalternanţă cu sarcină rezistivă
Schema redresorului monofazat monoalternanţă este dată în figura 3.5-a. În

timpul semialternanţei pozitive a tensiunii u 2 = 2U 2 sin ωt , dioda D (care
reprezintă redresorul) este polarizată în sens direct şi conduce, deci ur = u2. În
timpul semialternanţei negative, datorită polarizării inverse, dioda este blocată şi
ur = 0. Diagramele tensiunilor u2, ur şi a curentului prin sarcină sunt date în figura
3.5-b.
62 Capitolul 3
Se observă că tensiunea redresată ur este o tensiune periodică pulsatorie având

perioada T = 2π. Tensiunea redresată conţine o componentă continuă (U0) şi o
componentă alternativă (u~):
ur = U0+ u~ (3.1)
Figura 3.5. Redresor monofazat monoalternanţă
Componenta continuă U0 este egală cu valoarea medie a tensiunii redresate şi

se calculează cu relaţia:
T
1
U0 =
T
⋅ ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) (3.2)
0
Înlocuind valoarea perioadei (T = 2π), integrala din (3.2) se poate exprima
printr-o sumă de două integrale, astfel:
2π ⎡π 2π ⎤
1 1 ⎢
U0 = ⋅
T ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) =
2π ⎢ ∫ ∫
u r (ωt ) ⋅ d (ωt ) + u r (ωt ) ⋅ d (ωt )⎥ (3.3)
⎥
0 ⎣0 π ⎦
Din diagramele tensiunilor (figura 3.5-b) se observă că în intervalul [0, π], ur=
u2, iar în intervalul [π, 2π], ur= 0.
Din relaţia (3.3) se obţine:
π π
1 1
U0 =
2π
⋅ ∫ u r ( ωt ) ⋅ d ( ωt ) =
2π
⋅ ∫ 2U 2 sin(ωt ) ⋅ d (ωt ) =
0 0 (3.4)
2 π 2
= ⋅ U 2 [− cos(ωt )] = ⋅ U 2 ≅ 0,45 ⋅ U 2
2π 0 π
Curentul redresat prin rezistenţa de sarcină este proporţional cu tensiunea ur ,
deci este periodic şi pulsatoriu, exprimat prin relaţia:
ur
ir = (3.5)
Rs
Dacă se doreşte exprimarea detaliată a componentei alternative (u~), atunci
tensiunea redresată se poate exprima prin relaţia:
∞
u r (ωt ) = U 0 + ∑ 2U n sin( nωt + ϕ n ) (3.6)
n =1
Redresoare 63
unde Un este valoarea eficace a armonicii de ordinul n, iar ϕn – faza iniţială a

armonicii de ordinul n. Relaţia (3.6) se poate scrie sub forma trigonometrică a unei
serii Fourier şi devine:
∞ ∞
u r (ωt ) = b 0 + ∑ a n sin( n ⋅ ωt ) + ∑ b n cos(n ⋅ ωt ) (3.7)
n =1 n =1
Coeficienţii seriei Fourier se definesc prin:
T ⎡π 2π ⎤
1 1 ⎢
b0 = U0 = ∫ u r ( ωt ) d ( ωt ) = ∫ u ( ωt ) d ( ωt ) + u r ( ωt ) d ( ωt ) ⎥ =
∫
T 2π ⎢ r ⎥
0 ⎣⎢ 0 π ⎦⎥
π
1 2
=
2π ∫ 2U 2 sin(ωt ) d (ωt ) =
π
U 2 ≅ 0,45 U 2 (3.8)
0
Se observă că valoarea componentei continue (U0) este exprimată de
coeficientul b0 al seriei Fourier, iar coeficienţii an şi bn se pot calcula utilizând relaţiile
(3.9) şi (3.10).
2π
1
an =
π ∫ u r (ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d (ωt ) =
0
(3.9)
π
2U 2
=
π ∫ sin( ωt ) sin( n ⋅ ωt ) d ( ωt )
0
2π π
1 2U 2
bn =
π ∫ u r (ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d (ωt ) =
π ∫ sin(ωt ) cos(n ⋅ ωt ) d(ωt ) =
0 0
2U 2 −2
= ⋅ . (3.10)
π 2
n −1
Înlocuind în relaţia (3.7) coeficienţii b0, an şi bn din relaţiile (3.8), (3.9) şi (3.10)
se obţine:
2U 2 ⎛ π 2 2 ⎞
u r ( ωt ) = ⎜1 + sin(ωt ) − cos(2 ωt ) − cos(4 ωt ) − ...⎟ ; (3.11)
π ⎝ 2 1⋅ 3 3⋅5 ⎠
Raportul dintre tensiunea continuă pe sarcină şi valoarea eficace a tensiunii

din secundar se numeşte coeficient de redresare. În cazul analizat coeficientul de
redresare Kr este:
U0
Kr = = 0,45 (3.12)
U2
Ponderea componentei alternative în tensiunea redresată se poate evalua prin
factorul de formă, F, şi factorul de ondulaţie, γ. Factorul de formă este raportul dintre
valoarea eficace a tensiunii redresate, ur, şi componenta continuă U0 :
64 Capitolul 3
ur
F= (3.13)
U0
Cu cât F este mai apropiat de unitate, cu atât ponderea componentei
alternative în tensiunea redresată este mai mică. La redresorul monoalternanţă
avem:
1T 2 1 π 2 2 2
Ur =
T0
∫ u r ( ωt ) d ( ωt ) = ∫
2π 0
2U 2 sin (ωt ) d (ωt ) =
2 2
U (3.14)
2 π π
F= U = = 1,57 (3.15)
2 2 2 U2 2
Factorul de ondulaţie se defineşte ca raportul dintre valoarea eficace a
componentei alternative, U∼ , şi componenta continuă. Cunoscând valorile eficace
Un ale armonicilor de ordin n = 1, 2, … , valoarea eficace U∼ este:
2 2
U∼ = U1 + U 2 + ... (3.16)
sau
2 2
U∼ = U r − U 0 (3.17)
şi rezultă
2 2 2 2 2
U U1 + U 2 + ... U r − U0 ⎛ Ur ⎞ 2
γ = ~ = = = ⎜⎜ ⎟⎟ − 1 = F −1 (3.18)
U0 U0 U0 ⎝ U0 ⎠
În cazul redresorului monoalternanţă se obţine γ = 1,211.
Puterea în curent continuu este:
2
U
P0 = U 0 I 0 = 0 (3.19)
Rs
Aceasta determină o anumită putere aparentă, necesară transformatorului.
3.2.3 Redresoare monofazate dublă alternanţă cu sarcină rezistivă
Redresoarele dublă alternanţă se realizează după două scheme: cu

transformator având priză mediană în secundar, sau utilizând schema de
redresare în punte.
Schema redresorului având transformator cu priză mediană este dată în figura
3.6-a. Cele două secţiuni ale înfăşurării secundarului transformatorului sunt identice
' "
şi deci u 2 = − u 2 . Diodele D1 şi D2 conduc alternativ, astfel încât tensiunea
redresată şi curentul prin sarcină au forma din figura 3.6-c.
Redresorul în punte are schema din figura 3.7. În timpul semialternanţei
pozitive a tensiunii u2 conduc diodele D1 şi D3 , D2 şi D4 fiind blocate. În
semialternanţa negativă conduc diodele D2 şi D4 , iar diodele D1 şi D3 sunt blocate.
Redresoare 65
Figura 3.6. Redresor dublă alternanţă folosind transformator cu priză mediană:

a) schema; b) diagrama tensiunilor din secundar; c) diagrama tensiunii şi a curentului redresat
Figura 3.7. Redresor dublă alternanţă în punte
Ca şi în cazul redresorului monoalternanţă, tensiunea şi curentul prin sarcină

au două componente: o componentă continuă (U0 , respectiv I0) şi o componentă
alternativă. Expresia analitică a tensiunii redresate, pe o perioadă a tensiunii u2 este:
⎧ ⎡ T⎤
⎪ 2 U 2 sin( ω t ) pentru t ∈ ⎢⎣0, 2 ⎥⎦
⎪
ur = ⎨ (3.20)
⎪− 2U sin(ωt ) pentru t ∈ ⎡ T , T ⎤
⎪⎩ 2 ⎢⎣ 2 ⎥⎦
Componenta continuă a tensiunii redresate (U0) se calculează cu aceeaşi
relaţie (3.3) ca şi în cazul redresorului monoalternanţă, cu deosebirea că în acest caz
perioada este egală cu durata unei semialternanţe (T = π), iar componenta continuă
este:
2 2
U0 = ⋅ U 2 ≅ 0,9 ⋅ U 2 (3.21)
π
Coeficientul de redresare este dublu faţă de schema monoalternanţă
(Kr = 0,9), iar factorul de formă şi coeficientul de ondulaţie se ameliorează:
F = 1,11; γ = 0,482. De asemenea, pentru o putere P0 dată, puterile aparente în
înfăşurarea secundară şi înfăşurarea primară ale transformatorului se micşorează.
Astfel, pentru schema cu priză mediană, puterea de calcul a transformatorului este
ST = 1,48 P0, iar la schema în punte, ST = 1,23 P0.
Comparând cele două scheme de redresare dublă alternanţă se pot reţine
următoarele:
• pentru aceeaşi putere P0 în sarcină, puterea aparentă necesară a
transformatorului este mai mare la schema cu punct median;
66 Capitolul 3
• la schema în punte, datorită conducţiei în permanenţă a două diode, rezultă o

cădere de tensiune pe diode dublă faţă de schema cu punct median;
• tensiunea inversă maximă pe diode, pentru aceeaşi tensiune redresată este
de două ori mai mare la schema cu punct median faţă schema de redresare în
punte (deoarece tensiunea inversă ce apare în momentul blocării diodelor se
distribuie pe două diode).
3.2.4 Filtrarea tensiunii redresate
Pentru obţinerea unei tensiuni cu factor de ondulaţie mic la bornele rezistenţei

de sarcină, este necesară diminuarea componentei alternative din tensiunea
redresată, cu ajutorul filtrelor. Funcţionarea filtrelor se bazează pe proprietatea
bobinelor de a avea o rezistenţă neglijabilă pentru componenta continuă a curentului
şi o reactanţă mare pentru componenta alternativă din curentul redresat, cât şi pe
proprietatea capacităţilor mari (conectate în paralel cu sarcina), de a şunta
armonicele de ordin superior.
Filtrele utilizate frecvent la redresoarele de mică putere au schemele din figura
3.8. Parametrul principal care le caracterizează este factorul de ondulaţie al tensiunii
de la ieşire.
Figura 3.8. Tipuri de filtre: a) capacitiv; b) inductiv-capacitiv;

c) tip π - CLC sau CRC
3.2.4.1 Funcţionarea redresorului cu filtru capacitiv
Schema unui redresor monofazat monoalternanţă cu filtru capacitiv este dată în

figura 3.9-a. Funcţionarea ei se poate urmări în diagrama din figura 3.9-b. Aplicând
teorema a II-a a lui Kirchhoff pe circuitul din secundarul transformatorului, rezultă:
u2 = ua + uc (3.22)
Tensiunea la bornele condensatorului (uc) este în acelaşi timp, tensiunea la
bornele rezistenţei de sarcină (us) cât şi tensiunea după elementul redresor, ur. Din
relaţia anterioară rezultă căderea de tensiune (ua) pe dioda în conducţie:
ua = u2 – uc.
Presupunem că în momentul aplicării tensiunii de alimentare, condensatorul C
este descărcat. Se observă că în intervalul (0 … ωt1) tensiunea din secundarul
transformatorului (u2) este mai mare decât tensiunea la bornele condensatorului
(uc), (u2 > uc) şi deci ua > 0. Dioda conduce şi condensatorul se încarcă prin
Redresoare 67
secundarul transformatorului şi diodă. Rezistenţa de încărcare, Ri, este foarte mică,

aceasta incluzând rezistenţa echivalentă serie în secundarul transformatorului, RS(Tr)
şi rezistenţa diodei în conducţie, RDc, care este neglijabilă. Deci Ri = RS(Tr) + RDc
sau Ri ≅ RS(Tr). Constanta de timp la încărcarea condensatorului, Ti = Ri C, rezultă
foarte mică, deci condensatorul se încarcă rapid. În momentul ωt1 se obţine
egalitatea uc = u2, deci ua = 0, iar dioda se blochează. În intervalul (ωt1...ωt2)
u2 < uc, iar ua < 0. Dioda rămâne blocată şi condensatorul se descarcă prin
rezistenţa de sarcină Rs. Constanta de timp de descărcare a condensatorului este
Td = RsC şi este relativ mare (pentru că Rs este mai mare decât Ri), tensiunea uc
scade lent, până în momentul ωt2. În continuare dioda conduce în intervalul (ωt2
...ωt3).
Tensiunea la bornele condensatorului are mici oscilaţii (având forma dinţilor
de ferăstrău) în jurul valorii U0, care reprezintă componenta continuă a tensiunii la
bornele sarcinii. Valoarea tensiunii continue U0, precum şi amplitudinea componentei
alternative, depind mult de valoarea rezistenţei de sarcină. Micşorarea rezistenţei de
sarcină (Rs) are ca efect creşterea curentului de sarcină (Is) şi ca urmare tensiunea
U0 scade, iar componenta alternativă (u~) a tensiunii redresate creşte.
În figura 3.9-b s-a notat cu α unghiul de la care începe încărcarea
condensatorului (considerând ca moment de referinţă, trecerea prin zero spre valori
pozitive a tensiunii u2). Cu β s-a notat unghiul de conducţie, adică intervalul de timp
în care se încarcă condensatorul. Unghiul la care încetează încărcarea
condensatorului s-a notat cu ψ = α + β şi se numeşte unghi de blocare. La
funcţionarea fără filtru capacitiv, dioda conduce pe întreaga semiperioadă a tensiunii
u2 din secundarul transformatorului, adică β = π. Filtrul capacitiv micşorează durata
de conducţie a diodei în intervalul 0 < β < π.
Parametrii redresorului depind de unghiurile de conducţie şi de blocare, care –
la rândul lor – sunt determinate de mărimile C şi Rs. În intervalul de conducţie
β = ωt3 ... ωt2, curentul prin diodă este:
ia = ic + is (3.23)
unde:
ic = C
du c
dt
=C
d
dt
[ ]
2 U 2 sin(ωt ) = ω C 2 U 2 cos(ωt ) (3.24)
2 U2
is = sin(ωt ) (3.25)
Rs
68 Capitolul 3
Figura 3.9. Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv:

a) schema; b) diagrama tensiunilor şi curenţilor
3.2.5 Parametrii redresoarelor de mică putere
În cazul redresoarelor de mică putere parametrii şi caracteristicile importante

sunt:
• puterea nominală a redresorului, PN , reprezintă puterea pe care o poate
debita redresorul în sarcină, în regim nominal de funcţionare;
• tensiunea nominală, U0N , egală cu tensiunea continuă la bornele de ieşire,
atunci când redresorul funcţionează la putere nominală;
• curentul nominal, I0N , exprimat prin raportul: I0N = PN / U0N ;
• factorul de ondulaţie, γ , definit prin relaţia (3.18) când redresorul
funcţionează la putere nominală;
• caracteristica externă, reprezintă dependenţa US = f(IS), ilustrată în figura
3.10, în condiţia 0 ≤ IS ≤ I0N .
Ideal, aceste caracteristici ar trebui să fie orizontale (liniile punctate din figura
3.10), dar aşa cum s-a precizat anterior, influenţa rezistenţei de sarcină RS asupra
tensiunii US este importantă, mai ales, în cazul redresoarelor cu filtru capacitiv. Cele
trei caracteristici reprezintă:
• Curba 1 este caracteristica externă în cazul redresorului fără filtru. Se observă
o cădere de tensiune (la curent nominal) mică (ΔU01).
Redresoare 69
• Curba 2 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru

capacitiv. Se remarcă o cădere mult mai mare de tensiune (ΔU02)
corespunzătoare curentului nominal.
• Curba 3 reprezintă caracteristica externă în cazul redresorului cu filtru π
(CLC). În această situaţie se observă o cădere de tensiune (ΔU03) mai mică
decât în cazul redresorului cu filtru capacitiv.
Un parametru care determină panta caracteristicii externe este rezistenţa
internă a redresorului, dată de relaţia următoare:
ΔU S
Ri = − (3.26)
ΔIS
Această rezistenţă este de dorit să rezulte cât mai mică, astfel încât
caracteristica externă reală să fie cât mai apropiată de caracteristica ideală.
Deoarece majoritatea consumatorilor industriali, ce funcţionează în curent
continuu, necesită o tensiune redresată cu un factor de ondulaţie cât mai mic, este
evidentă necesitatea utilizării filtrelor. Dezavantajul pe care îl introduc filtrele –
exprimat prin căderile de tensiune (ΔU02 , ΔU03) – poate fi compensat prin
utilizarea stabilizatoarelor de tensiune continuă (STC) conectate între filtre şi
consumatori (sarcini). În capitolul 4 se vor trata principiile de funcţionare şi schemele
principalelor tipuri de stabilizatoare de tensiune continuă.
Figura 3.10. Caracteristicile externe ale redresorului
3.3 Redresoare trifazate necomandate
Redresoarele trifazate (în general, polifazate) se construiesc pentru puteri

nominale mari. Cea mai simplă schemă de redresor trifazat utilizează un
transformator trifazat având secundarul conectat în stea (figura 3.11.)
Funcţionarea schemei se poate urmări în diagrama din figura 3.12. La un
moment oarecare conduce dioda care are anodul la potenţialul cel mai ridicat.
Curentul prin sarcină este:
is = i1 + i2 + i3 (3.27)
70 Capitolul 3
şi are, în cazul sarcinii rezistive, o formă pulsatorie. Tensiunea ur de la bornele

rezistenţei RS este egală cu tensiunea pe faza în care dioda conduce şi are forma
curbei cu linie întărită din figura 3.12.
În momentele ωt1 , ωt2 , ωt3 … se produce comutarea conducţiei de pe o
fază pe alta. Tensiunea continuă U0 de la bornele rezistenţei de sarcină este, prin
definiţie, integrala pe o perioadă a tensiunii ur, împărţită la perioadă (T). Perioada
tensiunii ur fiind 2π/3,
rezultă valoarea tensiunii U0:
π 2π
1 α0 +T 1 6+ 3
U0 =
T α0 ∫
u r (ω t )d (ω t ) =
2π π ∫
u r (ω t )d(ω t ) =
3 6 (3.28)
π 2π
3 6+ 3
∫
3 6
= π
2U 2 sin(ω t )d(ω t ) = U 2 ≅ 1,17 U 2
2π 2π
6
Descrierea funcţionării redresorului trifazat s-a făcut în ipoteza că
transformatorul este ideal (are inductanţele de scăpări neglijabile), iar sarcina
redresorului este rezistivă. În cazul când se admite că transformatorul nu este ideal,
deci intervin inductanţele de scăpări ale acestuia, sau când sarcina are caracter
inductiv, apar efecte care complică funcţionarea redresorului, în special la
producerea comutaţiei de pe o fază pe alta. Descrierea proceselor dintr-un redresor
real cu sarcină inductivă se poate urmări în lucrarea [2].
În schema redresor O schemă foarte des utilizată în practică, datorită
performan-ţelor superioare pe care le prezintă, este schema de redresare trifazată în
punte (figura 3.13).
Funcţionarea acestui redresor se explică utilizând diagramele curenţilor prin
faze, a curentului i0 (curentul prin sarcină) şi a tensiunii redresate, prezentate în
figura 3.14. În schema redresorului se observă că la un moment oarecare conduc
două diode: dioda cu potenţialul anodului cel mai ridicat şi dioda cu potenţialul
catodului cel mai scăzut. Astfel, în intervalul (t1, t2) conduc diodele D1 şi D5 ; în
intervalul (t2, t3) conduc diodele D1 şi D6 etc. Se remarcă faptul că frecvenţa
comutărilor este de două ori mai mare decât în cazul redresorului trifazat în stea,
deci perioada pulsaţiilor tensiunii redresate este de două ori mai mică.
Tensiunea ur de la bornele rezistenţei de sarcină este egală cu diferenţa
potenţialelor între acele borne ale înfăşurării secundare, la care sunt legate diode în
conducţie. Deci, tensiunea ur corespunde segmentelor verticale dintre curbele
trasate cu linie întărită şi axa timpului, situaţie ilustrată în figura 3.14.
Valoarea tensiunii continue, calculată în relaţia (3.29), este de două ori mai
mare decât în cazul redresorului trifazat simplu (conectat în stea):
3 6
U0 = U 2 ≅ 2,34 U 2 (3.29)
π
Redresoare 71
Figura 3.11. Redresor trifazat în stea Figura 3.12. Diagramele tensiunilor şi curenţilor
pentru redresorul trifazat în stea
Figura 3.13. Redresor trifazat în punte Figura 3.14. Diagramele tensiunilor şi curenţilor
pentru redresorul în punte
72 Capitolul 3
3.4 Întrebări
1. Ce este deosebirea dintre un invertor (I) şi un convertor – static de frecvenţă?
2. Ce condiţie trebuie să îndeplinească cele două diode ale unui redresor

bialternanţă, conectate la un transformator cu două secundare şi punct median?
3. Cum se explică (justifică) relaţia τ d >> τ i în cazul redresorului cu filtru capacitiv ?
4. Care sunt semnificaţiile şi expresiile analitice ale parametrilor redresorului de

mică putere Kr ; F; γ ?
CAPITOLUL 4
STABILIZATOARE ELECTRONICE
4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor
Stabilizatorul electronic este un circuit care are rolul de a menţine, în limite

strânse, valorile tensiunii sau curentului de alimentare, ale unei instalaţii industriale
sau de laborator. În lipsa stabilizatorului, pot fi depăşite limitele admise şi pot să
apară dereglări în funcţionarea instalaţiilor sau/şi erori de măsurare nepermise.
În prezent există un număr relativ mare de categorii şi tipuri de stabilizatoare
electronice. În funcţie de mărimea electrică de stabilizat există stabilizatoare de
tensiune şi de curent, iar în funcţie de metoda de stabilizare există stabilizatoare
electromecanice (pentru tensiuni alternative şi continue la consumatori de mare
putere), electromagnetice (cu miezuri magnetice saturate), parametrice (cu
elemente neliniare, montate în serie, sau în paralel cu sarcina) şi cu reacţie (care
funcţionează pe principiul sistemelor de reglare automată cu reacţie negativă).
În acest capitol vor fi prezentate stabilizatoarele parametrice şi cu reacţie. Ele
se pot conecta ca în figura 4.1, dacă tensiunea stabilizată este continuă. În principiu
tensiunea continuă poate fi stabilizată şi înainte de redresor, menţinând constantă
tensiunea alternativă cu stabilizatoare corespunzătoare. Varianta din figura 4.1 are
avantajul că menţine constantă tensiunea pe sarcină indiferent de cauzele care tind
să o modifice, motiv pentru care această variantă este cel mai des utilizată în
practică.
Figura 4.1. Schema bloc de conectare a unui stabilizator electronic
4.2 Stabilizatoare parametrice
Cele mai răspândite stabilizatoare parametrice sunt cele de tensiune

continuă, care fac parte componentă din alimentatoarele celor mai diverse circuite
74 Capitolul 4
electronice. Aceste stabilizatoare folosesc elemente neliniare (electrice, electronice,

electromagnetice), a căror caracteristică tensiune-curent asigură stabilizarea
tensiunii.
Majoritatea stabilizatoarelor parametrice folosesc ca element stabilizator dioda
Zener (figura 4.2-a) a cărei proprietate principală este de a prelua variaţii importante
ale curentului ( ΔI z ), cu variaţii reduse ale tensiunii ( ΔU z ) la bornele ei
(figura 4.2-b):
ΔI z = Iz max − I z min (4.1)
ΔU z = U z max − U z min (4.2)

Pentru RS = ∞, punctul de funcţionare al diodei se găseşte în A. Pe măsură
ce RS scade, creşte curentul i2 din RS, iar punctul de funcţionare se deplasează spre
B şi în continuare spre 0. Practic, pentru a nu se ajunge în zona neliniară a
caracteristicii, rezistenţa de sarcină se limitează astfel încât punctul de funcţionare M
să se situeze la mijlocul segmentului AB (liniar) al caracteristicii. În cazul funcţionării
în gol (RS = ∞) se alege o valoare pentru rezistenţa R (de “balast”), care să asigure
valoare maximă admisă a curentului I z max prin dioda Zener. În mod similar
funcţionează stabilizatorul şi în cazul variaţiei tensiunii de reţea: dacă tensiunea
reţelei creşte, cresc atât i 2 (într-o mică măsură), cât şi i z (într-o măsură mult mai
mare), iar punctul M de funcţionare se deplasează spre A. Invers, dacă tensiunea
reţelei scade, punctul de funcţionare se deplasează spre B.
Figura 4.2. Principiul stabilizatorului parametric cu diodă Zener:

a) schema; b) caracteristica tensiune-curent a diodei Zener
Pentru o funcţionare normală a stabilizatorului este necesar ca rezistenţa de

balast R să îndeplinească următoarea condiţie:
R min < R < R max (4.3)
4.2.1 Funcţionarea unui stabilizator parametric
Stabilizatoarele parametrice au ca elemente esenţiale diode Zener, tuburi cu

gaz de tip stabilovolt sau stabilitron. Schema unui stabilizator de tensiune cu diodă
Zener este dată în figura 4.3.
Stabilizatoare electronice 75
Figura 4.3. Stabilizator parametric cu diodă Zener
În această schemă sensurile adoptate pentru ia şi ua sunt inversate faţă de

schema din figura 4.2-b, astfel încât zona de stabilizare parametrică din caracteristica
statică a diodei se va desena în cadranul 1 (figura 4.4). Tensiunea aplicată la
intrarea în stabilizator este tensiunea de ieşire din filtrul redresorului şi s-a notat cu E
în schema din figura 4.3. Tensiunea de ieşire de pe rezistenţa de sarcină Rs este
identică cu tensiunea anodică ua a diodei Zenner (DZ). Pentru deducerea punctului
static de funcţionare (PSF) al diodei se utilizează relaţiile:
E = R ⋅ I + Ua (4.4)
I = I a + Is (4.5)
U
Is = a (4.6)
Rs
precum şi dependenţa ia = f(ua), dată grafic sub forma caracteristicii statice a diodei
Zener.
Figura 4.4. Modificarea PSF al diodei Zener la variaţia tensiunii de

intrare (a) şi la variaţia rezistenţei de sarcină (b)
Din relaţiile (4.4) … (4.6) rezultă ecuaţia dreptei statice de sarcină:

⎛ R ⎞
E = R ⋅ Ia + ⎜⎜ + 1⎟⎟ ⋅ U a (4.7)
⎝ RS ⎠
Punctele de intersecţie ale dreptei de sarcină (tăieturile) cu axele de
coordonate sunt:
76 Capitolul 4
E Rs
Ia = ; Ua = E ⋅ (4.8)
R Rs + R
În figura 4.4-a dreapta statică de sarcină este reprezentată printr-o linie
continuă. La intersecţia dintre caracteristica statică a diodei Zener şi dreapta de
sarcină se obţine PSF notat cu M. Proiecţiile duse din M pe axele de coordonate
determină coordonatele PSF. Aceste coordonate sunt: Ia 0 şi Ua 0 ≡ Uz. Panta
dreptei statice de sarcină se exprimă prin relaţia:
RR s
tg α = (4.9)
R + Rs
Rezultă că înclinaţia (panta) dreptei statice de sarcină nu depinde de valoarea
tensiunii E de la intrarea stabilizatorului. În funcţionarea stabilizatorului parametric pot
exista două regimuri distincte de lucru:
a) Dacă tensiunea de intrare E se modifică (creşte la valoarea E’, sau scade
la valoarea E”), iar Rs = ct., atunci tăieturile dreptei statice de sarcină cu
axele de coordonate vor fi (figura 4.4-a):
E' Rs E" Rs
I' = , U' = E' ; I" = , U" = E" (4.10)
R Rs + R R Rs + R
Se observă că E’ > E şi E” < E, respectiv U’ > U şi U” < U.
Înclinarea dreptei va fi aceeaşi (vezi figura 4.4-a).
Punctul static de funcţionare al diodei Zener se păstrează pe porţiunea în
care tensiunea Ua este practic constantă. Deci, modificarea tensiunii de
intrare duce la modificarea curentului Ia , însă tensiunea la bornele diodei,
deci tensiunea pe sarcină este practic constantă dacă PSF (M) nu intră în
raza de curbură a caracteristicii statice.
" '
b) Presupunând că rezistenţa de sarcină Rs variază între valorile R s şi R s ,
iar tensiunea de la intrare rămâne constantă (E = ct.), tăieturile dreptei
de sarcină cu axele de coordonate vor fi (figura 4.4-b):
' "
E Rs Rs
I = I' = I" = , U' = E ; U" = E (4.11)
R ' "
Rs + R Rs + R
' "
Observaţie. S-a considerat: R s > R s şi R s < R s .
Şi în acest caz modificarea poziţiei punctului static de funcţionare afectează
curentul prin diodă, tensiunea Ua rămânând practic constantă (vezi figura 4.4-b),
dacă PSF nu intră în zona de curbură a caracteristicii statice.
Concluzie: Proprietatea de stabilizare se păstrează în orice regim de lucru,

dacă punctul de funcţionare M nu intră în raza de curbură a caracteristicii statice a
diodei Zener (DZ).
4.2.2 Stabilizatoare cu reacţie având elemente de control serie şi

amplificator de eroare
Stabilizatorul cu elemente de control serie (ECS) şi amplificator de eroare este

cel mai răspândit. Acesta se construieşte după schema din figura 4.5.
Figura 4.5. Schema bloc a stabilizatorului cu element

de control serie şi amplificator de eroare
Elementul de comparaţie 5 compară două tensiuni: E0 şi Ur. Tensiunea de

referinţă E0, dată de un stabilizator parametric (diodă Zener), este constantă şi
proporţională cu valoarea prescrisă a tensiunii U0 (tensiunea de ieşire pe Rs).
Tensiunea Ur este proporţională cu valoarea reală a tensiunii U0:
R1
U r = U0 = k ⋅ U0 (4.12)
R1 + R 2
Diferenţa dintre aceste două tensiuni, obţinută la ieşirea elementului de
comparaţie 5, reprezintă eroarea sau abaterea tensiunii U0 de la valoarea prescrisă.
Amplificatorul 2 amplifică semnalul de eroare şi acţionează asupra elementului de
control 1 (ECS) în aşa fel, încât să se compenseze variaţiile tensiunii de ieşire
(±ΔU0) faţă de valoarea prescrisă. Elementul de execuţie 1 se comportă ca o
rezistenţă în serie, a cărei valoare este comandată de semnalul de ieşire al
amplificatorului 2. Dacă, de exemplu, tensiunea U0 tinde să scadă faţă de valoarea
nominală, elementul de comparaţie 5 sesizează abaterea, amplificatorul 2 amplifică
semnalul de eroare şi comandă, prin ieşirea sa, elementul de execuţie 1, în sensul
scăderii rezistenţei acestuia. Micşorarea rezistenţei elementului 1 duce la micşorarea
căderii de tensiune U’ pe acest element, deci la creşterea tensiunii U0, ceea ce
reprezintă compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0, întrucât
egalitatea:
E = U'+ U 0 (4.13)
dată de teorema a II-a a lui Kirchhoff se conservă în orice condiţie.

În figura 4.6 este dată schema detaliată a stabilizatorului cu ECS, prezentată
în figura 4.5.
78 Capitolul 4
Figura 4.6 Schema detaliată a stabilizatorului prezentat în figura 4.5
Tensiunea de referinţă E0 este dată de un stabilizator parametric format din

dioda Zener (Dz) şi rezistenţa R3. Semnalul de eroare este:
U be = U r − E 0 (4.14)
şi reprezintă mărimea de intrare în amplificatorul de eroare format din tranzistorul T1

şi rezistenţa R4. Elementul de control serie este tranzistorul T2, a cărui rezistenţă
este comandată de tensiunea de ieşire a amplificatorului de eroare.
Dacă tensiunea U0 tinde să scadă, va scădea şi tensiunea Ur (conform
relaţiei 4.12) deci scade şi tensiunea Ube, dată de relaţia 4.14. Curentul de bază al
tranzistorului T1 se micşorează ducând la reducerea curentului de colector, deci la
creşterea tensiunii de colector Uc1. Deoarece colectorul tranzistorului T1 este legat
direct la baza tranzistorului T2, creşterea potenţialului în colectorul tranzistorului T1
are ca efect o pozitivare accentuată a bazei tranzistorului T2. Acesta, fiind un
tranzistor npn, se va deschide mai mult (curentul de colector ic2 creşte), tensiunea
colector – emitor U’ scade, ducând la creşterea tensiunii U0 conform relaţiei (4.13).
Astfel, are loc compensarea efectului iniţial de scădere a tensiunii U0.
4.2.3 Stabilizatoare integrate de tensiune
Aceste stabilizatoare au performanţe superioare faţă de circuitele de

stabilizare având componente discrete şi pot fi realizate atât pentru tensiuni mari
(figura 4.7-a) cât şi pentru tensiuni mici (figura 4.7-b). Elementele de control serie
(ECS) sunt componente integrate, iar amplificatoarele de eroare sunt amplificatoare
operaţionale (AO). În figura 4.7-a amplificatorul de eroare lucrează în regim de
amplificator neinversor, iar în figura 4.7-b amplificatorul de eroare lucrează în regim
de repetor.
(a)- pentru tensiuni mari (b)- pentru tensiuni mici
Figura 4.7. Stabilizatoare de tensiune integrate
Tensiunea de ieşire U2 în funcţie de tensiunea de referinţă Ur are valorile:

a) pentru stabilizarea tensiunilor mari (U2 > Ur), figura 4.7-a:
R + R2
U2 = 1 ⋅ Ur (4.15)
R1
b) pentru stabilizarea tensiunilor mici (U2 < Ur), figura 4.7-b:
R1
U2 = ⋅ Ur (4.16)
R1 + R 2
Pentru a îmbunătăţi fiabilitatea stabilizatoarelor integrate şi pentru a elimina
căderile de tensiune pe conductoarele externe (ce pot modifica tensiunea de ieşire),
în prezent se realizează circuite stabilizatoare de tensiune fixă şi curenţi de sarcină
relativ mari.
Stabilizatoarele integrate pentru tensiuni fixe necesită un număr redus de
componente discrete externe (pasive şi active), fiind prevăzute cu trei terminale:
intrare, ieşire şi bornă de masă.
În figura 4.8 se prezintă schema clasică a unui stabilizator de tensiune integrat
cu trei pini. Acest montaj se caracterizează printr-o simplitate deosebită, deoarece în
afara circuitului integrat sunt necesare numai două condensatoare iar prezenţa diodei
de protecţie este facultativă.
Condensatorul C1 este indispensabil în montaj, în special atunci când STC se
află la o distanţă oarecare faţă de circuitul de filtrare care îl precede (la ieşirea
redresorului).
Condensatorul C2 de la ieşire are tot rol de filtrare, reducând suplimentar
tensiunea de zgomot propriu al stabilizatorului. Dioda D protejează circuitul integrat,
prin limitarea tensiunii inverse care poate să apară între intrare şi ieşire, în montajele
la care tensiunea de ieşire se menţine şi după anularea tensiunii de intrare (cazul
montajelor cu sarcini capacitive importante).
Exemplificând, schema generală din figura 4.8 se constituie într-un stabilizator
de tensiune fixă (5V) dacă STC este un circuit integrat tip LM7805 (figura 4.9).
Tensiunea de ieşire stabilizată în acest caz este:
U0 = Unom ± 5% unde Unom = 5V.
Stabilizatoarele din seria 78XX pot funcţiona corect numai dacă tensiunea de
intrare este cu cel puţin 2,5V superioară tensiunii de ieşire U0, adică:
Uin > U0nom + 2,5V (4.17)
80 Capitolul 4
Stabilizatoarele integrate pot îndeplini şi funcţia de regulatoare de tensiune,

dacă schemei din figura 4.9 i se ataşează un divizor rezistiv la care unul dintre
rezistoare este reglabil. Astfel, în figura 4.10, este prezentat un variator de tensiune
(în limite mici) utilizând circuitul specializat 7805.
Figura 4.8. Schema de principiu pentru un Figura 4.9. Stabilizator integrat

stabilizator integrat – tensiune fixă de tensiune fixă (5V)
Figura 4.10. Stabilizator integrat de tensiune variabilă
Tensiunea obţinută la ieşire are expresia:

U0 = U0nom(1 + R2/R1 + Ir R2) (4.18)
Curentul Ir (obţinut la pinul 3) are valori cuprinse în domeniul 4...8 mA.
Şi în acest caz protecţia împotriva suprasarcinilor rămâne activă în condiţia că
tensiunea de intrare nu depăşeşte valoarea maximă admisă (de firmă) care este de
regulă de 35 V. Variaţiile curentului rezidual Ir în funcţie de curentul de ieşire ar
putea afecta gradul de stabilizare al tensiunii de ieşire. Pentru a minimiza acest efect
se alege rezistorul R1, astfel încât prin el să treacă un curent de cel puţin cinci ori mai
mare decât curentul rezidual (IR1 ≥ 5 Ir). Întrucât valoarea cea mai mare a
curentului Ir este de 8 mA, se alege R1 = 120 Ω pentru stabilizatorul LM7805 utilizat
în acest caz. Pentru un stabilizator de 15V, realizat cu circuitul LM7815, se adoptă
R1 = 390 Ω. Din motive de stabilitate, nu este indicat să se depăşească plaja de
variaţie a tensiunii de ieşire, cu mai mult de 50%, faţă de tensiunea nominală. Din
acest motiv se alege R2 ≅ R1/2. În acest caz termenul IrR2 din expresia tensiunii de
ieşire (4.18) reprezintă circa 0,5V în cazul stabilizatorului de 5V. Variaţiile curentului
rezidual Ir (în funcţie de curentul de ieşire) vor avea o anumită influenţă asupra
tensiunii de ieşire când se reglează valoarea lui R2 către maxim.
În figura 4.11 este prezentată schema unui stabilizator de tensiune variabilă
utilizând circuitul integrat LM317 pentru tensiuni pozitive (sau LM337 pentru tensiuni
negative). Tensiunea de ieşire a stabilizatorului LM317 poate fi reglată între 1,2V şi
37V, la un curent maxim de 1,5A. Tensiunea de ieşire se poate determina folosind
relaţia:
Uout = 1,25⋅(1 + R2/R1) (4.19)
Figura 4.11. Stabilizator integrat de tensiune variabilă
Condensatorul C3 are rolul de a ameliora, suplimentar, factorul de rejecţie

global. Diodele D1 şi D2 au rolul de proteja circuitul integrat în cazul apariţiei unor
descărcări inverse ale condensatoarelor.
Observaţii: Deşi schema utilizată în cazul stabilizatoarelor ajustabile de
tensiune este identică cu cea din cazul stabilizatoarelor fixe, totuşi, baza de calcul
suferă o modificare generată de faptul că stabilizatoarele variabile dezvoltă o
tensiune de referinţă egală cu 1,25V, între pinul ADJ şi pinul VOUT (de ieşire).
CAPITOLUL 5
REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE
5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la

redresoarele de mică putere
Pentru ilustrarea unor noţiuni fundamentale privind utilizarea tiristoarelor în

mutatoare se consideră cel mai simplu redresor comandat, în schema monofazată,
monoalternanţă, cu sarcină rezistivă (figura 5.1). El conţine un dispozitiv de comandă
pe grilă, DCG, la intrarea căruia se aplică semnalul de comandă, uc. Scopul urmărit
este ajustarea tensiunii continue, la bornele sarcinii, prin intermediul tensiunii de
comandă uc.
Figura 5.1. Redresor comandat monoalternanţă Figura 5.2. Circuit de defazare
După modul cum DCG realizează amorsarea tiristorului (intrarea în

conducţie), există două metode de comandă pe grilă: comanda pe orizontală şi
comanda pe verticală.
Dispozitivul de comandă pe grilă transmite impulsurile iG pe grila tiristorului, la
fiecare semialternanţă pozitivă a tensiunii u2 (figura 5.3-b). Aceste impulsuri produc
amorsarea tiristorului. Până la aplicarea impulsului iG curentul ia prin tiristor este nul.
După deschiderea tiristorului curentul variază proporţional cu tensiunea aplicată u2.
Intervalul ωt iG
cuprins între începutul semialternanţei pozitive şi apariţia impulsului
care produce amorsarea tiristorului, se numeşte unghi de amorsare şi s-a notat cu αa.
Din figura 5.3 se observă că modificarea unghiului de amorsare se realizează
(1)
prin modificarea fazei impulsurilor iG. Astfel, impulsurile iG realizează unghiul de
amorsare αa1 şi curentul mediu prin tiristor este proporţional cu suprafaţa dintre curba
Redresoare comandate de mică putere 83
ia şi abscisă. Tensiunea continuă de pe rezistenţa de sarcină, proporţională cu

valoarea curentului mediu, rezultă mai mică decât în cazul când unghiul de amorsare
este zero, adică la redresorul necomandat. Dacă unghiul de amorsare creşte la
(2)
valoarea αa2, corespunzătoare impulsurilor iG , curentul continuu scade la o
valoare proporţională cu suprafaţa dublu haşurată.
Figura 5.3. Formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor

în cazul comenzii pe orizontală
Deci, prin ajustarea fazei impulsurilor de comandă, se poate modifica

unghiul de amorsare de la 0° la 180° şi tensiunea continuă variază de la 100% la
zero. Acest principiu este valabil în ambele metode de comandă pe grilă
(comanda pe orizontală şi comanda pe verticală).
La comanda pe orizontală, modificarea fazei impulsurilor iG se face prin
deplasarea pe orizontală a unei tensiuni alternative de comandă. În figura 5.3-c
este prezentată această tensiune, u~ , cu defazaj reglabil. DCG este astfel
construit, încât se generează impulsurile iG în momentul trecerii tensiunii u~ prin
zero, de la valori negative spre valori pozitive. Ajustarea fazei semnalului u~ se
poate face cu ajutorul unor circuite de defazare aşa cum este cel din figura 5.2.
În acest caz comanda defazajului, deci şi a tensiunii redresate, se face
printr-o acţiune de reglare manuală asupra reostatului R. Dacă se impune ca
tensiunea continuă să fie ajustată printr-un semnal de comandă uc, DCG trebuie
să conţină un oscilator electronic care generează o tensiune periodică, liniar
variabilă în timp, uLV, precum şi un circuit ce formează un impuls de comandă,
iG, atunci când se produce intersectarea tensiunilor uLV şi uc pe panta
83
84 Capitolul 5
descendentă a tensiunii uLV (figura 5.3-d). Modificarea tensiunii de comandă

conduce la modificarea corespunzătoare a fazei impulsurilor iG.
Comanda pe verticală a redresoarelor monofazate cu tiristoare este ilustrată
în figura 5.4. Dispozitivul de comandă pe grilă (DCG) generează iniţial o tensiune
alternativă U~, defazată cu 900 în urma tensiunii U2.
(a )
Impulsul de comandă pe grilă i G se formează iniţial la intersecţia cu
abscisa (pe porţiunea ascendentă a tensiunii U~). Ca urmare, unghiul de
0
amorsare a tiristorului are valoarea iniţială αa = 90 . Principiul comenzii pe verticală
constă în variaţia unghiului de amorsare a tiristorului prin deplasarea pe verticală a
tensiunii U~, deplasare ce are ca efect micşorarea sau creşterea unghiului de
amorsare faţă de unghiul iniţial αa.
Pentru a realiza deplasarea pe verticală a tensiunii U~, la nivelul DCG se
însumează o tensiune continuă de comandă (Uc – pozitivă sau negativă) cu
tensiunea U~.

în cazul comenzii pe verticală
Ajustarea tensiunii de comandă Uc determină reglarea unghiului de amorsare

astfel:
a. Creşterea tensiunii Uc în valori pozitive (Uc > 0) are ca efect reglarea

unghiului de amorsare (α1) în intervalul [00 ... 900], iar valoarea medie a
tensiunii redresate creşte (proporţional cu valoarea unghiului de conducţie α1)
în cadrul unei semialternanţe pozitive;
b. Creşterea tensiunii Uc în valori negative (Uc < 0) are ca efect reglarea
0 0
unghiului de amorsare (α2) în intervalul [90 ... 180 ], iar valoarea medie a
tensiunii redresate scade proporţional cu creşterea unghiului α2, între
[900 ... 1800].
Deci unghiul de amorsare a tiristorului se poate regla continuu, în domeniul
0
[0 ...1800], iar tensiunea medie redresată poate fi ajustată continuu, în domeniul
[0% ... 100%] din Ur.
La evaluarea comparativă a performanţelor redresoarelor având comandă
pe orizontală faţă de cele ce au comanda pe verticală, un criteriu important este
forma dependenţei tensiunii continue U0 în raport cu semnalul de comandă uc.
Expresia tensiunii continue U0 la un redresor monofazat comandat cu
sarcină rezistivă este:
2π π
1 1
U0 =
2⋅π ∫ u r d ( ωt ) =
2⋅π ∫ 2 ⋅U 2 sin(ωt ) ⋅ d(ωt ) =
0 αa (5.1)
2 ⋅U 2
= (1 + cos α a )
2⋅π
La comanda pe orizontală, figura 5.3.d, unghiul de amorsare αa se exprimă
în funcţie de tensiunea de comandă uc prin relaţia:
uc
α a = π ⋅ (1 − ) (5.2)
u c max
Înlocuind α a în relaţia (5.1) rezultă:
2 ⋅U 2 π uc
U0 = (1 − cos ) (5.3)
2⋅π u c max
deci dependenţa U0 = f(uc) este neliniară.
La comanda pe verticală, considerând că tensiunea de comandă maximă,
ucmax, este egală cu amplitudinea tensiunii u~ , relaţia dintre unghiul de amorsare
(αa) şi tensiunea uc este:
uc
α a = arccos( ) (5.4)
u c max
Înlocuind relaţia 5.4 în ultima formă a relaţiei 5.1 se obţine:
85
86 Capitolul 5
2 ⋅U 2 uc
U0 = (1 + ) (5.5)
2⋅π u c max
deci, dependenţa U0 = f(uc) este liniară. Această proprietate reprezintă un avantaj
important al comenzii pe verticală faţă de comanda pe orizontală, întrucât redresorul
comandat poate fi utilizat ca element de execuţie într-un sistem liniar de reglare
automată (de exemplu reglarea turaţiei motorului de curent continuu).
5.2 Circuite specializate pentru comanda în fază a

tiristoarelor
Pentru reglarea unghiului de conducţie a tiristoarelor şi/sau triacurilor se pot

utiliza dispozitive electronice specializate, care pot fi realizate cu ajutorul
componentelor electronice discrete sau cu ajutorul circuitelor integrate. Unul dintre
cele mai utilizate circuite integrate, destinat comenzii în fază a elementelor de
redresare, este circuitul integrat ßAA-145. Schema electronică test pentru o aplicaţie
tipică (cu posibilităţi de comandă a două tiristoare) realizată cu circuitul integrat ßAA-
145 este prezentată în figura 5.5. Făcând abstracţie de schema electronică detaliată
prezentată în [9], semnificaţia terminalelor (pinilor) este următoarea:
1- Alimentare (+V) 9- Intrare de sincronizare

2- Ieşire monostabil 10- Ieşire ( E1 )
3- Masă 11- Comandă durată (tp)
−
13- Alimentare ( I ) 14- Ieşire (E2)
6- Blocare impuls 15- Referinţa de tensiune (-V)
7- Rampă de tensiune 16- Sincronizare paralel
8- Comandă fază ( V8 )
Figura 5.5. Dispozitiv de comandă pe grilă realizat cu ßAA-145

Observaţie: Este recomandat să se utilizeze un transformator coborâtor de

tensiune, pentru separare galvanică (220V~/24V~), asociat cu divizorul rezistiv
pentru alimentarea pinului de sincronizare (9). În acest caz valorile rezistenţelor
divizorului se adoptă astfel încât curentul de sincronizare (consumat la pinul 9) să
aibă valoarea de 10 mA, această valoare fiind un parametru de catalog.
Acest circuit permite reglarea unghiului de conducţie (φ) în domeniul 0-180
grade, atunci când tensiunea de comandă aplicată la pinul 8 variază în domeniul
0...8V. Variaţia unghiului de conducţie în raport cu tensiunea de comandă (V8) este
prezentată în figura 5.6.
Figura 5.6. Variaţia unghiului de conducţie
Figura 5.7. Diagrama impulsurilor de comandă
Impulsurile de comandă, ce urmează a fi aplicate pe porţile tiristoarelor sau

triacurilor, se obţin la pinii 10 şi 14. Durata impulsurilor (tp) se poate ajusta cu
ajutorul unui potenţiometru semireglabil (Rt) de 250 KΩ conectat la pinul 11.
87
88 Capitolul 5
Cele două impulsuri de comandă (V10 şi V14) sunt decalate permanent cu un

unghi constant de 180 grade, figura 5.7, dar unghiul de conducţie ϕ se poate regla în
intervalul 0...180 grade datorită translaţiei pe orizontală a celor două impulsuri.
Blocarea impulsurilor de comandă (inhibarea circuitului ßAA-145) se poate
face conectând pinul 6 la masă.
Întrucât impulsurile de comandă (V10 şi V14) sunt de mică putere, acestea
trebuie amplificate cu ajutorul unor amplificatoare de tip Darlington.
Impulsurile astfel amplificate sunt aplicate pe porţile tiristoarelor/triacurilor prin
intermediul unor transformatoare de impulsuri, realizate cu miezuri de ferită şi
dimensionate corespunzător. Aceste transformatoare realizează separare galvanică
Între circuitul de forţă (tiristor sau triac) şi circuitul de comandă unde se află circuitul
integrat βAA – 145.
5.3 Redresor monofazat semicomandat în punte
În cazul redresorului semicomandat, tensiunea de ieşire Ud este reglabilă în

limitele [0...100%]. Reglajul tensiunii se face prin comanda corespunzătoare a
tiristoarelor din circuit. Schema electrică a redresorului monofazat în punte
semicomandată (cu sarcină inductiv-rezistivă) este prezentată în figura 5.8, iar
formele de undă ale tensiunilor şi curenţilor prin circuitul redresor-sarcină sunt date în
figura 5.9.
Figura 5.8. Schema electrică a redresorului monofazat

în punte semicomandată
Tiristoarele trebuie comandate pe intervalul în care tensiunea lor în sensul

anod – catod este pozitivă. Momentul în care tensiunea pe tiristor este nulă şi
urmează să devină pozitivă în sensul anod - catod, se alege ca moment de referinţă
pentru comanda pe grilă. În raport cu referinţa, impulsul de amorsare (aprindere) a
fiecărui tiristor poate fi aplicat la un interval de timp variabil. Exprimat în radiani, acest
interval defineşte unghiul de comandă (α) pentru tiristoare. Momentul de referinţă
pentru unghiul de comandă este momentul trecerii prin zero a tensiunii reţelei, în
cazul redresorului monofazat. Unghiul de comandă (α) exprimă intervalul de timp
cuprins între momentul începutului blocării tiristorului T1 şi momentul în care începe
conducţia tiristorului T2.
În punctul A al diagramelor, începe ieşirea din conducţie a tiristorului T2 şi
intrarea în conducţie a diodei D1.
Intervalele de comutaţie γ1 şi γ 2 definesc timpii necesari blocării tiristoarelor

şi intrării în conducţie a diodelor. După intervalul de conducţie γ 2 , curentul de
sarcină trece în întregime prin T1 şi D1. Tensiunea redresată Ud pe sarcină (LS,
RS) se obţine în intervalele de timp în care are loc conducţia simultană pe T1, D1 şi
respectiv T2, D2 . Tiristorul T1 se stinge natural în punctele (momentele) B şi D, iar
tiristorul T2 se blochează natural în momentele A, C şi E.
Tensiunea medie redresată (Ud) este dată de relaţia:
2
Ud = U S (cos α + 1) ; (5.6)
π
unde: US – este valoarea eficace a tensiunii din secundar ( U 21 = U 2 2 );
α – este unghiul de conducţie al tiristoarelor.
89
90 Capitolul 5
Observaţii:
a) Pe durata conducţiei tiristoarelor, diodele de acelaşi indice (nume) joacă rolul
de redresor, iar în intervalul unghiului de comandă cele două diode D1 şi D2
joacă rolul de protecţie (descărcare) împotriva tensiunilor de autoinducţie ce
apar în momentul blocării tiristoarelor, asigurând curentul neîntrerupt prin
sarcina RS, LS.
b) Durata de conducţie a diodelor este mult mai mare decât durata de conducţie
a tiristoarelor.
c) Tensiunea redresată (Ud) creşte dacă unghiul de comandă α scade.
Valoarea minimă a unghiului de comandă (α) se adoptă în intervalul 5÷8
grade electrice, interval de timp necesar preluării conducţiei de la tiristoare de
către diode.
5.4 Întrebări şi problemă

1. Ce avantaj oferă comanda pe verticală, faţă de metoda comenzii pe orizontală (în
cazul redresoarelor comandate) ?
2. Care este rolul şi seminificaţia terminalelor (pinilor) de la circuitul integrat βAA-

145, specializat pentru comanda în fază a tiristoarelor şi triacurilor?
Problemă
Se dă circuitul de redresareşi stabilizare din figură pentru care se cunoaşte:
u1 ( t ) = 240 ⋅ sin ( ωt ) [ V ] ; K TR = 8;
α c = 900 ( unghiul de comutatie al tiristorului )
R = 200 [ Ω ] ; rDZ = 8 [ Ω ] ;
R S = 50 [ Ω ] ; U Z = 9,1[ V ] .
Se cere:
a) Tensiunea medie redresată U 0 ;
b) Tensiunea între punctele M şi N (U MN ) ;
c) Unghuiul de conducţie θ al diodei Zenner;
d) Valoarea curentului de sarcină (I S )
CAPITOLUL 6
CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI

SECVENŢIALE
6.1 Funcţii logice elementare
Algebra logicii, numită şi algebră booleană (după numele matematicianului

irlandez G. Boole, 1815-1864), operează cu propoziţii, la care interesează
veridicitatea acestora. În algebra booleană se utilizează logica bivalentă, conform
căreia o propoziţie poate fi adevărată sau falsă. Fiecărei propoziţii i se poate asocia o
variabilă, numită variabilă logică sau binară, care are valoarea 1, când propoziţia
este adevărată şi valoarea 0 când propoziţia este falsă. Fie de exemplu, propoziţia:
“butonul X este acţionat” (figura 6.1-a). Acestei propoziţii i se poate asocia variabila
binară x, care are valoarea 1 dacă propoziţia este adevărată (butonul fiind acţionat,
contactul electric este închis) şi valoarea 0 dacă propoziţia este falsă (contactul
electric deschis). În mod similar, propoziţiei “releul Y este acţionat” (figura 6.1-b) i se
poate asocia variabila binară y, având o semnificaţie asemănătoare.
Figura 6.1. Definirea funcţiilor Figura 6.2. Realizarea identităţii logice.

logice elementare.
Veridicitatea unei propoziţii poate să depindă de veridicitatea altor propoziţii.

Ilustrând această idee prin exemple simple, luate din domeniul schemelor de
comandă cu relee şi contacte, se vor introduce – în cele ce urmează – funcţiile logice
elementare.
1 Identitatea logică. Referindu-ne la cele două propoziţii menţionate anterior
constatăm că în schema din figura 6.2, propoziţia a doua este adevărată când prima
propoziţie este adevărată şi invers. Deci se obţine identitatea logică:
y≡x (6.1)
Identităţii logice îi corespunde tabelul de adevăr 6.1-a.
2 Negaţia logică. În cadrul schemei din figura 6.3, contactul butonului X este
normal închis. Când butonul este acţionat, acesta îşi deschide contactul, circuitul se
92 Capitolul 6
întrerupe, iar releul Y nu va fi acţionat. Se realizează deci negaţia logică, notată

simbolic:
y= x (6.2)
Figura 6.3. Realizarea negaţiei logice Figura 6.4. Realizarea funcţiei logice SAU
Tabelul 6.1 Tabelul 6.2
a) x 0 1 x1 0 1 0 1
y≡x 0 1 x2 0 0 1 1
y=x1+x2 0 1 1 1
b) x 0 1
y= x 1 0
În cazul negaţiei logice, corespondenţa dintre variabila dependentă (y) şi cea
independentă (x) este dată de tabelul de adevăr 6.1-b.
Disjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1+x2 şi are
valoarea 1 dacă una dintre variabile are valoarea 1, sau ambele variabile au valoarea
1. Tabelul de adevăr 6.2 al disjuncţiei logice arată că aceasta are valoarea 1 dacă x1
sau x2 au valoarea ”1” logic sau x1 şi x2 au valoarea logică 1. Ca urmare, disjuncţia
logică se mai numeşte funcţie logică “SAU”. Interpretarea fizică a acesteia este
ilustrată prin schema dată în figura 6.4, din care rezultă:
y = x1 + x2 (6.3)
Generalizând, disjuncţia logică poate conţine n variabile binare, situaţie în
care funcţia ”SAU” este:
y = x1 + x2 + x3 + ... + xn (6.4)
x ⋅x
4 Conjuncţia logică a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin 1 2 şi are
valoarea 1 dacă ambele variabile au valoarea 1. Din tabelul de adevăr 6.3 se
constată că numai atunci când x1 şi x2 au valoarea logică 1, conjuncţia logică are
valoarea 1.
Din acest motiv, conjuncţia logică se mai numeşte funcţie logică “ŞI”.
Realizarea fizică a funcţiei “ŞI” cu două variabile este dată în schema din figura 6.5,
de unde rezultă:
y = x1 ⋅ x 2 (6.5)
În cazul general, conjuncţia logică se realizează cu n variabile binare, situaţie
în care funcţia ”ŞI” este:
y = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ ... ⋅ xn (6.6)
Circuite logice combinaţionale şi secvenţiale 93
Tabelul 6.3
Figura 6.5.
Uneori, simbolizarea disjuncţiei logice şi respectiv a conjuncţiei logice realizate

cu două variabile (ca în exemplul de faţă) se poate face astfel:
y =x1 ∪ x2 ; y = x1 ∩ x2 (6.7)
Funcţiile logice NU, SAU, ŞI reprezintă funcţii elementare în algebra
propoziţiilor. În afara acestora, se mai utilizează şi alte funcţii logice (derivate), cum
sunt: NICI, NUMAI, SAU EXCLUSIV etc.
Funcţia logică NICI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi
este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.4. Se remarcă faptul că funcţia are
valoarea 1, atunci când nici x1, nici x2 nu sunt egale cu 1. Comparând tabelele de
adevăr 6.2 şi 6.4, se constată că funcţia NICI reprezintă, de fapt, funcţia SAU negată:
x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 (6.8)
Din acest motiv, funcţia NICI se mai numeşte funcţie SAU-NU, iar în
terminologia engleză este NOR (Not-OR).
Funcţia logică NUMAI a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin x1↓ x2 şi
este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.5.
Tabelul 6.4.
x1 0 1 0 1
x2 0 0 1 1
1 0 0 0
y= x1 + x 2
x1 0 1 0 1 x1 0 1 0 1
x2 0 0 1 1 x2 0 0 1 1
1 1 1 0 x1⊕x2 0 1 1 0
y= x1 ⋅ x 2
Din compararea tabelelor de adevăr 6.3. şi 6.5 rezultă că funcţia NUMAI se
obţine prin negarea funcţiei ŞI, adică se mai numeşte funcţia ŞI-NU, iar în
terminologia engleză NAND (Not –AND):
x1 ↑ x 2 = x 1 ⋅ x 2 (6.9)
Observaţie: Şi în cazul funcţiilor NOR şi NAND, acestea se pot realiza cu n
variabile binare.
Funcţia logică SAU-EXCLUSIV a două variabile binare x1 şi x2 se notează prin
x1⊕x2 şi este definită prin intermediul tabelului de adevăr 6.6. Semnificaţia şi
denumirea funcţiei este legată de interpretarea propoziţiilor de forma: “Maşina
electrică funcţionează în regim de motor sau în regim de generator”, fapt ce exclude
posibilitatea de a fi adevărate simultan cele două alternative implicate în propoziţie.
În conformitate cu tabelul de adevăr 6.6, funcţia SAU-EXCLUSIV este disjuncţia
x1 ⋅ x 2 x1 ⋅ x 2
termenilor şi , adică:
(6.10)
94 Capitolul 6
6.2 Relaţii fundamentale în algebra logicii

Pentru transformarea unor expresii logice în altele, echivalente celor iniţiale,
însă cu o structură mai simplă, se folosesc o serie de relaţii (proprietăţi)
fundamentale, date în tabelul 6.7. Verificarea acestor proprietăţi se poate face cu
uşurinţă utilizând tabelele de adevăr ale funcţiilor logice elementare. Relaţiile date în
tabelul 6.7 permit exprimarea funcţiilor NICI, NUMAI şi SAU–EXCLUSIV prin
intermediul funcţiilor elementare NU, ŞI, SAU.
Tabelul 6.7
Nr.
crt. Denumirea relaţiei logice
Proprietăţile constantelor logice 0 şi 1 x+0=x x ⋅0 = 0
1
x + 1 = 1 x ⋅1 = x
x+x=x
2 Proprietatea de idempotenţă
x⋅x=x
(x1⋅x2)⋅x3 = x1⋅(x2⋅x3)
3 Proprietatea de asociativitate
(x1+x2)+x3 = x1+(x2+x3)
x1⋅x2 = x2⋅x1
4 Proprietatea de comutativitate
x1+x2 = x2+x1
x1⋅(x2+x3) = (x1⋅x2)+(x1⋅x3)
5 Proprietatea de distributivitate
x1+(x2⋅x3) = (x1+x2)⋅(x1+x3)
x1+x1⋅x2 = x1
6 Proprietatea de absorbţie
x1⋅(x1+x2) = x1
x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2
7 Teoremele lui De Morgan
x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2
8 Principiul contradicţiei x⋅ x =0
9 Principiul terţului exclus x+ x =1
10 Principiul dublei negaţii x =x
Astfel, utilizând relaţiile de definiţie (6.8) şi (6.9) precum şi teoremele lui De

Morgan rezultă:
x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 (6.11)
x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 (6.12)
Transformările inverse, de la funcţiile NICI şi NUMAI, la funcţiile NU, ŞI, SAU,
se realizează astfel:
x=x+x=x↓x (6.13)
x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2
(6.14)
x1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 + x 2 = x1 ↓ x 2 (6.15)
x = x⋅x = x↑ x (6.16)
x1 + x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2 (6.17)
x 1 ⋅ x 2 = x1 ⋅ x 2 = x 1 ↑ x 2 (6.18)
Relaţiile de transformare (6.13) … (6.18) sunt sintetizate în tabelele
recapitulative 6.8 şi 6.9.
x1 ↓ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↓ x 2
x1 ↓ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↓ x 2
x1 ↑ x 2 = x1 + x 2 x1 + x 2 = x1 ↑ x 2
x1 ↑ x 2 = x1 ⋅ x 2 x1 ⋅ x 2 = x1 ↑ x 2
În algebra propoziţiilor, funcţiile logice elementare NU, ŞI, SAU formează un

sistem complet de funcţii, întrucât prin intermediul lor se poate exprima orice altă
funcţie logică. Relaţiile (6.13)…(6.18) arată că atât funcţia NICI, cât şi funcţia NUMAI
pot juca rolul unui sistem complet de funcţii elementare, ceea ce le oferă o
importanţă deosebită în circuitele logice de comandă.
6.3 Circuite logice. Realizarea funcţiilor logice elementare

cu dispozitive electronice
În § 6.1 s-a arătat modul de realizare a funcţiilor logice elementare prin
intermediul contactelor. Funcţiile logice se pot realiza şi cu ajutorul unor circuite
electronice, numite circuite logice, în componenţa cărora intră diode şi tranzistoare,
care lucrează în regim de comutaţie.
Diodele semiconductoare se consideră ideale (cu rezistenţă internă nulă). Dacă

dioda este polarizată în sens direct, ea va fi asimilată cu un element conductor ideal
(contact închis), iar dacă este polarizată invers, se consideră ca un izolator ideal
(contact deschis). Tranzistoarele utilizate în circuitele logice funcţionează în regim de
comutaţie. Punctul static de funcţionare (M) al unui tranzistor bipolar este plasat pe
dreapta de sarcină în M” (regim de saturaţie) – corespunzător unei tensiuni
neglijabile în colector, ceea ce echivalează cu semnalul “0” logic. De asemenea,
punctul static poate fi în poziţia M’ (regim de blocare), când tensiunea în colectorul
tranzistorului este aproximativ egală cu tensiunea de alimentare, ceea ce
echivalează cu semnalul “1” logic. În mod similar se consideră şi tranzistoarele
unipolare, cu deosebirea că în starea “0” logic (tranzistor saturat), căderea de
tensiune pe tranzistor este mai mare decât la tranzistorul bipolar.
Valorilor logice ”0” şi ”1” li se asociază două niveluri de tensiuni electrice: nivel
coborât (L -Low) şi nivel ridicat (H - High). Regula de asociere:
" 0" logic → (0, ... ,+ ε1 )V → L
" 1" logic → (+ E − ε 2 , ... , E ) → H
(6.19)
96 Capitolul 6
în care ε1 şi ε2 sunt toleranţe admise, corespunde logicii pozitive şi se aplică, de

exemplu, la utilizarea tranzistoarelor bipolare de tip npn. În alte situaţii, ca de
exemplu la utilizarea tranzistoarelor de tip pnp, se adoptă logica negativă, căreia îi
corespunde regula de asociere:
" 0" logic → (0, ... ,−ε1 ) V → L
" l" logic → (− E + ε 2 , ... ,− E ) → H
(6.20)
Sub aspect tehnologic, circuitele logice se pot realiza utilizând componente
discrete sau sub formă de circuite integrate.
În primele variante constructive, circuitele logice conţineau componente
discrete. În figura 6.6 este dată schema unui circuit logic NU (logică pozitivă). Dacă x
= 0, tensiunea de intrare ux este egală cu 0 V, baza este negativată (prin sursa –Eb),
tranzistorul este blocat, deci la ieşire se obţine uy. E, adică y = 1. Dacă x = 1,
tensiunea de intrare este ux. E şi tranzistorul lucrează în saturaţie; la ieşire se obţine
o tensiune uy = 0 V, deci y = 0.
În figura 6.7 este dată schema unui circuit SAU cu diode, lucrând în logica
pozitivă. Funcţionarea acestui circuit este următoarea: dacă x1 = 0, x2 = 0, adică
tensiunile de intrare sunt egale cu 0 V, toate punctele circuitului se vor afla la
potenţial nul, deci y = 0; dacă x1 = 1, x2 = 0, dioda D1 conduce, D2 este blocată şi
tensiunea de ieşire este egală cu cea de la prima intrare, deci y = 1; atunci când x1 =
0, x2 = 1 sau x1 = 1 şi x2 = 1, funcţionarea este similară, conducând D2, respectiv D1 şi
D2, astfel încât y = 1.
Schema unui circuit ŞI cu două intrări, realizat cu diode, în logică pozitivă este
dată în figura 6.8. Dacă x1 = 0 şi x2 = 0, intrările sunt conectate la potenţialul bornei
comune şi diodele D1, respectiv D2 conduc. Tensiunea de ieşire este egală cu
valoarea căderii de tensiune pe diodele care conduc, deci rezultă y ≅ 0. Dacă x1 = 1
şi x2 = 0, conduce dioda D2, iar D1 este blocată.
Tensiunea de ieşire este egală cu valoarea căderii de tensiune pe dioda D2,
adică ≅ 0V, deci y = 0. În mod similar rezultă y = 0 când x1 = 0, x2 = 1. Atunci când x1
= 1 şi x2 = 1, bornele de intrare având potenţialul +E ( E ≥ E1 ), ambele diode sunt
blocate (având semnal pozitiv la catozi), iar la ieşire rezultă semnal logic y = 1.
Figura 6.6. Circuit logic NU Figura 6.7. Circuit SAU Figura 6.8. Circuit ŞI
Circuitele SAU-NU (NOR), respectiv circuitul ŞI-NU (NAND) realizate cu

ajutorul componentelor discrete (diode, rezistoare şi tranzistoare) se obţin prin
conectarea în serie a circuitului SAU, respectiv ŞI, cu circuitul NU. Schemele acestor
circuite, precum şi simbolizarea lor, sunt date în figurile 6.9, respectiv 6.10.
Figura 6.9. Circuit SAU-NU (NOR) gura 6.10. Circuit ŞI-NU (NAND)
6.4 Circuite logice integrate

(poarta logică NAND - TTL)
În prezent circuitele logice se realizează aproape în exclusivitate sub formă de
circuite integrate. După tehnologia utilizată, circuitele logice integrate (CLI) se
clasifică în: CLI bipolare, în care se utilizează tranzistoare bipolare, şi CLI-MOS,
realizate cu tranzistoare unipolare TEC-MOS. La realizarea CLI bipolare s-au adoptat
mai multe tipuri de structuri de bază, dintre care menţionăm, în ordinea în care s-au
succedat, tipurile: RTL, DTL, TTL, HLL şi I2L.
Circuitele RTL (Resistor-Transistor-Logic) au intrările prin rezistenţe,

conectate la bazele tranzistoarelor bipolare.
Circuitele DTL (Diode-Transistor-Logic) au structura similară circuitelor cu

componente discrete.
Circuitele RTL şi DTL având performanţe reduse, în prezent nu mai sunt

utilizate.
Circuitele TTL (Transistor- Transistor-Logic) sunt în prezent cele mai utilizate

CLI. Modulul logic reprezentativ al familiei de circuite TTL este circuitul ŞI-NU, a cărui
schemă este dată în figura 6.11.
Tranzistorul de intrare, T1, este de tip multiemitor, adică are o joncţiune bază-
colector şi mai multe joncţiuni bază-emitor. Dacă la una dintre intrări se aplică
tensiunea 0V, adică intrarea respectivă se leagă la masă, joncţiunea bază-emitor
respectivă conduce, potenţialul bazei este practic egal cu 0V iar joncţiunea bază-
colector nu conduce. Astfel curentul i în colectorul lui T1 este neglijabil.
98 Capitolul 6
Figura 6.11. Circuit ŞI-NU (NAND) TTL
Tranzistorul T2 este blocat şi întrucât iE2 = 0, potenţialul bazei tranzistorului T4

este practic egal cu 0V, deci şi acest tranzistor este blocat. Ca urmare, potenţialul
colectorului acestui tranzistor (T4), adică potenţialul bornei de ieşire este practic egal
cu +E, întrucât T3 este în conducţie (saturat). Deci, în această situaţie, cât şi în
situaţiile când mai multe intrări au tensiunea de 0V, tensiunea de ieşire este practic
+E, iar curentul prin sarcina conectată la ieşire este asigurat de tranzistorul T3 care
este în saturaţie. Dacă la toate intrările se aplică tensiunea +E, joncţiunile bază-
emitor ale tranzistorului T1 nu conduc, însă va conduce joncţiunea bază-colector,
stabilindu-se un curent i suficient de mare pentru aducerea în saturaţie a
tranzistorului T2. Curentul iE2 fiind mare, se asigură o cădere de tensiune pe
rezistenţa RE, care determină saturarea tranzistorului T4. În acelaşi timp tranzistorul
T3 este blocat, deoarece tensiunea bază-emitor aplicată acestuia este neglijabilă.
Întrucât T3 se comportă ca un contact deschis, iar T4 ca un contact închis, tensiunea
de ieşire este 0V, deci y = 0.
Observaţii:
1 Când ieşirea este ”1” logic (y = 1), tranzistorul T3 se comportă ca un repetor
pe emitor, generând curentul de sarcină.
2 Dioda D este conectată între tranzistorele T3 şi T4 din motive tehnologice.
Caracteristica de transfer a tensiunii pentru poarta TTL (NAND) este

prezentată în figura 6.12.
Practic, valorile tensiunilor pentru ”0” logic şi ”1” sunt:
VH 0,4 V pentru y=”0” logic
VH 3,5 V pentru y=”1” logic
Valorile standardizate pentru circuitele TTL sunt 0V şi 5V.
Figura 6.12.
Observaţie: În timpul funcţionării (la trecerea din starea ”0” logic în starea ”1”
logic) apare un impuls de curent tranzitoriu (curent suplimentar) datorită conducţiei
simultane a tranzistoarelor T3 şi T4, într-un interval de timp foarte scurt (de ordinul
microsecundelor). Cauza conducţiei simultane este aceea că T3 comută mai rapid în
conducţie decât comută T4 în starea de blocare. Astfel T3 îl ”surprinde” pe T4 în
conducţie, când acesta ar trebui să fie deja blocat. Expresia curentului maxim de
impuls în colector (ICC-max) la ieşirea porţii TTL este:
VCC − VCE (T3 − sat.) − VCE (T4 − sat.) − VD
I CC − max =
R C3 (6.21)
unde:
VD – este căderea de tensiune pe dioda D;
VCE (T3 − sat.)
- tensiunea colector-emitor când T3 este saturat;
VCE (T4 − sat.)
- tensiunea colector-emitor când T4 este saturat.
În starea ”1” logic tensiunea VH la ieşirea porţii TTL este:
VH = VCC − VCE (T3 − sat.) − VD
(6.22)
6.4.1. Poarta logică integrată NOR (SAU-NU)
În cele ce urmează se prezintă poarta integrată NOR (SAU-NU) realizată cu

numai 2 (două) intrări, ce are schema electrică prezentată în figura 6.13.
Perechile de tranzistoare T1, T2 şi T’1, T’2 formează două etaje de intrare conectate în
paralel pe rezistoarele R2 şi R3. Funcţionarea este următoarea:
a) Dacă T2 sau T’2 este saturat, atunci tranzistorul T3 va fi saturat, iar T4 este
blocat. Deci la ieşirea F se obţine V0=”0” logic.
Observaţie: T2 sau T’2 sunt saturate dacă T1 sau T’1 sunt blocate, adică VIA
sau VIB au valoarea „1” logic (+E volţi).
b) Dacă T2 şi T’2 sunt blocate, atunci când T1 şi T’1 sunt saturate, la ieşire se
obţine V0=”1” logic (+E volţi), deoarece T3 este blocat iar T4 este saturat.
Figura 6.13. Poarta TTL (NOR)
Concluzie: Circuitul NOR (SAU-NU) realizează funcţia logică

F ="1" = V0 = A + B = A ⋅ B
,
100 Capitolul 6
când ambele intrări sunt legate la masă.

La ieşirea F se obţine ”0” logic dacă una dintre intrări (sau ambele) au nivel de
tensiune ”1” logic.
6.5 Circuite logice combinaţionale
6.5.1 Noţiuni generale
Fie un circuit de comandă (figura 6.14-a), caracterizat prin următoarele

elemente:
- elemente de intrare: U1, U2, …, Um, reprezentând contacte de butoane
şi de limitatoare de cursă, contacte ale unor relee din alte scheme de
comandă etc;
- elemente de ieşire: Y1, Y2, …, Yr, reprezentând înfăşurări de relee
şi/sau contactoare, înfăşurări ale robinetelor electromagnetice, lămpi de
semnalizare etc;
- ansamblul elementelor de comandă (contacte sau circuite logice), ale căror
structuri sunt cunoscute.
Figura 6.14. a) Circuit combinaţional; b) Simbolizarea circuitului combinaţional
Asociind elementelor de intrare-ieşire variabile binare, notate cu litere mici,

schema de comandă se poate reprezenta ca în figura 6.14-b, în care u1, u2, …, um
se numesc mărimi de intrare, iar y1, y2, ... yr – mărimi de ieşire. Mărimile de intrare
sunt variabile binare independente, iar mărimile de ieşire sunt variabile binare
dependente.
Circuitele logice combinaţionale sunt acele circuite de comandă la care
setul mărimilor de ieşire, în orice moment, este determinat în mod univoc de o
combinaţie dată a mărimilor de intrare, în momentul considerat. Cu alte cuvinte, unei
situaţii date a elementelor de intrare (acţionate sau neacţionate), îi corespunde în
mod univoc o anumită situaţie a elementelor de ieşire. Circuitele logice
combinaţionale sunt descrise prin ecuaţii ieşire-intrare de forma:
y1 = f1 (u1, u 2 , ..., u m )
y 2 = f 2 (u1, u 2 , ..., u m )
(6.23)
M M
y r = f r (u1, u 2 , ..., u m )
în care f1(.), f2(.), …, fr(.) sunt funcţii booleene, adică funcţii în care variabilele
logice sunt legate prin operaţiile din algebra logicii.
În privinţa circuitelor logice combinaţionale se pot formula două categorii de
probleme:
- analiza circuitelor logice combinaţionale;

- sinteza (proiectarea) circuitelor logice combinaţionale.
6.5.2 Analiza circuitelor logice combinaţionale
Într-o problemă de analiză se dă structura circuitului combinaţional, starea

elementelor de intrare (dacă sunt acţionate sau nu) şi se cere starea elementelor de
ieşire. O problemă de analiză, de tipul celei formulate, se rezolvă în trei etape:
• pornind de la schema circuitului combinaţional, se asociază variabile binare
elementelor fizice de intrare-ieşire şi se scrie funcţia logică corespunzătoare
schemei date;
• se înlocuiesc variabilele binare independente cu 1 sau 0, după starea
elementelor de intrare respective;
• se evaluează expresia logică, deteminând variabila dependentă (mărimea de
ieşire): dacă aceasta este 1, elementul de ieşire este acţionat, iar dacă
expresia logică are valoarea 0, elementul de ieşire este neacţionat.
Figura 6.15. Schema de comandă cu Figura 6.16. Schema de comandă

releu şi contacte echivalentă schemei din figura 6.22
Vom ilustra procedura descrisă prin intermediul schemei de comandă cu

relee şi contacte dată în figura 6.15. Aici, U1, U2 şi U3 sunt contacte normal deschise
şi normal închise ale unor elemente de comandă, limitatoare de cursă etc. Aşa cum
s-a arătat în § 6.1, contactelor normal deschise li se asociază variabile binare,
notate cu litere mici fără bară de negare, iar contactelor normal închise li se
asociază variabile binare negate (cu bară de negare). Acţionarea unui contact
normal închis reprezintă deschiderea sa. Asociind o variabilă binară, y, elementului
de ieşire, Y, schema de comandă poate fi reprezentată ca în figura 6.16.
Cunoscând realizarea funcţiilor logice elementare utilizând contacte, variabila
de ieşire y (figura 6.16) se poate exprima cu uşurinţă prin intermediul variabilelor de
intrare u1, u2 şi u3:
y = (u1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 ) u + (u1u 2 + u 1 u 2 ) u (6.24)
1 3
Presupunem că, în cadrul problemei de analiză, se cere starea elementului de
ieşire atunci când U1 şi U2 sunt acţionate iar U3 este neacţionat. Punând în
expresia (6.24) u1 = u2 = 1 şi u3 = 0, se obţine:
y = (1 ⋅ 1 ⋅ 0 + 1 ⋅ 1 ⋅ 0) ⋅ 1 + (1 ⋅ 1 + 1 ⋅ 1) ⋅ 0 = 1
deci elementul de ieşire este acţionat.
Formularea problemelor de analiză a schemelor combinaţionale poate fi
completată în sensul determinării unei scheme de comandă mai simplă, însă
echivalentă cu cea iniţială, sau al stabilirii unei scheme de comandă cu aceleaşi
funcţiuni, însă realizată prin alte dispozitive (de exemplu, circuite logice). Rezolvările
102 Capitolul 6
acestor completări din formularea problemelor de analiză constituie, în acelaşi timp,

soluţii ale unor etape din procedura de sinteză (proiectare) a schemelor
combinaţionale.
Fie schema de comandă din figura 6.15. Se cere o schemă echivalentă cu
aceasta, însă mai simplă, adică realizată cu un număr mai mic de elemente. Pentru
simplificarea schemei de comandă se procedează la minimizarea funcţiei booleene
(6.24), adică la aducerea acesteia la o formă cât mai simplă. Utilizând relaţiile
fundamentale din algebra booleană, se obţine:
(6.25)
Ţinând seama de proprietăţile de idempotenţă, terţ exclus şi contradicţie, din
ultima expresie se obţine:
y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 (6.26)
Mărimea de ieşire (y) s-a exprimat printr-o disjuncţie a unor conjuncţii logice. Funcţia
booleană corespunzătoare se exprimă în forma canonică disjunctivă. Constituenţii
disjuncţiei se numesc mintermeni. Pentru obţinerea formei canonice disjunctive
minimale se pot utiliza mai multe metode:
a) metoda alipirilor (metoda grupărilor);
b) metoda diagramelor Karnaugh;
c) algoritmul Quine-McCluskey.
Dacă numărul variabilelor logice este mai mare de 3, se recomandă metodele
b sau c. Pentru exemplul anterior, având în vedere numărul redus de mintermeni,
vom utiliza metoda grupărilor. Termenii vor fi grupaţi câte doi, astfel încât fiecare
pereche să aibă numai un singur termen diferit în conjuncţiile respective. Astfel,
primii doi mintermeni se pot grupa având u 2 u 3 ca parte comună în conjuncţii. La fel,
primul şi al treilea, se pot grupa având u 1 u 3 ca parte comună. Pentru a nu rămâne
un mintermen necuplat, în expresia (6.25) se adaugă în disjuncţie mintermenul
existent u 1 u 2 u 3 (care se poate cupla cu ceilalţi doi):
y = u 1 u 2 u 3 + u1u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 (6.27)
Această expresie este identică cu cea precedentă, deoarece
u 1 u 2 u 3 + u 1 u 2 u 3 = u 1 u 2 u 3 , ca urmare a proprietăţii de idempotenţă. Grupând
primii doi mintermeni, precum şi următorii doi, din relaţia 6.27, prin utilizarea
proprietăţii de distributivitate se obţine:
y = (u 1 + u1 )u 2 u 3 + u 1 u 3 (u 2 + u 2 ) (6.28)
şi, deoarece u1 + u1 = 1 şi u 2 + u 2 = 1, în conformitate cu principiul terţului exclus
rezultă forma minimală a funcţiei logice:
y = u2 u 3 + u1 u 3 (6.29)
Se constată cu uşurinţă că funcţia booleană în forma canonică minimal-
disjunctivă nu se poate simplifica mai mult. Forma minimală a funcţiei booleene se
prezintă ca o disjuncţie a unor termeni numiţi implicanţi primi ai funcţiei. Deci, în
esenţă, determinarea formei canonice disjunctive minimale a funcţiei logice
iniţiale se reduce la deducerea implicanţilor primi ai acesteia.
Corespunzător ecuaţiei (6.29) se poate desena schema de comandă minimală
din figura 6.17, echivalentă cu schema iniţială din figura 6.15.
Realizarea cu circuite logice NU, ŞI, SAU a circuitului de comandă

corespunzător funcţiei logice (6.29), se face prin schema dată în figura 6.18. Dacă se
pune problema deducerii unei scheme de comandă realizată cu elemente NAND, se
transformă funcţia (6.29) după cum urmează:
y = u 2 u 3 + u 1 u 3 = (u 2 u 3 ) ↑ (u1 u 3 ) = (u 2 ↑ u 3 ) ↑ (u 1 ↑ u 3 ) (6.30)
Utilizând module NAND cu două intrări, rezultă schema circuitului de comandă
din figura 6.19.
Figura 6.17. Schema de comandă minimală echivalentă

schemei din figura 6.15
Figura 6.18. Schema echivalentă a Figura 6.19. Schema echivalentă a funcţiei logice (6.28)
realizată funcţiei logice (6.28) cu module NAND
6.6 Circuite logice secvenţiale

Aşa cum s-a arătat în § 6.5.1 mărimile de ieşire ale unui circuit combinaţional
sunt determinate univoc, în orice moment, de mărimile de intrare din momentul
respectiv. În cazul circuitelor logice secvenţiale, mărimile de ieşire la momentul k,
k k k
notate prin y1 , y 2 ,..., y r , sunt determinate nu numai de mărimile de intrare
k k k
u1 , u 2 ,..., u m , ci şi de starea internă a circuitului din momentul anterior,
k −1 k −1 k −1
caracterizată prin mărimile de stare x1 , x 2 , ... , x n (figura 6.20).
Variabilele de stare descriu evoluţia (istoria) circuitului, în sensul că la
momentul k ele depind atât de valorile anterioare, din momentul k–1, cât şi de
mărimile de intrare ale circuitului. Din cele menţionate rezultă că un circuit logic
secvenţial este caracterizat de două seturi de ecuaţii: ecuaţiile de stare şi ecuaţiile de
ieşire.
Ecuaţiile de stare leagă mărimile de stare din momentul k, de mărimile de
stare din momentul anterior, k–1, şi de mărimile de intrare. Ele pot avea două forme:
104 Capitolul 6
Figura 6.20. Circuit logic secvenţial; variabilele din circuit

k k −1 k −1 k −1 k k
x i = f i ( x1 , x 2 , ... , x n , u1 , ... , u m ) (6.31)
sau
k k −1 k −1 k −1 k −1 k −1
x i = f i ( x1 , x2 , ... , x n , u1 , ... , u m ) (6.32)
unde i =1, 2, ..., n.
după cum mărimile de intrare se consideră în momentul k, respectiv în momentul k –
1.
Ecuaţiile de ieşire exprimă legătura dintre mărimile de ieşire ale circuitului
secvenţial, mărimile de stare şi mărimile de intrare ale acestuia. În cazul general,
ecuaţiile de ieşire ale unui circuit secvenţial sunt de forma:
k k k k k k k
y j = g j ( x1 , x 2 , ... , x n , u1 , u 2 , ... , u m ) (6.33)
unde g(·) sunt funcţii logice cunoscute, iar j = 1, 2, ..., r.
Variabilele de stare sunt, la fel ca şi cele de intrare-ieşire, variabile binare.
n
Deci, circuitul secvenţial se poate afla în 2 stări (n este numărul variabilelor de
intrare). Ecuaţiile (6.31) şi (6.32) descriu trecerea circuitului dintr-o stare în alta, sub
acţiunea mărimilor de intrare. Din acest motiv ele se mai numesc ecuaţii de tranziţie
a stărilor.
Circuitele logice secvenţiale se încadrează în categoria generală de sisteme
dinamice, având particularitatea că au un număr finit de stări. Din acest motiv, ele se
mai numesc automate finite.
Ecuaţia de stare se poate asocia unei diagrame de tranziţie a stărilor, care
ilustrează grafic modul cum se realizează trecerea dintr-o stare în alta, sub acţiunea
semnalelor de intrare.
6.6.1 Circuite secvenţiale elementare
În cele ce urmează se vor considera câteva circuite secvenţiale cu numai

două stări, notate convenţional prin 0 şi 1. Este evident că cele două stări pot fi
codificate printr-o singură variabilă de stare binară, x. Tranziţia stărilor se face sub
acţiunea unor semnale de intrare, obţinându-se – în esenţă – clasa circuitelor
basculante (triggere), realizate într-o formă specifică.
Fie un circuit elementar cu două intrări u1, u2 şi o ieşire y = x, având
diagrama de tranziţie a stărilor din figura 6.21, la care corespunde tabelul 6.10 de
tranziţie a stărilor. Se constată că s-a eliminat combinaţia (1,1) a variabilelor de
intrare.
Tabelul 6.10
Figura 6.21. Diagrama de tranziţie a

unui circuit secvenţial elementar
Ecuaţia de stare a circuitului este:

k k k k −1 k k k −1 k k k −1
x = ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + ( u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) + (u1 ⋅ u 2 ⋅ x ) (6.34)
Se minimizează funcţia logică utilizând metoda grupărilor (1-3) şi (2-3):
x k = ⎛⎜ u 2k ⋅ x k −1 ⎞⎟ ⋅ ⎛⎜ u1k + u1k ⎞⎟ + ⎛⎜ u 2k ⋅ u1k ⎞⎟ ⋅ ⎛⎜ x k −1 + x k −1 ⎞⎟ = ⎛⎜ u 2k ⋅ x k −1 ⎞⎟ + ⎛⎜ u 2k ⋅ u1k ⎞⎟

⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ ⎠
sau
x k = x 2k u1k + x k −1 ; ( )(6.35)
Ultima relaţie (6.35) reprezintă funcţia logică minimizată.
Dacă se impune realizarea circuitului de comandă cu elemente (module)
NAND funcţia logică minimizată (6.35) se transformă într-o expresie de forma
x k = m ⋅ n . Pentru aceasta se aplică proprietatea dublei negaţii şi una din teoremele
lui De Morgan, funcţiei din paranteză, şi se obţine:
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
x k = u 2k ⋅ ⎜ u1k + x k −1 ⎟ = u 2k ⋅ ⎜ u1k ⋅ x k −1 ⎟ (6.36)
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
⎛ ⎞
Notând (convenţional) n = u 2k şi m = ⎜ u1k ⋅ x k −1 ⎟ se observă că pentru a
⎝ ⎠
obţine expresia unei funcţii de forma x k = m ⋅ n este necesară operaţia de negare
peste întreaga funcţie (6.36), dar pentru a nu schimba valoarea funcţiei x k , este
necesar să se aplice operaţia de dublă negaţie peste funcţia (6.36) şi rezultă:
x k = u 2k ⋅ ⎛⎜ u1k ⋅ x k −1 ⎞⎟ ; (6.37)
⎝ ⎠
Această realaţie satisface expresia unei funcţii logice NAND (SI - NU)
deoarece, pe baza notaţiilor anterioare s-a obţinut expresia x k = m ⋅ n care arată că
funcţia dorită x k = m ⋅ n , va mai suporta o operaţie suplimentară de negare, cerută de
proprietatea dublei negaţii.
Schema circuitului ce corespunde ecuaţiei (6.37) este dată în figura 6.22-a.
Prin redesenarea ei, considerând variabila u1k borna S (set = inscriere), iar variabila
u2k borna R (reset = ştergere) se obţine bistabilul S–R cu elemente NAND reprezent
ca în figura 6.22-b.
106 Capitolul 6
(a) (b) (c)

Figura 6.22. Bistabil SR cu elemente ŞI–NU: a şi b – structura; c – simbolizarea.
Dacă se elimină circuitele NU de la intrările S şi R ale elementelor NAND din

figura 6.22, b, se obţine bistabilul din figura 6.23, la care diagrama de stare este dată
în figura 6.24. Cu alte cuvinte, bascularea dintr-o stare în alta se face prin aplicarea
semnalului logic 0 la una din intrări, circuitul rămânând în starea în care se afla,
atunci când combinaţia de intrare este (1,1) (combinaţia (0,0) este interzisă). Circuitul
secvenţial prezentat are o funcţionare asincronă.
Figura 6.23. Bistabil SR comandat prin Figura 6.24. Diagrama de tranziţie a bistabilului
semnal logic zero din figura 6.23
Un exemplu de circuit secvenţial asincron cu două intrări, a cărui

funcţionare corespunde tabelului de tranziţie 6.10 şi respectiv diagramei de tranziţie
a stărilor din figura 6.21, îl reprezintă schema electrică de comandă (pornire-oprire) a
unui motor asincron trifazat, ilustrată în figura 6.25-a. Diagrama de funcţionare a
acestei scheme de comandă, prezentată în figura 6.25-b, este echivalentă tabelului
de tranziţie a stărilor 6.10, dacă implicit se consideră echivalente notaţiile:
xk-1 ≡ yk-1 şi xk ≡ yk
Schema electrică simplificată pentru comanda pornirii şi opririi unui motor
asincron trifazat, funcţionează conform diagramei de lucru din figura 6.25-b. Se
observă că motorul este alimentat de la reţeaua trifazată numai dacă contactorul Y
este anclanşat, adică numai atunci când contactele sale normal-deschise (y) se vor
k
închide. În acest caz starea curentă (y ) are valoarea ”1” logic. Starea curentă a
k k
motorului (pornit sau oprit) depinde nu numai de comenzile ( u1 şi u 2 ) date prin
butoanele de pornire şi oprire, ci şi de starea anterioară (pornit-oprit) a motorului
k-1 k
notată prin y . Cele trei situaţii în care motorul este pornit, deci când y = 1
k
(prezentate în tabelul de trantziţie 6.25-b) sunt identice cu stările x = 1, din tabelul
de tranziţie anterior 6.10.
Observaţii:
a) Comanda (1,1) este eliminată, întrucât acţionarea simultană a butoanelor BP
şi BO este fără sens (motorul nu ar porni).
b) Schema de comandă din figura 6.25-a reprezintă o celulă de memorie,
întrucât prin butonul BP se înscrie comanda de pornire, iar motorul rămâne
pornit (comanda este memorată) până când se acţionează butonul BO (pentru

ştergerea memoriei).
Figura 6.25
Pentru transformarea bistabilului SR (asincron) într-un automat sincron se

utilizează schema din figura 6.26,a, unde T este intrarea de tact. Circuitul încadrat
este un bistabil de tipul celui din figura 6.23, a cărui basculare este comandată prin
semnal “0” logic. Când nu se aplică semnalul de tact, adică T = 0, rezultă V1 = 1 şi
V2 = 1, bistabilul rămâne în starea în care se afla, de exemplu starea 0. Aplicarea
semnalelor S = 1, R = 0 nu influenţează starea bistabilului decât atunci când se
aplică semnalul de tact. În acest caz (T= 1, S = 1, R = 0) rezultă V1 = 0 şi
V2 = 1, astfel încât se produce bascularea (trecerea din starea 0 logic în starea 1
logic). În mod similar, pentru S = 0 şi R = 1, revenirea în starea 0 se produce numai
la aplicarea impulsului de tact (T= 1). Circuitul secvenţial din figura 6.26 se numeşte
bistabil S–T–R.
Figura 6.26. Schema bistabilului S-T-R: Figura 6.27. Diagramă de tranziţie a stărilor
a - structura; b- simbolizarea
În circuitele elementare prezentate se interzice aplicarea combinaţiei (1,1) la

intrare (combinaţia (0,0) – la schema din figura 6.23).
6.6.2. Circuitul secvenţial de tip Master-Slave
O categorie importantă de bistabile o formează cele cu structură stăpân-sclav

(master–slave). Ele sunt formate din două circuite basculante conectate în cascadă:
primul are funcţia de comandă (master - stăpân), în sensul că îl subordonează pe al
doilea (slave - sclav).
În figura 6.28 se prezintă schema unui circuit bistabil Master-Slave (M-S) de
tip SRT. Bistabilul M (master) este un trigger SR asincron realizat cu module NAND,
prezentat în figura 6.23. Semnalele de comandă se aplică prin bornele S (set) şi R
108 Capitolul 6
(reset) unor porţi logice de intrare P1 şi P2, de tip NAND. La ieşirile porţilor P1 şi P2 se
obţin semnalele logice (potenţialele) V1 şi V2 care reprezintă informaţia aplicată la
intrarea bistabilului M.
Bistabilul S (slave) este tot un trigger SR asincron realizat cu module NAND.
Între bistabilul M şi bistabilul S se află porţile de transfer P3 şi P4 de tip NAND. Porţile
de intrare (P1 şi P2) sunt comandate (activate), prin semnalul de tact T, în antifază
faţă de porţile de transfer (P3 şi P4) datorită circuitului inversor (CI) care este un
circuit de tip NU. Semnalele logice V3 şi V4 de la ieşirea porţilor de transfer reprezintă
informaţia de intrare în bistabilul S. Intrarea de tact s-a notat cu T (sau CK )
sugerând că informaţia apare la ieşirea bistabilului, pe frontul posterior al impulsului
de tact. Funcţionarea bistabilului Master-Slave pe o perioadă a impulsului de tact real
(trapezoidal) se explică utilizând diagramele de semnale din figura 6.29.
Figura 6.28
Figura 6.29
Funcţionare:
1. Pe porţiunea 1-2, porţile P1, P2 sunt încă închise, iar porţile de transfer P3, P4
se blochează. Deci bistabilul M (Master) este izolat faţă de intrare, iar
bistabilul S (Slave) este izolat faţă de Master.
2. Pe porţiunea 2-3, porţile P1, P2 sunt deschise permiţând transferul informaţiei
în M, iar porţile P3, P4 sunt închise, izolând M faţă de S.
3. Pe porţiunea 3-4, porţile P1, P2 se închid, iar P3, P4 nu s-au deschis încă, deci
M este izolat faţă de intrare, iar S este izolat faţă de M.
4. Pe porţiunea 4-5, porţile P1, P2 sunt închise şi nu permit intrarea informaţiei în

M, iar porţile P3, P4 sunt deschise, deci informaţia trece din M în S şi apare la
ieşirea Q.
Observaţii:
CBB – Master-Slave elimină posibilitatea tranziţiilor asincrone (necontrolate) la
ieşire, deoarece în acest circuit s-a eliminat transparenţa intrărilor de date.
Pentru ca informaţia să se înscrie fără erori, este necesar ca aceasta să nu-şi
modifice valoarea în intervalele de tranziţie (1-2) şi (3-4) ale impulsului de tact.
6.7. Întrebări şi probleme

1. Cum se realizează practic condiţia de semnal logic “0” (zero) în cazul circuitului
“SI” ?
2. Care este expresia (şi cauza apariţiei) curentului de impuls (IC MAX) în cazul porţii
logice NAND (TTL) ?
3. Care este regimul de lucru al tranzistoarelor bipolare în cazurile:
a) circuite logice ?
b) circuite de amplificare ?
4. Care este diferenţa (funcţională) între un C.L.C. şi un circuit C.L.S. – (circuit logic
secvenţial) ?
Probleme:
1. Se dau funcţiile logice:
Să se arate că: y1 = y2.

2. Schema de comandă pentru acţionarea unui utliaj are trei elemente de comandă
U1, U2, U3 şi un element de execuţie Y.
Se cere schema logică de comandă, realizată cu circuite NAND (ŞI - NU),
care să acţioneze elementul de execuţie Y numai în următoarele situaţii:
1) B acţionat ; A, C – neacţionate;
2) B, C acţionate; A – neacţionat;
3) A, B – acţionate; C – neacţionat.
3. Comanda unui utilaj impune utilizarea a 3 elemente de comandă (de intrare)

U1, U2, U3 şi a unui element de execuţie, Y, care trebuie să fie acţionat numai in
următoarele situaţii:
sunt acţionate nu sunt acţionate
Ul , U2 U3
- U 1 , U2 , U3
Ul , U3 U2
Ul U2 , U 3
U1 , U 2 , U 3 -
Să se deducă schema de comandă în următoarele variante constructive:
- cu contacte;
- cu circuite (module) SI, SAU, NU;
- cu module SI - NU , NU;
- cu module SAU - NU , NU
CAPITOLUL 7
APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE

COMBINAŢIONALE ŞI SECVENŢIALE
7.1 Circuite LATCH
7.1.1 Utilizarea triggerului SR ca circuit LATCH
Conectând două porţi logice NAND conform schemei din figura 7.1 se obţine
un circuit bistabil care memorează evenimentul marcat prin tranziţia temporară a unei
intrări în ”0” logic. Acest circuit se mai numeşte latch (în limba engleză având
semnificaţia de zăvor, încuietoare).
(a) (b)
Figura 7.1. Schema logică a circuitului latch
Cele două scheme din figura 7.1 sunt identice, dar în practică se foloseşte
reprezentarea din figura 7.1-b. Schema din figura 7.1-a evidenţiază faptul că circuitul
latch are o singură reacţie. Circuitul latch memorează tranziţia lui S în ”0” logic prin
poziţionarea ieşirilor QQ în 10. În mod asemănător, tranziţia lui R în ”0” logic
determină poziţionarea ieşirilor Q Q în 01. Deci ieşirile Q şi Q sunt complementare,
activarea lui S prin ”0” logic produce setarea circuitului (poziţionarea ieşirii Q în ”1”
logic), iar activarea lui R prin ”0” logic produce resetarea circuitului (poziţionarea
ieşirii Q în ”0” logic. Una dintre aplicaţiile circuitului latch serveşte la eliminarea
oscilaţiilor de tensiune ce apar la închiderea contactelor electrice acţionate manual
prin butoane. În figura 7.2-a se observă că la închiderea contactului K tensiunea pe
rezistenţa de sarcină (URs ) se stabilizează la valoarea E după un regim tranzitoriu
oscilant, ilustrat în figura 7.2-b. Dacă se utilizează un circuit latch, ca în figura 7.3-a,
Aplicaţii ale circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale 111
atunci tensiunea la ieşirea Q a circuitului latch va fi de forma prezentată în figura
7.3-b.
Figura 7.2
Figura 7.3
Astfel, semnalul de comandă la ieşirea Q va avea o valoare constantă şi fără

oscilaţii care ar putea deranja funcţionarea altor circuite ce utilizează acest semnal
(numărătoare, circuite te tip Master-Slave etc).
7.2 Codificatoare şi decodificatoare
Se numeşte COD o regulă ce descrie o aplicaţie ”C” a unei mulţimi de semne

în altă mulţime de semne.
Codificarea este transformarea unui mesaj cu ajutorul unui cod.
Dacă aplicaţia ”C” este injectivă, se poate realiza decodificarea, adică
reconstituirea mesajului iniţial.
• Codificatoarele sunt C.L.C. la care activarea unei intrări determină apariţia unui
cuvânt de cod pe ieşire. Principiul de lucru al codificatorului cu 4 (patru) ieşiri este
ilustrat în figura 7.4:
Figura 7.4. Codificator cu patru ieşiri

112 Capitolul 7
În funcţionarea codificatorului menţionat se disting două situaţii:

a) Dacă se activează intrarea IK (la nivel logic ”H”), atunci pe ieşirile paralele
apare cuvântul de cod: 1101;
b) Dacă se activează intrarea IJ (cu nivelul ”H”) pe ieşirile paralele se obţine
cuvântul de cod: 1110.
• Decodificatoare sunt C.L.C. care activează una sau mai multe ieşiri în funcţie de
cuvântul de cod aplicat la intrare. Decodificarea este necesară în următoarele
operaţii:
− adresarea memoriilor
− afişarea numerică
− multiplexarea datelor etc.
Exemplu: Se consideră decodificatorul cu două intrări (n = 2) şi 2n ieşiri (4

ieşiri) distincte, prezentat în figura 7.5-a, al cărui tabel de funcţionare (figura 7.5-b)
serveşte scrierii funcţiilor logice corespunzătoare.
Figura 7.5. Decodificator cu două intrări: a)schema bloc;

b) tabelul de adevăr.
Y0 = A 0 ⋅ A1 ⎫
⎪
Y1 = A 0 ⋅ A1 ⎪⎪
⎬ (7.1)
Y2 = A 0 ⋅ A1 ⎪
⎪
Y3 = A 0 ⋅ A1 ⎪⎭
Pe baza relaţiilor (7.1) se elaborează schema logică a decodificatorului de
adresă cu 4 ieşiri (figura 7.6).
Figura 7.6. Decodificator de adresă cu patru ieşiri

În cazul general, decodificatorul de adrese este un CLC cu n intrări şi 2n ieşiri
distincte.
7.3 Circuite de multiplexare (MUX) şi demultiplexare

(DEMUX)
Circuitele de multiplexare sunt circuite logice combinaţionale (CLC) care

permit trecerea datelor de la una dintre intrări spre o ieşire unică. Selecţia intrării se
face printr-un cod binar (adresă) aplicat pe intrările de selecţie A0 şi A1. Schema
bloc a unui multiplexor cu patru intrări şi o ieşire este prezentată în figura 7.7-a.
Multiplexorul prezentat în figura 7.7-a funcţionează conform tabelului logic 7.8,
schema logică fiind prezentată în figura 7.7-b. Pentru adresarea celor patru intrări
sunt necesari 2 biţi.
Figura 7.7. Multiplexor cu patru intrări şi o ieşire:

a) schema bloc; b) schema logică.
Observaţie: Porţile de intrare sunt prevăzute cu o intrare suplimentară comună

( E ) = Enable care autorizează, sau nu, funcţionarea multiplexorului.
E A1 A0 I0 I1 I2 I3 Y Stare circuit
H X X X X X X L → circuit blocat
L L L H X X X H → I0 selectat
L L L L X X X L
L L H X H X X H → I1 selectat
L L H X L X X L
L H L X X H X H → I2 selectat
L H L X X L X L
L H H X X X H H → I3 selectat
L H H X X X L L
Figura 7.8. Tabelul logic al multiplexorului din figura 7.7-a.
X = valoare logică oarecare

Circuitele de demultiplexare (DEMUX) sunt CLC care permit transmiterea
datelor de pe o intrare de date comună pe una din ieşirile selectate. Selectarea ieşirii
se face printr-un cuvânt de cod – numit adresă.
114 Capitolul 7
Demultiplexorul cu două ieşiri, figura 7.9-a, permite comutarea fluxului de

date de pe intrarea comună (I), fie pe ieşirea Y0 (dacă A = 0) fie pe ieşirea Y1
(dacă A = 1), conform tabelului de funcţionare 7.9-b. Schema logică a
demultiplexorului cu două ieşiri (realizată conform tabelului 7.9-b) este dată în figura
7.9-c.
Figura 7.9. Demultiplexor cu două ieşiri:

a) schema bloc; b) tabelul de adevăr; c) schema a unui demultiplexor cu patru ieşiri.
7.4 Numărătoare electronice
Schema unui numărător binar cu 4 biţi este dată în figura 7.10-a, iar
funcţionarea acestuia, la aplicarea unei succesiuni de impulsuri care trebuie
numărate, este ilustrată în diagrama din figura 7.10-b.
Figura 7.10. Numărător binar cu patru biţi: a) schema de principiu;

b) diagrama impulsurilor.
Nr.
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ...
impuls
Q1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 ...
Q2 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 ...
Q3 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 ...
Q4 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 ...
Figura 7.10 – c. Tabel lohgic al numărotzorului binar (drirect) cu 4 biţi
Se constată că după aplicarea a N impulsuri, stările triggerelor indică valoarea

numerică a lui N, în baza 2 (tabelul din figura 7.10 - c).
Dacă se utilizează ieşirile Q pentru legarea triggerelor în cascadă (figura
7.11-a), frontul de basculare 1 → 0 al ieşirii Q produce tranziţia stării triggerului
următor şi se obţine diagrama de semnal din figura 7.11-b. Spre deosebire de
schema anterioară, când s-a obţinut numărarea directă în binar, în acest caz rezultă
numărarea inversă a impulsurilor, adică la fiecare impuls aplicat la intrare, numărul
înregistrat cu ajutorul triggerelor scade cu o unitate (conform diagramei din figura
7.11- b).
Figura 7.11. Numărător binar invers cu patru biţi: a) schema de principiu;

b) diagrama impulsurilor.
7.5 Convertoare
Convertoarele sunt circuite electronice complexe care reprezintă elementele

de bază ale interfeţelor de proces în sistemele numerice de reglare.
Pentru conversia semnalelor analogice (achiziţionate dintr-un proces
tehnologic) în semnale numerice, la intrările calculatorului de proces se utilizează
convertoare de tip A-N (analog-numerice), care se găsesc în interfaţa de intrare.
116 Capitolul 7
Semnalele numerice elaborate la ieşirea calculatorului de proces pe baza unui

algoritm de reglare şi/sau conducere, sunt convertite în semnale analogice (necesare
elementelor de execuţie), prin intermediul convertoarelor de tip N-A (numeric-
analogice). Aceste convertoare se găsesc în interfaţa de ieşire situată între
calculatorul de proces şi elementele de execuţie care sunt implementate în instalaţia
tehnologică.
Mărimea analogică este o mărime fizică a cărei variaţie în timp este dată de o
funcţie continuă şi ale cărei valori sunt cuprinse în intervalul:I = [xmin ÷ xmax] cu
x∈R.
Mărimea numerică (digitală) este o mărime fizică ale cărei valori aparţin
mulţimii Sn = {0, 1, 2, ..., n}, unde fiecare element din Sn se poate reprezenta sub
formă de impulsuri codificate.
În figura 7.12 este dată schema de principiu a unui CAN - analogic cu rampă
de tensiune.
Figura 7.12. Schema de principiu a unui CAN analogic cu rampă de tensiune.
Acest convertor face modulaţia în durată a impulsurilor, întrucât în procesul

conversiei tensiunea de intrare Ux este transformată într-un impuls, a cărui lăţime
este direct proporţională cu amplitudinea tensiunii Ux. Generatorul de rampă conţine
un condensator care se încarcă la curent constant. Când rampa începe să fie
generată, impulsurile de tact sunt numărate de N2, până când amplitudinea rampei
este egală cu amplitudinea tensiunii Ux (de intrare). În acest moment numărătorul N2
este oprit de către comparator, care basculează şi închide poarta ŞI. Conţinutul
informaţiei din N2 reprezintă valoarea binară a tensiunii de intrare (Ux).
I ⋅ ΔT '
Deci: UC = = UX (7.2)
C
unde: ΔT’ este timpul de conversie egal cu NT, T fiind perioada impulsurilor;
I este curentul de încărcare al condensatorului care generează rampa;
C - capacitatea condensatorului;
UC - tensiunea pe condensator.
Dacă numărătorul N2 a înregistrat (numărat) N impulsuri, din (7.2) se obţine:
Ux = I / C ⋅NT (7.3)
în care: 0≤ N < 2n
Observaţii:
• Acest convertor se numeşte convertor tensiune-timp, fiind convertor indirect.
n-1
• Numărul N are valoarea 2 şi reprezintă numărul de impulsuri
corespunzătoare valorii Uxmax.
n
Deci: ΔT’ = (2 −1)T (7.4)
Rezultă că acest sistem de conversie este de tip serie, fiind, în consecinţă,
lent. Realizarea convertoarelor A-N rapide presupune utilizarea reacţiei cu
funcţionare prin SOFTWARE şi a circuitelor integrate specializate în operaţii de
conversie A-N. Un exemplu de circuit integrat specializat în conversia numeric-
analogică este circuitul β DAC-08, care lucrează pe 8 biţi.
7.6 Circuite de memorie
Funcţia de memorare poate fi definită ca posibilitatea de regăsire a unor

informaţii reprezentate sub formă binară, care au fost anterior stocate într-un circuit
de memorare.
Circuitul de memorare este un circuit electronic integrat care implementează
funcţia de memorare. În funcţie de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor,
memoriile pot fi: magnetice, optice sau semiconductoare. În cele ce urmează se au
în vedere circuitele de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare.
Memoriile sunt realizate cu circuite integrate de tip LSI şi VLSI realizate în
diverse tehnologii, dintre care, tehnologia MOS este cel mai des folosită.
În funcţie de modul în care se utilizează memoriile într-un sistem de calcul
funcţiile de memorare pot fi:
• Memorare cu citire şi scriere de date. În această categorie intră memoriile cu
acces aleator - Random Acces Memory (RAM). Acest tip de memorie este
similară, ca structură, cu memoria operativă din calculatoarele clasice, fiind
realizată însă cu matrice de bistabile SR, integrate în aceeaşi capsulă cu
sistemele de înscriere şi citire a informaţiei. Memoriile RAM sunt volatile, adică îşi
pierd conţinutul la întreruperea tensiunii de alimentare. Acestea sunt folosite
pentru înmagazinarea datelor şi a programelor de tip utilizator. Timpul de acces
în cazul memoriilor RAM poate fi de 10 ns în cazul tehnologiei bipolare sau, sute
de nanosecunde, în cazul tehnologiei MOS.
• Memorare numai pentru citirea datelor. În această categorie intră memoriile
următoare:
- Memoria ROM (Read Only Memory) este un circuit combinaţional care
stochează permanent date binare, care pot fi doar citite. Această structură
este de obicei definită ca un convertor de cod compus dintr-un decodificator şi
un codificator. Vectorul de intrare în decodificator este interpretat ca o adresă,
iar datele obţinute la ieşirea codificatorului reprezintă informaţia memorată la
adresa respectivă. Există mai multe tipuri constructive de memorii ROM.
Memoriile ROM programabile prin mască, sau mask ROM, sunt circuite la
care harta memoriei de introduce în procesul de fabricaţie al circuitului
integrat.
- Memoriile PROM (Programmable Read Only Memory) se fabrică cu toţi biţii
poziţionaţi pe un anumit nivel logic. Există însă posibilitatea ca utilizatorul să-şi
înscrie singur, acolo unde doreşte, valorile logice complementare. Acest lucru
se face prin arderea unui fuzibil (o peliculă subţire de CrNi), care se
vaporizează la trecerea unui curent suficient de mare prin el. Programarea
memoriei constă în selecţia adresei şi a liniei de date şi aplicarea unui impuls
118 Capitolul 7
de tensiune (10-30V) pe un pin special de programare. Evident că

programarea nu se poate face decât o singură dată.
- Memoriile EPROM (Eraseable Programmable Read Only Memory) sunt
programabile ca şi memoriile PROM, dar de mai multe ori, pentru că ele pot fi
“şterse” prin expunere la radiaţii ultraviolete cu o lungime de undă specifică.
Matricea de memorie conţine tranzistoare FAMOS (Floating Avalanche
Injection MOS), adică tranzistoare care conţin o poartă metalică flotantă,
izolată de substrat prin 10 −7 m de SiO 2 .
- Memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable Read Only
Memory) sunt similare memoriilor EPROM, numai că ştergerea se poate face
pe cale electrică. Izolaţia porţii este mult mai subţire decât la EPROM, şi
sarcina electrică negativă poate fi eliminată prin aplicarea unei tensiuni de
polaritate inversă pe poarta tranzistorului care nu este flotantă.
Memoriile mask ROM şi PROM se realizează atât în tehnologie bipolară cât şi
în tehnologie MOS, în timp ce memoriile EPROM şi EEPROM nu se pot realiza decât
în tehnologie MOS.
Progresele tehnologice au determinat modificări importante în
performanţele memoriilor ROM. Dacă memoriile EPROM în tehnologie NMOS au
timpi de acces de aproape 500ns, cele realizate în tehnologie CMOS au timpi de
acces mai mici de 100ns. O memorie EPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de
circa 100 ori, iar timpul de stocare a informaţiei poate depăşi 10 ani. O memorie
EEPROM poate fi ştearsă şi reprogramată de circa 10000 ori, iar timpul de
stocare a informaţiei poate fi de 100 ani. În sfârşit, o memorie FLASH (un
EEPROM de capacitate mare) poate avea un timp de acces de 50ns, 100000
cicluri garantate de programare/ştergere şi timp de stocare a datelor de peste 20
ani. Notaţia E2PROM este uneori folosită pentru memoriile EEPROM.
Cuvintele (numerele) binare reprezintă date pentru un circuit de memorie şi
se consideră:
a. semnale de intrare (când datele se înscriu în memorie);
b. semnale de ieşire (când datele se citesc din memorie).
Accesul la memorie se face la un moment de timp bine determinat, moment ce
trebuie comunicat printr-un semnal circuitului de memorie. Schema bloc (conexiunile
informaţionale) pentru un circuit de memorie este prezentată în figura 7.13:
Figura 7.13 Schema bloc a unui circuit de memorie
Observaţie: Transferul de date este bidirecţional (datele intră şi ies din circuit)
în cazul memoriilor: RAM şi E2PROM, dar este unidirecţional în cazul memoriilor:
ROM, PROM, EPROM.
Principalele caracteristici ale unei memorii sunt:
1. Geometria memoriei (modul de organizare) reprezintă lungimea unui
cuvânt de memorie şi numărul de cuvinte memorate.
2. Capacitatea memoriei exprimă numărul total de biţi ce pot fi memoraţi
(capacitatea se exprimă în multipli de 1k = 1024 biţi).
3. Timpul de acces la memorie reprezintă durata necesară citirii sau
scrierii informaţiei în memorie şi se exprimă în [ms] sau [ns].
4. Puterea consumată reprezintă raportul între puterea totală consumată
de circuit şi capacitatea acestuia. Puterea consumată se exprimă în
[μW/bit].
5. Volatilitatea - o memorie este volatilă dacă informaţia înscrisă se
pierde în timp. Volatilitatea se datorează modului de stocare a
informaţiei sau dispariţiei tensiunii de alimentare a circuitului de
memorie (cazul memoriilor dinamice). La memoriile dinamice,
memorarea informaţiei se bazează pe modificarea capacităţii joncţiunii
semiconductoare, ceea ce necesită reîmprospătarea conţinutului la
intervale constante de timp.
Structura celulei de memorie RAM

Celula de memorie este circuitul elementar care realizează memorarea unui
bit. Un circuit de memorare poate fi realizat cu tranzistoare bipolare sau tranzistoare
MOS. În cazul utilizării tranzistoarelor bipolare circuitul elementar de memorie îl
constituie circuitul basculant bistabil (CBB) care foloseşte două tranzistoare
multiemitor, figura 7.14.
Figura 7.14. Celulă de memorie RAM cu tranzistor bipolar
Liniile de conexiune în afara celulei sunt:

• 2 (două) linii de bit (notate DL şi DL ) care servesc la scrierea şi citirea
informaţiei în celulă. Aceste linii sunt comune tuturor celulelor de aceeaşi
coloană într-o matrice de memorie.
• 1 (una) linie de selecţie cuvânt (WL), care reprezintă selecţia pe linii în
matricea de memorie. Acţionarea liniei de selecţie-cuvânt face posibilă citirea
sau scrierea informaţiei în oricare dintre celulele de memorie situate pe
aceeaşi linie în matrice.
• 1 (una) linie de alimentare (sursa VCC) comună tuturor celulelor din matricea
de memorie.
În cele ce urmează se prezintă succint funcţionarea celulei de memorie din
figura 7.14. În stare neselectată, conexiunea selecţie-cuvânt (WL) este menţinută la
un potenţial coborât (+0,3 V). Liniile de bit (DL şi DL ) sunt conectate la capătul
coloanei - la o tensiune de +0,5 V, prin intermediul unei rezistenţe senzor (r) care
120 Capitolul 7
sesizează apariţia închiderii unui curent. Cele două operaţii (citirea şi înscrierea
informaţiilor) se desfăşoară astfel:
• Pentru citirea informaţiei, linia selecţie-cuvânt (WL) este pusă la un potenţial
ridicat (+3 V) apropiat de VCC (+3,5 V). În acest mod, emitoarele conectate la
liniile de bit sunt polarizate la o tensiune mai mică (+0,5 V), deci conducţia este
asigurată de acestea (legate în A şi B). Curentul de emitor se va închide prin
rezistenţele senzor conectate la liniile de bit. În funcţie de semnul tensiunii
obţinute la bornele celor două linii de bit, se poate "spune" care este starea
bistabilelor.
Exemplu: Dacă T1 conduce şi T2 este blocat, atunci selectând linia WL
(selecţie-cuvânt) pentru citire, se va obţine la ieşire o tensiune diferenţială cu semnul
(+) pe DL şi semnul (-) pe DL , figura 7.15. În cazul T1 blocat şi T2 în conducţie,
tensiunea diferenţială are sens invers: semnul (+) la DL şi semnul (-) la DL.
Figura 7.15. Explicativă pentru celula de memorie RAM
• Pentru înscrierea informaţiei în celulă, se ridică potenţialul pe linia WL (la

+3V) şi, simultan, se forţează pe liniile de bit (DL şi DL ) o diferenţă de potenţial
corespunzătoare stării în care dorim să se găsească bistabilul.
Exemplu: Pentru a se obţine T1 în conducţie şi T2 în starea blocat, se forţează
linia de bit stânga (DL) la zero, iar linia de bit dreapta ( DL ) la o tensiune de
aproximativ +0,5 V (în timp ce linia selecţie-cuvânt WL este selectată).
Observaţii:
- Consumul de putere al acestui circuit este de circa 800µW, în stare
neselectată, iar viteza de comutaţie este de 20ns.
- Celula de memorie RAM se poate realiza cu două tranzistoare bipolare
obişnuite (npn) la care se ataşează câte o diodă Shottky.
Structura unui circuit de memorie. Matricea de memorie

Circuitul de memorare propriu-zis este aranjat sub forma unei matrice de
memorare în ale cărei noduri se găsesc celule de memorie. În figura 7.16 se prezintă
structura unei matrice de memorie de dimensiune m×n, adică m linii şi n coloane.
Pentru accesul la celula de memorie (i×j) se face selecţia liniei, acţionând WLi , şi
selecţia coloanei prin perechea ( DLj, DLj ).
Capacitatea memoriei este dată de produsul (m × n), unde:
- m este numărul de linii, selecţie-cuvânt (WL);
- n este numărul de perechi (DL şi DL ), adică numărul de coloane.
Linia (conexiunea) de alimentare este comună tuturor celulelor de memorie pe
care le conţine matricea de memorare.
Procesorul reprezintă un automat aritmetic, acţionat printr-o succesiune de
comenzi aplicate din exterior, prin care se transformă un şir de date de intrare într-un
alt şir de date la ieşire.
Figura 7.16. Structura unui circuit de memorie
Procesorul, denumit şi RALU (Registers and Aritmetic Logic Unit), conţine o

unitate aritmetică logică şi registre, având schema bloc prezentată figura 7.17:
Figura 7.17. Automat aritmetic
Semnificaţiile mărimilor din figura 7.18 sunt:

Di, D0 sunt terminalele pentru datele de intrare şi respectiv de ieşire;
FL - flag-uri (indicatori);
C - comenzi;
F - comandă pentru funcţiile aritmetice (+ , - , : , *) şi logice;
A - adrese pentru selectarea operanzilor interni şi a destinaţiei rezultatelor;
CK - semnal de tact (clock).
RALU poate servi ca element structural pentru sisteme digitale complexe.
Prelucrările se efectuează asupra unor cuvinte binare cu n biţi. O operaţie
elementară implică unul sau doi operanzi (interni sau externi faţă de RALU).
Rezultatul operaţiei se poate memora intern (în registre) sau se poate genera spre
exterior pe liniile de ieşire D0 (Data output). RALU generează spre exterior şi un
cuvânt FL ce conţine k indicatori (flag-uri) prin care se caracterizează rezultatul unei
operaţii. Succesiunea de comenzi pentru RALU trebuie generată din exterior de către
122 Capitolul 7
alt automat denumit unitate de comandă (UC). Deci procesorul este un sistem
digital format din RALU şi UC. Schema bloc a unui procesor este dată în figura 7.18:
Figura 7.18. Schema bloc a unui procesor
Semnificaţiile mărimilor din figura 7.18 sunt:

C este fluxul comenzilor către RALU;
FL - caracteristicile rezultatelor;
D0, Di - fluxul datelor de la ieşire şi de la intrare;
I - instrucţiunea curentă;
SI, SO - sincronizarea comenzilor pentru intrare şi ieşire.
7.7 Microprocesorul (μP). Microcalculatorul (μC)
Microprocesorul este o unitate centrală de prelucrare realizată într-un singur

circuit integrat (μP). Sistemul digital de prelucrare realizat cu ajutorul unui μP se
numeşte microcalculator (μC).
Elementele componente ale microcalculatoarelor sunt:
a) Unitatea centrală de prelucrare (μP).
b) Memoria (MEM) compusă din:
MP - memoria de program (memorie ROM);
MD - memoria de date (memorie RAM).
Observaţie: Denumirea corectă a memoriei MD este RWM Read/Write
Memory, şi este volatilă.
c) Porturile de intrare/ieşire (PI, PE), realizate cu circuite specializate sau circuite
standard, pentru interconectarea cu dispozitivele periferice sau cu sistemul
comandat (cazul reglării sau conducerii numerice a unui proces).
Configuraţia de bază a unui microcalculator (μC) este dată în figura 7.19:
Dispozitivele periferice sunt:
1. informatice: console, terminale video, imprimante, cititoare şi perforatoare
de bandă de hârtie, discuri magnetice flexibile sau rigide, benzi magnetice
etc.
2. interfeţe cu sistemul comandat, ce conţin convertoare de tip N/A şi A/N cât
şi magistralele - Buses (BA, BD, BC).
Magistralele sunt fascicule de linii fizice pentru date (BD), pentru adresare
(BA) şi pentru comenzi (BC). Magistralele menţionate conţin: d linii pentru date, a linii
de adresare şi c linii pentru comenzi.
Cititorul interesat de aplicaţiile circuitelor logice combinaţionale (CLC) şi/sau
aplicaţiile circuitelor logice secenţiale (CLS) poate găsi suficiente exemple în [1], cap.
7.
Figura 7.19. Configuraţia de bază a unui microcalculator
7.8 Întrebări
1. Care este deosebirea între o mărime analogică şi o mărime numerică (digitală) ?
2. Când se utilizează circuitul LATCH ?
3. Ce este un convertor de cod ? Ce este un decodificator ?
4. Ce rol au circuitele: MUX şi DEMUX ?
5. Care este schema bloc a decodificatorului de adresă cu n = 2 (intrări) şi 4 ieşiri ?
6. Care sunt tipurile de memorii si cand se utilizează acestea ?
7. Care sunt componentele din structura unui microcalculator ?
8. Cum se poate activa (accesa) o celulă de memorie de ordinul (i x j) dintr-o matrice

de memorare ?
BIBLIOGRAFIE
1. Miholcă, C., Mărăşescu, N. Electronică pentru profiluri

neelectrice, Editura MATRIX-ROM, Bucureşti, 2003.
2. Bîrcă – Gălăţeanu, S., Stoichescu, D.A., Constantin, P.
Electronică de putere – Aplicaţii, Editura Militară, Bucureşti, 1991.
3. Bulucea, C. ş.a. Circuite integrate liniare. Editura Tehnică,
Bucureşti, 1976.
4. Ceangă, E., Şaimac, A., Banu, E. Electronică industrială, Editura
didactică şi pedagogică, Bucureşti, 1981.
5. Ceangă, E., Tusac, I., Miholcă, C., Electronică industrială şi
automatizări, Universitatea din Galaţi, 1979.
6. ∗ ∗ ∗ Catalog de circuite integrate digitale, SANYO Electric Co.,
Ltd. Semiconductor Company – TOKYO, http://www.sanyo.co.jp, JAPAN,
2001.
7. ∗ ∗ ∗ Catalog de componente electronice “FULL LINE PRODUCT
CATALOG”, VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. 63 Lincoln
Highway, Malvern, PA – 19355, http://www.vishay.com, United States,
2002.
8. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate analogice, Catalog IPRS – Băneasa,
Bucureşti, 1983
9. ∗ ∗ ∗ Circuite integrate liniare, Catalog IPRS – Băneasa, Bucureşti,
1981.
10. Constantin, P., Bîrcă – Gălăţeanu, S. ş.a., Electronică
industrială (pentru subingineri), Editura didactică şi pedagogică,
Bucureşti, 1976.
11. Constantin, P., Creangă, E., Buzuloiu, V., Rădoi, C., Neagoe,
V., Electronică industrială, Editura didactică şi pedagogică,
Bucureşti, 1980.
12. Lupu, C., Ţepelea, V., Purice, E., Microprocesoare – Aplicaţii,
Editura Militară, Bucureşti, 1982.

Electronic A PDF

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Electronic A PDF

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CONSTANTIN MIHOLCĂ

CAP. 1 DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT

1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare ................. 3

1.4.7.5 Construcţia unui etaj de amplificare utilizând tranzistor TEC-MOS 27

CAP. 2 AMPLIFICATOARE ŞI OSCILATOARE

2.1 Proprietăţi generale şi caracteristici ale amplificatoarelor .............. 35

3.1 Noţiuni generale .............................................................................. 59

CAP. 4 STABILIZATOARE ELECTRONICE

4.1 Noţiuni generale. Parametrii stabilizatoarelor ................................. 73

CAP. 5 REDRESOARE COMANDATE DE MICĂ PUTERE

5.1 Principiul comenzilor pe verticală şi orizontală la redresoarele de mică

CAP. 6 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE ŞI

6.1 Funcţii logice elementare ................................................................ 91

CAP. 7 APLICAŢII ALE CIRCUITELOR LOGICE

7.1 Circuite LATCH .............................................................................. 110

Bibliografie ............................................................................................ 124

Electronica a luat naştere ca o ramură a electrotehnicii, fiind denumită la

Întrucât electronica are în domeniul său de preocupare atât dispozitivele

DISPOZITIVE ELECTRONICE DE CIRCUIT

1.1 Noţiuni privind conducţia electrică în semiconductoare

Semiconductorul ocupă poziţia intermediară între materialele conductoare şi

1.1.1 Semiconductoare de conductibilitate intrinsecă

Figura 1.1. Structura benzilor energetice pentru un semiconductor

La echilibru termic (când nu există aport energetic extern) concentraţia

1.1.2. Dispozitive electronice simple bazate pe semiconductoare

1. Termistorul - este un dispozitiv semiconductor omogen a cărui rezistenţă

Figura 1.2. Variaţia rezistenţei electrice a termistorului cu temperatura

2. Fotorezistenţa este un rezistor a cărui rezistenţă electrică se modifică sub

purtătorilor de sarcină (formarea perechilor electron-gol), ca urmare a aportului

Figura 1.3. Caracteristica spectrală a fotorezistenţei

Fotorezistenţele sunt utilizate în construcţia releelor fotoelectrice, a

3. Varistorul este un dispozitiv semiconductor omogen cu o caracteristică

Figura 1.4. Caracteristica curent-tensiune şi simbolizarea varistorului

Perechile electron-gol se realizează pe seama energiei câmpului electric în

1.1.3. Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă

Semiconductoarele de conductibilitate extrinsecă sunt cele mai utilizate.

există două modalităţi de dopare care generează corespunzător, două tipuri de

1.2 Joncţiunea p-n

Dacă într-un cristal semiconductor se realizează prin dopare (utilizând

Proprietăţile regiunii de trecere (pentru joncţiunea p-n):

purtătorilor majoritari din zona respectivă. Rezultă o distribuţie spaţială nesimetrică a

Figura 1.5 Figura 1.6. Efectul potenţialelor de contact

Polarizările directă şi inversă ale joncţiunii p-n

Figura 1.7. Polarizarea directă a joncţiunii p-n

b) Polarizarea inversă (figura 1.8), presupune aplicarea tensiunii de

Figura 1.8. Polarizarea inversă a joncţiunii p-n

În acest caz potenţialul iniţial al barierei creşte cu valoarea tensiunii de

1.3 Dioda semiconductoare

Dioda reprezintă dispozitivul semiconductor format dintr-o joncţiune p-n care

Dacă această tensiune creşte peste limita admisă (parametru de catalog) şi

Figura 1.9. Caracteristica curent-tensiune a diodei

1.3.1 Dioda în circuit, determinarea punctului

Se consideră dioda D polarizată direct prin sursa E şi o rezistenţă R de

Figura 1.10. Dioda în circuit Figura 1.11. Caracteristica externă a diodei

Pentru determinarea punctului static de funcţionare, PSF (M), se rezolvă

valoarea rezistenţei de limitare R: tg(α) = R. Coordonatele PSF sunt iao şi Uao,

1.3.2 Tipuri de diode semiconductoare

1) Diode redresoare (realizate cu siliciu) au următorii parametri de catalog:

2) Diode stabilizatoare (diode Zener). Sunt diode realizate cu siliciu la care se

Figura 1.12. Dioda Zener în circuit (a) şi caracteristica curent-tensiune (b)

3) Diode de comutaţie. Sunt diode de mică putere şi au timpul de tranziţie – din

4) Diode cu contact punctiform. Sunt diode de mică putere şi au suprafaţa

5) Dioda varicap. Această diodă este echivalentă cu un condensator variabil. Pe