Semiconductoarele

Electroni liberi si goluri

Daca la metale electronii de valenta pot parasii relativ usor atomul,

datorita fortelor deatractie slabe exercitate de nucleu, in cazul
semiconductoarelor stabilitatea acestor electroni este mult mai mare datorita
legaturilor lor specifice, numite legaturi covalente.
Acest tip de legaturi genereaza o alta deosebire costand in urmatoarele:
daca intr-un astfel de semiconducto se smulge un electron,trecandu-se din
banda de valenta la banda de conductie, in reteaua din care a plecat electronul
ramane o legatura nesatisfacuta. Se spune ca s-a format un gol. Un electron
vecin poate lua locul ramas liber, lasand la randul lui propria legatura
nesatisfacuta, un altul ocupandu-i locul delui de-al doilea, etc. In mod
conventional se atribuie “golurilor” sarcina pozitiva iar sarcina negativa fiind
atribuita electronilor.
Se observa ca electronii ce trec in banda de conductie lasa in urma lor
acelasi numar de goluri. Se spune ca are loc fenomenul de generare de perechi
electroni-goluri, ce se petrece ori de cate ori, cu o energie exterioara se
depaseste valoric energia corespunzatoare benzii interzise, se smulge un
electron din valenta pentru a-l transforma in electron liber.

Semiconductoare de tip N si P

In sfarsit, deosebirea cea mai importanta intre metale si

semiconductoare, pe care se bazeaza toate aplicatiile acestora din urma,
consta in faptul ca in cazul semiconductoarelor exista procedee prin care se
poate influenta conductibilitatea lor.
Fenomenele de examinare pana acum in semiconductoare s-au
desfasurat in semiconductoarele pure numite semiconductoare intrinseci.
Daca intr-un astfel de cristal tetravalent se inlocuieste, fara a modifica
structura retelei, un atom semiconductor cu elemente a caror valenta difera cu
o unitate in plus sau in minus, atunci cristalul se numeste impurificat.
Folosind atomi pentavalenti de arseniu, stibiu, bismut sau fosfor patru
din cei cinci electroni de valenta ai impuritatii vor satisface cele 4 legaturi ale
atomilor de germaniu sau siliciu inlocuit. Cel de-al cincelea lelectro ramane
legat numai de nuclleul propriu, deci poate fi smuls cu o energie relativ mica si
trecand in banda de conductie devine electron liber. Parasind atomul de
impuritate el nu lasa in urma sa o legatura covalenta nesatisfacuta, deci nu
creeaza automat un gol.Substantele pentavalente genereaza usor electroni in
banda de conductie, in numar egal cu numarul atomilor lor. Semiconductorul
astfel impurificat este de tip n (negativ).
In cazul celalalt cei 3 electroni vor satisface doar 3 din legaturile
covalente ale cristalului.Acesti atomi accepta cu usurinta un al 4-lea electron
care genereaza in urma lui un gol.
Semicocnductorul astfel impurificat se numeste semiconductor tip p
(pozitiv).
 Jonctinea p – n
Daca intr-un acelasi cristal se creeaza prin impurificare, de o parte si de
alta a unei suprafete de separare, 2 regiuni de tip opus – una p si cealalta n –
se spune ca s-a obtinut o jonctiune p – n. Aceasta jonctiune nu se poate obtine
prin alipirea a 2 regiuni impurificate de tip p si respectiv n deoarece in
structura cubica a cristalelor de germaniu si siliciu ordinul de marime a
distantelor interatomice este de 10 la puterea –19 m si metode tehnologice
actuale nu permit inca o alipire care sa dea intre cele doua regiuni distante
mai mici decar aceasta dimensiune. In aceste conditii fenomenul de trecere
intr-o zona in alta a puratorilor de sarcina ar fi impiedicate, cele doua regiuni
ramanand izolate.
Stadiul jonctiunii p – n se face in 3 situatii:
 Jonctinea libera(nepolarizata)
 Jonctiunea si polarizarea directa
 Jonctiunea si polarizarea inversa

Jonctiunea p – n libera (nepolarizata)

Examinand fenomenele ce apar in cazul unei jonctiuni p – n, careia nu

I se aplica tensiunea exterioara, se considera initial ca purtatorii majoritari am
tendinta de a trece din propria lor regiune in regiunea vecia. In regiunea
alaturata purtatorii de tip opus cu care se recombina neutrlizandu-se reciproc.
In felul acesta, de o parte si alta a suprafetei de separatie se formeaza o
regiune saracita de sarcini libere numita regiune de trecere, avand o latime de
ordiul micronilor.
Datorita deplasarii purtatorilor majoritari, prin regiunea de trecere ia
nastere un curent de difuzie avand 2 componenete – goluri care se deplaseaza
de la p la n, si de electroni care se deplaseaza de la n la p, ambii curenti avand
sensul de la p la n.
In consecinta, in cazul jonctiunii pn libere, dupa o miscare initiala de
purtatori majoritari, intr-un sens si minoritari, in sens opus, se realizeaza un
elchilibru electric, in care jonctiunea prezinta doua zone neutrem, de tip p,
respectiv de tip n separate printr-o zona “de bariera”, situata de o parte si de
alta a suprafetei de separatie, caracterizata printr-un anumit potential de
bariera, specific tipului de semiconductor folosit, si prin sarcina spatiala,
datorita atomilor de impuritate ionizati.

Jonctiunea p-n in polarizare directa

Daca la extremitatile
unei jonctiuni pn se aplica o
sursa exterioara cu polul
pozitiv in regiunea P si cel
negativ pe regiunea n, se
spune c jonctiunea pn este
polarizata direct.
 Printr-o jonctiune on polarizata direct trece un curent indreptat
dinspre regiunea p inspre regiunea n, dat de purtatorii majoritari. Alegand ca
sens de referinta sensul de trecere al golurilorsi insumand algebric cei 2
curenti de difuzie dati de purtatorii majoritari ai celor doua regiuni si avand
sensul de la p spre n. Acesta se numeste curent direct si creste exponential cu
tendinta de polarizare directa
Cd ~ Ia
Jonctiunea p – n si polarizarea inversa

Daca la
extremitatile unei
jonctiuni pn se aplica o
sursa exterioara cu polul
negativ pe regiunea p si
cel pozitiv pe regiunea n,
se spune ca jonctiunea
pn este polarizata invers.
Tensiunea de
polarizare inversa are in
acest caz aceasi sens cu
potentialul intern
echivalent zonei de trecere. Se poate considera ca bariera de potential creste
ca urmare a polarizarii inverse. Sensul campului este de la n spre p.
Datorita faptului ca la aplicarea tensiunii inverse grosimea regiunii de
trecere creste, creste distanta dintre placi.

Cb= k0/Ui (cu n = ½ …….1/3)

Deoarece intensitatea curentului invers este mult mai mica decat a
curentului direct, jonctiunea pn are proprietatea de conductibilitate
preferentiala intr-un anumir sens. Ea poarta numele de dioda cu jonctiuni,
Aceasta proprietate este specifica jonctinii pn si nu semiconductoarelor
omogen de tip p sau n se aplica o tensiune exterioara, intensitatea curentului
prin material este independenta de polaritatea tensiunii; numai sensul
curentului se inverseaza cand se schimba polaritatea, el comportandu-se ca o
rezistenta obisnuita.

Caracteristica unei diode cu jonctiune

Daca se traseaza grafic variatia curentului ce se obtine printr-o

jonctiune atunci cand se variaza tensiunea aplicata la borne, se spune ca se
ridica o caracteristica de tip curent-tensiune.

a) In regiunea polarizarii directe (u<0)

La aplicarea tensiunii de polarizare directa nu se

inregistreaza curent in circuit pana ce tensiunea nu atinge un
 prag, numit “de deschidere”, avand valori mici.(0.2-0.4 V
pentru Ge; 0.4-0.8 V pentru Si)
Peste aceasta valoare curentul creste foarte rapid cu
tensiunea si, exceptand zona initiala, putem considera cu
oarecare aproximatie, ca aceasta dependenta este liniara.
Deoarece pentru tensiuni relativ mici se pot obtine cureti
mari (0.1 – 1 A), se spune ca, in polarizarea directa dioda
prezinta o rezistenta foarte mica.

b) In regiunea polarizarii inverse (u>0)

La aplicarea unor tensiuni de polarizare inversa, apar curenti

inversi de valoare foarte mica. Pentru o mica zona alura
caracteristicii se poate considera, cu o oarecare aproximatie,
ca valoarea curentului nu depinde de tensiunea aplicata, ci
de temperatura mediului ambiant. La Ge el are o valoare de
ordinul nA. Acest curent se dubleaza la fiecare crestere a
temperaturii cu 7.5 grade C la Ge si cu 6.5 grade C la Si.
Marind in continuare valoarea tensiunii inverse aplicate, se
observa ca peste o anumita valoare, numita tensiune de
strapungere, curentul invers, incepe sa creasca brusc, nu mai
poate fi limitat cu ajutrul tensiunii aplicate si, daca nu se
modifica rezistenta circuitului exterior, poate duce la
distrugerea jonctiunii prin efect termic.
Explicatia acestei cresteri o constituie 2 fenomene ce se
desfasoara in conditiile unor tensiuni inverse mari:
multiplicare in avalansa a purtatorilor si efectul zenner.

Caracteristica unei jonctini pn depinde de temperatura. O data cu

cresterea temperaturii creste atat curentul direct, cat si cel invers.