LABORATOR DE FIZICĂ – ELECTRICITATE -I

Dependenţa de temperatură a rezistivităţii electrice a metalelor

Consideraţii teoretice
Modelul electronilor liberi, presupune că electronii de valenţă ai metalelor sunt
colectivizaţi şi se comportă ca un gaz perfect. În absenţa unor câmpuri electrice sau
magnetice electronii liberi se mişcă haotic, cu aceeaşi probabilitate după orice direcţie din
G
spaţiu. Sub acţiunea unui câmp electric constant E după o direcţie dată, apare o
componentă de mişcare a tuturor electronilor dirijată după această direcţie, suprapusă peste
mişcarea haotică termică. In mişcarea lor, electronii se ciocnesc cu impurităţile, defectele de
reţea sau fononii. Conform modelului clasic (Drude) conductibilitatea electrică are valoarea :
1 ne 2 τ
σ= = = neµ (1)
ρ ∗
m
unde n este concentraţia, m masa efectivă a electronilor, τ timpul de relaxare (timpul dintre
*

două interacţii consecutive ), e sarcina electronilor, iar µ mobilitatea lor iar

1 A
= =σ (2)
ρ RS
unde ρ reprezintă rezistivitatea conductorului, ℓ şi S dimensiunile geometrice ale acestuia
respectiv lungimea şi secţiunea iar R este rezistenta electrică. In cazul metalelor, concentraţia
electronilor rămâne practic constantă cu creşterea temperaturii, creşterea rezistivităţii este
determinată de scăderea mobilităţii purtătorilor, ca rezultat al creşterii împrăştierii electronilor
de către vibraţiile reţelei cristaline (cvasiparticule numite fononi). Rezistivitatea unui metal
conţinând atomi de impurităţi are forma :
ρ = ρ t + ρi (3)
unde ρ t este contribuţia mişcării termice iar ρi este rezistivitatea cauzată de împrăştierea
undelor asociate electronilor pe atomi de impurităţi, care perturbă periodicitatea reţelei. La
zero absolut rezistenţa extrapolară, numită rezistenţă reziduală, este egală cu ρi pentru
metalele şi aliajele ce nu trec în stare de supraconductibilitate. Aceasta este independentă de
tempetarură şi are valori de 105 – 106 ori mai mare ca ρ la temperatura de 20oC, depinzând
de puritatea metalului.
Contribuţia reţelei sau a fononilor la rezistivitate depinde de temperatură. In metale
simple ρ t este proporţional cu temperatura în afară de regiunea temperaturilor foarte joase.
Proporţionalitatea cu T la temperaturi mai mari rezultă din faptul că probabilitatea împrăştierii
electronului este proporţională cu numărul de fononi.
În domeniul temperaturilor înalte, variaţia rezistivităţii este :
∆ρ = αρ o ∆T (4)
sau
ρ = ρ0 (1 + α ⋅ t ) = ρ0 + ρ 0 ⋅ α ⋅ t (5)
Se defineşte coeficientul termic mediu al rezistivităţii
1 ∆ρ 1 ρ − ρ 0
α= ⋅ = ⋅ (6)
ρ 0 ∆T ρ 0 T − T0
unde T0 = 23,16 K,
ρ0 = 00 (rezistivitatea la 00)
 LABORATOR DE FIZICĂ – ELECTRICITATE -I

Instalaţia experimentală
Schema de principiu a instalaţiei
este dată în fig. 1. Rezistenţa se măsoară
cu Puntea Wheastone, raportul
rezistenţelor fiind de a/b = 1/1000. Pentru
măsurarea temperaturii în domeniul 20 ÷
600 C se foloseşte un termometru.
Dimensiunile geometrice ale firului din care
este confecţionat rezistorul sunt ℓ = 10 m,
Φ = 0,5 mm.

Modul de lucru
1. Se stabileşte modul de folosire a
punţii Wheastone.
2. Se conectează plita cu
agitatorul magnetic şi se urmăreşte
creşterea temperaturii şi concomitent
Fig. 1
creşterea rezistenţei. Datele se trec în tabel.
3. Ţinând cont de dimensiunile geometrice ale sârmei de cupru cu ajutorul relaţiei 2
se calculează rezistivitatea.
1
4. Cu relaţia σ = se calculează conductibilitatea pentru temperaturile la care s-au
ρ
făcut citirile.
ρ
5. Se calculează mobilitatea µ = . Pentru cupru n = 8,5 ·1028 atomi/m3.
n ⋅e
6. Se reprezintă grafic ρ = ρ(t ) si µ = µ(t ) .
7. Din graficul ρ = ρ(t ) , prin metoda celor mai mici pătrate se calculează coeficientul
termic mediu al rezistivităţii cuprului α şi rezistivitatea ρ0 la 00C (vezi relaţia 5).
8. Din grafice, prin extrapolare se determină mobilitatea µ0 la 00C.
9. Se calculează timpul de relaxare.
Se dau:
µ⋅m
τ=
e
m = 9,11 ⋅ 10 − 31 kg
e = 1,602 ⋅ 10 −19 C
Tabel cu date experimentale
Nr.
t R ρ σ µ τ
crt.
2
0 m
C Ω Ω·m (Ω · m)-1 s
V⋅s