Tranzistoare cu efect de câmp

Capitolul 5 S G D

Tranzistoare cu efect de câmp

5.1. Tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (TEC-J) n+ p+ n+

n
5.1.1. Introducere
substrat p
Propus de Shockley în 1952, TEC-J este un rezistor
a cărui secţiune este modificată prin controlul regiunii Fig. 5.1. Structură TEC-J
de sarcină spaţială a unei joncţiuni pn. Denumirea „efect cu canal n.

de câmp” este legată de existenţa câmpului electric în

regiunea de sarcină spaţială a joncţiunii pn. În fig. 5.1 este ilustrată o structură de
TEC-J. Conducţia apare într-un canal de tip n, aflat între sursă (S) şi drenă (D).
Borna G reprezintă poarta (gate – poartă).
Joncțiunea poartă canal se polarizează invers. Creşterea regiunii de sarcină spaţială
face ca acest canal să se îngusteze şi astfel rezistenţa canalului să crească. Lățimea
canalului și implicit rezistenţa acestuia sunt controlabile electric prin diferenţa de
potenţial poartă canal (VGS).
Tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiune funcţionează cu purtători
majoritari. Astfel, pentru TEC-J cu canal n, curentul prin canal este unul de electroni.

Avantaje ale TEC-J față de TB:

- dependenţa de temperatură a caracteristicilor este mai redusă deoarece nu intervin
purtători minoritari;
- rezistența de intrare (între poartă şi canal) este foarte mare – sute de MΩ
(rezistenţa unei joncţiuni polarizate invers);
- inexistenţa tensiunii de decalaj (pentru iD = 0 rezultă vDS = 0);
- zgomot mai redus.
Dezavantajul major îl reprezintă amplificarea în tensiune, care este mică.

1
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Structuri, simboluri si notații

D D

n p

G p p G n n

S S
D - drenă D - drenă
G - poartă G - poartă
S - sursă S - sursă

D D
iD iD
iG=0 vDS vDS
G G
vGS vGS
S S
a) b)
Fig. 5.2. TEC-J – structuri, simboluri şi notaţii; a) canal n; b) canal p.

5.1.2. Caracteristici statice şi regimuri de lucru

Deoarece iG ≈ 0, există doar două

caracteristici: iD 2
0

GS
>V
=4

- caracteristica de transfer: 3
GS

V GS
V

iD = iD ( vGS ) v (5.1) V GS 2
> VT
DS = cst .
-0,1 VGS1 < VT
- caracteristica de ieșire: 0 0,1 vDS [V]
iD = iD ( v DS ) v =cst . (5.2)
GS

Pentru o anumită valoare, VT a tensiunii -VA

VGS, canalul se obturează. VT se numește tensiune
de tăiere sau de prag. Fig. 5.3. Caracteristica de ieşire a
Pentru |vDS| < 0,1 V, TEC-J are o TEC-J în zona liniară.

comportare aproape liniară:

 1

v 2 
iD = Go  1 −  GS   v DS (5.1)
 
  T  
V


2
 Tranzistoare cu efect de câmp

Caracteristica de ieşire pentru TEC-J cu canal n

Pentru caracteristica de ieşire a unui TEC-J cu canal n, fig. 5.4, se remarcă

următoarele zone:
- zona liniară, prezentată în fig. 5.3, în care |vDS| < 0,1 V;
- zona neliniară, pentru 0,1V < vDS < VDS,sat;
- zona de saturaţie, care este situată între vDS = VDS,sat
şi vDS = VDS,BR (tensiunea de străpungere); iD VDS = VDS,sat

- zona de străpungere situată la vDS > VDS,BR. VGS = 0

VDS , sat = VGS − VT (5.2)

Exemplu numeric: VT = - 4 V, VGS = -2 V  VDS,sat = VGS2 > VGS1

2 V.
VGS1 > VT

0 VDS2,sat vDS
Caracteristica de transfer pentru TEC-J cu
Fig. 5.4. Caracteristica de ieşire
canal n pentru TEC-J.
În zona de saturație, TEC-J poate fi folosit ca
amplificator deoarece iD depinde numai de tensiunea de comandă, vGS.
Zona de saturație se mai numeşte şi regiune activă.
2
 v 
iD = I DSS 1 − GS  (5.3)
 VT 
valabilă pentru: VDS ,sat  VDS  VDS ,BR şi VT  VGS  0 .
IDSS reprezintă curentul prin canal pentru VGS = 0. IDSS şi VT sunt parametrii de
catalog. Fig. 5.5 ilustrează caracteristica de transfer pentru TEC-J cu canal n.

iD iD

IDSS (T1)

IDSS IDSS (T2)

T3 > T2 > T1
IDSS (T3)
M

VT 0 VGS 0 VGS
VT (T3)
VT (T2)
VT (T1)

Fig. 5.5. Caracteristica de transfer Fig. 5.6. Influenţa temperaturii asupra

pentru TEC-J cu canal n. caracteristicii de transfer a TEC-J cu canal n.

3
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Caracteristicile TEC-J cu canal p

iD
VDS2,sat vDS
iD 0
VGS1 < VT
VT
0 VGS

0 < VGS2 < VGS1

VGS = 0
IDSS
VDS = VDS,sat
Fig. 5.7. Caracteristica de transfer Fig. 5.8. Caracteristica de ieşire
pentru TEC-J cu canal p. pentru TEC-J cu canal p.

v DS  VDS ,sat  0
+ VDD
5.1.3. Polarizarea TEC-J RD
iD
T
TEC-J cu canal n, în care VG = 0. iG = 0 VDS
Ecuaţia de dispozitiv, valabilă pentru VT < VGS < 0 este:
2
RG RS
 v 
iD = I DSS 1 − GS 
 VT 
Fig. 5.9. Polarizarea
iar cea de circuit este: VGS = − RS  I D TEC-J cu VG = 0.
S-a ținut cont că IG = 0.
VDS = VDD − ( RD + RS )  I D (5.4)
Limita inferioară a regiunii de saturaţie este:
iD
iD
IDSSM
1 1
I D = −  VGS ID = −  VGS
RS RS
IDSS IDSSm

IDM
ID IDm

VT VGS 0 vGS VTM VTm 0 vGS

Fig. 5.10. Determinarea grafică a Fig. 5.11. Variaţia ID funcţie de

valorilor pentru ID şi VGS. împrăştierea parametrilor IDSS şi VT.

4
 Tranzistoare cu efect de câmp

VDS , sat = VGS − VT

Dacă VDS > VDS,sat, atunci dispozitivul se află în regiunea de saturaţie (regiunea activă
pentru TEC-J).
O altă modalitate de polarizare pentru TEC-J, în care potenţialul VG este
determinat de un divizor rezistiv, este prezentată în fig. 5.12. Circuitul din fig. 5.12
are un PSF mult mai stabil decât cel din fig. 5.9.
iD
1 IDSSM
+ VDD ID = −  (VGS − VG )
RS
R1 RD IDSSm
iD
IDM
VG VDS IDm
VGS
R2 RS vGS
VTM VTm 0 VG

Fig. 5.12. Polarizarea Fig. 5.13. Variaţia ID funcţie de împrăştierea parametrilor

TEC-J cu VG ≠ 0. IDSS şi VT.

Aplicația 5.1
Pentru un TEC-J cu canal n se cunoaşte că VT = - 4 V şi IDSS = 10 mA.
Să se calculeze ID pentru: a) VGS1 = 0; b) VGS2 = -1 V; c) VGS3 = -2 V.

Rezolvare

a) I D1 = I DSS = 10 mA
2
 V 
2
 −1 
b) I D 2 = I DSS 1 − GS 2  = 10  1 −  = 5,625 mA
 VT   − 4
2
 −2
c) I D 3 = 10  1 −  = 2,5 mA
 −4

Aplicaţia 5.2
Pentru circuitul din fig. 5.9 se cunoaşte: VDD = 15 V, ID = 5mA, RD = 1kΩ, RS
= 220Ω, RG = 10MΩ. Să se calculeze VDS şi VGS.

Rezolvare

Deoarece curentul de poartă IG este zero, potenţialul pentru poartă este:

VG = − RG  I G = 0
5
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Potenţialul pentru sursă este:

VS = RS  I D = 0,22  5 = 1,1 V
Rezultă:
VGS = VG − VS = 0 − 1,1 = −1,1 V
Tensiunea VDS se obţine folosind relaţia (5.4):
VDS = VDD − ( RD + RS )  I D = 15 − (1 + 0,22)  5 = 8,9 V

5.1.4. Modelarea TEC-J în curent alternativ, la semnal mic

Circuitul echivalent la joasă şi medie frecvenţă (06.11.2020)

Curentul iD depinde atât de tensiunea vGS cât şi de tensiunea vDS.

iD = iD (vGS , v DS )
Modelarea dispozitivului la semnal mic se realizează prin liniarizarea relaţiei de mai
sus în jurul PSF-ului, în regiunea de saturaţie (regiunea activă). Componenta variabilă
a curentului de drenă se poate exprima astfel:
 iD i
d iD =  d vGS + D  d v DS
 vGS  v DS
Se fac următoarele notaţii:
 iD 2  I DSS  VGS 
gm = = 1 −  (5.5)
 vGS vDS =cst .
− VT  VT 
unde gm este panta (transconductanţa)
 iD 1
g ds = = (5.6)
 v DS vGS =cst .
rds
gds este conductanţa TEC-J.
În fig. 5.14 este ilustrat modelul de c.a. (circuitul echivalent) pentru TEC-J, valabil la
semnal mic, joasă şi medie frecvenţă. Panta tranzistorului, gm este uzual de ordinul
1  10 mA/V, iar rezistenţa de drenă, rds are valori uzuale de ordinul zecilor de kΩ.

Circuitul echivalent la frecvențe înalte

Cgd
G D G D
vgs vgs Cgs Cds
rrdds rds
gm∙vgs gm∙vgs
S S S S

Fig. 5.14. Modelul TEC-J la Fig. 5.15. Modelul TEC-J la

semnal mic, frecvenţe joase. semnal mic, frecvenţe înalte.

În fig. 5.15 este prezentat modelul TEC-J pentru semnal mic frecvenţe înalte.
Capacităţile parazite Cgd şi Cgs au valori uzuale în gama 1  10 pF, iar Cds ia valori în
intervalul 0,1  1 pF.

6
 Tranzistoare cu efect de câmp

Aplicaţia 5.3

Pentru amplificatorul cu TEC-J în sursă comună (SC) din fig. 5.16 se

cunoaşte: VDD = 12 V, RD = 3,3 kΩ, T (IDSS = 12 mA, VT = -3V), C1, C2 şi C3 sunt
scurtcircuit la frecvenţa de lucru (C∞).
Se cere: a) Să se determine RS astfel încât ID = 2 mA;
b) Regimul de funcţionare pentru TEC-J;
c) Schema de c.a.;
d) Schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii;
e) Amplificarea în tensiune şi rezistenţa de intrare;
f) Să se reprezinte grafic vD pentru vg = 10-2 ∙ sin ωt.

Rezolvare

a) Utilizăm relaţia pentru dispozitiv (5.3) şi ecuaţia Kirchhoff pentru ochiul de

+ VDD
RD
T vo T vo
C1 G D vo
C2
C3 vgs
vg RG RS vg RG RD vg rds RD
RG gm∙vgs
S
a) b) c)
Fig. 5.16. Aplicaţia 5.3. a) schema de principiu; b) schema de c.a.; c) schema
echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii.

intrare, în care ţinem cont că IG = 0:

2
 V 
I D = I DSS 1 − GS  , VGS = − RS  I D
 VT 
Rezolvând prima ecuație și apoi înlocuind VGS în cea de a doua ecuație se
obține:
VGS − 1,77
VGS = −1,77 V , RS = − =− = 0,885 k = 885 
ID 2

Aleg pentru RS o valoare standardizată apropiată: RS = 910 Ω.

b) VDS ,sat = VGS − VT = −1,77 − (−3) = 1,23 V

VDS = VDD − (RD + RS )  I D = 12 − (3,3 + 0,91)  2  3,6 V

3,6 V = VDS  VDS ,sat = 1,23 V  T în regiunea de saturaţie.

c),d) Schema de curent alternativ este ilustrată în fig. 5.16b, iar schema
echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii este prezentată în fig. 5.16c.
e) Pentru schema din fig. 4.17c se pot scrie următoarele relaţii:
7
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

v g = v gs , vo = − gm  vgs  ( RD || rds )

Conform relaţiei (4.9), panta tranzistorului este:

2  I DSS  VGS  2  12  − 1,77 
gm = 1 −  = 1 −  = 3,28 mA / V
− VT  VT  3  −3 

Rezultă că amplificarea în tensiune este:

vo − g m  v gs  ( RD || rds )
av = = = − g m  ( RD || rds )  − g m  RD = −3,28  3,3 = −10,824
vg v gs

5.5000

5.4500
VD in Volts

5.4000 1

5.3500

5.3000

200.00U 600.00U 1.0000M 1.4000M 1.8000M

WFM.1 VD vs. TIME in Secs

Fig. 5.17. Aplicaţia 5.3. Forma de undă pentru vD.

În relaţia anterioară s-a neglijat rds (de ordinul zecilor de kΩ) în raport cu RD.
Rezistența de intrare este:
vi v g
Ri = = = RG = 10 M
ii iRG

f) Tensiunea variabilă vd este de fapt vo. Rezultă că:

v D = VD + vd = VDD − RD  I D + vo = 12 − 3,3  2 + av  v g = 5,4 − 10,82  0,01 sin t = 5,4 − 0,1082  sin t

În fig. 5.17 este ilustrată forma de undă pentru vD, obţinută prin simularea în SPICE a
circuitului din fig. 5.16a. S-a ales frecvenţa semnalului de intrare f = 1 kHz
(corespunzătoare unei perioade T = 1 ms).

8
 Tranzistoare cu efect de câmp

5.2. Tranzistorul cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor (TEC-MOS)

5.2.1. Introducere

TEC-MOS este un dispozitiv electronic ce se bazează pe conducţia curentului

electric la suprafaţa semiconductorului.
Uneori este denumit şi TEC-MIS (metal-izolator-semiconductor).
Poarta este din aluminiu (metal – M) sau polisiliciu, izolatorul este un strat subţire de
oxid de siliciu (oxid – O), iar restul este din siliciu (semiconductor – S).
„Efect de câmp” - conducția în tranzistorul MOS este controlată de un câmp electric
extern.
TEC-MOS se remarcă prin:
a) impedanţă de intrare foarte mare;
b) câștig în tensiune mic-mediu;
c) consum mic de putere;
d) dimensiuni mici (se pot realiza milioane de dispozitive pe un chip în
microprocesoare, la TB numărul dispozitivelor pe chip fiind mai mic cu unul
până la două ordine de mărime).

Clasificarea TEC-MOS

- cu canal inițial (n sau p); S

- cu canal indus (n sau p).
Metal G
W
Structuri, simboluri şi SiO2 D
notaţii ale TEC-MOS
n+
În TEC-MOS, Regiunea
conducţia se realizează la sursei
L
suprafaţa substratului de Substrat tip p n+
siliciu, între două zone cu Regiunea
tip de conducţie diferit de canalului
B
Regiunea
tipul substratului (de (substrat)
drenei
exemplu, dacă substratul
Fig. 5.18. Structura unui TEC-MOS cu canal n indus.
este de tip p, atunci
conducţia se realizează între
două zone de tip n). Cele două zone se numesc sursă (S) şi drenă (D). Pentru ca între
D şi S să apară conducţie electrică este necesar să se inducă un canal de acelaşi tip cu
S şi D, de către un câmp electric aplicat între poartă şi substrat. În fig. 5.18 este
ilustrată structura unui TEC-MOS cu canal n indus. Dacă se schimbă tipul zonelor
semiconductoare din n în p şi invers, atunci se obţine un TEC-MOS cu canal p indus.
Notații: L – lungimea canalului; W – lățimea canalului.

9
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Sursă Poartă Drenă

(S) (G) (D)
Metal SiO2
S G D
n+ Regiunea canalului n+
L Canal n
n+ n+
Substrat tip p L
Substrat tip p
Substrat
(B – body) B
Fig. 5.19. Secţiune prin TEC-MOS cu Fig. 5.20. Secţiune prin TEC-MOS cu canal
canal n indus. n iniţial.

În fig. 5.19 este prezentată o secţiune printr-un TEC-MOS cu canal n indus.

Substratul este de tip p şi este slab dopat. Regiunea sursei şi cea a drenei sunt de tip n
(acelaşi tip cu cel al canalului) şi sunt puternic dopate (n+). Stratul de SiO2 formează
un foarte bun izolator între poartă şi celelalte regiuni ale dispozitivului.
TEC-MOS cu canal inițial permit conducţia curentului electric şi pentru VGS =
0. În fig. 5.20 este prezentată secţiunea printr-un TEC-MOS cu canal n iniţial.
Aplicarea unei tensiuni VGS va determina modificarea înălţimii canalului iniţial în
funcţie de polaritatea acesteia.
Ca şi la TEC-J, curentul de poartă este: iG = 0  iD = iS
astfel că prin dispozitiv va circula un singur curent, iD.
Dispozitivele MOS discrete au borna de substrat (B) conectată la sursă, astfel
că sunt accesibile numai trei borne.

D D D D

B B B B
G G G G

S S S S
D D D D
iD iD iD iD
vDS vDS vDS vDS
G B G B G B G B
vGS vGS vGS vGS
S S S S
a) b) c) d)
Fig. 5.21. TEC-MOS – simboluri şi notaţii; a) canal n indus; b) canal p indus;
c) canal n iniţial; d) canal p iniţial.

10
 Tranzistoare cu efect de câmp

5.2.2. Capacitorul MOS

O secţiune verticală prin regiunea porţii TEC-MOS permite o descriere
calitativă a fenomenelor care au loc în dispozitiv. În fig. 5.22 este reprezentat
capacitorul MOS rezultat din această secţionare a unui TEC-MOS cu canal n indus.
Pentru o tensiune VGS < 0, fig. 5.22a, sub stratul de oxid vor predomina
golurile (purtătorii mobili de sarcină pozitivi), conducţia în dispozitiv rămânând
neschimbată, deoarece nu există canal de conducţie între D şi S. Dispozitivul se
comportă ca două diode înseriate cu anozii conectaţi împreună – ambele diode fiind
polarizate invers.
Dacă tensiunea dintre poartă şi substrat respectă relaţia: VT > VGS > 0, fig.
4,23b, atunci sub stratul de oxid de siliciu se obţine o regiune golită de purtători, care
nu permite conducţia curentului electric.
Pentru VGS > VT, în care VT se mai numeşte şi tensiune de prag, se produce sub
stratul de oxid de siliciu o inversie de purtători, adică se obţine o regiune în care
semiconductorul este de tip n (purtătorii mobili de sarcină sunt electronii). Crearea

G
- - - - Polisiliciu
+ + + + + + + +
SiO2
a) VGS < 0 +
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ Substrat
+ + + + + + + +
+ + + + + + + +
tip p

G
+ + + + +
Regiune
golită de
b) VT > VGS > 0 + + + + + + + +
purtători
+ + + + + + + +
+ + + + + + + +
+ + + + + + + +

G
+ + + + + + + + Regiune de
- - - - - - - -
inversie
c) VGS > VT
+ + + + + + + + Regiune golită
+ + + + + + + +
+ + + + + + + + de purtători

S
Fig. 5.22. Distribuţia purtătorilor mobili de sarcină în capacitorul MOS, pentru
diferite tensiuni de polarizare: a) VGS < 0; b) VT > VGS > 0; c) VGS > VT.

acestei zone între D şi S permite conducţia curentului electric între D şi S. Deoarece

canalul de conducţie a curentului electric este rezultatul apariţiei câmpului electric
extern în regiunea de semiconductor aflată sub poartă (câmpul electric este rezultatul
aplicării tensiunii VGS) se spune că s-a indus canalul n în TEC-MOS.
11
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

5.2.3. Caracteristicile statice şi regimurile de lucru

Caracteristicile statice ale TEC-MOS cu canal n indus
În fig. 5.23c,d sunt ilustrate caracteristicile acestui tip de dispozitiv, împreună
cu notaţiile folosite – fig. 5.23a – şi modul de polarizare - fig. 5.23b.
Canalul reprezentat în fig. 5.23b apare pentru VGS > VT.
VGG VDD
D S G D
iD
canal
n+ n+ VGS = VGG > 0
vDS
G B VDS = VDD > 0
vGS p
S
B
a)
b)
iD iD
VDS = VDS,sat
VGS3 > VGS2

VGS2 > VGS1

VGS1 > VT > 0

VGS1 < VT
0 VDS2,sat VDS 0 VT VGS
c) d)
Fig. 5.23. TEC-MOS cu canal n indus: a) notaţii; b) polarizare;
c) caracteristică de ieşire; d)caracteristică de transfer.
Pentru ca TEC-MOS cu canal n indus să funcţioneze în regim activ (în
amplificatoare), acesta trebuie polarizat astfel încât: VGS > VT > 0 şi VDS > VDS,sat > 0.
Caracteristicile statice ale TEC-MOS cu canal p indus
VGG
D VDD
S G D
iD
canal
vDS p+ p+ VGS = - VGG < 0
G B n VDS = - VDD < 0
vGS
S B
a) b)
iD iD
VGS1 > VT VT
VGS1 < VT < 0 0 V 0 VGS
DS

VGS2 < VGS1

VGS3 < VGS2

VDS = VDS,sat
c) d)
Fig. 5.24. TEC-MOS cu canal p indus: a) notaţii; b) polarizare;
c) caracteristică de ieşire; d) caracteristică de transfer.

12
 Tranzistoare cu efect de câmp

Caracteristicile statice ale TEC-MOS cu canal n iniţial

D VGG
G D VDD
iD S
vDS canal
n+
G n+ VGS = VGG > VT < 0
B
vGS p VDS = VDD > 0
S
a) B

iD b) iD
VDS = VDS,sat
VGS3 > VGS2
VGS2 > VGS1 Regim de
îmbogăţire
IDSS
VGS1 = 0 Regim de
VGS ≤ VT < 0 sărăcire
0 VDS2,sat VDS VT 0 VGS
c) d)
Fig. 5.25. TEC-MOS cu canal n iniţial: a) notaţii; b) polarizare;
c) caracteristică de ieşire; d) caracteristică de transfer.

Caracteristicile statice ale TEC-MOS cu canal p iniţial

D
iD VGG VDD
S G D
vDS
G B canal
VGS = -VGG < VT > 0
vGS p+ p+ VDS = -VDD < 0
n
S
a) B
b)
iD iD
VGS ≥ VT > 0 VT
VGS1 = 0 0 VDS Regim de 0 VGS
sărăcire
VGS2 < VGS1 IDSS
Regim de
VGS3 < VGS2 îmbogăţire

VDS = VDS,sat
c) d)
Fig. 5.26. TEC-MOS cu canal p iniţial: a) notaţii; b) polarizare;
c) caracteristică de ieşire; d) caracteristică de transfer.

13
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Regimurile de lucru

TEC-MOS are 3 regimuri de lucru [8]:

a) regimul de tăiere;
b) regimul de triodă (o zonă liniară + o zonă neliniară);
c) regimul activ (sau de saturaţie).
În circuitele digitale, dispozitivele MOS pot trece prin toate cele 3 regimuri. În
circuitele analogice, cum ar fi amplificatoarele, se utilizează în special regiunea
activă.
În regimul (regiunea) de tăiere ID = 0.
În regimul (regiunea) de triodă
I D  0 şi iD = iD (vGS, vDS),
dependenţa curentului iD fiind puternică faţă de ambele tensiuni. Această regiune se
mai numeşte şi regiune ohmică.
În regiunea activă iD depinde foarte slab de tensiunea vDS.
I D  0 şi iD ≈ iD (vGS),

Descrierea matematică a caracteristicilor statice ale TEC-MOS cu canal n

indus, în regiunea activă (de saturaţie) (05 noe 2021)

La limita dintre regiunea de triodă şi regiunea activă, tensiunea drenă – sursă

are expresia:
VDS = VDS , sat = VGS − VT
Curentul de drenă este:
I D =   (VGS − VT )
, pentru VGS  VT şi VDS = VDS ,sat
2
(5.7)
Ţinând cont şi de slaba dependenţă a curentului iD de vDS, în regiunea activă,
caracteristica TEC-MOS cu canal n indus este descrisă matematic de relaţia:
I D =   (VGS − VT ) 1 +  (VDS − VDS ,sat ), pt. VGS  VT şi VDS  VDS ,sat
2
(5.8)
unde λ este factorul de modulaţie a lungimii canalului.
Pentru TEC-MOS cu canal p indus, este valabilă relaţia (5.8), cu următoarele
amendamente: β < 0, VGS  VT şi VDS  VDS ,sat .
Pentru TEC-MOS cu canal n iniţial), în regiunea activă se utilizează o relaţie
similară cu cea de la TEC-J cu canal n:
2
 v 
I D = I DSS 1 − GS  1 +  (VDS − VDS ,sat ) pt. VGS  VT şi VDS  VDS ,sat (5.9)
 VT 
Pentru TEC-MOS cu canal p iniţial este valabilă relaţia (5.9) cu următoarele
amendamente: IDSS < 0, VGS  VT şi VDS  VDS ,sat .

Aplicaţia 5.5

Pentru circuitul din fig. 5.27 se cunoaşte: T (β = 1 mA/V2, VT = 1V, λ = 0). Se cere
să se determine PSF-ul şi regimul de funcţionare pentru T.
14
 Tranzistoare cu efect de câmp

Rezolvare VDD = 12 V
R2 R1 RD
VG = VDD
R1 + R2 30 MΩ 5 kΩ
ID
− VG + VGS + RS  I D = 0 D
T
I D =   (VGS − VT ) VDS
2
G
VDD = VDS + (RD + RS )  I D VGS S
ID
VDS , sat = VGS − VT R2 RS
10 MΩ 1 kΩ
Rezolvarea sistemului de ecuaţii conduce la următoarele
rezultate: Fig.5.27. Aplicaţia 5.5.
T (VGS = 2 V, VDS = 6 V, ID = 1 mA), VDS,sat = 1 V < VDS =
6 V.
Rezultă că T este în regiunea activă (de saturaţie).

5.2.4. Polarizarea TEC-MOS (05.11.2019)

O modalitate de polarizare pentru TEC-MOS cu canal n indus este ilustrată în

fig. 5.27. Pentru determinarea grafică a PSF-ului pentru T sunt necesare următoarele
relaţii:
R2
VG = VDD
R1 + R2

VGS = VG − RS  I D

I D =   (VGS − VT )  VT
2
pt. VGS
În fig. 5.28a s-au reprezentat grafic ultimele două ecuaţii: pentru dreapta de sarcină şi
iD [mA]
iD [mA]
VGS − VG VGS2 = 3 V
ID = − 4
VG RS
3
RS VGS2 = 2,5 V
VDD
2
R
Caracteristica S+RD M VGS1 = 2 V
1 TEC-MOS 1
VGS < VT = 1V VDS[V]
0 1 2 VG VGS [V] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VDD
a) b)
Fig. 5.28. Determinarea grafică a PSF-ului pentru TEC-MOS din circuitul din fig.
5.27: a) pe caracteristica de transfer şi b) pe caracteristica de ieşire.

pentru caracteristica de transfer a TEC-MOS, din intersecţia lor rezultând: ID = 1 mA

şi VGS = 2 V (s-au folosit datele din aplicaţia 5.5) .

15
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

VDD = 12 V
Aplicația 5.6
R1 RD
30 MΩ 2 kΩ
În circuitul din fig. 5.29 se cunoaşte: T (IDSS = 0,5 ID
D
mA, VT = -1 V, λ = 0). T
VDS
Se cere să se determine PSF-ul și regimul de G
S
VGS
funcționare pentru T. ID
R2 RS
Rezolvare 10 MΩ 1 kΩ
R2
VG = VDD
R1 + R2 Fig.5.29. Circuit pentru
polarizarea TEC-MOS cu
− VG + VGS + RS  I D = 0 (a) canal n iniţial.
2
 v 
I D = I DSS 1 − GS  (b)
 VT 

VDD = VDS + (RD + RS )  I D (c)

VDS , sat = VGS − VT
Rezolvarea sistemului de ecuații conduce la următoarele rezultate:
T (VGS = 1 V, VDS = 6 V, ID = 2 mA), VDS,sat = 2 V < VDS = 6 V. Rezultă că T este în
regiunea activă (de saturaţie).
iD [mA]
iD [mA]
Caracteristica
TEC-MOS VDD
RS+RD VGS3 = 1,5 V
VG
3
RS
VGS − VG M VGS2 = 1 V
2 ID = − 2
RS
1 1 VGS1 = 0 V
VGS < VT = -1V
VDS[V]
-1 0 1 2 VG VGS [V] 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 VDD
a) b)
Fig. 5.30. Determinarea grafică a PSF-ului pentru TEC-MOS din circuitul din fig.
5.29: a) pe caracteristica de transfer şi b) pe caracteristica de ieşire.

Folosind relațiile scrise pentru aplicația 5.6, în fig. 5.30 s-a ilustrat metoda
grafică de determinare a PSF-ului pentru TEC-MOS cu canal n iniţial. S-au folosit
datele din aplicaţia 5.6. Se observă că punctul M este aproximativ în zona centrală pe
dreapta de sarcină. Totuşi este mai aproape de regiunea de triodă şi pentru o
polarizare optimă ar trebui fie scăzut potenţialul V G, fie scăzută valoarea rezistenţei
RD, sau a rezistenţei RS.

16
 Tranzistoare cu efect de câmp

Aplicaţia 5.7 VDD = 5 V

RD
În circuitul din fig. 5.31 se cunoaşte: T(β = 1 mA/V2, IG 500 Ω
D
VT = 1V şi λ = 0). R1 ID
10 MΩ
Se cere să se determine PSF-ul pentru T şi regimul G
T VDS
de funcţionare. VGS S

Rezolvare Fig. 5.31. Circuit pentru

IG = 0 , VDS = R1  I G + VGS polarizarea TEC-MOS cu
canal n indus.
VDD = RD  I D + VDS I D =   (VGS − VT )
2
,
VDS , sat = VGS − VT

Rezolvarea sistemului de ecuaţii conduce la următoarele rezultate:

T (VGS = 3 V, VDS = 3 V, ID = 4 mA), VDS,sat = 2 V < VDS = 3 V.
iD [mA] iD [mA]
VDD VDD
RS RS VGS3 = 4 V
8 8
6 6
M VGS2 = 3 V
4 4
2 2 VGS1 = 2 V
VGS [V] VDS[V]
0 1 2 3 4 VDD 0 1 2 3 4 VDD
a) b)
Fig. 5.32. Determinarea grafică a PSF-ului pentru TEC-MOS din circuitul din
fig. 5.31: a) pe caracteristica de transfer şi b) pe caracteristica de ieşire.

Rezultă că T este în regiunea activă (de saturaţie).

Observaţie: Deoarece VGS = VDS, excursia maximă a tensiunii de ieşire către
regiunea de triodă este independentă de circuitul de polarizare:
VDS − VDS , sat = VGS −V GS +VT = VT

Ca urmare, acest tip de polarizare este recomandat pentru circuite cu tensiuni mici de
alimentare sau pentru TEC-MOS cu VT suficient de mare.
În fig. 5.32 este ilustrată determinarea grafică a PSF-ului pentru circuitul din
fig. 5.31. S-au utilizat datele din aplicaţia 5.7. Se observă că excursia de tensiune pe
dreapta de sarcină, fig. 5.32b, către regiunea de triodă este chiar mai mică decât VT,
ceea ce reprezintă un dezavantaj al acestei variante de polarizare a TEC-MOS.

17
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

5.2.5. Modelarea TEC-MOS în curent alternativ, la semnal mic

Circuitul echivalent la joasă şi medie frecvenţă

Ca şi la TEC-J, curentul iD depinde atât de vGS cât şi de vDS.

iD = iD (vGS , v DS )
De asemenea, componenta variabilă a curentului de drenă se poate exprima astfel:
 iD i
d iD =  d vGS + D  d v DS
 vGS  v DS

Se fac aceleaşi notaţii ca la TEC-J:

 iD  iD 1
gm = şi g ds = =
 vGS  v DS rds
unde gm este panta (transconductanţa), iar gds este conductanţa TEC-MOS.
Pentru TEC-MOS cu canal indus se utilizează relaţia (5.8), valabilă în
regiunea activă:
iD =   (vGS − VT ) 1 +  (v DS − VDS ,sat )
2

Rezultă:
 iD 2  ID
gm = = 2    (VGS − VT )1 +   (VDS − VDS ,sat ) = (5.10)
 vGS vDS =cst .
VGS − VT

1 1 1
rds = =  (5.11)
 iD     (VGS − VT )2
  ID
 v DS vGS =cst .

Pentru TEC-MOS cu canal iniţial se utilizează relaţia (5.9), valabilă în

regiunea activă:
2
 v 
iD = I DSS 1 − GS  1 +  (VDS − VDS ,sat )
 VT 
Rezultă:
 iD  VGS  2  ID
1 +   (VDS − VDS ,sat ) =
I DSS
gm = =2 1 − (5.12)
 vGS vDS =cst .
− VT  VT  VGS − VT

1 1
rds =  (5.13)
 V 
2
  ID
  I DSS  1 − GS 
 VT 
Circuitul echivalent al TEC-MOS în c.a. la semnal mic, la joasă şi medie
frecvenţă este acelaşi cu cel ilustrat pentru TEC-J în fig. 5.14. Parametrii acestuia se
calculează cu relaţiile (5.10) şi (5.11) pentru TEC-MOS cu canal indus şi cu relaţiile
(5.12) şi (5.13) pentru TEC-MOS cu canal iniţial.

18
 Tranzistoare cu efect de câmp

Aplicaţia 5.8
VDD = 12 V
Pentru circuitul din fig. 5.33 se cunoaşte: T (β = R1 RD
1 mA/V2, VT = 1V şi λ = 0) şi C1, C2, C3 sunt C∞. 30 MΩ
ID
5 kΩ
vo
Se cere:
T C2
a) Să se determine PSF-ul pentru T şi regimul de C1

funcţionare; RL
R2 RS 5 kΩ
b) Parametrii dinamici pentru T; vi 10 MΩ 1 kΩ C3
c) Schema de curent alternativ;
d) Schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii;
Fig. 5.33. Aplicaţia 5.8.

vo
T
G D vo

vi vgs RL
RGG RD RL vi RGG rds RD
gm∙vgs
S

a) b)
Fig. 5.34. Aplicaţia 5.8: a) schema de c.a.; b) schema echivalentă la semnal mic,
frecvenţe medii.
e) Amplificarea în tensiune şi rezistenţa de intrare.

Rezolvare
a) PSF-ul şi regimul de funcţionare au fost determinate în aplicaţia 5.5:
T (VGS = 2 V, VDS = 6 V, ID = 1 mA), VDS,sat = 1 V < VDS = 6 V. T este în regiunea
activă (de saturaţie).
b) Parametrii dinamici se determină cu relaţiile (5.10) şi (5.11):
g m = 2    (VGS − VT ) = 2  1  ( 2 − 1) = 2 mA / V

1
rds = → deoarece λ = 0.
  ID
c), d) Schema de c. a. şi schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii
sunt ilustrate în fig. 5.34a, respectiv 5.34b.
e) Pentru schema din fig.5.34b se pot scrie următoarele ecuaţii:
v gs = vi , rds → 

vo = − g m  v gs  (rds || RD || RL )

Se obţine amplificarea în tensiune, respectiv rezistenţa de intrare:

19
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

55
= − g m  (RD || RL ) = −2
vo
av = = −5
vi 5+5
vi
Ri = = RGG = R1 || R2 = 7,5 M
ii
Aplicația 5.9

Pentru circuitul din fig. 5.35 se cunoaşte: T (VT = 0,8 V), C1, şi C2 sunt C∞.
Pentru ID1 = 100 μA s-au măsurat gm1 = 2 mA/V şi rds1 = 180 kΩ.
Se cere:
a) R1 = ? astfel încât VDS = 6 V;
b) Parametrii dinamici în PSF;
c) Amplificarea în tensiune şi rezistenţa de intrare la frecvenţe medii.

Rezolvare
VDD − VD
I D2 = I D =   (VGS − VT )
2
,
RD

g m = 2    (VGS − VT )

R2
VGS = VDD
R1 + R2

1
rds =
  ID
Rezultă:
VDD − VD 10 − 6
I D2 = = = 0,8 mA
RD 5

g m2 1 22
= = = 10 mA / V 2 VDD = 10 V
4  I D1 4  0,1 RD
R1
5 kΩ
ID 0,8 ID vo
VGS = VT + = 0,8 + = 1,0828 V
 10 C1 T C2
VDD 10 RL
a) R1 =  R2 − R2 =  100 − 100 = 823,5 k , aleg
VGS 1,0828 R2 5 kΩ
vi
R1 = 820 kΩ 100 kΩ

b) g m 2 = 2    (VGS − VT ) = 2  10  (1,086 − 0,8) = 5,72 mA / V

Fig. 5.35. Aplicaţia 5.9.
r I 180  0,1
rds 2 = ds1 D1 = = 22,5 k
I D2 0,8

c) T este în conexiunea sursă comună (SC), ca şi în aplicaţia 5.8, ca urmare

amplificarea în tensiune şi rezistenţa de intrare la frecvenţe medii sunt:

20
 Tranzistoare cu efect de câmp

= − g m 2  (rds 2 || RD || RL ) = − g m 2 
vo 1
av = = −12,87
vi 1 1 1
+ +
rds 2 RD RL

R1  R2 100  820
Ri = R1 || R2 = = = 89,13  89 k
R1 + R2 100 + 820

Modelarea TEC-MOS la înaltă frecvenţă

Circuitul echivalent în c. a. al TEC-MOS, valabil la înaltă frecvenţă este

prezentat în fig. 5.36. S-a avut în vedere că între fiecare pereche de borne şi între
borne şi substrat există capacităţi parazite. Acestea sunt de două feluri:
- capacităţi plan-paralele, care constau în două materiale conductoare plane,
separate de un dielectric şi care sunt relativ independente de tensiunea aplicată la
borne;
- capacităţi asociate cu regiunile de sarcină spaţială, care sunt puternic dependente
de tensiunea aplicată.
Ambele tipuri de capacităţi sunt funcţie de dimensiune.
Capacitatea Cgs este în principal una plan paralelă în regiunea activă. Cea mai
mare componentă a acestei capacităţi este între poartă şi canalul indus.
Capacitatea Cgd este determinată în primul rând de capacitatea de suprapunere
şi se poate estima cu relaţia similară cu cea anterioară. Deşi Cgdov este uzual mică,
aceasta poate fi multiplicată prin efect Miller în conexiunea sursă comună, limitând
frecvenţa superioară a amplificatorului.
Capacitatea Cdb este constituită din capacitatea regiunii de sarcină spaţială a
joncţiunii drenă-substrat. Această
Cgd
joncţiune este polarizată invers. Cdb G D include
şi capacitatea dintre drenă şi regiunile vgs mai
puternic dopate ale dispozitivelor MOS C gs g ∙v
m gs rds C ds

adiacente. Aceste capacităţi depind de

tensiuni dar şi de ariile implicate. S
Capacitatea Csb este similară cu Cgb Csb Cdb
Cdb
exceptând faptul că Csb include şi
capacitatea regiunii de sarcină spaţială B dintre
sursă şi substrat. Componenta Csb Fig. 5.36. Circuitul echivalent în c. a. devine
nesemnificativă când S şi B sunt al TEC-MOS, valabil la înaltă
frecvenţă.
conectate la masă. Capacitatea dintre canal
şi substrat este distribuită pe toată lungimea canalului.
Utilizarea modelului TEC-MOS pentru înaltă frecvenţă în analiza manuală a
circuitelor electronice este laborioasă din cauza complexităţii capacităţilor parazite.
În general se preferă utilizarea unui program de simulare bazat pe SPICE.

21
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Probleme propuse

1. Determinaţi în ce regim (de sărăcire, de îmbogăţire sau nici unul dintre

acestea) este polarizat fiecare TEC-MOS cu canal iniţial din fig. 5.37.
+VDD +VDD +VDD -VDD
RD RD RD RD

T RG T T T

RG RS RG RS

a) b) c) d)
Fig. 5.37. Problema 1

2. Tranzistoarele TEC-MOS cu canal indus din fig. 5.38 au |VT| = 5 V. Să se

precizeze dacă ID = 0 sau ID ≠ 0 ( tranzistoarele sunt în conducţie sau sunt blocate).
VDD = 10 V VDD = -25 V
R1 RD R1 RD
4,7 MΩ 10 kΩ 10MΩ 4,7 kΩ

T T
R2
R2 1 MΩ
10 MΩ
a) b)
Fig. 5.38. Problema 2.
3. Să se determine VDS pentru TEC-MOS cu canal iniţial din fig. 5.39, dacă
IDSS = 8 mA.

VDD = + 12V VDD = + 15V VDD = -9V

RD RD RD
1 kΩ 1,2 kΩ 560 Ω

T T T
RG RG RG
10 MΩ 10 MΩ 10 MΩ

a) b) c)
Fig. 5.39. Problema 3.

22
 Tranzistoare cu efect de câmp

4. Să se determine VGS şi VDS pentru dispozitivele MOS din fig. 5.40.

VDD = 10 V VDD = 5 V
R1 RD R1 RD
10 MΩ 1 kΩ 10 MΩ 1,5 kΩ

T T
R2 R2
4,7 MΩ 10 MΩ

VT = 2 V şi VT = 1,5 V şi
ID = 3 mA pentru VGS = 4 V ID = 2 mA pentru VGS = 3 V
a) b)
Fig. 5.40. Problema 4

5. Pentru T(VT = 2 V) din fig. 5.41 se cunoaşte că dacă VGS1 = 4 V, atunci ID1
= 200 mA şi gm1 = 23 mA/V. Amplitudinea tensiunii de intrare este Vi = 25 mV.
Se cere: a) VGS = ?, VDS = ?, ID = ?.

VDD = 10 V
R1 RD
47 kΩ 3,3 kΩ
vo

C1 C2
T
RL
R2 33 kΩ
vi 8,2 kΩ

Fig. 5.41. Problema 5.

Aplicații TEC-J

23
Dispozitive electronice şi electronică analogică

24
 Tranzistoare cu efect de câmp

Ap. 5.7

25
 Dispozitive electronice şi electronică analogică

Problema propusa 1

26
 Tranzistoare cu efect de câmp

PP 2

27