Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Poptic
N F , Poptic - puterea fluxului optic.
h
n NF Poptic h
G (2)
W LD W LD
D - grosimea fotorezistorului; - eficienţa cuantică, care este egală cu raportul numărului de
perechi generate la numărul de fotoni incidenţi; n - numărul de purtători de sarcină într-o
unitate de volum.
Fotocurentul dintre contacte este:
I P W D q n n W D q n vd W D , (3)
Poptic n
I p q .
h L
Poptic
I ph q .
h
unde
L
t tr - timpul de tranziţie al purtătorilor de sarcină,
vd
Din cauză că la fotorezistori distanţa dintre contactele ohmice este mare, iar câmpurile
electrice prezente sunt mici, timpul de fotorăspuns este mult mai mare ca la fotodiode.
A1 2 B 1 2
D* ; cm Hz 1 2 W ,
m Poptic 2
I max I min
unde m - gradul de modulare al frecvenţei, I - intensitatea semnalului optic; A -
I max I min
aria suprafeţei fotorezistorului; B - banda de transparenţă a frecvenţelor.
Exemplu: Pentru 0,5m cea mai mare sensibilitate o posedă CdS. Pentru 10 m
se utilizează HgCdTe.
În tabelul 1 de mai jos sunt prezentate lărgimile benzilor energetice interzise şi pragul
roşu a fotoconducţiei (fotosensibilităţii) pentru cele mai utilizate materiale semiconductoare.
Tabelul 1
Materialul Eg , eV 0 , µm
Ge 0,67 1,85
Si 1,11 1,12
CdSe 1,74 0,71
CdTe 1,5 0,83
CdS 2,42 0,51
GaAs 1,43 0,87
InP 1,28 0,97
PbS 0,29 4,28
PbSe 0,15 8,27
Caracteristicile fotorezistoarelor
1. Caracteristica curent-tensiune
Sunt simetrice în raport cu originea axelor de coordonate, deoarece rezistenţa lor nu
depinde de polaritatea tensiunii aplicate. De obicei, se construiesc fotorezistoare numai pentru o
polaritate a tensiunii aplicate.
I I 0 I L C 0 U C f 0 U ,
I L k 0 0 , pentru U const ,
unde k 0 C f U .
3. Caracteristicile spectrale
Prezintă un maxim pronunţat în regiunea absorbţiei fundamentale, unde 1,24 E g .
Caracteristica spectrală este puternic influenţată de prezenţa impurităţilor în
semiconductor. Impurităţile se introduc cu scopul sporirii sensibilităţii şi a lărgimii spectrului
spre lungimi de undă mai mari.
4. Dependenţa sensibilităţii de frecvenţă
i - este constantă de creştere a fotocurentului sau timpul în care fotocurentul creşte până la
valoarea I L 1 e I 0 0,63 I 0 ; I 0 - valoarea staţionară a fotocurentului; d - constanta de
1
I0
I .
1 0
2
Odată cu creşterea frecvenţei fluxului luminos, amplitudinea componentei variabile a
fotocurentului scade. Constanta de timp 0 este o măsură a inerţiei fotorezistorilor la acţiunea
radiaţiei incidente. Cu cât sensibilitatea este mai mare cu atât constanta de timp este mai mică.
Pentru: CdS, CdSe avem 0 10 2...10 3 s , iar pentru PbS, PbSe avem
0 10 ...10
4 5
s
JONCŢIUNEA p – n
Joncţiunea p – n – este contactul ideal dintre două semiconductoare de tip „n” şi „p”.
q b p n E g q p q n E g q n q p .
Nv N
q b E g kT ln kT ln c .
Na Nd
W n p ,
n pp
unde - concentraţia invers proporţională a purtătorilor de sarcină majoritari.
p nn
Rezultă:
2 0 N d N a
W b .
qN d N a
I I S exp qU kT 1 ;
qDn n p qD p p n
I s I Sn I Sp ;
n p
n p n pn p
I S q .
p
n
I I Sn I Sp exp qU kT 1 .
În cazul când regiunea „p” este mai puternic dopată ca regiunea „n”, atunci I Sp I Sn , şi,
prin joncţiunea p – n curge primordial curentul creat de goluri.
În acest contact variază, nu numai structura zonelor energetice, dar şi masa efectivă a
purtătorilor de sarcină, mobilitatea lor, limita absorbţiei şi alţi parametri. Posibilitatea varierii
acestor parametri permite realizarea unor dispozitive unice cu parametri record.
Cel mai important factor ce vorbeşte despre perspectiva cuplurilor alese este faptul că ele
formează un şir continuu de soluţii solide în tot domeniul de concentraţii. Şi, deci, se
confecţionează semiconductori cu E g într-un domeniu larg de valori, având constanta reţelei
cristaline practic neschimbată. Astfel de structuri semiconductoare au o densitate mică de
defecte, deci sunt de o înaltă calitate.
S - lucrul de ieşire (extracţie) al electronilor, fiind egal cu energia necesară pentru a transfera
un electron de pe nivelul Fermi pe nivelul energetic al vidului.
xn N
a ;
xp Nd
N d x n2 N a x 2p
VDn ; V Dp ;
2 GaAs 2 Ge
VDn N x 2 2 Ge N N2 N
d 2n d a2 Ge a Ge ;
VDp N a x p 2 GaAs N a N d GaAs N d GaAs
V Dn 0,42eV ; V Dp 0,1eV .
E c GaAs V Dn E g ( Ge ) Ge V Dp .
De aici rezultă:
E c E v E g ( GaAs ) E g ( Ge ) .
Acestea sunt expresiile pentru discontinuitatea zonelor energetice pentru orice nivel de
dopare al semiconductorului.
Dacă E v este mare, atunci este limitată injecţia golurilor din „p” în „n”. Atunci
curentul prin joncţiune este format prin recombinarea purtătorilor de sarcină la graniţa
metalurgică a joncţiunii.
Constantele dielectrice;
Coeficienţii de refracţie;
Coeficienţii de transparenţă;
etc.
De exemplu, în heterolaser, stratul activ (mijlociu) trebuie să aibă coeficientul de
refracţie „ n ” mai mare ca în regiunile emitorului.
. FOTODIODE P-I-N
Este cel mai răspândit fotodetector. Conţine 3 straturi semiconductoare. Straturile „p” şi
„n”, de regulă, sunt puternic dopate ( 1017 ...1018 cm 3 ).
Stratul „i” cu grosimea „d” este foarte puţin dopat şi posedă o concentraţie foarte mică de
impurităţi donoare ( n 0 1014...1015 cm 3 ).
W d.
Fotocurentul diodei este compus din curentul de drift (derivă) şi curentul de difuzie:
I f I drift I difuzie ,
I drift este format de purtătorii de sarcină generaţi în interiorul stratului de sarcină spaţială;
I difuzie
este generat de purtătorii de sarcină din stratul „n” şi „p”. Deoarece, stratul frontal „p”
este foarte subţire ( d 1 ), sau este transparent pentru semnalul incident, neglijăm purtătorii
de sarcină generaţi în el.
G x 0 e x , (2)
1
0 Poptic 1 R , (3)
A h
p n p n p n 0
Dp G x 0 , (5)
x 2 p
Lp Dp
I difuzie q 0 e W q p n 0 . (6)
1 L p Lp
e W D
I total q 0 1 qp n 0 p . (7)
1 L Lp
p
În condiţiile normale de funcţionare a fotodiodei p – i – n al doilea termen al relaţiei (7)
este mult mai mic ca primul termen. Deci:
e W
I total q 0 1 . (8)
1 L
p
e W
0 1
I total q 1 L e W
p
1 R 1 . (9)
Poptic A h 0 A h 1 1 L
p
1 R A h
1 R 1 e W . (10)
Concluzii: Pentru a primi eficienţă cuantică înaltă este necesar ca coeficientul de reflexie să fie
cât mai mic ( R 1 ) şi să se îndeplinească condiţia W 1 .
În calitate de straturi antireflex se folosesc pelicule din Si 3N4, Al2O3, SiO2, ZnS, etc, cu
coeficientul de refracţie n dielectric 1,8...2 care îndeplineşte condiţia:
12
n aer
n dielectric , unde n aer 1 .
n semiconductor
d dielectric .
4
La iluminarea structurii din partea stratului „n”, pierderile prin recombinare sunt mult mai
mari, deoarece viteza de difuzie a golurilor (purtători de sarcină minoritari) este mult mai mică.
În acest caz şi rapiditatea fotodiodei este mult mai mică.
Absorbţia optică în straturile „n” şi „p” poate fi exclusă, confecţionând straturile din
materiale cu E g mai mari ca energia cuanţilor incidenţi. Aceasta devine posibil utilizând
heterostructurile cu banda energetică a straturilor componente de valorile:
E gp E gi E gn sau E gp E gi E gn .
Cel mai important parametru al fotodiodei p-i-n este sensibilitatea, care are următoare
expresie:
If
S , fiind funcţie de .
Poptic
Amintim că:
N p,n If q Poptic
; I f q .
NF Poptic h h
Deci:
If q Poptic 1 q
S .
Poptic h Poptic h
A V
S , ; (11)
1,24 W W
S . (12)
1,24
Diferenţa dintre sensibilitatea spectrală a unui fotoreceptor ideal calculată după relaţia
(12) şi a unei fotodiode ideale din Ge:
Cauzele sunt:
1
C pn 0 s Ap n ; (13)
W
W 2 0 s b U p n q N d 12
(14)
egal cu 20 ps .
În cazurile tipice pentru Ln 1...2 m timpul de difuzie este t difuzie 100 ps . În aşa
mod, pentru a realiza o înaltă rapiditate a fotodiodei este necesar de a micşora considerabil
grosimea stratului „p” sau de a exclude absorbţia semnalului optic în acest strat. Aceasta se
realizează utilizând heterostructurile semiconductoare cu stratul frontal având E g h .
În acest caz, însă, poate exista absorbţia în stratul „n”, iar golurile au o viteză de difuzi
mult mai mică ca electronii, ceea ce micşorează rapiditatea fotodiodei. Pentru a exclude
absorbţia şi în stratul „n”, el este confecţionat cu E g h .
n
În acest caz:
1
h E gp E gn E gi h , şi d i W .
CURENTUL DE ÎNTUNERIC
Pentru a minimaliza nivelul zgomotelor este necesar ca curentul de întuneric I int uneric ,
care este compus din componentele de volum şi de suprafaţă, să fie mult mai mic ca fotocurentul
If .
q ni A p n W
W
I int uneric 1 exp qU kT , (17)
efectiv
ni ni/ exp E g T 2kT , (18)
W
Deci, pentru ca I int uneric să fie cât mai mic este necesar:
Materialul semiconductor să fie fără defecte de structură ( efectiv cât mai mare), unde
efectiv - timpul de viaţă al purtătorilor de sarcină;
Aria joncţiunii A p n să fie cât mai mică;
W cât mai mic posibil, însă, destul de mare pentru a asigura absorbţia totală a
semnalului optic în interiorul stratului de sarcină spaţială;
temperatura de lucru cât mai mică;
banda energetică interzisă ( E g ) să fie cât mai mare.
electroni şi goluri:
uneric n e ni Dn n
0 difuzie
I int 2 12
A p Na
, (20)
uneric p e ni D p p An Nd
0 difuzie 2 12
I int
Pentru compuşii A 3 B 5 :
Dn D p 10...20
n p
NOŢIUNI NEP, D, D*
I f h I f h c
Poptic (21)
q q
I zgomot 2q I f I int uneric f 1
2;
I f 2q f < (22)
2q h c 2 hc 2 1,24
min im
Poptic NEP . (23)
q
2hc
NEP 2 h . (24)
hc
NEP Poptic
min im
2qI int uneric 1 2 . (25)
q
1
D . (26)
NEP
q
D D 12 .
hc 2qI int uneric
q A1 2
D * D A1 2 12 ; (27)
hc 2qI int uneric
Are loc atunci când I int uneric prevalează radiaţia de fond şi generarea termică a purtătorilor de
sarcină.
FOTODIODE CU BARIERĂ SCHOTTKY
E g h q b U Ub
a) ;
b) , .
h E g U Ub
c) , .
Cazul a): E g h q b ; U U b .
Absorbţia semnalului optic are loc în metalul superficial (Au). Electronii fotogeneraţi au
o energie mai mare ca q b şi depăşesc bariera de potenţial, trecând în semiconductor.
Acest efect este folosit pentru determinarea înălţimii barierei de potenţial Schottky.
Cazul b): h E g , U U b .
Absorbţia optică are loc în semiconductor unde are loc şi generarea purtătorilor de
sarcină. În acest caz caracteristicile fotodiodei sunt asemănătoare cu caracteristicile fotodiodei p-
i-n.
Cazul c): h E g , U U b .
Fotodiodele Schottky sunt efective în domeniile spectrale vizibil şi UV. Pentru aceste
radiaţii coeficientul de absorbţie în semiconductorii tradiţionali este foarte înalt şi constituie
10 5 cm 1 , şi lungimea de absorbţie este 1 0,1m . De aceea, efectiv lucrează anume
bariera de potenţial superficială şi nu joncţiunea p–n (ce se formează în volum).
Senzorii de radiaţie ultravioletă (UV) se utilizează în diferite domenii ale ştiinţei, tehnicii,
medicinii, agriculturii pentru determinarea intensităţii şi dozei radiaţiei UV din spectrul solar sau
al altor surse de radiaţie. Aceasta este foarte important, deoarece radiaţia UV are şi efecte
curative (omoară bacteriile, sub acţiunea ei se formează vitamina „D”), şi nocive (distruge
ţesuturile vii). Domeniul spectral al radiaţiei UV este 0,2 0,4 m .
Cu toate, că Si posedă E g 1,1eV el este utilizat pentru costul său ieftin şi are o
tehnologie bine pusă la punct. În calitate de barieră de potenţial se utilizează joncţiunea p–n
superficială (cu grosimea stratului frontal 0,1m ).
Deoarece coeficientul de difuzie al electronilor este mai mare ca cel al golurilor (la fel ca
şi lungimea de difuzie), în regiunea spectrală vizibilă şi IR (aproape de pragul roşu) sensibilitatea
structurii p n n este mai mică. Aceasta se explică prin faptul că rad .vizibil UV , şi, deci,
absorbţia radiaţiei vizibile are loc în volumul structurii.
l L 2 ;
Concluzie: Si nu este cel mai optimal material pentru confecţionarea senzorilor de UV.
SENZOR CU STRUCTURĂ GaP – SnO2
Diagramele energetice:
SENZORI DE UV CU BARIERĂ SUPERFICIALĂ DUBLĂ
unde W - grosimea stratului de sarcină spaţială, iar d - grosimea stratului din AlGaAs.
1 - d AlGaAs W 1m
2 - d AlGaAs W 1m
3 - d AlGaAs W 0,5m
4 - d AlGaAs W 0,1m
SENZORI DIFERENŢIALI DE RADIAŢIE UV
Structura:
BETERII SOLARE. CELULE SOLARE
Actual, bateriile solare sunt unul din cele mai importante surse de energie pentru sateliţi.
Utilizarea pe pământ este legată cu utilizarea intensă a resurselor de energie tradiţionale şi cu
utilizarea ecologică a lor. Bateriile solare au un viitor impunător, deoarece Soarele este o sursă
de energie cu un potenţial major.
Prima celulă solară a fost creată de Chapen, Fuller şi Pearson în anul 1954 pe baza
joncţiunii p–n pe Si.
Radiaţia solară este rezultatul unei reacţii termoatomice. În fiecare secundă, aproximativ
6 10 kg de H 2 sunt transformate în He . De facto, masa constituie 4 10 3 kg .
11
În atmosferă, radiaţia infraroşu este absorbită de vaporii de apă, iar ultraviolet – de către
ozon. O parte a radiaţiei se reflectă de la atmosferă, o altă parte este disipată pe particulele de
praf şi aerosol.
Indicele influenţei atmosferei asupra intensităţii radiaţiei solare este determinat de masa
atmosferică (AM).
I I s e qu Kt 1 I L ,
1 Dn 1 D p Eg
I S I A qN c N v e kT
.
Na n Nd p
kT I L kT I L
U mers. gol ln 1 ln .
q Is q Is
P I U I sU e qU kT
1 I LU .
dP dU 0 .
Pmax
.
Pf
Eficienţa cuantică poate maximum să constituie 31% în cazul E g 1,35 eV . Deci, este
necesar de utilizat compuşii A 3 B 5 .
SENSIBILITATEA SPECTRALĂ
Joncţiunea p–n confecţionată prin metoda difuziei.
Sensibilitatea spectrală – este numărul de electroni colectaţi, care revin unui foton incident cu
lungimea de undă dată .
G , x F 1 R exp x ,
dn p
I n q n n p qDn ;
dx
dp
I p q p p n qD p n ;
dx
I I p I n I deriva .
Sensibilitatea spectrală este egală cu această sumă raportată la valoarea qF , dacă merge
vorba de sensibilitatea spectrală reală (externă), sau la valoarea qF 1 R , dacă merge vorba de
sensibilitatea spectrală internă.
SR
1
qF 1 R
I p I n I deriva .
Sensibilitatea spectrală internă calculată a celulei solare din Si cu baza de tip-p, şi pentru
diferite viteze de recombinare superficială.
qU IRs
I I s exp 1 I L ,
kT
kT I I L
P IU I ln 1 IRs .
q Is
Alţi parametri:
I maxU max
1. Fill Factor FF ;
I LU mers. gol
I maxU max FF I L U mers. gol
2. .
Pint Pint
EMIŢĂTOARE DE LUMINĂ
- surse termice;
- surse luminescente.
Radiaţia termică este generată de corpurile încălzite. Intensitatea radiaţiei termice şi
distribuţia spectrală se determină după relaţia lui Planc, conform căreia:
fotoluminescenţă;
bioluminescenţă;
catodoluminescenţă;
electroluminescenţă;
etc.
Luminescenţa are loc la temperatura camerei sau la temperaturi mai joase. Aici, radiaţia
termică, practic, lipseşte şi toată radiaţia este cauzată de procesul de luminescenţă.
Definirea lui Vavilov: „Luminescenţa este radiaţia ne termină la temperaturi relativ joase,
care are loc sub acţiunea factorilor externi şi după încetarea excitării externe, într-un timp mai
mare ca perioada undei de lumină t s 10 14 s ”.
Luminescenţa are loc pe baza recombinării electronilor cu cedarea energiei sub formă de
fotoni.
Practic toate tranziţiile inverse ale electronilor în corpul solid (după cer electronul a
căpătat o energie din exterior) pot fi urmate de emiterea cuanţilor de lumină.
Deoarece nu toţi fotonii generaţi pot ieşi din material (fenomene de reflexie internă, de
reabsorbţie, etc) este introdus parametrul eficienţă cuantică externă e ce caracterizează
emiţătorul real.
e i k0 ,
h
Rand e ,
qU
sau
2
1
Rand
W d ,
1
Dacă în dispozitiv au loc tranziţii iradiante de mai multe categorii şi procesul de iradiere
are loc spontan (o tranziţie radiantă nu influenţează altă tranziţie), atunci frecvenţa , faza ,
vectorul de polarizare al fotonilor emişi vor fi feluriţi. Astfel de radiaţie se numeşte ne coerentă.
În cazul când o tranziţie stimulează altă tranziţie, iar parametrii fotonilor emişi sunt
aceeaşi atunci radiaţia emisă se numeşte coerentă.
În optoelectronică se utilizează şi surse de lumină coerentă - laseri, şi surse ne coerente –
diode luminescente.
Dioda luminescentă este cea mai utilizată sursă de radiaţie în optoelectronica modernă.
Dioda luminescentă – este o joncţiune p–n polarizată direct, încare electronii şi golurile
recombinează iradiant (cu emiterea fotonilor) în regiunea de sarcină spaţială şi la o distanţă de la
regiunea de sarcină spaţială egală cu lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină ( Ln , L p ).
eU
I I s exp eU kT 1 I s exp .
kT
I I
i i s e eU kT
.
q q
i G ,
Eficienţa cuantică externă e i k 0 tot timpul este mai mică ca eficienţa cuantică
internă, din cauza pierderilor luminii la ieşirea ei din diodă. Cauzele sunt:
Din structură vor ieşi fotonii ce se propagă într-un unghi spaţial mai mic decât unghiul
reflexiei interne totale ( ).
n1
Iar arcsin este unghiul conului spaţial.
n2
Pentru GaAs c 16 , iar pentru GaP c 17 . Suprafaţa de ieşire a este la pătrat cu
dimensiunea h h , unde h - grosimea ghidului de undă.
Dioda din GaAs ce emite în infraroşu se acoperă cu o peliculă din material „antistocks”.
Spre deosebire de materialele obişnuite care emit fotoni cu energie mai mică decât energia
fotonilor absorbiţi pentru excitarea lor, materialele antictocks emit fotoni cu h 2 h absorbiti .
Este evident, că pentru a păstra legea conservării energiei este necesar să fie absorbiţi doi
sau mai mulţi fotoni cu energie mică pentru a emite un foton cu energie mai mare, deci 2 fotoni
infraroşii pentru a emite 1 foton albastru.
Rapiditatea diodelor cu material antistocks este scăzută din cauza proceselor de absorbţie
şi reemisie a luminii.
La polarizarea directă, aici, are loc injecţia unilaterală a electronilor din semiconductorul
cu bandă largă în cel cu bandă îngustă, deoarece bariera de potenţial pentru goluri este prea
mare. Aici, coeficientul injecţiei este mult mai mare, şi, deci, creşte brusc eficienţa cuantică
internă. Fotonii emişi în semiconductorul cu bandă îngustă cu h 1 E g1 pot fi scoşi din
structură prin semiconductorul cu E g 2 E g1 fără pierderi suplimentare la absorbţie.
După cum am spus, eficienţa cuantică internă este raportul numărului purtătorilor de
sarcină ce recombinează cu emisie de fotoni la numărul total de purtători de sarcină de exces.
R fotoni
i ,
Rtotal
unde
n n0
Rtotal - pentru semiconductor de tip–n;
p p0
Rtotal - pentru semiconductorul de tip–p.
emisie fara emisie
,
emisie fara emisie
unde - timpul de viaţă mediu al purtătorilor de sarcină; emisie - timpul de viaţă al purtătorilor
de sarcină ce generează fotoni; fara emisie - timpul de viaţă al purtătorilor de sarcină ce
recombinează fără emisie de fotoni.
n n0
R fotoni .
emisie
R fotoni
.
Rtotal
Frecvenţa limită (maximă) cu care poate fi modulată emisia radiaţiei de către o diodă
luminescentă este:
1
f lim .
2 emisie
f lim 10MHz ;
fiabilitatea - 10 5 ore ;
puterea de emisie – până la 100mW ;
curentul de injecţie - 100...200mA ;
730...900nm ;
unghiul diagramei directivităţii 120 .
1,1...1,5m ;
fiabilitatea - 10 9 ore ;
ceilalţi parametri sunt la fel ca cei pentru diodele luminescente din GaAs.
h ik E k Ei .
E t A a t sin 2t t ,
dN 2 A21 N 2 dt ,
unde A21 - este probabilitatea tranziţiei E 2 E1 într-o unitate de timp; semnul „-” înseamnă că
pe nivelul E 2 numărul purtătorilor de sarcină se micşorează.
Integrăm:
dN 2
A21 dt ; N 2 N 2 0 e A21 t ,
N2
1
dacă - timpul mediu de viaţă a purtătorilor de sarcină pe nivelul E 2 .
A21
N 2 N 2 0 e t .
Analizăm cazul 2 ( N 2 N 1 ):
E 2 E1
h 21 E 2 E1 ; 21 ;
h
E E 2 E1 const .
t 1 ,
După forma stratului activ (mediului activ) generatoarele cuantice se divizează în 4 tipuri:
Cu gaze;
Pe corp solid;
Cu lichide;
Pe semiconductori.
REZONATOR OPTIC
Rezonator al undelor electromagnetice se numeşte sistemul optic, format din două plane
reflectoare (oglinzi), pe pereţii cărora unda electromagnetică, ce se propagă în interiorul acestui
sistem, posedă componenta vectorului câmpului electric egală cu zero. În cazul a două oglinzi
plane, rezonatorul se numeşte rezonator Fabri – Perot.
Nx=3
Nx=0
Nx=1
Lx
Dacă N x 0 atunci moda este de ordinul zero, iar în caz dacă N x N z 1 atunci moda
este de ordinul 1 pe axele x şi z.
Lx
Ly
Lz
x
y
z
E
x
Nx
Să presupunem că în laser pereţii perpendiculari cu axa z sunt formaţi cu proprietăţi de
oglindă semitransparentă. Pereţii semitransparenţi formează aşa-numitul rezonator Fabri – Perot.
În astfel de rezonatoare, condiţii stabile există numai pentru radiaţia cu lungimea de undă
N z
cu frecvenţa N . Aceasta reiese din relaţiile undelor staţionare:
z
Nz Nz
c
N z Lz ; Nz .
2n
c
z .
2nL z
z
c
...
N Z1 NZ N Z 1 ...
1 1
tl l ln ,
2 Lz R1 R2
1 1
unde: l - pierderile la absorbţie; 2 L ln R R - pierderile cauzate de transparenţa oglinzilor
z 1 2
rezonatorului.
Nz
c ,
Q
2n
Q .
c tl
Aici generarea luminii are loc datorită folosirii tranziţiilor electronice dintre nivelele
energetice ale atomilor (ionilor) elementelor „pământuri rare” şi metalelor, introduşi în cristale
sub formă de impurităţi în materialul activ. Factorul excitant, care formează starea de populaţie
inversată este un flux puternic de lumină. Elementele active sunt: rubin ( 0,69m ), sticlă cu
neodim ( 1,06m ), aluminiu-itriu-granat ( 1,06m ). Elementele pentru pompaj optic
(elementele excitante) sunt folosite becurile optice cu impuls sau continue, cu un spectru de
emisie ce acoperă spectrul de absorbţie al elementului activ.
Pentru a primi putere mare în impuls scurt cu o mică frecvenţă se folosesc lasere din
sticlă cu neodim. Aici frecvenţa impulsurilor este mică (milisecunde) din cauza conductibilităţii
termice mici a sticlei. O frecvenţă mai mare şi o putere medie mai mare poate fi obţinută
utilizând rubinul, care are o conductibilitate termică foarte bună. Dacă este necesară o mică
putere de consum, frecvenţe foarte înalte şi gabarite mici atunci se utilizează granat cu Al şi Y.
Aici obţinem o eficienţă de conversie mult mai mare.
1. Element activ: Al 2 O3 :Cr 3 ; Y3 Al3 O12 + neodim; sticlă + neodim.
2. Lampa de pompaj: Lămpi cu He . Spectrul de emisie al lămpilor cu He este mult mai
larg. Se foloseşte numai 30% din spectru. Cealaltă energie încălzeşte fără folos laserul.
3. Reflector: Pentru focusarea luminii lămpii de pompaj. Se folosesc suprafeţe plane sau
curbe acoperite cu Ag, Au. Se mai folosesc pelicule interferenţiale ce reflectă selectiv
numai lumina absorbită de elementul activ.
8. Element de reglare.
CARACTERISTICILE DE BAZĂ
Puterea de emisie;
Ordinul coerenţei luminii emise;
Directivitatea;
Coeficientul de calitate.
E acumulat
Q ,
E pierdut
unde E acumulat - energia acumulată în rezonator; E pierdut - energia pierdută într-o unitate de
timp; - frecvenţa oscilaţiilor în rezonator.
2 L
Q ,
a
R1
a 1 - pierderile la reflexie.
R2
Utilizând metoda de impulsuri pentru pompajul optic, laserul generează în regim liber, în regim
cu modularea calităţii şi în regim de sincronizare a modelor.
Aici se utilizează un element acusto-optic. Lumina ce cade sub unghiul Brag faţă de reţeaua de
difracţie formată de ultrasunet se abate sub un unghi dublu, dacă se îndeplineşte condiţia:
l
1 ,
Deoarece nivelele energetice superioare sunt îndepărtate mult de la cel de bază, inversia
de populaţie apare între nivele superioare. Generarea luminii are loc cu E 1,95eV sau
633nm .
La sfârşitul tubului cu He:Ne sunt încleiate două sticle poleite sub un unghi b tg nb
1
numit unghiul Brewster, unde nb - indicele de refracţie aş sticlei. Sub un astfel de unghi de
reflexie, doar radiaţia polarizată liniar poate ieşi în exterior, deci pentru ea, coeficientul de
reflexie este zero. Astfel este generată numai lumina liniar polarizată.
Deoarece nivelul energetic de bază este relativ departe de cele superioare, absorbţia
luminii în He şi Ne lipseşte, deci tl 0 . Lipsa pierderilor optice provoacă generarea luminii
chiar dacă coeficientul de amplificare g th este mic. Sunt generate 2 – 3 mode longitudinale.
LASERI PE SEMICONDUCTORI
Rezonatorul Fabry – Perout este creat prin aşchierea cristalului din ambele părţi.
Structura laserului este cu mai multe straturi. Stratul activ se găseşte între alte două straturi cu
coeficient de refracţie mai mic.
2
n 1
R1 R2 ,
n 1
Din cauza generării modelor transversale se măreşte valoarea curentului de prag, apare o
instabilitate în diagrama directivităţii, se înrăutăţeşte caracteristica de modulare. De aceea, este
necesar de a lichida aceste mode, sau de ignorat numai modele de ordin mic.
n1 n 2
0,08 ,
2
atunci pentru a excita o singură modă transversală sunt necesare condiţiile: d 0,45m ;
W 0,45m . Este uşor de primit d 0,1...0,2 m , însă, a primi W 0,45m ste destul de
complicat. Ca regulă W 2m .
Pentru a rezolva problema dată a fost inventat un ghid de unde cu efect de refracţie.
În astfel de construcţii modele transversale sunt absorbite, iar unda longitudinală poartă
caracter unimod.
Exploatând dioda laser a fost observat următorul efect. În timpul modulării emisiei laser
are loc trecerea de la o modă la alta instantaneu. Deci, este necesar de a forma un rezonator, care,
spre deosebire de rezonatorul Fabry – Perout, posedă pierderi mici numai pentru o singură modă
longitudinală.
Aici, în ghidul de unde este formată o reţea de difracţie. Lungimea de undă pentru care
coeficientul de reflexie va fi maximal este:
B 1 ,
B 2 n m ,
unde - perioada reţelei de difracţie; m - număr întreg ce reflectă ordinul difracţiei; 1 -
constantă ce caracterizează adâncimea reţelei, lungimea rezonatorului etc.
5. Caracteristicile de temperatură
Toate caracteristicile laserului depind mult de temperatură. Cu mărirea temperaturii ( T )
se măreşte curentul de prag I th , se micşorează eficienţa cuantică diferenţială.
I th I th S exp T TS T0 ,
unde I th S - curentul de prag pentru temperatura etalon; T0 - constantă, caracteristică
pentru materialul laserului şi se numeşte temperatură caracteristică.