Fisa L2 - Jonctiunea Mălin

PN Ștefan
Grupa: 424 F Numele: Roceanu Adelin-Adrian Semnatura scanata:

FIȘĂ LUCRARE DE LABORATOR_SOFT2:

JONCTIUNEA PN

1. Determinarea distributiei densitatii de sarcina a campului electric.

Tabelul 1
Tensiune Model Numeric Model Analitic
0V ln[m] 0.113 0.095
lp[m] 0.01 0,009
Emax[V/cm] 1.526*105 1.552*105
-4V ln[m] 0.232 0.234
lp[m] 0.025 0.0234
Emax[V/cm] 3.681*105 3.744*105
ln[m] 0.322 0.316
-8V
lp[m] 0.033 0.0316
Emax[V/cm] 4.979 *105 5.056*105
-12V ln[m] 0.388 0.381
-12V lp[m] 0.0405 0.0381
Emax[V/cm] 6.002*105 6.112*105

2. Determinarea concentratiilor de electroni si goluri și potențialul electrostatic.

Tabelul 2
Tensiune Model Numeric Model Analitic
pn(xj+ln) 1.082*1015 (2.12) 1.446*1015
0.7V
np(xj-lp) 1.126*1014 (1.96) 1.446*1014
pn(xj+ln) 3.602*1016 (2.062) 7.896*1016
0.8V
np(xj-lp) 4.956*1015 (1.977) 7.896*1015
pn(xj+ln) 2.23*1017 (2.025) 9,7*1017
0.9V
np(xj-lp) 9,083*1016 (1.97) 9,7*1018
pn(xj+ln) 5,476*1017 (2.02) 5,294*1019
1.0V
np(xj-lp) 2.82*1017 (1.986) 5,294*1020
pn(xj+ln) 1.176*1018 (2.01) 2.891*1021
1.1V
np(xj-lp) 7.180*1017 (1.991) 2.891*1021

1
3. Vizualizarea caracteristicii statice.

Tabelul 3
Model Numeric Model Analitic
Tensiune Densitate de Curent [A/cm2]
0.70V 15.08 14.317
0.75V 100.1 105.796
0.80V 583.722 781.704
0.85V 2553 5886.25
0.90V 7981.79 6253.42
0.95V 1.872 * 104 31.53*104
1.00V 3.564 *104 23.29*105
1.05V 5.891*104 17.21*106
1.10V 8.848*104 12.72*107

Explicati rezultatele obtinute.

Pe baza celor 3 tabele completate se observa ca rezultatele modelului analitic sunt cu

un ordin/ doua ordine de marime mai mari decat rezultatele modelului numeric, acest
fapt este datorat curentilor reziduali care nu pot fi detectati de aparatele de masura.

4. ÎNTREBĂRI

4.1. În polarizare inversă curentul prin diodă este:

a) mic şi are sensul de la n la p

4.2. Dacă la extremităţile unei joncţiuni pn se aplică o sursă de tensiune cu plusul pe

regiunea p şi minusul pe regiune n se spune că joncţiune pn este:
a) polarizată direct
4.3. Care este principala proprietate a unei joncţinu pn?

Jonctiunea pn permite trecerea curentului intr-o singura directie.

4.4. Materialele semiconductoare de tip p se obţin prin doparea semiconductorului

pur cu elemente:
a) trivalente

4.6 Curentul invers al unei joncţiuni pn polaizate invers

c) nu depinde de tensiunea de poralizare inversă

4.7 O joncţiune pn se poate obţine prin alipirea a 2 regiuni impurificate de tip p,

respectiv n ?
b) da, joncţiune pn se poate obţine numai prin aplipirea a 2 regiuni impurificate
diferit

4.8 La un semiconductor de tip n purtătorii majoritari sunt:

a) Electronii

4.9 Dacă la extremităţile unei joncţiuni pn se aplică o sursă de tensiune cu plusul pe

regiunea n şi minusul pe regiune p se spune că joncţiune pn este:
b) polarizată invers

4.10 Curentul direct al unei joncţiuni pn polaizate direct

b) creşte exponenţial cu tensiunea de poralizare directă

4.11 La un semiconductor de tip p purtătorii majoritari sunt:

b) Golurile