Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Calculatoare Informatică și Microelectronică

Departamentul Ingineria Software și Automatică

RAPORT
la lucrarea de laborator nr. 5

la Circuite si dispozitive electronice

Tema: “ Studierea tranzistoarelor bipolare”

A efectuat:
st. gr. RM-201 Grosu Maxim

A verificat: Ababii Nicolai

Chişinău 2021
 Sarcina de lucru: De asamblat în softul Proteus circuitele și de obținut
caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar în conexiune comună (BC) și cu emitorul
comun (EC). De determinat din graficile obținute parametrii semnalelor mici “h”.

1) De asamblat schema în conexiune BC. De măsurat tensiunea U EB pentru diferite valori

ale curentului IE pentru UCB=5V conform tabelului 3. De repetat măsurările pentru
UCB=0V. De construit caracteristicile statice de intrare ale tranzistorului în conexiune BC.

Tabelul 1.1
UCB, IE,(mA) 0 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50
5V UEB,(mV) 499 547 584 623 639 654 678 753 884 1230
 U(CB)=5V
1400
1200
1000

U(EB),mV
800
600
400
200
0
0 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
I(E),mA

U(EB)

Tabelul 1.2
UCB, IE,(mA) 0 0,1 0,2 0,5 1 2 5 10 20 50
0V UEB,(mV) 500 547 585 624 658 698 754 823 944 1280

U(CB)=0V
1400
1200
1000
U(EB), mV

800
600
400
200
0
0 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
I(E), mA

U(EB)

2) De măsurat curentul IC pentru diferite valori ale tensiunii UCB pentru IE=5 mA și
10 mA conform tabelului 4. De construit caracteristicile de ieșire ale tranzistorului în
conexiune BC.

Tabelul 2.1
UCB,V 0 2 4 6 8 10 12 14 15
IC IE=5mA 0,88 3,17 4,98 4,99 4,99 4,99 5 5 5,07
mA IE=10mA 0,9 3,27 5,98 7,88 10,1 10,1 10,1 10,1 10,1
 16
14
12
10
I(C),mA
8
6
4
2
0
0 2 4 6 8 10 12 14 15
U(CB),V

I(E)=5mA I(E)=10mA

3) De asamblat schema în conexiune EC. De măsurat tensiunea U BE pentru diferite

valori ale curentului IB pentru UCE=5V conform tabelului 4. De repetat măsurările pentru
UCE=0V. De construit caracteristicile statice de intrare ale tranzistorului în conexiune EC.

Tabelul 3.1
UCE, IE,(mA) 0 0 10 20 30 40 50
5V UBE,(mV) 0 420 638 656 672 680 683

U(CE)=5V
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0 0 10 20 30 40 50
I(E),ma

U(BE)
Tabelul 3.2
UCE, IE,(mA) 0 0 10 20 30 40 50
0V UBE,(mV) 0 350 548 565 582 589 596

U(CE)=0V
700

600

500

400
U(BE),mV

300

200

100

0
0 10 20 30 40 50 60
I(E), mA

4) De măsurat curentul IC pentru diferite valori ale tensiunii UCE pentru IB=0.1 mA și
0.2 mA conform tabelului 5. De construit caracteristicile de ieșire ale tranzistorului în
conexiune EC (fig. 5.9).
Tabelul 4.1
UCE,V 0 0,5 1 1,5 2 3 4 6 8 10 12 15
IC IB=100μA -0,11 11,2 11,2 11,3 11,4 11,5 11,6 11,8 12 12,3 12,5 12,8
mA IB=200μA -0,18 23,1 23,2 23,3 23,4 23,6 23,9 24,3 24,8 25,2 25,7 26,4
30

25

20

15
I(C),mA

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
-5
U(CE),V

I(B)=100μA I(B)=200μA
 Concluzie:
În cadrul laboratorului numarului 5, am asamblat în softul Proteus circuitele și am
analizat caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar în conexiune comună (BC) și cu
emitorul comun (EC).
Pe baza la celea studiate am ajuns la concluzia că tranzistorul bipolar reprezintă un
dispozitiv semiconductor cu 2 jonctiuni electron-gol (n-p), format printr-o succesiune de
trei regiuni p-n-p și dispune proprietăți de amplificare a semnalului electric. Ca urmare a
cercetarii tranzistorului bipolar, pot spune că este format din bază și 2 zone extreme
numite emitor și colector. Cele 2 jonctiuni ale tranzistorului bipolar sunt: joncțiunea
emitorului, care este polarizată direct și jonctiunea colectorului, polarizată invers.
Prin urmare, pot afirma că sunt 3 tipuri de tranzistoare bipolare: discret(p-n-p),
discret(n-p-n) și cel integrat planar (n-p-n).
După modul de polarizare a joncțiunilor , tranzistorul poate funcționa în diferite regimuri:
Activ direct-joncțiunea emitorului este polarizată direct, iar colectorul invers(amplificator,
generator, stabilizator de tensiune.
Săturație-ambele joncțiuni se polarizeaza direct și tranzistorul devine deblocat la
maximum.
Blocare-ambele joncțiuni sunt invers polarizate și tranzistorul devine blocat.
Activ inversat- joncțiunea emitorului este polarizată invers, iar colectorul direct, se
caracterizează de un coeficient de transfer al curentului foarte mic.
Reginurile de săturație și de blocare se utilizează în circuite circuite cu valori discrete-max
și min, iar la final pot afirma că tranzistorul dat are 2 familii de caracteristicile statice:
Familia caracteristicilor de intrare I1 =f(U2) cu U2=const și I2=f(U2) cu I1=const.