CIRCUITE INTEGRATE

DIGITALE

TEORIA TRANZISTOARELOR MOS

Teoria tranzistoarelor MOS
 Teoria tranzistoarelor MOS

 Tranzistoare NMOS cu canal indus

 Parametri si caracteristici electrice

 Tranzistoare PMOS cu canal indus

 Tranzistoare MOS cu canal iniţial

 Calculul elementelor de circuit

 Tranzistorul NMOS cu canal indus
 Tranzistorul MOS cu canal N:
 Structura fizică a tranzistorului NMOS
 Simboluri pentru tranzistoarele NMOS

S G D

n n
+ +
Canal n

Substrat p

Structura fizică NMOS Simboluri NMOS

 Tranzistorul NMOS cu canal indus
 Functionarea tranzistorului MOS cu canal N:
 3 regimuri de operare (blocat, saturat, liniar)

x 10-4 x 10-4
6
2.5
VGS= 2.5 V

5 2
VGS= 2.0 V
4 1.5
1.5

'D (A)
'D(A)
3 VGS= 1.5 V
1
2

0.5 VGS= 1.0 V

1

0
0
0 0 0.5 1 1.5 2 2.5
0.5 1 1.5 2 VDS(V)
VGS(V)

Caracteristicile tranzistorului NMOS

 Tranzistorul NMOS cu canal indus

 Regiunile de functionare pentru tranzistorul MOS cu canal N

 Regiunea de blocare în care curentul care circulă este practic

zero : IDS = 0. Tranzistorul funcţionează în aceasta zonă dacă
este îndeplinită condiţia:

VGS < VT
Tranzistorul NMOS cu canal indus

 Regiunea de conducţie liniară (nesaturată) în care curentul

depinde de tensiunea de drenă şi de cea de grilă şi în care
este îndeplinită condiţia:
0 < VDS < VGS – VT
 În această zonă curentul drenă – sursă satisface ecuaţia:
IDS = [(VGS – VT)VDS – VDS2/2]
 Se observă că IDS depinde liniar de VDS dacă se consideră
termenul VDS2/2 ca fiind foarte mic, rezultând:

IDS = (VGS – VT)VDS

Tranzistorul NMOS cu canal indus

 Regiunea de saturaţie în care curentul este independent de

tensiunea drenă-sursă şi în care este îndeplinită condiţia:
0 < VGS – VT < VDS

 Dependenţa curentului IDS de tensiunea de grilă este dată de

relaţia:

IDS = [(VGS – VT) 2/2]

Tranzistorul NMOS cu canal indus
 În relaţiile de mai sus s-a folosit notaţia  pentru factorul de
câştig al tranzistorului, parametru care depinde atât de
parametrii de proces cât şi de geometria dispozitivului. El este
definit cu relaţia:
   W 
    
 tox  L 
unde
µ = constanta de mobilitate a purtătorilor în canal;
 = permitivitatea izolatorului porţii;
tox = grosimea stratului izolator al porţii;
W = lăţimea canalului;
L = lungimea acestuia.
Tranzistorul NMOS cu canal indus

Geometria tranzistorului MOS

difuzie poarta

drenă Si O2

difuzie

sursă
W

n+ L n+
p
 Tranzistorul PMOS cu canal indus

Tranzistoare PMOS cu canal indus

S G D

p+ p+

Canal p

Substrat n

Structura fizică PMOS

Simboluri PMOS
Tranzistorul PMOS cu canal indus
VGS(V) x 10-4
0

2 1.5 1 0.5 0
0 -0.2
1
-0.4
2
'D(A)
(A)
'D
3
-0.6
4

5 -0.8
6
x 10-4
-1
-2.5
VDS (V)

Caracteristicile tranzistorului PMOS

Tranzistoare MOS cu canal initial
Tranzistoare MOS cu canal iniţial

Simbolurile tranzistoarelor MOS

cu canal iniţial
 Tranzistoare MOS cu canal initial
VGS(V)
x 10-4 0.5 1 1.5 2
6 0
0
5
1
4
'D(A)
2
'D(A)
3
3
2
4
1

0 5
0
1 0.5 0.5 1 1.5
VGS(V) 6
Fig.
x 10-4

Caracteristica intrare/iesire Caracteristica intrare/iesire

NMOS cu canal initial PMOS cu canal initial
 Calculul elementelor de circuit
Calculul rezistenţelor ca elemente de circuit

Determinarea rezistenţei unui material conductor omogen se face cu

relaţia:
 1
R on  
t W () )

unde  = rezistivitatea materialului, t = grosimea, l = lungimea

conductorului, w = lăţimea conductorului. Această expresie se mai poate
1
scrie : R on  RS 
W
()
unde RS este rezistenţa pe suprafaţă şi se măsoară în /m2 .
Calculul elementelor de circuit

Determinarea rezistenţei straturilor

 Calculul elementelor de circuit
Rezistenţe de suprafaţă tipice pentru straturile folosite în tehnologia MOS
Felul stratului Rs [ / ]

Metal 0,03

Difuzie 10  50

Polisilicon 15 100

canal n 104

canal p 2,5104
Calculul elementelor de circuit
 Dependenţa rezistenţei echivalente a tranzistoarelor MOS :
5
x 10
7

4
(Ohm)

3
eq
R

0
0 .5 1 1 .5 2 2 .5
V (V)
DD
 Calculul elementelor de circuit
Rezistenţa tranzistoarelor în conducţie

În conducţie liniară tranzistorul MOS se comportă ca o rezistenţă având

o valoare rezultată din relaţia:
V   1 
Ron   DS    
 I DS     (VGS  VT ) 

Această rezistenţa se numeşte şi a canalului şi se mai notează cu Rc , ea

arătând caracteristica electrică a canalului.
Dată fiind dependenţa lui β de raportul W/L, rezultă că rezistenţa în
conducţie liniară, depinde de aria acestuia astfel:
L
R on  k 
W
De aici rezulta că pentru a obţine tranzistoare cu rezistenţa mai mică şi
deci cu timpi de comutaţie mai mici trebuie să mărim lăţimea W.