Fizica stării solide.

Aplicaţii

1. Se consideră un conductor metalic cu lungimea L  10 m la capetele căruia se aplică o diferenţă de

3

potenţial U  220 V. Cunoscând mobilitatea electronilor de conducţie   4,55  103 m2V-1s-1, să se

calculeze timpul necesar unui electron pentru a străbate conductorul.

Rezolvare:
Viteza de transport este:
U
vt  E   .
L
Timpul necesar va fi dat de:
L L2
t   106 s,
vt U
adică aproximativ 11,5 zile.

2. Rezistivitatea Ge intrinsec la temperatura T  300 K este   0,47 Ωm. Având în vedere mobilitatea
electronilor n  0,38 m2V-1s-1 şi a golurilor  p  0,18 m2V-1s-1 să se afle: a) concentraţia ni a
purtătorilor de sarcină şi b) raportul dintre vitezele de transport a electronilor şi a golurilor în Ge intrinsec.

Rezolvare:
a) Conductivitatea electrică a semiconductorilor intrinseci este dată de relaţia:
 eni n   p  .
1


Concentraţia intrinsecă :
1
ni   2,37  1019 m-3.
e n   p 
b) Dacă în semiconductor există un câmp electric E, vitezele de transport ale electronilor, respectiv
golurilor sunt:
v n  n E ; v p   p E .
Raportul dintre cele două viteze este:
v n n
  2,11 .
vp p

4. O celulă solară are curentul de saturaţie I S  1 μA, iar la iluminare curentul de scurtcircuit este
I SC  50 mA la temperatura T  290 K. Să se afle: a) rezistenţa internă a celulei solare când
iluminarea tinde la zero; b) tensiunea în gol pe celula solară, în condiţiile de iluminare date; c) tensiunea
U m de pe rezistenţa de sarcină Rm=5 Ω, care corespunde regimului de putere maximă; d) randamentul
celulei solare, dacă puterea incidentă este P  80 mW.
Rezolvare:
a) Caracteristica curent – tensiune a celulei solare este:
 eU 
I  I S  e kT  1  I L ,
 
sau
I  IL
eU
1  e kT .
IS
Prin logaritmare se obţine:
kT I  I S  I L
U ln .
e IS
Rezistenţa internă a celulei este dată de relaţia:
dU kT 1
R   .
dI e I  IS  IL
În absenţa iluminării I  I L  0 şi deci rezistenţa internă a celulei este:
dU kT 1
R0     2,5  104 Ω.
dI e IS
b) Pentru a afla tensiunea în gol se pune condiţia I  0 în ecuaţia caracteristicii curent – tensiune.
Rezultă:
kT  I L 
U ln 1    270 mV.
e  I S 
c) U se poate exprimasi sub forma echivalenta:
kT R0
U ln .
e R
Deci în regim de putere maximă:
kT R0
Um  ln  213 mV.
e Rm
d) Randamentul celulei este dat de relaţia:
Pel U m I m
  ,
Pinc P
unde
R 
I m  I S  0  1  I L  45 mA.
 Rm 
  0,119  12% .

4. Se consideră un cristal intrinsec de Si iradiat cu o radiaţie monocromatică de lungime de undă   1

μm. Ce se va întâmpla cu conductivitatea electrică a cristalului dacă lărgimea benzii interzise a Si este
Eg  1,1 eV ?
Rezolvare:
hc
Energia fotonului incident este    1,24 eV

  Eg astfel, conductivitatea va creşte.

5. Concentraţia donorilor într-un cristal de Ge cu lungimea L  1 cm şi secţiunea s  3 mm2 este

N d  1020 m-3. Considerând toţi donorii ionizaţi şi neglijând conducţia intrinsecă, sa se afle rezistenţa
electrică a cristalului. Pentru Ge mobilitatea electronilor este n  0,38 m2V-1s-1.

Rezolvare:
L L 1 L
R     548,2 Ω.
s s eN d n s

1
6. O celulă solară are un curent de saturaţie I S  10 μA şi produce un curent de scurtcircuit la
iluminare I SC  I L  20 mA. Să se calculeze tensiunea U de mers în gol pe diodă la temperatura
T  300 K.

Rezolvare:
kT  I L 
U ln 1    0,316 V.
e  I S 

Referinţe bibliografice:

Fizica - Teorie, Probleme, Teste, Editura

Politehnica, Timişoara, 2010