National Center for Materials Study and

Testing

Technical University of Moldova

T4. Interfața Metal-Semiconductor: Contactul

Me-SC, Bariera Schottky, contactul Ohmic.

Dispozitive MicroNanoelectronice (DMNE)

Dr., conf. Eduard MONAICO

eduard.monaico@cnstm.utm.md
www.ncmst.utm.md
 T4. Interfața Metal-Semiconductor: Contactul Me-SC, Bariera
Schottky, contactul Ohmic

Afinitatea electronică χS reprezintă energia necesară unui electron pentru a

trece de la limita inferioară a benzii de conducţie pe nivelul de vid.

Lucrul de extacţie (iesire) ϕ (sau lucrul de ieşire termodinamic) reprezintă

diferenţa energetică dintre nivelul de vid şi nivelul Fermi (EF).

În baza contactului metal – semiconductor pot fi obținute dispositive:

• Cu bariera  0, diode Schottky
• Fara bariera = 0, contact ohmic

2
3
4
5
Electronii din metal trec in semiconductor. In rezultat,
concentratia electronilor in semiconductor se mareste.
Asa tip de contact se foloseste ca contact Ohmic.
6
Electronii din semiconductor trec in metal si din aceasta
cauza semiconductorul devine imbogatit cu goluri. 7
8
Calculul lățimii RSS în regiunea contactului Metal-Semiconductor

9
10
11
12
Polarizarea contactului Metal-Semiconductor

13
Bariera de potential se micsoreaza cu marimea valorii
tensiunii applicate.

14
15
16
17
18
19
Caracteristica VA a contactului metal-semiconductor

20
21
22