MinisterulEducaţiei,CulturiişiCercetarii al Republicii Moldova

UniversitateaTehnică a Moldovei
FacultateaElectronicăşiTelecomunicaţii
DepartamentulTelecumunicaţii

Raport
La lucrarea de laborator Nr.2

Disciplina:Materialeşicomponentepasiveînelectronică

Tema:Dependenţaparametrilormaterialelordielectrice de

temperatură

Aefectuatstudentiigupei: RST-181

Numeleşiprenumelestudentilor: Dascal Daniel

TalmaciMihai
Urechi Tudor

A verificat:Lector superior RudencoStepan

Chişinău 2018
1. Scopullucrării:Familiarizarea cu metodele de cercetare a
permitivităţiişipierderilordielectriceînfuncţie de temperatură,
analizastabilităţiitermice a condensatoarelor cu dielectriciidiferiţi.

2. Materialulteoretic: Pierderile puterii prezintă puterea disipată, care duce la

încălzirea dielectricului sub influenţa câmpului electric. Pierderile au loc atât în
câmpul permanent, cât şi în regim armonic (câmpul alternativ), întrucât în material
au loc curenţii de conducţie. La tensiune continue, când n-are loc polarizarea
periodică, calitatea materialului se caracterizează prin valorile rezistivităţii
specifice de volum şi de suprafaţă.

Pierderile dielectrice pot fi caracterizate prin puterea disipată raportată la unitatea

de volum – pierderi specifice. De obicei, pentru a evalua proprietăţile materialului
de a disipa puterea în câmpul electric se utilizează unghiul de pierderi dielectrice şi
funcţia sa tangentă.

Unghiul de pierderi este unghi care completează până la 900 unghiul de defazaj
între curent şi tensiune într-un circuit capacitiv.

În cazul dielectricului ideal, vectorul curentului va depăşi vectorul tensiunii cu un

unghi de 900 şi în acest caz unghiul de pierderiδ va fi egal cu „0”.

Principalele tipuri de pierderi în dielectric

 Pierderi prin conducţie electrică directă care se observă la aplicarea tensiunii

continue;
 Pierderile prin polarizare de relaxare care apar la acţiunea asupra
dielectricului a tensiunii alternative şi sunt condiţionate de componenta
activă a curentului de polarizare încetinită;
 Pierderile prin ionizare care sunt caracteristice materialelor în starea gazoasă
şi dielectricilor solizi cu incluziuni gazoase;
 Pierderile de rezonanţă condiţionate de absorbşia de dielectric a energiei
electromagnetice la frecvenţele oscilaţiilor proprii ale particulelor de
dielectric.

Curbele dependenţei sarcinii electrice de tensiunea aplicată

În lipsa pierderilor, cauzate de polarizare, sarcina este funcţia lineară de tensiune

Diagrama fazorilor (vectorială)

a I a P
Din diagrama fazorilor se vede cătgδ= I = P (1).
r r
Semnificaţia practică a parametrului tg , care este unul din parametri de bază ai
materialului dielectric, constă în faptul că caracterizează pierderile puterii în
material aflat în câmpul electric.
Ia
Pa=U· I a ; =tgδ ⇒ I a=I r ·tgδ ; (2)
Ir

U U
I r= = =U·ω·C
Xc 1 ;(3)
ωC

Pa=U·U ωC·tgδ=U ωCtgδ=U 2 πf·C·tgδ .(4)

2 2

Pierderile de putere extrem de mari pot avea loc la frecvenţele avansate. De

aceea, pentru dielectricii care se utilizează în electrionică valorile admisibile a tgδ
sunt catalogate.Valorile minime a tgδ le aparţin gazelor: tgδ=10-6÷10-5.

Dielectricii solizi care se utilizează în domeniul microundelor: tgδ=(2÷5)10-4.

Majoritatea dielectricilor de utilizare largă:tgδ=(2÷5)10-3.

Calitatea dielectricului este cu atât mai înaltă, cu cât tgδ este mai mic. Cu atât mai
mici sunt şi pierderi, care duc la încălzirea şi distrugerea dielectricului.

Variaţia tgδîn funcţie de temperatură

Cu creşterea temperaturii tg a dielectricului nepolar creşte, în legătura cu

creşterea curentului de conducţie. Ca urmare, cresc şi pierderile active în dielectric.

ambiantă T, pentrudielectriculnepolar (a), pentrudielectricul polar (b)

În dielectricul polar creşterea tg este cauzată de creşterea curentului de conducţie

la temperaturi mai avansate de T2.

Până la temperatura T1 majorarea tg se explică prin cheltuielile energiei pentru

orientarea moleculelor polare care participă în procesul de polarizare şi numărul
cărora este în creştere.

Începând cu temperatura T1 şi până la temperatura T2 moleculele polare trec din

stare de orientare în stare de oscilaţii termice haotice, cheltuielile energiei pentru
polarizarea dipolară fiind în scădere.

Acest fenomen este însoţit de scăderea valorii lui tg.

Principalelematerialeutilizateca dielectric la realizareacondensatoarelor fixe

şiparametriiacestorasuntprezentateîntabelul2.1.
Tabelul 2.1 Parametrii principalelor materiale utilizate ca dielectric la realizarea
condensatoarelor
Material r  v tg Estr(MV TM Polari-
) zare
(K-1) m (0C)

Polistire-n 2.5-2.6 -10-4 1018 (1-4)10- 20...35 80...85 p.d.e.

4

Polipropi- 2.2-2.3 -310-4 1017 (3-6)10- 30...32 160.. p.d.e.

len 4
170

Politetraflu 1.9-2.2 0 1018 (1-4)10- 20...40 250 p.d.e.

oretilen(tefl 4

on)

Micămusco 6.5-7 -210-4 1016 310-4 100 500... p.d.e.i.

vit 600

Polietilenter 3 +10-3 1016 (4-8) 100 125 p.o.

eftalat 10-3
(poliester)

Policarbona 3 +310-4 1017 10-3 15...20 140 p.o.

t

Hârtie 6.6 +10-3 1017 610-3 35...40 70..100 p.o.

Ceramicăti 6-250 +10-4 – 1012- (2-5) 15...30 p.d.e.i.,

p1 1.510-3 1014 10-4 p.o.

Ceramicăti 2000- Nedefin 10-2-10- 8...10 p.o.

p11 16000 it 4

Al2O3 10 +410-4 (3-6) 700 p.d.e.i.

10-4

Ta2O5 27.6 +2.5 (3-6) 500 p.d.e.i.

10-4
10-4
3. Parteapractică

3.1 Schema instalaţiei de măsurare:

Figura 1: Schema instalaţiei

3.2Aparatele, instrumenteleşidispozitiveleutilizate:

- Măsurător L,C,R digital, tip E7-8.

1. Domeniu de măsurare:Capacităţi (C): ± 0,01 pF - 100 μF;
2. tgδ: 1·10-4-1;
3. Frecvenţa de măsurare: 1000 Hz.

- Voltmetru B7-27A/1

1. Temperatura: -30...+100°C

- Termostat, tip THP-2Ф.

- Termocuplu

- Cabluri.

- Ventilator.
3.3Materialele utilizate:

Tabelul 1 - Materialeşicondensatoarelecercetate

Nr. d/o Tipulcondensatorului Materialuldielectriculuiutiliza

înregletatermostatulu t
i

1 К73-9 Polietilentereftalat

2 КСО-2 Mică

3 КМ Ceramică

4 К10-17в (cip) Ceramică (SMD)

5 К22-5 Sticlă-ceramică

6 К78-2 Polipropilen

7 ФТ-1 Fluoroplast

8 МБМ Metal-hârtie

9 К53-18В Oxid-semiconductor

10 К71-5 Polistiren

3.4Desfăşurarea lucrării:

1 Se vacontrolaunirea la masă a aparatului E7-8.

2 Se vorconectaaparatulşitermostatul cu ajutorulcablurilorînconformitate cu
fig. 5.
3 Se vaconectaaparatul la reţeauaelectricăşi se vaîncălzitimp de 15 minute.
Regimul de lucru: comutotoare “Видизмерения”- înpoziţiile “C,G”,
„tgd”,”Пределизмерений” – „АВТ”.
4 Se vormăsuravalorilecapacităţilorşitgd ale condensatoarelor cu
dielectriciidiferiţi la temperatura de camerăprinrecomutareaconsecutivă a
cursorului de petermostat (din partea de jos de la 1 până la 10). Se
vorcitivalorilecapacităţilorpeecranul din stânga, valoriletgd- peecranul din
dreapta. Datelesevorînscrieîntabelul 2.
5 Se vaconectatermostatulşi se
vormăsuravalorilecapacităţilorluişitgdpestefiecare 50 ,
ridicândtemperaturapână la 800C.
6 Se vordesenacurbeledependenţeicapacităţiişitgd de
temperaturăpentrucondensatoarele indicate de profesor.
7 Se vorcalculacoeficienţii de variaţieaicapacităţii de temperaturăînintervalul
de temperaturi (Т с – 80)0C conform formulei:

1 ( С 80−Сс )
α ϲ= (5)
Сс ( Т 80−Т с )

unde: Cc estevaloareaacapacităţii la temperaturaambiantă (temperaturacamerei

–

Tc); C80estevaloareacapacităţii la temperatura de 800C;

8 Se vadeconectatermostatul, se varăciregleta cu condensatoarepână la

temperaturainiţială (Т с), cu ajutorul ventilatorului.
9 Se vorcalculaСşitgdale condensatoarelordupărăcire.
10 Se vorcalculavalorile ∆C carezultat al acţiuniitemperaturiloravansate:
Сn +1−С с
ΔС= Сс
100% (6)

datele se vor introduce întabelul 2.

4. Rezultatele experimentale

4.1 Tabelul valorilor măsurate şi valorilor calculate

T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7
Nr. d/o
C tgδ C tgδ C tgδ C tgδ C tgδ C tgδ C tgδ
1 (nF) 54,46 0,0035 54,54 0,0031 54,62 0,0027 54,7 0,0023 54,77 0,002 54,80 0,0018 54,85 0,0016
2 (pF) 830,7 0,0023 831 0,0023 831,4 0,0026 831,6 0,003 832 0,0034 832,4 0,0038 832,7 0,0041
3 (nF) 159,6 0,0041 152,6 0,0037 144,4 0,0036 131,3 0,0031 120,5 0,0027 110,2 0,0024 99,7 0,0021
4 (nF) 158,1 0,0099 158,3 0,0103 159,9 0,0115 160,7 0,0119 160,7 0,0115 161,1 0,0115 160,6 0,0107
5 (nF) 14,44 0,0042 14,45 0,0038 14,45 0,0034 14,46 0,003 14,47 0,0029 14,47 0,0027 14,5 0,0032
6 (nF) 10,13 0,0006 10,12 0,0006 10,11 0,0007 10,10 0,0006 10,08 0,0007 10,07 0,0007 10,1 0,0014
7 (nF) 1,134 0,001 1,134 0,001 1,134 0,001 1,134 0,001 1,139 0,0013 1,134 0,0012 1,1 0,0065
8 (nF) 138,9 0,0404 140 0,0463 141,9 0,0569 144,1 0,0696 147,2 0,0883 150,4 0,1066 155,6 0,1339
9 (µF) 10,29 0,066 10,33 0,0663 10,40 0,0673 10,47 0,0678 10,54 0,0686 10,62 0,0687 10,71 0,069
10(nF) 68,16 0,0005 68,15 0,0008 68,14 0,0003 68,13 0,0004 68,12 0,0004 68,08 0,0004 68,07 0,0004

T8 T9 T10 T11 T12 T(n+1)

αC ΔC
C tgδ C tgδ C tgδ C tgδ C tgδ C(n+1) Tgδ(n+1)
0,001 54,18 0,0038 0,00023 -0,5141
54,82 54,91 0,0014 54,92 0,0014 55,02 0,0015 55,15 0,0017
5
0,004 832 0,0035 0,000078 0,4333
833 833,2 0,0051 833,6 0,059 834 0,0064 834,3 0,0074
7
0,001 158,7 0,0045 -0,01133 -62,35
88,8 80,7 0,0016 73,75 0,0015 66,45 0,0014 60,09 0,0013
9
161,5 0,011 161,4 0,0106 161,9 0,0103 162,3 0,0098 163 0,0093 165,2 0,0127 0,00056 3,0993
0,002 14,54 0,0053 0,00025 1,385
14,50 14,52 0,0026 14,54 0,0027 14,58 0,0029 14,64 0,0035
5
0,000 10,11 0,0007 -0,00028 -1,5794
10,04 10,02 0,0008 10,01 0,0008 9,99 0,0008 9,97 0,0008
8
 0,001 1,133 0,0016 0 -0,0881
1,134 1,133 0,0017 1,133 0,0019 1,133 0,0021 1,133 0,0024
6
0,156 141,9 0,0504 0,00781 42,98
160,2 167,5 0,1853 174,5 0,2053 186,7 0,2265 198,6 0,2361
6
0,069 10,33 0,0706 0,00159 8,7463
10,78 10,87 0,0689 10,95 0,680 11,04 0,0672 11,19 0,0662
4
0,000 68,13 0,0004 -0,00006 -0,3374
68,04 68,02 0,0004 67,99 0,0004 67,95 0,0005 67,93 0,0005
4
4.2 Graficele

Figura2: Dependenţa C=f(T)

C1 К73-9 - Polietilentereftalat
C3 КМ -Ceramică
C4 К10-17в (cip) -Ceramică (SMD)
C5 К22-5 -Sticlă-ceramică
C6 К78-2 -Polipropilen
C7 ФТ-1 -Fluoroplast
C8 МБМ -Metal-hârtie
C9 К53-18В -Oxid-semiconductor
C10 К71-5 -Polistiren
Figura 3: Dependenţa C=f(T)
C2 - КСО-2 - Mică
 Figura 4: Dependenţa C=f(T)
C9 К53-18В -Oxid-semiconductor
 Figura 5: Dependenţa tgδ=f(T)
C1 К73-9 - Polietilentereftalat
C2 - КСО-2 - Mică
C3 КМ -Ceramică
C4 К10-17в (cip) -Ceramică (SMD)
C5 К22-5 -Sticlă-ceramică
C6 К78-2 -Polipropilen
C7 ФТ-1 -Fluoroplast
C8 МБМ - Metal-hârtie
C9 К53-18В -Oxid-semiconductor
C10 К71-5 -Polistiren
5.Concluzie: Efectuând acestă lucrare de laborator, am căpătat cunoştinţe noi în domeniul
dielectricilor folosiţi pentru fabricarea condensatoarelor. Am
constatatcămaterialeledielectricecapolistiren, polipropilen cu polarizare de
deplasareelectronicăprezintăvalorimici ale permitivităţii relative r (2...2.5), au
pierderifoartemici, şi o stabilitatefoartebună a permitivităţii la temperaturăşifrecvenţă; de
asemeneapierderilesuntrelativstabile,iarmaterialeledielectricecamica,cudeplasareelectronic
ăşiionicăprezintă o permitivitatemai mare (6...27), au pierderipuţinmaimarişi de
asemeneabunăstabilitate a permitivităţii la temperaturăşifrecvenţă. Am observat la
colectarea datelor şi construirea graficelor că la variaţia temperaturii mediului ambiant, are
loc sau nu are loc variaţia capacităţii şi a unghiului de pieredri în dielectric. Astfel, unii
condensatori cum sunt C8 şi C3 îşi schimbă capacitatea semnificativ în dependenţă de
variaţia temperaturii mediului, pe cînd restul condensatoarelor îşi menţine capacitatea sau
persistă o mică schimbare a capacităţii la variaţia temperaturii. La fel am observat
căpierderileputerii active îndependenţă de temperaturăsuntmici,iar la uneleodată cu
creştereatemperaturi de exemplu: Oxid-semiconductor pierderileputerii active
îndependenţă de temperatură nu au loc. La fel am
depistatcădependenţacapacităţiicondensatorului de temperaturăestecăodată cu
mărireatemperaturi,capacitateacondensatoruluiscade.

Efectuândaceastălucratre de laboratoramconstatatcăcelemai stabile condensatoare pot fi

considerate condensatorul cu polistirenşicondensatorul cu polipropilen.

În concluzie putem spunecă condensatorul C8 nu este eficient de-l folosit la

temperaturi avansate, deoarece are loc schimbarea capacităţii şi creşterea tgδ, iar
condensatorul C3 la fel nu este eficient de-l folosit la temperaturi avansate din cauza
schimbării capacităţii. Iar cele mai eficiente sau constatat a fi condensatoarelor cu
micăşifluroplast, deoarececapacităţiicondensaoruluidupăracier nu a variat, a
rămasconstantă.