Laborator - Lucrarea 1

Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

TEME
TEMA 1. Să se găsească valoarea tensiunii sursei de alimentare pentru
care curentul prin diodă este de 0,3 mA.

La I=0.3 mA, tensiunea U=2.05V

TEMA 2. Să se afișeze dependența curentului prin diodă la 3 temperaturi

diferite: 10, 50 si 100 grade Celsius.

TEMA 3. Să se schimbe dioda din circuit cu modelul D1N4002. Diferențe-

le extrem de fine se pot vizualiza cu ajutorul cursorului. Arătați o astfel
de diferență la un PSF curent –tensiune, indicând abscisele și ordonatele
pentru cele 2 diode. Indicație: Pașii parcurși sunt aceiași ca la TEMA1.

1
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
Pentru D1N4148, la un curent I=0.3 mA, aveam o tensiune U=2.05V,
Pentru D1N4002, la un curent I=0.3 mA, avem o tensiune U=2.01V.

2.PARAMETRII DE MODEL
TEMA 4. Să se determine parametrii de model si pentru dioda 1N4002 si
sa se afișeze valorile pentru cele doua diode (1N4148, 1N4002), intr-un
tabel cu următoarea structură (NOTA: completați si unitățile de măsură
corespunzătoare parametrului in SI):
DIODA 1N4148 DIODA 1N4002
IS 2.682nA IS 14.11nA
N 1.836 N 1.984
RS 0.5664 RS 33.89m
IKF 44.17mA IKF 94.81mA
XTI 3 XTI 3
EG 1.11eV EG 1.11eV

3. SCHIMBAREA PARAMETRILOR DE MODEL

TEMA 5.1. Să se găsească noua valoare a tensiunii sursei de alimentare

pentru care curentul prin diodă este de 0,3 mA.

Tensiunea pentru care curentul prin dioda este de 0.3mA este U=1.665V

2
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

4. CREAREA UNEI DIODE NOI, INEXISTENTE IN CATALOG,

SCHIMBAREA MODELULULUI
TEMA6. Să se schimbe dioda din circuit cu D1N 4007, care are
pagina de catalog atașată la sfârșitul lucrării din care se va extrage
curentul Is, N și Rs. Se va folosi caracteristica statică directă, din
Anexa 1 de la sfârșitul lucrării, din foaia de catalog atașată pentru
care se vor introduce cel putin 5 valori. In final se va vizualiza noul
curent prin diodă, prin rularea PSpice.
Is = 0.526nA
N = 1.42
Rs = 0.022

3
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

La un curent de 0.3mA, pentru D1N4007 avem o tensiune de

1.99V si pentru D1N4148 avem o tensiune de 2.05V

4
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
CIRCUITE CU DIODE–EXERCIȚII DE LABORATOR
EXERCIȚIUL 1. Diode in serie, polarizate direct

TEMA 7. Se vizualizează parametrii diodelor și se discută teoretic

Observam ca cele doua diode sunt in conductie, trecand prin ele un curent pozitiv si tensiunea la
bornele diodei D1 este de 0.624V iar tensiunea la bornele diodei D2 este de 0.654V pentru o tensiune
data de sursa VDC=4V. Rezistorul R1 are rolul de a primi restul de tensiune data de sursa VDC astfel incat
diodele sa nu se arda.

5
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

Odata cu cresterea tensiunii de alimentare, tensiunea pe diode creste pana la atingerea unui prag, restul
de tensiune fiind distribuita pe rezistor.

6
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
Observam din grafic faptul ca pana la un anumit prag (pragul de deschidere al diodelor), tensiunea pe
rezistor este 0V, deoarece diodele blocheaza curentul pentru o tensiune mai mica decat tensiunea de
deschidere a acestora.

Deoarece diodele impreuna cu rezistorul sunt inseriate, prin ele trece acelasi curent, care creste, din
momentul deschiderii diodelor, liniar cu tensiunea de alimentare.

TEMA 8 .Să se calculeze teoretic valoarea curentului ID pentru V1=4V,

10V și 18V, apoi să se compare cu valoarea simulată într-un tabel și să se
explice diferentele.
V1 ID (teoretic) ID(valoarea simulata
la temperatura de
100°C)
4V 2.8mA 2.98mA
10V 8.6mA 8.86mA
18V 16.54mA 16.77mA
Am schimbat tensiunea maxima din profilul de simulare de la 18V la 19V
pentru a putea masura, folosind cursorul, intensitatea la 18V.
Deoarece programul nu afiseaza temperatura pentru fiecare curba in tipul de
analiza DC Sweep pentru temperatura selectata pe Secondary Sweep, trebuie
sa vedem ce se intampla cu intensitatea atunci cand temperatura creste, asa ca

7
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
selectam Temperature in Primary Sweep. Observam ca intensitatea prin diode
creste odata cu cresterea temperaturei.

Asta inseamna ca, pentru Primary Sweep, alegand sursa de tensiune V1 pe

care o variem de la 0 la 19V (19V pentru a putea masura curentul la 18V) si
pentru Secondary Sweep, alegand temperatura pe care o variem de la 0°C la
100°C cu un pas de 10°C, curba corespunzatoare temperaturii 100°C este cea
de intensitate maxima.

8
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare

TEMA 9. Extrageți , explicați și comparați sensibilitatea celor 2 diode ca

senzori de temperatură.

Observam din grafice ca dioda D1 este mai sensibila la temperatura fata de dioda D2 si
tensiunea pe diode scade odata cu temperatura.

EXERCIȚIUL 2
Realizați in Pspice Schematic un circuit care conține 4 diode simple identice de tip D1N4148 si
o dioda Zener D1N750. Simulați circuitul si precizați PSF –urile diodelor .

9
 Laborator - Lucrarea 1
Modele SPICE pentru dispozitivele semiconductoare
TEMA 10. NOTAȚI valorile simulate ale PSF pe un ecran captură din
SCHEMATICS.

TEMA 11. AFIȘAȚI grafic tensiunea pe dioda Zener, pentru variația

tensiunii de alimentare Vcc.

10