VARIATIA CU TEMPERATURA A REZISTENTEI ELECTRICE

A METALELOR, SEMICONDUCTORILOR SI ELECTROLITILOR

I. Consideratii generale
Modul de variatie a rezistentei electrice cu temperatura este determinat de natura
materialului studiat: metal, semiconductor, dielectric, electrolit.
La temperaturi obisnuite (300 K), conductivitatea electrica are valori de ordinul
3
10 104 ( m)-1 pentru metale, de ordinul 100 10-12 ( m)-1 pentru semiconductori si
de ordinul 10-12 10-17 ( m)-1 pentru dielectrici.
Metalele, semiconductorii (cu exceptia celor amorfi) si dielectricii solizi au
structura cristalina. Caracteristica esentiala a starii cristaline o constituie asezarea
tridimensionala, perfect periodica a atomilor intr-o retea cristalina ideala. Distantele
dintre atomi sunt de ordinul 10-10 m; pozitiile atomilor sunt fixe si reprezinta pozitii de
echilibru in care rezultanta fortelor de interactiune cu ceilalti atomi este nula.
In cristalele reale, prezenta impuritatilor (ce se pot distribui fie in modurile retelei
impuritati substitutionale, fie intre noduri impuritati interstitiale), deformatiile
mecanice (care produc dislocatii etc.), marginile cristalului si vibratia termica a atomilor
afecteaza caracterul periodic ideal. Toate acestea constituie imperfectiuni ale retelei.
Unele proprietati ale metalelor, printre care conductibilitatea electrica si
conductibilitatea termica, pot fi explicate in modelul electronilor liberi (numit si Drude
Lorentz). In acest model, nodurile retelei cristaline a unui metal ocupate cu ioni pozitivi
sunt scufundate intr-un gaz de electroni liberi, electroni de conductie, gaz care se
comporta ca un gaz ideal, respectand distributia dupa viteze (energii) data de statistica
Maxwell Boltzman. Electronii de conductie provin din electronii de valenta ai atomilor
de metal, care nu mai pot fi retinuti pe patura de valenta si devin liberi sa se miste in
intreg cristalul, fara insa a-l putea parasi in absenta vreunei cauze exterioare. Acesti
electroni nu mai apartin unui singur atom, fiind uniform distribuiti in tot metalul.
Deoarece electronii de conductie nu pot parasi metalul daca nu exista o cauza exterioara
si totodata nu pot avea orice energii, este mai corect sa se utilizeze denumirea de
cvasiliberi, prin electron liber intelegandu-se de regula electronul aflat in vid, liber de
orice forte si capabil sa aiba orice energie.
Rezistenta electrica apare ca efect al coicnirii electronilor de conductie cu ionii
din nodurile retelei cristaline sau cu diversele imperfectiuni ale acesteia. Efectele acestor
ciocniri sunt aditive, incat rezistivitatea a unui metal se poate scrie ca:
(1)
= ioni + impuritati + deformatii
ceea ce reprezinta legea lui Mathiesen.
Intre metale si semiconductori exista o deosebire fundamentala in ceea ce priveste
variatia rezistivitatii electrice cu temperatura =(T).
Variatia tipica a rezistivitatii electrice a metalelor cu temperatura ilustrata pentru
Na este redata in figura 1.
In modelul considerat , explicatia microscopica a acestei dependente este
urmatoarea : la 0 K ionii sunt imobili in pozitiile lor de echilibru (nodurile retelei),
electronii de conductie miscandu-se liberi printre acestia. La aceasta temperatura ca si
intr-un interval mic in jurul ei, probabilitatea ciocnirii electron-ion este foarte mica,

practic zero, incat rezistivitatea electrica se datoreaza ultimilor doi termeni, avand o
valoare aproximativ constanta, numita rezistivitate reziduala. La temperaturi mai mari,
rezistivitatea electrica este determinata de ciocnirile electronilor de conductie cu un
anumit tip de vibratii ale ionilor si prezinta o dependenta de temperatura de forma ~T5
(legea Bloch-Gruneisen).

Fig. 1
Cu cresterea in continuare a temperaturii, creste si amplitudinea oscilatiilor ionilor
in jurul pozitiilor de echilibru si in consecinta creste probabilitatea ciocnirii electron-ion.
Pentru un domeniu foarte larg de temperaturi, rezistivitatea variaza liniar cu temperatura
= 0 (1 + M t )
(2)
o
unde 0 este rezistivitatea la temperatura de 0 C , iar M este coeficientul termic avand
valori cuprinse (0,003-0,004) K-1 pentru diferite metale. Variatia liniara a rezistivitatii
electrice cu temperatura atrage dupa sine o variatie liniara a rezistentei electrice cu
temperatura, de forma
R = R0 (1 + M t )
(3)
La semiconductori, rezistivitatea electrica ia valori intr-un interval larg , intre 10010+12(m) depinzand de natura semiconductorului si de gradul de impurificare. La
temperaturi joase, conductibilitatea electrica este afectata de impuritati datorita
purtatorilor de sarcina proveniti de pe acestea si se numeste conductibilitatea extrinseca,
in timp ce la temperaturi mari conductibilitatea se datoreste electronilor proprii si se
numeste intrinseca. Conductibilitatea intrinseca se manifesta la semiconductorul pur la
orice temperatura. La 0 K, in semiconductorii intrinseci toti electronii de valenta sunt
legati de atomi , astfel incat la aceasta temperatura semiconductorul este izolator; la
cresterea temperaturii , o parte din electroni vor fi eliberati din legaturile lor devenind
liberi si pot participa la conductie ; numarul purtatorilor liberi creste exponential cu
temperatura:
Eg

n = C exp
(4)
KT
unde Eg este valoarea minima a energiei necesare desprinderii electronului de valenta din
atom (largimea benzii interzise).
In semiconductorii extrinseci (cu impuritati donoare sau acceptoare) , cresterea
temperaturii duce la ionizarea impuritatilor, ceea ce are ca efect marirea numarului de
purtatori liberi si deci a conductibilitatii electrice. Dependenta de temperatura a
rezistivitatii unui semiconductor este foarte puternica si se exprima matematic printr-o
relatie de forma:

B
(5)
T
unde A si B sunt marimi care depind proprietatile fizice ale materialului, iar T este
temperatura absoluta. La unele materiale semiconductoare , in intervalul (0-300)oC
rezistenta variaza de 1000 de ori in timp ce la un metal , de ex. la platina, in acelasi
interval, rezistenta creste numai de 2 ori.
Variatia mare a rezistentei electrice a semiconductorilor cu temperatura a permis
construirea unor rezistente termic sensibile, numite termorezistente sau termistori.
Termistorii sunt rezistori de volum la care valoarea rezistentei electrice se micsoreaza
puternic cu cresterea temperaturii. Ca urmare , prezenta unui termistor intr-un circuit
electric poate influenta puternic intensitatea curentului la variatia temperaturii. Aceasta
proprietate face posibila aplicarea termorezistentelor in automatica si telecomunicatii,
electronica , radiotehnica, termometrie, constructia aparatelor electrice , medicina,
biologie etc.
In figura 2 se prezinta pentru comparatie variatia rezistentei electrice cu
temperatura pentru un metal si un termistor (semiconductor).

= Aexp

Fig.2
Pornind de la expresia rezistentei
l
(6)
R=
B
rezulta ca la temperatura T
B
(7)
RT = C exp
T
unde constanta C=(Al/S) depinde de proprietatile fizice ale materialului studiat si de
dimensiunile termistorului. Se defineste coeficientul de temperatura T al rezistentei
termistorului prin relatia:
1 dR
(8)
T =
R dT
Din relatiile (7) si (8) rezulta:
B
(9)
T = 2
T
In cazul dielectricilor , numarul electronilor liberi este foarte mic: cresterea
temperaturii nu poate asigura energia necesara ruperii unui numar insemnat de electroni
din legaturile lor, incat la temperaturi uzuale dielectrici sunt izolatori perfecti.
In cazul electrolitilor , cresterea temperaturii determina atat marirea gradului de
diseciatie, deci cresterea numarului de purtatori de sarcina cat si scaderea vasozitatii
lichidului, purtatorii putand ajunge la electrozi intr-un timp mai scurt. Ambii paremetri de

care depinde rezistenta concura la miscarea ei odata cu cresterea temperaturii.

Dependenta de temperatura a rezistentei electrolitilor poate fi redata de urmatoarea
formula aproximativa:
R = R0 (1 E t )
(10)
o
in care R0 este rezistenta la 0 C si E este coeficientul de variatie a rezistentei cu
temperatura.
Sa consideram 1 cm3 de electrolit in care s-au dizolvat N molecule gram de
dizolvant. Daca este coeficientul de disociere adica daca din N molecule N sunt
disociate ( variaza intre 0 si 1 ), atunci numarul ionilor dintr-un cm3, exprimat tot in
molecule-gram , va fi:
n=N
Daca ionii pozitivi, adica cationii, au viteza u si ionii negativi, adica anionii au
viteza v, sub actiunea unui camp electric de intensitate E, curentul electric care trece prin
sectiunea de 1 cm2 este:
1=NF(u+v)E
Vitezele u si v corespund campului din solutie egal cu 1V/cm si se numesc
mobilitatile ionilor; F este numarul lui Faraday si are valoarea F=96,494 C/echivalentgram.
Cand temperatura creste , viteza ionilor creste, caci vascozitatea solutiei scade,
dar in acelasi timp creste cu temperatura. Deci efectul total este o crestere a
conductivitatii cu temperatura.
II Dispozitivul experimental, determinari prelucrarea datelor
In lucrarea de fata se studiaza dependenta de temperatura a rezistentei electrice pentru:
a) un termistor preparat din oxizi de Co si Mn;
b) un fir metalic din Fe.

B
C
A
RM
120V I
RT
Fig.3
Termorezistenta si firul metalic sunt plasate in incinta A (fig.3) prevazuta cu incalzitorul I
si a carei temperatura poate fi reglata si mentinuta constanta cu ajutorul termometrului
special B si a releului C. Firele de conexiune ale termistorului si cele ale firului metalic se
conecteaza la cate un ohmetru. Cu ajutorul termostatului se ridica temperatura din 10o C
in 10o C pana la 100o C.

Se conecteaza incalzitorul I la 120 Vca (de la un variac) si pentru o anumita temperatura

se asteapta pana ce becul de control se stinge , moment in care temperatura a atins
valoarea fixata anterior.
Se citesc valorile rezistentelor si se trec in urmatorul tabel:
Nr.
t(oC)
B
Bmediu
T(K)
Rmetal() Rtermistor
T(K-1)
Crt
()

a)se traseaza graficul RM=f(T), care reprezinta dependenta de temperatura a rezistentei

metalului . Din panta dreptei obtinute se calculeaza (metoda grafica)
b)se traseaza graficul RT=f(T), care reprezinta dependenta de temperatura a rezistentei
electrice a termistorului.
Din grafice se determina doua valori ale rezistentei R0 si RT corespunzand temperaturilor
T0 si T. Conform ecuatiei (7) se pot scrie relatiile:
B
1 1
B
R0 = C exp , RT = C exp ,
RT = R0 exp B
T
T0
T T0
Din ultima relatie se determina valoarea lui B:
2,303(lg RT lg R0 )
B=
1 1

T T0
Se fac calcule pentru mai multe temperaturi T, apoi se calculeaza valoarea medie a
constantei B, care reprezinta sensibilitatea la temperatura a termistorului pe intervalul de
temperaturi de lucru;
1
c) se traseaza pentru termistor graficul lg RT = f . Conform relatiei (7)
T
B 1
lg RT = lg C +
2,303 T
adica , panta acestei drepte tg permite calcularea lui B
B = 2,303tg
Se compara aceasta valoare , obtinuta pe cale grafica , cu valoarea medie obtinuta la
punctul anterior. Se calculeaza apoi T.