Memoria FLASH

Un circuit de memorie este un circuit electronic care asigură posibilitatea

de regăsire a unor informaţii reprezentate sub formă binară care au fost anterior
stocate. Memoriile flash sunt memorii cu citire/scriere, de capacitate mare de
stocare a informaţiei binare, nevolatile, ceea ce înseamnă că datele pot fi stocate
pe termen foarte lung în lipsa tensiunii de alimentare. (asteapta sa fac 1 desen)
O celulă de memorie flash este formata dintr-un singur tranzistor.
Tranzistorul MOS este alcătuit dintr-o grilă de control şi una flotantă, drenă şi
sursă. Grila flotantă stochează electroni (sarcină), ca rezultat al unei tensiuni
suficient de mari aplicată pe grila de control. Un 0 este stocat când există mai
multe sarcini acumulate pe grila flotantă, iar un 1 când există mai puţine sarcini
sau nu există sarcină deloc. Cantitatea sarcinii de pe grila flotantă determină dacă
tranzistorul va conduce curent de la drenă la sursă, când se aplică o tensiune
pozitivă pe grila de control în timpul unei operaţii de citire.
La programarea unei memorii flash, iniţial toate celule sunt în starea 1,
deoarece sarcina a fost îndepărtată din fiecare celulă în timpul unei operaţii de
ştergere anterioară. Operaţia de programare adăugă electroni (sarcină) în grila
flotantă la acele celule care vor memora un 0. Aceasta poate retine sarcina mai
mult de 100 de ani.
În timpul unei operaţii de citire, pe grila de control se aplică o tensiune
pozitivă. Dacă informaţia stocată este 1 logic, tensiunea de pe grila de control este
suficient de mare încât să deschidă tranzistorul. Dacă s-a stocat 0, tranzistorul nu
va conduce pentru că tensiunea de pe grila de control nu e destul de mare încât
sa învingă negativitatea sarcinii stocate în grila flotantă.
În timpul operaţiei de ştergere, sarcina stocată este îndepărtată din celulele
de memorie. Sursei tranzistorului i se aplică o tensiune pozitivă faţă de grila de
control, tensiunea grilă sursă fiind în acest caz opusă ca polaritate celei folosite la
programare. Această tensiune respinge electronii din grila flotantă eliminând
sarcina stocată.