LUCRAREA NR.

3
PROPRIET ILE CONDUCTOAR E ALE
M ATE R I A L E L O R
Scopul lucrrii
Determinarea dependenei proprietilor conductoare ale materialelor de
cmpurile termice si electromagnetice.
I. Introducere teoretic
Conducia electric ntr-un material const n apariia unui flux dirijat de
purttori mobili de sarcin la aplicarea unui cmp electric E . Aceast curgere
ordonat a purttorilor de sarcin electric este un curent electric, iar materialul
n care are loc acest fenomen fizic se afl ntr-o stare electrocinetic.
Caracterizarea local a acestei stri poate fi fcut cu ajutorul vectorului J ,
numit densitatea curentului electric.
Proprietile conductoare ale unui material izotrop sunt descrise cantitativ
n domeniul liniar de coeficientul de rezistivitate electric de volum sau de
mrimea invers, conductivitatea electric de volum . Aceste mrimi sunt
definite de forma local a legii de conducie electric:
=
respectiv
= (1)
Conform teoriei cuantice conductivitatea electric a unui material are
expresia:
1

BC

BV
a)

mn 1
n q 2m

(2)

unde n este concentraia purttorilor mobili de sarcina din material la echilibru

termodinamic, iar qn i mn sunt sarcina, respectiv masa unui purttor mobil de
sarcin.
BC
BC
Coeficientul se numete constanta de timp de relaxare, fiind determinat
de interacia dinamic
a purttorilor de sarcin cu diferite cvasiparticule
BI
(impuritile neutre ionizate, fononii reelei cristaline) ntlnite de-a lungul
traiectoriei lor dirijate sub aciunea cmpului electric.
BV
n cazul metalelor
purttorii mobiliBV
de sarcin sunt electronii de conducie
a cror concentraie este practic constant, dependena rezistivitii electrice de
b)
c)
temperatur fiind determinat numai de constanta de relaxare.
La temperaturi foarte sczute este predominant mecanismul de interacie
cu impuritile i defectele existente n material, astfel nct metalul prezint o
rezistivitate independent de temperatur numit rezistivitate rezidual 0.
La temperaturi sczute (T<<TD - temperatura Debye) este predominant
interacia cu fononii acustici rezultnd o proporionalitate a rezistivitii cu T 5,
iar la temperaturi ridicate (T>>TD) acelai mecanism conduce la o
proporionalitate a rezistivitii cu T.

LABORATORUL DE MATERIALE
CATEDRA TEF

LUCRAREA NR. 3
PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

n cazul maaterialelor semiconductoare purttorii mobili de sarcin sunt

electronii de conducie i golurile, astfel nct:

m
n

ne 2

mp 1
1

n
pe 2 p

1
e ( n n p p )

(3)

e
p
mp

(4)

unde este coeficientul de mobilitate:

n

iar

q p q n e

e
n
mn

Concentraia purttorilor mobili de sarcin provenii, la temperaturi

coborte, n special din mecanismul extrinsec de ionizare a impuritilor, iar la
temperaturi ridicate din mecanismul intrinsec de rupere a legturilor covalente,
crete exponenial cu creterea temperaturii.
Mobilitatea acestor purttori scade n general la creterea temperaturii
dup o lege practic liniar.
n cazul aciunii unui flux electromagnetic apare o concentraie
suplimentar de purttori mobili de sarcin rezultat n urma interaciei
electronilor de valen cu fotonii. Totodat se modific i mobilitatea efectiv
care caracterizeaz deplasarea dirijat a purttorilor sub aciunea cmpului
electric. Acest fenomen constituie efectul fotoelectric intern.
II.

Desfurarea lucrrii

1. Dependena de temperatur a proprietilor conductoare ale materialelor

Cu ajutorul unui ohmmetru se va msura rezistena unei probe
semiconductoare intrinseci de Ge (se msoar rezistena ntre borna
verde-galben i cea neagr) i rezistena unei probe metalice de Ni (se msoar
rezistena intre borna roie si borna neagr). Aceste probe sunt introduse ntr-o
etuv a crei temperatur variaz suficient de lent pentru ca un set de dou
msurtori consecutive s se fac n aproximativ aceleai condiii termice.
Rezultatele msurtorii se trec n Tabelul 1.
ATENIE! Valoarea rezistenei se va citi pe scala ohmmetrului ce ofer
rezoluia cea mai bun (scala ohmi pentru valori mai mici de 200, scala
kilo-ohmi pentru valori ntre 200K si 200)!
Masuratorile pentru cele doua probe se vor efectua succesiv
prin conectarea pe rand a celor doua fire (verde-galben si rosu) la borna de
masura a rezistentei a instrumentului (borna albastra) firul negru
ramanand conectat in permanenta la borna neagra a instrumentului.
Tabelul 1
T [0C]
Valori RGe []
msurate RNi []

20

35

40

45

50

55

58

60

62

64

LABORATORUL DE MATERIALE
-2CATEDRA TEF

LUCRAREA NR. 3
PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

Calcule

Ge [m]
Ni [m]

Avnd dimensiunile probelor (pentru proba de Ge l = 10 mm i seciunea

S = 10 10 mm, iar pentru Ni l = 90 mm i seciunea S = 0,7 0,14 mm, din
formula R

l
S

se determin , iar = 1 / .

Se traseaz graficele rezistivitii i conductivitii ca funcie de

temperatur pentru cele dou probe.
Se calculeaz coeficientul de temperatur al rezistivitii pentru cele dou
probe (abaterile se iau n jurul valorii de 600C).

1
T

(5)

tiind c dependena conductivitii de temperatur este dat de relaia

CT

Eg

2 e 2 KT

se traseaz graficul

ln T 2

Eg
0,397 eV
1


T

ln

3
1
ln T f
2
T

din care, folosind relaia

se determin banda interzis pentru Ge.

2. Efectul radiaiei electromagnetice asupra proprietilor de conducie.

Se utilizeaz montajul experimental prezentat n Figura 1. Acest montaj
este alctuit din fotorezistena FR care este nseriat cu o rezisten R de valoare
1 K. Rezistena este folosit pentru a putea msura curentul ce trece prin
fotorezisten la o anumita valoare a tensiunii de alimentare (se msoar cderea
de tensiune pe rezisten i se mparte la valoarea rezistenei).

Figura 1 Schema de msur pentru determinarea

caracteristicilor fotorezistenei.
a. Determinarea caracteristicii curent-tensiune pentru fotorezisten la ntuneric.

LABORATORUL DE MATERIALE
-3CATEDRA TEF

LUCRAREA NR. 3
PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

Se conecteaz grupul FR-R la o surs de tensiune continu reglabil. Se

variaz tensiunea de alimentare n intervalul 1V-15V i se msoar tensiunea pe
fotorezisten. Rezultatele se trec n Tabelul 2.
ATENIE! La aceaste msurtori LED-ul nu se alimenteaz, iar incinta n care
se gsete fotorezistena trebuie s fie acoperit, astfel nct s nu ptrund
lumin!
Tabelul 2.
U [V]
UFR [V]
I FR

U U FR
R

11

R = 1 K
13
15

[mA]

Se traseaz pe acelai caracteristica UFR(IFR). Se determin rezistena la

ntuneric a fotorezistenei ca fiind panta acestui grafic.
b. Determinarea dependenei dintre rezistena fotorezistorului i fluxul
luminos incident.
Pentru a determina aceast dependen se alimenteaz LED-ul la o
tensiune de 10 V. Se poziioneaz fotorezistorul la distana aproximativ r 1=1cm
de LED (dispozitivul se fixeaz cu uruburi pe tija de glisare) i se msoar
tensiunea pe fotorezisten pentru patru valori ale tensiunii de alimentare a
grupului FR-R. Se repet msurtorile pentru alte dou poziii ale
fotorezistorului aflate la distanele r2 10 cm i r3=10 cm. Prin modificarea
distanei fotorezisten-surs de lumin, fluxul incident pe FR va varia dup o
lege 1/r2, astfel (r1 ) 100( r3 ) i (r2 ) 10(r3 ) , ( r3 ) fiind luat ca referin.
Se completeaz Tabelul 3.

Tabelul 3
Flux
(r1)
(r2)

U [V]
UFR [V]

I FR

U U FR
R

R = 1 K
10
15

[mA]

UFR [V]

I FR

U U FR
R

[mA]

UFR [V]

LABORATORUL DE MATERIALE
-4CATEDRA TEF

LUCRAREA NR. 3
PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

(r3)

I FR

U U FR
R

[mA]

Se traseaz caracteristicile UFR(IFR) pentru cele trei valori ale fluxului. Din
panta acestor grafice se determin rezistena fotorezistenei RFR la cele trei valori
ale fluxului.
Folosind valorile determinate anterior se traseaz graficele lg(RFR) n
funcie de lg(), lundu-se ca referin pe axa absciselor valoarea lg((r3)).
Coninutul referatului
scopul lucrrii;
Tabelul 1 mpreun cu relaiile folosite la calcul;
dependenele de temperatur ale rezistivitii i conductivitii pentru probele
de germaniu i nichel de la punctul II.1.;
calculul coeficientului de temperatur al rezistivitii pentru cele dou probe;
graficul pe baza cruia se va calcula banda interzis a germaniului;
Tabelul 2 i caracteristica curent-tensiune la ntuneric pentru fotorezisten,
precum si calculul rezistenei la ntuneric obinut pe baza acestei
caracteristici;
Tabelul 3 i graficul cu caracteristicile curent-tensiune pentru fotorezisten
la cele 3 valori ale fluxului optic;
dependena de flux optic pentru rezistena fotorezistenei de la punctul II.2.;
concluzii i comentarii.
ntrebri i probleme
1.Cum se explic faptul c dei deplasarea purttorilor mobili de sarcin se face
sub aciunea cmpului electric, micarea acestora nu este uniform accelerat, ci
uniform?
2.Cum se explic faptul c n general mobilitatea purttorilor mobili de sarcin
scade la creterea temperaturii?
3.Definii temperatura Debye
4.Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur al conductivitii
pentru metale sau este mai potrivit introducerea unui coeficient de temperatur
al rezistivitii? De ce?
5.Este justificat utilizarea unui coeficient de temperatur pentru materiale
semiconductoare intrinseci? S se deduc expresia lor analitic.
6. Precizia cu care se determin valoarea rezistenei fotorezistenei este mai bun
dac se msoar tensiunea ntre bornele rosu-negru sau ntre bornele rosu-verde?
7.S se precizeze rolul rezistorului montat n serie cu dioda electroluminiscent.
8.Dup ce lege variaz fluxul electromagnetic emis de dioda electroluminiscent
care cade pe fotorezisten cu distana dintre dou componente?

LABORATORUL DE MATERIALE
-5CATEDRA TEF

LUCRAREA NR. 3
PROPRIETILE CONDUCTOARE ALE MATERIALELOR

Bibliografie
1.Ctuneanu, V. Materiale pentru electronic, Bucureti, Ed. Didactic i
Pedagogic, 1992
2.chiopu, P.
3.Nicolau E. Manulalul inginerului electronist Vol.1, Bucureti,Ed Tehnic,1987

LABORATORUL DE MATERIALE
-6CATEDRA TEF