Lucrarea 5

Tranzistorul bipolar – Caracteristici statice

1. Scopul lucrării
În cadrul lucrării se determină caracteristicile statice ale tranzistorului
bipolar cu Si. Se urmăreşte punerea în evidenţă a funcţionării ca dispozitiv
controlabil a tranzistorului şi regimurilor sale de funcţionare.

2. Consideraţii teoretice
Un tranzistor bipolar constă din două regiuni semiconductoare cu acelaşi
tip de conductivitate numite emitor şi colector separate de o zonă subţire de
conductivitate de tip opus numită bază. Criteriile fundamentale pe care le
îndeplineşte un tranzistor sunt :
a) emitorul este mult mai puternic dopat decât baza (curentul prin joncţiunea
emitorului trebuie sa fie determinat de purtătorii majoritari ai emitorului
injectaţi în bază, injecţia de purtători majoritari ai bazei în emitor trebuie
sa fie neglijabilă)
b) regiunea bazei este fizic subţire, mai mică decât lungimea de difuzie
(purtătorii injectaţi în bază o traversează fără a suferi procese de
recombinare majore)
c) zona colectorului este fizic mai largă decât cea a emitorului (ajută la
colectarea curentului injectat de emitor)
d) colectorul este slab dopat faţă de bază
Relaţiile care guvernează funcţionarea unui tranzistor bipolar sunt:
Curentul de emitor este cel corespunzător unei joncţiuni pn polarizate
direct:
I E = I0 (e U BE /UT -1)
Curentul bazei este o mică fracţie din curentul de emitor:
I B =(1-α )I E
Curentul de colector este proporţional cu curentul de emitor:
I C =α I E
Mărimea adimensională α, denumită coeficient de transfer de curent
între emitor şi colector, are valori tipice mai mari ca 0,9 uzual peste 0,99.
Cele 3 relaţii anterioare pentru curenţi verifică conservarea curentului
în nodul de reţea reprezentat de tranzistor.

27
 I E =IC +I B

α
IC = IB = βI B
1− α
unde β este factorul de amplificare al tranzistorului cu valori cuprinse
între valori unitare şi valori de ordinul sutelor.
Structura şi simbolul unui tranzistor de tipul npn sunt date în figura 5.1

IC
E n p n C
+
EC -
B C
IB
B
- + - + + E
EE EC EE
- IE

a) b)

Fig. 5.1
În funcţie de modul în care sunt polarizate cele două joncţiuni, un
tranzistor bipolar se poate afla în următoarele regimuri de funcţionare:
a) regimul normal, în care joncţiunea emitor-bază este polarizată direct
iar joncţiunea colector-bază este polarizată invers, fig. 5.1.a . În
acest regim se obţine cea mai mare amplificare. Sensurile de
circulaţie a curenţilor sunt indicate în fig. 5.1.b .
b) regimul invers în care joncţiunile sunt polarizate invers faţă de cazul
anterior
c) regimul de blocare în care ambele joncţiuni sunt polarizate invers. În
acest caz tranzistorul este blocat (prin el nu circulă curent).
d) regimul de saturaţie în care cele două joncţiuni sunt polarizate direct.
Cea mai mare parte a aplicaţilor folosesc tranzistorul bipolar în regimul
normal de funcţionare. De asemenea în funcţie de terminalul comun intrării
şi ieşirii, un tranzistor se poate afla în următoarele conexiuni : emitor comun,
colector comun, bază comună.
În cazul conexiunii emitor comun, alegând ca mărimi de intrare IB şi
UBE , iar ca mărimi de ieşire IC şi UCE se definesc următoarele familii de
caracteristici :
1. Caracteristica de intrare IB=f(UBE) la UCE constant
2. Caracteristica de ieşire IC=f(UCE) la IB constant
28
 3. Caracteristica de transfer IC=f(IB) la UCE constant

Pentru un tranzistor npn aceste caracteristici sunt date în fig. 5.2:

IB[µA]
Ic[mA] IB
40µA

Regiunea de saturaţie
UCE
20µA

10µA

UBE[V] 0µA
Regiunea de blocare UCE[V]
a) b)
Fig. 5.2

Indiferent de tipul tranzistorului, în planul caracteristicilor de ieşire se

disting trei regiuni de lucru :
- regiunea de saturaţie care se află în extremitatea stângă a
caracteristicilor de ieşire
- regiunea de blocare care se află sub caracteristica IB = 0
- regiunea activă normală de lucru care se află între cele două regiuni
de blocare şi saturaţie

3. Desfăşurarea lucrării
3.1. Se realizează montajul din fig. 5.3 pentru determinarea
caracteristicilor de intrare ale tranzistorului în conexiunea EC

+
mA
-

+
+ μA - + +
680 K +
VE V S2
S1 -
-
- -

Fig. 5.3
29
 3.2. Se modifică curentul de bază IB din sursa S1 şi se completează
tabelul 5.1
Tabelul 5.1
VCE[V] IB [µA] 0 2 5 10 20 30 40 50
0 UBE [V]
5 UBE [V]
10 UBE [V]

3.3. Se realizează montajul din figura 5.4. pentru determinarea

caracteristicilor de ieşire ale tranzistorului.

+ 4 K7
mA
-

+ + -
μA + +
680 K +
V V S2
S1 -
-
- -

Fig. 5.4.
Pentru fiecare valoare a curentului de bază IB stabilită din sursa S1 se
modifică tensiunea UCE din sursa S2 completându-se tabelul 5.2 .

Tabelul 5.2
IB [µA] VCE [V] 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1 3 5 7 9 10
0 IC [mA]
10 IC [mA]
20 IC [mA]
30 IC [mA]
40 IC [mA]

3.4 Se realizează montajul din fig. 5.5 pentru ridicarea caracteristicilor

statice în regim inversat de funcţionare pentru tranzistorul npn cu Si

30
 +
mA
-

+ -
+ μA + +
680 K +
VE V S2
S1 -
-
- -

Fig. 5.5
3.5 Se determină caracteristica de intrare pentru montajul inversat prin
completarea tabelului 5.3
Tabelul 5.3
VCE [V] IB [µA] 0 5 10 20 30 40 50 60 70
5 VCB[V]

3.6 Se determină caracteristicile de ieşire în montaj inversat prin

completarea tabelului 5.4
Tabelul 5.4
IB [µA] UCE [V] 0 0.5 1 2 3 4 5
0 IE [µA]
10 IE [µA]
30 IE [µA]
50 IE [µA]
70 IE [µA]

4. Conţinutul referatului
- Schemele folosite pentru ridicarea caracteristicilor
- Caracteristicile tranzistorului trasate separat pentru fiecare regim în
parte

31