Sunteți pe pagina 1din 14

Ministerul Educaţiei,Culturii şi Cercetarii al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei


Facultatea Electronică şi Telecomunicaţii
Departamentul Telecumunicaţii

Raport
La lucrarea de laborator Nr.1
Disciplina:Materiale şi componente pasive în electronică
Tema:”Dependenta proprietatilor materialelor dielectrice de frecventa
campului aplicat”

A efectuat studentii gupei: RST-181

Numele şi prenumele studentilor: Dascal Daniel


Urechi Tudor
Talmaci Mihai

A verificat:Lector superior Rudenco Stepan

Chişinău 2018
1. Scopul lucrării: Determinarea permitivităţii relative şi tangentei unghiului de pierderi a
materialelor dielectrice solide uzuale şi analiza comportării acestora în frecvenţă.

2. Materialul teoretic:2.1 Polarizarea şi pierderile dielectrice

Dielectricii sunt materiale care se caracterizează prin stări de polarizaţie cu funcţie de


utilizare. Prin stare de polarizaţie electrică se înţelege starea materiei caracterizată prin
momentul electric al unităţii de volum diferit de zero. Starea de polarizare poate fi
temporară, dacă depinde de intensitatea locală a câmpului electric în care este situat
dielectricul, de deplasare (electronică sau ionică) sau de orientare dipolară. Starea de
polarizaţie permanentă nu depinde de intensitatea locală a câmpului electric şi poate fi
spontană (piroelectrică) sau piezoelectrică [1].

Măsura polarizării este permitivitatea dielectrică relativă unde Cd este


capacitatea condensatorului cu dielectricul dat, C 0 – capacitatea aceluiaşi condensator în
vid (capacitatea geometrică între electrozi). Permitivitatea dielectrică absolută (efectivă)
unde – constanta dielectrică (permitivitatea
vidului).

Procesul polarizării este însoţit de apariţia la suprafaţa dielectricului a sarcinilor electrice


legate între ele care diminuează intensitatea câmpului în interiorul materialului. Pentru
caracteristica cantitativă a procesului de polarizare se utilizează parametrul ce poartă
denumirea de polarizitate. Polarizitate este o mărime fizică vectorială:

(1.1)

în care dp este momentul electric, dV – volumul dielectricului.

Polarizitatea dielectricului omogen de formă plană într-un câmp electric uniform este
egală cu densitatea de suprafaţă a sarcinilor electrice:

(1.2)

unde este susceptibilitate dielectrică.

Prin pierderile dielectrice se înţelege puterea electrică cheltuită pentru polarizarea


dielectricului care duce la încălzirea lui. Pierderile energiei au loc atât în curentul
continuu, cât şi în curentul alternativ întrucât în materialele tehnice se observă curentul
de conducţie.
La tensiunea continuă calitatea materialului este caracterizată de rezistivitatea specifică
de volum şi rezistivitatea specifică de suprafaţă care determină valoarea rezistenţei de
izolaţie Riz.

La acţiunea tensiunii alternative în dielectric în afara curentului de conducţie se


manifestă alte mecanisme de conversie ai energiei electrice în căldură. De aceea
calitatea materialului se caracterizează nu numai de rezistenţa de izolaţie.

În tehnică proprietatea materialului de a disipa energie electrică în câmp electric se


caracterizează de unghiul pierderilor dielectrice şi funcţia sa tangentă tg .

Unghiul pierderilor dielectrice este unghi care completează până la 90 0 unghiul de


defazaj între tensiunea şi curentul într-o reţea capacitivă.

În cazul dielectricului ideal vectorul curentului depăşeşte vectorul tensiunii cu 90 0 şi


unghiul de pierderi , în acest caz, este egal cu 0. Cu cât puterea disipată este mai mare,
cu atât unghiul de defazaj este mai mic, iar unghiul de pierderi este mai mare,
respectiv este mai mare şi funcţia tg .

Vom analiza schema echivalentă a condensatorului cu dielectric real. Această schemă


trebuie aleasă astfel ca puterea activă să fie egală cu puterea disipată în dielectric, iar
vectorul curentului să fie defazat în raport cu vectorul tensiunii cu acelaşi unghi ca şi în
condensatorul analizat.

Această condiţie poate fi satisfăcută în cazul în care condensatorul analizat va fi înlocuit


cu un condensator ideal conectat în paralel (conectare paralelă) sau conectat în serie
(conectare în serie) cu rezistenţa activă. Aceste scheme nu explică mecanismul polarizării
şi se folosesc convenţional.

Schemele paralelă şi în serie cu diagramele fazoriale sunt prezentate în figura 1.1.


Is Cs Rs
Cp Ic
IR
U Uc Ua

Rp

I
U


 I U
a
  U a  IR
R I
I c  U C p Uc 
C s
a) b)

Figura 1.1 Schemele echivalente ale dielectricului cu pierderi:


paralelă (a) şi serie (b), şi diagramele fazorilor respective
Pentru schema echivalentă paralelădin diagrama fazorilor urmează:

(1.3)

(1.4)

Respectiv, pentru schema echivalentă serie:

(1.5)

(1.6)

Din ecuaţiile 1.3 - 1.6 putem obţine relaţii pentru C pşi Cs, precum şi pentru Rp şi Rs, ele
fiind următoarele:

(1.7)

În cazul dielectricilor calitativi valoarea lui este neglijabilă comparativ cu unitatea şi


poate fi ignorată. Atunci Expresiile pentru puterea disipată în acest caz vor fi
identice pentru ambele scheme:

(1.8)

unde Pa se exprimă în W, U – în V, – în s-1, C – în F.

Parametrii schemei echivalente depind de frecvenţa câmpului aplicat. Capacitatea şi


rezistenţa echivalentă a condensatorului dat, calculate la o frecvenţă anumită, nu pot fi
utilizate pentru calculul pierderilor dielectrice la orice altă frecvenţă.

Dacă pierderile în dielectric provin numai din conductibilitatea în marja mare de


frecvenţe, atunci unghiul de pierderi a condensatorului cu acest dielectric poate fi
calculat pentru orice frecvenţă din acest diapazon cu ajutorul formulei 1.1. Pierderile în

acest condensator se vor determina cu formula: Dacă pierderile dielectrice sunt


cauzate de rezistenţa firelor de legătură sau rezistenţa armăturilor, atunci puterea
disipată la creşterea frecvenţei va creşteproporţional cu pătratul frecvenţei:
(1.9)

De aceea condensatoarele destinate pentru funcţionarea la frecvenţe înalte trebuie


fabricate cu rezistenţele mici ale terminalelor, armăturilor şi ale zonelor de contact.

În majoritatea cazurilor mecanismul pierderilor dielectrice este complex şi nu poate fi


explicat numai prin pierderile prin conducţie sau pierderile prin polarizare. De aceea
parametrii condensatorului trebuie determinaţi la frecvenţa la care vor fi utilizaţi.

Pierderile dielectrice raportate la volumul dielectricului se numesc pierderi specifice. Ele


pot fi calculate cu ajutorul formulei:

(1.10)

unde V – volumul dielectricului între electrozi plaţi, m 3, e – intensitatea câmpului


electric, V/m.

Produsul se numeşte factorul pierderilor dielectrice.

Mărimile r şi tg depind de natura şi structura materialului, de temperatura şi


umiditatea acestuia, de frecvenţa şi intensitatea câmpului aplicat.

Pentru materialele nepolare, cu polarizarea temporară (electronică sau ionică),


permitivitatea relativă nu depinde de frecvenţă, timpul de stabilire a stării de polarizare
fiind foarte scurt: 10-1410-16s pentru polarizarea electronică, 10-1310-14s pentru
polarizarea ionică.

Pentru materialele polare, cu polarizare de orientare, permitivitatea relativă scade la


creşterea frecvenţei, deoarece moleculele nu reuşesc să se orienteze pe parcursul unei
semiperioade, când câmpul electric îşi păstrează direcţia (fig.1.3).

Scăderea tg la creşterea frecvenţei, pentru dielectric nepolar, se explică prin scăderea
curentului de conducţie în dielectric deoarece ionii nu reuşesc să se orienteze pe
parcursul unei semiperioade în legătură cu schimbarea foarte rapidăa direcţiei câmpului.
În dielectricul polar, la creşterea frecvenţei tensiunii aplicate la început, pierderile
energiei cresc, dipolii fiind nevoiţi să se orienteze tot mai des şi pentru asta se cheltuieşte
tot mai multă energie.

Începând cu frecvenţa fm, durata unei semiperioade devine atât de scurtă încât
moleculele nu reuşesc să se orienteze şi pierderile energiei în dielectric scad (fig.1.2).
12
r tg
b 2

1 b
a
a

f1 f2 f fm f

Fig. 1.2 Dependenţa permitivităţii dielectrice relative r şi


pierderilor dielectrice tg în funcţia de frecvenţa tensiunii aplicate la
dielectric nepolar-a, dielectric polar-b3

Caracterul dependenţelor tg şi  de frecvenţă nu este funcţie uniformă şi este


determinat predominant de tipul pierderilor. Tendinţa generală constă în scăderea tg la
creşterea frecvenţei din cauza inerţiei stărilor de polarizare încetinite.

Pentru prevenirea supraîncălzirii condensatoarelor cu valorile lui tg mari trebuie limitată
nu numai tensiunea nominală, dar şi limita de sus a frecvenţei de lucru.

Dacă tg este mic (210-3), atunci la frecvenţele mai avansate decât 10 6Hz, un rol
deosebit aparţine nu pierderilor în dielectric, ci în elementele metalice ale
condensatorului şi atunci e necesar să fie limitat curentul.

Un rol aparte au pierderile în dielectric în dispozitivele pentru tehnica de frecvenţe ultra-


şi supraînalte, când ele determină valoarea factorului de atenuare şi rezistivitate de undă.
În aceste cazuri pierderile active nu trebuie să depăşească valorile (1-2)10 -4.

Orice dielectric pe parcursul exploatării este supus acţiunilor termice ale mediului
ambiant, de aceea este important să înţelegem caracterul schimbării permitivităţii
relative r şi pierderilor dielectrice tg odată cu schimbarea temperaturii.

Cu creşterea temperaturii tg a dielectricului nepolar creşte, în legătură cu creşterea


curentului de conducţie. Ca urmare, cresc şi pierderile active în dielectric (fig.1.3,a).

La dielectricul polar creşterea tg este cauzată de creşterea curentului de conducţie la


temperaturi mai avansate de T2 (fig.1.3,b).

Până la temperatura T1majorarea tg se explică prin cheltuieli de energie pentru


orientarea moleculelor polare care participă la procesul de polarizare şi numărul cărora
este în creştere. Începând cu temperatura T 1 şi până la temperatura T2 moleculele polare
trec din stare de orientare în stare de oscilaţii termice haotice, cheltuielile de energie
pentru polarizarea dipolară fiind în scădere. Acest fenomen este însoţit de scăderea
valorii tg.
r tg
b
b

a
a

T T1 T2 T

Fig.1.3Dependenţa permitivităţii dielectrice relative r şi pierderilor


dielectrice tg în funcţie de temperatura ambiantă T, pentru
dielectric nepolar – a, pentru dielectric polar – b

La dielectricii nepolari permitivitatea relativă depinde slab de temperatură. Deşi


polarizarea electronică nu depinde de temperatură, valoarea r scade odată cu creşterea
temperaturii, ca urmare a dilatării termice a dielectricului şi scăderea numărului de
particule într-o unitate de volum.

La dielectricii polari r în funcţie de temperatură trece prin maximum. La temperaturi


joase, când materialul este vâscos sau se află în stare cristalină, moleculele polare se
orientează greu. Creşterea temperaturii înlesneşte orientarea moleculelor şi
permitivitatea relativă creşte esenţial.Însă la temperaturi mai înalte, în legătura cu
oscilaţiile termice haotice, influenţa de orientare a câmpului scade, valoarea permitivităţii
dielectrice scade trecând prin maximum.

Variaţia permitivităţii dielectrice în funcţie de temperatură este evidenţiată de


coeficientul termic al permitivităţii CT care poate fi descris în felul următor:

. (1.11)

Caracteristicile materialelor:

1) Polistiren-densitatea 1050 кg/m3; σp = 39-41 МPа; a = 18-22 Kj/m2; Capacitatea


termica 75-80° С; permitivitatea 0,02% mase.; rezistenta la frig - 60° С; pu = 1013-
1014 ohm·m; tgδ = (2-4)·10-4; Eпр = 25-30 МВ/m; εr = 2,4.

Polistiren – dielectric termoplastic, moleabil la 110-120° С; solubil in solvent nepolari:


benzen, toloulen, xilol, tetraclorura de carbon si in alte lichide nepolare. Din polistiren se
fabrica carcase de bobine, placi izolante pentru aparatele de masurari.

Neajunsurile de baza a polstirenului si a materialelor fabricate din el sunt fragilitatea, adica


rezistenta mica la impactsi tendinta la crapare. Aceste neajunsuri intr-o masura mare sunt
eliminate in polistirenii rezistenti la impact(amestec de polistiren cu cauciuc sintetic sau
copolimeri de stiren cu unele cauciucuri sintetice). Polistirenii rezistenti la impact se
diferentiaza prin rezistenta marita la impact (a = 40-50 Kj/m2) si o constanta dielectrica
putin marita (εr = 3,0-3,3).Alte caracteristici ale polistirenului cu impact ridicat sunt
aproape aceleasi, ca si la tipurile obisnuite de polistiren. Polistirenul rezistent la impact are
capacitatea are permitivitatea mai mare (0,25 %).

2) Ceramica ,Sticla:

a. Sticla-densitatea (220¸6500 кг/m3 ), pentru sticla de cuart(er = 3,7÷3,8),duritatea


electrica (500 МW/m),caracterizata de transparenta si rezistenta sporita la temperature
mari,pentru sticla de cuart (peste 1000 C), tgd=0,0002, er =3,8, la 200оС aproximativ
1015 Оhm•m.

Proprietatile elctrice a sticlei in mare parte depend de compozitia sticlei. Majoritatea


sticlelor sunt caracterizate de conductivitate ionicaUnele tipuri de sticla speciala –
calcogenura, vanadiu (semiconductori) –au conductivitate electronica sau mixta. Cel mai
mult,conductivitatea sticlei este micsorata de SiО2 и B2О3.Cea mai mica conductivitate
electrica o are sticla de cuart, iar cea mai ridicata – alcanii puternici. De obicei sticlele mai
rezistente chimicau conductivitate electrica mai mica.Conductivitatea electrica creste mult
odata cu ridicarea temperaturii din cauza maririi mobilitatii ionilor.Rezistenta specifica de
volum a sticlelor tehnice la temperaturile mici variaza intre 108¸1015 Оhm•m. O contributie
notabila in conductivitatea electrica a sticlei o areconductivitatea de suprafata, puternic
dependent de folia de absorbtie permiabila.

b. Ceramica-rezistenta la presiune (400700 МPа),r~6÷7, tg~0,02.

Proprietatile electrice a ceramicii  In industria electrotehnica si radio-electrotehnica


tehnologia ceramic se aplica pentru fabricarea dilectricilor, semiconductori, piezoelectrici,
magnetici, metaloceramici si alte produse.Multe material ceramice au rezistivitate
mecanica ridicata si rezistenta la temperatura, caracteristici electrice inalte, lipsa
deformarilor mecanicela aplicarea indelungata a presiunii, mai mare, decat la materialele
organice,rezistenta la imbatranire termica si electrica. Ceramica poate fi supusa
metalizarii, de obicei prin metoda arderii argintului si realizarea intersectiilor iermetice
cu metalele.

3) Mica-temperatura de topire (11451400оС),

Rezistenta la Rezistenta Tangenta unghiului


densitatea,
Tipuri de mica temperatura, electrica relativa de pierderi delita
о кg/m3
С Оhm•m 1МHz
Moscovit 500600 10121014 0.0003 (2.6÷2.8)•103

Flogopit 800900 10111012 0.0015 (2.7÷2.8)•103


Mica sintetica
(Fotoflogopit)
1100 10141015 0.0002 (2.6÷2.8)•103

Mica prezinta o grupa dematerial,cu aparteneta laalumosilicati aposicu structura fibroasa


puternic evedentiata. In calitate de izolatori electrici la momentul de fata se utilizeaza doua
tipuri de mica minerala— moscovit si flogopit.In afara de mica naturala se utilizaeaza de
asemneasi cea sintetica.Utilizarea micai in calitate de izolant pentru mareleturbo-si
hidrogeneratoarelor, motoarelor de tractiune si in calitate de dielectric in unele
condensatoare este legata de rezistenta ei electrica ridicata, rezistenta la temperatura,
rezistenta mecanica si flexibilitatii.

4) Polipropilen-temperatura de topire(171 C),tg (0,0003— 0,0005 la 1


МHz)Proprietatile mecanice ale monomerilor si copolimerilor sunt foarte diferite,
continutul de elastomer avand o mare influenta in delimitarea proprietatilor fiecaruia.
Densitatea variaza intre 0.895 – 0.910 g/cm3 sau poate depasi 1.0 pentru materialele
ranforsate cu fibra de sticla. Este un material cristalin cu un grad de cristalinitate de 60%.
Toate tipurile de polipropilene sunt vascoase, iar piesele injectate se fragilizeaza numai
sub o sarcina foarte ridicata. 

5) Fluoroplast-polimer rezistent la temperaturi, suporta usor temperature de +250°С. La


temperature mai mari de 415°Сse descompune. Prin incalzirea fluoroplastului,acesta se
poate inmuia, dar nu devine vascos, incepand sa se descompuna.De aceea produsele din
fluoroplast se obtin prin presareaunui praf finurmata desinterizare.

6) Hartie-densitatea(1.6 т/m3 ), Е=300-400 KW/cm,Un mare avantaj al acestor material


consta in faptul, ca ele se produc din material renovabil, si anume din masa lemnoasa.
Tehnologia de preparare consta in fierberea aschiilor de lemn in solutiecu adaosuri.Fibrele
de celuloza se separa, Pulpa primita se ingroasa cu indepartatrea unei cantitati de apa, din
ea se indeparteaza impuritatile metalice. Apoi urmeaza rularea intre role, la temperature
ridicate si presiuni.Cu cat densitatea hartiei e mai mare cu atat e mai mare rezistenta
mecanica si rezistenta electrica.Cea mai fina si rezistenta hartie se utilizeaza la fabricarea
condensatoarelor.

3. Partea practică
Dependenţa permitivităţii dielectrice de frecvenţa câmpului aplicat

Dielectricul
polar

f1 f2 f, Hz
Dielectricul nepolar
Variaţia permitivităţii dielectrice relative în funcţie de frecvenţa cîmpului aplicat
3.1 Schema instalaţiei de măsurare:

Schema instalaţiei
3.2 Aparatură, instrumente şi dispositive:
 Aparat de măsurat L, C, R de înaltă frecvenţă, tip E7-9;
Diapazonul de măsurare a capacităţii: de la 1 pînă la 5000 pF;
Limita de eroare admisă a măsurării capacităţii nu mai mult de:
1. ±(0,05 Cx+1) pF la măsurarea capacităţilor de la 1 pF pînă la 2,5 pF;
2. ±(0,05 Cx +0,5) pF la măsurarea capacităţilor de la 2,5 pF pînă la 10 pF;
3. ±(0,005 Cx +0,4) pF la măsurarea capacităţilor de la 10 pF pînă la 5000
pF, unde Cx – capacitatea măsurată în pF.
4. Rezoluţia dispozitivului la măsurarea capacităţii (mai mică de 5 pF) nu
este mai mică de 0,07 pF.
5. Măsurarea capacităţii se efectuează la frecvenţele 700-300 kHz.
6. Limita erorii admisea capacităţii măsurate datorită unei modificări a
temperaturii aerului ambiant în condiţiile de funcţionare nu depăşeşte 0,3
limita erorii de bază admisă punctelor 1. 2. 3. pentru fiecare 10°C.

 Aparat de măsurat L, C, R digital, tip E7-12;


1. Capacitatea: ±(0,001 pF – 100nF);
2. Limitele erorii de măsurare de bază admise: ±0,02%;
3. Tangenta unghiului δ: ±210-4
4. Frecvenţa de măsurare: 1 MHz;
5. Timp de măsurare: 0,15-0,5 s.
 Măsurător de imitanţă, tip E7-15;
1. Domeniu de măsurare:10-13 - 1610-3 F;
2. tgδ : 10-3 - 2;
3. Eroare de măsurare: 0,25%;
4. Frecvenţele de măsurare: 100Hz, 1kHz
 Frecvenţmetru electronic Ч3-54,
Gama de frecvenţe măsurate: de la 0,1 Hz la 300 MHz;
Interval de intrare:
de la 100 mV la 100 V pentru frecvenţe de până la 120 MHz,
200 mV până la 3 V pentru frecvenţe mai mari de 120 MHz;
Intervalul de frecvenţă la măsurarea perioadei: de la 0 la 1 MHz;
Intervalul de măsurare a duratei impulsului şi a intervalelor de timp: de la 10-7 la
105 s, cu o rezoluţie de 10 ns;
Intervalul de frecvenţă la măsurarea frecvenţei: de la 10 Hz la 150 MHz până la
0-1 MHz;
Exemple de frecvenţe ale dispozitivelor: 0,1; 1; 10; 100 Hz; 1; 10; 100 kHz; 1; 5;
10; 50 MHz.
 Cabluri.
3.3 Materiale cercetate:

Pertinax – 0,5 mm Kapton – 0,04 mm

Sticlotextolit – ( 0,5; 1,75) mm Prepreg – 0,1 mm

Sticlă organică – 1,2 mm Hîrtie de condensator – 0,02 mm

Fluoroplast 4 – 2 mmTriacetat – 0,04 mm

3.4 Desfăşurarea lucrării

1 Se vor conecta aparatele electrice şi se vor încălzi timp de 15 minute;


2 Între armăturile condensatorului se va instala unul din dielectricii cercetaţi şi se va
măsura capacitatea C şi tg a condensatorului la frecvenţa de 1MHz,cu ajutorul
aparatului E7-12. Datele măsurate se vor introduce în tabelul 1;
3 SevamăsuraC şitgacondensatoruluilafrecvenţelede100 Hz şi1000
Hz,cuajutorulmăsurătoruluideimitanţă E7-15. Datele măsurate se vor introduce în
tabelul 1;
4 Cu ajutorul aparatului de măsurat L, C, R digital E7-8 şi a
frecvenţmetruluielectronic se va măsura C şi tg a condensatorului în intervalul de
frecvenţă (300-700) kHz.Datele măsurate se vor trece în tabelul 1;

5 Se vor efectua măsurări analogice pentru toţi dielectricii propuşi;


6 Se va calcula permitivitatea dielectrică relativă ra dielectricului cu ajutorul
formulei:
Cd
εr = ,
ε 0 S undeS este suprafaţa armăturilor (192x180)mm2; d – distanţa dintre
armături(grosimea dielectricului); 0 = 8,85410-12 F/m. Datele obţinute se vor
introduce în tabelul 1.

7 Se vor construi graficele dependenţei parametrilor măsuraţi în funcţie de frecvenţă:


tg = f(f); r=f(f). Se vor compara proprietăţile materialelor diferite la frecvenţe
diferite.
4. Rezultatele experimentale
4.1 Tabelul valorilor măsurate şi valorilor calculate
Tabelul 1
Materiale Frecventa Capacitatea tg εr
1) K71- 100Hz 4,78 nF 0,0001
7(Polistiren)
1000Hz 4,69nF 0,0001 2,4-2,6

1000000Hz 4,93nF 0,0098

290000Hz 4,865nF ---------


2) KC- 100Hz 753pF 0,006
1(Ceramica
dinSticla) 1000Hz 745pF 0,001 10-200

1000000Hz 747pF 0,005

522000Hz 743pF -------


3) KCO(Mica) 100Hz 1522pF 0,012

1000Hz 1501pF 0,001 6,8-7,2

1000000Hz 1521pF 0,002

4370000Hz 1618pF -------


4) K78- 100Hz 4,78nF 0,0001
2(Polipropilen)
1000Hz 4,77nF 0,0001 2,3-2,9

1000000Hz 4,93nF 0,0045

288000Hz 4.94nF --------


5) ФТ- 100Hz 1126pF 0,002
1(Fluroplast)
1000Hz 1129pF 0,001 1,9-2,2

1000000Hz 1138pF 0,003

473000Hz 1240pF -------


6) БМ- 100Hz 3,82nF 0,03
2(Hartie)
1000Hz 3,72nF 0,016 3,5

1000000Hz 3,48nF 0,0049

325000Hz 3,67nF -------


4.2 Grafice

Figura 1.5 Dependenţa tgε=f(f)

5.Concluzie: În urma efectuării acestei lucrări de laborator, am aflat lucruri noi în


domeniul dielectricilor folosiţi pentru fabricarea condensatoarelor. Am observat în cursul
colectării datelor, că unele materiale dielectrice sunt puţin influenţate de mărimea
frecvenţei aplicate cum ar fi: fluoroplast, mica, emailul, etc. Dar unele materiale aşa cum
este hîrtia de condensator sunt influenţate semnificativ de mărimea frecvenţei aplicate, ce
duce la creşterea unghiului pierderilor în dielectric, ceea ce ne demonstrează că aşa tip de
material este nedorit de folosit la frecvenţe mari.In dielectricii polari risipirea puterii in
general se produce din cauza pierderilor la frecarea dintre moleculele dipolare la
orientarea acestora.De aceea pierderile dielectrice cresc odata cu frecventa, pana cand
polarizarea reuseste sa urmeze schimbarea campului, in acelasi timp creste si tgd . Atunci
cand frecventa devine atat de mare ca moleculele dipolare deja nu mai reusesc sa se
orienteze pe directia campului, atunci pierderile devin permanente.

S-ar putea să vă placă și

  • Lab 5
    Lab 5
    Document13 pagini
    Lab 5
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Lab 4
    Lab 4
    Document17 pagini
    Lab 4
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Lab 2
    Lab 2
    Document14 pagini
    Lab 2
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • LL 2 Dascal Daniel MMRT-221
    LL 2 Dascal Daniel MMRT-221
    Document23 pagini
    LL 2 Dascal Daniel MMRT-221
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • LL 1 Dascal Daniel MMRT-221
    LL 1 Dascal Daniel MMRT-221
    Document25 pagini
    LL 1 Dascal Daniel MMRT-221
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Întrebări LL 5
    Întrebări LL 5
    Document8 pagini
    Întrebări LL 5
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Întrebări LL 4
    Întrebări LL 4
    Document6 pagini
    Întrebări LL 4
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Întrebări LL 6
    Întrebări LL 6
    Document8 pagini
    Întrebări LL 6
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Întrebări LL 1
    Întrebări LL 1
    Document4 pagini
    Întrebări LL 1
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Întrebări LL 2
    Întrebări LL 2
    Document7 pagini
    Întrebări LL 2
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Întrebări LL 3
    Întrebări LL 3
    Document7 pagini
    Întrebări LL 3
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări
  • Questions 1
    Questions 1
    Document9 pagini
    Questions 1
    Dascal Daniel
    Încă nu există evaluări