LUCRAREA NR.

3
__________________________________________________________________________________________1

PROPRIETĂŢILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

3.1 Scopul lucrării

Determinarea dependenţei proprietăţilor conductoare ale materialelor de câmpurile
termice şi electromagnetice, precum şi determinarea rezistivităţii materialelor.

3.2 Noţiuni teoretice

Conducţia electrică într-un material constă în apariţia unui flux dirijat de purtători
mobili de sarcină la aplicarea unui câmp electric, E . Această deplasare ordonată a
purtătorilor de sarcină electrică este un curent electric, iar materialul în care are loc acest
fenomen fizic se află într-o stare electrocinetică. Caracterizarea locală a acestei stări poate fi
făcută cu ajutorul vectorului J , numit densitatea curentului electric.
Proprietăţile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ în
domeniul liniar de coeficientul de rezistivitate electrică de volum  sau de mărimea inversă,
conductivitatea electrică de volum σ  ρ 1 . Aceste mărimi sunt definite de forma locală a
legii de conducţie electrică:
 
J =σ∙ E respectiv E =ρ∙ J (3.1)
Conform teoriei cuantice, rezistivitatea a unui material are expresia:
mn 1
ρ (3.2)
n �qτ2n

unde: n este concentraţia purtătorilor mobili de sarcina din material la echilibru termodinamic,
iar qn şi mn sunt sarcina, respectiv masa unui purtător mobil de sarcină.
Coeficientul  se numeşte constanta de timp de relaxare, fiind determinat de
interacţia dinamică a purtătorilor de sarcină cu diferite cvasiparticule (impurităţile neutre
ionizate, fononii reţelei cristaline) întâlnite de-a lungul traiectoriei lor dirijate sub acţiunea
câmpului electric.
În cazul metalelor purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de conducţie a căror
concentraţie este practic constantă, dependenţa rezistivităţii electrice de temperatură fiind
determinată numai de constanta de relaxare.
La temperaturi foarte scăzute este predominant mecanismul de interacţie cu
impurităţile şi defectele existente în material, astfel încât metalul prezintă o rezistivitate
independentă de temperatură numită rezistivitate reziduală, ρ 0 .
 LUCRAREA NR. 3
2__________________________________________________________________________________________
La temperaturi scăzute (T<<TD - temperatura Debye), este predominantă interacţia cu
fononii acustici rezultând o proporţionalitate a rezistivităţii cu T 5, iar la temperaturi ridicate
(T>>TD), acelaşi mecanism conduce la o proporţionalitate a rezistivităţii cu T.
În cazul materialelor semiconductoare, purtătorii mobili de sarcină sunt electronii de
conducţie şi golurile, astfel încât:
1
�m 1 m 1 � 1
  � n2 + p2 � (3.3)
�ne  n pe  p � e( nm n + pm p )
� �
unde m este coeficientul de mobilitate:
e e
mn  n μp  τp (3.4)
mn mp

iar q p  q n  e (sarcina electronului).

Concentraţia purtătorilor mobili de sarcină proveniţi, la temperaturi coborâte, în
special din mecanismul extrinsec de ionizare a impurităţilor, iar la temperaturi ridicate din
mecanismul intrinsec de rupere a legăturilor covalente, creşte exponenţial cu creşterea
temperaturii. Mobilitatea acestor purtători scade în general la creşterea temperaturii după o
lege practic liniară.
În cazul acţiunii unui flux electromagnetic apare o concentraţie suplimentară de
purtători mobili de sarcină rezultată în urma interacţiei electronilor de valenţă cu fotonii.
Totodată, se modifică şi mobilitatea efectivă care caracterizează deplasarea dirijată a
purtătorilor sub acţiunea câmpului electric. Acest fenomen constituie efectul fotoelectric
intern.
Modelul benzilor energetice al corpului solid permite descrierea purtătorilor de
sarcină. Descrierea purtătorilor de sarcină electrică se realizează pe baza modelului simplificat
al benzilor energetice ale corpului solid. Conform acestui model, electronii unui atom ocupă
diverse nivele energetice care pot fi grupe in benzi energetice:
 banda de valenţă: electronii de valenţă sunt fixaţi în legături covalente. Acest tip de
electroni sunt imobili, deci nu pot participa la fenomene de conducţie;
 banda de conducţie: electronii de conducţie sunt electroni liberi, se pot deplasa prin
structura internă a materialului, deci participă la fenomenele de conducţie;
 banda interzisă: electronii nu pot ocupa nivele energetice în interiorul acestor benzi.
Diagrama benzilor energetice a materialelor permite clasificarea acestora din punct
de vedere a conductibilităţii electrice (proprietatea unui material de a permite trecerea
curentului electric). Conductibilitatea electrică a materialelor este determinată de apariţia
LUCRAREA NR. 3
__________________________________________________________________________________________3
purtătorilor de sarcină electrică, în anumite condiţii energetice şi de deplasarea acestora în
structura internă a materialului respectiv. Pornind de la această mărime, materialele
electronice se pot clasifica în trei tipuri: conductoare, semiconductoare şi izolatoare.

Fig. 3-1: Structura benzilor energetice pentru:

a) metale, b) materiale semiconductoare şi materiale izolatoare

În cazul materialelor conductoare, conducţia curentului electric este asigurată de

electronii de conducţie, iar pentru cele semiconductoare şi izolatoare – electronii de conducţie
şi goluri.
Pentru materialele semiconductoare, valoarea benzii interzise este cuprinsă în
intervalul EG ≤0.025-3eV, iar pentru izolatoare, EG ≥2.5-3eV.
Valoarea conductivităţii electrice pentru diferite tipuri de materiale la temperatura
camerei este:
Metale pure σ, (Ω·m)-1
Ag 6.80  107
Cu 5.81  107
Al 3.80  107
W 1.81  107
Aliaje σ, (Ω·m)-1
Cu84Mn12Ni4 (manganin) 2.3  106
Cu60Ni40 (constantan) 2.0  106
Ni-Cr 1.0  106
 LUCRAREA NR. 3
4__________________________________________________________________________________________

Semiconductoare σ, (Ω·m)-1
C 2.8  104
Ge 1.7  100
Si 4.3  10-4

Izolatoare σ, (Ω·m)-1
Teflon <10-13
Mica 10-11-10-15
SiO2 1.3  10-18
Materialul devine mai conductiv datorită absorbţiei radiaţiei electromagnetice
(lumina, radiaţia ultravioletă, infraroşie sau radiaţia gama).

3.3 Aparatura utilizată

Pentru determinarea proprietăţilor conductoare ale materialelor se utilizează:
 multimetrul digital de precizie 6 1/2 digiţi HM 8113-3 – HAMEG sau
multimetru digital Philips PM 2423, punctele 8.8 şi 8.9 din Capitolul 8 (Materiale pentru
Electronică Îndrumar );
 teraohmetru 4339B – Agilent cu dispozitivul de fixare şi măsură 16008B,
punctul 8.10 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică Îndrumar );
 incintă termică:
 incintă pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenţei;
 sursă de alimentare programabilă 7044 – HAMEG sau sursa dublă stabilizată 0-
30 V / 0,8 A, punctele 8.11 şi 8.12 din Capitolul 8 (Materiale pentru Electronică Îndrumar ).
Utilizarea aparatelor pentru executarea măsurătorilor este prezentată în Capitolul 8
(Materiale pentru Electronică Îndrumar )

3.4 Desfăşurarea lucrării

3.4.1. Dependenţa de temperatură a proprietăţilor conductoare
ale materialelor
LUCRAREA NR. 3
__________________________________________________________________________________________5
Cu ajutorul unui multimetru digital se va măsura rezistenţa unei probe
semiconductoare intrinseci de Germaniu (se măsoară rezistenţa între firul verde-galben
introdus la borna roşie a multimetrului şi firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului) şi rezistenţa unei probe metalice de Nichel (se măsoară rezistenţa intre firul
roşu introdus la borna roşie a multimetrului şi firul negru introdus la borna albastra a
multimetrului).
Determinarea valorilor rezistenţelor se execută cu multimetrul digital HM 8113-
3 – HAMEG sau Philips PM 2423.
Probele sunt introduse într-o incintă termică a cărei temperatură variază suficient de
lent pentru ca un set de două măsurători consecutive să se facă în aproximativ aceleaşi
condiţii termice. Rezultatele măsurătorii se trec în Tabelul 3-1.
Tabelul 3-1.
T [0C] 20 35 40 45 50 55 58 60 62 64
Valori RGe []
măsurate
RNi []
Secţiune ρGe [m]
Ptr. σGe(Ω·m)-1
calcule
ρNi [m]
σNi(Ω·m)-1

Având dimensiunile probelor (proba de Ge are lungimea l = 10 mm şi secţiunea S =

10 × 10 mm2, iar proba de Ni are lungimea l = 90 mm şi secţiunea S = 0,7 × 0,14 mm 2), din
formula
l
R (3.5)
S
se determină ρ, iar
1
σ (3.6)
ρ
Se trasează graficele rezistivităţii şi conductivităţii ca funcţie de temperatură pentru
cele două probe.
Se calculează coeficientul de temperatură al rezistivităţii pentru cele două probe
(abaterile se iau în jurul valorii de 600C).
1 D
a  (3.7)
 DT
Ştiind că dependenţa conductivităţii de temperatură este dată de relaţia
 LUCRAREA NR. 3
6__________________________________________________________________________________________
Eg

s  CT 2 e
3 
2 KT (3.8)

3 �1 �
se trasează graficul ln s  lnT  f � �din care, folosind relaţia
2 �T �

D�
�
Eg   �
3
ln s T 2 �
�
��( )
104 [ eV ]
1.725 �
1 (3.9)
��
D� �
�T �
şi se determină banda interzisă pentru Ge.

3.4.2 Efectul radiaţiei electromagnetice asupra proprietăţilor de

conducţie
Se utilizează montajul experimental prezentat în Fig. 3-2. Acest montaj este alcătuit
din fotorezistenţa, FR, care este înseriată cu o rezistenţă, R, de valoare 1 KΩ. Rezistenţa este
folosită pentru a putea măsura curentul care trece prin fotorezistenţă la o anumită valoare a
tensiunii de alimentare (se măsoară căderea de tensiune pe rezistenţă şi se împarte la valoarea
rezistenţei). Acest montaj este introdus în incintă pentru determinarea caracteristicilor
fotorezistenţei, în vederea asigurării regimului de întuneric pentru măsurători.

Fig. 3-2. Schema de măsură pentru determinarea caracteristicilor fotorezistenţei.

3.4.2.1 Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru

fotorezistenţă la întuneric
Se conectează grupul FR-R la o sursă de tensiune continuă reglabilă: sursa de
alimentare 7044 – HAMEG sau la sursa dublă stabilizată 0-30 V / 0,8 A .
Se modifică tensiunea de alimentare în intervalul 1V ÷ 15V, conform tabelului 3-2 şi
se măsoară tensiunea cu multimetrul digital HM 8113-3 – HAMEG pe fotorezistenţă sau
multimetru Philips PM 2423 şi rezultatele se trec în Tabelul 3-2.
ATENŢIE! La aceste măsurători LED-ul nu se alimentează, iar incinta în care
se găseşte fotorezistenţa trebuie să fie acoperită, astfel încât să nu pătrundă lumină!
LUCRAREA NR. 3
__________________________________________________________________________________________7
Tabelul 3-2. R = 1 KΩ
U [V] 1 3 5 7 9 11 13 15
UFR [V]
( U  U FR )
I FR  [mA]
R

Se trasează pe acelaşi caracteristică UFR(IFR). Se determină rezistenţa la întuneric a

fotorezistenţei ca fiind panta acestui grafic.

3.4.2.2 Determinarea dependenţei dintre rezistenţa fotorezistorului şi

fluxul luminos incident
Pentru a determina această dependenţă se alimentează LED-ul la o tensiune de 10 V.
Se poziţionează fotorezistorul la distanţa aproximativă r 1=1cm de LED (dispozitivul se
fixează cu şuruburi pe tija de glisare) şi se măsoară tensiunea, cu multimetrul digital pe
fotorezistenţă pentru patru valori ale tensiunii de alimentare a grupului FR-R. Se repetă

măsurătorile pentru alte două poziţii ale fotorezistorului aflate la distanţele r 2  10 cm şi

r3=10 cm. Prin modificarea distanţei fotorezistenţă-sursă de lumină, fluxul incident pe FR va
varia după o lege 1/r2, astfel ( r )  100( r ) şi ( r )  10( r ) , ( r ) fiind luat ca
1 3 2 3 3

referinţă. Se completează Tabelul 3-3.

Tabelul 3-3 R = 1 KΩ
Flux U [V] 1 5 10 15
(r1) UFR [V]
( U  U FR )
I FR  [mA]
R
(r2) UFR [V]
( U  U FR )
I FR  [mA]
R
(r3) UFR [V]
( U  U FR ) [mA]
I FR 
R

Se trasează caracteristicile UFR(IFR) pentru cele trei valori ale fluxului. Din panta
acestor grafice se determină rezistenţa fotorezistenţei RFR la cele trei valori ale fluxului.
Folosind valorile determinate anterior se trasează graficele lg(RFR) în funcţie de lg(),
luându-se ca referinţă pe axa absciselor valoarea lg( (r3)).
 LUCRAREA NR. 3
8__________________________________________________________________________________________
3.4.3 Determinarea rezistivităţii materialelor dielectrice şi a materialelor
semiconductoare
3.4.3.1 Măsurarea rezistivităţii materialelor dielectrice şi a materialelor
semiconductoare cu teraohmetrul 4339B Agilent
Pentru determinarea rezistivităţii materialelor dielectrice şi a materialelor
semiconductoare vom utiliza teraohmetrul 4339B Agilent cu dispozitivul de măsură 16008B,
aşa cum este arătat în Fig. 3-3 .

Fig. 3-3. Teraohmetrul 4339B cu dispozitivului fixare şi masură 16008B

Teraohmetrul măsoară, calculează şi vizualizează valoarea rezistivităţi de volum şi de

suprafaţă a materialelor.
În primul caz, rezistivitatea de volum este definită ca rezistenţa pe unitatea de volum
conform relaţiei

B ( D2  D1 ) �
2
�
p �D1 + �
Aria 1 2 1 (3.10)
V  RV �  � ��RV �
g 10 4g 10
unde:
ρV – rezistivitatea de volum de volum [Ω-cm]
Aria – aria efectiva [mm2]
g – grosimea probei [mm]
RV – rezistenta de volum masurata [Ω] ;
D1 – diametrul electrodului principal [mm] ;
D2 – diametrul elecrodului de gardă [mm] ;
B - coeficientul efectiv al arei, care poate fi 1 sau 0.
Modul de măsurare a rezistivităţii de volum, a probei de material cu teraohmetru şi
dispozitivului fixare şi măsură 16008B, este prezentat în Fig. 3-5.
LUCRAREA NR. 3
__________________________________________________________________________________________9

Fig. 3-5. Măsurarea al rezistivităţii de volum cu teraohmetru.

Rezistivitatea de suprafaţă este definită ca rezistenţa pe suprafaţă.

Rezistivitatea de suprafaţă (ρs) se calculează de către teraohmetru folosind relaţia:

Perimetru probei p ( D2 + D1 )
s   R ( )
� (3.11)
Gap ( D2  D1 ) s
unde:
ρS – rezistivitaea de suprafaţă [Ω];
Perimetrul probei – perimetrul efectiv al probei [mm];
Gap – spaţiul liber între electrodul principal şi cel de gardă [mm];
RS – rezistenţa de suprafaţă măsurată [Ω];
D1 – diametrul electrodului principal [mm];
D2 – diametrul electrodului de gardă [mm].
Modul de măsurarea al rezistivităţii de suprafaţă a probei de material cu teraohmetru
şi dispozitivului fixare şi măsură 16008B este prezentat în Fig. 3-6.
 LUCRAREA NR. 3
10_________________________________________________________________________________________

Fig. 3-6. Măsurarea al rezistivităţii de suprafaţă cu teraohmetru.

3.4.3.2 Efect uarea măsurătorilor rezistivităţii materialelor dielectrice şi

semiconductoare
3.4.3.2.1 Materialul dielectric
Se fac legăturile între teraohmetru şi dispozitivul de fixarea şi măsură, aşa cum este
prezentat în Fig. 3-3.
Efectuarea măsurătorii rezistivităţii materialelor dielectrice se execută conform pct.
8.10.3 din Capitolul 8 al Îndrumarului. Citirea valorilor, indicate de teraohmetru pentru
rezistivitatea de volum şi suprafaţă, se face după un interval de timp de 1 minut de la aplicarea
tensiunii probei de material, datorită polarizării materialul şi a curentului de absorbţie.
Materialul dielectric măsurat va avea dimensiunile determinate de dispozitivul de
fixare şi măsură.
Cu datele obţinute în urma măsurătorilor se completează Tabelul 3-4.

Tabelul 3-4
Nr. Uout I ρV I ρS
Material
Crt. (V) (A) (Ωm) (A) (Ω)

Se clasifică materialele dielectrice funcţie de rezistivitaea de volum şi rezistivitatea

de suprafaţă si se trag concluzii.

3.4.3.2.2 Materialul semiconductor

LUCRAREA NR. 3
_________________________________________________________________________________________11
Se fac legăturile între teraohmetru şi dispozitivul de fixarea şi măsură, aşa cum este
prezentat în Fig. 3-3.
Efectuarea măsurătorii rezistivităţii materialelor semiconductor se execută conform
pct. 8.10.3 din Capitolul 8 al Îndrumarului.
Materialul semiconductor măsurat va avea dimensiunile determinate de dispozitivul
de fixare şi măsură.
Cu datele obţinute în urma măsurătorilor se completează Tabelul 3-5.
Tabelul 3-5
Nr. Uout I ρV I ρS
Material
Crt. (V) (A) (Ωm) (A) (Ω)

Se clasifică materialele semiconductoare funcţie de rezistivitatea de volum şi

rezistivitatea de suprafaţă si se trag concluzii.

3.5 Conţinutul referatului

1. scopul lucrării;
2. Tabelul 3-1 şi împreună cu relaţiile folosite la calcul;
3. dependenţele de temperatură ale rezistivităţii şi conductivităţii pentru probele de
germaniu şi nichel de la punctul 3.4.1;
4. calculul coeficientului de temperatură al rezistivităţii pentru cele două probe;
5. graficul pe baza căruia se va calcula banda interzisă a germaniului;
6. Tabelul 3-2 şi caracteristica curent-tensiune la întuneric pentru fotorezistenţă,
precum si calculul rezistenţei la întuneric obţinută pe baza acestei caracteristici;
7. Tabelul 3-3 şi graficul cu caracteristicile curent-tensiune pentru fotorezistenţă la
cele 3 valori ale fluxului optic;
8. graficul lg(RFR) în funcţie de lg(), luându-se ca referinţă pe axa absciselor
valoarea lg( (r3)).;
9. Tabelul 3-4 şi clasificarea materialelor dielectrice funcţie de rezistivitate de volum
şi de suprafaţă;
10.Tabelul 3-5 şi clasificarea materialelor semiconductoare de volum şi suprafaţă;
11. răspunsuri la întrebări, întrebări şi probleme;
12. concluzii şi comentarii.
 LUCRAREA NR. 3
12_________________________________________________________________________________________

3.6 Întrebări şi probleme

1. Cum se explică faptul că, deşi deplasarea purtătorilor mobili de sarcină se face sub
acţiunea câmpului electric, mişcarea acestora nu este uniform accelerată, ci uniformă?
2. Cum se explică faptul că în general mobilitatea purtătorilor mobili de sarcină
scade la creşterea temperaturii?
3. Definiţi temperatura Debye.
4. Este justificată utilizarea unui coeficient de temperatură al conductivităţii pentru
metale sau este mai potrivită introducerea unui coeficient de temperatură al rezistivităţii? De
ce?
5. Este justificată utilizarea unui coeficient de temperatură pentru materiale
semiconductoare intrinseci? Să se deducă expresia lor analitică.
6. Precizia cu care se determină valoarea rezistenţei fotorezistorului este mai bună
dacă se măsoară tensiunea între bornele roşu-negru sau între bornele roşu-verde?
7. Să se precizeze rolul rezistorului montat în serie cu dioda electroluminiscentă.
8. După ce lege se modifică fluxul electromagnetic, emis de dioda
electroluminiscentă şi care cade pe fotorezistor, cu distanţa dintre cele două componente?